JP2015122520A - SiCショットキーダイオード用モリブデンバリア金属および製造方法 - Google Patents
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 29
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- -1 implants SiC Chemical compound 0.000 claims 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 229910003310 Ni-Al Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/6606—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
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Abstract
Description
iC)ショットキーダイオードに関する。
0,807号および2007年7月に出願された米国仮特許出願第XX/XXX,XXX
号に基づく優先権を主張する。上記出願を参考のためここに援用する。
ドは、電流が一方の方向に流れることを許容するが反対方向に流れることを阻止する。従
ってダイオードは、機械的逆止弁の電子版と考えることができる。電流が一方向のみに流
れることを必要とする回路は、典型的には1以上のダイオードを含む。
れるダイオードである。ショットキーダイオードは、標準的なpn接合ダイオードよりも
低い順方向電圧降下を有する。ショットキーダイオードの接合容量は概してpn接合ダイ
オードのそれよりもはるかに低い。接合容量が低いために、ミキサおよび検出器などの高
速回路および無線周波数(RF)デバイスに対する切り換え速度が速く安定性が高い。さ
らにショットキーダイオードは、高電圧用途にも用いることができる。
特性を有するデバイスを提供しようとしている。このようなダイオードの性能を評価する
ために製造者が用いるパラメータは、順方向電流伝導特性および逆方向電圧遮断特性を含
む。順方向電流伝導が優れており遮断電圧が高いデバイスは、高電圧低損失用途にとって
理想的である。このようなデバイスを上手く製造することに対する問題点としては、デバ
イスの製造に用いる材料の固有の特性およびこれらの材料が有し得る物理的欠陥などがあ
る。
デバイスにとって期待できる材料として出現した。さらにSiCを用いるショットキーバ
リアダイオード(SBD)が現在市販されている。しかしこれらのデバイスの性能は、S
iCが有する可能性のある理想的な性能に比べて低い。より具体的には、現在入手可能な
SiC−SBDは、SiCが有する可能性のある優れた性能(高電圧、高電流容量および
低損失)を完全には実現しない。さらに現在入手可能なSiC−SBDは、高電圧デバイ
スのSiCエピ層において性能を劣化させる欠点を有する。
ードを提供する方法が必要である。本発明は、この必要性を満たす方法を提供する。
導および逆方向電圧遮断性能を向上させるモリブデンショットキーコンタクトを開示する
。さらにモリブデンショットキーコンタクトは、チタン(Ti)またはニッケル(Ni)
のショットキーコンタクトを用いたSiCショットキーダイオードに比べて、高温でより
優れたデバイス動作安定性を提供し、より高いアニール温度の使用を可能にする。
のエピタキシャル層上にショットキーコンタクトを形成する工程と、ショットキーコンタ
クトを300から700℃の範囲の温度でアニールする工程とを含む。ショットキーコン
タクトはモリブデン(Mo)層により形成される。
を形成し、エピタキシャル層の終端領域内にエッジ終端インプラントを形成する。さらに
、エピタキシャル層上にショットキーコンタクトを形成し、ショットキーコンタクトを6
00℃を超える温度でアニールする。その後、ショットキーコンタクト上方にアルミニウ
ム(Al)コンタクトを形成する。ショットキーコンタクトはモリブデン(Mo)層によ
り形成される。
オードである。一実施形態において、ショットキーダイオードは、基板と、基板に隣接し
て且つ基板上方に設けられたエピタキシャル層と、エピタキシャル層の終端領域内に形成
された電界リングと、エピタキシャル層上に形成されたショットキーコンタクトとを含む
。ショットキーコンタクトは、モリブデン層により形成される。ショットキーコンタクト
上方にアルミニウム層が形成される。
ば、ショットキーバリア高さ=1.2〜1.3eVおよび理想係数<1.1)を有する、
高温(>600℃)アニールされたモリブデン(Mo)ショットキーコンタクトが開示さ
れる。ショットキーバリア高さは、金属と半導体との界面における電位の差異を示す。こ
のパラメータは、デバイスの順方向電圧および漏れ電流の判定にとって重要である。理想
係数は、界面の質の測定値を表す。概して理想係数は1から2であり、本明細書に開示す
るモリブデンショットキーコンタクトなどの高質界面の場合、このパラメータは1.1未
満である。
C接合バリアショットキーダイオードなどの電子パワーデバイスを、直径3インチの4H
−SiCウエハ上に製造してもよい。ショットキー金属コンタクトは、スパッタリングに
より、或いはより好適にはTi、MoおよびNiの電子線および熱蒸発によって得られ得
る。
囲において1000Vまでの遮断電圧を呈する。一実施形態では、ショットキーダイオー
ドの特性を、電流−電圧測定値および容量−電圧測定値を参照して評価した。様々な設計
におけるショットキーバリア高さ(SBH)、理想係数、および逆方向漏れ電流を測定し
、上手く動作しなかったデバイスの構造に関する形態学的研究を高解像度走査電子顕微鏡
を用いて行った。
ドは、標準的なTi金属処理で得られるものに似た遮断電圧を示すが、これよりも高さバ
リア値が低い。バリア値が低いと、図2Aに示すように順方向伝導性能がよくなり、さら
に図2Bに示すように逆方向または遮断電圧性能もよくなる。さらに、接合バリアショッ
トキーダイオードは、ショットキーバリアに対する電界強度を制限し、従ってショットキ
ーバリアの低下および逆方向電流をも制限する。
説明を読むことにより当業者には確実に明らかになる。
最もよく理解することができる。
は、本発明の徹底的な理解を可能にするために具体的な詳細事項を述べる。しかし本発明
は本明細書に記載する実施の詳細な点の一部がなくても実施可能であることは当業者には
明らかである。さらに本発明を必要以上に不明瞭にしないために、周知の動作は詳細に記
載しない。
よび製造方法)
図1Aは、本発明の一実施形態によって製造されたシリコンカーバイド(SiC)ショ
ットキーバリアダイオード(SBD)100の断面図である。一実施形態では、チタン(
Ti)およびその他の材料よりも順方向電流伝導性能および逆方向電圧遮断性能を向上さ
せるモリブデン(Mo)ショットキーコンタクトを用いる。さらにMoショットキーコン
タクトは、チタン(Ti)またはニッケル(Ni)ショットキーコンタクトを用いたSi
Cショットキーダイオードに比べて、高温でより優れた動作安定性を提供し、より高いア
ニール温度の使用を可能にする。
板10と、SiCエピタキシャル層11と、エッジ終端インプラント12と、パッシベー
ション層13と、モリブデン(Mo)コンタクト14と、オーミックコンタクト15と、
裏面オーミックコンタクト16とを含む。一実施形態では、パッシベーション層13は二
酸化ケイ素(SiO2)で形成されてもよく、オーミックコンタクト15はアルミニウム
(Al)で形成されてもよく、オーミックコンタクト16はニッケル(Ni)で形成され
てもよい。他の実施形態では、本明細書に記載する以外の材料を用いてSiC SBD1
00の1以上の構造を形成してもよい。
iCエピタキシャル層11)が形成されており、エッジ終端の拡散を用いてSiCエピタ
キシャル層11内にエッジ終端インプラント12(例えば電界リング)が形成されている
。一実施形態では、エッジ終端インプラント12の一部分がパッシベーション層13で覆
われている。一実施形態では、Moコンタクト14が高温で形成され、オーミックコンタ
クト15に接する。裏面オーミックコンタクト16は基板10の裏面に形成される。
って表される端子間に正電圧が印加されると、図1Aに参照符号17で示すように順方向
電流伝導がトリガされる。逆に、オーミック層15および裏面オーミックコンタクト16
によって表される端子間に逆電圧が印加されると、SiC−SBD100には逆バイアス
がかかり電流伝導は停止する。デバイスの動作中、本明細書に記載するMoコンタクトは
、SiC−SBD100の全寿命期間に亘ってTiよりも安定したショットキーバリアを
提供するということが理解されるはずである。
一実施形態ではまず、SiC基板(例えば図1Aに示す10)とSiCエピタキシャル
層(例えば図1Aに示す11)とを含む調製ずみウエハを、H2SO4:H2O2:H2
Oの4:1.5:1.5(容量比)溶液を90℃で10分間用い、H2ODl.:HCL
:H2O2の4:1.5:1.5(容量比)溶液を75℃で10分間用いて予備クリーニ
ングしてもよい。その後、SiCエピタキシャル層11の表面に第1のフォトレジストマ
スクを適用する前に、低熱酸化(LTO)テトラエチルオルトシリケート(TEOS)化
合物を厚み1ミクロンまで堆積してもよい。その後、反応性イオンエッチング(RIE)
により酸化物エッチングを行ってもよい。
ストストリップを行ってもよい。その後、第2のフォトレジストマスクを適用してもよく
、その後、6:1バッファ化学溶液を用いて、この構造物にバッファ酸化物エッチング(
B.O.E.)を施してもよい。上記の操作により、エッジ終端インプラント(例えば図
1Aに示す12)用の半導体構造物が調製される。従ってその後エッジ終端インプラント
が形成され得る。
ドーズ量、80+190KeVの注入エネルギーおよび4度の傾斜角を用いて形成された
ボロン(B)インプラントを含んでもよい。ボロン(B)インプラントが形成された後、
1E15のドーズ量、25+80KeVの注入エネルギーおよび4度の傾斜角を用いて裏
面リン(P)インプラントを形成してもよく、これによりカソード表面濃度(例えば図1
Aに示す12)が上昇する。2次的イオン質量分析(SIMS)ツールを用いてインプラ
ントの元素分析および同位体分析を行うことができる。
ォトレジストストリップを行ってもよい。その後、6:1溶液を用いてバッファ酸化物エ
ッチング(B.O.E.)をもう一度施してもよい。得られた構造物を、H2SO4:H
2O2:H2Oの4:1.5:1.5(容量比)溶液を90℃で10分間用い、H2OD
l.:HCL:H2O2の4:1.5:1.5(容量比)溶液を75℃で10分間用いて
予備クリーニングしてもよい。次に、エッジ終端インプラント(例えば図1Aに示す12
)をアニールしてもよく、これにより1550℃よりも高い温度(SiCエピタキシャル
層11内に注入されたイオンを活性化するため)の高温急速終端アニール(HTRTA)
を用いて、注入されたドーパントが活性化される。一実施形態ではHTRTAを用いるこ
とにより、SiC材料の劣化が防止される。SiC材料が劣化すると、完成したデバイス
の性能も劣化し得る。
で10分間用い、H2ODl.:HCL:H2O2の4:1.5:1.5(容量比)溶液
を75℃で10分間用いて、さらなる予備クリーニング操作を行ってもよい。光沢のある
表面を提供するために、低熱酸化(LTO)TEOSを堆積してもよい。その後、犠牲酸
化を行ってもよく、その後酸化物ストリップを行ってもよい。
で10分間用い、H2ODl.:HCL:H2O2の4:1.5:1.5(容量比)溶液
を75℃で10分間用いて、予備クリーニング操作を行ってもよい。次に、低熱酸化(L
TO)TEOSを厚み1ミクロンまで堆積してもよい(これにより、終端インプラントエ
リアにTEOSが形成されている状態でパッシベーションが行われる)。その後、TEO
S酸化を行ってもよい。一実施形態ではTEOS酸化の結果、電気特性が向上する。これ
らのプロセスにより酸化物界面が小さく維持されるからである。
る)操作を行ってもよい。これらの操作は、フォトレジストマスク(第3)の形成と、B
.O.E.酸化物エッチングを行うこと(6:1バッファ化学溶液を用いる)と、フォト
レジストストリップを行うこと(H2SO4:H2O2の100:6溶液を140℃で1
5分間用いる)と、予備クリーニング操作を行うこと(H2SO4:H2O2:H2Oの
容量比4:1.5:1.5溶液を90℃で10分間用い、H2ODl.:HCL:H2O
2の容量比4:1.5:1.5溶液を75℃で10分間用いる)と、B.O.E.クリー
ニングを行うこととを含む。選択された薄膜金属層(例えばNiまたはNi−Alなど)
を用いてカソードエリア上に裏面オーミックコンタクトを形成してもよく、その後800
〜1000℃の範囲の温度でアニールを行ってもよい。これにより、コンタクト抵抗が低
減する。
Aに示すMoショットキーコンタクト14)を形成してもよく、モリブデンショットキー
バリア(例えばコンタクト)上方にオーミック(例えばニッケル(Ni)、金(Au)、
銅(Cu)など)前面金属コンタクト(例えば図1Aに示す15)を形成してもよい。一
実施形態では、モリブデンショットキーバリア(例えばコンタクト)を厚み500オング
ストローム〜2000オングストロームまで成長させてもよい。一実施形態では、前面オ
ーミックコンタクト(例えば図1Aに示す15)を厚み4ミクロンまで成長させることが
できる。一実施形態では、標準的ワイヤボンディングプロセスを用いて、オーミック前面
金属コンタクトを形成してもよい。他の実施形態では、他のプロセスを用いることができ
る。その後、300℃〜700℃の範囲の温度を用いて金属焼結(高温アニール)を行っ
てもよい。他の実施形態では、600℃を越える(例えば800℃)温度を用いて金属焼
結を行ってもよい。
ってもよく(デバイス規定のため)、フォトレジストストリップを行ってもよい。その後
、コンタクト金属を予備クリーニングしてもよい。これらの操作の後に、アモルファスシ
リコン堆積(例えば1900オングストローム)とポリイミドパッシベーション(電気特
性の安定化および遮断能力の向上のため)とを行ってもよい。
グと高温でのポリイミド硬化とを行ってもよい。最後に、コンタクト金属の予備クリーニ
ングおよび裏面強化金属処理操作を行ってもよい(これにより、例えば裏面オーミックコ
ンタクト16を形成する)。一実施形態では、裏面オーミックコンタクト16の形成に用
いる材料は、チタン(Ti)(1000オングストローム)、ニッケル(Ni)(400
0オングストローム)および銀(Ag)(6000オングストローム)を含むがこれらに
限られない。他の実施形態では、他の金属および厚みを選択してもよい。
って、さらなる詳細な点を示す図である。図1Bに示されているが図1Aには示されてい
ないコンポーネントは、上記のように形成したアモルファスシリコン層18およびポリイ
ミド層19を含む。
図2Aおよび図2Bは、1mm2のモリブデン(Mo)ショットキーコンタクトエリア
を有し400℃でアニールされた、一実施形態によるSiC−SBDの電流−電圧特性を
示す。重要なことであるが、これらのグラフは、モリブデン(Mo)ショットキーコンタ
クトを有するSiC−SBDが、チタン(Ti)ショットキーコンタクトを有するSiC
−SBDに比べて、順方向電圧が低い状態でより優れた順方向電流伝導を提供するという
ことを示している。図2Aおよび図2Bの特性を有するSBDは、1.5mΩcm2のオ
ーダーであると計算されたRTで特定のオン抵抗(Ron)を示し、600Vを越える破
壊電圧(Vb)を示した。
いて評価することができる。この値は概して、SiC−SBD用の性能指数として用いら
れる。高性能SiC−SBDは、より性能の低いSiC−SBDよりも高いVb 2/Ro
n値を有する。評価した本発明の実施形態のVb 2/Ron値は、1mm2のショットキ
ーコンタクトエリアを有するデバイスの場合で1898MW/cm2であった。
実験結果を示す。
ョットキーバリア高さ=1.2〜1.3eVおよび理想係数<1.1)を有する、高温(
>600℃)アニールされたモリブデン(Mo)ショットキーコンタクトが提供される。
ショットキーバリア高さは、金属と半導体との界面における電位の差異を示す。このパラ
メータは、デバイスの順方向電圧および漏れ電流の判定にとって重要である。理想係数は
、界面の質の測定値を表す。概して理想係数は1から2であり、高質界面の場合、このパ
ラメータは1.1未満である。
SiC接合バリアショットキー(JBS)ダイオードなどの電子パワーデバイスを、直径
3インチの4H−SiCウエハ上に製造してもよい。ショットキー金属コンタクトは、T
i、MoおよびNiの熱および電子線蒸発によって得られ得る。
囲において1000Vまでの遮断電圧を示す。一実施形態では、ショットキーダイオード
の特性を、電流−電圧測定値および容量−電圧測定値を参照して評価した。様々な設計に
おけるショットキーバリア高さ(SBH)、理想係数、および逆方向漏れ電流を測定し、
上手く動作しなかったデバイスの構造に関する形態学的研究を高解像度走査電子顕微鏡を
用いて行った。
ドは、標準的なTi金属処理で得られるものに似た遮断電圧を示すが、これよりも高さバ
リア値が低い。バリア値が低いと、図2Aに示すように順方向伝導性能がよくなり、さら
に図2Bに示すように逆方向または遮断電圧性能もよくなる。
度を制限し、従ってショットキーバリアの低下および逆方向電流をも制限する。
図3は、本発明の一実施形態によりシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオ
ードを製造するプロセスの一例において実施される工程のフローチャートである。フロー
チャートには具体的な工程を開示するが、これらの工程は一例である。他の様々な工程お
よびフローチャートに開示する工程の変形例を実施するに十分適した様々な実施形態があ
る。フローチャートに示す工程は、様々な実施形態の範囲内で様々な方法で実施可能であ
ることが理解されるはずである。
303で、基板上にエピタキシャル層を形成する。一実施形態では、エピタキシャル層は
SiC(高質)で形成される。
形態では、エッジ終端拡散によって電界リングが形成される。その後、選択された薄膜金
属層(例えばNiまたはNi−Alなど)を用いてカソードエリア上に裏面オーミックコ
ンタクトを形成してもよく、その後800〜1000℃の範囲の温度でアニールを行って
もよい。これにより、コンタクト抵抗が低減する。
では、ショットキーコンタクトはモリブデン層を含む。
する。工程311で、ショットキーコンタクト上方にオーミックコンタクトを形成する。
一実施形態では、オーミックコンタクトはアルミニウム、銅または金を含んでもよいがこ
れらに限られない。工程313で、基板の裏面にオーミックコンタクトを形成する。
、シリコンカーバイド(SiC)のエピタキシャル層上にショットキーコンタクトを形成
することと、ショットキーコンタクトを300から700℃の範囲の温度でアニールする
こととを含む。ショットキーコンタクトはモリブデン層により形成される。
であれば、本発明の技術は複数のコンポーネントおよびプロセスの反復を用いても実施可
能であることを理解する。さらに特定の実施形態に照らして本発明を示し説明してきたが
、当業者であれば、本発明の思想および範囲から逸脱することなく、開示した実施形態の
形態および詳細な点が変更可能であることを理解する。例えば、本発明の実施形態には様
々なコンポーネントが採用可能であり、上記に記載したものに限られない。従って、本発
明はその真の思想および範囲内に含まれるすべての変形および均等物を含むと解釈すべき
である。
Claims (21)
- ダイオードの製造方法であって、
シリコンカーバイド(SiC)のエピタキシャル層上にショットキーコンタクトを形成
する工程であって、リング終端領域がシリコンカーバイド(SiC)の前記層内に形成さ
れ、前記ショットキーコンタクトがモリブデン(Mo)層を含む工程と、
前記ショットキーコンタクトの第1および第2の側に隣接するパッシベーション層を形
成する工程と、
前記ショットキーコンタクトの上面と、前記ショットキーコンタクトの第1および第2
の側に隣接して設けられた前記パッシベーション層の上面の一部とを覆うオーミックコン
タクトを形成する工程と、
前記ショットキーコンタクトを300℃から700℃の範囲の温度でアニールする工程
と、
を含む方法。 - 前記モリブデン層上方に前記オーミックコンタクトを形成する工程をさらに含み、前記
オーミックコンタクトの形成に用いられる材料が、アルミニウム(Al)、ニッケル(N
i)、チタン(Ti)、タングステン(W)、銅(Co)および金(Au)からなる群よ
り選択される、請求項1に記載の方法。 - 前記リング終結領域が、前記SiCのエピタキシャル層内に形成されたボロン終端イン
プラントを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記リング終結領域が、前記SiCのエピタキシャル層内に形成された裏面リン終端イ
ンプラントを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記ボロン終端インプラントが、1550℃を超える温度で高温急速熱アニール(HT
RTA)を用いて形成される、請求項3に記載の方法。 - 前記モリブデン(Mo)層が500オングストロームと2000オングストロームとの
間の厚みを有する、請求項1に記載の方法。 - 前記オーミックコンタクトがワイヤボンディングプロセスを用いて形成され、モリブデ
ンバリア金属上に形成されたアルミニウム上層を含み、前記モリブデンバリア金属と前記
アルミニウム上層が共に、ショットキーコンタクトアニール工程中に300から700℃
の範囲の温度を用いてアニールされる、請求項2に記載の方法。 - ダイオードの製造方法であって、
基板を形成する工程と、
前記基板上にエピタキシャル層を形成する工程と、
前記エピタキシャル層のエッジ終端領域内にエッジ終端インプラントを形成する工程と
、
前記エピタキシャル層上にショットキーコンタクトを形成する工程であって、リング終
端領域がシリコンカーバイド(SiC)の前記層内に形成され、前記ショットキーコンタ
クトがモリブデン(Mo)層を含む工程と、
前記ショットキーコンタクトの第1および第2の側に隣接するパッシベーション層を形
成する工程と、
前記ショットキーコンタクトの上面と、前記ショットキーコンタクトの第1および第2
の側に隣接して設けられた前記パッシベーション層の上面の一部とを覆うオーミックコン
タクトを形成する工程と、 前記ショットキーコンタクトを300℃から700℃の範囲
の温度でアニールする工程と、
前記ショットキーコンタクト上方にオーミックコンタクト層を形成する工程と、
前記基板の裏面に裏面オーミックコンタクトを形成する工程と、
を含む方法。 - 前記オーミックコンタクトの形成に用いられる材料が、アルミニウム(Al)、ニッケ
ル(Ni)、チタン(Ti)、タングステン(W)、銅(Co)および金(Au)からな
る群より選択される、請求項8に記載の方法。 - 前記エッジ終結インプラントが、SiCの前記エピタキシャル層内に形成されたボロン
(B)終端インプラントを含む、請求項8に記載の方法。 - 前記エッジ終結インプラントが、SiCの前記エピタキシャル層内に形成された裏面リ
ン(P)インプラントを含む、請求項8に記載の方法。 - 前記ボロン(B)終端インプラントが、高温急速熱アニール活性化(HTRTA)によ
り形成される、請求項10に記載の方法。 - 前記モリブデン(Mo)層が500オングストロームと2000オングストロームとの
間の厚みを有する、請求項8に記載の方法。 - 前記オーミックコンタクトがワイヤボンディングプロセスを用いて形成され、モリブデ
ンバリア金属上に形成されたアルミニウム上層を含み、前記モリブデンバリア金属と前記
アルミニウム上層が共に、ショットキーコンタクトアニール工程中に300から700℃
の範囲の温度を用いてアニールされる、請求項9に記載の方法。 - ショットキーダイオードであって、
基板と、
前記基板に隣接して且つ前記基板上方に設けられたエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の終端領域内に形成されたエッジ終端インプラントと、
前記エピタキシャル層上に形成されたショットキーコンタクトであって、モリブデン層
を含むショットキーコンタクトと、
前記ショットキーコンタクトの第1および第2の側に隣接するパッシベーション層と、
前記ショットキーコンタクトの上面と、前記ショットキーコンタクトの第1および第2
の側に隣接して設けられた前記パッシベーション層の上面の一部とを覆うオーミックコン
タクトと、
前記基板の裏面に形成された裏面オーミックコンタクトと、
を含むショットキーダイオード。 - 前記オーミックコンタクトが、前記モリブデン層上方に設けられ、前記オーミックコン
タクトの形成に用いられる材料が、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(
Ti)、タングステン(W)、銅(Co)および金(Au)からなる群より選択される、
請求項17に記載のダイオード。 - 前記エッジ終結インプラントが、SiCの前記エピタキシャル層内に形成されたボロン
(B)終端インプラントを含む、請求項15に記載のダイオード。 - 前記エッジ終結インプラントが、SiCの前記エピタキシャル層内に形成された裏面リ
ン(P)終端インプラントを含む、請求項15に記載のダイオード。 - 前記ボロン(B)終端インプラントが、1550℃を超える温度で高温急速熱アニール
(HTRTA)を用いて形成された、請求項17に記載のダイオード。 - 前記モリブデン(Mo)層が500オングストロームと2000オングストロームとの
間の厚みを有する、請求項15に記載のダイオード。 - 前記オーミックコンタクトがワイヤボンディングプロセスを用いて形成され、モリブデ
ンバリア金属上に形成されたアルミニウム上層を含み、前記モリブデンバリア金属と前記
アルミニウム上層が共に、ショットキーコンタクトアニール工程中に300から700℃
の範囲の温度を用いてアニールされた、請求項16に記載のダイオード。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US82080706P | 2006-07-31 | 2006-07-31 | |
US60/820,807 | 2006-07-31 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009522856A Division JP2009545885A (ja) | 2006-07-31 | 2007-07-31 | SiCショットキーダイオード用モリブデンバリア金属および製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015122520A true JP2015122520A (ja) | 2015-07-02 |
JP6379052B2 JP6379052B2 (ja) | 2018-08-22 |
Family
ID=38997473
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009522856A Pending JP2009545885A (ja) | 2006-07-31 | 2007-07-31 | SiCショットキーダイオード用モリブデンバリア金属および製造方法 |
JP2015011508A Active JP6379052B2 (ja) | 2006-07-31 | 2015-01-23 | SiCショットキーダイオード用モリブデンバリア金属および製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009522856A Pending JP2009545885A (ja) | 2006-07-31 | 2007-07-31 | SiCショットキーダイオード用モリブデンバリア金属および製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9627552B2 (ja) |
EP (1) | EP2047514A4 (ja) |
JP (2) | JP2009545885A (ja) |
KR (1) | KR101193453B1 (ja) |
CN (1) | CN101506989B (ja) |
WO (1) | WO2008016619A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8604613B2 (en) * | 2003-11-14 | 2013-12-10 | Industrial Technology Research Institute | Electronic assembly having a multilayer adhesive structure |
US7812441B2 (en) | 2004-10-21 | 2010-10-12 | Siliconix Technology C.V. | Schottky diode with improved surge capability |
TWI278090B (en) | 2004-10-21 | 2007-04-01 | Int Rectifier Corp | Solderable top metal for SiC device |
US9419092B2 (en) | 2005-03-04 | 2016-08-16 | Vishay-Siliconix | Termination for SiC trench devices |
US7834376B2 (en) | 2005-03-04 | 2010-11-16 | Siliconix Technology C. V. | Power semiconductor switch |
US8368165B2 (en) | 2005-10-20 | 2013-02-05 | Siliconix Technology C. V. | Silicon carbide Schottky diode |
KR101193453B1 (ko) | 2006-07-31 | 2012-10-24 | 비쉐이-실리코닉스 | 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드를 위한 몰리브덴 장벽 금속 및 제조방법 |
US8394196B2 (en) * | 2006-12-12 | 2013-03-12 | Applied Materials, Inc. | Formation of in-situ phosphorus doped epitaxial layer containing silicon and carbon |
US7960236B2 (en) * | 2006-12-12 | 2011-06-14 | Applied Materials, Inc. | Phosphorus containing Si epitaxial layers in N-type source/drain junctions |
JP2009094392A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP4535151B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2010-09-01 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
CN101320601B (zh) * | 2008-06-18 | 2011-08-17 | 西北工业大学 | 碳化硅肖特基结式核电池及其制作方法 |
JP5408929B2 (ja) | 2008-08-21 | 2014-02-05 | 昭和電工株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2011119585A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR20130076314A (ko) * | 2011-12-28 | 2013-07-08 | 삼성전자주식회사 | 파워소자 및 이의 제조방법 |
WO2013183677A1 (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN103033276B (zh) * | 2012-12-27 | 2014-07-02 | 长安大学 | 碳化硅温度传感器及其制造方法 |
US9172239B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-10-27 | Fairchild Semiconductor Corporation | Methods and apparatus related to a precision input power protection device |
US10020367B2 (en) * | 2014-04-30 | 2018-07-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Silicon carbide semiconductor device |
US20150349281A1 (en) * | 2014-06-03 | 2015-12-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Organic schottky diodes |
US9735147B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-08-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Fast and stable ultra low drop-out (LDO) voltage clamp device |
CN105244267B (zh) * | 2015-11-05 | 2018-12-14 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法 |
DE102015120668B4 (de) * | 2015-11-27 | 2022-08-11 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes |
DE102015120848B4 (de) | 2015-12-01 | 2017-10-26 | Infineon Technologies Ag | Herstellen einer Kontaktschicht auf einem Halbleiterkörper |
CN106409663A (zh) * | 2016-06-20 | 2017-02-15 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种制备高阻断电压碳化硅功率器件的方法 |
CN109326523A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-02-12 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 碳化硅肖特基接触的制备方法及碳化硅肖特基二极管 |
JPWO2022163082A1 (ja) | 2021-02-01 | 2022-08-04 | ||
US20240120384A1 (en) | 2021-02-01 | 2024-04-11 | Rohm Co., Ltd. | Sic semiconductor device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124330A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Siemens Ag | 半導体基体の電気的に絶縁された異なる活性領域内に第1のmosfetトランジスタおよび第2のmosfetトランジスタを作成する方法 |
JP2003282888A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製法 |
JP2004221513A (ja) * | 2002-03-28 | 2004-08-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2004084312A2 (en) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Semiconductor device with isolation layer |
JP2005079339A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置、およびその半導体装置を用いた電力変換器、駆動用インバータ、汎用インバータ、大電力高周波通信機器 |
JP2005311347A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | ショットキー接合型半導体装置の製造方法 |
US20060086939A1 (en) * | 2004-10-21 | 2006-04-27 | International Rectifier Corp. | Solderable top metal for SiC device |
Family Cites Families (177)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51132779A (en) | 1975-05-14 | 1976-11-18 | Hitachi Ltd | Production method of vertical-junction type field-effect transistor |
US4206540A (en) | 1978-06-02 | 1980-06-10 | International Rectifier Corporation | Schottky device and method of manufacture using palladium and platinum intermetallic alloys and titanium barrier |
DE3219598A1 (de) * | 1982-05-25 | 1983-12-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schottky-leistungsdiode |
JPS60201666A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Nec Corp | 半導体装置 |
DE3581348D1 (de) | 1984-09-28 | 1991-02-21 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen eines pn-uebergangs mit hoher durchbruchsspannung. |
FR2579023B1 (fr) | 1985-03-12 | 1988-06-24 | Silicium Semiconducteur Ssc | Composant semiconducteur a tenue en tension amelioree par sillons peripheriques multiples |
JPS61240679A (ja) | 1985-04-17 | 1986-10-25 | Tdk Corp | シヨツトキ−バリヤ型半導体装置およびその製造方法 |
JPH0669040B2 (ja) * | 1985-05-13 | 1994-08-31 | 株式会社東芝 | 光半導体装置 |
US4648175A (en) * | 1985-06-12 | 1987-03-10 | Ncr Corporation | Use of selectively deposited tungsten for contact formation and shunting metallization |
JPS6246561A (ja) | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Tdk Corp | シヨツトキ−バリヤ型半導体装置の製造方法 |
JPS6271271A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Sharp Corp | 炭化珪素半導体の電極構造 |
US4903189A (en) | 1988-04-27 | 1990-02-20 | General Electric Company | Low noise, high frequency synchronous rectifier |
US5003372A (en) * | 1988-06-16 | 1991-03-26 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | High breakdown voltage semiconductor device |
EP0360036B1 (de) * | 1988-09-20 | 1994-06-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Planarer pn-Übergang hoher Spannungsfestigkeit |
USH986H (en) | 1989-06-09 | 1991-11-05 | International Business Machines Corporation | Field effect-transistor with asymmetrical structure |
US5047833A (en) * | 1990-10-17 | 1991-09-10 | International Rectifier Corporation | Solderable front metal contact for MOS devices |
US5322812A (en) * | 1991-03-20 | 1994-06-21 | Crosspoint Solutions, Inc. | Improved method of fabricating antifuses in an integrated circuit device and resulting structure |
US5233215A (en) * | 1992-06-08 | 1993-08-03 | North Carolina State University At Raleigh | Silicon carbide power MOSFET with floating field ring and floating field plate |
US5362975A (en) * | 1992-09-02 | 1994-11-08 | Kobe Steel Usa | Diamond-based chemical sensors |
US5384470A (en) * | 1992-11-02 | 1995-01-24 | Kobe Steel, Usa, Inc. | High temperature rectifying contact including polycrystalline diamond and method for making same |
US6040617A (en) | 1992-12-22 | 2000-03-21 | Stmicroelectronics, Inc. | Structure to provide junction breakdown stability for deep trench devices |
US5436174A (en) | 1993-01-25 | 1995-07-25 | North Carolina State University | Method of forming trenches in monocrystalline silicon carbide |
US5323040A (en) * | 1993-09-27 | 1994-06-21 | North Carolina State University At Raleigh | Silicon carbide field effect device |
JPH07245402A (ja) | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Nippon Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH07302896A (ja) | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Ngk Insulators Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
DE4423068C1 (de) * | 1994-07-01 | 1995-08-17 | Daimler Benz Ag | Feldeffekt-Transistoren aus SiC und Verfahren zu ihrer Herstellung |
TW286435B (ja) * | 1994-07-27 | 1996-09-21 | Siemens Ag | |
JPH0855920A (ja) | 1994-08-15 | 1996-02-27 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0855908A (ja) | 1994-08-17 | 1996-02-27 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH0897441A (ja) * | 1994-09-26 | 1996-04-12 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法 |
JP3265886B2 (ja) | 1995-01-17 | 2002-03-18 | 富士電機株式会社 | プレーナ型半導体装置 |
JP3272242B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2002-04-08 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH0936393A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-07 | Denso Corp | ショットキー接合を有する半導体装置の製造方法 |
US5689128A (en) * | 1995-08-21 | 1997-11-18 | Siliconix Incorporated | High density trenched DMOS transistor |
US5967795A (en) * | 1995-08-30 | 1999-10-19 | Asea Brown Boveri Ab | SiC semiconductor device comprising a pn junction with a voltage absorbing edge |
US6573534B1 (en) * | 1995-09-06 | 2003-06-03 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device |
WO1997027626A1 (en) | 1996-01-26 | 1997-07-31 | The Whitaker Corporation | Integrated circuit package having enhanced heat dissipation and grounding |
US5929523A (en) * | 1996-03-07 | 1999-07-27 | 3C Semiconductor Corporation | Os rectifying Schottky and ohmic junction and W/WC/TiC ohmic contacts on SiC |
US6002159A (en) * | 1996-07-16 | 1999-12-14 | Abb Research Ltd. | SiC semiconductor device comprising a pn junction with a voltage absorbing edge |
US5801836A (en) * | 1996-07-16 | 1998-09-01 | Abb Research Ltd. | Depletion region stopper for PN junction in silicon carbide |
US5753938A (en) * | 1996-08-08 | 1998-05-19 | North Carolina State University | Static-induction transistors having heterojunction gates and methods of forming same |
JP3123452B2 (ja) * | 1996-12-10 | 2001-01-09 | 富士電機株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
SE9700156D0 (sv) * | 1997-01-21 | 1997-01-21 | Abb Research Ltd | Junction termination for Si C Schottky diode |
JP3938964B2 (ja) * | 1997-02-10 | 2007-06-27 | 三菱電機株式会社 | 高耐圧半導体装置およびその製造方法 |
US6441455B1 (en) * | 1997-03-06 | 2002-08-27 | International Rectifier Corporation | Low dosage field rings for high voltage semiconductor device |
US6330967B1 (en) | 1997-03-13 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Process to produce a high temperature interconnection |
US6100572A (en) * | 1997-03-20 | 2000-08-08 | International Rectifier Corp. | Amorphous silicon combined with resurf region for termination for MOSgated device |
US5932894A (en) * | 1997-06-26 | 1999-08-03 | Abb Research Ltd. | SiC semiconductor device comprising a pn junction |
US20010043172A1 (en) | 1997-08-25 | 2001-11-22 | Mcgrath James M. | Field emission display |
JPH1187698A (ja) | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 高耐圧半導体装置及びこの装置を用いた電力変換器 |
JPH1187690A (ja) | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Meidensha Corp | 半導体素子 |
US6207591B1 (en) * | 1997-11-14 | 2001-03-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and equipment for manufacturing semiconductor device |
US6362495B1 (en) * | 1998-03-05 | 2002-03-26 | Purdue Research Foundation | Dual-metal-trench silicon carbide Schottky pinch rectifier |
KR100309490B1 (ko) | 1998-05-21 | 2002-04-24 | 윤종용 | 다용도인쇄장치 |
JP2000022178A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Sanyo Electric Co Ltd | ショットキーバリアダイオード |
US6054365A (en) | 1998-07-13 | 2000-04-25 | International Rectifier Corp. | Process for filling deep trenches with polysilicon and oxide |
JP3988262B2 (ja) * | 1998-07-24 | 2007-10-10 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 縦型超接合半導体素子およびその製造方法 |
US6303986B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-10-16 | Silicon Light Machines | Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die |
DE19840032C1 (de) | 1998-09-02 | 1999-11-18 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dazu |
JP2002533934A (ja) | 1998-12-18 | 2002-10-08 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | 出力半導体構造素子 |
JP2002535839A (ja) * | 1999-01-15 | 2002-10-22 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | 半導体素子に対するエッジ終端部、エッジ終端部を有するショットキー・ダイオードおよびショットキー・ダイオードの製造方法 |
JP3971062B2 (ja) * | 1999-07-29 | 2007-09-05 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置 |
DE19943143B4 (de) * | 1999-09-09 | 2008-04-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement für hohe Sperrspannungen bei gleichzeitig niedrigem Einschaltwiderstand und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR100462980B1 (ko) | 1999-09-13 | 2004-12-23 | 비쉐이 메저먼츠 그룹, 인코포레이티드 | 반도체장치용 칩 스케일 표면 장착 패키지 및 그 제조공정 |
JP4160752B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2008-10-08 | サイスド エレクトロニクス デヴェロプメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンディートゲゼルシャフト | 炭化珪素からなる半導体装置とその製造方法 |
US6703707B1 (en) * | 1999-11-24 | 2004-03-09 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
US6373076B1 (en) | 1999-12-07 | 2002-04-16 | Philips Electronics North America Corporation | Passivated silicon carbide devices with low leakage current and method of fabricating |
JP3804375B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2006-08-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置とそれを用いたパワースイッチング駆動システム |
US6573537B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-06-03 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs |
US6486499B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-11-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
US6514782B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-02-04 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
DE10002362A1 (de) | 2000-01-20 | 2001-08-02 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement |
US6699775B2 (en) * | 2000-02-22 | 2004-03-02 | International Rectifier Corporation | Manufacturing process for fast recovery diode |
US6613671B1 (en) * | 2000-03-03 | 2003-09-02 | Micron Technology, Inc. | Conductive connection forming methods, oxidation reducing methods, and integrated circuits formed thereby |
US6624522B2 (en) | 2000-04-04 | 2003-09-23 | International Rectifier Corporation | Chip scale surface mounted device and process of manufacture |
US7892974B2 (en) * | 2000-04-11 | 2011-02-22 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
JP4240752B2 (ja) | 2000-05-01 | 2009-03-18 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置 |
US6509240B2 (en) * | 2000-05-15 | 2003-01-21 | International Rectifier Corporation | Angle implant process for cellular deep trench sidewall doping |
KR100370231B1 (ko) | 2000-06-13 | 2003-01-29 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지 |
JP2002026056A (ja) | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Sony Corp | 半田バンプの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
US20020105009A1 (en) | 2000-07-13 | 2002-08-08 | Eden Richard C. | Power semiconductor switching devices, power converters, integrated circuit assemblies, integrated circuitry, power current switching methods, methods of forming a power semiconductor switching device, power conversion methods, power semiconductor switching device packaging methods, and methods of forming a power transistor |
JP2002118268A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子および半導体素子への結線方法 |
DE10052004C1 (de) * | 2000-10-20 | 2002-02-28 | Infineon Technologies Ag | Vertikaler Feldeffekttransistor mit Kompensationszonen und Anschlüssen an einer Seite eines Halbleiterkörpers |
JP4843843B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2011-12-21 | 富士電機株式会社 | 超接合半導体素子 |
FR2816113A1 (fr) * | 2000-10-31 | 2002-05-03 | St Microelectronics Sa | Procede de realisation d'une zone dopee dans du carbure de silicium et application a une diode schottky |
JP2002158363A (ja) | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ショットキバリアダイオードの電極構造 |
JP4088033B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2008-05-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US6573128B1 (en) * | 2000-11-28 | 2003-06-03 | Cree, Inc. | Epitaxial edge termination for silicon carbide Schottky devices and methods of fabricating silicon carbide devices incorporating same |
US6713813B2 (en) * | 2001-01-30 | 2004-03-30 | Fairchild Semiconductor Corporation | Field effect transistor having a lateral depletion structure |
JP4286465B2 (ja) | 2001-02-09 | 2009-07-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
DE10205345B9 (de) * | 2001-02-09 | 2007-12-20 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | Halbleiterbauelement |
GB0104342D0 (en) * | 2001-02-22 | 2001-04-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Semiconductor devices |
JP4872158B2 (ja) | 2001-03-05 | 2012-02-08 | 住友電気工業株式会社 | ショットキーダイオード、pn接合ダイオード、pin接合ダイオード、および製造方法 |
US7087997B2 (en) * | 2001-03-12 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Copper to aluminum interlayer interconnect using stud and via liner |
US7119447B2 (en) | 2001-03-28 | 2006-10-10 | International Rectifier Corporation | Direct fet device for high frequency application |
EP1265295A3 (en) * | 2001-06-04 | 2004-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Silicon carbide Schottky diode and method for manufacturing the same |
US6764906B2 (en) * | 2001-07-03 | 2004-07-20 | Siliconix Incorporated | Method for making trench mosfet having implanted drain-drift region |
US6621122B2 (en) * | 2001-07-06 | 2003-09-16 | International Rectifier Corporation | Termination structure for superjunction device |
US20030030051A1 (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-13 | International Rectifier Corporation | Superjunction device with improved avalanche capability and breakdown voltage |
JP4602609B2 (ja) | 2001-08-28 | 2010-12-22 | 東芝キヤリア株式会社 | 空気調和機 |
JP4288907B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2009-07-01 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
US6855981B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-02-15 | Denso Corporation | Silicon carbide power device having protective diode |
JP2003124437A (ja) | 2001-10-19 | 2003-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
AU2002339604A1 (en) | 2001-11-01 | 2003-05-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lateral soi field-effect transistor and method of making the same |
US6825514B2 (en) * | 2001-11-09 | 2004-11-30 | Infineon Technologies Ag | High-voltage semiconductor component |
US6586322B1 (en) | 2001-12-21 | 2003-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of making a bump on a substrate using multiple photoresist layers |
JP3891838B2 (ja) | 2001-12-26 | 2007-03-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置およびその製造方法 |
DE10164494B9 (de) | 2001-12-28 | 2014-08-21 | Epcos Ag | Verkapseltes Bauelement mit geringer Bauhöhe sowie Verfahren zur Herstellung |
JPWO2003065459A1 (ja) * | 2002-01-28 | 2005-05-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4126915B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2008-07-30 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置 |
GB0202437D0 (en) * | 2002-02-02 | 2002-03-20 | Koninkl Philips Electronics Nv | Cellular mosfet devices and their manufacture |
US6622380B1 (en) | 2002-02-12 | 2003-09-23 | Micron Technology, Inc. | Methods for manufacturing microelectronic devices and methods for mounting microelectronic packages to circuit boards |
US6693308B2 (en) * | 2002-02-22 | 2004-02-17 | Semisouth Laboratories, Llc | Power SiC devices having raised guard rings |
JP4126359B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2008-07-30 | 新電元工業株式会社 | 炭化けい素ショットキーダイオードおよびその製造方法 |
TW525281B (en) | 2002-03-06 | 2003-03-21 | Advanced Semiconductor Eng | Wafer level chip scale package |
JP4051971B2 (ja) | 2002-03-15 | 2008-02-27 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US6855970B2 (en) * | 2002-03-25 | 2005-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-breakdown-voltage semiconductor device |
US7262434B2 (en) | 2002-03-28 | 2007-08-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a silicon carbide substrate and ohmic metal layer |
DE50308874D1 (de) | 2002-03-28 | 2008-02-07 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a semiconductor wafer |
JP3828036B2 (ja) | 2002-03-28 | 2006-09-27 | 三菱電機株式会社 | 樹脂モールド型デバイスの製造方法及び製造装置 |
JP3993458B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2007-10-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2004079988A (ja) | 2002-06-19 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US7064637B2 (en) | 2002-07-18 | 2006-06-20 | Wispry, Inc. | Recessed electrode for electrostatically actuated structures |
US6995032B2 (en) | 2002-07-19 | 2006-02-07 | Cree, Inc. | Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same |
JP4122880B2 (ja) | 2002-07-24 | 2008-07-23 | 住友電気工業株式会社 | 縦型接合型電界効果トランジスタ |
US6975023B2 (en) | 2002-09-04 | 2005-12-13 | International Rectifier Corporation | Co-packaged control circuit, transistor and inverted diode |
US6812282B2 (en) | 2002-09-10 | 2004-11-02 | Bayer Polymers Llc | Thermoplastic compositions providing matt surface |
JP2004111759A (ja) | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US6777800B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-08-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including drain clip |
JP2004134547A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US7265045B2 (en) | 2002-10-24 | 2007-09-04 | Megica Corporation | Method for fabricating thermal compliant semiconductor chip wiring structure for chip scale packaging |
US6936913B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-08-30 | Northrop Grumman Corporation | High performance vias for vertical IC packaging |
US7248035B2 (en) | 2002-12-12 | 2007-07-24 | Analog Devices, Inc. | Automatic test equipment pin channel with T-coil compensation |
US6979862B2 (en) * | 2003-01-23 | 2005-12-27 | International Rectifier Corporation | Trench MOSFET superjunction structure and method to manufacture |
JP3721172B2 (ja) * | 2003-04-16 | 2005-11-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US6979863B2 (en) | 2003-04-24 | 2005-12-27 | Cree, Inc. | Silicon carbide MOSFETs with integrated antiparallel junction barrier Schottky free wheeling diodes and methods of fabricating the same |
JP4209260B2 (ja) * | 2003-06-04 | 2009-01-14 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US20050012143A1 (en) | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Hideaki Tanaka | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US6790759B1 (en) | 2003-07-31 | 2004-09-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device with strain relieving bump design |
US7073890B2 (en) | 2003-08-28 | 2006-07-11 | Eastman Kodak Company | Thermally conductive thermal actuator and liquid drop emitter using same |
US20050067630A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | Zhao Jian H. | Vertical junction field effect power transistor |
KR100975521B1 (ko) | 2003-10-04 | 2010-08-12 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 조립체 |
US7109520B2 (en) | 2003-10-10 | 2006-09-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Heat sinks |
US6949454B2 (en) * | 2003-10-08 | 2005-09-27 | Texas Instruments Incorporated | Guard ring structure for a Schottky diode |
US7166890B2 (en) * | 2003-10-21 | 2007-01-23 | Srikant Sridevan | Superjunction device with improved ruggedness |
US7315081B2 (en) | 2003-10-24 | 2008-01-01 | International Rectifier Corporation | Semiconductor device package utilizing proud interconnect material |
US8368223B2 (en) | 2003-10-24 | 2013-02-05 | International Rectifier Corporation | Paste for forming an interconnect and interconnect formed from the paste |
US20050116344A1 (en) | 2003-10-29 | 2005-06-02 | Tessera, Inc. | Microelectronic element having trace formed after bond layer |
US20050091988A1 (en) | 2003-10-29 | 2005-05-05 | Stewart Neal G. | Temperature controlled food transport containers suitable for limited power capacity vehicles |
US7049170B2 (en) | 2003-12-17 | 2006-05-23 | Tru-Si Technologies, Inc. | Integrated circuits and packaging substrates with cavities, and attachment methods including insertion of protruding contact pads into cavities |
JP2005191227A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
US7901994B2 (en) * | 2004-01-16 | 2011-03-08 | Cree, Inc. | Methods of manufacturing group III nitride semiconductor devices with silicon nitride layers |
US7462540B2 (en) * | 2004-02-06 | 2008-12-09 | Panasonic Corporation | Silicon carbide semiconductor device and process for producing the same |
JP4149945B2 (ja) | 2004-03-01 | 2008-09-17 | 日本インター株式会社 | 半導体装置 |
US8368211B2 (en) * | 2004-03-11 | 2013-02-05 | International Rectifier Corporation | Solderable top metalization and passivation for source mounted package |
WO2005091988A2 (en) | 2004-03-19 | 2005-10-06 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method and device with durable contact on silicon carbide |
TW200534377A (en) | 2004-03-26 | 2005-10-16 | Central Res Inst Elect | Method for making a schottky junction type semiconductor device |
JP2005286197A (ja) | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005303218A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-10-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7573078B2 (en) * | 2004-05-11 | 2009-08-11 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistors with multiple field plates |
US7384826B2 (en) * | 2004-06-29 | 2008-06-10 | International Rectifier Corporation | Method of forming ohmic contact to a semiconductor body |
FR2873467A1 (fr) | 2004-07-26 | 2006-01-27 | Proton World Internatinal Nv | Enregistrement d'une cle dans un circuit integre |
JP3914226B2 (ja) | 2004-09-29 | 2007-05-16 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置 |
US7812441B2 (en) | 2004-10-21 | 2010-10-12 | Siliconix Technology C.V. | Schottky diode with improved surge capability |
US20060145319A1 (en) | 2004-12-31 | 2006-07-06 | Ming Sun | Flip chip contact (FCC) power package |
US7515608B2 (en) | 2005-01-04 | 2009-04-07 | Intel Corporation | Methods and media access controller for mesh networks with adaptive quality-of-service management |
US7436039B2 (en) * | 2005-01-06 | 2008-10-14 | Velox Semiconductor Corporation | Gallium nitride semiconductor device |
US9419092B2 (en) | 2005-03-04 | 2016-08-16 | Vishay-Siliconix | Termination for SiC trench devices |
US7834376B2 (en) | 2005-03-04 | 2010-11-16 | Siliconix Technology C. V. | Power semiconductor switch |
US8901699B2 (en) * | 2005-05-11 | 2014-12-02 | Cree, Inc. | Silicon carbide junction barrier Schottky diodes with suppressed minority carrier injection |
US8368165B2 (en) | 2005-10-20 | 2013-02-05 | Siliconix Technology C. V. | Silicon carbide Schottky diode |
US7492003B2 (en) * | 2006-01-24 | 2009-02-17 | Siliconix Technology C. V. | Superjunction power semiconductor device |
US7659588B2 (en) * | 2006-01-26 | 2010-02-09 | Siliconix Technology C. V. | Termination for a superjunction device |
US20070228505A1 (en) * | 2006-04-04 | 2007-10-04 | Mazzola Michael S | Junction barrier schottky rectifiers having epitaxially grown p+-n junctions and methods of making |
JP4189415B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
KR101193453B1 (ko) | 2006-07-31 | 2012-10-24 | 비쉐이-실리코닉스 | 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드를 위한 몰리브덴 장벽 금속 및 제조방법 |
TWI351087B (en) | 2007-10-16 | 2011-10-21 | Unimicron Technology Corp | Package substrate and method for fabricating the same |
-
2007
- 2007-07-31 KR KR1020097002106A patent/KR101193453B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-31 CN CN200780028611.5A patent/CN101506989B/zh active Active
- 2007-07-31 US US11/888,452 patent/US9627552B2/en active Active
- 2007-07-31 JP JP2009522856A patent/JP2009545885A/ja active Pending
- 2007-07-31 EP EP07810951A patent/EP2047514A4/en not_active Ceased
- 2007-07-31 WO PCT/US2007/017135 patent/WO2008016619A1/en active Application Filing
-
2015
- 2015-01-23 JP JP2015011508A patent/JP6379052B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124330A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Siemens Ag | 半導体基体の電気的に絶縁された異なる活性領域内に第1のmosfetトランジスタおよび第2のmosfetトランジスタを作成する方法 |
JP2003282888A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製法 |
JP2004221513A (ja) * | 2002-03-28 | 2004-08-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2004084312A2 (en) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Semiconductor device with isolation layer |
JP2005079339A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置、およびその半導体装置を用いた電力変換器、駆動用インバータ、汎用インバータ、大電力高周波通信機器 |
JP2005311347A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | ショットキー接合型半導体装置の製造方法 |
US20060086939A1 (en) * | 2004-10-21 | 2006-04-27 | International Rectifier Corp. | Solderable top metal for SiC device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101506989B (zh) | 2014-02-19 |
JP6379052B2 (ja) | 2018-08-22 |
JP2009545885A (ja) | 2009-12-24 |
WO2008016619A1 (en) | 2008-02-07 |
KR20090077751A (ko) | 2009-07-15 |
US9627552B2 (en) | 2017-04-18 |
CN101506989A (zh) | 2009-08-12 |
KR101193453B1 (ko) | 2012-10-24 |
EP2047514A1 (en) | 2009-04-15 |
US20080237608A1 (en) | 2008-10-02 |
EP2047514A4 (en) | 2010-12-01 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A02 | Decision of refusal |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
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