JP2000022178A - ショットキーバリアダイオード - Google Patents
ショットキーバリアダイオードInfo
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- JP2000022178A JP2000022178A JP18238998A JP18238998A JP2000022178A JP 2000022178 A JP2000022178 A JP 2000022178A JP 18238998 A JP18238998 A JP 18238998A JP 18238998 A JP18238998 A JP 18238998A JP 2000022178 A JP2000022178 A JP 2000022178A
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- Japan
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- barrier
- schottky barrier
- metal layer
- barrier diode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バリアハイトΦＢの異なる複数種類のバリア
金属用いることにより、トレードオフの関係にある順方
向電圧ＶＦと逆方向電流ＩＲの特性を任意に制御可能に
したＳＢＤ装置を得る。 【解決手段】 基板１１上にＮ―型エピタキシャル層１
２を形成し、エピタキシャル層１２表面に環状のＰ＋ガ
ードリング領域１５を形成する。エピタキシャル層１２
表面の酸化膜に開口部を形成し、開口部表面に第１のシ
ョットキー障壁を形成するチタン層１６と第２のショッ
トキー障壁を形成するニッケル層１７を形成する。ニッ
ケル層を被覆するようにアルミ電極を形成する。チタン
層１６の接触面積とニッケル層１７の接触面積との比に
よってＳＢＤの特性を制御可能にする。
金属用いることにより、トレードオフの関係にある順方
向電圧ＶＦと逆方向電流ＩＲの特性を任意に制御可能に
したＳＢＤ装置を得る。 【解決手段】 基板１１上にＮ―型エピタキシャル層１
２を形成し、エピタキシャル層１２表面に環状のＰ＋ガ
ードリング領域１５を形成する。エピタキシャル層１２
表面の酸化膜に開口部を形成し、開口部表面に第１のシ
ョットキー障壁を形成するチタン層１６と第２のショッ
トキー障壁を形成するニッケル層１７を形成する。ニッ
ケル層を被覆するようにアルミ電極を形成する。チタン
層１６の接触面積とニッケル層１７の接触面積との比に
よってＳＢＤの特性を制御可能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ショットキーバリ
アダイオード（Schottky Barrier Diode：以下ＳＢＤ
と称す）に関し、詳しくは、トレードオフの関係にある
順方向電圧（ＶF）と逆方向電流（ＩR）との関係を、金
属素材固有の特性に限定されることのないＳＢＤ装置を
得るものである。
アダイオード（Schottky Barrier Diode：以下ＳＢＤ
と称す）に関し、詳しくは、トレードオフの関係にある
順方向電圧（ＶF）と逆方向電流（ＩR）との関係を、金
属素材固有の特性に限定されることのないＳＢＤ装置を
得るものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳＢＤは、半導体層に所定の金属層を接
触させた場合に形成されるショットキー障壁を用いた半
導体素子である。一般のＰＮ接合ダイオードより高速
で、順方向電圧降下が小さいという特性を持つ（例え
ば、特開平５−１５２５６２）。
触させた場合に形成されるショットキー障壁を用いた半
導体素子である。一般のＰＮ接合ダイオードより高速
で、順方向電圧降下が小さいという特性を持つ（例え
ば、特開平５−１５２５６２）。
【０００３】図４を参照して、従来のＳＢＤは、Ｎ＋型
の半導体基板１の上にＮ−型のエピタキシャル層２を形
成し、エピタキシャル層２上のシリコン酸化膜３を開口
してシリコン表面を露出し、露出したシリコン表面にバ
リア金属層４を接触させた構成を有している。加えて、
Ｎ−型エピタキシャル層２の表面には環状のＰ＋ガード
リング領域５を形成し、バリア金属層４の上をアルミ電
極６で被覆している。
の半導体基板１の上にＮ−型のエピタキシャル層２を形
成し、エピタキシャル層２上のシリコン酸化膜３を開口
してシリコン表面を露出し、露出したシリコン表面にバ
リア金属層４を接触させた構成を有している。加えて、
Ｎ−型エピタキシャル層２の表面には環状のＰ＋ガード
リング領域５を形成し、バリア金属層４の上をアルミ電
極６で被覆している。
【０００４】半導体装置を製造する上で、上記のバリア
金属層４としてはニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、
モリブデン（Ｍｏ）が好適な材料とされている。各々が
固有の仕事関数ΦBを持つことから、バリア金属層４と
して好適な金属を選択することでＳＢＤの特性（順方向
電圧ＶＦ、逆方向電流ＩＲ）の大部分を決定することが
できる。これに、エピタキシャル層２の不純物濃度や、
ショットキー接触面の面積等の要素によってＳＢＤ素子
のダイオード特性が決定付けられる。
金属層４としてはニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、
モリブデン（Ｍｏ）が好適な材料とされている。各々が
固有の仕事関数ΦBを持つことから、バリア金属層４と
して好適な金属を選択することでＳＢＤの特性（順方向
電圧ＶＦ、逆方向電流ＩＲ）の大部分を決定することが
できる。これに、エピタキシャル層２の不純物濃度や、
ショットキー接触面の面積等の要素によってＳＢＤ素子
のダイオード特性が決定付けられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年の低消費電力化の
傾向から、ＳＢＤ素子には順方向電圧ＶFを小さくする
事が特に望まれている。順方向電圧ＶFを小さくする手
法としては、バリア金属層４を仕事関数ΦＢの小さいＴ
ｉに変更する手法がある。例えば、バリア金属層４とし
てニッケル（Ｎｉ）を用いた場合の順方向電圧（ＶF）
は順方向電流ＩＦが１００ｍＡの時で０．３〜０．３５
Ｖであるのに対し、チタン（Ｔｉ）を用いた場合では同
じ電流値で０．２〜０．２５Ｖである。しかしながら、
順方向電圧ＶＦと逆方向電流ＩＲとはトレードオフの関
係にあって、順方向電圧ＶFを小さくできる金属を選択
することは、逆方向電流ＩＲ（リーク電流）を増大させ
ることを意味する。そのため、Ｔｉバリアを用いたＳＢ
Ｄ素子はリーク電流が大きく、前記リーク電流によって
逆に消費電力を増大させる結果にもなり得る。リーク電
流を最も小さくできるバリア金属としてはモリブデン
（Ｍｏ）が最適であるが、順方向電圧ＶＦがＴｉの倍近
くに増大する。従って、順方向電圧ＶＦ、逆方向電流Ｉ
Ｒ共に許容できるような素子特性が望まれていた。
傾向から、ＳＢＤ素子には順方向電圧ＶFを小さくする
事が特に望まれている。順方向電圧ＶFを小さくする手
法としては、バリア金属層４を仕事関数ΦＢの小さいＴ
ｉに変更する手法がある。例えば、バリア金属層４とし
てニッケル（Ｎｉ）を用いた場合の順方向電圧（ＶF）
は順方向電流ＩＦが１００ｍＡの時で０．３〜０．３５
Ｖであるのに対し、チタン（Ｔｉ）を用いた場合では同
じ電流値で０．２〜０．２５Ｖである。しかしながら、
順方向電圧ＶＦと逆方向電流ＩＲとはトレードオフの関
係にあって、順方向電圧ＶFを小さくできる金属を選択
することは、逆方向電流ＩＲ（リーク電流）を増大させ
ることを意味する。そのため、Ｔｉバリアを用いたＳＢ
Ｄ素子はリーク電流が大きく、前記リーク電流によって
逆に消費電力を増大させる結果にもなり得る。リーク電
流を最も小さくできるバリア金属としてはモリブデン
（Ｍｏ）が最適であるが、順方向電圧ＶＦがＴｉの倍近
くに増大する。従って、順方向電圧ＶＦ、逆方向電流Ｉ
Ｒ共に許容できるような素子特性が望まれていた。
【０００６】また、バリア金属層４を限定することは、
唯１種類の仕事関数ΦＢを用いることであるので、ＶＦ
−ＩＦ特性（順方向電圧−順方向電流）を制御できる範
囲が狭く、そのため回路的な要求スペックの全てに対応
しようとすれば、要求の数だけプロセス開発をしなけれ
ばならず、開発期間の長大化とコスト高になる欠点を有
していた。
唯１種類の仕事関数ΦＢを用いることであるので、ＶＦ
−ＩＦ特性（順方向電圧−順方向電流）を制御できる範
囲が狭く、そのため回路的な要求スペックの全てに対応
しようとすれば、要求の数だけプロセス開発をしなけれ
ばならず、開発期間の長大化とコスト高になる欠点を有
していた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる従来の課
題に鑑みなされたもので、シリコン層の表面にショット
キー障壁を形成する金属層を設け、該金属の表面を電極
材料で被覆したたショットキーバリアダイオードにおい
て、前記シリコン層の表面に接触する金属層として、障
壁高さの異なる少なくとも２種類の金属層を形成したこ
とを特徴とするものである。
題に鑑みなされたもので、シリコン層の表面にショット
キー障壁を形成する金属層を設け、該金属の表面を電極
材料で被覆したたショットキーバリアダイオードにおい
て、前記シリコン層の表面に接触する金属層として、障
壁高さの異なる少なくとも２種類の金属層を形成したこ
とを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施の形態を図
面を参照しながら詳細に説明する。
面を参照しながら詳細に説明する。
【０００９】図１は本発明によるＳＢＤを示す（Ａ）断
面図、（Ｂ）平面図である。Ｎ＋型のシリコン半導体基
板１１の上に気相成長法によってＮ−型のエピタキシャ
ル層１２を形成し、エピタキシャル層１２の表面を被覆
するシリコン酸化膜１３に開口部１４を形成し、開口部
１４の外環部近傍のエピタキシャル層１２表面にＰ＋型
のガードリング領域１５を形成し、開口部１４に露出し
たエピタキシャル層１２の表面に第１のバリア金属層１
６としてチタン（Ｔｉ）層を形成し、第１のバリア金属
層１６を覆うようにして第２のバリア金属層１７となる
ニッケル（Ｎｉ）層を形成し、更に第２のバリア金属層
１７を覆うようにしてアルミ電極１８を形成している。
面図、（Ｂ）平面図である。Ｎ＋型のシリコン半導体基
板１１の上に気相成長法によってＮ−型のエピタキシャ
ル層１２を形成し、エピタキシャル層１２の表面を被覆
するシリコン酸化膜１３に開口部１４を形成し、開口部
１４の外環部近傍のエピタキシャル層１２表面にＰ＋型
のガードリング領域１５を形成し、開口部１４に露出し
たエピタキシャル層１２の表面に第１のバリア金属層１
６としてチタン（Ｔｉ）層を形成し、第１のバリア金属
層１６を覆うようにして第２のバリア金属層１７となる
ニッケル（Ｎｉ）層を形成し、更に第２のバリア金属層
１７を覆うようにしてアルミ電極１８を形成している。
【００１０】第１のバリア金属層１６は、島状に独立し
たパターンで形成され、各々が同一形状、同一面積を有
して規則的に配置されると共に、各々がエピタキシャル
層１２のシリコン表面に接触して第１のショットキー障
壁を形成している。第２のバリア金属層１７は開口部１
４内において第１のバリア金属層１６が接触した箇所以
外の部分でシリコン表面と接触し、第２のショットキー
障壁を形成している。尚、ニッケル層とＰ＋ガードリン
グ領域１５との接触部分は第２のショットキー接触には
含まれない。この例では、第１のショットキー障壁と第
２のショットキー障壁との面積比が５０：５０程度にな
るように、開口部１４の面積とチタン層１６との面積を
設計してある。アルミ電極１８はＳＢＤのアノード側の
取り出し電極となり、基板１１の裏面をカソード側の取
り出し電極とする構造となる。尚、チタンとアルミとの
密着性が劣ることが知られているので、チタン層の全表
面をニッケル層で被覆した構成とした。チタン層とニッ
ケル層とは金属―金属接合であるので、このダイオード
は、チタンをバリアメタルとするダイオードと、ニッケ
ルをバリアメタルとするダイオードとを並列に接続した
構成に等しくなる。
たパターンで形成され、各々が同一形状、同一面積を有
して規則的に配置されると共に、各々がエピタキシャル
層１２のシリコン表面に接触して第１のショットキー障
壁を形成している。第２のバリア金属層１７は開口部１
４内において第１のバリア金属層１６が接触した箇所以
外の部分でシリコン表面と接触し、第２のショットキー
障壁を形成している。尚、ニッケル層とＰ＋ガードリン
グ領域１５との接触部分は第２のショットキー接触には
含まれない。この例では、第１のショットキー障壁と第
２のショットキー障壁との面積比が５０：５０程度にな
るように、開口部１４の面積とチタン層１６との面積を
設計してある。アルミ電極１８はＳＢＤのアノード側の
取り出し電極となり、基板１１の裏面をカソード側の取
り出し電極とする構造となる。尚、チタンとアルミとの
密着性が劣ることが知られているので、チタン層の全表
面をニッケル層で被覆した構成とした。チタン層とニッ
ケル層とは金属―金属接合であるので、このダイオード
は、チタンをバリアメタルとするダイオードと、ニッケ
ルをバリアメタルとするダイオードとを並列に接続した
構成に等しくなる。
【００１１】図２に、各バリア金属Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｏの
ＶＦ―ＩＦ特性（順方向電圧―順方向電流）とＶＲ―Ｉ
Ｒ特性（逆方向電圧―逆方向電流）を示した。前述した
とおり、Ｔｉは比較的低い順方向電圧ＶＦが得られる反
面逆方向電流ＩＲが高く、Ｍｏは比較的順方向電圧ＶＦ
が高いが、逆方向電流ＩＲは小さいというトレードオフ
の関係にある。参考までに、Ｍｏは両者の中間の特性を
有する。同図に示したとおり、本願は、ＴｉとＮｉとを
面積比率５０：５０でショットキー接触を形成したの
で、ＴｉバリアとＮｉバリアとのほぼ中間の特性を得る
ことができる。即ち、Ｎｉバリア単体のものよりは低い
順方向電圧ＶＦが得られ、Ｔｉバリア単体のものよりは
小さい逆方向電流ＩＲが得られるのである。
ＶＦ―ＩＦ特性（順方向電圧―順方向電流）とＶＲ―Ｉ
Ｒ特性（逆方向電圧―逆方向電流）を示した。前述した
とおり、Ｔｉは比較的低い順方向電圧ＶＦが得られる反
面逆方向電流ＩＲが高く、Ｍｏは比較的順方向電圧ＶＦ
が高いが、逆方向電流ＩＲは小さいというトレードオフ
の関係にある。参考までに、Ｍｏは両者の中間の特性を
有する。同図に示したとおり、本願は、ＴｉとＮｉとを
面積比率５０：５０でショットキー接触を形成したの
で、ＴｉバリアとＮｉバリアとのほぼ中間の特性を得る
ことができる。即ち、Ｎｉバリア単体のものよりは低い
順方向電圧ＶＦが得られ、Ｔｉバリア単体のものよりは
小さい逆方向電流ＩＲが得られるのである。
【００１２】これらの特性は、Ｔｉバリア（第１のショ
ットキー障壁）とＮｉバリア（第２のショットキー障
壁）との面積比によって適宜制御することが可能であ
る。例えば、面積が１００のＴｉバリアの特性２０に対
して、ＴｉとＮｉとの面積が５０：５０である素子の特
性を比較する。このとき、Ｔｉバリアが流すことのでき
る電流値に対してＮｉバリアが流すことのできる電流値
が１〜２桁程度小さいので、その特性曲線２１（図２参
照）は、順方向電圧ＶＦが小さい領域ではＴｉバリアの
特性が支配的となり（面積半分のＴｉ単体バリア層の特
性に近似する）、順方向電圧ＶＦが高くなるとＴｉバリ
アの特性に加えてＮｉバリアによる電流の影響が増すの
で順方向電流ＩＦが増大するというような特性になる。
逆方向電流ＩＲもこれに類似し、順方向電圧ＶＦが小さ
い領域で逆方向電流ＩＲが小さく、順方向電圧ＶＦが高
くなると逆方向電流ＩＲが若干増大するような特性曲線
２２（図２参照）となる。第１のショットキー接触の面
積を増大すればＴｉバリア単体の特性曲線に近くなり、
第２のショットキー接触の面積を増大すれば、Ｎｉバリ
ア単体の特性曲線に近くなる。
ットキー障壁）とＮｉバリア（第２のショットキー障
壁）との面積比によって適宜制御することが可能であ
る。例えば、面積が１００のＴｉバリアの特性２０に対
して、ＴｉとＮｉとの面積が５０：５０である素子の特
性を比較する。このとき、Ｔｉバリアが流すことのでき
る電流値に対してＮｉバリアが流すことのできる電流値
が１〜２桁程度小さいので、その特性曲線２１（図２参
照）は、順方向電圧ＶＦが小さい領域ではＴｉバリアの
特性が支配的となり（面積半分のＴｉ単体バリア層の特
性に近似する）、順方向電圧ＶＦが高くなるとＴｉバリ
アの特性に加えてＮｉバリアによる電流の影響が増すの
で順方向電流ＩＦが増大するというような特性になる。
逆方向電流ＩＲもこれに類似し、順方向電圧ＶＦが小さ
い領域で逆方向電流ＩＲが小さく、順方向電圧ＶＦが高
くなると逆方向電流ＩＲが若干増大するような特性曲線
２２（図２参照）となる。第１のショットキー接触の面
積を増大すればＴｉバリア単体の特性曲線に近くなり、
第２のショットキー接触の面積を増大すれば、Ｎｉバリ
ア単体の特性曲線に近くなる。
【００１３】図３は図１の構成を得る為の製造方法を示
す図である。
す図である。
【００１４】先ず図３（Ａ）を参照して、比抵抗ρが
０．５〜１．０Ω・ｃｍのエピタキシャル層１２を形成
したＮ＋型半導体基板１１を準備し、選択拡散によって
エピタキシャル層１２の表面に環状のＰ＋ガードリング
領域１５を形成する。
０．５〜１．０Ω・ｃｍのエピタキシャル層１２を形成
したＮ＋型半導体基板１１を準備し、選択拡散によって
エピタキシャル層１２の表面に環状のＰ＋ガードリング
領域１５を形成する。
【００１５】図３（Ｂ）を参照して、エピタキシャル層
１２表面の酸化膜１３を除去してガードリング領域１５
で囲まれたエピタキシャル層１１表面を露出する開口部
１４を形成し、スパッタ堆積法により膜厚２０００〜３
０００ÅのＴｉ層を堆積する。その後堆積したＴｉ層を
周知のホトエッチング法によってパターニングし、島状
に点在する第１のバリア金属層１６を形成する。
１２表面の酸化膜１３を除去してガードリング領域１５
で囲まれたエピタキシャル層１１表面を露出する開口部
１４を形成し、スパッタ堆積法により膜厚２０００〜３
０００ÅのＴｉ層を堆積する。その後堆積したＴｉ層を
周知のホトエッチング法によってパターニングし、島状
に点在する第１のバリア金属層１６を形成する。
【００１６】図３（Ｃ）を参照して、再びスパッタ堆積
法によって膜厚２０００〜３０００ÅのＮｉ層を堆積
し、同じくホトエッチングによって開口部１４全体を覆
う第２のバリア金属層１７を形成する。
法によって膜厚２０００〜３０００ÅのＮｉ層を堆積
し、同じくホトエッチングによって開口部１４全体を覆
う第２のバリア金属層１７を形成する。
【００１７】図３（Ｄ）を参照して、再度スパッタ堆積
法により膜厚１．０〜３．０μのアルミニウム層を堆積
し、ホトエッチングによって第２のバリア金属１７を覆
い且つ外部接続用のパッドを構成するアルミ層１８を形
成して図１の構成を得る。
法により膜厚１．０〜３．０μのアルミニウム層を堆積
し、ホトエッチングによって第２のバリア金属１７を覆
い且つ外部接続用のパッドを構成するアルミ層１８を形
成して図１の構成を得る。
【００１８】上記の製造方法において、第１のバリア金
属層１６の接触面積を適宜変更することによって、第１
と第２のショットキー接触の面積比を変更することがで
きる。これにより、様々な特性のＳＢＤ装置をプロセス
変更せずに得ることが可能である。
属層１６の接触面積を適宜変更することによって、第１
と第２のショットキー接触の面積比を変更することがで
きる。これにより、様々な特性のＳＢＤ装置をプロセス
変更せずに得ることが可能である。
【００１９】尚、上述した実施の形態においては、Ｔｉ
とＮｉとの組み合わせで説明したが、Ｍｏや他のバリア
金属等との組み合わせ、あるいは３種類以上の組み合わ
せでも実施が可能である事は言うまでもない。
とＮｉとの組み合わせで説明したが、Ｍｏや他のバリア
金属等との組み合わせ、あるいは３種類以上の組み合わ
せでも実施が可能である事は言うまでもない。
【００２０】
【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明によれ
ば、バリアハイトΦＢの異なる複数種類のバリア金属層
を用い、それらの接触面積によってＶＦ−ＩＦ及びＶＲ
―ＩＲ特性を制御し得るように構成したので、パターン
変更だけで様々な特性のＳＢＤ装置を実現できる利点を
有する。これにより、回路要求的に順方向電圧ＶＦと逆
方向電流ＩＲとが最適な素子を提供できるものである。
ば、バリアハイトΦＢの異なる複数種類のバリア金属層
を用い、それらの接触面積によってＶＦ−ＩＦ及びＶＲ
―ＩＲ特性を制御し得るように構成したので、パターン
変更だけで様々な特性のＳＢＤ装置を実現できる利点を
有する。これにより、回路要求的に順方向電圧ＶＦと逆
方向電流ＩＲとが最適な素子を提供できるものである。
【図１】本発明を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）
平面図である。
平面図である。
【図２】本発明を説明するための特性図である。
【図３】製造方法を説明するための断面図である。
【図４】従来例を説明するための断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 弓削 昭夫 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 相馬 忠昭 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4M104 AA01 BB02 BB05 BB14 BB16 CC03 DD63 FF17 FF22 GG03
Claims (4)
- 【請求項１】 シリコン層の表面にショットキー障壁を
形成する金属層を設け、該金属の表面を電極材料で被覆
したたショットキーバリアダイオードにおいて、 前記シリコン層の表面に接触する金属層として、障壁高
さの異なる少なくとも２種類の金属層を形成したことを
特徴とするショットキーバリアダイオード。 - 【請求項２】 前記金属層が２種類であり、一方の金属
層が島状に点在して前記シリコン層を接触し、他の金属
層が前記島状の金属層を被覆するようにして前記シリコ
ン層に接触することを特徴とする請求項１記載のショッ
トキーバリアダイオード。 - 【請求項３】 前記一方の金属層と他の金属層との、前
記シリコン層に対する接触面積の割合が大略５０：５０
であることを特徴とする請求項１記載のショットキーバ
リアダイオード。 - 【請求項４】 前記一方の金属層がチタンであることを
特徴とする請求項１記載のショットキーバリアダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18238998A JP2000022178A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | ショットキーバリアダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18238998A JP2000022178A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | ショットキーバリアダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000022178A true JP2000022178A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16117469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18238998A Pending JP2000022178A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | ショットキーバリアダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000022178A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020003080A (ko) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | 시카타 구니오 | 소프트 리커버리 다이오드 |
| JP2009545885A (ja) * | 2006-07-31 | 2009-12-24 | ヴィシェイ−シリコニックス | ＳｉＣショットキーダイオード用モリブデンバリア金属および製造方法 |
| US9412880B2 (en) | 2004-10-21 | 2016-08-09 | Vishay-Siliconix | Schottky diode with improved surge capability |
| US9419092B2 (en) | 2005-03-04 | 2016-08-16 | Vishay-Siliconix | Termination for SiC trench devices |
| US9472403B2 (en) | 2005-03-04 | 2016-10-18 | Siliconix Technology C.V. | Power semiconductor switch with plurality of trenches |
| US9496421B2 (en) | 2004-10-21 | 2016-11-15 | Siliconix Technology C.V. | Solderable top metal for silicon carbide semiconductor devices |
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-
1998
- 1998-06-29 JP JP18238998A patent/JP2000022178A/ja active Pending
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