KR101930606B1 - 사파이어 라미네이트 - Google Patents

사파이어 라미네이트 Download PDF

Info

Publication number
KR101930606B1
KR101930606B1 KR1020167025331A KR20167025331A KR101930606B1 KR 101930606 B1 KR101930606 B1 KR 101930606B1 KR 1020167025331 A KR1020167025331 A KR 1020167025331A KR 20167025331 A KR20167025331 A KR 20167025331A KR 101930606 B1 KR101930606 B1 KR 101930606B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sapphire
major surface
sapphire sheet
sheet
single crystal
Prior art date
Application number
KR1020167025331A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160111015A (ko
Inventor
크리스토퍼 디. 프레스트
데일 엔 메머링
데이비드 에이. 파쿨라
리차드 훙 민 딘
빈센트 얀
Original Assignee
애플 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 애플 인크. filed Critical 애플 인크.
Priority claimed from PCT/US2013/028938 external-priority patent/WO2013134159A2/en
Publication of KR20160111015A publication Critical patent/KR20160111015A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101930606B1 publication Critical patent/KR101930606B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/002Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising natural stone or artificial stone
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10036Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising two outer glass sheets
    • B32B17/10045Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising two outer glass sheets with at least one intermediate layer consisting of a glass sheet
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10082Properties of the bulk of a glass sheet
    • B32B17/10119Properties of the bulk of a glass sheet having a composition deviating from the basic composition of soda-lime glass, e.g. borosilicate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10733Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing epoxy
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form
    • B32B3/02Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/022Mechanical properties
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/03Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers with respect to the orientation of features
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111Fine ceramics
    • C04B35/115Translucent or transparent products
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/001Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating directly with other burned ceramic articles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/008Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of an organic adhesive, e.g. phenol resin or pitch
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/04Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with articles made from glass
    • C04B37/047Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with articles made from glass by means of an interlayer consisting of an organic adhesive, e.g. phenol resin or pitch
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/20Aluminium oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/06Joining of crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/412Transparent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/76Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/78Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/787Oriented grains
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/34Oxidic
    • C04B2237/343Alumina or aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/52Pre-treatment of the joining surfaces, e.g. cleaning, machining
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24488Differential nonuniformity at margin

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

다양한 사파이어 및 라미네이트 구조체들이 본 명세서에서 논의된다. 일 실시예는 주 표면을 형성하는 제1 사파이어 면 타입을 갖는 제1 사파이어 시트, 및 주 표면을 형성하는 제2의 상이한 사파이어 면 타입을 갖는 제2 사파이어 시트를 갖는 사파이어 구조체의 형태를 취할 수 있다. 제1 사파이어 시트와 제2 사파이어 시트는 사파이어 구조체를 형성하도록 함께 융합된다.

Description

사파이어 라미네이트{SAPPHIRE LAMINATES}
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 2012년 3월 6일자로 출원되고 발명의 명칭이 "사파이어 라미네이트(Sapphire Laminates)"인 미국 가특허 출원 제61/607,401호에 대한 우선권을 주장하며, 상기 가특허 출원의 내용은 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함된다.
본 출원은 일반적으로 사파이어에 관한 것이며, 보다 구체적으로 얇은 사파이어 라미네이트에 관한 것이다.
강옥(corundum)은 산화알루미늄의 결정 형태이고 다양한 여러 색상으로 발견되는데, 이들 모두는 일반적으로, 흔히 루비로 알려진 적색 강옥 및 파파라챠(padparadscha)로 알려진 분홍-오렌지색 강옥을 제외하고는 사파이어로 통칭된다. 투명 형태의 강옥은 보석 또는 보옥으로 여겨진다. 일반적으로, 강옥은 엄청나게 경질이고 - 순수 강옥은 9.0 모스 경도를 갖는 것으로 정의됨 -, 그렇기 때문에 거의 모든 다른 재료들을 스크래칭할 수 있다. 본 목적을 위해, 용어 "강옥" 및 "사파이어"는 산화알루미늄의 결정 형태를 일반적으로 지칭하는 데 상호교환적으로 사용될 수 있다.
이해될 수 있는 바와 같이, 특히 경도 및 투명 특성을 포함한 강옥의 소정 특성들로 인해, 그것은 다양한 여러 응용에서 유용할 수 있다. 그러나, 특정 응용에 유익한 동일 특성들은 보통 이들 응용을 위한 사파이어를 가공 및 준비함에 있어서 비용 및 어려움 둘 모두를 증가시킨다. 그렇기 때문에, 그것이 보석이라는 것과 관련된 비용 외에, 특정 용도를 위한 강옥을 준비하는 비용이 종종 엄두도 못 낼 정도로 높다. 예를 들어, 사파이어의 경도는 종래의 가공 기술이 구현되는 경우 재료의 커팅 및 폴리싱(polishing)을 어렵게 만들 뿐만 아니라 시간이 많이 걸리게 만든다. 또한, 커터와 같은 종래의 가공 공구는 강옥 상에 사용되는 경우 상대적으로 급속한 마모를 경험한다.
본 출원의 배경 기술로는 일본 공개특허공보 특개평06-337292(공개일 1994년 12월 6일), 국제공보 WO2007/143480(2007년 12월 13일)가 있다.
다양한 사파이어 구조체 및 라미네이트 구조체가 본 명세서에서 논의된다. 일 실시예는 주 표면(major surface)을 형성하는 제1 사파이어 면 타입(sapphire plane type)을 갖는 제1 사파이어 시트, 및 주 표면을 형성하는 제2의 상이한 사파이어 면 타입을 갖는 제2 사파이어 시트를 갖는 사파이어 구조체의 형태를 취할 수 있다. 제1 사파이어 시트와 제2 사파이어 시트는 사파이어 구조체를 형성하도록 함께 융합된다.
다른 실시예는 제1 사파이어 시트, 및 제1 사파이어 시트에 융합된 제2 사파이어 시트를 갖는 사파이어 라미네이트의 형태를 취할 수 있다. 제1 사파이어 시트 및 제2 사파이어 시트는 그들의 주 표면들에 대해 동일한 결정 배향, 그러나 그들의 에지에 대해서는 상이한 결정 배향을 갖는다. 즉, 제1 사파이어 시트 및 제2 사파이어 시트는 주 표면을 형성하는 공통의 사파이어 면, 및 보조 표면들을 형성하는 상이한 사파이어 면들을 가질 수 있다.
또 다른 실시예는 유리 시트, 및 유리 시트에 점착된 사파이어 시트를 갖는 유리 구조체의 형태를 취할 수 있다. 유리 구조체는 두께가 1 mm 미만이거나 대략 1 mm이다.
또 다른 실시예는 라미네이트 구조체를 제조하는 방법의 형태를 취할 수 있다. 본 방법은 사파이어 시트의 제1 면(side)을 래핑(lapping) 및 폴리싱하는 단계, 및 사파이어 시트를 유리 시트에 점착하는 단계를 포함한다. 본 방법은 또한 사파이어 시트의 제2 면을 래핑 및 폴리싱하는 단계, 및 유리 시트를 화학적으로 강화시키는 단계를 포함한다.
또한, 또 다른 실시예들은 소비자 전자 디바이스의 디스플레이를 위한 유리 내측 표면과 함께 사파이어 외측 표면을 사용하는 것을 포함할 수 있는데, 여기서 2개의 사파이어 표면이 유리와 함께 라미네이팅되어 디스플레이에 지지를 제공하고 사파이어는 내스크래치성 및 내구성 이점들을 제공한다.
다수의 실시예들이 개시되지만, 본 발명의 또 다른 실시예들이 하기의 상세한 설명으로부터 당업자에게 명백하게 될 것이다. 이해될 바와 같이, 실시예들은, 전적으로 실시예의 사상 및 범주로부터 벗어남이 없이, 다양한 태양에서의 수정이 가능하다. 따라서, 도면 및 상세한 설명은 본질적으로 제한이 아닌 예시적인 것으로 간주되어야 한다.
<도 1>
도 1은 사파이어 커버 플레이트를 갖는 전자 디바이스를 도시하는 도면.
<도 2>
도 2는 사파이어 구조체를 형성하도록 함께 결합시키기 전의, 주 표면 상에 상이한 면을 각각 갖는 사파이어의 2개의 시트를 도시하는 도면.
<도 3>
도 3은 사파이어 구조체를 형성하도록 함께 결합된 도 2의 사파이어의 2개의 시트를 도시하는 도면.
<도 4>
도 4는 2개의 사파이어 시트로 사파이어 구조체를 생성하기 위한 단계들을 도시하는 흐름도.
<도 5>
도 5는 주 표면 상에 동일한 면을 각각 갖지만, 상이한 면들이 에지 표면 상에서 서로 인접하도록 상이하게 배향된 사파이어의 2개의 시트를 도시하는 도면.
<도 6>
도 6은 사파이어 구조체를 형성하도록 함께 결합된 도 5의 사파이어 2개의 시트를 도시하는 도면.
<도 7>
도 7은 유리 시트를 사파이어 시트와 라미네이팅하기 전의, 사파이어 시트 및 유리 시트를 도시하는 도면.
<도 8>
도 8은 2개의 사파이어 시트들 사이에 유리 시트를 갖는 사파이어 구조체를 도시하는 도면.
사파이어의 특성을 이용하는 사파이어 라미네이트가 본 명세서에서 논의된다. 특히, 사파이어는 이방성이며 사파이어의 결정 구조는 다수의 상이한 면을 갖는다. 각각의 면이 다른 광물들에 비해 현저한 경도를 나타내지만, 일부 면들은 추가의 상이한 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, C-면 사파이어는 다른 사파이어 면들보다 더 경질일 수 있는 반면, A-면 사파이어는 다른 면들보다 더 높은 파괴 계수를 가질 수 있다. R-면 및 M-면 사파이어는 다른 이점들을 제공할 수 있다.
일부 실시예에서, 상이한 사파이어 면들을 갖는 2개의 사파이어 시트가 상이한 면들의 상이한 특성들을 이용하도록 함께 융합될 수 있다. 다른 실시예에서, 사파이어 시트들의 보조 배향이 에지들이 상이한 면들을 가질 수 있도록 제어된다. 다른 실시예에서, 사파이어 시트는 다른 재료 위에 라미네이팅될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 사파이어 시트가 유리 시트에 점착될 수 있다.
또한, 대략 1 밀리미터 이하인 사파이어 시트의 취급 및 가공은, 파손을 방지하기 위해 증가된 주의를 요구하기 때문에 어렵다. 보다 구체적으로, 대략 0.5 밀리미터 미만의 사파이어 시트(예를 들어, 0.4 밀리미터 시트)의 취급은 전형적으로 사파이어 시트의 증가된 파손을 야기한다. 본 명세서에서 논의되는 기술에 따르면, 사파이어 구조체 및/또는 유리 상의 사파이어 라미네이트는 두께가 대략 1 밀리미터 이하인 시트의 생성을 허용한다. 더욱이, 유리를 사파이어와 라미네이팅하는 경우, 유리의 사용은 사파이어를 사용하는 것에 비해 비용 절감을 제공할 수 있는데, 그 이유는 사파이어가 일반적으로 유리보다 획득 및/또는 가공하기가 더 비싸기 때문이다. 사파이어 라미네이트는 증가된 경도를 제공하여 유리에 대한 마모, 스크래칭 및/또는 손상을 방지한다.
도 1을 참조하면, 사파이어 구조체 또는 라미네이트가 구현될 수 있는 예시적인 전자 디바이스(100)가 도시되어 있다. 예를 들어, 사파이어 라미네이트(102)는 디바이스(100)의 커버 유리 및/또는 배면 플레이트로서 이용될 수 있다. 추가적으로, 또는 대안적으로, 사파이어 라미네이트는 디바이스의 카메라를 위한 커버 및/또는 렌즈로서 이용될 수 있다. 사파이어 라미네이트가 다양한 여러 디바이스들에서 이용될 수 있음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 사파이어 라미네이트는 특히 카메라, 컴퓨터, 모바일 디바이스, 손목시계, 디스플레이 디바이스, 터치 스크린 및 시계에서 윈도우, 미러, 커버 유리, 렌즈 등의 용으로 사용될 수 있다.
도 2는 시트들을 함께 융합시키거나 점착하기 이전의, 2개의 사파이어 시트를 도시하고 있다. 각각의 시트는 시트의 주 표면 내에 상이한 면을 가질 수 있다. 예를 들어, 상부 시트(104)는 C-면 시트일 수 있고 하부 시트(106)는 A-면 시트일 수 있다. C-면은 증가된 경도를 제공할 수 있는 반면, A-면은 더 높은 파괴 계수를 제공할 수 있다. 따라서, 2개의 시트의 조합은 A-면 시트의 경도 및 C-면 시트의 강도를 개선하여, 주 표면 내에 단일 면만을 갖는 사파이어 시트에 비해 개선된 사파이어 시트를 제공할 수 있다. 도 3은 사파이어 구조체(108)를 형성하도록 함께 조합된 2개의 사파이어 시트를 도시하고 있다.
도 4는 2개의 사파이어 시트를 함께 융합시키기 위한 방법(110)을 도시하는 흐름도이다. 처음에, 제1 사파이어 시트의 제1 면이 래핑 및 폴리싱된다(블록 112). 이어서 제2 시트의 제1 면이 래핑 및 폴리싱된다(블록 114). 제1 및 제2 사파이어 시트들의 제1 면들은 시트들의 광학 특성에 영향을 미칠 수 있는 임의의 결함 또는 부적합의 가능성을 감소시키는 것을 돕기 위해 폴리싱된다. 이어서 제1 및 제2 사파이어 시트들의 래핑 및 폴리싱된 면들이 사파이어 라미네이트를 형성하도록 함께 융합된다(블록 116). 사파이어 시트들의 융합은 사파이어의 용융점에서, 그 부근에서 또는 그 초과에서 일어날 수 있다. 일부 실시예에서, 2개의 시트는 융합되는 대신에 접착제를 사용하여 함께 점착될 수 있다. 접착제가 이용되는 실시예에서, 접착제는 광이 하나의 사파이어 시트로부터, 접착제를 통과해 그리고 다른 사파이어 시트 내로 통과함에 따라 발생할 수 있는 임의의 굴절을 제거하거나 감소시키는 것을 돕기 위해 사파이어의 것과 대략 동일하거나 그에 가까운 굴절률을 가질 수 있다.
일단 2개의 시트가 사파이어 라미네이트를 형성하도록 함께 결합되면, 사파이어 라미네이트의 노출된 표면들은 래핑 및 폴리싱될 수 있다(블록 118). 사파이어 라미네이트의 둘 모두의 노출된 표면들은 동시에 래핑 및 폴리싱될 수 있다. 즉, 사파이어 라미네이트는 각각의 면 상에 폴리싱 패드가 있는 상태로 연마 및/또는 폴리싱 슬러리 내에 침지될 수 있다. 사파이어 구조체는 또한 치핑(chipping) 또는 파단(fracturing)의 가능성을 감소시키는 것을 돕기 위해 기계적으로 개질될 수 있다(블록 120). 예를 들어, 에지는 베벨링(beveling)되거나 챔퍼링(chamfering)될 수 있다. 일 실시예에서, 챔퍼링된 에지는 둥근 챔퍼 또는 각진 챔퍼 중 하나를 포함할 수 있다. 또한, 사파이어 구조체는 소유성(oleophobic) 코팅으로 처리되고/되거나 잉크로 인쇄될 수 있다(블록 122).
일부 실시예에서, 하나 이상의 단계가 생략될 수 있고/있거나 단계들이 수행되는 순서가 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 일 실시예에서, 라미네이션후 래핑은 없다. 즉, 개별 시트들은 라미네이션 이전에 충분히 마무리될 수 있다.
생성되는 사파이어 라미네이트는 다수의 면을 사용하는 것으로 인해 우수한 경도 및 강도 둘 모두를 달성할 수 있다. 이들 특성의 조합은 사파이어 라미네이트가 감소된 파손 가능성을 갖고서 1 밀리미터 미만의 두께에서 취급되는 것을 허용할 수 있다. 일 예에서, 각각의 사파이어 시트는 사파이어 라미네이트의 생성 이전의 취급을 통한 파손 가능성을 감소시키는 것을 돕기 위해 대략 1 밀리미터의 두께를 가질 수 있다. 사파이어 라미네이트가 형성된 후에, 그것은 1 밀리미터 미만의 두께로 래핑 및 폴리싱될 수 있다. 라미네이트에 의해 제공되는 경도 및 강도는 감소된 파손 위험을 갖고서 추가의 취급을 허용할 수 있다. 더 얇은 라미네이트가 사파이어 라미네이트를 구현하는 제품의 깊이 또는 두께를 감소시키는 것을 돕는 데 유용할 수 있다.
도 5는 그들의 주 표면들 내에 사파이어의 동일한 면을 갖는 2개 시트의 형태를 취하는 다른 실시예를 도시하고 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "주 표면"은 시트의 지배적인 면을 말한다(예컨대, 사파이어 시트의 상부 또는 하부 표면). 특히, 사파이어(130, 132)의 2개의 A-면 시트가 도시되어 있다. 이 실시예에서, A-면 시트(130, 132)는 에지(134, 136)가 상이한 면들로 배향되도록 서로에 대해 회전될 수 있다. 예를 들어, 상부 시트는 우측 에지를 따른 C-면을 가질 수 있고 하부 시트는 우측 변을 따른 M-면을 가질 수 있다. 즉, 상부 시트(130)의 장축이 C-면 내에 배향될 수 있는 반면, 하부 시트(132)의 장축은 M-면 내에 배향될 수 있다. 이와 같이, 시트들의 종축(뿐만 아니라 축방향 축)은 사파이어의 결정 구조에 대해 특정 각도로 배향될 수 있다. 일부 실시예에서, 시트의 에지는 결정 구조와 똑바로 정렬되지 않을 수 있다. 예를 들어, 에지는 C-면으로부터 10도 오프셋될 수 있다.
에지를 따른 다양한 면들을 제공하는 것은 사파이어 구조체의 에지의 탄성을 개선하는 것을 도울 수 있다. 예를 들어, 에지들이 상이한 선들을 따라 파단될 수 있고 또한 상이한 경도 및 강도 특성을 제공할 수 있는 상이한 사파이어 면들을 가질 수 있기 때문에, 에지들이 파손에 대한 저항력이 더 클 수 있는 것으로 여겨진다. 보다 구체적으로, 하나의 면이 치핑에 대한 저항력이 더 큰 반면 다른 면이 강도 고려의 점에서 바람직하다면, 시트들 함께의 라미네이션은 유리하게도 감소된 치핑 및 증가된 강도를 가질 수 있는 에지를 제공한다. 도 6은 2개의 시트가 함께 융합된 후의 사파이어 구조체(138)를 도시하고 있다.
도 7은 사파이어 시트(140) 및 유리 시트(142)를 갖는 또 다른 실시예를 도시하고 있다. 사파이어 시트(140)의 일 면(144)이 래핑 및 폴리싱된다. 유리 시트가 또한 폴리싱될 수 있다. 이어서 사파이어의 폴리싱된 면이 접착제를 이용하여 유리 시트에 점착된다. 사파이어의 굴절률과 유리의 굴절률 사이에 있는 굴절률을 갖는 접착제가, 사파이어와 유리 사이의 계면에서 또는 이를 따라 발생할 수 있는 임의의 광학적 효과를 감소시키는 것을 돕기 위해 사용될 수 있다. 일반적으로, 얇고 강한 접착이 광학적으로 투명한 접착제에 의해 달성되도록 요구된다. 일부 에폭시 및 액상 광학 투명 접착제(liquid optically clear adhesive, "LOCA")가 접착제로서 사용될 수 있다.
실시예가 유리 상의 사파이어 라미네이트로서 논의되지만, 사파이어 라미네이트가 강철 배면 플레이트, 플라스틱 배면 플레이트 또는 다른 재료에 적용될 수 있음이 이해되어야 한다. 이들 실시예에서, 에폭시 및 LOCA를 사용하여 달성가능한 얇고 강한 접착이 여전히 요구될 수 있다.
이어서 사파이어의 제2 면(예컨대, 사파이어의 노출된 면)이 추가로 래핑 및 폴리싱될 수 있다. 유리가 또한 래핑 및 폴리싱될 수 있다. 유리 및 사파이어의 래핑 및 폴리싱은 단일의 이중-래핑 절차에서 행해질 수 있다. 유리가 사파이어보다 더 연질이기 때문에, 그것은 일반적으로 래핑 공정 동안 사파이어보다 더 급속히 박화될 것이다. 유리의 더 급속한 래핑에 대응하기 위해, 일부 실시예에서, 유리 층은 처음에 사파이어보다 훨씬 더 두꺼울 수 있거나, 래핑 패드가 상이한 재료의 것일 수 있다. 조합된 사파이어 및 유리의 래핑 및 폴리싱 후에, 총 두께는 대략 1 밀리미터 미만일 수 있다. 일부 실시예에서, 총 두께는 대략 1 밀리미터 미만이거나 대략 1 밀리미터 이하(예컨대, 대략 0.9, 0.8, 0.7, 0.6, 0.5, 또는 0.4 밀리미터 이하)일 수 있다. 유리 시트 및 사파이어 시트를 함께 래핑하는 것은, 얇은 사파이어 시트를 단독으로 래핑 및 폴리싱하는 것과 관련된 수율 문제를 최소화할 수 있다. 즉, 사파이어 시트는 유리와 함께 래핑될 때 손상에 덜 민감할 수 있다.
컴퓨터 수치 제어 공정이 래핑 및 폴리싱 전에 사파이어 라미네이팅된 유리 상에서 수행될 수 있다. 추가적으로, 결합부를 매끄럽게 하기 위해 그리고 유리 및 사파이어 결합으로부터 기인하는 임의의 시각적 효과를 추가로 제거하기 위해, 에지 폴리싱이 접착제 및 결합부에 대해 수행될 수 있다.
일부 실시예에서, 유리는 화학적으로 강화될 수 있다. 사파이어가 유리 화학적 강화 공정에 의해 거의 영향을 받지 않을 것이기 때문에, 화학적 강화는 유리와 사파이어가 함께 점착되기 전에 또는 그 후에 수행될 수 있다. 일반적으로, 유리는 유리가 폴리싱된 후에 화학적으로 강화될 수 있다. 일부 실시예에서, 화학적 강화 후에 부차적인 재-폴리싱이 수행될 수 있다. 또한, 유리 및 사파이어는, 예를 들어 챔퍼링된 에지를 갖도록 기계적으로 개질될 수 있다.
사파이어에 대해 유리 기재(glass substrate)를 이용하는 것은 사파이어에 증가된 탄성을 제공할 수 있다. 즉, 유리는 사파이어를 보강함으로써 사파이어 시트의 파손 가능성을 감소시키는 것을 도울 수 있다. 추가적으로, 유리 기재의 사용은 보다 얇은 사파이어의 시트가 이용되는 것을 허용할 수 있으며, 이는 디바이스당 기준으로 더 적은 사파이어가 사용될 것이기 때문에 비용 절감을 제공할 수 있고, 사파이어 시트가 보다 얇게 슬라이스될 수 있기 때문에 더 많은 사파이어 시트가 부울(boule)로부터 수확될 수 있다.
도 8은 2개의 사파이어 시트(154, 156) 사이에 유리 시트(152)를 갖는 사파이어 구조체(150)를 도시하고 있다. 사파이어 구조체(150)는 다양한 여러 능력을 제공하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 사파이어 구조체(150)는 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 카메라 등과 같은 소비자 전자 디바이스에서 커버 유리로서 역할을 할 수 있다. 일부 구현에서, 사파이어 구조체가 얇은 것이 유리할 수 있다. 그렇기 때문에, 그것은 대략 1.5 mm 이하로 얇을 수 있다. 예를 들어, 사파이어 구조체는 대략 1.4 mm, 1.3 mm, 1.2 mm, 1.1 mm, 1.0 mm 이하로 얇을 수 있다. 추가적으로, 다양한 시트들이 구조체를 형성하도록 임의의 적합한 방식으로 함께 점착될 수 있다.
일부 실시예에서, 사파이어 시트(154, 156)는 그들의 주 표면들 내에 동일한 결정학적 배향을 가질 수 있다. 즉, 사파이어 시트들 각각은 각자 C-면 사파이어 또는 A-면 사파이어일 수 있다. 그러나, 대안적인 실시예에서, 사파이어 시트들은 그들의 주 표면 내에 상이한 배향들을 각각 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 시트(154)는 C-면 사파이어일 수 있고 제2 시트(156)는 A-면 사파이어일 수 있다.
또한, 상기에 논의된 바와 같이, 사파이어 시트들의 보조 배향은 사파이어의 상이한 면들의 고유한 특성들을 이용하기 위해 서로에 대해 변할 수 있다. 예를 들어, 제1 시트(154)는 치핑 저항력을 제공하는 보조 배향을 가질 수 있는 반면, 제2 시트(156)는 강도의 점에서 유리한 배향을 가질 수 있다. 보조 배향은 상기에 논의된 바와 같이 사파이어 구조체의 특정 변 또는 에지에 특정한 특성을 제공하도록 선택될 수 있음이 이해되어야 한다. 추가적으로, 보조 배향은 일부 실시예에서 구조체의 에지로부터 소정 각도로 오프셋될 수 있음이 이해되어야 한다. 즉, 사파이어 시트의 결정학적 배향은 구조체의 에지에 대해 소정 각도에 있을 수 있다. 예를 들어, 그것은 구조체의 긴 변으로부터 대략 45도 각도로 오프셋될 수 있다. 오프셋 각도는 0 내지 90도 사이의 임의의 적합한 각도일 수 있음이 이해되어야 한다.
상기는 사파이어 구조체 및 라미네이트의 일부 예시적인 실시예를 기술한다. 상기의 논의가 특정 실시예를 제시하였지만, 그 실시예의 사상 및 범주로부터 벗어남이 없이 형태 및 상세사항에 있어서 변경이 이루어질 수 있음을 당업자는 이해할 것이다. 특히, 일 실시예에 대하여 상기에 기술된 소정 공정들 및/또는 처리들이 다른 실시예에서 구현될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 기술된 특정 실시예는 그의 범주를 제한하는 것이 아닌 예로서 이해되어야 한다.

Claims (20)

  1. 전자 디바이스로서,
    높이, 상기 높이보다 더 큰 폭, 및 상기 폭보다 더 큰 길이를 갖는 하우징; 및
    커버 유리
    를 포함하고,
    상기 커버 유리는:
    제1 주 표면(major surface) 및 상기 제1 주 표면과 마주보는(opposite) 제2 주 표면을 갖는 제1 단결정 사파이어 시트(monocrystalline sapphire sheet) - 상기 제1 주 표면 및 상기 제2 주 표면의 각각은 상기 하우징의 상기 길이에 평행한 두 개의 제1 부 표면(minor surface) 및 상기 하우징의 상기 폭에 평행한 두 개의 제2 부 표면을 포함하는 네 개의 부 표면으로 둘러싸이고, 상기 제1 단결정 사파이어 시트는 터치 입력을 수신하도록 구성됨 -;
    제3 주 표면 및 상기 제3 주 표면과 마주보는 제4 주 표면을 갖는 제2 단결정 사파이어 시트 - 상기 제3 주 표면 및 상기 제4 주 표면의 각각은 상기 하우징의 상기 길이에 평행한 두 개의 제3 부 표면 및 상기 하우징의 상기 폭에 평행한 두 개의 제4 부 표면을 포함하는 네 개의 추가적인 부 표면으로 둘러싸이고, 상기 제2 단결정 사파이어 시트는 상기 하우징에 결합하도록 구성됨 -; 및
    상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 제2 주 표면을 상기 제2 단결정 사파이어 시트의 상기 제3 주 표면에 점착하는 접착제
    를 포함하고,
    상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 제1 주 표면은 제1 사파이어 결정학적 면 배향(sapphire crystallographic plane orientation)을 갖고, 상기 제2 단결정 사파이어 시트의 상기 제3 주 표면은 상기 제1 사파이어 결정학적 면 배향과 상이한 제2 사파이어 결정학적 면 배향을 갖고,
    상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 두 개의 제1 부 표면 및 상기 두 개의 제2 부 표면은 상기 제2 단결정 사파이어 시트의 상기 두 개의 제3 부 표면 및 상기 두 개의 제4 부 표면과 각각 동일 평면 상(coplanar)에 있고,
    상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 두 개의 제1 부 표면의 사파이어 결정학적 면 배향은 상기 제2 단결정 사파이어 시트의 상기 두 개의 제3 부 표면의 사파이어 결정학적 면 배향과 상이한, 전자 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착제는 상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 제2 주 표면 및 상기 제2 단결정 사파이어 시트의 상기 제3 주 표면과 직접적으로 접촉하는, 전자 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 제1 주 표면은 C-면(C-plane)을 따라 배향되는, 전자 디바이스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 제1 주 표면은 A-면을 따라 배향되는, 전자 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 제1 주 표면은 M-면을 따라 배향되는, 전자 디바이스.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 커버 유리는 1 밀리미터 미만의 두께인, 전자 디바이스.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 커버 유리는 둥근 챔퍼(rounded chamfer) 또는 각진 챔퍼(angled chamfer) 중 하나를 갖는 챔퍼링된 에지(chamfered edge)를 포함하는, 전자 디바이스.
  8. 전자 디바이스로서,
    높이, 상기 높이보다 더 큰 폭, 및 상기 폭보다 더 큰 길이를 갖고 사파이어 구조체(sapphire structure)를 포함하는 커버
    를 포함하고,
    상기 사파이어 구조체는,
    단일 사파이어 결정(single sapphire crystal)인 제1 사파이어 시트 - 상기 제1 사파이어 시트는 사용자 입력 표면을 정의하는 제1 주 표면 및 상기 제1 주 표면과 마주보는 제2 주 표면을 가짐 -;
    단일 사파이어 결정인 제2 사파이어 시트 - 상기 제2 사파이어 시트는 제3 주 표면 및 상기 제3 주 표면과 마주보는 제4 주 표면을 갖고, 상기 제2 사파이어 시트는 상기 전자 디바이스의 컴포넌트와 맞물리도록(engagement with) 구성됨 -; 및
    상기 제1 사파이어 시트의 상기 제2 주 표면을 상기 제2 사파이어 시트의 상기 제3 주 표면에 부착하는 접착제
    를 포함하고,
    상기 제1 사파이어 시트의 상기 제1 주 표면 및 상기 제2 사파이어 시트의 상기 제3 주 표면은 공통의 사파이어 결정학적 면 배향을 갖고,
    상기 제1 및 제2 사파이어 시트는 각각 네 개의 부 표면을 갖고,
    상기 제1 사파이어 시트의 상기 네 개의 부 표면 각각은 상기 제2 사파이어 시트의 상기 네 개의 부 표면 중 대응하는 부 표면과 동일 평면 상에 있고,
    상기 제1 사파이어 시트의 상기 네 개의 부 표면 중 적어도 하나 및 상기 제2 사파이어 시트의 상기 네 개의 부 표면 중 적어도 하나는 상기 커버의 상기 길이에 평행하고, 상이한 사파이어 결정학적 면 배향을 갖는, 전자 디바이스.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 커버는:
    커버 유리;
    배면 플레이트(back plate); 및
    카메라를 위한 렌즈
    중 적어도 하나를 포함하는, 전자 디바이스.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 접착제는 상기 제1 사파이어 시트의 상기 제2 주 표면 및 상기 제2 사파이어 시트의 상기 제3 주 표면과 직접적으로 접촉하는, 전자 디바이스.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 전자 디바이스는 손목시계인, 전자 디바이스.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 커버는 상기 손목시계의 디스플레이 영역을 정의하는, 전자 디바이스.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 제1 사파이어 시트의 상기 네 개의 부 표면 중 상기 적어도 하나 및 상기 제2 사파이어 시트의 상기 네 개의 부 표면 중 상기 적어도 하나는 C-면, A-면, 또는 M-면 중 하나를 따라 배향되는, 전자 디바이스.
  14. 전자 디바이스로서,
    높이, 상기 높이와 직교하는 폭, 및 상기 폭과 직교하는 길이를 갖는 커버 유리를 포함하고, 상기 커버 유리는,
    제1 주 표면, 상기 제1 주 표면과 마주보는 제2 주 표면, 및 상기 제1 및 제2 주 표면을 둘러싸는 네 개의 부 표면을 포함하는 제1 단결정 사파이어 시트 - 상기 네 개의 부 표면은 상기 커버 유리의 상기 길이에 평행한 두 개의 제1 부 표면 및 상기 커버 유리의 상기 폭에 평행한 두 개의 제2 부 표면을 포함하고, 상기 제1 단결정 사파이어 시트는 상기 전자 디바이스의 외부 표면을 정의함 -; 및
    상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 제2 주 표면에 점착된 제3 주 표면, 상기 제3 주 표면과 마주보는 제4 주 표면, 및 상기 제3 및 제4 주 표면을 둘러싸는 네 개의 추가적인 부 표면을 포함하는 제2 단결정 사파이어 시트 - 상기 네 개의 추가적인 부 표면은 상기 커버 유리의 상기 길이에 평행한 두 개의 제3 부 표면 및 상기 커버 유리의 상기 폭에 평행한 두 개의 제4 부 표면을 포함함 -
    를 포함하고,
    상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 제1 주 표면 및 상기 제2 단결정 사파이어 시트의 상기 제3 주 표면은 공통의 사파이어 결정학적 면 배향을 갖고,
    상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 두 개의 제1 부 표면 및 상기 두 개의 제2 부 표면은 상기 제2 단결정 사파이어 시트의 상기 두 개의 제3 부 표면 및 상기 두 개의 제4 부 표면과 각각 동일 평면 상에 있고,
    상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 두 개의 제1 부 표면의 사파이어 결정학적 면 배향은 상기 제2 단결정 사파이어 시트의 상기 두 개의 제3 부 표면의 사파이어 결정학적 면 배향과 상이한, 전자 디바이스.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 커버 유리의 상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 제1 주 표면은 래핑되고 폴리싱된(lapped and polished) 표면을 포함하고,
    상기 커버 유리의 상기 제2 단결정 사파이어 시트의 상기 제3 주 표면은 래핑되고 폴리싱된 표면을 포함하는, 전자 디바이스.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 커버 유리의 상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 제2 주 표면은 래핑되고 폴리싱된 표면을 포함하고,
    상기 커버 유리의 상기 제2 단결정 사파이어 시트의 상기 제4 주 표면은 래핑되고 폴리싱된 표면을 포함하는, 전자 디바이스.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 커버 유리의 상기 제1 단결정 사파이어 시트 또는 상기 제2 단결정 사파이어 시트 중 적어도 하나 상에 소유성(oleophobic) 코팅을 더 포함하는 전자 디바이스.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 커버 유리의 제1 단결정 사파이어 시트 또는 상기 제2 단결정 사파이어 시트 중 적어도 하나 상에 잉크 코팅을 더 포함하는 전자 디바이스.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 제1 단결정 사파이어 시트의 상기 제2 주 표면 및 상기 제2 단결정 사파이어 시트의 상기 제3 주 표면과 직접적으로 접촉하는 접착제를 더 포함하는 전자 디바이스.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 접착제는 상기 커버 유리의 상기 제1 단결정 사파이어 시트 또는 상기 제2 단결정 사파이어 시트 중 적어도 하나의 굴절율과 동일한 굴절율을 정의하는, 전자 디바이스.
KR1020167025331A 2012-03-06 2013-03-04 사파이어 라미네이트 KR101930606B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261607401P 2012-03-06 2012-03-06
US61/607,401 2012-03-06
PCT/US2013/028938 WO2013134159A2 (en) 2012-03-06 2013-03-04 Sapphire laminates

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147024390A Division KR20140129072A (ko) 2012-03-06 2013-03-04 사파이어 라미네이트

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160111015A KR20160111015A (ko) 2016-09-23
KR101930606B1 true KR101930606B1 (ko) 2018-12-18

Family

ID=49114367

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147024390A KR20140129072A (ko) 2012-03-06 2013-03-04 사파이어 라미네이트
KR1020167025331A KR101930606B1 (ko) 2012-03-06 2013-03-04 사파이어 라미네이트

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147024390A KR20140129072A (ko) 2012-03-06 2013-03-04 사파이어 라미네이트

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10052848B2 (ko)
EP (1) EP2822760A2 (ko)
JP (1) JP6095132B2 (ko)
KR (2) KR20140129072A (ko)
CN (1) CN104159738B (ko)

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9599787B2 (en) 2011-12-27 2017-03-21 Tera Xtal Technology Corporation Using sapphire lens to protect the lens module
US9336989B2 (en) 2012-02-13 2016-05-10 Silicon Genesis Corporation Method of cleaving a thin sapphire layer from a bulk material by implanting a plurality of particles and performing a controlled cleaving process
US9359251B2 (en) 2012-02-29 2016-06-07 Corning Incorporated Ion exchanged glasses via non-error function compressive stress profiles
US9945613B2 (en) 2012-09-20 2018-04-17 Apple Inc. Heat exchangers in sapphire processing
US9718249B2 (en) * 2012-11-16 2017-08-01 Apple Inc. Laminated aluminum oxide cover component
WO2014135211A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-12 Vertu Corporation Limited Sapphire structure having a plurality of crystal planes
DE102013004558B4 (de) 2013-03-18 2018-04-05 Apple Inc. Verfahren zur Herstellung einer oberflächenverspannten Saphirscheibe, oberflächenverspannte Saphirscheibe und elektrisches Gerät mit einer transparenten Abdeckung
JP6133667B2 (ja) * 2013-04-12 2017-05-24 京セラ株式会社 携帯型電子機器用基板、および携帯型電子機器
WO2014193823A1 (en) * 2013-05-28 2014-12-04 Gtat Corporation A mobile electronic device cover plate comprising a thin sapphire layer
US20140242785A1 (en) * 2013-06-06 2014-08-28 Solar-Tectic, Llc Semiconductor films on sapphire glass
US11079309B2 (en) 2013-07-26 2021-08-03 Corning Incorporated Strengthened glass articles having improved survivability
JP2015111649A (ja) 2013-10-30 2015-06-18 京セラ株式会社 金属体付きサファイア構造体、金属体付きサファイア構造体の製造方法、電子機器、および外装体
CN103643302B (zh) * 2013-11-26 2017-01-25 浙江上城科技有限公司 一种蓝宝石热复合方法
WO2015077925A1 (zh) * 2013-11-26 2015-06-04 浙江上城科技有限公司 一种蓝宝石热复合方法
JP5865433B2 (ja) 2013-11-27 2016-02-17 京セラ株式会社 電子機器
US9154678B2 (en) * 2013-12-11 2015-10-06 Apple Inc. Cover glass arrangement for an electronic device
US9261915B2 (en) 2013-12-21 2016-02-16 Kyocera Corporation Electronic apparatus, light-transmissive cover plate, and portable device
JP2015136091A (ja) * 2013-12-21 2015-07-27 京セラ株式会社 電子機器および透光性カバー部材
CN103761001A (zh) * 2013-12-23 2014-04-30 合肥晶桥光电材料有限公司 复合蓝宝石屏
US9151473B2 (en) * 2013-12-24 2015-10-06 Kyocera Corporation Electronic apparatus, light-transmissive cover plate, and portable device
JP6023122B2 (ja) * 2013-12-24 2016-11-09 京セラ株式会社 電子機器
EP3089142B1 (en) * 2013-12-25 2019-04-10 Kyocera Corporation Electronic device
WO2015103135A1 (en) * 2013-12-31 2015-07-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Article comprising a transparent body including a layer of a ceramic material and a method of forming the same
US10328605B2 (en) 2014-02-04 2019-06-25 Apple Inc. Ceramic component casting
DE102015202083A1 (de) * 2014-02-07 2015-08-13 Ceramtec-Etec Gmbh Substrat-Keramik-Laminat
US9517968B2 (en) 2014-02-24 2016-12-13 Corning Incorporated Strengthened glass with deep depth of compression
JP6069237B2 (ja) 2014-02-26 2017-02-01 京セラ株式会社 電子機器
JP5865408B2 (ja) 2014-02-26 2016-02-17 京セラ株式会社 電子機器
US20170097709A1 (en) * 2014-03-10 2017-04-06 Vertu Corporation Limited Touch sensitive device fior mobile apparatus
US9787345B2 (en) * 2014-03-31 2017-10-10 Apple Inc. Laser welding of transparent and opaque materials
TWI729925B (zh) 2014-06-19 2021-06-01 美商康寧公司 無易碎應力分布曲線的玻璃
CN104195628A (zh) * 2014-08-21 2014-12-10 厦门润晶光电有限公司 特殊轴向需求之3c通讯装置蓝宝石单晶的生长方法
US9977464B2 (en) * 2014-08-27 2018-05-22 Apple Inc. Sapphire cover for electronic devices
US10200516B2 (en) 2014-08-28 2019-02-05 Apple Inc. Interlocking ceramic and optical members
US9976230B2 (en) 2014-09-19 2018-05-22 Corning Incorporated Method for forming a scratch resistant crystallized layer on a substrate and article formed therefrom
KR20190090090A (ko) 2014-10-08 2019-07-31 코닝 인코포레이티드 금속 산화물 농도 구배를 포함한 유리 및 유리 세라믹
US10150698B2 (en) 2014-10-31 2018-12-11 Corning Incorporated Strengthened glass with ultra deep depth of compression
TWI768788B (zh) 2014-11-04 2022-06-21 美商康寧公司 深不易碎的應力分佈及其製造方法
KR102384279B1 (ko) 2015-02-27 2022-04-07 삼성전자주식회사 전자 장치
US20160270247A1 (en) * 2015-03-11 2016-09-15 Apple Inc. Laminating sapphire and glass using intermolecular force adhesion
WO2016203869A1 (ja) * 2015-06-16 2016-12-22 日本電気硝子株式会社 硬質部材
US10406634B2 (en) 2015-07-01 2019-09-10 Apple Inc. Enhancing strength in laser cutting of ceramic components
US11613103B2 (en) 2015-07-21 2023-03-28 Corning Incorporated Glass articles exhibiting improved fracture performance
US10579106B2 (en) 2015-07-21 2020-03-03 Corning Incorporated Glass articles exhibiting improved fracture performance
CN105279503B (zh) * 2015-11-20 2018-12-04 浙江水晶光电科技股份有限公司 一种指纹识别盖板的制备方法
EP3909927A1 (en) 2015-12-11 2021-11-17 Corning Incorporated Fusion-formable glass-based articles including a metal oxide concentration gradient
TWI751127B (zh) * 2015-12-17 2022-01-01 日商信越化學工業股份有限公司 藍寶石複合基材與其製造方法
EP3428326B1 (en) * 2016-03-08 2020-04-29 Japan Cell Co., Ltd. Method for joining crystal body
KR20180132077A (ko) 2016-04-08 2018-12-11 코닝 인코포레이티드 두 영역을 포함하는 응력 프로파일을 포함하는 유리-계 물품, 및 제조 방법
TWI750807B (zh) 2016-04-08 2021-12-21 美商康寧公司 包含金屬氧化物濃度梯度之玻璃基底物件
US11419231B1 (en) 2016-09-22 2022-08-16 Apple Inc. Forming glass covers for electronic devices
US10800141B2 (en) 2016-09-23 2020-10-13 Apple Inc. Electronic device having a glass component with crack hindering internal stress regions
US11535551B2 (en) 2016-09-23 2022-12-27 Apple Inc. Thermoformed cover glass for an electronic device
US11565506B2 (en) 2016-09-23 2023-01-31 Apple Inc. Thermoformed cover glass for an electronic device
US10639867B2 (en) 2016-09-23 2020-05-05 Apple Inc. Sapphire and glass laminates with a gradient layer
US10292286B2 (en) 2017-07-31 2019-05-14 Apple Inc. Patterned glass layers in electronic devices
CH714459A9 (fr) * 2017-12-19 2020-01-15 Guenat Sa Montres Valgine Glace de montre.
US11420900B2 (en) 2018-09-26 2022-08-23 Apple Inc. Localized control of bulk material properties
CN111385990B (zh) * 2018-12-29 2021-12-07 比亚迪股份有限公司 电子设备壳体及其制备方法和电子设备
US11680010B2 (en) 2019-07-09 2023-06-20 Apple Inc. Evaluation of transparent components for electronic devices
US11448801B2 (en) 2019-07-30 2022-09-20 Apple Inc. Textured glass layers in electronic devices
US11269374B2 (en) 2019-09-11 2022-03-08 Apple Inc. Electronic device with a cover assembly having an adhesion layer
CN115955798A (zh) 2020-03-28 2023-04-11 苹果公司 用于电子设备壳体的玻璃覆盖构件
US11460892B2 (en) * 2020-03-28 2022-10-04 Apple Inc. Glass cover member for an electronic device enclosure
US11666273B2 (en) 2020-05-20 2023-06-06 Apple Inc. Electronic device enclosure including a glass ceramic region
US11945048B2 (en) 2020-12-23 2024-04-02 Apple Inc. Laser-based cutting of transparent components for an electronic device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2849602B2 (ja) * 1989-09-29 1999-01-20 京セラ株式会社 単結晶サファイアの接合方法
US20020176075A1 (en) 1998-12-22 2002-11-28 Rion Co. Ltd. Synthetic corundum cell
US20060162849A1 (en) 2003-06-13 2006-07-27 Joo-Hwan Han Method of joining ceramics: reaction diffusion-bonding

Family Cites Families (283)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2248955A (en) 1939-01-13 1941-07-15 Frank L Capps Sapphire grinding means
US2854794A (en) 1955-09-22 1958-10-07 Daystrom Inc Treating sapphire objects of irregular shapes
BE700400A (ko) 1966-09-26 1967-12-01
US3658631A (en) * 1969-09-19 1972-04-25 Itek Corp Transparent non-wettable surface
US3964942A (en) 1970-10-16 1976-06-22 International Business Machines Corporation Chemical polishing of single crystal dielectrics
US3753775A (en) 1971-03-01 1973-08-21 Rca Corp Chemical polishing of sapphire
CH573139B5 (ko) * 1974-01-18 1976-02-27 Far Fab Assortiments Reunies
US4008111A (en) 1975-12-31 1977-02-15 International Business Machines Corporation AlN masking for selective etching of sapphire
US4085302A (en) 1976-11-22 1978-04-18 Control Data Corporation Membrane-type touch panel
US4054895A (en) 1976-12-27 1977-10-18 Rca Corporation Silicon-on-sapphire mesa transistor having doped edges
US4070211A (en) 1977-04-04 1978-01-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Technique for threshold control over edges of devices on silicon-on-sapphire
US4339300A (en) 1977-07-25 1982-07-13 Noble Lowell A Process for smoothing surfaces of crystalline materials
JPS5432062A (en) 1977-08-17 1979-03-09 Agency Of Ind Science & Technol Si single crystal substrate on sapphire
US4393578A (en) 1980-01-02 1983-07-19 General Electric Company Method of making silicon-on-sapphire FET
JPS5789551A (en) 1980-11-17 1982-06-03 Toshiba Corp Grinding process for sapphire wafer
CH649436GA3 (ko) * 1982-06-10 1985-05-31
US4459038A (en) * 1982-08-04 1984-07-10 Montres Rado S.A. Protecting device of a descriptive information appearing on a watchcase piece
US4908074A (en) 1986-02-28 1990-03-13 Kyocera Corporation Gallium arsenide on sapphire heterostructure
US4735917A (en) 1986-04-28 1988-04-05 General Electric Company Silicon-on-sapphire integrated circuits
CH664665GA3 (ko) * 1986-06-19 1988-03-31
US4775641A (en) 1986-09-25 1988-10-04 General Electric Company Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices
US4732867A (en) 1986-11-03 1988-03-22 General Electric Company Method of forming alignment marks in sapphire
US4811004A (en) 1987-05-11 1989-03-07 Dale Electronics, Inc. Touch panel system and method for using same
US4826300A (en) 1987-07-30 1989-05-02 Hughes Aircraft Company Silicon-on-sapphire liquid crystal light valve and method
EP0305626A1 (de) 1987-09-03 1989-03-08 W. Blösch AG Armbanduhr
FR2625190A1 (fr) 1987-12-23 1989-06-30 Trt Telecom Radio Electr Procede de metallisation d'un substrat en silice, quartz, verre, ou en saphir et substrat obtenu par ce procede
JP2759269B2 (ja) 1988-07-29 1998-05-28 京セラ株式会社 発光素子
US5852622A (en) 1988-08-30 1998-12-22 Onyx Optics, Inc. Solid state lasers with composite crystal or glass components
US6025060A (en) * 1988-08-30 2000-02-15 Onyx Optics, Inc. Method and apparatus for composite gemstones
JPH0321048A (ja) 1989-06-19 1991-01-29 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージ
JPH0788240B2 (ja) 1989-12-05 1995-09-27 セイコー電子工業株式会社 サファイアガラスの彫刻方法
JP2688718B2 (ja) 1990-02-27 1997-12-10 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
US5069743A (en) 1990-04-11 1991-12-03 Hughes Aircraft Company Orientation control of float-zone grown TiC crystals
US5151389A (en) 1990-09-10 1992-09-29 Rockwell International Corporation Method for dicing semiconductor substrates using an excimer laser beam
US5154023A (en) 1991-06-11 1992-10-13 Spire Corporation Polishing process for refractory materials
JPH0527257A (ja) 1991-07-19 1993-02-05 Kyocera Corp 液晶表示装置
JP3152969B2 (ja) 1991-10-01 2001-04-03 京セラ株式会社 単結晶サファイアの接合体およびその製造方法
JP3177335B2 (ja) 1992-03-12 2001-06-18 三井化学株式会社 架橋ポリオレフィン成形体およびその製造方法
DE4211547C2 (de) 1992-04-06 1994-08-11 Henke Sass Wolf Gmbh Schutzabdeckung für das distale Ende von Endoskopen
JPH05313103A (ja) 1992-05-12 1993-11-26 Miki:Kk 眼 鏡
JPH05335435A (ja) 1992-05-29 1993-12-17 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージ
JPH05333164A (ja) 1992-06-02 1993-12-17 Seiko Epson Corp 時計用複層カバーガラス
US5413360A (en) 1992-12-01 1995-05-09 Kyocera Corporation Electrostatic chuck
JP2777041B2 (ja) 1993-02-12 1998-07-16 京セラ株式会社 時計用カバーガラス
NO931382L (no) 1993-04-15 1994-10-17 Arvid Inge Soervik Nöytralisering av pulverformig avfall fra elektronikkskrot ved produksjon av glassifisert slagg i plasmaovn, samt gjennvinning av verdifulle elementer
JP3488724B2 (ja) 1993-04-28 2004-01-19 京セラ株式会社 半導体ウェハ加熱装置
US5427051A (en) 1993-05-21 1995-06-27 General Electric Company Solid state formation of sapphire using a localized energy source
JP3333272B2 (ja) 1993-05-28 2002-10-15 シチズン時計株式会社 時計用カバーガラスの製造方法
US5441591A (en) 1993-06-07 1995-08-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Silicon to sapphire bond
US5661313A (en) 1993-09-09 1997-08-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electroluminescent device in silicon on sapphire
US5549746A (en) 1993-09-24 1996-08-27 General Electric Company Solid state thermal conversion of polycrystalline alumina to sapphire using a seed crystal
US5451553A (en) 1993-09-24 1995-09-19 General Electric Company Solid state thermal conversion of polycrystalline alumina to sapphire
JPH07129952A (ja) 1993-10-29 1995-05-19 Kyocera Corp 磁気ディスク用基板およびその製造方法
JP3116317B2 (ja) 1993-11-18 2000-12-11 株式会社山武 サファイアウエハの接合方法
JP3264074B2 (ja) * 1994-01-24 2002-03-11 松下電器産業株式会社 積層強誘電体及びその接合方法
US5877094A (en) 1994-04-07 1999-03-02 International Business Machines Corporation Method for fabricating a silicon-on-sapphire wafer
JP3559315B2 (ja) 1994-07-29 2004-09-02 京セラ株式会社 膜組成分析方法
US5804522A (en) 1994-09-10 1998-09-08 Uegami; Kenjiro Hardened alumina material
JPH0888201A (ja) 1994-09-16 1996-04-02 Toyoda Gosei Co Ltd サファイアを基板とする半導体素子
JPH08148594A (ja) 1994-11-25 1996-06-07 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
US5543630A (en) * 1995-01-31 1996-08-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force High Tc superconducting devices on bi-crystal substrates
JP3207079B2 (ja) 1995-06-23 2001-09-10 京セラ株式会社 携帯通信機
JP3127103B2 (ja) 1995-07-24 2001-01-22 理学電機株式会社 単結晶インゴットの方位測定方法
US6024814A (en) 1995-11-30 2000-02-15 Nippei Toyama Corporation Method for processing ingots
JPH09213773A (ja) 1996-01-30 1997-08-15 Kyocera Corp ウェハ保持部材及び耐プラズマ用部材
JPH09213777A (ja) 1996-01-31 1997-08-15 Kyocera Corp 静電チャック
US6809010B1 (en) * 1996-02-29 2004-10-26 Kyocera Corporation Sapphire single crystal, semiconductor laser diode using the same for substrate, and method for manufacturing the same
US5697998A (en) 1996-03-05 1997-12-16 The Aerospace Corporation Sapphire window laser edge annealing
JPH09270565A (ja) 1996-04-01 1997-10-14 Kyocera Corp 半導体レーザダイオード
CH691045A5 (fr) 1996-04-16 2001-04-12 Hct Shaping Systems Sa Procédé pour l'orientation de plusieurs pièces cristallines posées côte à côte sur un support de découpage en vue d'une découpe simultanée dans une machine de découpage et dispositif pour la
JPH09295895A (ja) 1996-04-26 1997-11-18 Kyocera Corp 金属線を内蔵した単結晶サファイア体とその製造方法及びこれを用いた金属溶湯用液面検知器
CH692331A5 (de) 1996-06-04 2002-05-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Drahtsäge und Schneidverfahren unter Einsatz derselben.
CH691798A5 (fr) 1996-06-19 2001-10-31 Hct Shaping Systems Sa Centre de découpage destiné à produire des tranches à partir de pièces à trancher.
US5702654A (en) 1996-08-30 1997-12-30 Hughes Electronics Method of making thermal shock resistant sapphire for IR windows and domes
US6123026A (en) * 1996-11-12 2000-09-26 Raytheon Company System and method for increasing the durability of a sapphire window in high stress environments
JPH10239520A (ja) 1997-02-28 1998-09-11 Kyocera Corp 偏光ビームスプリッタ
JP3250659B2 (ja) 1997-03-24 2002-01-28 タイコエレクトロニクスアンプ株式会社 カードコネクタ
JP3526509B2 (ja) 1997-03-27 2004-05-17 京セラ株式会社 磁気ディスク用基板
JP3602932B2 (ja) 1997-03-31 2004-12-15 京セラ株式会社 半導体レーザダイオード及びその製造方法
JP3363343B2 (ja) 1997-05-29 2003-01-08 京セラ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6012303A (en) * 1997-06-11 2000-01-11 Saphikon, Inc. Eutectic bonding of single crystal components
TW427039B (en) 1997-06-16 2001-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method for semiconductor, manufacturing method for semiconductor device, manufacturing method for semiconductor substrate
JP3335295B2 (ja) 1997-07-31 2002-10-15 旭光学工業株式会社 読み取りレンズ
JPH1173764A (ja) 1997-08-27 1999-03-16 Kyocera Corp D−ramの種別判定方法
US6038079A (en) 1997-10-09 2000-03-14 Imagyn Medical Technologies, Inc. Sapphire objective system
JPH11135889A (ja) 1997-10-30 1999-05-21 Kyocera Corp 結晶成長用基板及びそれを用いた発光装置
DE69827768D1 (de) 1998-04-02 2004-12-30 Comadur Sa Uhrglas mit einer Linse und Verfahren zur Herstellung einer solchen Linse
US6159285A (en) 1998-05-07 2000-12-12 Virginia Semiconductor, Inc. Converting <100> and <111> ingots to <110> ingots
US6413839B1 (en) 1998-10-23 2002-07-02 Emcore Corporation Semiconductor device separation using a patterned laser projection
US6119673A (en) 1998-12-02 2000-09-19 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer retrieval method in multiple slicing wire saw
JP2000183203A (ja) 1998-12-18 2000-06-30 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
KR100537685B1 (ko) 1998-12-22 2005-12-20 가부시키가이샤 쟈판 셀 합성 코런덤의 접합방법 및 합성 코런덤 셀의 제조방법
US7133076B1 (en) 1998-12-24 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Contoured surface cover plate for image sensor array
JP2000196149A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Kyocera Corp 半導体発光装置およびその製造方法
EP1016894A3 (en) 1998-12-28 2001-03-28 Kyocera Corporation Liquid crystal display device
US6235611B1 (en) 1999-01-12 2001-05-22 Kulite Semiconductor Products Inc. Method for making silicon-on-sapphire transducers
US6414436B1 (en) 1999-02-01 2002-07-02 Gem Lighting Llc Sapphire high intensity discharge projector lamp
US6514576B1 (en) 1999-03-11 2003-02-04 Agency Of Industrial Science And Technology Method of manufacturing a diffraction grating
US6683276B2 (en) 1999-04-26 2004-01-27 Ethicon, Inc. Method of forming chamfered blind holes in surgical needles using a diode pumped Nd-YAG laser
US6547722B1 (en) 1999-07-13 2003-04-15 Olympus Optical Co., Ltd. Endoscope having resistance to high-temperature and high-pressure steam
US6265089B1 (en) 1999-07-15 2001-07-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic devices grown on off-axis sapphire substrate
US20020017653A1 (en) 1999-08-26 2002-02-14 Feng-Ju Chuang Blue light emitting diode with sapphire substrate and method for making the same
JP2001134927A (ja) 1999-11-09 2001-05-18 Kyocera Corp 磁気記録媒体
US6521514B1 (en) 1999-11-17 2003-02-18 North Carolina State University Pendeoepitaxial methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on sapphire substrates
JP3659315B2 (ja) 1999-12-21 2005-06-15 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージの製造方法
US6902987B1 (en) * 2000-02-16 2005-06-07 Ziptronix, Inc. Method for low temperature bonding and bonded structure
JP3673440B2 (ja) 2000-02-24 2005-07-20 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
JP2001298170A (ja) 2000-04-13 2001-10-26 Kyocera Corp サファイア基板及びこれを用いたデバイス用基板
JP4396793B2 (ja) 2000-04-27 2010-01-13 ソニー株式会社 基板の製造方法
US6941940B1 (en) 2000-05-31 2005-09-13 Memc Electronic Materials, S.P.A. Wire saw and process for slicing multiple semiconductor ingots
JP4544706B2 (ja) 2000-06-29 2010-09-15 京セラ株式会社 基板ホルダー
US6491424B1 (en) * 2000-07-31 2002-12-10 Christian Bernard Stores Corp. Apparatus for setting gems and providing hidden compartments in a timepiece
US6586819B2 (en) 2000-08-14 2003-07-01 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Sapphire substrate, semiconductor device, electronic component, and crystal growing method
JP3619442B2 (ja) 2000-09-29 2005-02-09 京セラ株式会社 テープクリーナ
JP2002131643A (ja) 2000-10-19 2002-05-09 Olympus Optical Co Ltd 実像式変倍ファインダ
DE10052154A1 (de) 2000-10-20 2002-05-08 Freiberger Compound Mat Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Einkristallen, Justiervorrichtung und Testverfahren zum Ermitteln einer Orientierung eines Einkristalls für ein derartiges Verfahren
JP4490036B2 (ja) 2000-10-24 2010-06-23 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 研磨工具およびその製造用組成物
JP4557454B2 (ja) 2000-10-31 2010-10-06 京セラ株式会社 単結晶サファイア基板
JP4462755B2 (ja) 2000-12-15 2010-05-12 京セラ株式会社 ウエハー支持基板
GB2377115B (en) 2000-12-29 2005-06-22 Nokia Mobile Phones Ltd A casing for a personal communication device, comprising precious metals, precious stones or ceramics
US6864459B2 (en) 2001-02-08 2005-03-08 The Regents Of The University Of California High precision, rapid laser hole drilling
JP4651207B2 (ja) 2001-02-26 2011-03-16 京セラ株式会社 半導体用基板とその製造方法
JP5095051B2 (ja) 2001-03-23 2012-12-12 泰彦 荒川 電子デバイス作製用サファイア単結晶基板及び電子デバイス作製用窒化ガリウム化合物半導体膜の作製方法
JP4522013B2 (ja) 2001-03-29 2010-08-11 京セラ株式会社 単結晶サファイア基板の熱処理方法
US20020167068A1 (en) 2001-05-09 2002-11-14 International Business Machines Corporation Silicon on sapphire structure (devices) with buffer layer
US20020168837A1 (en) 2001-05-09 2002-11-14 Ibm Method of fabricating silicon devices on sapphire with wafer bonding
FR2826470B1 (fr) 2001-06-26 2003-09-19 Astrium Sas Procede et dispositif de pilotage de l'attitude et de guidage d'un satellite par grappe de gyrodynes
JP2003015156A (ja) 2001-06-28 2003-01-15 Kyocera Corp 液晶表示装置及びこれを用いた液晶プロジェクタ装置
US6379985B1 (en) 2001-08-01 2002-04-30 Xerox Corporation Methods for cleaving facets in III-V nitrides grown on c-face sapphire substrates
JP4703060B2 (ja) 2001-08-28 2011-06-15 京セラ株式会社 サファイア基板とその製造方法およびこれを用いた電子装置とその製造方法
JP3946019B2 (ja) 2001-09-18 2007-07-18 本田技研工業株式会社 船舶用ドライブシャフトの軸受け構造
JP3940581B2 (ja) 2001-10-24 2007-07-04 京セラ株式会社 スターブルーサファイアの製造方法
JP2003133802A (ja) 2001-10-29 2003-05-09 Kyocera Corp マイクロ波管用高周波窓
JP3904943B2 (ja) 2002-02-22 2007-04-11 京セラ株式会社 サファイアウエハーの加工方法及び電子装置の製造方法
JP4092927B2 (ja) 2002-02-28 2008-05-28 豊田合成株式会社 Iii族窒化物系化合物半導体、iii族窒化物系化合物半導体素子及びiii族窒化物系化合物半導体基板の製造方法
ATE534142T1 (de) * 2002-03-12 2011-12-15 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum auftrennen eines substrats
JP2003277194A (ja) 2002-03-22 2003-10-02 Kyocera Corp 単結晶サファイア基板およびその製造方法
JP2003282551A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Kyocera Corp 単結晶サファイア基板とその製造方法
US6818532B2 (en) 2002-04-09 2004-11-16 Oriol, Inc. Method of etching substrates
US7704321B2 (en) * 2002-05-13 2010-04-27 Rutgers, The State University Polycrystalline material having a plurality of single crystal particles
JP2003332234A (ja) 2002-05-15 2003-11-21 Kyocera Corp 窒化層を有するサファイア基板およびその製造方法
AU2003234805A1 (en) 2002-05-15 2003-12-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element and production method therefor
SG130935A1 (en) 2002-06-26 2007-04-26 Agency Science Tech & Res Method of cleaving gan/sapphire for forming laser mirror facets
JP2004111848A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Kyocera Corp サファイア基板とそれを用いたエピタキシャル基板およびその製造方法
US7018709B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-28 Luna Innovations Incorporated Contamination-resistant coated substrates
JP2004168622A (ja) 2002-11-22 2004-06-17 Kyocera Corp 単結晶サファイア基板およびその製造方法
AU2002361847A1 (en) 2002-12-20 2004-07-22 International Business Machines Corporation Silicon on sapphire structure (devices) with buffer layer
CH696907A5 (de) 2003-02-18 2008-01-31 Schott Ag Verfahren zum Herstellen von hexagonalen Einkristallen und deren Verwendung als Substrat für Halbleiterbauelemente.
JP2004288934A (ja) 2003-03-24 2004-10-14 Kyocera Corp サファイア基板とその製造方法、エピタキシャル基板および半導体装置とその製造方法
JP4052967B2 (ja) 2003-03-25 2008-02-27 富士通株式会社 アンテナ結合モジュール
JP4051311B2 (ja) 2003-03-26 2008-02-20 京セラ株式会社 窒化物系半導体の結晶成長方法
JP4172770B2 (ja) 2003-03-26 2008-10-29 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2004296912A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Kyocera Corp ウェハ支持基板
US6911375B2 (en) 2003-06-02 2005-06-28 International Business Machines Corporation Method of fabricating silicon devices on sapphire with wafer bonding at low temperature
US7391372B2 (en) 2003-06-26 2008-06-24 Hrl Laboratories, Llc Integrated phased array antenna
JP2005064492A (ja) 2003-07-28 2005-03-10 Kyocera Corp 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
JP4593890B2 (ja) 2003-07-28 2010-12-08 京セラ株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP2005079171A (ja) 2003-08-28 2005-03-24 Kyocera Corp 半導体素子用サファイア基板とその製造方法及びこれを用いたGaN系半導体発光素子並びにGaN系半導体白色発光素子
JP2005085888A (ja) 2003-09-05 2005-03-31 Kyocera Corp 半導体素子用単結晶サファイア基板とその製造方法及びこれを用いたGaN系半導体発光素子並びにGaN系半導体白色発光素子
KR100550857B1 (ko) 2003-09-23 2006-02-10 삼성전기주식회사 드라이 에칭을 이용한 사파이어 웨이퍼의 분할 방법
KR20050029645A (ko) 2003-09-23 2005-03-28 삼성전기주식회사 샌드 블래스트를 이용한 사파이어 웨이퍼의 분할 방법
JP2005101230A (ja) 2003-09-24 2005-04-14 Kyocera Corp 半導体素子用単結晶サファイア基板とその製造方法及びこれを用いたGaN系半導体発光素子並びにGaN系半導体白色発光素子
JP2005104742A (ja) 2003-09-26 2005-04-21 Kyocera Corp 単結晶育成用基板および半導体装置
JP2005136106A (ja) 2003-10-29 2005-05-26 Kyocera Corp 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
JP4471632B2 (ja) 2003-11-18 2010-06-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
DE102004014820B4 (de) 2004-03-24 2006-10-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen von Bohrungen mit großem Aspektverhältnis in metallischen Werkstoffen sowie in geschichteten metallischen Werkstoffen und solchen, die mindestens eine keramische Schicht aufweisen
JP2005285869A (ja) 2004-03-26 2005-10-13 Kyocera Corp エピタキシャル基板及びそれを用いた半導体装置
JP4583060B2 (ja) 2004-03-26 2010-11-17 京セラ株式会社 単結晶サファイア基板の製造方法および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP4471726B2 (ja) 2004-04-26 2010-06-02 京セラ株式会社 単結晶サファイア基板の製造方法
JP2006016239A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Kyocera Kinseki Corp 水晶波長板、及びその製造方法
JP2006016230A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Kyocera Kinseki Corp 水晶薄膜
TWI250574B (en) 2004-07-02 2006-03-01 Cleavage Entpr Co Ltd Polishing method for sapphire wafer
US7285168B2 (en) 2004-08-10 2007-10-23 Efg Elektrotechnische Fabrikations-Und Grosshandelsgesellschaft Mnb Method and apparatus for the measurement, orientation and fixation of at least one single crystal
JP2006066442A (ja) 2004-08-24 2006-03-09 Kyocera Corp 半導体素子用単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
TW200610150A (en) 2004-08-30 2006-03-16 Kyocera Corp Sapphire baseplate, epitaxial substrate and semiconductor device
JP2006062931A (ja) 2004-08-30 2006-03-09 Kyocera Corp サファイア基板とその熱処理方法、及び結晶成長方法
US7268741B2 (en) 2004-09-13 2007-09-11 Emag Technologies, Inc. Coupled sectorial loop antenna for ultra-wideband applications
JP4902953B2 (ja) 2004-09-30 2012-03-21 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
WO2006057276A1 (ja) 2004-11-26 2006-06-01 Mitsui Chemicals, Inc. ディスプレイ用窓材
JP4939232B2 (ja) * 2004-11-29 2012-05-23 京セラ株式会社 複合セラミック体とその製造方法およびマイクロ化学チップ並びに改質器
JP2006173538A (ja) 2004-12-20 2006-06-29 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US20070204493A1 (en) * 2005-01-06 2007-09-06 Arkwright, Inc. Labels for electronic devices
JP4696285B2 (ja) 2005-02-25 2011-06-08 京セラ株式会社 R面サファイア基板とそれを用いたエピタキシャル基板及び半導体装置、並びにその製造方法
JP2006232639A (ja) 2005-02-25 2006-09-07 Kyocera Corp 窒化物系半導体の気相成長方法とそれを用いた窒化物系半導体エピタキシャル基板並びに自立基板、及び半導体装置
US20060196849A1 (en) 2005-03-04 2006-09-07 Kevin Moeggenborg Composition and method for polishing a sapphire surface
JP2006339308A (ja) 2005-05-31 2006-12-14 Kyocera Kinseki Corp 半導体発光素子
EP2275770A1 (en) * 2005-06-10 2011-01-19 Saint-Gobain Ceramics and Plastics, Inc. Transparent ceramic composite
EP1893542B1 (fr) * 2005-06-14 2017-08-02 The Swatch Group Research and Development Ltd. Piece technique ou decorative associant un materiau transparent et un materiau amorphe a base de silice et son procede de fabrication
JP2007010730A (ja) 2005-06-28 2007-01-18 Fujifilm Holdings Corp ブレ補正装置
US7803451B2 (en) * 2005-07-29 2010-09-28 Onyx Optics, Inc. Optical composites between similar and between dissimilar materials
JP2007150072A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Kyocera Corp インプリント用スタンパおよびそれを用いた発光素子
KR100930474B1 (ko) 2005-12-08 2009-12-09 주식회사 엘지화학 전지모듈 제조용 조립식 스페이서
DE112007000290B4 (de) 2006-01-31 2017-06-14 Kyocera Corp. Lichtemittierende Vorrichtung und lichtemittierendes Modul
US8003189B2 (en) 2006-02-10 2011-08-23 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Optical scanning window
JP2007237627A (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Allied Material Corp 単結晶サファイヤ基板の切断方法および切断装置
JP2007237628A (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Allied Material Corp 単結晶サファイヤ基板の切断方法および切断装置
JP4828285B2 (ja) 2006-03-31 2011-11-30 京セラ株式会社 イエローグリーンからスカイブルーの発色をするサファイア単結晶
WO2007143480A2 (en) 2006-06-01 2007-12-13 Ceralink, Inc. Method of lamination using radio frequency heating and pressure
CN100400722C (zh) 2006-06-06 2008-07-09 河北工业大学 消除半导体硅晶片表面应力的方法
GB0611926D0 (en) * 2006-06-16 2006-07-26 Rolls Royce Plc Welding of single crystal alloys
JP5085894B2 (ja) 2006-07-11 2012-11-28 住友化学株式会社 プロピレン系樹脂組成物およびそれからなる成形体
JP4308233B2 (ja) 2006-09-01 2009-08-05 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 内視鏡用撮像モジュール
CN101522961B (zh) * 2006-09-22 2013-04-10 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 C-平面蓝宝石方法和设备
WO2008047728A1 (fr) 2006-10-13 2008-04-24 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Stratifié, matériaux de meulage et abrasif réalisés à l'aide de celui-ci, et procédé pour la formation du stratifié
US7616951B2 (en) * 2006-10-16 2009-11-10 Zaracom Technologies Inc. Wireless coverage testing system based on simulations using radio resource parameters
WO2008047907A1 (fr) 2006-10-20 2008-04-24 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Substrat de saphir, élément luminescent à semi-conducteur nitrure utilisant le substrat de saphir, et procédé destiné à fabriquer l'élément luminescent à semi-conducteur nitrure
JP5090710B2 (ja) 2006-10-30 2012-12-05 京セラ株式会社 携帯電子機器
US8951630B2 (en) 2006-12-01 2015-02-10 Rolex S.A. Ultra-thin hydrophobic and oleophobic layer, method of manufacture and use in watchmaking as an epilame and in mechanical engineering as a barrier film
UA97126C2 (ru) 2006-12-28 2012-01-10 Сейнт-Гобейн Серамикс Энд Пластик, Инк. Процесс шлифования сапфирной основы
CA2673660C (en) * 2006-12-28 2012-07-24 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
RU2412037C1 (ru) 2006-12-28 2011-02-20 Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк. Партия сапфировых подложек и способ ее изготовления
JP4682158B2 (ja) 2007-01-16 2011-05-11 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 撮像装置
WO2008093704A1 (ja) 2007-01-31 2008-08-07 Seiko Instruments Inc. 表示装置
US7683838B2 (en) 2007-02-09 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device
JP2008211040A (ja) 2007-02-27 2008-09-11 Kyocera Corp 単結晶サファイア基板とその製造方法及びそれらを用いた半導体発光素子
DE202008002512U1 (de) 2007-03-05 2008-05-08 Schurter Gmbh Elektrischer Schalter
US20080219395A1 (en) 2007-03-06 2008-09-11 Areva Np Nuclear power plant using nanoparticles in emergency situations and related method
US8693171B2 (en) 2007-04-04 2014-04-08 Nokia Corporation Casing assembly
CN101295595B (zh) 2007-04-26 2012-10-10 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 按键
JP4895915B2 (ja) 2007-05-30 2012-03-14 京セラ株式会社 サファイア単結晶の製造方法
US20090035504A1 (en) * 2007-08-02 2009-02-05 Pishchik Valerian Welded crystal, system and method of producing thereof
JP4888276B2 (ja) * 2007-08-09 2012-02-29 三菱電機株式会社 半導体ウエハ装置
US7966785B2 (en) 2007-08-22 2011-06-28 Apple Inc. Laminated display window and device incorporating same
US8157912B2 (en) 2007-09-11 2012-04-17 Osram Sylvania Inc. Method of converting PCA to sapphire and converted article
US8227082B2 (en) * 2007-09-26 2012-07-24 Ut-Battelle, Llc Faceted ceramic fibers, tapes or ribbons and epitaxial devices therefrom
WO2009046311A2 (en) 2007-10-05 2009-04-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Composite slurries of nano silicon carbide and alumina
JP2010540265A (ja) 2007-10-05 2010-12-24 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド 複合スラリーによるサファイアの研磨
US20090130415A1 (en) * 2007-11-21 2009-05-21 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. R-Plane Sapphire Method and Apparatus
US7558054B1 (en) * 2008-01-03 2009-07-07 Apple Inc. Display window securing system
JP2009263534A (ja) 2008-04-25 2009-11-12 Yushiro Chem Ind Co Ltd 砥粒分散媒、スラリー組成物、脆性材料の研磨方法およびサファイア基板の製造方法
US7902474B2 (en) 2008-05-01 2011-03-08 Apple Inc. Button assembly with inverted dome switch
CN102066624B (zh) 2008-06-12 2013-03-13 韩国原子力研究院 制造颜色受控的蓝宝石的方法
FR2932411B1 (fr) * 2008-06-12 2011-01-21 Saint Gobain Vitrage a resistance aux balles augmentee
CN101615520A (zh) 2008-06-27 2009-12-30 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 按键
EP2141533B1 (en) * 2008-07-02 2011-03-09 JDS Uniphase Corporation Contrast compensation of microdisplay panels including a high order waveplate
US20120000415A1 (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Soraa, Inc. Large Area Nitride Crystal and Method for Making It
JP2010056485A (ja) 2008-08-29 2010-03-11 Yamaguchi Univ 発光素子、発光装置およびサファイア基板の加工方法
US7977587B2 (en) 2008-10-08 2011-07-12 Research In Motion Limited Two-stage switch assembly
FR2938702B1 (fr) 2008-11-19 2011-03-04 Soitec Silicon On Insulator Preparation de surface d'un substrat saphir pour la realisation d'heterostructures
FR2938975B1 (fr) 2008-11-24 2010-12-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de realisation d'une heterostructure de type silicium sur saphir
JP5132534B2 (ja) * 2008-12-01 2013-01-30 日本電波工業株式会社 光学部品の製造方法
US9346130B2 (en) 2008-12-17 2016-05-24 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser processing glass with a chamfered edge
EP2391747A1 (en) * 2009-01-30 2011-12-07 AMG IdealCast Solar Corporation Seed layers and process of manufacturing seed layers
WO2010090116A1 (ja) 2009-02-04 2010-08-12 日本化薬株式会社 活性エネルギー線硬化型ハードコート用樹脂組成物とその用途
KR20100090897A (ko) 2009-02-09 2010-08-18 (주)한국니코 무선 단말의 네비게이션 키 구조
US20110019354A1 (en) 2009-03-02 2011-01-27 Christopher Prest Techniques for Strengthening Glass Covers for Portable Electronic Devices
EP2404228B1 (en) * 2009-03-02 2020-01-15 Apple Inc. Techniques for strengthening glass covers for portable electronic devices
JP5307612B2 (ja) 2009-04-20 2013-10-02 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
KR101117715B1 (ko) 2009-04-30 2012-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 조사 장치 및 상기 레이저 조사 장치를 이용한 평판 디스플레이 장치의 제조 방법
US8158900B2 (en) 2009-05-06 2012-04-17 Nokia Corporation Apparatus and method concerning modular keypad assembly
DE102009028194B3 (de) 2009-08-03 2011-03-24 Robert Bosch Gmbh Sensorelement mit Durchkontaktierloch
WO2011020175A1 (en) 2009-08-05 2011-02-24 The University Of British Columbia Rare earth-doped sapphire films and related methods
JP5313103B2 (ja) 2009-10-13 2013-10-09 信越ポリマー株式会社 電子機器およびコンピュータプログラム
WO2011054384A1 (en) 2009-11-04 2011-05-12 Nokia Corporation An apparatus
TW201117248A (en) 2009-11-12 2011-05-16 ren-wen Sun Audio-visual multimedia transmitting/editing device
JP5333164B2 (ja) 2009-11-18 2013-11-06 株式会社島津製作所 放射線撮影装置
EP2513689A1 (en) 2009-12-17 2012-10-24 Apple Inc. Dichroic glass for cosmetic appeal in an electronic device
JP5819076B2 (ja) 2010-03-10 2015-11-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US8624759B2 (en) 2010-05-19 2014-01-07 Nokia Corporation Apparatus and method for an actuator in an electronic device
JP5477160B2 (ja) 2010-05-20 2014-04-23 信越化学工業株式会社 含フッ素(メタ)アクリル変性有機ケイ素化合物及びこれを含む硬化性組成物
US8259901B1 (en) 2010-05-25 2012-09-04 Rubicon Technology, Inc. Intelligent machines and process for production of monocrystalline products with goniometer continual feedback
KR101197861B1 (ko) 2010-08-13 2012-11-05 삼성전기주식회사 햅틱 피드백 액추에이터, 햅틱 피드백 디바이스 및 전자 장치
TWI486254B (zh) * 2010-09-20 2015-06-01 Nitto Denko Corp 發光陶瓷層板及其製造方法
KR101263082B1 (ko) 2010-11-15 2013-05-09 주식회사 엘지실트론 사파이어 잉곳 성장장치
US8616024B2 (en) 2010-11-30 2013-12-31 Corning Incorporated Methods for forming grooves and separating strengthened glass substrate sheets
JP5766442B2 (ja) * 2011-01-04 2015-08-19 住友化学株式会社 サファイア単結晶製造用αアルミナ焼結体
JP2012174053A (ja) 2011-02-22 2012-09-10 Sony Corp カバー材及び電子機器
EP2520401A1 (en) 2011-05-05 2012-11-07 Meyer Burger AG Method for fixing a single-crystal workpiece to be treated on a processing device
DE102011080378A1 (de) * 2011-08-03 2013-02-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Transparente Komposit-Scheibe für Sicherheitsanwendungen
US9011997B2 (en) * 2011-09-27 2015-04-21 Apple Inc. Multi-layered ceramic enclosure
US8894868B2 (en) 2011-10-06 2014-11-25 Electro Scientific Industries, Inc. Substrate containing aperture and methods of forming the same
US20130102359A1 (en) 2011-10-20 2013-04-25 Tien-Hwa Ho Smart phone-combinable otologic inspection device
TWM438642U (en) 2011-12-27 2012-10-01 Tera Xtal Technology Corp Apparatus for capturing image and LEN device
US9336989B2 (en) * 2012-02-13 2016-05-10 Silicon Genesis Corporation Method of cleaving a thin sapphire layer from a bulk material by implanting a plurality of particles and performing a controlled cleaving process
TW201235518A (en) 2012-03-06 2012-09-01 Tera Xtal Technology Corp Sapphire material and production method thereof
US9221289B2 (en) 2012-07-27 2015-12-29 Apple Inc. Sapphire window
US9777398B2 (en) 2012-09-25 2017-10-03 Apple Inc. Plane orientation of crystalline structures
US9718249B2 (en) * 2012-11-16 2017-08-01 Apple Inc. Laminated aluminum oxide cover component
US9232672B2 (en) 2013-01-10 2016-01-05 Apple Inc. Ceramic insert control mechanism
US9154678B2 (en) 2013-12-11 2015-10-06 Apple Inc. Cover glass arrangement for an electronic device
US9225056B2 (en) 2014-02-12 2015-12-29 Apple Inc. Antenna on sapphire structure
JP6314694B2 (ja) 2014-06-27 2018-04-25 カシオ計算機株式会社 文書管理装置及びプログラム
US10406634B2 (en) 2015-07-01 2019-09-10 Apple Inc. Enhancing strength in laser cutting of ceramic components

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2849602B2 (ja) * 1989-09-29 1999-01-20 京セラ株式会社 単結晶サファイアの接合方法
US20020176075A1 (en) 1998-12-22 2002-11-28 Rion Co. Ltd. Synthetic corundum cell
US20060162849A1 (en) 2003-06-13 2006-07-27 Joo-Hwan Han Method of joining ceramics: reaction diffusion-bonding

Also Published As

Publication number Publication date
CN104159738A (zh) 2014-11-19
EP2822760A2 (en) 2015-01-14
JP6095132B2 (ja) 2017-03-15
JP2015514604A (ja) 2015-05-21
KR20160111015A (ko) 2016-09-23
US20130236699A1 (en) 2013-09-12
US10052848B2 (en) 2018-08-21
KR20140129072A (ko) 2014-11-06
CN104159738B (zh) 2018-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101930606B1 (ko) 사파이어 라미네이트
WO2013134159A2 (en) Sapphire laminates
EP2404228B1 (en) Techniques for strengthening glass covers for portable electronic devices
US20160270247A1 (en) Laminating sapphire and glass using intermolecular force adhesion
TW201313395A (zh) 玻璃板、及玻璃板之製造方法
KR102266608B1 (ko) 다층 사파이어 덮개판을 포함하는 휴대용 전자장치
JP6110364B2 (ja) 電子機器用カバーガラスのガラス基板、及びその製造方法
KR101826465B1 (ko) 편광자, 편광판 및 화상 표시 장치
US8424746B2 (en) Method of manufacturing optical component and optical component
KR20230115333A (ko) 카메라 렌즈 및 센서 보호용 커버 유리 물품 및 이를갖는 장치
US20150037897A1 (en) Method of analyzing a sapphire article
KR102335197B1 (ko) 기재 세라믹 라미네이트
TW201943553A (zh) 經切削加工之附黏著劑層之光學積層體之製造方法
WO2014126777A1 (en) A mobile electronic device comprising a multilayer sapphire cover plate having layers with different orientations
KR101526353B1 (ko) 액정 보호용 시트
US10310642B2 (en) Sapphire cover with increased survivability
TW202041897A (zh) 偏光板
KR102390821B1 (ko) 커버 유리 부착 광학 적층체 및 커버 유리 부착 화상 표시 장치
WO2016022099A1 (en) A method of reducing the thickness of a sapphire layer
EP3878647A1 (en) Thin glass laminated body
TW202019697A (zh) 薄玻璃積層體
US20150037537A1 (en) Method of reducing the thickness of a sapphire layer

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant