JP2001192651A

JP2001192651A - 芳香族縮環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子

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Publication number: JP2001192651A
Application number: JP2000290626A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Igarashi; 達也五十嵐
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1999-10-26
Filing date: 2000-09-25
Publication date: 2001-07-17
Anticipated expiration: 2020-09-25
Also published as: US7083864B2; JP3949363B2; US20040048102A1; US6635364B1

Abstract

(57)【要約】【課題】発光特性と耐久性が良好な発光素子および
それを可能にする発光素子材料並びにそれを用いた発光
素子を提供する。【解決手段】一般式（１）で表される化合物を用い
る。【化１】式中、Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ はアリーレン基を表
し、Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² は置換基または水素原子
を表す。Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ² ²，Ａ
ｒ³² の少なくとも一つは縮環アリール構造または縮環
ヘテロアリール構造である。Ａｒはアリーレン基または
ヘテロアリーレン基を表す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族縮環化合
物、電気エネルギーを光に変換して発光できる発光素子
用材料および発光素子に関し、表示素子、ディスプレ
イ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露
光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア等の分
野に好適に使用できる発光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】今日、種々の表示素子に関する研究開発
が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低
電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表
示素子として注目されている。例えば、有機化合物の蒸
着により有機薄膜を形成する発光素子が知られている
（アプライドフィジックスレターズ，５１巻，９１
３頁，１９８７年）。この文献に記載された発光素子は
トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体
（Ａｌｑ）を電子輸送材料として用い、正孔輸送材料
（アミン化合物）と積層させることにより、従来の単層
型素子に比べて発光特性を大幅に向上させている。近
年、有機ＥＬ素子をフルカラーディスプレイへと適用す
ることが活発に検討されているが、高性能フルカラーデ
ィスプレイを開発する為には青・緑・赤、それぞれの
発光素子の特性を向上する必要が有る。例えば、青色発
光素子においては、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線」
（エヌ・ティー・エス社）ｐ３８に記載のジスチリル
アリーレン化合物（ＤＰＶＢｉ）などが広範に検討さ
れているが、色純度、耐久性、発光輝度、効率の点で問
題があり、改良が望まれていた。

【０００３】有機発光素子において高輝度発光を実現し
ているものは有機物質を真空蒸着によって積層している
素子であるが、製造工程の簡略化、加工性、大面積化等
の観点から塗布方式による素子作製が望ましい。しかし
ながら、従来の塗布方式で作製した素子では特に青色発
光素子では、発光輝度、発光効率の点で蒸着方式で作製
した素子に劣っており、新規青色発光材料の開発が望ま
れていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
特性、耐久性が良好な発光素子およびそれを可能にする
発光素子用材料の提供にある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この課題は下記手段によ
って達成された。［１］下記一般式（１）で表される化合物からなる発
光素子材料。

【０００６】

【化９】

【０００７】式中、Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ はアリー
レン基を表し、Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² は置換基また
は水素原子を表す。Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，
Ａｒ² ²，Ａｒ³² の少なくとも一つは縮環アリール構造
または縮環ヘテロアリール構造である。Ａｒはアリーレ
ン基またはヘテロアリーレン基を表す。［２］下記一般式（２）で表される化合物からなる発
光素子材料。

【０００８】

【化１０】

【０００９】式中、Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ はアリー
レン基を表し、Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² は置換基また
は水素原子を表す。Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，
Ａｒ² ²，Ａｒ³² の少なくとも一つは縮環アリール構造
または縮環ヘテロアリール構造である。Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³
は水素原子または置換基を表す。［３］Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａ
ｒ³² の少なくとも一つがフェナントレン構造、４環以
上の縮環アリール構造または３環以上の縮環ヘテロアリ
ール構造であることを特徴とする［１］，［２］に記載
の発光素子材料。［４］Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ がフェナントリレン
基または４環以上の縮環アリーレン基であることを特徴
とする［１］，［２］，［３］に記載の発光素子材料。［５］Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² が縮環アリール基で
あることを特徴とする［１］，［２］，［３］，［４］
に記載の発光素子材料。［６］Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² が３環以上の縮環ア
リール基であることを特徴とする［１］，［２］，
［３］，［４］に記載の発光素子材料。［７］Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² がフェナントレン
基、４環以上の縮環アリール基であることを特徴とする
［１］，［２］，［３］，［４］に記載の発光素子材
料。［８］炭素原子、水素原子のみから構成されるている
［１］，［２］，［３］，［４］，［５］，［６］，
［７］に記載の発光素子材料。［９］一般式（３）で表される化合物。

【００１０】

【化１１】

【００１１】式中、Ｒ¹¹，Ｒ¹²，Ｒ¹³は置換基を表す。
Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁵，Ｒ¹⁶は水素原子または置換基を表す。
ｑ¹¹，ｑ¹²，ｑ¹³ は０〜９の整数を表す。［１０］［９］に記載の一般式（３）で表される化合
物から成る発光素子材料。［１１］一般式（４）で表される化合物。

【００１２】

【化１２】

【００１３】式中、Ｒ⁴¹，Ｒ⁴²，Ｒ⁴³は置換基を表す。
Ｒ⁴⁴，Ｒ⁴⁵，Ｒ⁴⁶は水素原子または置換基を表す。
ｑ⁴¹，ｑ⁴²，ｑ⁴³ は０〜９の整数を表す。［１２］［１１］に記載の一般式（４）で表される化
合物から成る発光素子材料。［１３］一般式（５）で表される化合物。

【００１４】

【化１３】

【００１５】式中、Ｒ⁵¹は置換基を表し、Ｒ⁵⁴，Ｒ⁵⁵，
Ｒ⁵⁶ は水素原子または置換基を表す。Ａｒ⁵¹はアンス
リル基、フェナントリル基、または、ピレニル基を表
し、Ａｒ⁵²はフェナントリル基、または、ピレニル基を
表す。ｑ⁵¹ は０〜９の整数を表す。［１４］［１３］に記載の一般式（５）で表される化
合物から成る発光素子材料。［１５］一般式（６）で表される発光素子材料。

【００１６】

【化１４】

【００１７】式中、Ｒ⁶¹，Ｒ⁶² は水素原子または置換
基を表す。Ａｒ⁶¹，Ａｒ⁶²，Ａｒ⁶³，Ａｒ⁶⁴ は縮環ア
リール基を表す。［１６］一般式（７）で表される化合物。

【００１８】

【化１５】

【００１９】式中、Ｒ⁷¹，Ｒ⁷²，Ｒ⁷³，Ｒ⁷⁴は置換基を
表し、Ｒ⁷⁵，Ｒ⁷⁶ は水素原子または置換基を表す。ｑ
⁷¹，ｑ⁷²，ｑ⁷³，ｑ⁷⁴ は０〜９の整数を表す。［１７］［１６］に記載の一般式（７）で表される化
合物から成る発光素子材料。［１８］一般式（８）で表される化合物。

【００２０】

【化１６】

【００２１】式中、Ｒ⁸¹，Ｒ⁸²，Ｒ⁸³，Ｒ⁸⁴は置換基を
表し、Ｒ⁸⁵，Ｒ⁸⁶ は水素原子または置換基を表す。ｑ
⁸¹，ｑ⁸²，ｑ⁸³，ｑ⁸⁴ は０〜９の整数を表す。［１９］［１８］に記載の一般式（８）で表される化
合物から成る発光素子材料。［２０］一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む
複数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少
なくとも一層が［１］，［２］，［３］，［４］，
［５］，［６］，［７］，［８］，［１０］，［１
２］，［１４］，［１５］，［１７］，［１９］に記載
の発光素子材料を少なくとも一種含有する層であること
を特徴とする発光素子。［２１］［１］，［２］，［３］，［４］，［５］，
［６］，［７］，［８］，［１０］，［１２］，［１
４］，［１５］，［１７］，［１９］に記載の発光素子
材料を含む層を塗布プロセスで成膜することを特徴とす
る［２０］に記載の有機発光素子。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。

【００２３】

【化１７】

【００２４】一般式（１）について説明する。Ａｒ¹¹，
Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ はアリーレン基を表す。アリーレン基
の炭素数は６〜３０が好ましく、６〜２０がより好まし
く、６〜１６がさらに好ましい。アリーレン基として
は、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレ
ン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニ
レン基、フルオレニレン基、ビフェニレン基、ターフェ
ニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェ
ニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナン
トレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げ
られ、これらのアリーレン基はさらに置換基を有してい
ても良い。

【００２５】アリーレン基上の置換基としては、例え
ば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ま
しくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０
であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔ
ｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキ
サデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘ
キシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましく
は炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特
に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、ア
リル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられ
る。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、よ
り好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２
〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルな
どが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６
〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましく
は炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチル
フェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられ
る。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好
ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１
０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルア
ミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキ
シ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素
数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例
えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシ
ロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ま
しくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２
０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェ
ニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ
などが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ基（好ま
しくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２
０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリ
ジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノ
リルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましく
は炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特

【００２６】に好ましくは炭素数１〜１２であり、例え
ばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが
挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは
炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に
好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカル
ボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、ア
リールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３
０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭
素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル
などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭
素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好
ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベ
ンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基
（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２
〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば
アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられ
る。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭
素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好
ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボ
ニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカル
ボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ま
しくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２
であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが
挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素
数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ま
しくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニル
アミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられ
る。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３
０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭
素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルス
ルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスル
ファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好
ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２
０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカル
バモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイ
ル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アル
キルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましく
は炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であ
り、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられ
る。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、
より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数
６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられ
る。）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜
３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好

【００２７】ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピ
リジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオ
キサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げ
られる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３
０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭
素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げ
られる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３
０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭
素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベン
ゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基
（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１
〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば
ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙
げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜
３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは
炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、
フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキ
シ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、ス
ルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸
基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環
基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数
１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原
子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリ
ル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジ
ル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾ
リル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル
基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数
３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好まし
くは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、
トリフェニルシリルなどが挙げられる。）などが挙げら
れる。これらの置換基は更に置換されてもよい。

【００２８】Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹は好ましくはフェ
ニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナント
レニレン基、ビフェニレン基、４環以上のアリーレン基
（例えばピレニレン基、ペリレニレン基）、であり、よ
り好ましくは、フェニレン基、ナフチレン基、フェナン
トレン基、４環以上のアリーレン基であり、さらに好ま
しくは、フェニレン基、フェナントリレン基、ピレニレ
ン基であり、特に好ましくは、ピレニレン基である。

【００２９】Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² は置換基または
水素原子を表す。置換基としては、前記Ａｒ¹¹上の置換
基で説明した基が挙げられる。Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³²
として好ましくは水素原子、アリール基、ヘテロアリ
ール基、アルキル基、アルケニル基であり、より好まし
くは、水素原子、アリール基、ヘテロアリール基であ
り、さらに好ましくは水素原子、アリール基であり、特
に好ましくは、水素原子、ピレニル基である。

【００３０】Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａ
ｒ²²，Ａｒ³² の少なくとも一つは縮環アリール構造ま
たは縮環ヘテロアリール構造である。Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，
Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² の少なくとも一つが
縮環アリール構造であることが好ましい。縮環アリール
構造としては、好ましくは、ナフタレン構造、アントラ
セン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、ペリレン
構造、より好ましくは、ナフタレン構造、アントラセン
構造、ピレン構造、フェナントレン構造であり、さらに
好ましくは、フェナントレン構造、４環以上のアリール
構造であり、特に好ましくは、ピレン構造である。

【００３１】縮環ヘテロアリール構造としては、好まし
くはキノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構
造、アクリジン構造、フェナントリジン構造、フタラジ
ン構造、フェナントロリン構造であり、より好ましく
は、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構
造、フタラジン構造、フェナントロリン構造である。

【００３２】Ａｒはアリーレン基（好ましくは炭素数６
〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは炭
素数６〜１６、例えばフェニレン基、ナフチレン基、ア
ントラセニレン基、フェナントレン基、ピレニレン基、
トリフェニレン基などが挙げられる。）、ヘテロアリー
レン基（ヘテロ原子として好ましくは窒素原子、硫黄原
子、酸素原子、より好ましくは窒素原子、好ましくは炭
素数２〜３０より好ましくは炭素数３〜２０、さらに好
ましくは炭素数３〜１６、例えばピリジレン基、ピラジ
レン基、チオフェニレン基、キノリレン基、キノキサリ
レン基、トリアジレン基などが挙げられる）を表し、こ
れらの基は置換基を有していても良い。置換基としては
例えば、前記Ａｒ¹¹上の置換基で説明した基が挙げられ
る。Ａｒはフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニ
レン基、ピレニレン基、トリフェニレン基であることが
好ましく、フェニレン基であることがより好ましく、無
置換（Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹は置換されている）フェ
ニレン基、アルキル置換フェニレン基であることがさら
に好ましい。

【００３３】一般式（１）で表される化合物の好ましい
形態は、一般式（２）で表される化合物、一般式（６）
で表される化合物であり、より好ましい形態は、一般式
（３）で表される化合物、一般式（４）で表される化合
物、一般式（５）で表される化合物、一般式（７）で表
される化合物、一般式（８）で表される化合物であり、
さらに好ましい形態は一般式（３）で表される化合物で
ある。また、本発明の化合物は、炭素原子、水素原子の
みから構成されている化合物が好ましい。

【００３４】

【化１８】

【００３５】

【化１９】

【００３６】

【化２０】

【００３７】

【化２１】

【００３８】

【化２２】

【００３９】

【化２３】

【００４０】

【化２４】

【００４１】一般式（２）について説明する。一般式
（２）のＡｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａ
ｒ³² 基は一般式（１）で説明したＡｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａ
ｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² 基とそれぞれ同義であ
り、好ましい範囲も同じである。Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³は水素
原子または置換基を表す。置換基としては、前記Ａｒ¹¹
上の置換基で説明した基が挙げられる。Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³
は好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基であ
り、より好ましくは水素原子、アルキル基である。

【００４２】一般式（１），（２）で表される化合物は
Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² の
少なくとも一つがフェナントレン構造、４環以上の縮環
アリール構造または３環以上の縮環ヘテロアリール構造
の化合物が好ましく、フェナントレン構造、ピレン構造
がより好ましい。また、一般式（１），（２）で表され
る化合物はＡｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² が縮環アリール基
または水素原子である化合物が好ましく、Ａｒ¹²，Ａｒ
²²，Ａｒ³² が３環以上の縮環アリール基または水素原
子であることがより好ましく、Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³²
がフェナントレン構造、４環以上の縮環アリール構
造、水素原子であることが更に好ましい。また、一般式
（１），（２）で表される化合物はＡｒ¹¹，Ａｒ²¹，
Ａｒ³¹ がフェナントリレン基または４環以上の縮環ア
リーレン基である化合物が好ましい。

【００４３】一般式（１），（２）で表される化合物
は、炭素原子、水素原子のみから構成されている化合物
が好ましい。

【００４４】一般式（３）について説明する。Ｒ¹¹，Ｒ
¹²，Ｒ¹³は置換基を表す。置換基としては、前記Ａｒ¹¹
上の置換基で説明した基が挙げられる。Ｒ¹¹，Ｒ¹²，Ｒ
¹³は好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール
基、ヘテロアリール基、アルコキシ基であり、より好ま
しくは、アルキル基、アリール基であり、さらに好まし
くは、アリール基である。

【００４５】ｑ¹¹，ｑ¹²，ｑ¹³ は０〜９の整数を表
す。ｑ¹¹，ｑ¹²，ｑ¹³ は好ましくは０〜３の整数であ
り、より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好まし
くは０，１である。

【００４６】Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁵，Ｒ¹⁶ は前記Ｒ¹と同義であ
り、好ましい範囲も同じである。

【００４７】一般式（４）について説明する。Ｒ⁴¹，Ｒ
⁴²，Ｒ⁴³は前記Ｒ¹と同義であり、好ましい範囲も同じ
である。Ｒ⁴⁴，Ｒ⁴⁵，Ｒ⁴⁶は前記Ｒ¹¹と同義であり、好
ましい範囲も同じである。ｑ⁴¹，ｑ⁴²，ｑ⁴³ は０〜９
の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、より好
ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０，１
である。

【００４８】一般式（５）について説明する。Ｒ⁵¹は前
記Ｒ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｒ⁵⁴，Ｒ⁵⁵，Ｒ⁵⁶ は前記Ｒ¹と同義であり、好ましい範
囲も同じである。Ａｒ⁵¹はアンスリル基、フェナントリ
ル基、ピレニル基を表し、Ａｒ⁵²はフェナントリル基、
ピレニル基を表す。Ａｒ⁵¹はフェナントリル基、ピレニ
ル基が好ましく、ピレニル基がより好ましい。Ａｒ⁵²は
ピレニル基が好ましい。ｑ ⁵¹ は０〜９の整数を表し、
好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２
の整数であり、さらに好ましくは０，１である。

【００４９】一般式（６）について説明する。Ｒ⁶¹，Ｒ
⁶² は前記Ｒ¹と同義であり、好ましい範囲も同じであ
る。Ａｒ⁶¹，Ａｒ⁶²，Ａｒ⁶³，Ａｒ⁶⁴ は縮環アリール
基を表し、好ましくはフェナントリル基、４環以上のア
リール基であり、より好ましくは、フェナントリル基、
ピレニル基である。

【００５０】一般式（７）について説明する。Ｒ⁷¹，Ｒ
⁷²，Ｒ⁷³，Ｒ⁷⁴は前記Ｒ¹¹と同義であり、好ましい範囲
も同じである。Ｒ⁷⁵，Ｒ⁷⁶ は前記Ｒ¹と同じであり、好
ましい範囲も同じである。ｑ⁷¹，ｑ⁷²，ｑ⁷³，ｑ⁷⁴ は
０〜９の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、
より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは
０，１である。

【００５１】一般式（８）について説明する。Ｒ⁸¹，Ｒ
⁸²，Ｒ⁸³，Ｒ⁸⁴は前記Ｒ¹¹と同義であり、好ましい範囲
も同じである。Ｒ⁸⁵，Ｒ⁸⁶ は前記Ｒ¹と同じであり、好
ましい範囲も同じである。ｑ⁸¹，ｑ⁸²，ｑ⁸³，ｑ⁸⁴ は
０〜９の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、
より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは
０，１である。

【００５２】本発明の化合物は低分子化合物であっも良
く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平
均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜
５００００００、より好ましくは２０００〜１００００
００、さらに好ましくは３０００〜１０００００であ
る。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、一般式
（１）〜一般式（８）で表される構造がポリマー主鎖中
に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていて
も良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化
合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明
の化合物は低分子化合物が好ましい。

【００５３】本発明の化合物は、その蛍光スペクトルの
λｍａｘ（最大発光波長）が４００〜５００ｎｍである
ことが好ましく、４００〜４８０ｎｍであることがより
好ましく、４００〜４６０ｎｍであることがさらに好ま
しい。

【００５４】次に本発明の化合物の化合物例を示すが、
本発明はこれに限定されない。

【００５５】

【化２５】

【００５６】

【化２６】

【００５７】

【化２７】

【００５８】

【化２８】

【００５９】

【化２９】

【００６０】

【化３０】

【００６１】

【化３１】

【００６２】

【化３２】

【００６３】次に、本発明の化合物の製造方法について
述べる。本発明の化合物は、種々の公知の芳香族炭素炭
素結合生成反応を利用して合成可能であり、例えば、Ｏ
ｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｉｓＲｅａｃｔｉｏｎ
Ｇｕｉｄｅ（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎ
ｃ．社）ｐ．６１７〜ｐ．６４３、及び、Ｃｏｍｐｒ
ｅｈｅｎｓｉｖｅＯｒｇａｎｉｃＴｒａｎｓｆｏｒｍ
ａｔｉｏｎ（ＶＣＨ社）ｐ．５〜ｐ．１０３などに記
載されている手法を利用して合成することができる。パ
ラジウム触媒存在下炭素炭素結合を生成する合成法好ま
しく、ホウ酸誘導体とアリールハライド誘導体をパラジ
ウム触媒存在下合成する手法がさらに好ましい。

【００６４】ホウ酸誘導体としては、置換または無置換
のアリールホウ酸誘導体（例えば、１，４−フェニルジ
ホウ酸、４，４′−ビフェニルジホウ酸、ピレンホウ酸
誘導体、フェナントレンホウ酸誘導体等が挙げられ
る）、ヘテロアリールホウ酸誘導体（例えばピリジルジ
ホウ酸などが挙げられる）などが挙げられる。

【００６５】アリールハライド誘導体のハロゲン原子
は、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であ
り、特に好ましくは臭素原子である。

【００６６】パラジウム触媒としては、特に限定しない
が、例えば、パラジウムテトラキストリフェニルホスフ
ィン、パラジウムカーボン、酢酸パラジウム、パラジウ
ムジクロライド（ｄｐｐｆ）（ｄｐｐｆ：１，１’−ビ
スジフェニルホスフィノフェロセン）などが挙げられ
る。トリフェニルホスフィンなどの配位子を同時に添加
しても良い。

【００６７】本反応は、塩基を用いたほうが好ましい。
用いる塩基の種類は特に限定しないが、例えば、炭酸ナ
トリウム、酢酸ナトリウム、トリエチルアミンなどが挙
げられる。用いる塩基の量は特に限定しないが、ホウ酸
（エステル）部位に対して、好ましくは０．１〜２０当
量、特に好ましくは１〜１０当量である。

【００６８】本反応は溶媒を用いた方が好ましい。用い
る溶媒は特に限定しないが、例えば、エタノール、水、
エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、トル
エン、テトラヒドロフラン及びそれらの混合溶媒を用い
ることができる。

【００６９】次に、本発明の化合物を含有する発光素子
に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合
物を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形
態など特に問わないが、本発明の化合物からの発光を利
用するもの、または本化合物を電荷輸送材料として利用
する物が好ましい。代表的な発光素子として有機ＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができ
る。

【００７０】本発明の化合物を含有する発光素子の有機
層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗
加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、
コーティング法、インクジェット法、印刷法などの方法
が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティ
ング法が好ましい。

【００７１】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄
膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正
孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有し
てもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備え
たものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の
材料を用いることができる。

【００７２】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金
属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物
または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど
の有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物な
どが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、
特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好
ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である
が、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは
１００ｎｍ〜５００ｎｍである。

【００７３】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましく
は０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、
発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場
合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的であ
る。

【００７４】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いる
ことができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬ
ｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アル
カリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物
または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム
−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−ア
ルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム
−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテ
リビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事
関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミ
ニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混
合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属
等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だ
けでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取る
こともできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウ
ム、アルミニウム／酸化リチウムの積層構造が好まし
い。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通
常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ま
しくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００
ｎｍ〜１μｍである。陰極の作製には電子ビーム法、ス
パッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法など
の方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成
分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の
金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能で
あり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよ
い。陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数
百Ω／□以下が好ましい。

【００７５】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよく、また、一重項励起子、または、三重項励起
子のいずれから発光する物であっても良い。例えばベン
ゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベ
ンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリ
フェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラ
フェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、ク
マリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘
導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアント
ラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘
導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエ
ン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディ
ン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類
錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポ
リフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化
合物、有機シラン誘導体、本発明の化合物等が挙げられ
る。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通
常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好まし
くは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜
５００ｎｍである。発光層の形成方法は、特に限定され
るものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッ
タリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート
法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェ
ット法、印刷法、ＬＢ法などの方法が用いられ、好まし
くは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。

【００７６】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリー
ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導
体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共
重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導
電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、カーボン
膜、本発明の化合物等が挙げられる。正孔注入層、正孔
輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１
ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは
５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５０
０ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料
の１種または２種以上からなる単層構造であってもよい
し、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造
であってもよい。正孔注入層、正孔輸送層の形成方法と
しては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を
溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（ス
ピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、
インクジェット法、印刷法が用いられる。コーティング
法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することがで
き、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカ
ーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリス
ルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポ
リ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロー
ス、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキ
シ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。

【００７７】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキ
ノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノ
ン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミ
ド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリル
ピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テト
ラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノ
リノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベ
ンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金
属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、
本発明の化合物等が挙げられる。電子注入層、電子輸送
層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ
〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎ
ｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎ
ｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１
種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、
同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であ
ってもよい。電子注入層、電子輸送層の形成方法として
は、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒
に溶解または分散させてコーティングする方法（スピン
コート法、キャスト法、ディップコート法など）、イン
クジェット法、印刷法などが用いられる。コーティング
法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することがで
き、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に
例示したものが適用できる。

【００７８】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ
ｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇ
ｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｔ
ｉＯ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、Ｃ
ａＦ₂等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレ
ア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフル
オロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロ
ロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレン
との共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１
種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて
得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フ
ッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率
０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形
成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、
スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ
（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、
イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起
イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザ
ーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーテ
ィング法、印刷法を適用できる。

【００７９】

【実施例】以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本
発明の実施の態様はこれらに限定されない。（１−１）の合成ピレンホウ酸エステルａ１．０ｇ、１，３，５−ト
リブロモベンゼン０．２９ｇ、炭酸ナトリウム０．６
ｇ、トリフェニルホスフィン０．０５ｇ、パラジウム
カーボン０．０５ｇにジエチレングリコールジメチル
エーテル２０ｍｌ、水２０ｍｌを加え還流攪拌し
た。６時間後、反応溶液をクロロホルム２００ｍｌ、水
２００ｍｌで希釈し、セライトろ過した。有機層を水１
００ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、
溶媒を濃縮した。カラムクロマトグラフィー（クロロホ
ルム）で精製した後、再結晶で精製し（クロロホルム／
メタノール）（１−１）０．５ｇを得た。（１−
１）の蒸着膜を作製し、その膜蛍光を測定したところ、
膜蛍光極大波長λｍａｘは４８０ｎｍであった。化合
物のガラス転移点（Ｔｇ）を測定したところ、１６４℃
であった。

【００８０】

【化３３】

【００８１】（１−２）の合成フェナントレンホウ酸エステル１．５ｇ、１，３，５
−トリブロモベンゼン０．４７ｇ、炭酸ナトリウム
１．６ｇ、トリフェニルホスフィン０．０７ｇ、パラ
ジウムカーボン０．０７ｇにジエチレングリコールジ
メチルエーテル３０ｍｌ、水３０ｍｌを加え還流攪
拌した。６時間後、反応溶液をクロロホルム２００ｍ
ｌ、一規定塩酸水２００ｍｌで希釈し、セライトろ過し
た。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウ
ムで乾燥した後、溶媒を濃縮した。カラムクロマトグラ
フィー（ヘキサン／酢酸エチル系）で精製した後、再結
晶で精製し（クロロホルム／メタノール）（１−２）
１．０ｇを得た。ＭＳスペクトルを測定し、（１−
２）の構造を確認した。（１−２）の蒸着膜を作製し、
その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λｍａｘ
は３８０ｎｍであった。

【００８２】

【化３４】

【００８３】（１−３９）の合成ピレンホウ酸エステル１．０ｇ、１，２，４，５−テ
トラブロモベンゼン０．２８ｇ、炭酸ナトリウム０．
８８ｇ、トリフェニルホスフィン０．０５ｇ、パラジ
ウムカーボン０．０５ｇにジエチレングリコールジメ
チルエーテル３０ｍｌ、水３０ｍｌを加え還流攪拌
した。６時間後、反応溶液をクロロホルム２００ｍｌ、
一規定塩酸水２００ｍｌで希釈し、セライトろ過した。
有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウムで
乾燥した後、溶媒を濃縮した。カラムクロマトグラフィ
ー（クロロホルム）で精製した後、再結晶で精製し（ク
ロロホルム／メタノール）（１−３９）０．４ｇを
得た。ＭＳスペクトルを測定し（１−３９）の構造を
確認した。

【００８４】

【化３５】

【００８５】（１−４０）の合成フェナントレンホウ酸エステル１．１５ｇ、１，２，
４，５−テトラブロモベンゼン０．３５ｇ、炭酸ナト
リウム０．９６ｇ、トリフェニルホスフィン０．０７
ｇ、パラジウムカーボン０．０７ｇにジエチレングリ
コールジメチルエーテル３０ｍｌ、水３０ｍｌを加
え還流攪拌した。６時間後、室温に冷却し、セライトろ
過した。ろ別した固体をクロロホルムに溶解し、セライ
トろ過し、パラジウムカーボンを除去した。カラムクロ
マトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、再結晶
で精製し（クロロホルム／メタノール）（１−４０）
０．５ｇを得た。ＭＳスペクトル測定により（１−４
０）の構造を確認した。（１−４０）の蒸着膜を作製
し、その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λｍ
ａｘは４４０ｎｍであった。

【００８６】

【化３６】

【００８７】（１−３５）の合成１，３，５−トリブロモベンゼン２５ｇにジエチルエー
テル２５０ｍｌを加え、窒素気流下 −７８℃に冷却し
た。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）５
２ｍｌを滴下し、室温に昇温した。アンスロン１５．４
ｇを分割添加し、加熱還流下３時間攪拌した。室温に冷
却した溶液に酢酸エチル５００ｍｌ、一規定塩酸水３０
０ｍｌを加え、有機層を分取した。有機層を飽和食塩水
３００ｍｌで洗浄した後、濃縮した。カラムクロマトグ
ラフィー（クロロホルム）で精製し中間体Ａ１．５ｇ
を得た。ピレンホウ酸エステル０．８４ｇ、化合物Ａ
０．５ｇ、炭酸ナトリウム０．５１ｇ、トリフェニル
ホスフィン０．０５ｇ、パラジウムカーボン０．０５
ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル３０ｍ
ｌ、水３０ｍｌを加え還流攪拌した。６時間後、室温
に冷却し、セライトろ過した。ろ別した固体をクロロホ
ルムに溶解し、セライトろ過し、パラジウムカーボンを
除去した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）
で精製した後、再結晶で精製し（クロロホルム／メタノ
ール）（１−３５）０．３ｇを得た。ＭＳスペクト
ル測定により（１−３５）の構造を確認した。

【００８８】

【化３７】

【００８９】（１−３７）の合成１，３，５−トリブロモベンゼン１０ｇにジエチルエー
テル１５０ｍｌを加え、窒素気流下 −７８℃に冷却し
た。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）４
１．７ｍｌを滴下し、室温に昇温した。アンスロン１
３．０ｇを分割添加し、加熱還流下３時間攪拌した。ジ
エチルエーテルを蒸留除去し、トルエン２００ｍｌ、パ
ラトルエンスルホン酸０．１ｇを加え加熱還流下３時
間攪拌した。室温に冷却した溶液にクロロホルム３００
ｍｌ、水３００ｍｌを加え、有機層を分取、濃縮した。
カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した
後、晶析し（クロロホルム／ヘキサン）、中間体Ｂ
２．０ｇを得た。ピレンホウ酸エステル０．２７ｇ、
化合物Ｂ０．４ｇ、炭酸ナトリウム０．１７ｇ、トリ
フェニルホスフィン０．０５ｇ、パラジウムカーボン
０．０５ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル
３０ｍｌ、水３０ｍｌを加え還流攪拌した。６時間
後、室温に冷却し、セライトろ過した。ろ別した固体を
クロロホルムに溶解し、セライトろ過し、パラジウムカ
ーボンを除去した。カラムクロマトグラフィー（ヘキサ
ン／酢酸エチル系 → クロロホルム系）で精製した後、
再結晶で精製し（クロロホルム／メタノール）（１−
３７）０．１ｇを得た。ＭＳスペクトル測定により
（１−３７）の構造を確認した。

【００９０】

【化３８】

【００９１】比較例１洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ
（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチ
ル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、ジス
チリル化合物ｂを２０ｎｍ蒸着し、この上にアゾール
化合物ｃを４０ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニ
ングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマス
ク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝１０：
１を５０ｎｍ共蒸着した後、銀５０ｎｍを蒸着した。東
陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用い
て、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度
をトプコン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松フォト
ニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用い
て測定した。その結果、色度値（０．１５，０．２０）
の青緑色発光が得られ、最高輝度１１３０ｃｄ／ｍ² の
輝度が得られた。窒素雰囲気下１日放置したところ、膜
面の白濁が観察された。

【００９２】

【化３９】

【００９３】比較例２化合物ｂの替わりに化合物ｄを用い、比較例１と同様に
素子作製した。有機薄膜が白濁し、素子評価不可であっ
た。比較例３化合物ｂの替わりに化合物ｅを用い、比較例１と同様に
素子作製した。有機膜が白濁し、素子評価不可であっ
た。

【００９４】実施例１化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−１）を用
い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、
（０．１７，０．３１）の青緑色発光を得、最高輝度１
２７４０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置して
も有機膜は透明であった。実施例２化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−８）を用
い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、
（０．１６，０．２０）の青緑色発光を得、最高輝度６
１１０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても
有機膜は透明であった。実施例３洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ
（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチ
ル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、ジス
チリル化合物ｂと本発明の化合物（１−１）を２０ｎ
ｍ共蒸着し（ジスチリル化合物ｂ：（１−１）＝５０：
１）、この上にアゾール化合物ｃを４０ｎｍ蒸着し
た。比較例１と同様に金属蒸着評価した。その結果、
（０．１６，０．２０）の青緑色発光を得、最高輝度１
１９００ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置して
も有機膜は透明であった。実施例４ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）４０ｍｇ、ＰＢＤ（ｐ
−ｔ−ブチルフェニル−ビフェニル−１，２，４，−オ
キサジアゾール）１２ｍｇ、本発明の化合物（１−２
１）１ｍｇをジクロロエタン３ｍｌに溶解し、洗浄した
基板上にスピンコートした（２０００ｒｐｍ，５ｓｅ
ｃ）。比較例１と同様に陰極を蒸着、評価したところ、
（０．１７，０．２０）の青緑色発光を得、最高輝度２
７１０ｃｄ／ｍ²が得られた。実施例５化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−２７）を用
い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、
（０．１６，０．２２）の青色発光を得、最高輝度６１
７０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても有
機膜は透明であった。

【００９５】実施例６化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−４０）を用
い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、
（０．１８，０．１８）の青色発光を得、最高輝度７５
５０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても有
機膜は透明であった。実施例７化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−３５）を用
い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、
（０．２０，０．２８）の青緑色発光を得、最高輝度３
９８０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても
有機膜は透明であった。実施例８化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−３４）を用
い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、
（０．１９，０．２２）の青色発光を得、最高輝度２７
１０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても有
機膜は透明であった。実施例９化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−４０）を用
い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、
（０．１８，０．１８）の青色発光を得、最高輝度３２
４０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても有
機膜は透明であった。実施例１０洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ
（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチ
ル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、化合
物（１−２）、化合物ｆを１０対１の比率で２０ｎ
ｍ共蒸着した。この上にアゾール化合物ｃを４０ｎｍ
蒸着した。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した。
その結果、色度値（０．６０，０．３９）の赤色発光が
得られ、最高輝度１８７００ｃｄ／ｍ² が得られた。外
部量子効率を算出したところ１２．０％であった。同
様に、本発明のその他の化合物含有ＥＬ素子を作製・評
価したところ、本発明の化合物がＥＬ素子材料として高
機能（輝度、耐久性、成膜性）を有することが確認でき
た。

【００９６】

【発明の効果】本発明の化合物は有機ＥＬ用材料として
使用可能であり、また、本発明の化合物は医療用途、蛍
光増白剤、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー色素、
カラーフィルター用染料、色変換フィルター等にも適用
可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０７Ｃ 15/38 Ｃ０７Ｃ 15/38 Ｃ０７Ｄ 251/24 Ｃ０７Ｄ 251/24 263/62 263/62 333/08 333/08 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式（１）で表される化合物から
なる発光素子材料。【化１】式中、Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ はアリーレン基を表
し、Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² は置換基または水素原子
を表す。Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ² ²，Ａ
ｒ³² の少なくとも一つは縮環アリール構造または縮環
ヘテロアリール構造である。Ａｒはアリーレン基または
ヘテロアリーレン基を表す。
【請求項２】下記一般式（２）で表される化合物から
なる発光素子材料。【化２】式中、Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ はアリーレン基を表
し、Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² は置換基または水素原子
を表す。Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ² ²，Ａ
ｒ³² の少なくとも一つは縮環アリール構造または縮環
ヘテロアリール構造である。Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³は水素原子
または置換基を表す。
【請求項３】Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ
²²，Ａｒ³² の少なくとも一つがフェナントレン構造、
４環以上の縮環アリール構造または３環以上の縮環ヘテ
ロアリール構造であることを特徴とする請求項１または
２に記載の発光素子材料。
【請求項４】Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ がフェナント
リレン基または４環以上の縮環アリーレン基であること
を特徴とする請求項１，２または３に記載の発光素子材
料。
【請求項５】Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² が縮環アリー
ル基であることを特徴とする請求項１，２，３，または
４に記載の発光素子材料。
【請求項６】Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² が３環以上の
縮環アリール基であることを特徴とする請求項１，２，
３，または４に記載の発光素子材料。
【請求項７】Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² がフェナント
レン基、または４環以上の縮環アリール基であることを
特徴とする請求項１，２，３，または４に記載の発光素
子材料。
【請求項８】炭素原子、水素原子のみから構成される
ている請求項１，２，３，４，５，６，または７に記載
の発光素子材料。
【請求項９】一般式（３）で表される化合物。【化３】式中、Ｒ¹¹，Ｒ¹²，Ｒ¹³は置換基を表す。Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁵，
Ｒ¹⁶は水素原子または置換基を表す。ｑ¹¹，ｑ¹²，ｑ¹³
は０〜９の整数を表す。
【請求項１０】請求項９に記載の一般式（３）で表さ
れる化合物から成る発光素子材料。
【請求項１１】一般式（４）で表される化合物。【化４】式中、Ｒ⁴¹，Ｒ⁴²，Ｒ⁴³は置換基を表す。Ｒ⁴⁴，Ｒ⁴⁵，
Ｒ⁴⁶は水素原子または置換基を表す。ｑ⁴¹，ｑ⁴²，ｑ⁴³
は０〜９の整数を表す。
【請求項１２】請求項１１に記載の一般式（４）で表
される化合物から成る発光素子材料。
【請求項１３】一般式（５）で表される化合物。【化５】式中、Ｒ⁵¹は置換基を表し、Ｒ⁵⁴，Ｒ⁵⁵，Ｒ⁵⁶ は水素
原子または置換基を表す。Ａｒ⁵¹はアンスリル基、フェ
ナントリル基、または、ピレニル基を表し、Ａｒ⁵²はフ
ェナントリル基、または、ピレニル基を表す。ｑ⁵¹ は
０〜９の整数を表す。
【請求項１４】請求項１３に記載の一般式（５）で表
される化合物から成る発光素子材料。
【請求項１５】一般式（６）で表される発光素子材
料。【化６】式中、Ｒ⁶¹，Ｒ⁶² は水素原子または置換基を表す。Ａ
ｒ⁶¹，Ａｒ⁶²，Ａｒ⁶³，Ａｒ⁶⁴ は縮環アリール基を表
す。
【請求項１６】一般式（７）で表される化合物。【化７】式中、Ｒ⁷¹，Ｒ⁷²，Ｒ⁷³，Ｒ⁷⁴は置換基を表し、Ｒ⁷⁵，
Ｒ⁷⁶ は水素原子または置換基を表す。ｑ⁷¹，ｑ⁷²，ｑ
⁷³，ｑ⁷⁴ は０〜９の整数を表す。
【請求項１７】請求項１６に記載の一般式（７）で表
される化合物から成る発光素子材料。
【請求項１８】一般式（８）で表される化合物。【化８】式中、Ｒ⁸¹，Ｒ⁸²，Ｒ⁸³，Ｒ⁸⁴は置換基を表し、Ｒ⁸⁵，
Ｒ⁸⁶ は水素原子または置換基を表す。ｑ⁸¹，ｑ⁸²，ｑ
⁸³，ｑ⁸⁴ は０〜９の整数を表す。
【請求項１９】請求項１８に記載の一般式（８）で表
される化合物から成る発光素子材料。
【請求項２０】一対の電極間に発光層もしくは発光層
を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子におい
て、少なくとも一層が請求項１，２，３，４，５，
６，７，８，１０，１２，１４，１５，１７，または１
９に記載の発光素子材料を少なくとも一種含有する層
であることを特徴とする発光素子。
【請求項２１】請求項１，２，３，４，５，６，
７，８，１０，１２，１４，１５，１７，または１９
に記載の発光素子材料を含む層を塗布プロセスで成膜す
ることを特徴とする請求項２０に記載の有機発光素子。