CN111385990B - 电子设备壳体及其制备方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种电子设备壳体及其制备方法和电子设备,该壳体包括底板和中框,所述中框与所述底板相连接,其中,所述中框的材质为玻璃,所述底板的材质为蓝宝石;或者,所述底板的材质为玻璃,所述中框的材质为蓝宝石;所述底板与所述中框之间具有无界面连续连接。本公开的电子设备壳体为蓝宝石和玻璃复合材质,硬度高、耐磨、壳体结构不易变形,具有类似全玻璃或全蓝宝石壳体的视觉效果和触摸手感,且制造成本低,可实现大规模生产。

Description

电子设备壳体及其制备方法和电子设备
技术领域
本公开涉及一种电子设备壳体及其制备方法和电子设备。
背景技术
近年来随着5G和无线充电技术的兴起,对移动电子设备的信号要求越来越高,金属的电磁屏蔽劣势越来越突出,玻璃与陶瓷背盖应运而生,电子设备盖板和显示屏已由过去的金属后盖、塑胶后盖、塑胶显示屏逐渐过渡到全玻璃材质或蓝宝石材质或陶瓷材质。3D玻璃壳体具有较好的视觉效果和触摸手感,用于手机、智能手表等电子设备上已成为趋势。目前有报道的3D玻璃电子壳体有采用全玻璃结构或全蓝宝石结构。而蓝宝石和玻璃复合的壳体结构还鲜有报道。
发明内容
本公开的目的是提供一种蓝宝石和玻璃复合结构的电子设备壳体及其制备方法和电子设备。
为了实现上述目的,本公开第一方面:提供一种电子设备壳体,该壳体包括底板和中框,所述中框与所述底板相连接,其中,所述中框的材质为玻璃,所述底板的材质为蓝宝石;或者,所述底板的材质为玻璃,所述中框的材质为蓝宝石;所述底板与所述中框之间具有无界面连续连接。
可选地,所述底板通过熔接的方式与所述中框连接。
可选地,所述底板与所述中框之间的结合强度不低于所述底板的拉拔强度和所述中框的拉拔强度中的较低者,所述壳体的透光率不低于80%。
可选地,所述底板开设有摄像头孔并安装有摄像头镜片,所述摄像头镜片与所述摄像头孔之间通过环形凸台连接;所述环形凸台的材质为蓝宝石或玻璃。
可选地,所述摄像头镜片的边缘与所述环形凸台之间具有无界面连续连接;所述环形凸台和所述摄像头镜片之间的结合强度不低于所述环形凸台的拉拔强度和所述摄像头镜片的拉拔强度中的较低者。
本公开第二方面:提供一种制备电子设备壳体的方法,该方法包括:将待熔接的组件进行表面清洗处理,得到表面清洗处理后的组件,将所述表面清洗处理后的组件组装后进行预加压处理,再进行熔接,使得待熔接的组件之间具有无界面连续连接;所述待熔接的组件至少包括中框和底板,其中,所述中框的材质为玻璃,所述底板的材质为蓝宝石;或者,所述底板的材质为玻璃,所述中框的材质为蓝宝石。
可选地,所述待熔接的组件至少还包括摄像头镜片和环形凸台。
可选地,该方法还包括:将所述摄像头镜片熔接于所述环形凸台上,得到摄像头结构,然后将所述摄像头结构和所述底板进行熔接,使得所述摄像头结构结合在所述底板开设的摄像头孔处;所述环形凸台的材质为蓝宝石或玻璃。
可选地,所述表面清洗处理包括:将所述待熔接的组件分别用清洗剂清洗后再用纯水清洗;优选地,所述清洗剂含有表面活性剂、乳化剂和强碱;所述表面活性剂包括十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠中的至少一种,所述乳化剂三乙醇胺,所述强碱包括氢氧化钠、氢氧化钾和氢氧化钙中的至少一种;所述表面活性剂、乳化剂和强碱的重量比为1:(0.2~2):(0.5~5)。
可选地,所述预加压处理在具有第一加热板和第二加热板的加压设备中进行,所述第一加热板能够与玻璃材质的所述待熔接的组件接触,所述第二加热板能够与蓝宝石材质的所述待熔接的组件接触,所述第一加热板的温度高于所述第二加热板的温度,优选所述第一加热板的温度比所述第二加热板的温度高50~100℃;所述加压设备中充有惰性气体;所述预加压处理依次包括如下阶段:第一阶段:压力为0.4~0.6MPa,时间为0.5~2h,所述第一加热板的温度为不高于200℃,所述第二加热板的温度为不高于100℃;第二阶段:压力为0.8~1.2MPa,时间为0.5~2h,所述第一加热板的温度为不高于300℃,所述第二加热板的温度为不高于200℃;第三阶段:压力为1.4~1.6MPa,时间为0.5~2h,所述第一加热板的温度为不高于400℃,所述第二加热板的温度为不高于300℃。
可选地,所述熔接的条件包括:温度为400~800℃,压力为0~5MPa,时间为6~12h。
本公开第三方面:提供由本公开第二方面所述的方法制备得到的电子设备壳体。
通过上述技术方案,本公开的电子设备壳体为蓝宝石和玻璃复合材质,硬度高、耐磨、壳体结构不易变形,具有类似全玻璃或全蓝宝石壳体的视觉效果和触摸手感,且制造成本低,可实现大规模生产。
本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本公开的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本公开,但并不构成对本公开的限制。在附图中:
图1是实施例1制备的壳体的照片。
图2是对比例1制备的壳体的照片。
具体实施方式
以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开,并不用于限制本公开。
本公开第一方面:提供一种电子设备壳体,该壳体包括底板和中框,所述中框与所述底板相连接,所述底板与所述中框之间具有无界面连续连接。
根据本公开,所述中框一般为与所述底板的形状相匹配的环形,其与所述底板相连接,形成上端敞开的箱型结构壳体,二者之间的连接位置关系没有特殊的限定,例如,所述中框可以将所述底板包绕,即所述中框的内侧面连接于所述底板外周边缘的外侧面,或者,所述中框的下表面连接于所述底板外周边缘的上表面。
在本公开第一方面的一种实施方式中,所述中框的材质为玻璃,所述底板的材质为蓝宝石。该实施方式的壳体具有整体硬度高、耐磨的优点。
在本公开第一方面的另一种实施方式中,所述底板的材质为玻璃,所述中框的材质为蓝宝石。该实施方式的壳体的框架强度更好,壳体结构不易变形。
根据本公开,所述玻璃其种类没有特殊的限制,例如可以为高铝玻璃、硅酸盐玻璃或硼酸盐玻璃等。所述蓝宝石可以为天然蓝宝石,也可以为人工合成蓝宝石。
根据本公开,所述无界面连续连接是指,尽管在上述两种实施方式中,所述底板和中框非同种材料,但二者的连接处在视觉效果上是连续的,无界面感。所述无界面连续连接可以通过将所述底板和中框的材料相熔接的方式实现,即,所述底板通过熔接的方式与所述中框连接。这样,本公开的电子设备壳体的所述底板与所述中框之间具有较高的结合强度,进一步地,所述底板与所述中框之间的结合强度不低于所述底板的拉拔强度和所述中框的拉拔强度中的较低者,也就是说,所述底板与所述中框之间的结合强度高于二者复合前所述底板自身被拉断的拉拔强度,也高于所述中框自身被拉断的拉拔强度。并且壳体整体的透光率高,例如,所述壳体的透光率可以为不低于80%。
根据本公开,所述底板可以开设有摄像头孔并安装有摄像头镜片,所述摄像头镜片与所述摄像头孔之间通过环形凸台连接;所述环形凸台的材质为蓝宝石或玻璃。所述摄像头镜片的材质可以为蓝宝石或玻璃。进一步地,所述摄像头镜片的边缘与所述环形凸台的边缘之间也可以具有无界面连续连接。这时,所述环形凸台和所述摄像头镜片之间的结合强度不低于所述环形凸台的拉拔强度和所述摄像头镜片的拉拔强度中的较低者,也就是说,所述环形凸台与所述摄像头镜片之间的结合强度高于二者复合前所述底板自身被拉断的拉拔强度,也高于所述摄像头镜片自身被拉断的拉拔强度。
本公开第二方面:提供一种制备电子设备壳体的方法。该壳体包括底板和中框,所述中框与所述底板相连接,进一步还开设有摄像头孔并安装有摄像头镜片。
根据本公开第二方面,该方法包括:将待熔接的组件进行表面清洗处理,得到表面清洗处理后的组件,将所述表面清洗处理后的组件组装后进行预加压处理,再进行熔接,使得待熔接的组件之间具有无界面连续连接;所述待熔接的组件至少包括中框和底板,其中,所述中框的材质为玻璃,所述底板的材质为蓝宝石;或者,所述底板的材质为玻璃,所述中框的材质为蓝宝石。本公开对所述玻璃的种类没有特殊的限制,例如可以为高铝玻璃、硅酸盐玻璃或硼酸盐玻璃。所述蓝宝石可以为天然蓝宝石,也可以为人工合成蓝宝石。
本公开所述中框和底板的尺寸并无特别限制,比如:所述中框的外围尺寸可以与所述底板一致,或略大于所述底板,只要保证二者叠放存在有一定的重合区域,所述中框的外围尺寸也可以小于所述底板的尺寸。通过熔接将所述中框与底板连接,能够实现中框与底板的一体化结构,即所述底板与所述中框之间具有无界面连续连接,且制造成本低,可大规模生产。
根据本公开第二方面,可选地,所述待熔接的组件至少还包括摄像头镜片和环形凸台。所述环形凸台的材质可以为蓝宝石或玻璃,所述摄像头镜片的材质可以为玻璃。该方法还可以包括:将所述摄像头镜片熔接于所述环形凸台上,得到摄像头结构,然后将所述摄像头结构和所述底板进行熔接,使得所述摄像头结构结合在所述底板开设的摄像头孔处。
进一步地,所述表面清洗处理可以包括:将所述待熔接的组件分别用清洗剂清洗后再用纯水清洗。清洗剂可去除所述待熔接的组件上的油污杂质,再用纯水可清洗掉残留的清洗剂。进一步地,所述清洗剂可以含有表面活性剂、乳化剂和强碱;所述表面活性剂可以包括十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠中的至少一种;所述乳化剂可以包括三乙醇胺;所述强碱可以包括氢氧化钠、氢氧化钾和氢氧化钙中的至少一种。所述表面活性剂、乳化剂和强碱的重量比可以为1:(0.2~2):(0.5~5)。
根据本公开第二方面,将所述表面清洗处理后的中框与表面清洗处理后底板叠合的过程可以在无尘环境中进行,以避免经过表面清洗处理后的中框和底板被灰尘杂质等污染。
进一步地,所述预加压处理可以在具有第一加热板和第二加热板的加压设备中进行,所述第一加热板能够与玻璃材质的所述待熔接的组件接触,所述第二加热板能够与蓝宝石材质的所述待熔接的组件接触,所述第一加热板的温度高于所述第二加热板的温度,优选所述第一加热板的温度比所述第二加热板的温度高50~100℃;所述加压设备中充有惰性气体(例如氦气、氩气等);所述预加压处理依次包括如下阶段:第一阶段:压力为0.4~0.6MPa,时间为0.5~2h,所述第一加热板的温度为不高于200℃,所述第二加热板的温度为不高于100℃;第二阶段:压力为0.8~1.2MPa,时间为0.5~2h,所述第一加热板的温度为不高于300℃,所述第二加热板的温度为不高于200℃;第三阶段:压力为1.4~1.6MPa,时间为0.5~2h,所述第一加热板的温度为不高于400℃,所述第二加热板的温度为不高于300℃。
根据本公开第二方面,在所述熔接前进行上述预加压处理,有利于进一步提高不同组件之间的结合强度和所制备的壳体的抗弯强度。
根据本公开第二方面,依照上述步骤进行预加压处理后,可以在所述加压设备中继续升温达到所述熔接的温度,然后进行所述熔接。所述熔接的条件可以包括:温度为400~800℃,优选为500~800℃;压力为0~5MPa,优选为0.5~4MPa;时间为6~12h。最后再缓慢降温至室温取出,完成熔接过程。其中,上述压力是指进行所述预加压处理或熔接时的不同组件之间的压力。
根据本公开第二方面,该方法还可以包括:分别通过计算机数控(CNC)切割或激光切割得到目标形状的所述底板、中框和摄像头镜片。所述计算机数控切割或激光切割的具体操作步骤为本领域技术人员所熟知,本公开没有特殊的限制。
本公开第三方面:提供由本公开第二方面所述的方法制备得到的电子设备壳体。采用本公开的第二方面方法制备得到电子设备壳体的所述底板与所述中框之间、所述环形凸台和所述摄像头镜片之间具有较高的结合强度,进一步地,所述底板与所述中框之间的结合强度不低于所述底板的拉拔强度和所述中框的拉拔强度中的较低者,也就是说,所述底板与所述中框之间的结合强度高于二者复合前所述底板自身被拉断的拉拔强度,也高于所述中框自身被拉断的拉拔强度;所述环形凸台和所述摄像头镜片之间的结合强度不低于所述环形凸台的拉拔强度和所述摄像头镜片的拉拔强度中的较低者,也就是说,所述环形凸台与所述摄像头镜片之间的结合强度高于二者复合前所述底板自身被拉断的拉拔强度,也高于所述摄像头镜片自身被拉断的拉拔强度。并且壳体整体的透光率高,例如,所述壳体的透光率可以为不低于80%。
下面通过实施例进一步说明本公开,但是本公开并不因此而受到任何限制。
实施例中所用的高铝玻璃板材来自康宁(成分包括Al2O3、SiO2、Na2O,软化点900℃,退火点628℃,应变点574℃,维氏硬度534kgf/mm2,膨胀系数75.8×10-7/℃,拉拔强度为0.66MPa),蓝宝石板材来自重庆蜀洲科技有限公司(成分为Al2O3,比重为3.98g/cm3,熔点2040℃,维氏硬度2200kgf/mm2,膨胀系数7.5×10-6/℃,拉拔强度为400MPa)。PVB薄膜购自上海沪正纳米科技有限公司,厚度为0.38mm。
实施例中,计算机数控切割采用北京精雕公司生产的JDLGC230型号设备进行,激光切割采用大族公司生产的MPS-0303L型号设备进行。
实施例1
本实施例中,中框坯料采用高铝玻璃板材,底板采用蓝宝石。
将玻璃板材通过计算机数控切割加工出中框;蓝宝石板材通过计算机数控切割加工得到目标尺寸的底板。
采用清洗剂对上述中框和底板进行表面清洗处理,清洗剂为十二烷基苯磺酸钠、三乙醇胺和氢氧化钠(重量比为1:1:3)的混合物,然后用纯水冲洗干净,得到表面清洗处理后的中框和表面清洗处理后的底板。在无尘环境中将所述表面清洗处理后的中框与表面清洗处理后底板叠合,置于具有第一加热板和第二加热板的加压设备中,第一加热板能够与玻璃材质的中框接触,第二加热板能够与蓝宝石材质的底板接触,加压设备中充有惰性气体氦气;依次按照如下阶段进行预加压处理:第一阶段:压力为0.5MPa,时间为1h,第一加热板的温度为100℃,第二加热板的温度为50℃;第二阶段:压力为1.0MPa,时间为1h,第一加热板的温度为200℃,第二加热板的温度为150℃;第三阶段:压力为1.5MPa,时间为1h,第一加热板的温度为300℃,第二加热板的温度为250℃。然后将第一加热板的温度升高为700℃,第二加热板的温度升高为700℃,将压力增加至2MPa,保持7h,进行熔接。最后再缓慢降温至室温取出,完成熔接过程,得到本实施例制备的壳体。该壳体的底板和中框之间具有无界面连续连接,具有类似全玻璃或全蓝宝石壳体的视觉效果和触摸手感,具体如图1所示。
实施例2
本实施例中,底板采用玻璃,中框采用蓝宝石。
将玻璃板材通过CNC加工出底板外形,蓝宝石片材通过激光切割成中框。
采用清洗剂对底板及中框进行清洗处理,清洗剂为十二烷基磺酸钠、三乙醇胺和氢氧化钾(重量比为1:1:4)的混合物,然后用纯水冲洗干净,得到表面清洗处理后的中框和表面清洗处理后的底板。在无尘环境中将所述表面清洗处理后的中框与表面清洗处理后底板叠合,底板置于具有第一加热板和第二加热板的加压设备中,第一加热板能够与玻璃材质的底板接触,第二加热板能够与蓝宝石材质的中框接触,加压设备中充有惰性气体氦气;依次按照如下阶段进行预加压处理:第一阶段:压力为0.5MPa,时间为1h,第一加热板的温度为150℃,第二加热板的温度为80℃;第二阶段:压力为1.0MPa,时间为1h,第一加热板的温度为250℃,第二加热板的温度为180℃;第三阶段:压力为1.5MPa,时间为1h,第一加热板的温度为350℃,第二加热板的温度为280℃。然后将第一加热板的温度升高为750℃,第二加热板的温度升高为650℃,将压力增加至3.5MPa,保持10h,进行熔接。最后再缓慢降温至室温取出,完成熔接过程,得到本实施例制备的壳体。该壳体的底板和中框之间具有无界面连续连接,具有类似全玻璃或全蓝宝石壳体的视觉效果和触摸手感。
实施例3
本实施例中,底板采用蓝宝石,中框坯料采用高铝玻璃板材,摄像头的环形凸台及顶部镜片采用玻璃材质。
将玻璃板材通过计算机数控切割加工出中框,蓝宝石片材通过激光切割出底板外形,将玻璃块体通过CNC加工出环形凸台,顶部玻璃镜片采用CNC加工出外形。
将底板、中框、顶部镜片、环形凸台使用清洗剂进行清洗处理,清洗剂为十二烷基苯磺酸钠、三乙醇胺和氢氧化钠(重量比为1:1.5:4)的混合物,然后用纯水冲洗干净,得到表面清洗处理后的底板、中框、顶部镜片、环形凸台。在无尘环境中将表面清洗处理后玻璃材质的顶部镜片与玻璃材质的环形凸台一端接触,在700℃,1.5Mpa的压力下熔接在一起,形成非通孔式的摄像头结构。将熔接后的摄像头结构使用清洗剂进行清洗处理,清洗剂为十二烷基苯磺酸钠、三乙醇胺和氢氧化钠(重量比为1:1.5:4)的混合物,然后用纯水冲洗干净,得到表面清洗处理后的摄像头结构。在无尘环境中将表面清洗处理后摄像头结构及蓝宝石材质的底板和玻璃材质的中框置于具有第一加热板和第二加热板的加压设备中,第一加热板能够与玻璃材质的中框接触,第二加热板能够与蓝宝石材质的底板接触,加压设备中充有惰性气体氦气;依次按照如下阶段进行预加压处理:第一阶段:压力为0.5MPa,时间为1h,第一加热板的温度为180℃,第二加热板的温度为90℃;第二阶段:压力为1.0MPa,时间为1h,第一加热板的温度为280℃,第二加热板的温度为190℃;第三阶段:压力为1.5MPa,时间为1h,第一加热板的温度为380℃,第二加热板的温度为290℃。然后将第一加热板的温度升高为650℃,第二加热板的温度升高为650℃,将压力增加至5MPa,保持6h,进行熔接。最后再缓慢降温至室温取出,完成熔接过程,得到本实施例制备的壳体。该壳体的底板和中框、摄像头镜片的边缘与环形凸台的边缘之间具有无界面连续连接,具有类似全玻璃或全蓝宝石壳体的视觉效果和触摸手感。
实施例4
本实施例中,底板坯料采用高铝玻璃板材,中框采用蓝宝石,摄像头的环形凸台采用蓝宝石,顶部镜片采用玻璃材质。
将玻璃片材通过CNC加工出外形,环形凸台采用CNC加工出外形,顶部镜片通过CNC加工出外形,蓝宝石片材通过激光切割成中框。
采用清洗剂对上述底板、中框、顶部镜片、环形凸台进行表面清洗处理,清洗剂为十二烷基磺酸钠、三乙醇胺和氢氧化钾(重量比为1:1.5:3)的混合物,然后用纯水冲洗干净,得到表面清洗处理后的底板、中框、顶部镜片、环形凸台。在无尘环境中将所述表面清洗处理后顶部镜片与蓝宝石的环形凸台一端接触,置于具有第一加热板和第二加热板的加压设备中,第一加热板能够与顶部镜片接触,第二加热板能够与蓝宝石材质的环形凸台接触,加压设备中充有惰性气体氦气;依次按照如下阶段进行预加压处理:第一阶段:压力为0.5MPa,时间为1h,第一加热板的温度为200℃,第二加热板的温度为100℃;第二阶段:压力为1.0MPa,时间为1h,第一加热板的温度为300℃,第二加热板的温度为200℃;第三阶段:压力为1.5MPa,时间为1h,第一加热板的温度为400℃,第二加热板的温度为300℃。然后将第一加热板的温度升高为700℃,第二加热板的温度升高为650℃,将压力增加至4MPa,保持6h,进行熔接,得到非通孔式的摄像头结构,将熔接后的摄像头结构进行清洗处理,清洗剂为十二烷基磺酸钠、三乙醇胺和氢氧化钾(重量比为1:1.5:3)的混合物,然后用纯水冲洗干净,得到表面清洗处理后的摄像头结构。在无尘环境中将清洗后的摄像头结构及玻璃材质的底板和蓝宝石材质的中框置于具有第一加热板和第二加热板的加压设备中,第一加热板能够与底板和摄像头结构接触,第二加热板能够与中框接触,加压设备中充有惰性气体氦气;依次按照如下阶段进行预加压处理:第一阶段:压力为0.5MPa,时间为1h,第一加热板的温度为200℃,第二加热板的温度为100℃;第二阶段:压力为1.0MPa,时间为1h,第一加热板的温度为300℃,第二加热板的温度为200℃;第三阶段:压力为1.5MPa,时间为1h,第一加热板的温度为400℃,第二加热板的温度为300℃。然后将第一加热板的温度升高为700℃,第二加热板的温度升高为650℃,将压力增加至2MPa,保持8h,进行熔接。最后再缓慢降温至室温取出,完成熔接过程,得到本实施例制备的壳体。该壳体的底板和中框、摄像头镜片的边缘与环形凸台的边缘之间具有无界面连续连接,具有类似全玻璃或全蓝宝石壳体的视觉效果和触摸手感。
对比例1
本对比例中,中框坯料采用高铝玻璃板材,底板采用蓝宝石。
将玻璃板材通过计算机数控切割加工出中框;蓝宝石板材通过计算机数控切割加工得到目标尺寸的底板。
将中框与底板叠合,在700℃下进行高温熔接,得到本对比例制备的壳体。该壳体的底板和中框形成明显的连接界面,且会有大面积的气泡幻彩产生,具体如图2所示。
对比例2
对比例中,中框坯料采用蓝宝石,底板采用玻璃。
将玻璃板材通过计算机数控切割加工出底板;蓝宝石板材通过计算机数控切割加工得到目标尺寸的中框。
将中框与底板叠合,在750℃下进行高温熔接,得到本对比例制备的壳体。该壳体的底板和中框的边缘之间具有明显的连接界面,且会有大面积的气泡幻彩产生。
对比例3
本对比例中,底板采用蓝宝石,中框采用玻璃,摄像头的环形凸台及顶部镜片采用玻璃材质。
蓝宝石片材通过激光切割出底板外形,将玻璃块体通过CNC加工出环形凸台,顶部玻璃镜片采用CNC加工出外形。将玻璃板材通过计算机数控切割加工出中框。
将环形凸台与镜片在700℃,1.5Mpa的压力下高温熔接在一起,然后与底板和中框在650℃,5Mpa压力下进行熔接。得到本对比例的设备壳体,环形凸台与镜片接触面存在大面积幻彩气泡,环形凸台与底板接触面有明显的连接界面,底板和中框接触面有明显的连接界面。
对比例4
本对比例中,底板坯料采用高铝玻璃板材,中框采用蓝宝石,摄像头的环形凸台采用蓝宝石,顶部镜片采用玻璃材质。
将玻璃片材通过CNC加工出外形,环形凸台采用CNC加工出外形,顶部镜片通过CNC加工出外形,蓝宝石片材通过激光切割成中框。
将环形凸台与镜片在650℃,4Mpa压力下熔接在一起,然后与底板和中框在700℃,2Mpa压力下熔接在一起。得到本对比例的设备壳体,环形凸台与镜片接触面存在大面积幻彩气泡,环形凸台与底板接触面有明显的连接界面,底板和中框接触面有明显的连接界面。
对比例5
按照实施例1的方法制备壳体,区别在于,采用PVB薄膜将中框和底板进行粘结。具体步骤为:
将PVB薄膜置于中框和底板之间,然后在110℃,2MPa下进行熔合。将摄像头镜片在500℃,2MPa下熔接于底板的摄像头孔处。得到本对比例制备的壳体。该壳体的底板和中框通过PVB薄膜粘接部连接,摄像头镜片的边缘与所述摄像头孔的边缘之间具有无界面连续连接,具有类似全玻璃或全蓝宝石壳体的视觉效果和触摸手感。
测试实施例
测试实施例1~4和对比例1~5制备的壳体的性能。按照透光率仪方法测试透光率,按照光泽度仪漫反射计算法测试散射光百分比,按照四点抗弯方法测试抗弯强度,结果列于表1。
按照拉拔力测试方法测试底板与中框之间、凸台和摄像头镜片之间的结合强度,实施例1~4的壳体在按照拉拔力测试方法测试底板与中框之间、环形凸台和摄像头镜片之间的结合强度时,随着施加的拉拔力的增加,均发生了玻璃件的首先断裂,而结合位置处无变化,说明结合位置处的结合强度大于玻璃件的拉拔强度。对比例1~4的壳体在按照拉拔力测试方法测试底板与中框之间、环形凸台和摄像头镜片之间的结合强度时,随着施加的拉拔力的增加,玻璃件首先断裂;而对比例5的壳体则在结合位置断裂,说明结合位置处的结合强度小于玻璃件的拉拔强度。
表1
样品 透光率(%) 视觉效果 散射光百分比(%) 抗弯强度(MPa)
实施例1 84 复合位置无明显幻彩和气泡 <2.0 752
实施例2 82 复合位置无明显幻彩和气泡 <2.0 855
实施例3 83 复合位置无明显幻彩和气泡 <2.0 850
实施例4 81 复合位置无明显幻彩和气泡 <2.0 863
对比例1 75 复合位置出现幻彩和气泡 <2.0 650
对比例2 77 复合位置出现幻彩和气泡 <2.0 648
对比例3 75 复合位置出现幻彩和气泡 <2.0 644
对比例4 76 复合位置出现幻彩和气泡 <2.0 651
对比例5 74 复合位置无明显幻彩和气泡 <2.0 610
由表1可见,本公开的电子设备壳体硬度高,耐磨,抗弯强度高,壳体结构不易变形,且透光率高,复合位置无明显幻彩和气泡,具备优异的性能。
以上结合附图详细描述了本公开的优选实施方式,但是,本公开并不限于上述实施方式中的具体细节,在本公开的技术构思范围内,可以对本公开的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本公开的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本公开的思想,其同样应当视为本公开所公开的内容。

Claims (13)

1.一种电子设备壳体,其特征在于,该壳体包括底板和中框,所述中框与所述底板相连接,其中,所述中框的材质为玻璃,所述底板的材质为蓝宝石;或者,所述底板的材质为玻璃,所述中框的材质为蓝宝石;所述底板与所述中框之间具有无界面连续连接;
所述电子设备壳体通过包括以下步骤的制备方法制备得到:将待熔接的组件进行表面清洗处理,得到表面清洗处理后的组件,将所述表面清洗处理后的组件组装后进行预加压处理,再进行熔接,所述待熔接的组件至少包括所述中框和所述底板;其中所述预加压处理在具有第一加热板和第二加热板的加压设备中进行,所述第一加热板能够与玻璃材质的所述待熔接的组件接触,所述第二加热板能够与蓝宝石材质的所述待熔接的组件接触,所述第一加热板的温度高于所述第二加热板的温度;所述加压设备中充有惰性气体;所述预加压处理依次包括如下阶段:第一阶段:压力为0.4~0.6MPa,时间为0.5~2h,所述第一加热板的温度为不高于200℃,所述第二加热板的温度为不高于100℃;第二阶段:压力为0.8~1.2MPa,时间为0.5~2h,所述第一加热板的温度为不高于300℃,所述第二加热板的温度为不高于200℃;第三阶段:压力为1.4~1.6MPa,时间为0.5~2h,所述第一加热板的温度为不高于400℃,所述第二加热板的温度为不高于300℃。
2.根据权利要求1所述的电子设备壳体,其中,所述底板通过熔接的方式与所述中框连接。
3.根据权利要求1所述的电子设备壳体,其中,所述底板与所述中框之间的结合强度不低于所述底板的拉拔强度和所述中框的拉拔强度中的较低者,所述壳体的透光率不低于80%。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的电子设备壳体,其中,所述底板开设有摄像头孔并安装有摄像头镜片,所述摄像头镜片与所述摄像头孔之间通过环形凸台连接;所述环形凸台的材质为蓝宝石或玻璃。
5.根据权利要求4所述的电子设备壳体,其中,所述摄像头镜片的边缘与所述环形凸台之间具有无界面连续连接;
所述环形凸台和所述摄像头镜片之间的结合强度不低于所述环形凸台的拉拔强度和所述摄像头镜片的拉拔强度中的较低者。
6.一种制备电子设备壳体的方法,其特征在于,该方法包括:将待熔接的组件进行表面清洗处理,得到表面清洗处理后的组件,将所述表面清洗处理后的组件组装后进行预加压处理,再进行熔接,使得待熔接的组件之间具有无界面连续连接;所述待熔接的组件至少包括中框和底板,其中,所述中框的材质为玻璃,所述底板的材质为蓝宝石;或者,所述底板的材质为玻璃,所述中框的材质为蓝宝石;其中,所述预加压处理在具有第一加热板和第二加热板的加压设备中进行,所述第一加热板能够与玻璃材质的所述待熔接的组件接触,所述第二加热板能够与蓝宝石材质的所述待熔接的组件接触,所述第一加热板的温度高于所述第二加热板的温度;所述加压设备中充有惰性气体;所述预加压处理依次包括如下阶段第一阶段:压力为0.4~0.6MPa,时间为0.5~2h,所述第一加热板的温度为不高于200℃,所述第二加热板的温度为不高于100℃;第二阶段:压力为0.8~1.2MPa,时间为0.5~2h,所述第一加热板的温度为不高于300℃,所述第二加热板的温度为不高于200℃;第三阶段:压力为1.4~1.6MPa,时间为0.5~2h,所述第一加热板的温度为不高于400℃,所述第二加热板的温度为不高于300℃。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述待熔接的组件至少还包括摄像头镜片和环形凸台。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,该方法还包括:将所述摄像头镜片熔接于所述环形凸台上,得到摄像头结构,然后将所述摄像头结构和所述底板进行熔接,使得所述摄像头结构结合在所述底板开设的摄像头孔处;所述环形凸台的材质为蓝宝石或玻璃。
9.根据权利要求6-8中任意一项所述的方法,其中,所述表面清洗处理包括:将所述待熔接的组件分别用清洗剂清洗后再用纯水清洗。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述清洗剂含有表面活性剂、乳化剂和强碱;所述表面活性剂包括十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠中的至少一种,所述乳化剂包括三乙醇胺,所述强碱包括氢氧化钠、氢氧化钾和氢氧化钙,中的至少一种;所述表面活性剂、乳化剂和强碱的重量比为1:(0.2~2):(0.5~5)。
11.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一加热板的温度比所述第二加热板的温度高50~100℃。
12.根据权利要求6-8中任意一项所述的方法,其中,所述熔接的条件包括:温度为400~800℃,压力为0~5MPa,时间为6~12h。
13.由权利要求6-12中任意一项所述的方法制备得到的电子设备壳体。
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