JP2006016239A - 水晶波長板、及びその製造方法 - Google Patents
水晶波長板、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006016239A JP2006016239A JP2004195009A JP2004195009A JP2006016239A JP 2006016239 A JP2006016239 A JP 2006016239A JP 2004195009 A JP2004195009 A JP 2004195009A JP 2004195009 A JP2004195009 A JP 2004195009A JP 2006016239 A JP2006016239 A JP 2006016239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz
- substrate
- refractive index
- quartz wavelength
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【課題】
本発明の目的は、大気圧下での水晶波長板の育成において、電気炉内に載置されたサファイヤ等の単結晶または石英ガラス等の非晶質の基板上に、載置されたマスクパターン形状の水晶波長板を育成させ、一度に先の基板上に複数個の二つの波長において同じ屈折率差Δnを有する水晶波長板、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
上記目的を達成する為に本発明は、気相成長法で基板上に成長させて成る水晶波長板において、水晶波長板の育成中に添加物を加えることで、二つ以上の波長において異常光線の屈折率から常光線の屈折率を差し引いた差が同じとなる水晶波長板であることを特徴とし、又、気相成長法で基板上に成長させて成る水晶波長板の製造方法で、添加物を加えながら、マスクが載置された基板上に、マスクパターン形状の前述の特性を有する水晶波長板を基板上に一度に複数個育成させることで目的を達成する。
【選択図】 図1
本発明の目的は、大気圧下での水晶波長板の育成において、電気炉内に載置されたサファイヤ等の単結晶または石英ガラス等の非晶質の基板上に、載置されたマスクパターン形状の水晶波長板を育成させ、一度に先の基板上に複数個の二つの波長において同じ屈折率差Δnを有する水晶波長板、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
上記目的を達成する為に本発明は、気相成長法で基板上に成長させて成る水晶波長板において、水晶波長板の育成中に添加物を加えることで、二つ以上の波長において異常光線の屈折率から常光線の屈折率を差し引いた差が同じとなる水晶波長板であることを特徴とし、又、気相成長法で基板上に成長させて成る水晶波長板の製造方法で、添加物を加えながら、マスクが載置された基板上に、マスクパターン形状の前述の特性を有する水晶波長板を基板上に一度に複数個育成させることで目的を達成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、気相成長法を用いて育成される水晶波長板、及びその製造方法に関する。
従来、水晶波長板の製造には、波長板と呼ばれる水晶から成る薄い板がその製造に用いられることが一般的であった。この水晶から成る波長板と呼ばれる薄い板について、最近の傾向では映像分野の画像装置等を中核として、その搭載部品についての非常に急激な市場からの小型化や更なる薄片化、加えて軽量化や低価格化の要求があるのが実際である。
一方、先の波長板の材料となる水晶板は、従来においてはオートクレーブと呼ばれる耐圧容器を炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ水溶液で充填した容器内で、先のオートクレーブ内の状態を高温高圧状態とした水熱育成法と呼ばれる育成法により育成された人工水晶を板状に切り出し、更に所望の厚みとなるように主面を研磨加工して、最終的に小さな薄い水晶の薄片である波長板とすることが一般的であった。
しかしながら、前記の水熱育成法では、その人工水晶のオートクレーブ内での育成には少なくとも2−3ヶ月の期間を必要とし、また、その人工水晶から薄い波長板を作り出すまでの研磨加工工程の過程においては、もとの人工水晶の大きさのおよそ90%以上に至る量の水晶を結果的に廃棄することに成っていたという問題があった。
また、最近の光ディスクにおいては、従来の波長でのデータの書き込みに対して、より高密度のデータの書き込みをする為に、従来よりも短波長の青色レーザーを加えて使用して、互いに共用することの出来るよう二波長以上に対応するように成ってきており、この場合一波長においても半導体レーザーの波長ズレの影響で屈折率差Δnが若干ずれる、即ち、位相差が若干ずれるという不具合が発生するといった問題があった。更に先の二波長以上に対応する場合においては、半導体レーザーの波長ズレと屈折率差Δnの波長分散があるため、設計した波長以外の波においては位相差が大幅にずれる。その為、例えば光ピックアップの光学系では光の伝達効率が落ちてしまうといった問題があった。
以上のような問題に対応する為に、水晶から成る波長板の屈折率差(Δn)分散を管理した水晶波長板を製造するため、気相成長法を用いて炉内に設置された基板上に育成される水晶波長板の製造において、炉内に送り込む主なガスに加えて、例えばAl、Mo、Ti、Fe等の金属や、Na、K、Cl等のイオン系の添加物を炉内に供給することにより、二つのそれぞれの波長で同等の屈折率差Δnを有することを特徴とし、一枚の波長板において二つ以上の波長で位相差が同じ、もしくは同等と成る水晶波長板を育成する本発明が考えられた。
すなわち、大気圧下において珪素源として一種または複数種の珪素のアルコキシドを気化して、反応促進剤である塩化水素、及び例えばAl、Mo、Ti、Fe等の金属や、Na、K、Cl等のイオン系といった添加物を、窒素ガス等のキャリアガスでサファイヤ、シリコン、ガリウム砒素(GaAs)等の単結晶または石英ガラス等の非晶質から成る基板上に先述のキャリアガスを用いて炉内に輸送し、先述の基板上で酸素ガスと反応させることにより、図4の特性図に示されるような二つのそれぞれの波長において、同じ、もしくは同等の屈折率差Δnを有することを特徴とし、一枚の波長板で、二つ以上の波長において屈折率差Δnを同じ、もしくは同等に有する水晶波長板を先の基板上に育成する水晶波長板の製造方法と、その水晶波長板そのものの応用が考えられた。
なお、出願人は前記した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を、本件出願時までに発見するに至らなかった。
本発明は、以上のような技術的背景のもとでなされたものであり、従ってその目的は、図1に示されるような大気圧下での水晶波長板の育成において、電気炉内に載置されたサファイヤ、シリコン、ガリウム砒素(GaAs)等の単結晶または石英ガラス等の非晶質から成る基板上に、載置されたマスクのパターン形状の水晶波長板を育成させて、一度に先の基板上に複数個の二つの波長において同じ、もしくは同等の屈折率差Δnを有する水晶波長板、及びその製造方法を提供することである。
上記の目的を達成するために、本発明は、気相成長法で基板上に成長させて成る水晶波長板において、先の水晶波長板の育成中に添加物を加えることにより、二つ以上の波長において異常光線の屈折率から常光線の屈折率を差し引いた差が同じとなる水晶波長板であることを特徴とする。
また、本発明の、気相成長法で基板上に成長させて成る水晶波長板の製造方法において、添加物を加えながら、マスクが載置された先の基板上に、マスクのパターン形状の、二つ以上の波長において異常光線の屈折率から常光線の屈折率を差し引いた差が同じ水晶波長板を基板上に一度に複数個育成させることを特徴とする。
また、先の基板上のマスクの厚みが、所望する水晶波長板の厚みの110%以上で、かつ150%以下であることを特徴とする。
また、本発明の水晶波長板の育成中にAl、Mo、Ti、Fe金属等の、またはNa、K、Cl等のイオン系添加物を加えることを特徴とする。
本発明の水晶波長板では、切削や研磨といった加工を本発明の水晶波長板にさらに加えること無しに、使用する電子部品にそのまま収容することが出来、水晶から成る波長板の生産効率を著しく高めることが出来る。
また、本発明の水晶波長板の製造方法によれば、多数の同一形状の水晶波長板を非常に効率的に、かつ著しく歩留まり良く製造することが出来る。
また、本発明による波長板によれば、従来はそれぞれの異なる屈折率差Δnの分散特性を有する二枚以上の異なる結晶板を互いに組み合わせて使用する必要があったものを、一枚の水晶波長板において二つのそれぞれの波長で同じ、もしくは同等の屈折率差Δnを有する波長板に代えることが出来、著しい波長板の小型化を実現することが出来る。
以下に図面を参照しながら本発明の実施の一形態について説明する。
なお、各図においての同一の符号は同じ対象を示すものとする。
なお、各図においての同一の符号は同じ対象を示すものとする。
図1は本発明の、水晶波長板2の製造方法を示す概略の模式図である。即ち図1は基板ロッドで支えられた基板台の上に載置されたサファイヤ、またはシリコン、またはガリウム砒素(GaAs)等の単結晶または石英ガラス等の非晶質から成る基板1上に密着してマスク3を装着した様子を示す斜め上方からみた概略の模式図である。
図2は基板台の上に載置されたサファイヤ、またはシリコン、またはガリウム砒素(GaAs)等の単結晶または石英ガラス等の非晶質から成る基板1上に密着して装着するマスク3の一例を示すマスク3の上面方向からみた概略の上面図である。電気炉のなかは高温となるため、マスク3はガラスや石英といった耐熱性材料で出来ている。また、マスクのパターン4、即ちそれぞれの孔の形状は所望する電子部品に収容される波長板2の形状をしており、勿論ここにあげた複数の正方形のパターン以外にも、円形や長方形、または楕円、多角形、櫛形であっても構わず、またそれぞれのパターンの形状が小さく多数ひとつのマスク上に形成されている場合でも、本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。また、マスク3の厚さは、所望する波長板2の厚みの110%以上で、かつ150%以下の厚みである。基板1上に育成される水晶波長板2の縁形状ににじみが生じないように基板1へマスク3が確実に密着していることが必要である。
図3は本発明の水晶波長板2の製造方法を示す概略の図であり、電気炉のなかに基板ロッドで支えられた基板台の上に載置されたサファイヤ、またはシリコン、またはガリウム砒素(GaAs)等の単結晶または石英ガラス等の非晶質から成る基板1上に密着してマスク3を装着した様子を示した側面方向からみた概略の側面模式図である。この状態で大気圧下において珪素源として一種または複数種の珪素のアルコキシドを気化して、反応促進剤である塩化水素、及び例えばAl、Mo、Ti、Fe等の金属や、Na、K、Cl等のイオン系のガス状の添加物とともに、窒素ガス等のキャリアガスで先述のサファイヤ、またはシリコン、またはガリウム砒素(GaAs)等の単結晶または石英ガラス等の非晶質から成る基板1上に、先述のキャリアガスを用いて炉内に輸送し、先述の基板1上で同じく炉内に輸送される酸素ガスと反応させることにより、次の図4に示されるような二つのそれぞれ波長において同じ、もしくは同等の屈折率差Δnを有する一枚の波長板で二波長の分散特性を共用する水晶波長板2が基板1上に成長し、マスクのパターン4の形状の水晶波長板2が多数個育成する。なお、図1、及び図3において電気炉内の気流の向きは鉛直方向としているが、電気炉を横置きとして気流の向きを水平方向としても本発明の効果を奏するものであることは言うまでも無い。
図4は本発明の、一枚の波長板において、同じ二つの屈折率差Δnを有する水晶波長板の屈折率差Δn−波長曲線の特性図である。本図4において、従来はそれぞれの波長λ及びλ2の点でそれぞれの屈折率差Δnが決定され設計における位相差になるようにその波長板の厚みが決まる。したがって、両方の波長である厚みの波長板2の位相差を同じにすることは出来ない。先述の添加物を波長板の育成中に炉内に輸送することにより図4の屈折率差Δn分散−波長曲線を図4中の添加物Aや添加物Bの曲線の如くλ1及びλ2の点でその屈折率差Δnの値がほぼ同じとすることが出来る。人工水晶の従来の育成法である水熱育成法では、添加物の管理が非常に困難であるが気相成長による水晶波長板の育成では、添加物の管理が育成炉内への配管により、育成される水晶位相板の近傍に先の配管を設置することにより、ガス状の例えばAl、Mo、Ti、Fe等の金属や、Na、K、Cl等のイオン系といった添加物の吹きだし量、吹きつけ量、吹き出し方向の管理が容易であるといった効果を奏するものである。
図5は一種または複数種の珪素アルコキシドの大気圧下での基板1上の成長を終え、電気炉を開蓋して基板1からマスク3を外し、マスクのパターン4形状に育成した水晶波長板2を個々に取り出す様子を示した概略の斜め上方からみた模式図である。育成された水晶波長板2は基板1から容易に取り外すことが出来、それぞれ一枚の波長板2で、二つ以上の波長で同じ屈折率差Δnを有する水晶波長板2として、更なる加工をすること無く、そのまま使用することが出来る。
なお、先の図1、及び図3では先述の耐熱性材料で出来たマスク3を使用しているが、マスク3は基板1の上に耐熱性のあるフォトリソ等によりパターンを形成しても構わず、この場合も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。
図6は先の図2の一種または複数種の珪素アルコキシドの大気圧下でサファイヤ、シリコン、ガリウム砒素(GaAs)等の単結晶または石英ガラス等の非晶質から成る基板1上に水晶薄膜のエピタキシャル成長をする様子を示す図2の、基板部分を拡大した概略の模式図である。
1 基板
2 水晶波長板
3 マスク
4 マスクのパターン
2 水晶波長板
3 マスク
4 マスクのパターン
Claims (4)
- 気相成長法で基板上に成長させて成る水晶波長板において、該水晶波長板の育成中に添加物を加えることにより、二つ以上の波長において異常光線の屈折率から常光線の屈折率を差し引いた差が同じとなる水晶波長板。
- 気相成長法で基板上に成長させて成る水晶波長板の製造方法において、添加物を加えながら、マスクが載置された該基板上に、該マスクのパターン形状の、二つ以上の波長において異常光線の屈折率から常光線の屈折率を差し引いた差が同じ該水晶波長板を該基板上に一度に複数個育成させることを特徴とする水晶波長板の製造方法。
- マスクの厚みが、所望する水晶波長板の厚みの110%以上で、かつ150%以下であることを特徴とする請求項2に記載の水晶波長板の製造方法。
- 水晶波長板の育成中にAl、Mo、Ti、Fe等の金属、またはNa、K、Cl等のイオン系添加物を加えることを特徴とする請求項2に記載の水晶波長板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004195009A JP2006016239A (ja) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | 水晶波長板、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004195009A JP2006016239A (ja) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | 水晶波長板、及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006016239A true JP2006016239A (ja) | 2006-01-19 |
Family
ID=35790823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004195009A Pending JP2006016239A (ja) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | 水晶波長板、及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006016239A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
-
2004
- 2004-06-30 JP JP2004195009A patent/JP2006016239A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
US10324496B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-06-18 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
US10386889B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-08-20 | Apple Inc. | Cover glass for an electronic device |
US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
US9461357B2 (en) | 2014-02-12 | 2016-10-04 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
US9692113B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-06-27 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7723217B2 (en) | Method for manufacturing gallium nitride single crystalline substrate using self-split | |
JP5140962B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP2012012259A (ja) | 窒化物結晶およびその製造方法 | |
JP2006016239A (ja) | 水晶波長板、及びその製造方法 | |
WO2015133443A1 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法およびiii族窒化物結晶製造装置 | |
JP6298057B2 (ja) | ベース基板の前処理方法、および該前処理を行ったベース基板を用いた積層体の製造方法 | |
Itokazu et al. | Influence of the nucleation conditions on the quality of AlN layers with high-temperature annealing and regrowth processes | |
CN103526296A (zh) | 制造氮化镓基板的方法和由该方法制造的氮化镓基板 | |
WO2016136548A1 (ja) | 窒化物半導体テンプレート及びその製造方法、並びにエピタキシャルウエハ | |
JP4396649B2 (ja) | GaN結晶基板およびその製造方法 | |
JPH0748198A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
JP5144192B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の成長方法 | |
JP2011168481A (ja) | 窒化物半導体層の成長方法、及びそれにより形成される窒化物半導体基板 | |
CN106536794B (zh) | 氮化镓衬底 | |
JP2005213080A (ja) | 水晶薄膜の製造方法 | |
JP2005251961A (ja) | Iii族窒化物単結晶ウエハおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2005247625A (ja) | Iii族窒化物の結晶成長方法およびiii族窒化物結晶および基板および半導体デバイス | |
JP4963178B2 (ja) | 水晶波長板の製造方法 | |
JP2007197240A (ja) | 窒化ガリウム単結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム単結晶基板 | |
KR100907617B1 (ko) | 질화갈륨 기판의 제조 방법 | |
JP4413647B2 (ja) | プラノコンベックス形水晶エピタキシャル薄膜の製造方法 | |
JP6746124B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 | |
JP2013203596A (ja) | 単結晶ダイヤモンド基板 | |
JP2013256440A (ja) | 窒化ガリウム基板の製造方法及び該製造方法により製造された窒化ガリウム基板 | |
JP2008273768A (ja) | Iii族窒化物結晶の成長方法およびiii族窒化物結晶基板 |