JPH11283746A

JPH11283746A - ビスベンゾアゾール化合物を用いたエレクトロルミネッセンス素子およびビスベンゾアゾール化合物の製造方法

Info

Publication number: JPH11283746A
Application number: JP10081606A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Igarashi; 達也五十嵐
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1998-03-27
Filing date: 1998-03-27
Publication date: 1999-10-15

Abstract

(57)【要約】【課題】青〜青緑色部に発光するエレクトロルミネッ
センス素子を提供する。【解決手段】一般式（１）で表される化合物を少なく
とも一つ含有するエレクトロルミネッセンス素子。【化１】Ｒ¹，Ｒ²はそれぞれ水素原子または置換基を表し、
Ｒ³，Ｒ⁴はそれぞれ置換基を表し、Ｌは２価の連結基を
表す。Ｘ¹，Ｘ²はそれぞれ酸素原子、硫黄原子、置換ま
たは無置換の窒素原子を表す。ｎ，ｍは０から３の整数
を表し、ｎ，ｍが２以上のときは、複数のＲ³，Ｒ⁴はそ
れぞれ同じであっても異なっても良い。ｌは０以上の整
数を表し、ｌが２以上のときは、Ｌは同じであっても異
なっても良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ビスベンゾアゾー
ル化合物を含有するエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）
素子、および、ビスベンゾアゾール化合物の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】今日、種々の表示素子に関する研究開発
が活発であり、中でも、有機ＥＬ素子は、低電圧で高輝
度の発光を得ることができ、有望な表示素子として注目
されている。例えば、有機化合物の蒸着により有機薄膜
を形成するＥＬ素子が知られている（アプライドフィ
ジックスレターズ，５１巻，９１３項，１９８７
年）。前記文献に記載の有機ＥＬ素子は電子輸送材料と
正孔輸送材料の積層構造を有し、従来の単層型素子に比
べてその発光特性が大幅に向上している。

【０００３】上記積層型ＥＬ素子の発光効率を改良する
手段として、蛍光色素をドープする方法が知られてい
る。例えば、ジャーナルオブアプライドフィジックス６
５巻３６１０項１９８９年に記載のクマリン色素をドー
プした有機ＥＬ素子は、ドープしない素子に比べて発光
効率が大幅に向上している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ素子において
は、用途によって求められる発光色が異なるが、用いる
蛍光色素の種類を変えることにより所望の波長の光を取
り出すことが可能である。しかしながら、所望の波長で
高効率に発光し、かつ、耐久性に優れる青〜青緑色部に
発光する蛍光色素は数が少なく、開発が望まれていた。

【０００５】また、前記積層型素子などの有機ＥＬ素子
においては、有効な電荷輸送材料開発が重要である。例
えば、前記文献で用いられているＡｌｑ（アルミニウム
キノリナート）は有効な電子輸送材料であり、現在も広
範に用いられている。しかしながら、Ａｌｑは緑色の蛍
光を発する化合物であり、このＡｌｑを含有する層に青
色発光色素をドープしても、青色発光を得ることは原理
的に困難である。このように、特に、青色もしくは白色
の発光素子開発においては、青色もしくは紫外部に蛍光
を有する電荷輸送材料の開発が望まれていた。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、下記〜に
よって達成された。一般式（１）で表される化合物を少なくとも一つ含有
するエレクトロルミネッセンス素子。一般式（１）

【０００７】

【化２】

【０００８】Ｒ¹，Ｒ²はそれぞれ水素原子または置換基
を表し、Ｒ³，Ｒ⁴はそれぞれ置換基を表し、Ｌは２価の
連結基を表す。Ｘ¹，Ｘ²はそれぞれ酸素原子、硫黄原
子、置換または無置換の窒素原子を表す。ｎ，ｍは０か
ら３の整数を表し、ｎ，ｍが２以上のときは、複数のＲ
３，Ｒ４はそれぞれ同じであっても異なっても良い。ｌ
は０以上の整数を表し、ｌが２以上のときは、Ｌは同じ
であっても異なっても良い。一般式（１）のＬがビニレン基、または、芳香族基を
含有する２価の連結基であることを特徴とするに記載
のエレクトロルミネッセンス素子。一般式（１）のＬがフェニレン基であることを特徴と
するに記載のエレクトロルミネッセンス素子。一般式（１）のＲ¹，Ｒ²がアルキル基、芳香族基であ
ることを特徴とする，，に記載のエレクトロルミ
ネッセンス素子。一般式（１）で表される化合物を製造する工程におい
て、ホウ酸誘導体またはホウ酸エステル誘導体およびア
リールハライド誘導体またはアリールトリフラート誘導
体をパラジウム触媒存在下カップリングして得る方法。

【０００９】

【発明の実施の形態】一般式（１）で表される化合物に
ついて詳細に説明する。Ｒ¹，Ｒ²は水素原子または置換
基を表し、置換基の例としては、例えば、アルキル基
（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１
〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメ
チル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、
ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロ
プロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げ
られる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２
０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭
素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニ
ル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル
基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数
２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えば
プロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましく
は炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であ
り、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルな
どが挙げられる。）、置換カルボニル基（好ましくは炭
素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好
ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベン
ゾイル、メトキシカルボニル、フェニルオキシカルボニ
ル、ジメチルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボ
ニル、などが挙げられる。）、置換アミノ基（好ましく
は炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特
に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジメチルア
ミノ、メチルカルバモイル、エチルスルフォニルアミ
ノ、ジメチルアミノカルボニルアミノ基、フタルイミド
基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭
素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好
ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル
などが挙げられる。）、スルホ基、カルボキシル基、ヘ
テロ環基（好ましくは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子
のいずれかを含み、好ましくは炭素数１〜５０、より好
ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数２〜１
２であり、例えばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピ
ペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、トリアゾ
リル基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、アルコキ
シ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素
数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例
えばメトキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられ
る。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２
０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭
素数６〜１２であり、例えばフェノキシ基、ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。）、ハロゲン原子（好ましく
はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、よう素原子）、チ
オール基、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２
０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭
素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基等が挙げられ
る）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、よ
り好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６
〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられ
る）、シアノ基などが挙げられる。これらの置換基は更
に置換されてもよい。

【００１０】Ｒ¹，Ｒ²として好ましくは、置換または無
置換のアルキル基、芳香族基（例えばアリール基、芳香
族ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜５０、より好まし
くは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数２〜１２、
例えば、ピリジル基、キノリル基、チオフェン基、カル
バゾリル基、オキサジアゾリル基等が挙げられる））、
特に好ましくは置換または無置換のアルキル基、アリー
ル基であり、さらに好ましくは、置換または無置換のア
ルキル基である。

【００１１】Ｒ³，Ｒ⁴は置換基を表し、ｍ，ｎは０から
３の整数を表す。ｍ，ｎが２以上の場合は対応する
Ｒ³，Ｒ⁴はそれぞれ同じであっても異なっても良い。Ｒ
³，Ｒ⁴の置換基としては例えば前記Ｒ¹，Ｒ²で挙げた置
換基が挙げられ、好ましくは置換または無置換のアルキ
ル基、芳香族基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原
子であり、特に好ましくは、置換または無置換のアルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、さらに好ましくは置
換または無置換のアルキル基である。ｍ，ｎとして好ま
しくは０，１であり、さらに好ましくは０である。

【００１２】Ｘ¹，Ｘ²は酸素原子、硫黄原子、置換また
は無置換の窒素原子であり、窒素原子上の置換基として
はアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好まし
くは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であ
り、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒ
ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデ
シル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭
素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好
ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、
２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、
アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好まし
くは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であ
り、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げら
れる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、よ
り好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６
〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、
ナフチルなどが挙げられる。）、置換カルボニル基（好
ましくは炭素数１〜４０、より好ましくは炭素数１〜２
０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセ
チル、ベンゾイル、メトキシカルボニル、ジメチルアミ
ノカルボニル、フェニルアミノカルボニル基などが挙げ
られる。）、置換スルホニル基（好ましくは炭素数１〜
２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは
炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙
げられる。）、ヘテロ環基（好ましくは、酸素原子、硫
黄原子、窒素原子のいずれかを含み、好ましくは炭素数
１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好まし
くは炭素数１〜１２であり、例えばイミダゾリル、ピリ
ジル、フリル、ピペリジルなどが挙げられる。）などが
挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。

【００１３】Ｘ¹，Ｘ²として好ましくは、酸素原子、硫
黄原子、ＮＨ基、アルキル基置換窒素原子であり、さら
に好ましくは、酸素原子、硫黄原子であり、特に好まし
くは酸素原子である。

【００１４】Ｌは２価の連結基を表し、ｌは０以上の整
数を表す。ｌが２以上のときはそれぞれのＬは同じでも
異なっても良い。−（Ｌ）ｌ−基の炭素数として好まし
くは０〜４０であり、さらに好ましくは０〜２４であり
特に好ましくは０〜１２である。２価の連結基としては
例えば置換または無置換のアルキレン基（例えばメチレ
ン基、エチレン基、シクロヘキシレン基など）、アルケ
ニレン基（例えばビニレン基など）、アルキニレン基
（例えばエチニレン基）、アリーレン基（例えばフェニ
レン基、ナフチレン基）、−Ｏ−基、−Ｓ−基、−Ｃ
（＝Ｏ）−基、−Ｎ（Ｒ）−基（Ｒは前記窒素上の置換
基と同義）、芳香族ヘテロ環基（前記と同義）を含有す
る２価の連結基（例えばチエニレン基）などが挙げられ
る。

【００１５】Ｌとして好ましくは、置換または無置換の
アルキレン基、アリーレン基、芳香族ヘテロ環基を含有
する２価の連結基であり、特に好ましくは、置換または
無置換のアリーレン基、ビニレン基であり、さらに好ま
しくはフェニレン基である。ｌは好ましくは０〜１０で
あり、さらに好ましくは０〜５であり、特に好ましくは
１〜３である。一般式（１）で表される単位を少なくと
も一つ含む化合物は低分子量化合物であっても良いし、
一般式（１）で表される残基がポリマー主鎖に接続され
た高分子量化合物（好ましくは重量平均分子量１０００
〜５００００００、特に好ましくは５０００〜２０００
０００、さらに好ましくは１００００〜１０００００
０）もしくは、一般式（１）の骨格を主鎖にもつ高分子
量化合物（好ましくは重量平均分子量１０００〜５００
００００、特に好ましくは５０００〜２００００００、
さらに好ましくは１００００〜１００００００）であっ
てもよい。高分子量化合物の場合は、ホモポリマーであ
っても良いし、他のモノマーとの共重合体であっても良
い。一般式（１）で表される化合物としては、好ましく
は、低分子量化合物である。

【００１６】一般式（１）の化合物例を次に示すが、本
発明はこれに限定されない。

【００１７】

【化３】

【００１８】

【化４】

【００１９】

【化５】

【００２０】次に、一般式（１）で表される化合物の製
造方法について述べる。一般式（１）で表される化合物
は、種々の手法で合成可能であり、例えば、アリールハ
ライドをニッケルまたは銅誘導体存在下ホモカップリン
グする手法、アリールハライド誘導体とビニルベンゼン
誘導体をパラジウム触媒存在下カップリングする手法を
用いる工程を含む製造方法が挙げられるが、ホウ酸誘導
体またはホウ酸エステル誘導体とアリールハライド誘導
体またはアリールトリフラート誘導体をパラジウム触媒
存在下カップリングさせる工程を含有する製造方法が好
ましい。ホウ酸誘導体とアリールハライド誘導体を用い
る手法がさらに好ましい。

【００２１】ホウ酸誘導体としては、置換または無置換
のアリールホウ酸誘導体（例えば、１，４−フェニルジ
ホウ酸、４，４′−ビフェニルジホウ酸、等が挙げられ
る）、ヘテロアリールホウ酸誘導体（例えばピリジルジ
ホウ酸などが挙げられる）などが挙げられる。ホウ酸エ
ステル誘導体としては、置換または無置換のアリールホ
ウ酸エステル誘導体（例えば、フェニルホウ酸ピナコー
ルエステル）、ヘテロアリールホウ酸エステル誘導体
（例えばピリジルホウ酸ピナコールエステル誘導体）な
どが挙げられる。

【００２２】アリールハライド誘導体としては、例え
ば、ジブロモベンゼン、ジブロモビフェニル、ブロモベ
ンズアゾール誘導体等が挙げられる。アリールトリフラ
ート誘導体としては、例えば、ジトリフルオロメタンス
ルホニルベンゼン等が挙げられる。

【００２３】パラジウム触媒としては、特に限定しない
が、例えば、パラジウムテトラキストリフェニルホスフ
ィン、パラジウムカーボン、パラジウムジクロライド
（ｄｐｐｆ）などが挙げられる。トリフェニルホスフィ
ンなどの配位子、テトラブチルアンモニウムブロマイド
などの相間移動触媒を同時に添加しても良い。

【００２４】本反応は、塩基を用いたほうが好ましい。
用いる塩基の種類は特に限定しないが、例えば、炭酸ナ
トリウム、酢酸ナトリウム、トリエチルアミンなどが挙
げられる。用いる塩基の量は特に限定しないが、例え
ば、ホウ酸エステル誘導体を用いる場合は、ホウ酸部位
に対して、好ましくは０．１〜２０当量、特に好ましく
は１〜１０当量である。

【００２５】本反応は溶媒を用いた方が好ましい。用い
る溶媒は特に限定しないが、例えば、エタノール、水、
エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、トル
エン、テトラヒドロフラン及びそれらの混合溶媒を用い
ることができる。

【００２６】次に、本発明の一般式（１）であらわされ
る化合物を含有するＥＬ素子に関して説明する。本発明
のビスベンゾアゾリル化合物を含有するＥＬ素子の有機
層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗
加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、
コーティング法などの方法が用いられ、特性面、製造面
で抵抗加熱蒸着、コーティング法が好ましい。

【００２７】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄
膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正
孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有し
てもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備え
たものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の
材料を用いることができる。

【００２８】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金
属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物
または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど
の有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物な
どが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、
特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好
ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である
が、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは
１００ｎｍ〜５００ｎｍである。

【００２９】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましく
は０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、
発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場
合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的であ
る。

【００３０】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いる
ことができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬ
ｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物、アルカリ土類金属
（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物、金、銀、
鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそ
れらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそ
れらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの
混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属
等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料
であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アル
ミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−
銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記
化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及
び混合物を含む積層構造を取ることもできる。陰極の膜
厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜
５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎ
ｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍ
である。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング
法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用い
られ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時
に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に
蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあ
らかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。陽極及び陰
極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が
好ましい。

【００３１】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよい。好ましくは発光層に本発明のビスベンゾア
ゾール化合物を含有するものであるが、他の発光材料を
用いることもできる。例えばベンゾオキサゾール誘導
体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導
体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジ
フェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン
誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリ
レン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導
体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペン
タジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キ
ナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾ
ロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリ
ルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キ
ノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される
各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポ
リフェニレンビニレン等のポリマー化合物等が挙げられ
る。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通
常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好まし
くは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜
５００ｎｍである。発光層の形成方法は、特に限定され
るものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッ
タリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート
法、キャスト法、ディップコート法など）、ＬＢ法など
の方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティ
ング法である。

【００３２】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリー
ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導
体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共
重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導
電性高分子オリゴマー、本発明のビスベンゾアゾール化
合物等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は
特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの
範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍ
であり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２
種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成ま
たは異種組成の複数層からなる多層構造であってもよ
い。正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空
蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送剤を溶媒に溶解また
は分散させてコーティングする方法（スピンコート法、
キャスト法、ディップコート法など）が用いられる。コ
ーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散す
ることができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニ
ル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタ
クリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステ
ル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタ
ジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹
脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチル
セルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、
メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹
脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。

【００３３】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ア
ントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピラン
ジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニ
リデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフ
タレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フ
タロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯
体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベン
ゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種
金属錯体、本発明のビスベンゾアゾール化合物等が挙げ
られる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定され
るものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが
好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に
好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、
電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からな
る単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成
の複数層からなる多層構造であってもよい。電子注入
層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ
法、前記電子注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させて
コーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、
ディップコート法など）などが用いられる。コーティン
グ法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することが
でき、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合
に例示したものが適用できる。

【００３４】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ
ｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇ
ｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂ Ｏ₃、
ＴｉＯ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、
ＣａＦ₂等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウ
レア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフ
ルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、ク
ロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレ
ンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも
１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させ
て得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含
フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率
０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形
成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、
スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ
（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、
イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起
イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザ
ーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーテ
ィング法を適用できる。

【００３５】

【実施例】以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本
発明の実施の態様はこれらに限定されない。（１−２）の合成ブロモベンズオキサゾール誘導体ａ（０．５ｇ）とベン
ゼンジボリックアシッド（０．２ｇ）にジエチレングリ
コールジメチルエーテル１０ｍｌ、水４ｍｌ、トリフェ
ニルホスフィン０．０５ｇ、炭酸ナトリウム０．７７
ｇ、パラジウムカーボン０．１ｇを加え、溶液を加熱還
流下１２時間攪拌した。反応液に酢酸エチル５０ｍｌ、
一規定塩酸水３０ｍｌを加え、分離した有機層を濃縮
し、茶褐色の固体を得た。カラムクロマトグラフィーで
精製し、白色結晶０．２ｇを得た。（ＦＡＢ−ＭＳ＝３
４１（ｐｏｓｉ））

【００３６】

【化６】

【００３７】ＥＬ素子の作製、評価比較例１洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置内に設置し、ＴＰＤ
（Ｎ，Ｎ‘−ジフェニル−Ｎ，Ｎ‘−ジトリル−ベンジ
ジン）を４０ｎｍ蒸着した後、Ａｌｑ（トリス（８−ヒ
ドロキシキノリナト）アルミニウム）を６０ｎｍ蒸着し
た。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が
５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内で
マグネシウム：銀＝１０：１を５０ｎｍ共蒸着した後、
銀５０ｎｍを蒸着した。東陽テクニカ製ソースメジャー
ユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に
印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−
８、発光波長を浜松フォトニクス社製スペクトルアナラ
イザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。電圧を印加した
ところ、Ａｌｑ由来の緑色の発光のみが得られた。

【００３８】比較例２比較例１の有機層をＴＰＤ４０ｎｍ、スチリル化合物
（ＤＰＶＢｉ）２０ｎｍ、Ａｌｑ４０ｎｍとし、同様に
素子作製、評価した。その結果、発光面は均一でなく、
緑色の発光が確認された。

【００３９】

【化７】

【００４０】実施例１比較例１の有機層をＴＰＤ４０ｎｍ、ビスベンズオキサ
ゾール化合物（１−８）２０ｎｍ、Ａｌｑ４０ｎｍと
し、同様に素子作製、評価した。８Ｖの電圧を印加した
ところ、ＥＬｍａｘ：４２０（ｎｍ），５２０（ｎｍ）
（ｘ，ｙ）＝（０．２６，０．２７）の発光を得、その
最高輝度は２８５０ｃｄ／ｍ²（９Ｖ）であった。発光
面は均一であった。

【００４１】実施例２ポリビニルカルバゾール４０ｍｇ、ＰＢＤ（ｔ−ブチル
フェニルビフェニルオキサジアゾール）１２ｍｇ、ビス
ベンズオキサゾール化合物（１−８）１ｍｇをジクロロ
エタン２ｍｌに溶解し、洗浄したＩＴＯ基板上にスピン
塗布した（膜厚１３０ｎｍ）。比較例１と同様の操作で
陰極を蒸着し、作製した素子を評価した。１８Ｖで最高
輝度１９０ｃｄ／ｍ²を示し、ＥＬｍａｘ：４４０（ｎ
ｍ）（ｘ，ｙ）＝（０．１８，１．７）であった。

【００４２】同様に、本発明のビスベンゾアゾール化合
物含有ＥＬ素子を評価したところ、青色部に発光を有す
ることが確認された。

【００４３】本発明のビスベンゾアゾール化合物を用い
ると青色部に発光を有するＥＬ素子を作製可能であり、
かつ、発光面が均一などのＥＬ特性に優れることがわか
った。

【００４４】

【発明の効果】本発明のビスベンゾアゾール化合物を含
有する有機ＥＬ素子は、発光特性に優れる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＣ０７Ｄ 277/64 Ｃ０７Ｄ 277/64 413/14 ３３３ 413/14 ３３３

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（１）で表される化合物を少なく
とも一つ含有するエレクトロルミネッセンス素子。一般式（１）【化１】Ｒ¹，Ｒ²はそれぞれ水素原子または置換基を表し、
Ｒ³，Ｒ⁴はそれぞれ置換基を表し、Ｌは２価の連結基を
表す。Ｘ¹，Ｘ²はそれぞれ酸素原子、硫黄原子、置換ま
たは無置換の窒素原子を表す。ｎ，ｍは０から３の整数
を表し、ｎ，ｍが２以上のときは、複数のＲ³，Ｒ⁴はそ
れぞれ同じであっても異なっても良い。ｌは０以上の整
数を表し、ｌが２以上のときは、Ｌは同じであっても異
なっても良い。
【請求項２】一般式（１）のＬがビニレン基、また
は、芳香族基を含有する２価の連結基であることを特徴
とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素
子。
【請求項３】一般式（１）のＬがフェニレン基である
ことを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッ
センス素子。
【請求項４】一般式（１）のＲ¹，Ｒ²がアルキル基、
芳香族基であることを特徴とする請求項１，２，３に記
載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】一般式（１）で表される化合物を製造す
る工程において、ホウ酸誘導体またはホウ酸エステル誘
導体およびアリールハライド誘導体またはアリールトリ
フラート誘導体をパラジウム触媒存在下カップリングし
て得る方法。