JP3123452B2 - ショットキーバリアダイオード - Google Patents
ショットキーバリアダイオードInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はショットキーバリア
ダイオードに関し、特にスイッチング電源に使用して好
適な、高いエネルギ破壊値を有する小容量のショットキ
ーバリアダイオードに関する。
ダイオードに関し、特にスイッチング電源に使用して好
適な、高いエネルギ破壊値を有する小容量のショットキ
ーバリアダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】スイッチング電源などで用いられる整流
作用を持った半導体素子として、高速ダイオードおよび
ショットキーバリアダイオードが知られている。スイッ
チング電源は、交流入力電圧をいったん整流して直流電
圧にし、この直流電圧をオン・オフ回路を通して高い周
波数の交流電圧に変換し、この交流電圧を変圧器で変圧
した後、再度整流して直流電圧に変換するようにした変
換効率の高い電源である。スイッチング電源では、高周
波整流を行う素子として特に高速のスイッチング特性に
優れたショットキーバリアダイオードが使用されてい
る。また、スイッチング電源では、オン・オフ回路にお
ける損失と、高周波整流を行うダイオードの順方向降下
電圧とが電源の効率を決定する大きな要因になってい
る。なかでも、このダイオードの順方向降下電圧は電源
の高効率化を達成する上で、できるだけ小さいことが望
まれている。
作用を持った半導体素子として、高速ダイオードおよび
ショットキーバリアダイオードが知られている。スイッ
チング電源は、交流入力電圧をいったん整流して直流電
圧にし、この直流電圧をオン・オフ回路を通して高い周
波数の交流電圧に変換し、この交流電圧を変圧器で変圧
した後、再度整流して直流電圧に変換するようにした変
換効率の高い電源である。スイッチング電源では、高周
波整流を行う素子として特に高速のスイッチング特性に
優れたショットキーバリアダイオードが使用されてい
る。また、スイッチング電源では、オン・オフ回路にお
ける損失と、高周波整流を行うダイオードの順方向降下
電圧とが電源の効率を決定する大きな要因になってい
る。なかでも、このダイオードの順方向降下電圧は電源
の高効率化を達成する上で、できるだけ小さいことが望
まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ショットキー
バリアダイオードはｐｎ接合ダイオードに比べ定格電圧
に対する余裕が少ないので、回路設計をする場合は、定
格電圧以上の逆方向の電圧が印加されないよう考慮する
必要がある。加えて、サージ電圧の発生も考慮する必要
があるため、通常は、使用されるショットキーバリアダ
イオードは、耐圧が回路設計上要求される耐圧よりも１
ランク高い素子を選択せざるを得ない。さもなければ、
ショットキーバリアダイオードにサージ電圧などの定格
電圧以上の電圧が印加されてしまうと、ショットキーバ
リアダイオードはアバランシェ降伏が起き、小電流でも
エネルギ破壊を起こす可能性が生じてくる。したがっ
て、ショットキーバリアダイオードはなるべくアバラン
シェ降伏が起きないようにするために、耐圧の高い素子
を選択することになるが、耐圧を高くすると、今度は、
それに応じて順方向降下電圧が大きくなるので、これが
電源の高効率化の妨げになるという問題点があった。
バリアダイオードはｐｎ接合ダイオードに比べ定格電圧
に対する余裕が少ないので、回路設計をする場合は、定
格電圧以上の逆方向の電圧が印加されないよう考慮する
必要がある。加えて、サージ電圧の発生も考慮する必要
があるため、通常は、使用されるショットキーバリアダ
イオードは、耐圧が回路設計上要求される耐圧よりも１
ランク高い素子を選択せざるを得ない。さもなければ、
ショットキーバリアダイオードにサージ電圧などの定格
電圧以上の電圧が印加されてしまうと、ショットキーバ
リアダイオードはアバランシェ降伏が起き、小電流でも
エネルギ破壊を起こす可能性が生じてくる。したがっ
て、ショットキーバリアダイオードはなるべくアバラン
シェ降伏が起きないようにするために、耐圧の高い素子
を選択することになるが、耐圧を高くすると、今度は、
それに応じて順方向降下電圧が大きくなるので、これが
電源の高効率化の妨げになるという問題点があった。
【０００４】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、低い順方向降下電圧を保ちながら、アバラン
シェ降伏が起きて高電流が素子に流れても、エネルギ破
壊を起こさないような耐圧の高いショットキーバリアダ
イオードを提供することを目的とする。
のであり、低い順方向降下電圧を保ちながら、アバラン
シェ降伏が起きて高電流が素子に流れても、エネルギ破
壊を起こさないような耐圧の高いショットキーバリアダ
イオードを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ガード
リング構造を有するショットキーバリアダイオードにお
いて、ガードリング領域である第１導電型の拡散層の不
純物表面濃度を、５×１０17／ｃｍ3 以下にし、前記拡
散層が形成される第２導電型の低濃度層を、逆方向最大
電圧印加時に低濃度層側の空乏層が基板の第２導電型の
高濃度層に達しない厚さにしたことを特徴とするショッ
トキーバリアダイオードが提供される。
リング構造を有するショットキーバリアダイオードにお
いて、ガードリング領域である第１導電型の拡散層の不
純物表面濃度を、５×１０17／ｃｍ3 以下にし、前記拡
散層が形成される第２導電型の低濃度層を、逆方向最大
電圧印加時に低濃度層側の空乏層が基板の第２導電型の
高濃度層に達しない厚さにしたことを特徴とするショッ
トキーバリアダイオードが提供される。
【０００６】上記構成によれば、ガードリング領域の拡
散層の不純物表面濃度を従来より１桁程度低い５×１０
17／ｃｍ3 以下にしたことにより、拡散層の濃度勾配が
緩やかになるので、拡散層での空乏層領域が伸びるよう
になって、拡散層でアバランシェ降伏が起きにくくな
り、拡散層で集中して起きていた破壊が第２導電型の低
濃度層の領域で起こるようになり、エネルギ破壊値が大
きく壊れにくいショットキーバリアダイオードとなる。
散層の不純物表面濃度を従来より１桁程度低い５×１０
17／ｃｍ3 以下にしたことにより、拡散層の濃度勾配が
緩やかになるので、拡散層での空乏層領域が伸びるよう
になって、拡散層でアバランシェ降伏が起きにくくな
り、拡散層で集中して起きていた破壊が第２導電型の低
濃度層の領域で起こるようになり、エネルギ破壊値が大
きく壊れにくいショットキーバリアダイオードとなる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図２はガードリング構造を
有するショットキーバリアダイオードの構成を示す縦断
面図である。図２に示したように、ショットキーバリア
ダイオード１０は、Ｎ+ 層１２と、Ｎ- 層１４と、ガー
ドリング領域１６と、酸化膜１８と、バリアメタル２０
とから構成されている。Ｎ+ 層１２はシリコンの半導体
基板であり、この上にＮ- 層１４がエピタキシャル法に
より成長される。そのＮ- 層１４の厚さはｗで表してい
る。ガードリング領域１６はＮ- 層１４の表面にイオン
注入法によりボロンが注入拡散されてＰ型にされた領域
である。この拡散領域の深さはｘで表している。酸化膜
１８はガードリング領域１６の外側を覆うように形成さ
れ、ガードリング領域１６の内側には接触金属としてモ
リブデンのバリアメタル２０が形成されている。このよ
うな構成のショットキーバリアダイオード１０におい
て、特にガードリング領域１６の不純物濃度について以
下に示す。
を参照して詳細に説明する。図２はガードリング構造を
有するショットキーバリアダイオードの構成を示す縦断
面図である。図２に示したように、ショットキーバリア
ダイオード１０は、Ｎ+ 層１２と、Ｎ- 層１４と、ガー
ドリング領域１６と、酸化膜１８と、バリアメタル２０
とから構成されている。Ｎ+ 層１２はシリコンの半導体
基板であり、この上にＮ- 層１４がエピタキシャル法に
より成長される。そのＮ- 層１４の厚さはｗで表してい
る。ガードリング領域１６はＮ- 層１４の表面にイオン
注入法によりボロンが注入拡散されてＰ型にされた領域
である。この拡散領域の深さはｘで表している。酸化膜
１８はガードリング領域１６の外側を覆うように形成さ
れ、ガードリング領域１６の内側には接触金属としてモ
リブデンのバリアメタル２０が形成されている。このよ
うな構成のショットキーバリアダイオード１０におい
て、特にガードリング領域１６の不純物濃度について以
下に示す。
【０００８】図１はショットキーバリアダイオードの縦
断面に沿った不純物濃度の分布を示す図である。図１に
おいて、横軸はガードリング領域１６の表面を原点とす
る深さ方向の距離を示しており、したがって、左からガ
ードリング領域１６のＰ+ 層、Ｎ- 層１４、Ｎ+ 層１２
を示している。縦軸は不純物濃度を示している。また、
この不純物濃度の分布図には耐圧の異なる三つのショッ
トキーバリアダイオードについて、それぞれ従来の場合
と比較して示してある。
断面に沿った不純物濃度の分布を示す図である。図１に
おいて、横軸はガードリング領域１６の表面を原点とす
る深さ方向の距離を示しており、したがって、左からガ
ードリング領域１６のＰ+ 層、Ｎ- 層１４、Ｎ+ 層１２
を示している。縦軸は不純物濃度を示している。また、
この不純物濃度の分布図には耐圧の異なる三つのショッ
トキーバリアダイオードについて、それぞれ従来の場合
と比較して示してある。
【０００９】曲線Ｃ30は耐圧３０ボルトクラスのショッ
トキーバリアダイオードの場合の不純物濃度の変化を示
し、曲線Ｃ40は耐圧４０ボルトクラスのショットキーバ
リアダイオードの場合の不純物濃度の変化を示し、曲線
Ｃ60は耐圧６０ボルトクラスのショットキーバリアダイ
オードの場合の不純物濃度の変化を示している。そし
て、それぞれの曲線に接続された破線で示す曲線は対応
する耐圧の従来のショットキーバリアダイオードの不純
物濃度の変化を示している。
トキーバリアダイオードの場合の不純物濃度の変化を示
し、曲線Ｃ40は耐圧４０ボルトクラスのショットキーバ
リアダイオードの場合の不純物濃度の変化を示し、曲線
Ｃ60は耐圧６０ボルトクラスのショットキーバリアダイ
オードの場合の不純物濃度の変化を示している。そし
て、それぞれの曲線に接続された破線で示す曲線は対応
する耐圧の従来のショットキーバリアダイオードの不純
物濃度の変化を示している。
【００１０】この図から明らかなように、本発明のショ
ットキーバリアダイオードは、従来のショットキーバリ
アダイオードに比較して、まず、ガードリング領域１６
の表面における不純物濃度が低いこと、およびガードリ
ング領域１６の拡散層の深さｘが浅いことが分かる。ガ
ードリング領域１６の表面の不純物濃度は耐圧クラスに
よって多少変化するが、５×１０17／ｃｍ3 以下であ
り、図示の３０〜６０ボルトクラスのショットキーバリ
アダイオードでは２〜３×１０17／ｃｍ3 である。これ
により、拡散プロファイルを比較すると、濃度の勾配が
従来よりも緩やかになるので、逆方向電圧が印加された
ときに拡散層に生じる空乏層領域が従来よりも伸びるよ
うになり、アバランシェ降伏が起きにくくなる。また、
ガードリング領域１６の拡散層の深さｘについては、
１．５μｍ以下であり、図示の３０〜６０ボルトクラス
では１μｍ程度である。この拡散層の深さｘは、必要耐
圧さえ確保できれば最小の深さでよい。というのは、拡
散層を深くすると、Ｎ- 層１４の厚さｗを大きくせざる
を得なく、厚さｗを大きくすると、結晶抵抗が増えて順
方向降下電圧が上昇することになるからである。
ットキーバリアダイオードは、従来のショットキーバリ
アダイオードに比較して、まず、ガードリング領域１６
の表面における不純物濃度が低いこと、およびガードリ
ング領域１６の拡散層の深さｘが浅いことが分かる。ガ
ードリング領域１６の表面の不純物濃度は耐圧クラスに
よって多少変化するが、５×１０17／ｃｍ3 以下であ
り、図示の３０〜６０ボルトクラスのショットキーバリ
アダイオードでは２〜３×１０17／ｃｍ3 である。これ
により、拡散プロファイルを比較すると、濃度の勾配が
従来よりも緩やかになるので、逆方向電圧が印加された
ときに拡散層に生じる空乏層領域が従来よりも伸びるよ
うになり、アバランシェ降伏が起きにくくなる。また、
ガードリング領域１６の拡散層の深さｘについては、
１．５μｍ以下であり、図示の３０〜６０ボルトクラス
では１μｍ程度である。この拡散層の深さｘは、必要耐
圧さえ確保できれば最小の深さでよい。というのは、拡
散層を深くすると、Ｎ- 層１４の厚さｗを大きくせざる
を得なく、厚さｗを大きくすると、結晶抵抗が増えて順
方向降下電圧が上昇することになるからである。
【００１１】図３はエネルギ破壊試験の結果を示す図で
ある。この図において、「×」の印は従来の定格電圧４
０Ｖのショットキーバリアダイオードの破壊エネルギを
示しており、「●」は本発明の、同じく定格電圧４０Ｖ
のショットキーバリアダイオードの破壊エネルギを示し
ている。この試験結果によれば、従来のショットキーバ
リアダイオードの破壊エネルギは約０．６キロワット
（ＫＷ）、本発明のショットキーバリアダイオードの破
壊エネルギは約１．７５ＫＷであり、定格電圧が同じシ
ョットキーバリアダイオードを比較すると、破壊エネル
ギは約３倍向上していることになる。
ある。この図において、「×」の印は従来の定格電圧４
０Ｖのショットキーバリアダイオードの破壊エネルギを
示しており、「●」は本発明の、同じく定格電圧４０Ｖ
のショットキーバリアダイオードの破壊エネルギを示し
ている。この試験結果によれば、従来のショットキーバ
リアダイオードの破壊エネルギは約０．６キロワット
（ＫＷ）、本発明のショットキーバリアダイオードの破
壊エネルギは約１．７５ＫＷであり、定格電圧が同じシ
ョットキーバリアダイオードを比較すると、破壊エネル
ギは約３倍向上していることになる。
【００１２】図４は耐圧とＮ- 層の比抵抗との関係を示
す図である。この図の横軸はＮ- 層の比抵抗ρを表し、
縦軸は耐圧ＶBRを表している。ここで、破線で示した曲
線が従来のショットキーバリアダイオードの特性を示
し、実線で示した曲線が本発明のショットキーバリアダ
イオードの特性を示している。これらの特性によれば、
たとえば比抵抗が１Ω・ｃｍの場合を見ると、従来のシ
ョットキーバリアダイオードでは耐圧が約５５ボルトで
あったが、本発明のショットキーバリアダイオードでは
約８０ボルトまで上昇していることが分かる。逆に、同
じ耐圧で見ると、比抵抗は従来よりも低くすることがで
き、これにより、順方向降下電圧ＶＦを低減することが
可能である。この耐圧が改善される理由は、逆方向電圧
が印加されたときに、ガードリング領域１６の拡散層と
Ｎ- 層１４との境界から両方向に空乏層が伸びるように
なるが、このとき、拡散層の濃度勾配が緩やかになった
ことにより拡散層へ伸びる空乏層が従来よりも伸びるた
め、アバランシェ状態になるまでの電圧が高くなるから
である。これにより、拡散層にて集中して起きていた破
壊がＮ- 層１４へ移るようになる。もちろん、このと
き、Ｎ- 層１４は、逆方向電圧が印加されたときにＮ-
層１４へ伸びる空乏層領域がＮ+ 層１２に接触しないだ
けの厚さｗを有していなければならない。
す図である。この図の横軸はＮ- 層の比抵抗ρを表し、
縦軸は耐圧ＶBRを表している。ここで、破線で示した曲
線が従来のショットキーバリアダイオードの特性を示
し、実線で示した曲線が本発明のショットキーバリアダ
イオードの特性を示している。これらの特性によれば、
たとえば比抵抗が１Ω・ｃｍの場合を見ると、従来のシ
ョットキーバリアダイオードでは耐圧が約５５ボルトで
あったが、本発明のショットキーバリアダイオードでは
約８０ボルトまで上昇していることが分かる。逆に、同
じ耐圧で見ると、比抵抗は従来よりも低くすることがで
き、これにより、順方向降下電圧ＶＦを低減することが
可能である。この耐圧が改善される理由は、逆方向電圧
が印加されたときに、ガードリング領域１６の拡散層と
Ｎ- 層１４との境界から両方向に空乏層が伸びるように
なるが、このとき、拡散層の濃度勾配が緩やかになった
ことにより拡散層へ伸びる空乏層が従来よりも伸びるた
め、アバランシェ状態になるまでの電圧が高くなるから
である。これにより、拡散層にて集中して起きていた破
壊がＮ- 層１４へ移るようになる。もちろん、このと
き、Ｎ- 層１４は、逆方向電圧が印加されたときにＮ-
層１４へ伸びる空乏層領域がＮ+ 層１２に接触しないだ
けの厚さｗを有していなければならない。
【００１３】図５は結晶条件を変更したときのエネルギ
破壊試験を示す図である。図５（Ａ）ないし（Ｃ）は耐
圧の異なる三つのショットキーバリアダイオードについ
て、それぞれガードリング領域１６の拡散層の深さｘを
変えたときのＮ- 層１４の厚さｗに対する破壊エネルギ
の変化を示している。なお、それぞれのＮ- 層１４の比
抵抗ρはρ＝１Ω・ｃｍである。
破壊試験を示す図である。図５（Ａ）ないし（Ｃ）は耐
圧の異なる三つのショットキーバリアダイオードについ
て、それぞれガードリング領域１６の拡散層の深さｘを
変えたときのＮ- 層１４の厚さｗに対する破壊エネルギ
の変化を示している。なお、それぞれのＮ- 層１４の比
抵抗ρはρ＝１Ω・ｃｍである。
【００１４】ここで、図５（Ａ）は耐圧３０ボルトクラ
スのショットキーバリアダイオードの場合であって、実
線により拡散層の深さがｘ＝１μｍのとき、破線により
拡散層の深さがｘ＝１．５μｍのときのＮ- 層１４の厚
さｗに対する破壊エネルギの変化を示している。図５
（Ｂ）は耐圧４０ボルトクラスのショットキーバリアダ
イオードの場合であって、実線により拡散層の深さがｘ
＝１μｍのとき、破線により拡散層の深さがｘ＝１．５
μｍのときのＮ- 層１４の厚さｗに対する破壊エネルギ
の変化を示している。そして、図５（Ｃ）は耐圧６０ボ
ルトクラスのショットキーバリアダイオードの場合であ
って、実線により拡散層の深さがｘ＝１μｍのとき、破
線により拡散層の深さがｘ＝１．５μｍのときのＮ- 層
１４の厚さｗに対する破壊エネルギの変化を示してい
る。各特性曲線によれば、それぞれ破壊エネルギが小さ
いところから上昇して飽和する位置があるが、Ｎ- 層１
４の厚さｗを少なくともその位置の厚さよりも厚くする
ことにより、必要な耐圧特性を得ることができる。たと
えば、耐圧３０ボルトクラスのショットキーバリアダイ
オードの場合の図５（Ａ）では、ｘ＝１μｍのときは、
厚さｗ１（約３．５μｍ）以上、ｘ＝１．５μｍのとき
は、厚さｗ２（約４μｍ）以上が必要な耐圧特性を得る
のに最低限必要なＮ- 層１４の厚さとなる。この関係
は、以下の条件式によって表すことができる。
スのショットキーバリアダイオードの場合であって、実
線により拡散層の深さがｘ＝１μｍのとき、破線により
拡散層の深さがｘ＝１．５μｍのときのＮ- 層１４の厚
さｗに対する破壊エネルギの変化を示している。図５
（Ｂ）は耐圧４０ボルトクラスのショットキーバリアダ
イオードの場合であって、実線により拡散層の深さがｘ
＝１μｍのとき、破線により拡散層の深さがｘ＝１．５
μｍのときのＮ- 層１４の厚さｗに対する破壊エネルギ
の変化を示している。そして、図５（Ｃ）は耐圧６０ボ
ルトクラスのショットキーバリアダイオードの場合であ
って、実線により拡散層の深さがｘ＝１μｍのとき、破
線により拡散層の深さがｘ＝１．５μｍのときのＮ- 層
１４の厚さｗに対する破壊エネルギの変化を示してい
る。各特性曲線によれば、それぞれ破壊エネルギが小さ
いところから上昇して飽和する位置があるが、Ｎ- 層１
４の厚さｗを少なくともその位置の厚さよりも厚くする
ことにより、必要な耐圧特性を得ることができる。たと
えば、耐圧３０ボルトクラスのショットキーバリアダイ
オードの場合の図５（Ａ）では、ｘ＝１μｍのときは、
厚さｗ１（約３．５μｍ）以上、ｘ＝１．５μｍのとき
は、厚さｗ２（約４μｍ）以上が必要な耐圧特性を得る
のに最低限必要なＮ- 層１４の厚さとなる。この関係
は、以下の条件式によって表すことができる。
【００１５】
【数２】 ｗ≧ｘ＋０．５５×（ρ×Ｖ）1/2 ・・・（１） ここで、Ｖは最大印加電圧であり、式の右辺は逆方向の
電圧Ｖを印加したときにＮ- 層１４に伸びる空乏層の長
さを表している。したがって、Ｎ- 層１４の厚さｗは、
ガードリングの拡散層の深さｘ、Ｎ- 層１４の比抵抗ρ
および最大印加電圧Ｖから求まる式（１）の右辺の値以
上にすればよいことになる。この条件を満たしたガード
リングの拡散層の深さｘ、Ｎ- 層１４の厚さｗおよび比
抵抗ρとすることにより、ショットキーバリアダイオー
ドは高い破壊エネルギ値を示し、壊れにくくなる。
電圧Ｖを印加したときにＮ- 層１４に伸びる空乏層の長
さを表している。したがって、Ｎ- 層１４の厚さｗは、
ガードリングの拡散層の深さｘ、Ｎ- 層１４の比抵抗ρ
および最大印加電圧Ｖから求まる式（１）の右辺の値以
上にすればよいことになる。この条件を満たしたガード
リングの拡散層の深さｘ、Ｎ- 層１４の厚さｗおよび比
抵抗ρとすることにより、ショットキーバリアダイオー
ドは高い破壊エネルギ値を示し、壊れにくくなる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、ガード
リング構造を有するショットキーバリアダイオードに
て、ガードリングの拡散層の不純物表面濃度および深さ
の値を従来より下げるように構成にした。これにより、
ガードリング領域で集中して起きていた破壊が素子の領
域で起きるようになって破壊されにくくなる。また、Ｎ
-層１４の厚さを必要な耐圧から得られる最小の値にす
ることにより、順方向降下電圧を小さくすることが可能
になる。したがって、スイッチング電源用の整流素子と
して使用する場合、回路設計の選択の余地を広げ、低い
順方向降下電圧で、なおかつ破壊しにくい素子を選ぶこ
とができ、電源の効率を向上させることが可能になる。
リング構造を有するショットキーバリアダイオードに
て、ガードリングの拡散層の不純物表面濃度および深さ
の値を従来より下げるように構成にした。これにより、
ガードリング領域で集中して起きていた破壊が素子の領
域で起きるようになって破壊されにくくなる。また、Ｎ
-層１４の厚さを必要な耐圧から得られる最小の値にす
ることにより、順方向降下電圧を小さくすることが可能
になる。したがって、スイッチング電源用の整流素子と
して使用する場合、回路設計の選択の余地を広げ、低い
順方向降下電圧で、なおかつ破壊しにくい素子を選ぶこ
とができ、電源の効率を向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ショットキーバリアダイオードの縦断面に沿っ
た不純物濃度の分布を示す図である。
た不純物濃度の分布を示す図である。
【図２】ガードリング構造を有するショットキーバリア
ダイオードの構成を示す縦断面図である。
ダイオードの構成を示す縦断面図である。
【図３】エネルギ破壊試験の結果を示す図である。
【図４】耐圧とＮ- 層の比抵抗との関係を示す図であ
る。
る。
【図５】結晶条件を変更したときのエネルギ破壊試験を
示す図であって、（Ａ）は耐圧３０ボルトクラスのショ
ットキーバリアダイオードのＮ- 層１４の厚さに対する
破壊エネルギの変化を示し、（Ｂ）は耐圧４０ボルトク
ラスのショットキーバリアダイオードのＮ- 層の厚さに
対する破壊エネルギの変化を示し、（Ｃ）は耐圧６０ボ
ルトクラスのショットキーバリアダイオードのＮ- 層１
４の厚さに対する破壊エネルギの変化を示す図である。
示す図であって、（Ａ）は耐圧３０ボルトクラスのショ
ットキーバリアダイオードのＮ- 層１４の厚さに対する
破壊エネルギの変化を示し、（Ｂ）は耐圧４０ボルトク
ラスのショットキーバリアダイオードのＮ- 層の厚さに
対する破壊エネルギの変化を示し、（Ｃ）は耐圧６０ボ
ルトクラスのショットキーバリアダイオードのＮ- 層１
４の厚さに対する破壊エネルギの変化を示す図である。
１０ ショットキーバリアダイオード １２ Ｎ+ 層 １４ Ｎ- 層 １６ ガードリング領域 １８ 酸化膜 ２０ バリアメタル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/51
Claims (3)
- 【請求項１】 ガードリング構造を有するショットキー
バリアダイオードにおいて、 ガードリング領域である第１導電型の拡散層の不純物表
面濃度を、５×１０17／ｃｍ3 以下にし、前記拡散層が
形成される第２導電型の低濃度層を、逆方向最大電圧印
加時に低濃度層側の空乏層が基板の第２導電型の高濃度
層に達しない厚さにしたことを特徴とするショットキー
バリアダイオード。 - 【請求項２】 前記低濃度層の厚さ（μｍ）は、ｘ（μ
ｍ）を前記ガードリング領域の拡散層の深さ、ρ（Ω・
ｃｍ）を前記低濃度層の結晶の比抵抗、およびＶ（Ｖ）
を最大印加電圧とするとき、 【数１】ｘ＋０．５５×（ρ×Ｖ）1/2 以上にしたことを特徴とする請求項１記載のショットキ
ーバリアダイオード。 - 【請求項３】 前記ガードリング領域の拡散層の深さ
を、１．５μｍ以下にしたことを特徴とする請求項１記
載のショットキーバリアダイオード。
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-
1997
- 1997-12-03 DE DE19753673A patent/DE19753673B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-10 US US08/987,924 patent/US6177712B1/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
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| JPH10173205A (ja) | 1998-06-26 |
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