JP2005506361A - りん光を発する化合物および当該化合物を含むデバイス - Google Patents

Abstract

フェニルキノリナト配位子を含むりん光を発する有機金属錯体を提供する。これらの化合物を含んでいる高効率有機発光デバイスについても説明する。

Description

【技術分野】
【０００１】
（本発明の分野）
本発明は、有機金属化合物および当該化合物を含む効率的有機発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
（本発明の背景）
電子ディスプレイは最近情報の迅速な伝達する際の主な手段である。テレビジョンセット、コンピュータモニター、計器ディスプレイパネル、計算機、プリンター、携帯電話、ポータブルコンピュータなどは本手段の特徴である迅速性、汎用性および双方向性を適切に例証している。既知の電子ディスプレイ技術の中で、有機発光デバイス（ＯＬＥＤｓ）は今もなお多くのテレビジョンセットやコンピュータモニターにおいて使用されている嵩高いブラウン管を旧式なものとするフルカラーのフラットパネルディスプレイシステムの発展における可能性ある役割に際し、相当興味がもたれている。
【０００３】
一般的に、ＯＬＥＤｓは幾つかの有機層で構成されていて、その中の少なくとも１つの層がデバイスに電圧を印加するとエレクトロルミネセンスを発することができる（参照、たとえばＴａｎｇ等、Ａｐｐｌ．ｐｈｙｓ．ｌｅｔｔ．１９８７，５１，９１３およびＢｕｒｒｏｕｇｈｅｓ等、Ｎａｔｕｒｅ，１９９０，３４７，３５９）。電圧をデバイスに印加すると、当該カソードは効率的に当該隣接有機層（即ち、電子を注入する）を還元し、当該アノードは効率的に当該隣接有機層を酸化する（即ち、正孔を注入する）。正孔および電子はデバイスを横切ってそれらと反対に荷電した電極に移動する。正孔および電子は同じ分子にて出会うと、再結合が起こるといわれ、励起子が形成される。ルミネセント化合物において当該正孔と電子が再結合すると、放射性発光が伴いそれによりエレクトロルミネセンスが生じる。
【０００４】
当該正孔および電子のスピン状態により、正孔と電子の再結合から生じる励起子は三重項または一重項スピン状態のいずれかをとる。一重項励起子からのルミネセンスは蛍光を生じる一方、三重項励起子からのルミネセンスはりん光を生じる。統計的に、典型的にＯＬＥＤｓに使用される有機材料については当該励起子の４分の１は一重項であり、残りの４分の３は三重項である（参照、例えばＢａｌｄｏ等、Ｐｈｙｓ，Ｒｅｖ，Ｂ，１９９９，６０，１４４２２）。実用的なエレクトロ−りん光ＯＬＥＤｓ（米国特許第６，３０３，２３８号）を製造する際に使うことができる幾つかのりん光を発する材料があること、次いでそのようなエレクトロ−りん光ＯＬＥＤｓの理論的量子効率が最大１００％（即ち、三重項および一重項の両方の全てを利用する）になりうることの証明の発見までは、多くの効率的ＯＬＥＤｓは典型的に蛍光を示す材料に基づいていた。蛍光材料は冷光を発するが最大理論量子効率はわずか２５％で（ここでＯＬＥＤの量子効率は正孔と電子が再結合してルミネセンスを生じる効率を称する）、これはりん光発光の三重項からの基底状態遷移は正規ではスピン禁制プロセスであるからである。エレクトロ−りん光ＯＬＥＤｓはエレクトロ−蛍光ＯＬＥＤｓと比較して、より優れた全デバイス効率を有することが現在示されている（参照、例えばＢａｌｄｏ等、Ｎａｔｕｒｅ，１９９８，３９５，１５１およびＢａｌｄｏ等、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９９９，７５（３），４）。
【０００５】
一重項−三重項状態混合に導く強いスピン軌道結合によれば、重金属錯体はしばしば室温において当該三重項から効率的にりん光発光を示す。従って、当該錯体を含むＯＬＥＤｓは７５％より大きな内部量子効率を有することが示された（Ａｃａｃｈｉ等、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２０００，７８，１７０４）。幾つかの有機金属イリジウム錯体は強いりん光を有することが報告され（Ｌａｍａｎｓｋｙ等、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００１，４０，１７０４）、緑色から赤色スペクトルの効率的ＯＬＥＤｓ発光がこれらの錯体により作られた（Ｌａｍａｎｓｋｙ等、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２００１，１２３，４３０４）。イリジウム錯体含有赤色発光デバイスは米国出願公開第２００１／００１９７８２号に従って調製された。りん光重金属有機金属錯体およびそれらの各デバイスは同様に国際特許出願公開ＷＯ００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５およびＷＯ０１／４１５１２および米国出願番号第０９／２７４，６０９；０９／３１１，１２６；０９／４５２，３４６；０９／６３７，７６６；６０／２８３，８１４および出願日２００１年１０月１６日の米国出願番号＿＿＿でＬａｍａｎｓｋｙらの標題“Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ａｎｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ−ＳｈｉｆｔｉｎｇＯｒｇａｎｉｃＥｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ”の主題であった。
【０００６】
最近の効率的な重金属りん光体の発見およびＯＬＥＤ技術における生じた進歩にも関わらず、デバイスにおける更に高い効率への必要性が残っている。より少ない電力使用およびより長い寿命を持った、より明るいデバイスの製造は新しいディスプレイ技術の発展に寄与しフラット表面におけるフルカラー電子ディスプレイに対する最近の目的実現を促進する。本明細書記載のりん光有機金属化合物およびそれらを含むデバイスは、これらおよびその他の必要性を満たす際に助けとなる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（本発明の要約）
１つの態様では、本発明は式Ｉ，ＩＩまたはＩＩＩの化合物を提供する：
【化１】

式中においてＭは金属原子で、Ａ^１およびＡ^２それぞれは別々の単座配位子、或いはＡ^１およびＡ^２は共有結合で結合して二座配位子を形成し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１１、ＯＲ^１１、Ｎ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（ＯＲ^１１）_２、ＰＯＲ^１１、ＰＯ_２Ｒ^１１、ＰＯ_３Ｒ^１１、ＳＲ^１１、Ｓｉ（Ｒ^１１）_３、Ｂ（Ｒ^１１）_２、Ｂ（ＯＲ^１１）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１１、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１１、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１１）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１１、ＳＯ_２Ｒ^１１、ＳＯ_３Ｒ^１１であり、加えてまたはそれに代わるものとしてＲ^１とＲ^２、またはＲ^２とＲ^３、またはＲ^３とＲ^４、またはＲ^５とＲ^６、またはＲ^６とＲ^７またはＲ^７とＲ^８、またはＲ^９とＲ^１０のいずれの１つ以上が共同して別々に融合して４から７員環基を形成し、そこでは前記環状基はシクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであり、前記環状基は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換され、それぞれのＲ^１１は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリール、Ｃ_３〜Ｃ_４０ヘテロアリールであり、そこでのＲ^１１は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されているが、それぞれのＸは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１２、ＯＲ^１２、Ｎ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（ＯＲ^１２）_２、ＰＯＲ^１２、ＰＯ_２Ｒ^１２、ＰＯ_３Ｒ^１２、ＳＲ^１２、Ｓｉ（Ｒ^１２）_３、Ｂ（Ｒ^１２）_２、Ｂ（ＯＲ^１２）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１２、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１２）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１２、ＳＯ_２Ｒ^１２またはＳＯ_３Ｒ^１２であり、それぞれのＲ^１２は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_２０過ハロゲン化アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリールまたはまたはＣ_３〜Ｃ_４０ヘテロアリールであり、ｍは金属原子Ｍの形式電荷で、ｎは１，２または３であり、そして式中Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは式Ｉの化合物においてはＨではない。
【０００８】
幾つかの実施形態では、Ｍは重金属でありうる。更なる実施形態では、ＭはＩｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、ＲｅまたはＲｕでありえるか；またはＭはＩｒでありえるか、ＭはＰｔでありえる。更なる実施形態では、Ａ^１およびＡ^２は単座配位子であることができ、言い換えると（−１）の結合した電荷を有することができる。更なる実施形態では、Ａ^１およびＡ^２はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＯ、ＣＮ、ＣＮ（Ｒ^１１）、ＳＲ^１１、ＳＣＮ、ＯＣＮ、Ｐ（Ｒ^１１）_３、Ｐ（ＯＲ^１１）_３、Ｎ（Ｒ^１１）_３、ＮＯ、Ｎ_３または場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されている窒素含有複素環でありえる。更なる実施形態では、Ａ^１およびＡ^２は共有結合的に結合して二座配位子を形成し、それはモノアニオン性でありえる。幾つかの実施形態では、当該二座配位子は以下の構造であることができる。
【化２】

【０００９】
更なる実施形態によれば、当該二座配位子は炭素原子および窒素原子を通じて配位できる。更に、当該二座配位子はビアリール化合物であることができる。幾つかの実施形態では当該二座配位子は以下の構造でありえて、
【化３】

式中ではＺはＯ、ＳまたはＮＲで、それぞれのＲは別々にＲ^１１で、ｎは０から５である。幾つかの実施形態では、二座配位子はアセチルアセトネートでありうる。
【００１０】
更なる実施形態では、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれ別々にＨ、ＣＨ_３、ＣＦ_３、ＯＣＨ_３またはＦであることができる。他の実施形態では、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つがメチルである。他の実施形態では、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つがトリフルオロメチルである。他の実施形態では、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つがメトキシである。他の実施形態では、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つがフルオロである。他の実施形態ではＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つはＨ以外である。
【００１１】
幾つかの実施形態であれば、本発明の化合物は約５５０から７００ｎｍの波長にホトルミネッセンス極大を有することができる。
【００１２】
本発明には更に上記の式Ｉ、ＩＩまたはＩＩＩの化合物を含む組成物が含まれる。組成物は更にＢＣＰ、ＣＢＰ、ＯＸＤ７、ＴＡＺ、ＣｕＰｃ、ＮＰＤ、Ａｌｑ_３、ＢＡｌｑ、ＦＩｒｐｐｙまたはＩｒｐｐｙを含むことができる。
【００１３】
本発明により同様に具現化されるのは式Ｉの化合物で、
【化４】

式中において、Ｍは金属原子で、Ａ^１およびＡ^２それぞれは別々の単座配位子、或いはＡ^１およびＡ^２は共有結合で結合して二座配位子を形成し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、活性化基または不活性化基で、それに加えまたはそれに代わるものとしてＲ^１とＲ^２、またはＲ^２とＲ^３、またはＲ^３とＲ^４、またはＲ^５とＲ^６、またはＲ^６とＲ^７またはＲ^７とＲ^８、またはＲ^９とＲ^１０のいずれの１つ以上が共同して別々に融合した４から７員環基を形成し、そこでは前記環状基がシクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであり、そこでの前記環状基は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されていて、それぞれのＸは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１２、ＯＲ^１２、Ｎ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（ＯＲ^１２）_２、ＰＯＲ^１２、ＰＯ_２Ｒ^１２、ＰＯ_３Ｒ^１２、ＳＲ^１２、Ｓｉ（Ｒ^１２）_３、Ｂ（Ｒ^１２）_２、Ｂ（ＯＲ^１２）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１２、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１２）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１２、ＳＯ_２Ｒ^１２またはＳＯ_３Ｒ^１２であり、それぞれのＲ^１２は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_２０過ハロゲン化アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリールまたはＣ_３〜Ｃ_４０ヘテロアリールであり、ｍは金属原子Ｍの形式電荷で、ｎは１，２または３であり、そしてそこにおけるＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは活性化基またはそこにおけるＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは不活性化基である。
【００１４】
式Ｉの化合物の幾つかの実施形態によれば、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは活性化基である。式Ｉの化合物の他の実施形態によれば、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは不活性化基である。式Ｉの化合物の幾つかの実施形態では、活性化基はアルキル、ヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、ヒドロキシ、メルカプト、チオラト、アミノ、ホスフィノ、アルキルカルボニルアミノまたはアリールカルボニルアミノでありうる。式Ｉの化合物の他の実施形態では、活性化基はメチルまたはメトキシでありうる。式Ｉの化合物の幾つかの実施形態によれば、不活性化基はハロ、シアノ、ニトロ、アルデヒド、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アンモニウム、過ハロゲン化アルキル、カルボン酸、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニルまたはスルフォでありうる。式Ｉの化合物の他の実施形態では、不活性化基はＦまたはＣＦ_３でありうる。式Ｉの化合物のその上更なる実施形態では、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも二つが活性化または不活性化基でありうる。
【００１５】
式Ｉの化合物の更なる実施形態にはＡ^１およびＡ^２が共有結合で結合して二座配位子を形成している化合物が含まれる。当該二座配位子はモノアニオン性でありうる。当該二座配位子はアセチルアセトネート（ａｃａｃ）、ピコリネート（ｐｉｃ）、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、サリチリデンまたは８−ヒドロキシキノリネートでありうる。幾つかの実施形態では、当該二座配位子はアセチルアセトネートである。
【００１６】
式Ｉの化合物の更なる実施形態では、Ｍは重金属でありうる。その上更なる実施形態では、ＭはＩｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、ＲｅまたはＲｕでありうるか、ＭがＩｒでありうるか、またはＭはＰｔでありうる。
【００１７】
本発明には更に式ＶＩの化合物が含まれ、
【化５】

式中ではＭは金属原子で、Ａ^１およびＡ^２はそれぞれ別々の単座配位子、またはＡ^１およびＡ^２は共有結合で結合して二座配位子を形成し、そして、Ｒ^４がＦでＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^４がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９とＲ^１０はそれぞれが別々にＨ，活性化基或いは不活性化基、またはＲ^３がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９とＲ^１０のそれぞれが別々にＨ，活性化基或いは不活性化基、またはＲ^２がＯＣＨ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９とＲ^１０のそれぞれが別々にＨ，活性化基或いは不活性化基、またはＲ^４がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^３がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^２がＣＦ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^２とＲ^４がそれぞれＦでＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^９がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^１０がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基である。
【００１８】
式ＶＩの化合物の幾つかの実施形態によれば、Ａ^１およびＡ^２は共有結合で共に結合して二座配位子を形成することができる。式ＶＩの化合物の他の実施形態では、当該二座配位子はモノアニオン性でありうる。式ＶＩの化合物の更なる実施形態では、二座配位子はアセチルアセトネート（ａｃａｃ）、ピコリネート（ｐｉｃ）、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、サリチリデンまたは８−ヒドロキシキノリネートでありうる。式ＶＩの化合物のその上更なる実施形態では、二座配位子はアセチルアセトネートでありうる。
【００１９】
式ＶＩの化合物の幾つかの実施形態では、Ｍは重金属でありえるか、またはＭはＩｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、ＲｅまたはＲｕでありえるか、またはＭはＩｒでありえるか、またはＭはＰｔでありえる。
【００２０】
本発明には更に式ＩＶの化合物が含まれ、
【化６】

式中では、Ｒ^４がＦでＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^４がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^３がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^２がＯＣＨ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^４がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^３がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^２がＣＦ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^２およびＲ^４がそれぞれＦでＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^４およびＲ^１０がそれぞれＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３およびＲ^９はそれぞれＨであるか、またはＲ^９がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、Ｒ^１０がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９はそれぞれＨである。
【００２１】
式ＩＶの化合物の幾つかの実施形態では、Ｒ^４がＦでＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。式ＩＶの化合物の他の実施形態では、Ｒ^４がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。式ＩＶの化合物の他の実施形態では、Ｒ^３がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。式ＩＶの化合物の他の実施形態では、Ｒ^２がＯＣＨ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。式ＩＶの化合物の他の実施形態では、Ｒ^４がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。式ＩＶの化合物の他の実施形態では、Ｒ^３がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。式ＩＶの化合物の他の実施形態では、Ｒ^２がＣＦ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。式ＩＶの化合物の他の実施形態では、Ｒ^２およびＲ^４がそれぞれＦでＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。式ＩＶの化合物の他の実施形態では、Ｒ^４およびＲ^１０がそれぞれＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３およびＲ^９はそれぞれＨである。式ＩＶの化合物の他の実施形態では、Ｒ^９がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０はそれぞれＨである。式ＩＶの化合物の他の実施形態では、Ｒ^１０がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９はそれぞれＨである。
【００２２】
本発明は更に以下の式Ｖの化合物を具現化する。
【化７】

【００２３】
本発明は更に本発明の化合物に関するホトルミネッセンス極大の波長を増大させる方法を提供するが、前記方法は前記置換基の少なくとも１つが前記化合物のＨＯＭＯエネルギーレベルに影響する活性化基であるか、前記置換基の少なくとも１つが前記化合物のＬＵＭＯエネルギーレベルに影響する不活性化基であるように置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９またはＲ^１０を選択することを含む。
【００２４】
本発明は更に本発明の化合物に関するホトルミネッセンス極大の波長を低下させる方法を提供するが、前記方法は前記置換基の少なくとも１つが前記化合物のＨＯＭＯエネルギーレベルに影響する不活性化基であるか、前記置換基の少なくとも１つが前記化合物のＬＵＭＯエネルギーレベルに影響する活性化基であるように置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９またはＲ^１０を選択することを含む。
【００２５】
本発明には更に式Ｉ、ＩＩまたはＩＩＩの化合物を含む有機発光デバイスが含まれる。
【化８】

式中において、Ｍは金属原子でＡ^１およびＡ^２それぞれは別々の単座配位子であるか、またはＡ^１およびＡ^２は共有結合で共に結合して二座配位子を形成し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１１、ＯＲ^１１、Ｎ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（ＯＲ^１１）_２、ＰＯＲ^１１、ＰＯ_２Ｒ^１１、ＰＯ_３Ｒ^１１、ＳＲ^１１、Ｓｉ（Ｒ^１１）_３、Ｂ（Ｒ^１１）_２、Ｂ（ＯＲ^１１）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１１、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１１、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１１）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１１、ＳＯ_２Ｒ^１１、ＳＯ_３Ｒ^１１であり、それに加えて或いはそれに代わるものとしてＲ^１とＲ^２、またはＲ^２とＲ^３、またはＲ^３とＲ^４、またはＲ^５とＲ^６、またはＲ^６とＲ^７またはＲ^７とＲ^８、またはＲ^９とＲ^１０のいずれか１つ以上が別々に共に融合して一体化した４から７員環基を形成し、そこでは当該環状基はシクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリールで、当該環状基は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されており、それぞれのＲ^１１は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリール、Ｃ_３〜Ｃ_４０ヘテロアリールであり、そこにおいてＲ^１１は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されており、それぞれのＸは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１２、ＯＲ^１２、Ｎ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（ＯＲ^１２）_２、ＰＯＲ^１２、ＰＯ_２Ｒ^１２、ＰＯ_３Ｒ^１２、ＳＲ^１２、Ｓｉ（Ｒ^１２）_３、Ｂ（Ｒ^１２）_２、Ｂ（ＯＲ^１２）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１２、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１２）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１２、ＳＯ_２Ｒ^１２またはＳＯ_３Ｒ^１２であり、それぞれのＲ^１２は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_２０過ハロゲン化アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリールまたはＣ_３〜Ｃ_４０ヘテロアリールであり、ｍは金属原子Ｍの形式電荷で、ｎは１，２または３、そしてＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは式Ｉの化合物においてはＨではない。
【００２６】
幾つかの実施形態によれば、デバイスは式Ｉ、式ＩＩまたは式ＩＩＩの化合物を有することができる。他の実施形態において、デバイスは本発明の化合物を１つ以上含む発光層を含むことができる。更なる実施形態では、当該発光層は本質的に本発明の化合物の１つ以上からなる。他の実施形態では、当該発光層は本発明の化合物をドープされたホスト材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、本発明の化合物は当該発光層の約１から約２０重量％を占める。他の実施形態では、ホスト材料はＢＣＰ、ＣＢＰ、ＯＸＤ７、ＴＡＺ、ＣｕＰｃ、ＮＰＤ、Ａｌｑ_３またはＢＡｌｑを含む。更に他の実施形態では、当該発光層は更にＦＩｒｐｉｃまたはＩｒｐｐｙを含む。
【００２７】
幾つかの実施形態によれば、デバイスは約５５０から約７００ｎｍのエレクトロルミネッセンス極大を有している。他の実施形態では、デバイスはｘ軸につき約０．５から約０．８およびｙ軸につき約０．２から約０．５の色指数座標（ＣＩＥ表色系）を有する色を発する。その上更なる実施形態では、デバイスは約１０ｃｄ／ｍ^２より大きい輝度において、約４％より大きな外部量子効率をもつ。他の実施形態では、デバイスは約１００ｃｄ／ｍ^２より大きな輝度において、約４％より大きな外部量子効率をもつ。
【００２８】
幾つかの実施形態では、本発明は更に式Ｉの化合物を含む有機発光デバイスを提供する。
【化９】

式中において、Ｍは金属原子で、Ａ^１およびＡ^２のそれぞれは別々の単座配位子、またはＡ^１およびＡ^２は共有結合で共に結合して二座配位子を形成し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、活性化基または不活性化基で、それに加えまたはそれの代わりにＲ^１とＲ^２、またはＲ^２とＲ^３、またはＲ^３とＲ^４、またはＲ^５とＲ^６、またはＲ^６とＲ^７またはＲ^７とＲ^８、またはＲ^９とＲ^１０のいずれの１つ以上が共同して別々に融合して縮合４から７員環基を形成するが、そこでは前記環状基がシクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであり、そこでの前記環状基は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されていて、それぞれのＸは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１２、ＯＲ^１２、Ｎ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（ＯＲ^１２）_２、ＰＯＲ^１２、ＰＯ_２Ｒ^１２、ＰＯ_３Ｒ^１２、ＳＲ^１２、Ｓｉ（Ｒ^１２）_３、Ｂ（Ｒ^１２）_２、Ｂ（ＯＲ^１２）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１２、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１２）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１２、ＳＯ_２Ｒ^１２またはＳＯ_３Ｒ^１２であり、それぞれのＲ^１２は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_２０過ハロゲン化アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリールまたはＣ_３〜Ｃ_４０ヘテロアリールであり、ｍは金属原子Ｍの形式電荷で、ｎは１，２または３であり、そしてそこにおいてＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは活性化基で、そこにおけるＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは不活性化基である。
【００２９】
幾つかの当該実施形態では、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つが活性化基である。他の当該実施形態では、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つが不活性化基である。更なる当該実施形態では、活性化基がアルキル、ヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、ヒドロキシ、メルカプト、チオラト、アミノ、ホスフィノ、アルキルカルボニルアミノまたはアリールカルボキシアミノでありうる。そのうえ更なる当該実施形態では、活性化基はメチルまたはモトキシでありうる。幾つかそのような実施形態によれば、不活性化基はハロ、シアノ、ニトロ、アルデヒド、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アンモニウム、過ハロゲン化アルキル、カルボン酸、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニルまたはスルホでありうる。他の当該実施形態では、不活性化基がＦまたはＣＦ_３でありうる。そのうえ更に当該実施形態では、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも２つが活性化基または不活性化基である。
【００３０】
幾つかの当該実施形態によれば、Ａ^１およびＡ^２が共有結合で共に結合して二座配位子を形成することができる。幾つかの当該実施形態では、二座配位子はモノアニオン性でありうる。幾つかのの当該実施形態では、二座配位子はアセチルアセトネート（ａｃａｃ）、ピコリネート（ｐｉｃ）、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、サリチリデンまたは８−ヒドロキシキノリネートである。幾つかの実施形態では、二座配位子はアセチルアセトネートである。
【００３１】
幾つかの当該実施形態によれば、Ｍは重金属でありうる。他の当該実施形態では、ＭはＩｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、ＲｅまたはＲｕでありうるか、ＭはＩｒでありえるか、またはＭはＰｔでありうる。
【００３２】
幾つかの当該実施形態では、デバイスには本発明の化合物を含む発光層が含まれうる。幾つかの当該実施形態では、当該発光層は本質的に本発明の化合物からなる。他の当該実施形態では、当該発光層は本発明の化合物でドープされたホスト材料を含む。当該実施形態の更なるものでは、本発明の化合物は当該発光層の約１から約２０重量％を占める。幾つかの当該実施形態では、ホスト材料はＢＣＰ、ＣＢＰ、ＯＸＤ７、ＴＡＺ、ＣｕＰｃ、ＮＰＤ、Ａｌｑ_３またはＢＡｌｑを含む。他の当該実施形態では、当該発光層は更にＦＩｒｐｉｃまたはＩｒｐｐｙを含む。
【００３３】
幾つかの当該実施形態によれば、デバイスは約５５０から約７００ｎｍのエレクトロルミネッセンス極大を有することができる。他の実施形態では、当該デバイスから発光した色はｘ軸につき約０．５から約０．８およびｙ軸につき約０．２から約０．５の色指数座標（ＣＩＥ表色系）を有することができる。幾つかの実施形態では、当該デバイスは約１０ｃｄ／ｍ^２より大きな輝度において、約４％より大きい外部量子効率を有することができる。他の当該実施形態では、当該デバイスは約１００ｃｄ／ｍ^２より大きな輝度において、約４％より大きい外部量子効率を有することができる。
【００３４】
本発明の更なる実施形態には式ＶＩの化合物を含む有機発光デバイスが含まれる。
【化１０】

式中において、Ｍは金属原子で、Ａ^１およびＡ^２のそれぞれは別々の単座配位子、或いはＡ^１およびＡ^２は共有結合で共に結合して二座配位子を形成し、そしてＲ^４がＦでＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^４がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９とＲ^１０のそれぞれが別々にＨ，活性化基或いは不活性化基、またはＲ^３がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９とＲ^１０のそれぞれは別々にＨ，活性化基或いは不活性化基、またはＲ^２がＯＣＨ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９とＲ^１０のそれぞれは別々にＨ，活性化基或いは不活性化基、またはＲ^４がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^３がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^２がＣＦ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^２とＲ^４がそれぞれＦでＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^９がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^１０がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９のそれぞれは別々にＨ、活性化基または不活性化基である。
【００３５】
幾つかの当該実施形態によれば、Ａ^１およびＡ^２は共有結合で共に結合して二座配位子を形成することができる。他の当該実施形態では、二座配位子はモノアニオン性でありうる。いくつかの当該実施形態では、二座配位子がアセチルアセトネート（ａｃａｃ）、ピコリネート（ｐｉｃ）、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、アセチリデンまたは８−ヒドロキシキノリネートである。更なる他の当該実施形態では、二座配位子はアセチルアセトネートでありうる。
【００３６】
幾つかの当該実施形態では、Ｍは重金属でありうるか、またはＭはＩｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、ＲｅまたはＲｕでありうるか、またはＭはＩｒでありうるか、またはＭはＰｔでありうる。
【００３７】
本発明には更に式ＩＶの化合物を含む有機発光デバイスが含まれる。
【化１１】

式中において、Ｒ^４がＦでＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^４がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^３がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^２がＯＣＨ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^４がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^３がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^２がＣＦ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^２およびＲ^４がそれぞれＦでＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^４およびＲ^１０がそれぞれＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３およびＲ^９はそれぞれＨであるか、またはＲ^９がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^１０がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９はそれぞれＨである。
【００３８】
幾つかの当該実施形態では、Ｒ^４がＦでＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。他の当該実施形態では、Ｒ^４がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。他の当該実施形態では、Ｒ^３がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。他の当該実施形態では、Ｒ^２がＯＣＨ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。他の当該実施形態では、Ｒ^４がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。他の当該実施形態では、Ｒ^３がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。他の当該実施形態では、Ｒ^２がＣＦ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。他の当該実施形態では、Ｒ^２およびＲ^４がそれぞれＦでＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである。他の当該実施形態では、Ｒ^４およびＲ^１０がそれぞれＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３およびＲ^９はそれぞれＨである。他の当該実施形態では、Ｒ^９がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０はそれぞれＨである。他の当該実施形態では、Ｒ^１０がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９はそれぞれＨである。
【００３９】
本発明には更に式Ｖの化合物を含む有機発光デバイスが含まれる。
【化１２】

【００４０】
本発明は、更に本発明の１つ以上の化合物を含む有機発光デバイスのエレクトロルミネッセンス極大波長を増加させる方法を提供するが、前記方法は置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０について、前記置換基の少なくとも１つは前記化合物のＨＯＭＯエネルギーレベルに影響する活性化基であるか、または前記置換基の少なくとも１つが前記化合物のＬＵＭＯエネルギーレベルに影響する不活性化基であるように選択することを含む方法である。
【００４１】
本発明は、更に本発明の化合物を１つ以上含む有機発光デバイスのエレクトロルミネッセンス極大の波長を低下させる方法を提供するが、前記方法は置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０について、前記置換基の少なくとも１つは前記化合物のＨＯＭＯエネルギーレベルに影響する不活性化基であるか、または前記置換基の少なくとも１つが前記化合物のＬＵＭＯエネルギーレベルに影響する活性化基であるように選択する方法である。
【００４２】
本発明は同様に本発明のデバイスを含むピクセルを提供する。
【００４３】
本発明は同様に本発明のデバイスを含む電子ディスプレイを提供する。
【００４４】
（好ましい実施形態の詳細な説明）
本発明にはとりわけ式Ｉ、ＩＩおよびＩＩＩの化合物が含まれる。
【化１３】

式中において、Ｍは金属原子で、Ａ^１およびＡ^２はそれぞれ別々の単座配位子、またはＡ^１およびＡ^２は共有結合で共に結合して二座配位子を形成し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１１、ＯＲ^１１、Ｎ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（ＯＲ^１１）_２、ＰＯＲ^１１、ＰＯ_２Ｒ^１１、ＰＯ_３Ｒ^１１、ＳＲ^１１、Ｓｉ（Ｒ^１１）_３、Ｂ（Ｒ^１１）_２、Ｂ（ＯＲ^１１）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１１、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１１、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１１）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１１、ＳＯ_２Ｒ^１１、ＳＯ_３Ｒ^１１であり、加えてまたはその代わりにＲ^１とＲ^２、またはＲ^２とＲ^３、またはＲ^３とＲ^４、またはＲ^５とＲ^６、またはＲ^６とＲ^７またはＲ^７とＲ^８、またはＲ^９とＲ^１０のいずれの１つ以上が別々に共同して４から７員環基を形成し、そこでは前記環状基はシクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであり、前記環状基は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されており、それぞれのＲ^１１は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリール、Ｃ_３〜Ｃ_４０ヘテロアリールであり、そこでのＲ^１１は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されており、それぞれのＸは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１２、ＯＲ^１２、Ｎ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（ＯＲ^１２）_２、ＰＯＲ^１２、ＰＯ_２Ｒ^１２、ＰＯ_３Ｒ^１２、ＳＲ^１２、Ｓｉ（Ｒ^１２）_３、Ｂ（Ｒ^１２）_２、Ｂ（ＯＲ^１２）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１２、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１２）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１２、ＳＯ_２Ｒ^１２またはＳＯ_３Ｒ^１２であり、それぞれのＲ^１２は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_２０過ハロゲン化アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリールまたはＣ_３〜Ｃ_２０ヘテロアリールであり、ｍは金属原子Ｍの形式電荷で、ｎは１，２または３であり、そこではＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは式Ｉの化合物においてＨではない。本化合物には置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０および融合環状基のいずれの組み合わせが含まれることを意図している。
【００４５】
本発明の化合物によれば、Ｍは遷移金属類、ランタニド類、アクチニド類、主族金属、アルカリ金属類およびアルカリ土類金属類を含むいずれの金属原子でありうる。重金属は本化合物に熱安定性および優れたりん光特性を与え、二および三列目の遷移金属類、ランタニド類、アクチニド類と共に約１８より大きい原子番号を有する主族金属が含まれる。二列目の遷移金属類にはＺｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＡｇおよびＣｄのいずれかが含まれ、三列目の遷移金属類にはＬａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＡｕおよびＨｇのいずれかが含まれる。１８より大きい原子番号を有する主族金属にはＧａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｌ、Ｐｂ、ＢｉおよびＰｏが含まれる。幾つかの実施形態では、ＭはＩｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、ＲｅまたはＲｕである。他の実施形態では当該金属はＩｒである。当該金属原子Ｍはｍで指定されたいずれの形式電荷を有することができる。幾つかの実施形態では、当該形式電荷は１＋、２＋、３＋、４＋、５＋、６＋、７＋または８＋のように正である。更なる実施形態では、形式電荷は１＋より大きく、他の実施形態では形式電荷が２＋より大きく、その上更なる実施形態では形式電荷は３＋でありうる。
【００４６】
単座配位子Ａ^１およびＡ^２は１つの原子を通じて金属原子に配位することが可能ないずれの配位子を含むことができる。多くの単座配位子は当技術分野の当業者には既知のもので、多くの適した例は、その全容につき参照により本明細書に援用されているＣｏｔｔｏｎ ａｎｄ Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｆｏｕｒｔｈ Ｅｄ．，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９８０に供されている。幾つかの実施形態では、単座配位子はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＯ、ＣＮ、ＣＮ（Ｒ^１１）、ＳＲ^１１、ＳＣＮ、ＯＣＮ、Ｐ（Ｒ^１１）_３、Ｐ（ＯＲ^１１）_３、Ｎ（Ｒ^１１）_３、ＮＯ、Ｎ_３、または場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されている窒素含有複素環を含むことができる。本明細書で使用されている語句“窒素含有複素環”は、少なくとも１つの窒素原子を含有するいずれの複素環基を称する。窒素含有複素環は飽和または不飽和でありえて、ピリジン、イミダゾール、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、ピロール、１，３，４−トリアゾール、テテルゾール、イソオキサゾール、チゾール、それらの誘導体などが含まれうる。更なる実施形態ではＡ^１およびＡ^２の１つが中性単座配位子であり、Ａ^１およびＡ^２の片方はモノアニオン性、すなわちＡ^１およびＡ^２は（−１）の結合電荷を有すことができる。例えば、Ａ^１はクロロでありえ、Ａ^２はピリジルでありうる。
【００４７】
Ａ^１およびＡ^２共に二座配位子を表すことも同様にできる。数多くの二座配位子は当分野の当業者には知られていて、多くの適した例は、その全容につき参照により本明細書に援用されているＣｏｔｔｏｎ ａｎｄ Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｆｏｕｒｔｈ Ｅｄ．，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９８０に供されている。幾つかの実施形態では、二座配位子はモノアニオン性である。適した二座配位子にはアセチルアセトネート（ａｃａｃ）、ピコリネート（ｐｉｃ）、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、サリチリデン、８−ヒドロキシキノリネート、アミノ酸類、サリチルアルデヒド類およびイミノアセトネート類が含まれる。幾つかの適した二座配位子の構造を図５に提供している。二座配位子は同様にビアリール化合物を含むことができる。幾つかの実施形態では、当該ビアリール化合物は炭素原子および窒素原子を介して金属原子に配位している。本明細書で使用するように、語句“ビアリール”は単結合で共有結合された２つの基を含んだ化合物を称する。ビアリール化合物のアリール基は、単環式または多環式およびヘテロアリール基の両者を含むアリールまたはヘテロアリールでありうる。幾つかのビアリール基の例にはビフェニル、ビピリジル、フェニルピリジル、それらの誘導体などである。ビアリール化合物は、例えば２つのアリール基のそれぞれにおける１つの原子を介して配位することで金属配位錯体中の二座配位子として利用できる。当該配位する原子は炭素またはヘテロ原子でありうる。幾つかの更に適した二座配位子には２−（１−ナフチル）ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、クマリン、チエニルピリジン、フェニルピリジン、ベンゾチエニルピリジン、３−メトキシ−２−フェニルピリジン、チエニルピリジン、トリルピリジン、フェニルイミン類、ビニルピリジン類、アリールキノリン類、ピリジルナフタレン類、ピリジルピロール類、ピリジルイミダゾール類、フェニルインドール類、それらの誘導体などを含むことができる。更に適した二座配位子は図６（式において、ＺはＯ、ＳまたはＮＲで、ＲはＲ^１１およびｎは例えば０から５の範囲の置換基Ｒ数を表している）およびそれぞれの全体は参照により本明細書中に援用されている米国出願番号０９／２７４，６０９、０９／３１１，１２６、０９／４５２，３４６、０９／６３７，７６６、６０／２８３，８１４およびＬａｍａｎｓｋｙらの標題“Ｏｒｇａｎｉｃｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ａｎｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ”である出願日２００１年１０月１６日の米国出願番号＿＿＿の中に提供されている。
【００４８】
本発明の化合物は少なくとも１つの二座フェニルキノリナト（ｐｑ）配位子を含む。当該語句フェニルキノリナトまたはｐｑは置換および非置換配位子の両方を称することを意味し、配位したｐｑ配位子の数（ｎ）は１，２または３でありうる。幾つかの実施形態によれば、本発明の化合物はｍ−１のｐｑ配位子を含むか、幾つかの実施形態では２つのｐｑ配位子を含む。フェニルキノリナト配位子は上で定義した置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０で置換されることができる。置換基のいずれの組み合わせも適している。ｐｑ配位子の隣接炭素原子に付加した置換基は、当該配位子の環に融合した４から７員環基を共に含むことができる。例えば、Ｒ^１とＲ^２、またはＲ^２とＲ^３、またはＲ^３とＲ^４、またはＲ^５とＲ^６、またはＲ^６とＲ^７、またはＲ^７とＲ^８、またはＲ^９とＲ^１０のいずれかまたは１つ以上の対が融合した環状基を含むことができる。当該語句“融合した環状基”は１つ以上の結合を更なる環状基と共にする環状基を称する。本発明の化合物のフェニルキノリナト配位子は、０、１、２、３、４または５個の融合した環状基を含む一体化環状基置換基のいずれの数も有すことができる。融合した環状基のいかなる可能性ある組み合わせ、および一体化環状基に関与しないＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の残りは本発明で具体化される。本発明の幾つかの実施形態では、式Ｉの化合物についてＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つはＨではない。本発明の幾つかの実施形態では、式ＩＩの化合物についてＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つはＨではない。本発明の幾つかの実施形態では、式ＩＩＩについてＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つはＨではない。更なる実施形態では、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０のいずれかがＨ、メチル（ＣＨ_３）、トリフルオロメチル（ＣＦ_３）、メトキシ（ＯＣＨ_３）またはフルオロ（Ｆ）でありえて、他の実施形態ではＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つがＣＨ_３、ＣＦ_３、ＯＣＨ_３またはＦでありうる。それに加えて、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０のいずれかがＨ、活性化基または不活性化基でありうる。その上更なる実施形態では、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はＨ以外の置換基である。
【００４９】
本発明には更に式Ｉの化合物が含まれるが、式中においてＭ、Ａ^１、Ａ^２、ｍおよびｎはこれまでに定義したとおりで、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０は別々にＨ、活性化基或いは不活性化基で、それに加えて或いはそれの代りとしてＲ^１とＲ^２、またはＲ^２とＲ^３、またはＲ^３とＲ^４、またはＲ^５とＲ^６、またはＲ^６とＲ^７またはＲ^７とＲ^８、またはＲ^９とＲ^１０のいずれか１つ以上が別々に融合した４から７員環基を共に形成し、そこでは当該環状基はシクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであり、そこでは当該環状基は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されていて、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは活性化基または不活性化基またはＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは不活性化基である。
【００５０】
本発明には更に式ＶＩの化合物が含まれるが、
【化１４】

式中においてＭ、Ａ^１、Ａ^２はこれまでに定義したものである。式ＶＩに従えば、Ｒ^４がＦでありえて、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれ別々にＨ、活性化基または不活性化基でありえるか、またはＲ^４がＯＣＨ_３でありえて、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれ別々でＨ、活性化基または不活性化基でありえるか，またはＲ^３がＯＣＨ_３で、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれ別々にＨ、活性化基または不活性化基でありえるか、またはＲ^２がＯＣＨ_３でありえて、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれ別々でＨ、活性化基または不活性化基でありえるか、またはＲ^４がＣＦ_３でありえて、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれ別々にＨ、活性化基または不活性化基でありえるか、またはＲ^３がＣＦ_３でありえて、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれ別々でＨ、活性化基または不活性化基でありえるか、またはＲ^２がＣＦ_３でありえて、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれ別々でＨ、活性化基または不活性化基でありえるか、またはＲ^２およびＲ^４がそれぞれＦでありえて、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれ別々でＨ、活性化基または不活性化基でありえるか、またはＲ^９がＣＨ_３でありえて、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０がそれぞれ別々にＨ、活性化基または不活性化基でありえるか、またはＲ^１０がＣＨ_３でありえて、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９がそれぞれ別々にＨ、活性化基または不活性化基でありえる。
【００５１】
本発明には更に式ＩＶの化合物が含まれる。
【化１５】

式ＩＶに従えば、本発明の化合物にはＲ^４がＦで、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれＨ（化合物２）、またはＲ^４がＯＣＨ_３で、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれＨ（化合物４）、またはＲ^３がＯＣＨ_３で、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれＨ（化合物５）、またはＲ^２がＯＣＨ_３で、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれＨ（化合物６）、またはＲ^４がＣＦ_３で、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれＨ（化合物７）、またはＲ^３がＣＦ_３で、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれＨ（化合物８）、またはＲ^２がＣＦ_３で、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれＨ（化合物９）、またはＲ^２およびＲ^４がそれぞれＦで、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０がそれぞれＨ（化合物１０）、またはＲ^４およびＲ^１０がそれぞれＣＨ_３で、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^９がそれぞれＨ、またはＲ^９がＣＨ_３で、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０がそれぞれＨ（化合物１１）、またはＲ^１０がＣＨ_３で、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９がそれぞれＨ（化合物１２）であるものが含まれる。これらの化合物および他の物の構造は図１および図２に提供されている。
【００５２】
本発明で同様に具体化されているのは式Ｖ（化合物１３）の化合物である。
【化１６】

活性化基および不活性化基は当分野の当業者には良く知られており、そして／または簡単に日常的な測定で確認できる。理論によって充分理解されているように、活性化および不活性化基は芳香族化合物の親電子置換反応におけるアレーニウムイオン中間体状態を安定化または不安定化させ、そして配向を導く（即ち、オルト−パラ対メタ配向因子）それら個々の能力に関して名づけられている。ある置換基の活性化または不活性化能力は誘起効果および共鳴効果を含んだ幾つかの因子で支配されている。いずれの特定の理論に縛られる積もりは無いが、当該誘起効果は置換基が結合している分子と当該置換基の静電的相互作用に起因している。例えば、当該置換基がそれを結合している原子より電気陰性であれば、当該置換基は当該分子から電子密度を誘導的に引き付ける。より高い電子陰性度を有する置換基はより強い誘起効果を有する。完全または部分的荷電を担う置換基は同じように電子密度を誘起的に引き付ける傾向がある。他方、当該共鳴効果は分子の共鳴安定化への置換基の寄与に関連する。例えば、電子の非共有電子対を有する置換基は当該共有電子対の非局在化により芳香族分子に対し更なる共鳴構造への寄与ができる。
【００５３】
誘起および共鳴効果の種々なる寄与は置換基の活性化または不活性化の能力を決定するのを助ける。不活性化する置換基は誘起効果を通じてのようにして当該分子から電子密度を引き付けて求電子置換のアレーニウムイオン中間体を不安定化する傾向がある。そこで、ハロゲンのような電気陰性の強い置換基は、不安定化誘起効果が安定化共鳴効果より優位に立つので不活性化と考えられる。ヒドロキシまたはメトキシのような、より弱い電気陰性置換基は当該酸素孤立電子対を含む共鳴効果が不活性化誘起効果を上回る傾向があるので活性化と考えられる。アルキル基は共鳴安定化に寄与する孤立電子対に欠けるので、超共役による典型的な活性化基と考えられる。
【００５４】
幾つかの適した活性化基には、例えばアルキル、ヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、ヒドロキシ、メルカプト、チオラト、アミノ、ホスフィノ、アルキルカルボニルアミノ、アリールカルボニルアミノなどが含まれる。例として、メチルおよびメトキシは活性化基として働く。幾つかの適した活性化基は電子の孤立電子対を有する（例えば、アルコキシ、アミノほか）。幾つかの適した不活性化基には、たとえばハロ、シアノ、ニトロ、アルデヒド、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アンモニウム、過ハロゲン化アルキル、カルボン酸、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、スルホ（ＳＯ_３Ｈ）などが含まれる。例として、フルオロおよびトリフルオロメチルは不活性化基として役立つことができる。活性化および不活性化基は、たとえば全体につき参照により本明細書中に援用されているＴ．Ｗ．Ｇｒａｈａｍ Ｓｏｌｏｍｏｎｓ，ＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｆｉｆｔｈ ｅｄ．，ｐｐ．６５４〜６６１（１９９２）にて詳細に扱われている。
【００５５】
本明細書で使われている語句“アルキル”には直鎖、分岐および環状アルキル基が含まれる。幾つかの実施形態では、アルキル基はＣ_１〜Ｃ_２０アルキル基である。アルキル基の例にはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、シクロヘキシル、ノルボルニルなどが含まれる。本明細書で使用されている語句“ヘテロアルキル”は、Ｏ，ＳまたはＮのような１つ以上のヘテロ原子を含むアルキル基を称する。ヘテロアルキル基は同様に不飽和を含むことができる。ヘテロアルキル基の例にはピロリジニル、ピペリジニル、モルフォリニルなどが含まれる。語句“過ハロゲン化アルキル基”はハロゲンで置換されたアルキル基を称する。過ハロゲン化アルキル基の例にはトリフルオロメチル、トリクロロメチル、ペンタフルオロエチルなどが含まれる。“アルケニル”基は１つ以上の二重結合を有するアルキル基を称し、“アルキニル”基は１つ以上の三重結合を有するアルキル基を称する。“アルコキシ”基は約１から約２０の炭素原子を有することができ、例えばメトキシ、エトキシ、プロポコシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシなどを含むことができる。“アリールオキシ”基は約３から約４０の炭素原子を持つことができ、例えばフェノキシなどを含むことができる。“アリール”基はいずれのモノ−または多環式芳香族基でありえて、“ヘテロアリール”はＯ、ＳまたはＮのような１つ以上のヘテロ原子を含むアリール基を称する。アリール基は３から約４０の炭素原子を有し、例えばフェニル、４−メチルフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントリルなどを含むことができる。ヘテロアリール基は、例えばピリジル、インドリル、ベンゾチオフェン、キノリニルなどを含むことができる。本明細書で使用されている“アミノ”基にはアミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノおよびジアリールアミノ基が含まれる。アミノ基の例には、ＮＨ_２、メチルアミノ、ジメチルアミノ、フェニルアミノ、ジフェニルアミノなどが含まれる。本明細書で使用する“ホスフィノ”基にはホスフィノ、アルキルホスフィノ、ジアルキルホスフィノ、アリールホスフィノおよびジアリールホスフィノが含まれる。ホスフィノ基の幾つかの例にはＰＨ_２、メチルホスフィノ、ジメチルホスフィノ、フェニルホスフィノ、ジフェニルホスフィノなどが含まれる。“チオラト”基は約１から約２０の炭素原子を有することができ、例えばチオメトキシ、チオフェノキシなどを含むことができる。“ハロ”基には例えばフルオロ、クロロ、ブロモおよびヨードが含まれる。
【００５６】
本発明の化合物はホトルミネセンスを発することができる。幾つかの実施形態では、本化合物は効率的なりん光体で、例えばりん光発光から生じるルミネセンスの大部分を有する。当該化合物は、赤、緑、青および他の色（即ち、赤−橙、青−緑など）を含むいずれの色も発光できる。幾つかの実施形態では、当該発色は赤または赤様でありうる。発光の色はホトルミネセンススペクトルから概算できる。約５５０から約７００ｎｍのルミネセンス極大は赤または赤様発光を示すことができる。より低い波長での極大は緑または青の発光を示す。加えて、本発明の化合物に関する発光の色は色指数座標のｘ軸およびｙ軸で説明することができる（Ｃｏｍｍｉｓｉｏｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｎａｌｅ ｄｅ Ｌ′Ｅｃｌａｉｒａｇｅ（ＣＩＥ）１９３１ ｓｔａｎｄａｒｄ ２−ｄｅｇｒｅｅ ｏｂｓｅｒｂｅｒ；参照、例えばＳｈｏｕｓｔｉｋｏｖ等、ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｔｏｐｉｃｓ ｉｎ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，１９９８，４，３；Ｄａｒｔｎａｌｌ等、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ ｔｈｅ Ｒｏｙａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｌｏｎｄｏｎ Ｂ，１９８３，２２０，１１５；Ｇｕｐｔａ等、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９８５，３０，１７３；Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ，２ｎｄ ｅｄ．，Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ ＣＩＥ １５．２−１９８６（ＩＳＢＮ ３−９００−７３４−００−３）；ａｎｄ ｗｗｗ．ｃｉｅ．ｃｏ．ａｔ／ｃｉｅ／）。例えば、赤で発光する化合物はｘ軸につき０．５から０．８およびｙ軸につき０．２から０．５の座標を有することができる。色座標のいずれの組み合わせも本発明の化合物の範囲内に入ることができる。
【００５７】
種々の置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０によりフェニルキノリナト配位子の置換は発光色に影響を与える。事実、発光色は置換基の慎重な選択による本発明の化合物における意図的に制御または“同調”をすることができる。発光色は当該化合物のＨＯＭＯとＬＵＭＯエネルギーレベル間のエネルギーギャップに影響されやすいので、これらの分子軌道の一方または両方に予想通りに影響する置換基を、ある色を達成するために本発明の化合物に目的に応じて組み込むことができる。例えば分子軌道（ＭＯ）計算は、配位子のフェニルおよびキノリニル部分のどの炭素原子がＨＯＭＯまたはＬＵＭＯに寄与するかを示すのに役に立てることができる。ビス（フェニルキノリナト配位子）錯体についてのＭＯ計算例からの結果を図７および図８に示す。図７は配位子原子を示すが、それは当該フェニル部分に主にあり、ＨＯＭＯに関与する。図８では当該キノリニル部分に主にある配位子原子を示すが、それはＬＵＭＯに関与する。ＨＯＭＯに関与している当該配位子の原子に結合した置換基は、ＨＯＭＯに対し安定化（そのエネルギーを低下させて）または不安定化（そのエネルギーを上昇させて）させて影響を与える。従って活性化させ、当該ＨＯＭＯに寄与する炭素原子に結合した置換基は当該ＨＯＭＯエネルギーレベルを上昇でき、それによりＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップを低下させ発光波長を増大させる（赤方偏移、深色効果）。同様に不活性化させる置換基（主に電子求引性）はＨＯＭＯエネルギーレベルを低下することができ、それによりＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップを増大させ、発光の波長を低下させる（青方偏移、浅色効果）。逆に、活性化する置換基でＬＵＭＯに寄与する炭素原子に結合した置換基はＬＵＭＯエネルギーレベルを上昇させることができ、それによりＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップを増大させ、発光の波長を低下させる。同様に、不活性化する置換基でＬＵＭＯに寄与する炭素原子に結合している置換基はＬＵＭＯエネルギーレベルを低下させることができ、それによりＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップを減少させ発光波長を増加させる。加えて、不活性化基はＨＯＭＯまたはＬＵＭＯのいずれにも関与しない配位原子（即ち、節）に置換でき、一般的に青方偏移した発光色を生じる。
【００５８】
明らかなことであるが、望ましい色調を得るために配位子や置換基部位を選択することにより意図して発光色を赤方偏移または青方偏移が行える。従って、ホトルミネッセンス極大で測定できるような発光の波長（または本発明の化合物を含むデバイスに関するエレクトロルミネッセンス極大）を、同じ構造を有するが当該置換位置（ｓ）に水素を有する標準化合物からの発光と比較して本発明の化合物について増加させる方法を本発明は網羅している。幾つかの実施形態では、当該方法は置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９またはＲ^１０を、これら置換基の少なくとも１つが当該化合物のＨＯＭＯエネルギーレベルに影響する活性化基であるように選択することを含む。その代わりにまたはこれに加えて当該置換基が前記化合物のＬＵＭＯエネルギーレベルに影響する不活性化基でありうる。以下の実施例２では本発明の代表的な方法からの結果を詳細に述べている。同様に、本発明には更に本発明の化合物に関するホトルミネッセンス極大により測定できるような発光波長（または本発明の化合物を含むデバイスに関するエレクトロルミネッセンス極大）を、同じ構造であるが置換部位（ｓ）に水素を有する標準化合物と比較して低下させる方法が含まれる。幾つかの実施形態では当該方法は、置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０につき、これらの置換基の少なくとも１つが当該化合物のＨＯＭＯエネルギーレベルに影響を及ぼす不活性化基であるように選択することを含む。その代わりとしてまたはそれに加えて、当該置換基の少なくとも１つは当該化合物のＬＵＭＯエネルギーレベルに影響を及ぼす活性化基でありうる。
【００５９】
幾つかの実施形態では、発光波長を増加する方法はＲ^３が活性化基であるように置換基を選択することを含むことができる。それとは逆に、不活性化基としてＲ^３を選択することは発光波長を低下させる際の本発明による方法に関連しうる。他の実施形態では、発光波長を増加させる方法はＲ^１０を不活性化基として選択することを含むことができる。同様に、発光波長を低下させる方法は活性化基としてＲ^１０を選択することを含むことができる。
【００６０】
本明細書で説明した化合物を調製するプロセスを本発明で具体化する。式Ｉの化合物に関する合成の図解を図３で示す。式ＩＩの化合物に関する合成の図解は図４に示す。式ＩＩＩの化合物は同様に作成することができる。本発明に従った望ましい置換基を有するフェニルキノリナト配位子（Ｌ）は、望む置換基を有するフェニルボロン酸と同様に望む置換基を有するクロロキノリン（例えば、２−クロロキノリン、３−クロロキノリンまたは２−クロロイソキノリン）と結合する一般的手順を用いて作成することができる。例えば、結合手順はパラジュウム（ＩＩ）の存在下、Ｓｕｚｕｋｉの条件で実施できる（参照、例えば、Ｍｉｙａｕｒａ等、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．１９９５，２４５７）。当該キノリン（またはイソキノリン）およびボロン酸の出発原料は市販元から得られるか、当技術分野で知られている方法で合成できる。例えば、３−クロロイソキノリンはＨａｗｏｒｔｈ，Ｒ．Ｄ．，等、Ｊ．Ｃｈｅｍ．，Ｓｏｃ．，１９４８，７７７に記載された手順により作成できる。
【００６１】
例えば金属ハロゲン化物錯体と当該配位子を接触させると、望む置換基を有するフェニルキノリン配位子（Ｌ）が金属原子と配位することができる。金属ハロゲン化物錯体には１つ以上のハロゲン化物配位子に配位した少なくとも１つの金属を含む化合物が含まれる。金属ハロゲン化物錯体は式Ｍ（Ｑ）_ｑでありえて、Ｑはハロゲン化物配位子でｑはハロゲン化物配位子の数である。例えば、ｑは約２から約６の範囲でありうる。イリジウム含有化合物の調製の際には、当該ハロゲン化金属錯体はＩｒＣｌ_３でありうる。ハロゲン化金属錯体のあれこれは当該分野では良く知られていて、市販で入手できる。充分な時間と条件があれば、当該接触でハロゲン化物およびフェニルキノリン配位子Ｌの混合配位を有する金属含有中間体の生成を生じることができる。幾つかの実施形態では、当該中間体の金属原子が少なくとも１つのＬに配位することができる。他の実施形態では、当該中間体の金属原子が２つのＬに配位することができる。更なる実施形態では、当該中間体は多核でありえて、例えば１つより多い金属原子および橋架けハロゲン化物配位子を含む。当該金属ハロゲン化物錯体がＩｒＣｌ_３であるとき、当該金属含有中間体はイリジウム二量体錯体で、例えば構造Ｌ_２Ｉｒ（μ−Ｃｌ）_２ＩｒＬ_２を有する。橋架けハロゲン化物を含む中間体のいずれの残存するハロゲン化物配位子は、式ＩまたはＩＶのいずれかにおいてＡ_１やＡ_２で表されるような１つ以上の付属的配位子による配位子置換により取り替えることができて本発明の化合物を生成する。Ａ_１やＡ_２は単座配位子でありえるが、結合して単一の二座配位子を形成する。例えば、２，４−ペンタンジオンは塩基存在下で当該金属含有中間体中の配位したハロゲン化物配位子と入れ代わり、本発明のアセチルアセトナト錯体を生じる。本発明の典型的な化合物は実施例３〜１５に供せられている。
【００６２】
本明細書に説明した化合物は有機発光デバイス中のエミッタとして使用することができる。従って、当該化合物は当該デバイスの発光層（即ち、光が主に発光される層）に存在しうる。当該発光層は、例えば本発明の１つ以上の化合物で本質的に構成された層でありうる。本化合物は同じようにドーパントとしても存在することができる。例えば、発光層は本化合物の１つ以上でドープされたホスト材料を含むことができる。当該ホスト材料は有機および有機金属化合物を含む、ＯＬＥＤの発光層に適したいずれの化合物も含むことができる。例えば、有機ホスト材料はＢＣＰ（バソクプロインまたは２，９−ジメチルー４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル）、ＯＸＤ７（１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＴＡＺ（３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール）、ＮＡＰ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル）などを含むことができる。他のホスト材料はＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）、Ａｌｑ３（アルミニウムトリス（８−ヒドロキシキノレート）、ＢＡｌｑ（（１，１’−ビフェニル）−４−オラト）ビス（２−メチル−８−キノリノラトＮ１，Ｏ８）アルミニウム）などを含むことができる。発光層に含むことができる他の材料には、本発明の化合物に加えてＩｒｐｐｙ（トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ））、ＦＩｒｐｉｃ（ビス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（ピコリネート））、およびそれぞれの全容を参照により本明細書中に援用してある米国特許出願第０９／２７４，６０９；０９／３１１，１２６；０９／４５２，３４６；０９／６３７，７６６；６０／２８３，８１４および２００１年１０月１６日出願したＬａｍａｎｓｋｙ等の“Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ａｎｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ”という標題の米国特許出願第______号が含まれる。ドーパントとして本化合物はホスト材料中のような当該発光層、ホスト材料のような中に約１から約２０重量％、約５から約１５重量％、約５から約１０重量％または他の同様な範囲で存在できる。
【００６３】
従って、本発明には本発明の化合物を含む組成物が含まれる。幾つかの実施形態では、組成物は本発明の少なくとも１つの化合物およびＯＬＥＤに使用するのに適した更なる化合物を含む。例えば、更なる化合物は上記したホスト材料のいずれかを含むことができる。それに加えて、更なる化合物は上記および参照で挙げたＦＩｒｐｉｃ、Ｉｒｐｐｙおよび他の錯体のような他のエミッタまたは金属錯体を含むことができる。
【００６４】
本化合物を含むデバイスは既知のデバイスに比べて優れた特質を有している。例えば、高い外部量子効率および発光効率が本デバイスでは達成される。デバイスの寿命は同じように一般的に報告されている最も安定な蛍光性デバイスのいくつかより良いか、少なくとも同等である。本発明による幾つかのデバイスに関するデータは実施例１に提供した。
【００６５】
本発明のデバイスはいかなる色も発光できる。例えばイリジウムを含むような本発明の幾つかのデバイスは赤色エミッタでありうる。本発明の赤のデバイスは約５５０から約７００ｎｍのエレクトロルミネッセンス極大を有すことができる。同様に本発明の赤のデバイスについての色指数座標（ＣＩＥ表色系）はｘ軸で０．５から０．８およびｙ軸で約０．２から０．５の範囲で変動することができる。幾つかの実施形態では、例えば赤のデバイスのようなデバイスは、輝度が１０、１００、１０００ｃｄ／ｍ^２またはそれより大きいとき約４％、５％、６％、７％、８％、１０％、１２％またはそれより大きい外部量子効率を有すことができる。
【００６６】
典型的なデバイスは、正孔注入アノード層および電子注入カソード層の間に１つ以上の層を挟むような構造をしている。当該挟まれた層は２つの側面を持ち、一面はアノードに他面はカソードに面している。層は一般的にはガラスのような基板上に堆積させ、その上に当該アノード層または当該カソード層が備わっていてもよい。幾つかの実施形態では、当該アノード層は当該基板と接している。幾つかの実施形態では、例えば当該基板が導電性または半導電性材料を含む場合、絶縁材料は当該電極層および当該基板の間に挿入できる。剛直、柔軟、透明または半透明であってよい典型的基板の材料には、ガラス、高分子、石英、サファイアなどを含む。
【００６７】
幾つかの実施形態では、本発明のデバイスは本化合物（例えば、発光層）を含む層に加えて更なる層を含む。例えば、当該電極に加えてデバイスには、正孔阻止層、電子阻止層、正孔注入層、励起子阻止層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層または電子注入層のいずれか１つ以上が含まれる。アノードはインジウム−すず酸化物（ＩＴＯ）、Ｚｎ−Ｉｎ−ＳｎＯ_２のような酸化物材料を含むことができ、カソードはＭｇ、Ｍｇ：ＡｇまたはＬｉＦ：Ａｌのような金属層を含むことができる。他の材料の中でも、当該正孔輸送層（ＨＴＬ）はトリアリールアミン類またはそれぞれの全体が参照により本明細書中に援用されている米国特許出願番号第６０／３１７，５４０号および第６０／３１７，５４０号に記載されている金属錯体を含むことができる。同様に、当該電子輸送層（ＥＴＬ）は、例えばアルミニウムトリス（ヒドロキシキノレート）（Ａｌｑ_３）または他の適した材料を含むことができる。これに加えて、正孔注入層は、例えば４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）またはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＤＯＴ）のような重合体材料または例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）のような金属錯体または他の適した材料を含むことができる。正孔阻止、電子阻止および励起子阻止層は、例えばＢＣＰ、ＢＡｌｑおよびＦＩｒｐｉｃ或いはそれぞれの全体につき参照により本明細書中に援用されてある米国出願番号第６０／３１７，５４０号および第６０／３１７，５４０号に記載されている他の金属錯体を含むことができる。本発明の化合物は上で説明した層のいずれの中にも含まれることができる。
【００６８】
本発明の発光デバイスは当分野の当事者であれば良く知っている種々の手法で作製できる。中性金属錯体から構成されるものを含む小分子層は、１９９７年１１月１７日に出願された米国出願番号第０８／９７２，１５６号に全体が参照により本明細書中に援用されている真空蒸着法、有機蒸着法（ＯＶＰＤ）或いはスピン被膜法のような溶液処理で調製できる。荷電金属錯体の塩のような荷電した化合物の層はスピン被膜法または参照により本明細書中に援用されている米国特許第５，５５４，２２０号で公開されているようなＯＶＰＤ法で調製される。必ずしも必要ではないが、層の堆積は一般的に当該アノードから当該カソードの方向に進行し、当該アノードは典型的には基板上に置かれている。それらの作製用のデバイスおよび手法は文献全体、および例えばそれぞれ全容が参照により本明細書中に援用されている米国特許番号第５，７０３，４３６；５，９８６，４０１；６，０１３，９８２；６，０９７，１４７および６，１６６，４８９に記述されている。当該デバイスの底面（即ち基板側）の外側に実質的に向かって発光するデバイスについては、ＩＴＯのような透明アノード材料が底面電極として使用することができる。そのようなデバイスの表面電極、典型的にはカソードは透明である必要はないので高導電性を有する厚くて反射性金属層から構成できる。対照的に、透明または表面発光デバイスでは、それぞれ全容が参照により本明細書中に援用されている米国特許番号第５，７０３，４３６および５，７０７，７４５にて開示されているように透明なカソードが用いられる。上表面発光デバイスは不透明および／または反射性基板を有してもよいが、光は当該デバイスの上表面から外に実質的に生じる。デバイスは同様に全体が透明でありえて、上表面および底面からの両方に発光できる。
【００６９】
上表面発光デバイスに用いられているような透明カソードは、好ましくは光伝送が少なくとも５０％を有するデバイスであるような光伝送特性を持つが、より低い光伝送でも使用することはできる。幾つかの実施形態では、デバイスが少なくとも約７０％、８５％またはより大きい光学伝送を有することを可能にさせる光学特性を有する透明カソードがデバイスには含まれる。米国特許番号第５，７０３，４３６および第５，７０７，７４５号に記載されているような透明カソードは典型的に、例えば約１００Å未満の厚さのＭｇ：Ａｇのような金属の薄層を含む。当該Ｍｇ：Ａｇ層は透明で、電気導電性で、スパッタ堆積したＩＴＯ層で被覆することができる。当該カソードはしばしば化合物カソードまたはＴＯＬＥＤ（透明ＯＬＥＤ）カソードと称せられる。化合物カソードにおけるＭｇ：ＡｇおよびＩＴＯ層それぞれの厚さは、高光学伝送と高電気導電率、例えば正方形当たり約３０から１００オームの全カソード抵抗を反映するような電気導電率との望ましい組み合わせを作り出すように調整できる。しかしながら、そのような比較的低い抵抗率はある種の応用面では許容できるが、その程度の抵抗率でも各ピクセルを動かす電力の電流を化合物カソードの狭い細片を介して全配列に流す必要があるパッシブマトリックス配列ＯＬＥＤピクセルに対しては幾らか大きすぎるといえる。
【００７０】
本発明の発光デバイスは電子ディスプレイについてのピクセルに使用できる。実際上電子ディスプレイのいかなる型でも本デバイスを組み込むことができる。ディスプレイにはコンピュータモニター、テレビジョン、携帯情報端末、プリンター、装置パネル、広告板などが含まれる。特に、本デバイスはフラットパネルディスプレイおよびヘッドアップディスプレイに使用できる。
【００７１】
以下の実施例では本発明を具体的に説明するが、本発明を制限するものではない。当分野の当業者であれば日常の実験において本明細書で説明した特定の物質および手順と同等な多くのものを知ったり確かめることができたりするだろう。当該同等物は本発明の範囲内とみなされる。
【実施例】
【００７２】
（実施例１）：化合物およびデバイスの特性
置換したフェニルキノリナトイリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート化合物２から１３および比較用化合物１（参照図１および図２）を特性化し、ガラス／ＩＴＯ／ＣｕＰｃ／ＮＰＤ／ＣＰＢ：ドーパント／ＢＡｌｑ／Ａｌｑ_３／ＬｉＦ／Ａｌの構造を有する有機発光デバイスの発光ドーパントとして使用した。当該化合物およびデバイスの光物理的性質は表１に具体的に示すように驚くぐらい顕著である。デバイス発光は橙色から深赤色まで範囲がある。最も高い効率は化合物１１を含んでいる橙色−赤色デバイスから得られた。８％より大きな外部量子効率および２０ｃｄ／Ａより高い発光効率がフルカラーディスプレイの輝度レベル、例えば１０〜１０００ｃｄ／ｍ^２において定常的に得られた。これらの効率はＨａｔｗａｒ等のＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ １０^ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｉｐ ｏｆ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，Ｄｅｃｅｍｂｅｒ，２０００，Ｈａｍａｍａｔｓｕ，Ｊａｐａｎ，ｐ３１で報告されているＤＣＪＴＢデバイスのような既知の赤色発光蛍光デバイスに対して殆ど桁違いの大きさである。一定電流の運転における寿命の研究は、初期輝度３００ｃｄ／ｍ^２において半減期は外挿すると５，０００時間より長いことが示された。
【００７３】
【表１】

【００７４】
（実施例２）：発光色の同調
本発明の化合物のＨＯＭＯに関与する配位原子へ活性化置換基を結合すると、非置換標準化合物と比較してホトルミネッセンス極大において５０ｎｍの赤方偏移が観測された。例えば、化合物５（参照、図１）についてのホトルミネッセンス極大は図１にて６５６ｎｍとして示されている。これは６０６ｎｍ（表１）にホトルミネッセンス極大を有する標準化合物１（参照、図１）と比較して５０ｎｍの増加である。ＭＯ計算ではＲ^３置換基はＨＯＭＯに寄与することを予測した（参照、図７）。実際、Ｒ^３における活性化メトキシによる置換は、Ｒ^３が水素である標準化合物１と比較したときにホトルミネセンスにおいて明確に赤方偏移が生じる。
【００７５】
（実施例３）：ビス（２−フェニルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（化合物１）の合成
工程１
２−フェニルキノリン（６．０ｇ、２９ミリモル）および塩化イリジウム水和物（ＩＩＩ）（５．２ｇ、１４ミリモル）を、２−メトキシエタノール８０ｍＬおよび蒸留水２０ｍＬを含有するフラスコに加えた。当該反応混合物を還流まで加熱し、窒素雰囲気下で２４時間攪拌した。冷却後、生成した赤色沈殿を減圧濾過し、まず無水アルコール、次いでヘキサンで洗浄した。当該ジクロロ−橋架け二量体を減圧オーブンで乾燥すると６．７ｇ（収率３８％）が得られた。当該生成物はそれ以上精製せずに次ぎの工程でそのまま使用した。
工程２
当該ジクロロ−橋架け二量体（６．７ｇ、５．３ミリモル）を２−メトキシエタノール（１５０ｍＬ）を含有する２００ｍＬの溶液に添加した。当該反応混合物に炭酸ナトリウム（５．６ｇ、５３ミリモル）および２，４−ペンタンジオン（５．３ｇ、５３ミリモル）を加えた。当該反応混合物を１０５℃に加熱し、窒素下で１８時間攪拌した。当該反応物を室温に冷やし、沈殿物を減圧濾過した。当該濾過した生成物を蒸留水５００ｍＬに加え、１０分間攪拌した。当該赤色沈殿物を減圧濾過し、更に蒸留水で洗浄した後、無水エタノール、次いでヘキサンで数回洗浄するとビス（２−フェニルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（３．０ｇ）が得られた。真空昇華により精製して目的生成物を得た。
【００７６】
（実施例４）：ビス［２−（２−フルオロフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（化合物２）の合成
工程１
２−クロロキノリン（４．９ｇ、３０ミリモル）、２−フルオロフェニルボロン酸（５．０ｇ、３６ミリモル）およびＫ_２ＣＯ_３（１２ｇ）をエチレングリコールジエチルエーテル５０ｍＬおよび水７５ｍＬの混合溶媒中に溶解した。当該攪拌している溶液にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１．７ｇを加え、当該混合溶液をＮ_２下で２０時間還流した。当該反応混合物を冷却し、当該水相は塩化メチレンで３回抽出した。合わせた有機相を食塩水で洗浄した。当該有機層はその後に無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過そして溶媒を蒸発させた。当該粗成分はシリカゲルカラムで精製すると、２−（２−フルオロフェニル）キノリン（６．４ｇ、収率９６％）が得られた。
工程２
２−（２−フルオロフェニル）キノリン（６．２ｇ、２８ミリモル）を２−メトキシエタノール９０ｍＬおよび水３０ｍＬの混合溶媒に溶解した。当該攪拌溶液に塩化イリジウム三水和物４．９ｇを添加した。当該混合物を一夜Ｎ_２下で還流した。当該溶液を冷却し、濾過した。当該赤色固体をエタノールで２回洗浄し、減圧で乾燥すると２−（２−フルオロフェニル）キノリンＩｒ二量体（５．２ｇ）が得られた。
工程３
２−（２−フルオロフェニル）キノリンＩｒ二量体（５．２ｇ）を２−メトキシエタノール９０ｍＬに添加し、攪拌している当該溶液に２，４−ペンタンジオン１．０ｇおよび炭酸ナトリウム４．２ｇを添加した。当該混合物をＮ_２下で１００℃に加熱して一夜攪拌した。冷却した混合物はその後濾過すると、ビス［２−（２−フルオロフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（３．０ｇ）が得られ、更に真空昇華で精製した。
【００７７】
（実施例５）：ビス［２−（２−メチルフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（化合物３）の合成
工程１
５００ｍＬの丸底フラスコに２−クロロキノリン（４．７ｇ、３１ミリモル）、ｏ−トリルフェニルボロン酸（４．７ｇ、３６ミリモル）をエチレングリコールジメチルエーテル１００ｍＬに入れたものを加えた。炭酸ナトリウム（８．９ｇ、８４ミリモル）を蒸留水５０ｍＬに溶かし、当該反応混合物に添加した。トリフェニルホスフィン（０．８ｇ）の０．１モル％、次いで酢酸パラジウム（ＩＩＩ）（０．２ｇ）の０．０２５モル％を添加した後、当該反応物を窒素雰囲気下で４時間加熱した。冷却後、追加の酢酸エチルを加え、当該水層を破棄した。当該有機層を飽和食塩水で洗浄した。当該有機層を硫酸マグネシウムにて乾燥し、濾過し、そして当該溶媒をロータリーエバポレータで除去した。当該粗黄色油をシリカゲルカラムおよび２０％酢酸エチル／ヘキサンを溶出液として用いたカラムクロマトグラフィーで精製した。当該純粋な生成物を集め、合わせ、濃縮すると２−（２−メチルフェニル）キノリン（６．０ｇ、収率７５％）が得られた。
工程２
２−（２−メチルフェニル）キノリン（６．０ｇ、２７ミリモル）および塩化イリジウム（ＩＩＩ）三水和物（５．２ｇ、１５ミリモル）を２エトキシエタノール（８０ｍＬ）および水（２０ｍＬ）の溶液を入れたフラスコに加えた。当該反応混合物を還流まで加熱し、窒素雰囲気下で２０時間攪拌した。冷却後に生成した暗赤色の沈殿を濾過し、エタノール次いでヘキサンで洗浄するとジクロロ−橋架け二量体（６．４ｇ）が得られた。
工程３
上記ジクロロ−橋架け二量体（２．７ｇ、２０ミリモル）および２，４−ペンタンジオン（２．０ｇ、２０ミリモル）をジクロロメタンおよび炭酸カリウム（５．５ｇ、５０ｍＬ）に加えて一夜還流した。当該反応混合物を冷却し、固体を減圧濾過で除去した。濾液を濃縮し、粗生成物を酢酸エチルおよびヘキサンを溶離液として用いるとビス［２−（２−メチルフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（１．５ｇ）が得られ、それを更に昇華により精製した。
【００７８】
（実施例６）：ビス［２−（２−メトキシフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（化合物４）の合成
工程１
２−クロロキノリン（２．４５ｇ、１５．０ミリモル）、ｏ−メトキシフェニルボロン酸（２．７３ｇ、１８．０ミリモル）および炭酸カリウム（５．５９ｇ、４０．４ミリモル）を４０ｍＬのエチレングリコールジメチルエーテルおよび２０ｍＬの水に溶解した。当該攪拌している溶液にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．０４ｇ、０．８９ミリモル）を加え、混合物全体をＮ_２雰囲気下で２０時間還流させた。冷却した当該混合物から水を除去した。更に酢酸エチル（１５０ｍＬ）を加え、当該溶媒は１００ｍＬの食塩水を用いて３回洗浄した。当該有機層は無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過して溶媒は濃縮した。当該残留物を溶離液に５０％酢酸エチル／ヘキサンを用いたカラムクロマトグラフィーで精製すると２−（ｏ−メトキシフェニル）キノリンが得られた。
工程２
２−（ｏ−メトキシフェニル）キノリン（５．８５ｇ、２３．１ミリモル）および塩化イリジウム（ＩＩＩ）三水和物（４．０７ｇ、１１．５ミリモル）を２−メトキシエタノール（１００ｍＬ）および２０ｍＬの水を含有する溶液に溶解した。当該混合物全体をＮ_２雰囲気下で２４時間１００℃にて還流させた。当該溶液を室温まで冷却させ、赤色固体を集め、エタノールで２回洗浄して減圧中で乾燥すると２−（ｏ−メトキシフェニル）キノリン−ジクロロ−橋架けイリジウム二量体（４．５３ｇ、収率５３．６％）が得られた。
工程３
２−（ｏ−メトキシフェニル）キノリン−ジクロロ−橋架けイリジウム二量体（３．４９ｇ、２．３８ミリモル）および２，４−ペンタンジオン（０．５７ｇ、５．７２ミリモル）を２−メトキシエタノール（１５０ｍＬ）および炭酸ナトリウム（２．５３ｇ、２３．８ミリモル）を含有した溶液に添加した。当該混合物をＮ_２雰囲気下で２４時間、１０５℃で攪拌した。当該反応混合物を冷却した後、沈殿を集め、当該固体を水（２００ｍＬ）で３０分間洗浄した（攪拌を行いながら）。当該水混合物を減圧濾過し、当該固体はエタノールで洗浄した。当該生成物は減圧で乾燥すると、ビス［２−（２−メトキシフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（１．８０ｇ、４７．４％）が得られた。当該粗生成物は昇華で精製した。
【００７９】
（実施例７）：ビス［２−（３−メトキシフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（化合物５）
工程１
２−クロロキノリン（５．３８ｇ、３２．９ミリモル）および３−メトキシフェニルボロン酸（６．０ｇ、３９．５ミリモル）を１３０ｍＬのエチレングリコールジメチルエーテルに溶解する。当該溶液に２ＭのＫ_２ＣＯ_３の水溶液４４ｍＬを加え、次いでトリフェニルホスフィン（０．８６ｇ、３．２９ミリモル）および酢酸パラジウム（ＩＩＩ）（０．１８４ｇ，０．８２ミリモル）を添加した。当該反応混合物をＮ_２雰囲気下で一夜攪拌しながら還流した。当該反応混合物を冷却し、当該水層を廃棄した。更なる酢酸エチル２００ｍＬを添加し、当該溶媒は食塩水１５０ｍＬで２回洗浄した。当該有機層は無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過して蒸発した。当該粗生成物はシリカゲルのカラムクロマトグラフィーで、溶離液に２０％酢酸エチル／ヘキサンをもちいて精製した。純粋な画分を集め、当該溶媒を除去すると２−（３−メトキシフェニル）キノリン（７．９０ｇ、収率９４．８％）が得られた。
工程２
２−（３−メトキシフェニル）キノリン（７．５ｇ、２９．６ミリモル）および塩化イリジウム（ＩＩＩ）三水和物（５．２２ｇ、１４．８ミリモル）を２−メトキシエタノール１２０ｍＬおよび水３０ｍＬ中で攪拌し、Ｎ_２雰囲気下で２４時間還流した。当該混合物を室温まで冷却し、濾過し、集めたやや赤い沈殿をエタノールで洗浄した。当該固体はその後減圧で乾燥すると、ジクロロ−橋架け二量体（６．０９ｇ、収率５６．２％）が得られた。
工程３
２−（３−メトキシフェニル）キノリンＩｒ二量体（４．０ｇ、２．７３ミリモル）、２，４−ペンタンジオン（０．６８ｇ、６．８３ミリモル）およびＮａ_２ＣＯ_３（２．８９ｇ，２７．３ミリモル）を２−メトキシエタノール１００ｍＬ中で攪拌した。当該反応混合物をＮ_２雰囲気下、室温で２０時間攪拌した。当該沈殿物を濾過し、残存固体を水３００ｍＬで洗浄した。当該生成物を減圧濾過により集め、当該固体はヘキサンで洗浄した。当該粗固体はシリカゲルカラムにて５０％酢酸エチルおよびヘキサンを溶離液に用いて精製すると、ビス［２−（３−メトキシフェニル）キノリン］イリジイウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（１．３５ｇ、収率３４％）が得られた。当該生成物は更に昇華で精製した。
【００８０】
（実施例８）：ビス［２−（４−メトキシフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（化合物６）
工程１
２−クロロキノリン（５．０ｇ、３１ミリモル）および４−メトキシフェニルボロン酸（５．５ｇ、３６ミリモル）を４０ｍＬのエチレングリコールジメチルエーテルと１２．０ｇのＫ_２ＣＯ_３を含有する６０ｍＬの水を含む混合溶媒中に溶解した。攪拌している当該溶液に１．６ｇのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を加え、当該混合物をＮ_２下で一夜還流させた。冷却した反応混合物はその後、水を除去して塩化メチレンで３回抽出した。当該合わせた有機相は食塩水で洗浄し、その後無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、そして溶媒を除去し、カラムクロマトグラフィー（ヘキサン中２０％の酢酸エチル）を行うと２−（ｐ−メトキシフェニル）キノリン（５．０ｇ）が得られた。
工程２
２−（ｐ−メトキシフェニル）キノリン（４．６ｇ、２０ミリモル）を２−メトキシエタノール１２０ｍＬと水４０ｍＬの混合溶媒に溶解し、攪拌している当該溶媒に塩化イリジウム（ＩＩＩ）三水和物（３．４ｇ、１０ミリモル）を加えた。当該混合物をＮ_２雰囲気下で一夜還流した。当該溶液を冷却し、濾過した。当該やや赤い固体をその後エタノールで２回洗浄し、減圧で乾燥すると２−（ｐ−メトキシフェニル）キノリンＩｒ二量体（３．６ｇ）が得られた。
工程３
２−（ｐ−メトキシフェニル）キノリンＩｒ二量体（３．３ｇ）を８０ｍＬの２−メトキシエタノールに添加し、攪拌している当該溶液に２，４−ペンタンジオン（０．５９ｇ）および炭酸ナトリウム（２．５ｇ）を添加した。当該混合物を３０℃に加温し、Ｎ_２下で２４時間攪拌をした。冷却した当該混合物をその後濾過すると、ビス［２−（４−メトキシフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（１．５ｇ）が得られ、更に昇華により精製した。
【００８１】
（実施例９）：ビス［２−（２−トリフルオロメチルフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（化合物７）の合成
工程１
２−クロロキノリン（７．２ｇ、４４．０ミリモル）、２−トリフロロメチルフェニルボロン酸（１０．０ｇ、５２．６ミリモル）、トリフェニルホスフィン（１．１６ｇ、４．４ミリモル）、酢酸パラジウム（０．２６ｇ、１．１６ミリモル）および２Ｍ溶液炭酸カリウム１２ｍＬを一緒に５０ｍＬのエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＥ）に加えた。当該混合物を窒素雰囲気下で加熱し、１７時間還流した。当該混合物を室温に冷却し、当該水相は当該有機相と分離した。当該水相は１００ｍＬの酢酸エチルで２回抽出した。合わせた当該有機抽出物はＤＩ（脱イオン）水１００ｍＬで２回、食塩水１５０ｍＬで１回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。当該集めた濾液は蒸発して粗油とした。当該粗生成物は溶離液として８０％ヘキサント２０％酢酸エチルを用いたカラムクロマトグラフィーで精製すると、２−（３−トリフルオロフェニル）キノリン（６．３ｇ）が得られた。
工程２
工程１からの２−（２−トリフルオロメチルフェニル）キノリン（２．５ｇ、１２．１ミリモル）と塩化イリジウム（ＩＩＩ）（１．６ｇ，４．５３ミリモル）を６０ｍＬの２−エトキシエタノールおよび２０ｍＬのＤＩ水に添加し、窒素下で加熱（１００℃）して２０時間還流した。当該混合物はその後室温まで冷却し、減圧で濾過した。当該濾過した粗生成物はその後にエタノール５０ｍＬで２回、ヘキサン５０ｍＬで１回洗浄し、減圧オーブン中で乾燥すると二量体錯体２．９ｇが得られた（４７．９％）。
工程３
当該二量体錯体（３．４ｇ、２．２ミリモル）、２，４−ペンタンジオン（５．５ｇ、５．５ミリモル）および炭酸ナトリウム（２．３３ｇ、２２ミリモル）を７０ｍＬのエトキシエタノールに添加し、窒素下で加熱して１７時間還流した（１２４℃）。当該混合物はその後に室温に冷却し、減圧で濾過した。濾過した当該粗生成物はその後に減圧濾過し、１５０ｍＬのエタノールで２回、１５０ｍＬのヘキサンで１回洗浄した。当該集めた生成物は減圧オーブンで乾燥すると、ビス［２−（２−トリフルオロメチルフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（０．６ｇ、２７．６％）が得られ、更に真空昇華で精製した。
【００８２】
（実施例１０）：ビス［２−（３−トリフルオロメチルフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（化合物８）の合成
工程１
２−クロロキノリン（１．４４ｇ、８．８ミリモル）および３−トリフロロメチルフェニルボロン酸（２．０ｇ、１０．５ミリモル）を１０ｍＬのエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＥ）および２Ｍの炭酸カリウム溶液の１２ｍＬに添加した。これに次いでトリフェニルホスフィン（０．２３ｇ、０．８８ミリモル）および酢酸パラジウム（０．０５ｇ、０．２２ミリモル）を添加した。当該反応混合物を窒素雰囲気中で１７時間加熱して還流した（８０℃）。当該混合物はその後室温まで冷却し、当該水相は酢酸エチル３０ｍＬで２回抽出した。当該合わせた有機抽出物はその後、水次いで食塩水で洗浄した。当該有機物は硫酸マグネシウムで乾燥した。集めた当該濾液をその後蒸発させると２−（３−トリフルオロフェニル）キノリン（２．０ｇ、８３．３％）が白色固体として得られた。
工程２
工程１からの２−（３−トリメチルフェニル）キノリン（２．０ｇ、７．３ミリモル）および塩化イリジウム（ＩＩＩ）三水和物（１．３ｇ、３．６８ミリモル）を２−エトキシエタノール４０ｍＬおよびＤＩ水１０ｍＬを含有する溶液に添加した。当該反応物を窒素下加熱し、２６時間還流した（１００℃）。当該混合物はその後室温に冷却し、減圧濾過した。当該濾過した粗生成物は５０ｍＬのエタノールで２回およびヘキサン５０ｍＬで１回洗浄し、減圧オーブン中で乾燥するとジクロロ−橋架け二量体（１．７７ｇ、収率７３．８％）が得られた。
工程３
上記工程２からの二量体錯体（１．７７ｇ、１．２ミリモル）、１０倍過剰モルの２，４−ペンタンジオン（１．１９ｇ、１１．９ミリモル）および２０倍過剰の炭酸ナトリウム（２．５３ｇ、２３．７ミリモル）を４０ｍＬのエトキシエタノールに加え、窒素下で加熱して１８時間還流（１２４℃）した。当該混合物を室温まで冷却し、当該沈殿を減圧濾過した。当該粗生成物を４００ｍＬのＤＩ水に加え、１０分間攪拌、減圧濾過し、そして５０ｍＬのエタノールで２回および５０ｍＬのヘキサンを用いて洗浄した。当該集めた生成物を真空オーブン中で乾燥するとビス［２−（３−トリフルオロフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（１．７ｇ）が得られた。
【００８３】
（実施例１１）：ビス［２−（４−トリフルオロメチルフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセオネート（化合物９）の合成
工程１
２−クロロキノリン（１．５６ｇ、９．５ミリモル）、４−トリフルオロメチルフェニルボロン酸（２．１７ｇ、１１．４ミリモル）、トリフェニルホスフィン（０．２５ｇ、０．９５ミリモル）、酢酸パラジウム（０．０５ｇ、０．２２ミリモル）および２Ｍの炭酸カリウム溶液１２ｍＬを１０ｍＬのエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＥ）に添加し、窒素下にて加熱して１８時間還流（８０℃）した。当該混合物はその後室温に冷却し、当該水相は有機相から分離した。当該水相はその後３０ｍＬの酢酸エチルで２回抽出した。当該合わせた有機抽出物はその後５０ｍＬのＤＩ水で１回および５０ｍＬの食塩水で１回抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。当該集めた濾液はその後蒸発させると、結晶性固体（２．４７ｇ、９４．７％）が得られた。
工程２
工程１からの２−（４−トリメチルフェニル）キノリン（２．４７ｇ、９．０ミリモル）、塩化イリジウム（ＩＩＩ）（１．５９ｇ、４．５ミリモル）を５０ｍＬの２−エトキシエタノールおよび１５ｍＬの水に添加し、窒素下で加熱して１６時間還流した（１００℃）。当該混合物を室温まで冷却し、減圧濾過した。当該濾過した粗生成物はその後５０ｍＬのエタノールで２回および５０ｍＬのヘキサンで１回洗浄し、真空オーブンにて乾燥すると目的の二量体錯体（１．６５ｇ、４９，２％）が生成した。
工程３
上記工程２からの二量体錯体（１．６５ｇ、１．１ミリモル）、１０倍過剰モルの２，４−ペンタンジオン（１．１１ｇ、１１．９ミリモル）および２０倍過剰の炭酸ナトリウム（２．３６ｇ、２２．２ミリモル）を４０ｍＬの２−エトキシエタノールに添加し、窒素下で加熱して１７時間還流（１２４℃）した。当該混合物を室温まで冷却し、減圧濾過した。当該濾過した未精製物を４００ｍＬの水に加え、１０分間攪拌した。当該濾過した粗生成物を減圧濾過し、５０ｍＬのエタノールで２回および５０ｍＬのヘキサンで１回洗浄した。当該集めた生成物を真空オーブン中で乾燥すると、ビス［２−（４−トリフルオロメチルフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（１．０ｇ）が得られた。当該生成物は更に真空昇華により精製した。
【００８４】
（実施例１２）：ビス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（化合物１０）の合成
工程１
２−クロロキノリン（１．２０ｇ、１２．２ミリモル）、２，４−ジフルオロフェニルボロン酸（２．３２ｇ、１４．７ミリモル）を１０ｍＬのエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＥ）および１２ｍＬの２Ｍ炭酸カリウムに添加した。トリフェニルホスフィン（０．３２ｇ、１．２ミリモル）および酢酸パラジウム（０．０６９ｇ、０．３ミリモル）を攪拌している反応混合物に加え、窒素雰囲気下で１７時間還流した。当該混合物を室温に冷却し、水相を有機相から分離した。当該水相は３０ｍＬの酢酸エチルで２回抽出した。合わせた有機抽出物は蒸留水、次いで食塩水で洗浄した。当該溶媒は硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮すると２−（２，４−ジフルオロフェニル）キノリン（２．９ｇ、９８．６％）を白色固体として得られた。
工程２
工程１からの２−（２，４−ジフルオロフェニル）キノリン（２．９ｇ、１２．１ミリモル）および塩化イリジウム（ＩＩＩ）（２．１ｇ、５．９６ミリモル）を４０ｍＬの２−エトキシエタノールおよび１０ｍＬのＤＩ水に加え、窒素下で加熱して１６時間還流した。当該混合物は室温まで冷却し、当該粗生成物は減圧濾過で除去した。当該濾過した粗生成物を５０ｍＬのエタノールで２回、５０ｍＬのヘキサンで１回洗浄し、真空オーブンで乾燥すると二量体錯体（２．３ｇ、５１．３％）が得られた。
工程３
上記工程２からの当該二量体錯体（２．３ｇ、１．６ミリモル）、１０倍過剰モルの２，４−ペンタンジオン（１．６ｇ、１６ミリモル）および２０倍過剰モルの炭酸ナトリウム（３．４ｇ、３２ミリモル）を４０ｍＬの２−エトキシエタノールに加え、窒素下にて加熱して１７時間還流した（１２４℃）。当該混合物をその後に室温に冷却し、減圧濾過した。当該濾過した未精製物をその後４００ｍＬのＤＩ水に添加し、１０分間攪拌した。当該濾過した未精製物はその後減圧濾過し、５０ｍＬのエタノールで２回、５０ｍＬのヘキサンで１回洗浄した。当該集めた生成物を真空オーブン中で乾燥すると、ビス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（２．１ｇ）が得られた。
【００８５】
（実施例１３）：ビス（２−フェニルー４−メチルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（化合物１１）の合成
工程１
２−クロロー４−メチルキノリン（５．０ｇ、３０ミリモル）およびフェニルボロン酸（４．４ｇ、３６ミリモル）を１００ｍＬのエチレングリコールジメチルエーテルに溶解させた。攪拌している当該反応物にトリフェニルホスフィン（０．８ｇ）および酢酸パラジウム（ＩＩ）を添加し、次いで５０ｍＬの２Ｍ炭酸カリウム溶液を添加した。当該反応物を１６時間還流した。冷却後、当該水層を廃棄し、更なる酢酸エチルを加えた。当該有機物を塩化ナトリウムの飽和溶液で洗浄し、分離した。当該有機相は硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮し、そして２０％酢酸エチルおよびヘキサンを溶離液として用いたシリカゲルカラムで精製した。当該純粋画分を合わせ、濃縮すると油分として２−フェニルー４−メチルキノリン（４．０ｇ、収率６１％）が得られた。
工程２
２−フェニル−４−メチルキノリン（４．０ｇ、１８ミリモル）および塩化イリジウム三水和物（３．２ｇ、９ミリモル）を８０ｍＬの２−メトキシエタノールおよび２０ｍＬの水を含有する溶液に溶解した。当該反応混合物は１８時間還流し、室温まで冷却した。当該赤色／茶色の沈殿物を減圧濾過で集め、無水エタノール、次いでヘキサンで洗浄するとジクロロ−橋架け二量体（３．０ｇ、収率２５％）が得られた。
工程３
ジクロロ−橋架け二量体（３．０ｇ、２．３ミリモル）および２，４−ペンタンジオン（２．３ｇ、２３ミリモル）を２−メトキシエタノール１００ｍＬおよび炭酸ナトリウム（５０ｍＬ中に４．８ｇ）を含む溶液に溶解した。当該反応混合物を加熱して還流し、窒素雰囲気中で１７時間攪拌した。当該反応混合物を冷却し、赤色沈殿物を減圧濾過で集めると、ビス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（２．１ｇ）が赤色固体として得られた。当該成分は更に真空昇華で精製した。
【００８６】
（実施例１４）：ビス（２−フェニル−３−メチルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（化合物１２）の合成
２−クロロ−３−メチルキノリン（５．４３ｇ、３０．６ミリモル）、フェニルボロン酸（４．４７ｇ、３６．７ミリモル）、酢酸Ｐｄ（ＩＩ）（０．１７ｇ、０．７６ミリモル）およびトリフェニルホスフィン（０．８０ｇ、３．０６ミリモル）を１００ｍｌのＤＭＥに溶解した。攪拌している当該溶液に、Ｋ_２ＣＯ_３（１１．４ｇを４１ｍＬのＨ_２Ｏに溶解）を添加した。混合物全体をＮ_２雰囲気中で攪拌して１８時間還流した。当該冷却した混合物はその後水を除去し、１５０ｍＬの酢酸エチルで濃縮し、食塩水で３回抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、そして溶媒を除去した。当該粗生成物はその後２０％酢酸エチル／ヘキサンを用いてシリカゲルカラムで精製した。純粋な画分を合わせると２−フェニル−３−メチルキノリン（６．４２ｇ、収率９５．８％）が得られた。
工程２
３−メチル−３−フェニルキノリン（５．８０ｇ、２６ミリモル）を１００ｍＬの２−メトキシエタノール／２５ｍＬのＨ_２Ｏ中で攪拌し、当該攪拌溶液に塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（４．９ｇ、１３ミリモル）を加えた。当該反応混合物はＮ_２雰囲気下で２４時間、１００℃で攪拌した。当該固体を濾紙上に集め、エタノールで洗浄すると、ジクロロ−橋架け二量体（２．７２ｇ、収率３０．９％）が得られた。
工程３
３−メチル−２−フェニルキノリンＩｒ二量体（２．７２ｇ）を８０ｍＬの２−メトキシエタノール中で攪拌し、その溶液に炭酸ナトリウム（２．７２ｇ）および２，４−ペンタンジオン（１．０２ｇ）を添加した。これをＮ_２雰囲気下で２４時間攪拌した。当該反応混合物を濾過し、当該固体は水で洗浄した。当該固体はその後再び濾過し、ヘキサンで洗浄した。集めた全体はビス（２−フェニル−３−メチルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（０．８５ｇ、収率２９．８％）を与えた。この成分は真空昇華で精製した。
【００８７】
（実施例１５）：ビス（フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（化合物１３）の合成
工程１
１−クロロイソキノリン（５．０ｇ、３０ミリモル）およびフェニルボロン酸（４．５ｇ、３７ミリモル）を１００ｍＬのエチレングリコールジメチルエーテルに溶解し、次いでトリフェニルホスフィン（０．７ｇ、３ミリモル）および酢酸Ｐｂ（ＩＩ）（０．１７ｇ、０．７５ミリモル）を添加した。当該反応混合物を１６時間還流した。当該反応混合物を冷却し、水層は廃棄した。追加の酢酸エチルを加え、当該溶媒は塩化ナトリウムの飽和溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥して濃縮すると１−フェニルイソキノリン（５．０ｇ、収率７９％）が得られた。
工程２
１−フェニルイソキノリン（５．０ｇ、２４ミリモル）および塩化イリジウム三水和物（４．５ｇ、１２ミリモル）を８０ｍＬの２−メトキシエタノールおよび２０ｍＬの水を含有する溶液に添加した。当該反応物を加熱して還流し、窒素雰囲気下で１２時間攪拌した。当該反応混合物を冷却し、減圧濾過で赤色／茶色の沈殿を集め、ヘキサンで１回洗浄した。当該ジクロロ−橋架け二量体（５．３ｇ、収率３０％）を乾燥し、次の工程で直接使用した。
工程３
当該ジクロロ−橋架け二量体（２．０ｇ、１．６ミリモル）および２，４−ペンタンジオン（１．６ｇ、１６ミリモル）を１００ｍＬの２−メトキシエタノールに加え、それに炭酸ナトリウム（３．３４ｇ、５０ｍＬ）の溶液を加え、当該反応混合物は加熱して還流した。当該反応混合物を１６時間後に冷却し、減圧濾過で粗生成物を集めると、ビス（フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（１．０ｇ）が得られた。当該未精製物は真空昇華で精製した。
【００８８】
当技術分野における当業者であれば、本発明の意図から外れることなく本発明の好ましい実施形態に多くの変更および修正を加えることができることは理解されるであろう。全てのそのような変容は本発明の範囲に入ることを意図している。本明細書を通じて、化合物の構成変数および種々な関連部分の基を分かりやすく説明するのに色々なグループ分けを採用した。本明細書全体の当該基の各存在には、それの個々の一員を含めた当該基の構成要素の全ての可能なサブコンビネーションが含まれる。
【００８９】
本特許書類で触れた特許、出願特許および出版された文献はそれぞれ参照により本明細書中に援用する積りである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】図１は化合物１から６の構造を示す。
【図２】図２は化合物７から１３の構造を示す。
【図３】図３は本発明の化合物を調製する際の概略図を示す。
【図４】図４は本発明の化合物を調製する際の概略図を示す。
【図５】図５は幾つかの二座配位子の構造を示す。
【図６】図６は更なる二座配位子の構造を示す。
【図７】図７は、ビス（フェニルキノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート化合物について、計算したＨＯＭＯを図示する。
【図８】図８は、ビス（フェニルキノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート化合物について、計算したＬＵＭＯを図示する。

Claims (141)

1. 式中において、Ｍは金属原子でＡ^１およびＡ^２はそれぞれ別々の単座配位子であるか、またはＡ^１およびＡ^２は共有結合で共に結合して二座配位子を形成しており、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１１、ＯＲ^１１、Ｎ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（ＯＲ^１１）_２、ＰＯＲ^１１、ＰＯ_２Ｒ^１１、ＰＯ_３Ｒ^１１、ＳＲ^１１、Ｓｉ（Ｒ^１１）_３、Ｂ（Ｒ^１１）_２、Ｂ（ＯＲ^１１）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１１、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１１、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１１）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１１、ＳＯ_２Ｒ^１１、ＳＯ_３Ｒ^１１であり、加えてまたはそれに代わるものとしてＲ^１とＲ^２、またはＲ^２とＲ^３、またはＲ^３とＲ^４、またはＲ^５とＲ^６、またはＲ^６とＲ^７またはＲ^７とＲ^８、またはＲ^９とＲ^１０のいずれの１つ以上が共同して別々に融合した４から７員環基を形成し、そこでは前記環状基はシクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであり、前記環状基は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されており、それぞれのＲ^１１は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリール、Ｃ_３〜Ｃ_４０ヘテロアリールであり、そこでのＲ^１１は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されており、それぞれのＸは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１２、ＯＲ^１２、Ｎ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（ＯＲ^１２）_２、ＰＯＲ^１２、ＰＯ_２Ｒ^１２、ＰＯ_３Ｒ^１２、ＳＲ^１２、Ｓｉ（Ｒ^１２）_３、Ｂ（Ｒ^１２）_２、Ｂ（ＯＲ^１２）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１２、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１２）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１２、ＳＯ_２Ｒ^１２またはＳＯ_３Ｒ^１２であり、それぞれのＲ^１２は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_２０過ハロゲン化アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリールまたはＣ_３〜Ｃ_２０ヘテロアリールであり、ｍは金属原子Ｍの形式電荷で、ｎは１，２または３であり、そこではＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは式Ｉの化合物においてＨではない、式Ｉ，ＩＩまたはＩＩＩの化合物。
   

   
2. 式Ｉを有する、請求項１の化合物。
3. 式ＩＩを有する、請求項１の化合物。
4. 式ＩＩＩを有する、請求項１の化合物。
5. Ｍが重金属である、請求項１の化合物。
6. ＭがＩｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、ＲｅまたはＲｕである、請求項１の化合物。
7. ＭがＩｒである、請求項１の化合物。
8. ＭがＰｔである、請求項１の化合物。
9. Ａ^１およびＡ^２が単座配位子である、請求項１の化合物。
10. Ａ^１およびＡ^２が（−１）の総電荷を有する単座配位子である、請求項１の化合物。
11. Ａ^１またはＡ^２がＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＯ、ＣＮ、ＣＮ（Ｒ^１１）、ＳＲ^１１、ＳＣＮ、ＯＣＮ、Ｐ（Ｒ^１１）_３、Ｐ（ＯＲ^１１）_３、Ｎ（Ｒ^１１）_３、ＮＯ、Ｎ_３または場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されている窒素含有複素環である、請求項１の化合物。
12. Ａ^１およびＡ^２が共有結合で共に結合して二座配位子を形成している、請求項１の化合物。
13. 当該二座配位子がモノアニオン性である、請求項１の化合物。
14. 前記二座配位子が以下の構造である、請求項１の化合物。
    

    
15. 前記二座配位子が炭素原子および窒素原子を介して配位している、請求項１の化合物。
16. 前記二座配位子がビアリール化合物である、請求項１５の化合物。
17. 前記二座配位子が以下の構造であり、式中ＺはＯ、ＳまたはＮＲで、それぞれのＲは別々にＲ^１１で、ｎは０から５である、請求項１の化合物。
    

    
18. 前記二座配位子がアセチルアセトネートである、請求項１の化合物。
19. Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、ＣＨ_３、ＣＦ_３、ＯＣＨ_３またはＦである、請求項１の化合物。
20. Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つがメチルである、請求項１の化合物。
21. Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つがトリフルオロメチルである、請求項１の化合物。
22. Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つがメトキシである、請求項１の化合物。
23. Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つがフルオロである、請求項１の化合物。
24. 前記Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つがＨ以外である、請求項１の化合物。
25. 約５５０から約７００ｎｍの波長にホトルミネッセンス極大を有する、請求項１の化合物。
26. 請求項１の化合物を含む組成物。
27. ＢＣＰ、ＣＢＰ、ＯＸＤ７、ＴＡＺ、ＣｕＰｃ、ＮＰＤ、Ａｌｑ_３、ＢＡｌｑ、ＦＩｒｐｉｃまたはＩｒｐｐｙを更に含む、請求項２６の組成物。
28. 式中において、Ｍは金属原子で、Ａ^１およびＡ^２それぞれは別々の単座配位子であるか、またはＡ^１およびＡ^２は共有結合で結合して二座配位子を形成しており、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、活性化基または不活性化基で、それに加えまたはそれに代わるものとしてＲ^１とＲ^２、またはＲ^２とＲ^３、またはＲ^３とＲ^４、またはＲ^５とＲ^６、またはＲ^６とＲ^７またはＲ^７とＲ^８、またはＲ^９とＲ^１０のいずれか１つ以上が共同して別々に融合した４から７員環基を形成し、そこでは前記環状基がシクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであり、そこでの前記環状基は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されており、それぞれのＸは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１２、ＯＲ^１２、Ｎ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（ＯＲ^１２）_２、ＰＯＲ^１２、ＰＯ_２Ｒ^１２、ＰＯ_３Ｒ^１２、ＳＲ^１２、Ｓｉ（Ｒ^１２）_３、Ｂ（Ｒ^１２）_２、Ｂ（ＯＲ^１２）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１２、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１２）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１２、ＳＯ_２Ｒ^１２またはＳＯ_３Ｒ^１２であり、それぞれのＲ^１２は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_２０過ハロゲン化アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリールまたはＣ_３〜Ｃ_４０ヘテロアリールであり、ｍは金属原子Ｍの形式電荷で、ｎは１，２または３であり、そしてそこにおいてＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは活性化基、またはそこにおけるＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは不活性化基である、式Ｉの化合物。
    

    
29. Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つが活性化基である、請求項２８の化合物。
30. 前記活性化基がアルキル、ヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、ヒドロキシ、メルカプト、チオラト、アミノ、ホスフィノ、アルキルカルボニルアミノまたはアリールカルボニルアミノである、請求項２９の化合物。
31. 前記活性化基がメチルまたはメトキシである、請求項２９の化合物。
32. Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つが不活性化基である、請求項２８の化合物。
33. 前記不活性化基がハロ、シアノ、ニトロ、アルデヒド、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アンモニウム、過ハロゲン化アルキル、カルボン酸、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニルまたはスルホである、請求項３２の化合物。
34. 前記不活性化基がＦまたはＣＦ_３である、請求項３２の化合物。
35. Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも二つが活性化または不活性化基である、請求項２８の化合物。
36. Ａ^１およびＡ^２は共有結合で共に結合して二座配位子を形成している、請求項２８の化合物。
37. 前記二座配位子がモノアニオン性である、請求項２８の化合物。
38. 前記二座配位子がアセチルアセトネート（ａｃａｃ）、ピコリネート（ｐｉｃ）、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、サリチリデンまたは８−ヒドロキシキノリネートである、請求項２８の化合物。
39. 前記二座配位子がアセチルアセトネートである、請求項２８の化合物。
40. Ｍが重金属である、請求項２８の化合物。
41. ＭがＩｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、ＲｅまたはＲｕである、請求項２８の化合物。
42. ＭがＩｒである、請求項２８の化合物。
43. ＭがＰｔである、請求項２８の化合物。
44. 式中において、Ｍは金属原子で、Ａ^１およびＡ^２はそれぞれ別々の単座配位子であるか、或いはＡ^１およびＡ^２は共有結合で結合して二座配位子を形成しており、そしてＲ^４がＦでＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^４がＯＣＨ_３で、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^９とＲ^１０のそれぞれが別々にＨ，活性化基或いは不活性化基、またはＲ^３がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９とＲ^１０のそれぞれが別々にＨ，活性化基或いは不活性化基、またはＲ^２がＯＣＨ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９とＲ^１０のそれぞれが別々にＨ，活性化基或いは不活性化基、またはＲ^４がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^３がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^２がＣＦ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^２とＲ^４がそれぞれＦでＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^９がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^１０がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基である、式ＶＩの化合物。
    

    
45. Ａ^１およびＡ^２が共有結合で共に結合して二座配位子を形成している、請求項４４の化合物。
46. 前記二座配位子がモノアニオン性である、請求項４４の化合物。
47. 前記二座配位子がアセチルアセトネート（ａｃａｃ）、ピコリネート（ｐｉｃ）、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、サリチリデンまたは８−ヒドロキシキノリネートである、請求項４４の化合物。
48. 前記二座配位子がアセチルアセトネートである、請求項４４の化合物。
49. Ｍが重金属である、請求項４４の化合物。
50. ＭがＩｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、ＲｅまたはＲｕである、請求項４４の化合物。
51. ＭがＩｒである、請求項４４の化合物。
52. ＭがＰｔである、請求項４４の化合物。
53. 式中、Ｒ^４がＦでＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^４がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^３がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^２がＯＣＨ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^４がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^３がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^２がＣＦ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^２およびＲ^４がそれぞれＦでＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^４およびＲ^１０がそれぞれＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３およびＲ^９はそれぞれＨであるか、またはＲ^９がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、Ｒ^１０がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９はそれぞれＨである、式ＩＶの化合物。
    

    
54. Ｒ^４がＦでＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである、請求項５３の化合物。
55. Ｒ^４がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである、請求項５３の化合物。
56. Ｒ^３がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである、請求項５３の化合物。
57. Ｒ^２がＯＣＨ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである、請求項５３の化合物。
58. Ｒ^４がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである、請求項５３の化合物。
59. Ｒ^３がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである、請求項５３の化合物。
60. Ｒ^２がＣＦ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである、請求項５３の化合物。
61. Ｒ^２およびＲ^４がそれぞれＦでＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである、請求項５３の化合物。
62. Ｒ^４およびＲ^１０がそれぞれＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである、請求項５３の化合物。
63. Ｒ^９がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０はそれぞれＨである、請求項５３の化合物。
64. Ｒ^１０がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９はそれぞれＨである、請求項５３の化合物。
65. 式Ｖの化合物。
    

    
66. 置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９またはＲ^１０につき、少なくとも１つの前記置換基が前記化合物のＨＯＭＯエネルギーレベルに影響を及ぼす活性化基であるか、または前記置換基の少なくとも１つが前記化合物のＬＵＭＯエネルギーレベルに影響を及ぼす不活性化基であるように選択することを含む方法で、請求項１の化合物につきホトルミネッセンス極大の波長を増加させる方法。
67. 置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９またはＲ^１０につき、少なくとも１つの前記置換基が前記化合物のＨＯＭＯエネルギーレベルに影響を及ぼす不活性化基であるか、または前記置換基の少なくとも１つが前記化合物のＬＵＭＯエネルギーレベルに影響を及ぼす活性化基であるように選択することを含む方法で、請求項１の化合物につきホトルミネッセンス極大の波長を低下させる方法。
68. 式中において、Ｍは金属原子でＡ^１およびＡ^２はそれぞれ別々の単座配位子であるか、或いはＡ^１およびＡ^２は共有結合で共に結合して二座配位子を形成しており、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１１、ＯＲ^１１、Ｎ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（ＯＲ^１１）_２、ＰＯＲ^１１、ＰＯ_２Ｒ^１１、ＰＯ_３Ｒ^１１、ＳＲ^１１、Ｓｉ（Ｒ^１１）_３、Ｂ（Ｒ^１１）_２、Ｂ（ＯＲ^１１）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１１、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１１、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１１）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１１、ＳＯ_２Ｒ^１１、ＳＯ_３Ｒ^１１であり、そしてそれに加えて或いはそれに代わるものとしてＲ^１とＲ^２、またはＲ^２とＲ^３、またはＲ^３とＲ^４、またはＲ^５とＲ^６、またはＲ^６とＲ^７またはＲ^７とＲ^８、またはＲ^９とＲ^１０のいずれか１つ以上が共同して別々に融合した４から７員環基を形成し、そこでは前記環状基はシクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリールで、そこでは前記環状基が場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されており、それぞれのＲ^１１は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリール、Ｃ_３〜Ｃ_４０ヘテロアリールであり、そこでのＲ^１１は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されており、それぞれのＸは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１２、ＯＲ^１２、Ｎ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（ＯＲ^１２）_２、ＰＯＲ^１２、ＰＯ_２Ｒ^１２、ＰＯ_３Ｒ^１２、ＳＲ^１２、Ｓｉ（Ｒ^１２）_３、Ｂ（Ｒ^１２）_２、Ｂ（ＯＲ^１２）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１２、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１２）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１２、ＳＯ_２Ｒ^１２またはＳＯ_３Ｒ^１２であり、それぞれのＲ^１２は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_２０過ハロゲン化アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリールまたはＣ_３〜Ｃ_４０ヘテロアリールであり、ｍは金属原子Ｍの形式電荷で、ｎは１，２または３、そしてそこではＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは式Ｉの化合物においてＨではない式Ｉ，ＩＩまたはＩＩＩの化合物を含む、有機発光デバイス。
    

    
69. 前記化合物が式Ｉを有する、請求項６８のデバイス。
70. 前記化合物が式ＩＩを有する、請求項６８のデバイス。
71. 前記化合物が式ＩＩＩを有する、請求項６８のデバイス。
72. 前記デバイスには前記化合物を含む発光層が含まれる、請求項６８のデバイス。
73. 前記発光層が前記化合物から本質的に成り立つ、請求項７２のデバイス。
74. 前記発光層が前記化合物でドープされたホスト材料を含む、請求項７２のデバイス。
75. 前記化合物は前記化合物を約１から約２０重量％含む、請求項７４のデバイス。
76. 前記ホスト材料はＢＣＰ、ＣＢＰ、ＯＸＤ７、ＴＡＺ、ＣｕＰｃ、ＮＰＤ、Ａｌｑ_３またはＢＡｌｑを含む、請求項７４のデバイス。
77. 前記発光層は更にＦＩｒｐｉｃまたはＩｒｐｐｙを含む、請求項７４のデバイス。
78. 約５５０から約７００ｎｍのエレクトロルミネッセンス極大を有する、請求項６８のデバイス。
79. ｘ軸につき約０．５から約０．８およびｙ軸につき約０．２から約０．５の色指数座標（ＣＩＥ表色系）を有する、請求項６８のデバイス。
80. 約１０ｃｄ／ｍ^２より大きな輝度において外部量子効率が約４％より大きい、請求項６８のデバイス。
81. 約１００ｃｄ／ｍ^２より大きな輝度において外部量子効率が約４％より大きい、請求項６８のデバイス。
82. 式中において、Ｍは金属原子で、Ａ^１およびＡ^２のそれぞれは別々の単座配位子であるか、またはＡ^１およびＡ^２は共有結合で結合して二座配位子を形成しており、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれは別々にＨ、活性化基または不活性化基で、それに加えまたはそれに代わるものとしてＲ^１とＲ^２、またはＲ^２とＲ^３、またはＲ^３とＲ^４、またはＲ^５とＲ^６、またはＲ^６とＲ^７またはＲ^７とＲ^８、またはＲ^９とＲ^１０の１つ以上のいずれかが共同して別々に融合した４から７員環基を形成し、そこにおいて前記環状基がシクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであり、そこでの前記環状基は場合により１つ以上の置換基Ｘで置換されていて、それぞれのＸは別々にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｒ^１２、ＯＲ^１２、Ｎ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（Ｒ^１２）_２、Ｐ（ＯＲ^１２）_２、ＰＯＲ^１２、ＰＯ_２Ｒ^１２、ＰＯ_３Ｒ^１２、ＳＲ^１２、Ｓｉ（Ｒ^１２）_３、Ｂ（Ｒ^１２）_２、Ｂ（ＯＲ^１２）_２、Ｃ（Ｏ）Ｒ^１２、Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^１２）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＳＯ_２、ＳＯＲ^１２、ＳＯ_２Ｒ^１２またはＳＯ_３Ｒ^１２であり、それぞれのＲ^１２は別々にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_２０過ハロゲン化アルキル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヘテロアルキル、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリールまたはＣ_３〜Ｃ_４０ヘテロアリールであり、ｍは金属原子Ｍの形式電荷で、ｎは１，２または３であり、そしてそこにおけるＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは活性化基、またはそこにおけるＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つは不活性化基である式Ｉの化合物を含む、有機発光デバイス。
    

    
83. Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つが活性化基である、請求項８２のデバイス。
84. 前記活性化基がアルキル、ヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、ヒドロキシ、メルカプト、チオラト、アミノ、ホスフィノ、アルキルカルボニルアミノまたはアリールカルボニルアミノである、請求項８３のデバイス。
85. 前記活性化基がメチルまたはメトキシである、請求項８３のデバイス。
86. Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも１つが不活性化基である、請求項８２のデバイス。
87. 前記不活性化基がハロ、シアノ、ニトロ、アルデヒド、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アンモニウム、過ハロゲン化アルキル、カルボン酸、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニルまたはスルホである、請求項８２のデバイス。
88. 前記不活性化基がＦまたはＣＦ_３である、請求項８６のデバイス。
89. Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０の少なくとも二つが活性化基または不活性化基である、請求項８２のデバイス。
90. Ａ^１およびＡ^２が共有結合で共に結合して二座配位子を形成する、請求項８２のデバイス。
91. 前記二座配位子がモノアニオン性である、請求項８２のデバイス。
92. 前記二座配位子がアセチルアセトネート（ａｃａｃ）、ピコリネート（ｐｉｃ）、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、サリチリデンまたは８−ヒドロキシキノリネートである、請求項８２のデバイス。
93. 前記二座配位子がアセチルアセトネートである、請求項８２のデバイス。
94. Ｍが重金属である、請求項８２のデバイス。
95. ＭがＩｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、ＲｅまたはＲｕである、請求項８２のデバイス。
96. ＭがＩｒである、請求項８２のデバイス。
97. ＭがＰｔである、請求項８２のデバイス。
98. 前記デバイスには前記化合物を含む発光層が含まれる、請求項８２のデバイス。
99. 前記発光層は本質的に前記化合物から構成されている、請求項９８のデバイス。
100. 前記発光層は前記化合物でドープされたホスト材料を含む、請求項９８のデバイス。
101. 前記化合物は前記発光層を約１から約２０重量％含む、請求項１００のデバイス。
102. 前記ホスト材料はＢＣＰ、ＣＢＰ、ＯＸＤ７、ＴＡＺ、ＣｕＰｃ、ＮＰＤ、Ａｌｑ_３またはＢＡｌｑを含む、請求項１００のデバイス。
103. 前記発光層は更にＦＩｒｐｉｃまたはＩｒｐｐｙを含む、請求項１００のデバイス。
104. 約５５０から約７００ｎｍのエレクトロルミネッセンス極大を有する、請求項８２のデバイス。
105. ｘ軸につき約０．５から約０．８およびｙ軸につき約０．２から約０．５の色指数座標（ＣＩＥ表色系）を有する、請求項８２のデバイス。
106. 約１０ｃｄ／ｍ^２より大きな輝度のとき、約４％より大の外部量子効率を有する、請求項８２のデバイス。
107. 約１００ｃｄ／ｍ^２より大きな輝度のとき、約４％より大の外部量子効率を有する、請求項８２のデバイス。
108. 式中においてＭは金属原子で、Ａ^１およびＡ^２はそれぞれ別々の単座配位子であるか、またはＡ^１およびＡ^２が共有結合で共に結合して二座配位子を形成し、そして、Ｒ^４がＦでＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^４がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９とＲ^１０のそれぞれが別々にＨ，活性化基或いは不活性化基、またはＲ^３がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９とＲ^１０のそれぞれが別々にＨ，活性化基或いは不活性化基、またはＲ^２がＯＣＨ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９とＲ^１０のそれぞれが別々にＨ，活性化基或いは不活性化基、またはＲ^４がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０それぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^３がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^２がＣＦ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^２とＲ^４がそれぞれＦでＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^９がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基、またはＲ^１０がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９のそれぞれが別々にＨ、活性化基または不活性化基である式ＶＩの化合物を含む、有機発光デバイス。
     

     
109. Ａ^１およびＡ^２が共有結合で共に結合して二座配位子を形成している、請求項１０８のデバイス。
110. 前記二座配位子がモノアニオン性である、請求項１０８のデバイス。
111. 前記二座配位子がアセチルアセトネート（ａｃａｃ）、ピコリネート（ｐｉｃ）、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、サリチリデンまたは８−ヒドロキシキノリネートである、請求項１０８のデバイス。
112. 前記二座配位子がアセチルアセトネートである、請求項１０８のデバイス。
113. Ｍが重金属である、請求項１０８のデバイス。
114. ＭがＩｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、ＲｅまたはＲｕである、請求項１０８のデバイス。
115. ＭがＩｒである、請求項１０８のデバイス。
116. ＭがＰｔである、請求項１０８のデバイス。
117. 式中において、Ｒ^４がＦでＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^４がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^３がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^２がＯＣＨ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^４がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^３がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^２がＣＦ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^２およびＲ^４がそれぞれＦでＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^４およびＲ^１０がそれぞれＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３およびＲ^９はそれぞれＨであるか、またはＲ^９がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０はそれぞれＨであるか、またはＲ^１０がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９はそれぞれＨである式ＩＶの化合物を含む、有機発光デバイス。
     

     
118. Ｒ^４がＦでＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである、請求項１１７のデバイス。
119. Ｒ^４がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである，請求項１１７のデバイス。
120. Ｒ^３がＯＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである，請求項１１７のデバイス。
121. Ｒ^２がＯＣＨ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである，請求項１１７のデバイス。
122. Ｒ^４がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである，請求項１１７のデバイス。
123. Ｒ^３がＣＦ_３でＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである，請求項１１７のデバイス。
124. Ｒ^２がＣＦ_３でＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである，請求項１１７のデバイス。
125. Ｒ^２およびＲ^４がそれぞれＦでＲ^３、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれＨである，請求項１１７のデバイス。
126. Ｒ^４およびＲ^１０がそれぞれＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３およびＲ^９はそれぞれＨである，請求項１１７のデバイス。
127. Ｒ^９がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^１０はそれぞれＨである，請求項１１７のデバイス。
128. Ｒ^１０がＣＨ_３でＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^９はそれぞれＨである，請求項１１９のデバイス。
129. 式Ｖの化合物を含む、有機発光デバイス。
     

     
130. 置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０につき、前記置換基の少なくとも１つが前記化合物のＨＯＭＯエネルギーレベルに影響する活性化基であるか、または前記置換基の少なくとも１つが前記化合物のＬＵＭＯエネルギーレベルに影響する不活性化基であるように選択することを含む方法である、請求項１の化合物を含む有機発光デバイスのエレクトロルミネッセンス極大の波長を増加させる方法。
131. 置換基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０につき、前記置換基の少なくとも１つは前記化合物のＨＯＭＯエネルギーレベルに影響する不活性化基であるか、または前記置換基の少なくとも１つが前記化合物のＬＵＭＯエネルギーレベルに影響する活性化基であるように選択することを含む方法である、請求項１の化合物を含む有機発光デバイスのエレクトロルミネッセンス極大の波長を低下させる方法。
132. 請求項６８のデバイスを含むピクセル。
133. 請求項８２のデバイスを含むピクセル。
134. 請求項１０８のデバイスを含むピクセル。
135. 請求項１１７のデバイスを含むピクセル。
136. 請求項１２９のデバイスを含むピクセル。
137. 請求項６８のデバイスを含む電子ディスプレイ。
138. 請求項８２のデバイスを含む電子ディスプレイ。
139. 請求項１０８のデバイスを含む電子ディスプレイ。
140. 請求項１１７のデバイスを含む電子ディスプレイ。
141. 請求項１２９のデバイスを含む電子ディスプレイ。

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