JP2003295202A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示素子及びその製造方法

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    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スクライブ及びブレークの同時工程によりセ
ル単位で基板を切断する際、切断をより容易にするため
の液晶表示素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板と、前記基板上に形成された閉鎖型
の主ＵＶ硬化型シール剤及び、前記主ＵＶ硬化型シール
剤と前記基板の端部との間に形成されているダミーＵＶ
硬化型シール剤及び、前記ダミーＵＶ硬化型シール剤と
セル切断ラインとが重なる領域に形成されたＵＶ遮断部
とを含めてなる液晶表示素子及びその製造方法に関する
もので、ダミーＵＶ硬化型シール剤のうちセル切断ライ
ンと重なる部分のシール剤の下部にＵＶ遮断部を形成す
ることにより、ＵＶ照射の際に前記ＵＶ遮断部が形成さ
れた部分のシール剤が硬化せずセル切断が容易になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子（ＬＣ
Ｄ）に関し、特に、液晶滴下方式による液晶表示素子及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【関連技術】表示画面の厚さが数ｃｍに過ぎない超薄型
の平板表示素子、その中でも液晶表示素子は動作電圧が
低くて消費電力が少なく、且つ携帯用に使えるなどの利
点のため、ノートパソコン、モニター、宇宙船、航空機
などに至るまでその応用分野が広くて多様である。
【０００３】かかる液晶表示素子は、一般に、その上に
薄膜トランジスタと画素電極とが形成されている下部基
板と、その下部基板と対向するように形成され、且つそ
の上に遮光膜、カラーフィルタ層及び、共通電極が形成
されている上部基板と、前記両基板の間に形成されてい
る液晶層から構成されており、前記画素電極と共通電極
によって両基板の間に電場が形成されて液晶層が駆動
し、その駆動する液晶層を介して光透過度が調節されて
画像がディスプレイされるようになっている。
【０００４】このような構造の液晶表示素子において、
前記下部基板と上部基板との間に液晶層を形成する方法
として、従来の関連技術では毛細管現象と圧力差を用い
た真空注入方式を使用していたが、真空注入方式は表示
画面が大面積化されることに伴い長時間の液晶注入時間
が必要とされ、生産性が劣るという問題点が発生した。
【０００５】従って、このような問題点を解決するため
に液晶滴下方式という新たな方法が提案された。以下、
添付の図面を参照して関連技術の液晶滴下方式による液
晶表示素子について説明する。
【０００６】図１a 乃至図１e は関連技術の液晶滴下方
式による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図である。
まず、図１a のように、下部基板１及び上部基板３を用
意する。図面には示していないが、下部基板１上には横
縦に交差して画素領域を形成する複数個のゲート配線と
データ配線が形成され、前記ゲート配線とデータ配線と
の交差点に薄膜トランジスタを形成し、その薄膜トラン
ジスタと連結される画素電極を前記画素領域に形成す
る。
【０００７】また、上部基板３上には前記ゲート配線、
データ配線及び、薄膜トランジスタ形成領域からの光漏
洩を遮断するための遮光膜を形成し、その上に赤、緑、
青のカラーフィルタ層を形成し、その上に共通電極を形
成する。また、前記下部基板１と上部基板３上に液晶の
初期配向のための配向膜を形成する。
【０００８】そして、図１b のように、前記下部基板１
上に主シール剤７及びダミーシール剤８を形成し、液晶
５を滴下して液晶層を形成する。そして、前記上部基板
３上にセルギャップを維持するためのスペーサー（図示
せず）を散布する。
【０００９】前記主シール剤７は液晶が漏れることを防
止し、両基板１、３を接着させる役割を果たしている。
前記ダミーシール剤８は前記主シール剤７を保護するた
めの役割を果たしているもので、前記主シール剤７の周
囲に形成される。この際、液晶滴下方式では、後工程の
シール剤の硬化工程の際、合着基板に液晶層が形成され
ている状態で熱硬化型シール剤を硬化させることになる
と、シール剤７が加熱される間に漏れて液晶が汚染され
るおそれがあるので、ＵＶ（紫外線）硬化型シール剤が
用いられる。
【００１０】そして、図１c のように、前記下部基板１
と上部基板３とを合着する。
【００１１】そして、図１d のように、ＵＶ照射装置９
を通してＵＶを照射して前記シール剤７、８を硬化させ
る。このようにシール剤７、８が硬化することで、前記
下部基板１と上部基板３とが接着される。
【００１２】また、図１e に示すように、前記合着基板
１、３をセル単位で切断して単位合着基板１a・３a、１
b・３b、１c・３c 及び１d・３d からなる複数の単位液
晶セルを完成させる。この時図２は、セル単位で基板を
切断する工程を示す斜視図である。図２に示すように、
まず、基板材質のガラスより硬度の高いダイヤモンドペ
ンのようなスクライブ装置で合着基板１、３の表面に切
断ライン１０を形成（スクライブ工程）した後、ブレー
ク装置で前記切断ラインに沿って機械的な衝撃を与える
ことによって（ブレーク工程）複数の単位セルが同時に
得られる。
【００１３】又は、ダイヤモンド材質のペン或いはホイ
ルを用いて前記スクライブ及びブレーク工程を一つの工
程で行って単位セルを一つずつ得ることもできる。尚、
図２にはセル切断ライン１０について詳しく図示しては
いないが、実際セルの切断時、周囲のダミー領域を除去
するために更に多くのセル切断ラインが形成される。
【００１４】図３は前記セル切断ラインを詳細に示すた
めのもので、特にシール剤７，８が形成された下部基板
１のセル切断ライン１０を示すための平面図である。図
３から分かるように、セル切断ライン１０はダミーシー
ル剤８と一定の領域（丸印）で重なることになり、この
時前記ダミーシール剤８はセル切断工程前のＵＶ照射工
程を通して硬化済みの状態である。
【００１５】従って、前記セル切断工程中、スクライブ
工程の後ブレーク工程を通して単位セルを同時に得る方
法は前記硬化されたダミーシール剤８によって影響を及
ぼすことはないが、スクライブ工程とブレーク工程とを
同時に行って単位セルを一つずつ得る方法は、前記硬化
されたダミーシール剤８のため、セル切断が困難になる
という問題があった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は上記
のような問題点を解決するために成されたもので、その
目的は、前述したスクライブ及びブレークの同時工程に
よりセル単位で基板を切断する際に切断をより容易にす
るための液晶表示素子及びその製造方法を提供すること
にある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板と、前記基板上に形成された閉鎖型
の主ＵＶ硬化型シール剤及び、前記主ＵＶ硬化型シール
剤と前記基板の端部との間に形成されているダミーＵＶ
硬化型シール剤及び、前記ダミーＵＶ硬化型シール剤と
セル切断ラインとが重なる領域に形成されたＵＶ遮断部
とを含めてなる液晶表示素子を提供する。
【００１８】また、本発明は、第１基板と、第２基板を
揃える工程と、前記両基板のうち何れか一方の基板上の
ダミー領域にＵＶ遮断部を形成する工程と、前記ＵＶ遮
断部が形成された基板上に、主ＵＶ硬化型シール剤を塗
布する工程と、前記主ＵＶ硬化型シール剤と前記基板の
端部との間の領域にダミーＵＶ硬化型シール剤を塗布す
る工程と、前記両基板のうち何れか一方の基板上に液晶
を滴下する工程と、前記両基板を合着させる工程と、前
記主ＵＶ硬化型シール剤と前記ダミーＵＶ硬化型シール
剤にＵＶを照射する工程と、前記合着基板をセル単位で
切断する工程とを含んでなる液晶表示素子の製造方法を
提供する。
【００１９】即ち、本発明はダミーＵＶ硬化型シール剤
のうち、セル切断ラインと重なる領域のシール剤の下部
にＵＶ遮断部を形成することで、ＵＶ照射時、前記ＵＶ
遮断部が形成された領域のシール剤が硬化せずセル切断
工程を容易にするものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の望ましい実施形態
を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００２１】図４a は本発明の一実施形態によるシール
剤が形成された基板の平面図である。図には四つの単位
セルが形成された場合について示しているが、単位セル
は増減可能である。
【００２２】図４a から明らかなように、基板１００上
には主ＵＶ硬化型シール剤７００が注入口のない閉鎖さ
れたパターンに形成されており、前記主ＵＶ硬化型シー
ル剤７００の周囲にはダミーＵＶ硬化型シール剤８００
が閉鎖されたパターンに形成されている。
【００２３】前記主及びダミーＵＶ硬化型シール剤７０
０，８００としては、両末端にアクリル基が結合された
モノマー又はオリゴマーを開始剤と混合したものを使用
することができ、一方の末端にはアクリル基が、他方の
末端にはエポキシ基が結合されたモノマー又はオリゴマ
ーを開始剤と混合したものを使用することが望ましい。
【００２４】また、前記ダミーＵＶ硬化型シール剤８０
０と、セル切断ライン６００とが重なる領域で前記ダミ
ーＵＶ硬化型シール剤８００の下部にＵＶ遮断部７５０
が形成されている。
【００２５】前記ＵＶ遮断部はその厚さが１０００Åな
いし２０００Å程度が望ましい。前記厚さの範囲のＵＶ
遮断部７５０はセル切断にいかなる影響をも及ぼすこと
がないので金属のようにＵＶを遮断できる物質であれば
いずれも適用できる。
【００２６】尚、図４Ａに示すように、本発明の一実施
例はセル切断ライン６００とダミーＵＶ硬化型シール剤
８００とが重なる全ての領域でダミーＵＶ硬化型シール
剤８００の下部にＵＶ遮断部７５０が形成されている。
【００２７】しかしながら、セル切断ラインに沿ってス
クライブ/ブレークの同時工程でセルを切断する工程に
おいて、まず右側または左側の末端のセル切断ラインか
ら上下方向に基板を切断すると右側または左側にあるダ
ミーＵＶ硬化型シール剤は除去される。従って、除去さ
れるダミーＵＶ硬化型シール剤は後続セル切断工程にい
かなる影響をも及ぼさない。
【００２８】つまり、図４b に示すように、セル切断ラ
イン６００と重なるダミーＵＶ硬化型シール剤８００の
領域の中で上側及び下側だけに、ダミーＵＶ硬化型シー
ル剤８００の下部にＵＶ遮断部を形成するか、または図
４c に示すように、左側及び右側の領域だけにダミーＵ
Ｖ硬化型シール剤８００の下部にＵＶ遮断部を形成して
もセル切断工程が容易になるという同一の効果を奏す
る。もちろん、図４b に示すように、まず上下方向にセ
ルを切断する場合に適用し、図４c に示すように、まず
左右方向にセルを切断する場合に適用できる。
【００２９】尚、液晶表示素子は下部基板、上部基板、
及び前記両基板の間に形成された液晶層からなるが、こ
の時シール剤は両基板のいずれか一方の基板上に形成す
ることができる。
【００３０】従って、図４a ないし図４c に示すよう
に、本発明の一実施例によるシール剤が形成された基板
が下部基板の場合は、前記基板１００上にゲート配線、
データ配線、薄膜トランジスタ及び画素電極が形成され
ている。この時、前記ＵＶ遮断部７５０は、前記ゲート
配線またはデータ配線と同一層にゲート配線またはデー
タ配線と同一物質で形成してもよいし、別の層に形成す
ることもできる。
【００３１】また、図４a ないし図４c に示すように、
本発明の一実施例によるシール剤が形成された基板が上
部基板の場合は、前記基板１００上に遮光膜、カラーフ
ィルタ層及び共通電極画が形成されている。この時、前
記ＵＶ遮断部７５０は、前記遮光膜と同一層に遮光膜と
同一物質で形成してもよいし、別の層に形成することも
できる。
【００３２】また、セルギャップ維持のための柱状スペ
ーサは前記シール剤が形成された基板上に付着して形成
され得る。このような柱状スペーサは前記ゲート配線ま
たはデータ配線の形成領域に対応する領域に形成され、
感光性有機樹脂からなることが望ましい。
【００３３】図５a ないし図５f は本発明の一実施形態
による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図である。図
には四つの単位セルが形成された場合について示してい
るが、単位セルは増減可能である。
【００３４】まず、図５a に示すように、下部基板２０
０と上部基板３００を揃える。図示してはいないが、下
部基板２００上には縦横に交差して画素領域を定義する
複数のゲート配線とデータ配線を形成し、前記ゲート配
線とデータ配線の交差点にゲート電極、ゲート絶縁膜、
半導体層、オーミックコンタクト層、ソース/ドレイン
電極及び保護膜からなる薄膜トランジスタを形成し、前
記薄膜トランジスタと連結する画素電極を前記画素領域
に形成する。
【００３５】また、前記画素電極上に液晶の初期配向の
ための配向膜を形成する。この時、前記配向膜はポリア
ミドまたはポリイミド系化合物、ＰＶＡ、ポリアミック
酸などの物質をラビング配向処理して形成することもで
き、ＰＶＣＮ、ＰＳＣＮ又はＣｅｌＣＮ系化合物のよう
な光反応性の物質を光配向処理して形成することもでき
る。
【００３６】また、上部基板３００上には前記ゲート配
線、データ配線及び薄膜トランジスタ形成領域で光が漏
れることを遮断するための遮光膜を形成し、前記遮光膜
の上に赤、緑、及び青のカラーフィルタ層を形成し、前
記カラーフィルタ層の上に共通電極を形成する。また、
前記カラーフィルタ層と共通電極との間にオーバーコー
ト層を追加して形成することもできる。また、前記共通
電極上には前述した配向膜を形成する。
【００３７】また、前記下部基板２００の外郭部には銀
をドット状に形成して前記両基板２００、３００を合着
させた後、前記上部基板３００の上の共通電極に電圧を
印加できるようにする。尚、ＩＰＳモード液晶表示素子
の場合は共通電極と画素電極は、基板に対して平行な電
界が誘起されるように下部基板上に形成され、前記銀ド
ットは基板上に形成されない。
【００３８】また、図５b に示すように、前記上部基板
３００上のダミー領域にＵＶ遮断部７５０をパターニン
グして形成する。より具体的には前記ＵＶ遮断部７５０
は後工程のセル切断工程時、セル切断ラインと重なる領
域に形成される。従って、セル切断時に悪影響を及ぼさ
ない物質で形成することが望ましい。
【００３９】図５b にはセル切断ラインと重なる全ての
領域にＵＶ遮断部７５０を形成する場合について示して
いるが、セル切断ラインと重なる領域中、上側及び下
側、または左側及び右側の領域にだけＵＶ遮断部７５０
を形成することも可能である。
【００４０】また、図面にはＵＶ遮断部７５０を上部基
板３００上に形成した場合について示しているが下部基
板２００上に形成することも可能である。尚、図５b は
ＵＶ遮断部７５０が別の層に形成される場合について示
しているが、ＵＶ遮断部７５０は図５a の上部基板３０
０準備工程または下部基板２００の準備工程中、層形成
の時に同時に形成することもできる。
【００４１】即ち、前記ＵＶ遮断部７５０が上部基板３
００上に形成される場合は前記ゲート配線またはデータ
配線形成の時に同時に同一物質で形成することができ、
下部基板２００上に形成する場合は前記遮光膜の形成時
に同時に同一物質で形成することもできる。
【００４２】また、図５c に示すように、前記ＵＶ遮断
部７５０がパターン形成された上部基板３００上に閉鎖
されたパターンに主ＵＶ硬化型シール剤７００を塗布
し、前記主ＵＶ硬化型シール剤７００の周囲で前記ＵＶ
遮断部７５０と重なって、閉鎖されたパターンにダミー
ＵＶ硬化型シール剤８００を塗布する。
【００４３】シール剤塗布方法はスクリーン印刷法、デ
ィスペンサー法などがあるが、スクリーン印刷法はスク
リーンが基板と接触するので基板上に形成された配向膜
などが損傷するおそれがあり、基板が大面積化すると、
シール剤の損失量が多くて非経済的であるのでディスペ
ンサー法の方が望ましい。
【００４４】このような主及びダミーＵＶ硬化型シール
剤７００、８００としては、両末端にアクリル基が結合
されたモノマー又はオリゴマーを開示剤と混合して用い
るか、または一方の末端にはアクリル基が、他の一方の
末端にはエポキシが結合されたモノマー又はオリゴマー
を開示剤と混合したものが望ましい。
【００４５】また、前記下部基板２００上に液晶５００
を滴下して液晶層を形成する。前記液晶５００は前記主
シール剤７００が硬化する前に主シール剤７００に接す
ると汚染される。従って、前記液晶５００は前記下部基
板２００の中央部に滴下されたものが望ましい。このよ
うに中央部に滴下された液晶５００は前記主シール剤７
００が硬化した後まで徐々に広がって基板全体に同一密
度で分布することになる。
【００４６】尚、図には下部基板２００上に液晶５００
を滴下し、上部基板３００上にＵＶ遮断部７５０及びシ
ール剤７００、８００を形成する工程が示されている
が、これに限定されるものではなく、上部基板３００上
に前記液晶５００を形成し下部基板２００上にＵＶ遮断
部及びＵＶ硬化型シール剤７００、８００を形成するこ
ともできる。
【００４７】また、前記液晶５００、ＵＶ遮断部７５０
及びＵＶ硬化型シール剤７００，８００を同一基板に形
成することもできる。但し、前記液晶５００とＵＶ硬化
型シール剤を同一基板に形成する場合、液晶とＵＶ硬化
型シール剤とが形成される基板と、そうではない基板の
工程との間に不均衡が発生して工程時間が長くなるだけ
でなく、液晶とシール剤が同一の基板に形成されるので
合着前にシール剤に汚染物質が形成されたとしても基板
洗浄を行うことができなくなるので、前記液晶とシール
剤とは互いに異なる基板に形成することが望ましい。
【００４８】又、図示してはいないが、前記両基板のう
ち、何れか一つの基板、望ましくは前記上部基板３００
上にセルギャップ維持のためのスペーサを形成すること
もできる。前記スペーサはボールスペーサを適正濃度で
溶液中に混合した後噴射ノズルから高圧で基板上に撒布
して形成することもでき、柱状スペーサを前記ゲート配
線又はデータ配線形成領域に対応する基板上に付着させ
て形成することもできるが、ボールスペーサは大面積に
適用する場合にセルギャップが不均一になるという短所
があるので大面積の基板には柱状スペーサを形成するこ
とが望ましい。
【００４９】この時前記柱状スペーサとしては感光性有
機樹脂を用いることが望ましい。又、図５d のように、
前記下部基板２００と上部基板３００とを合着する。合
着工程は前記両基板のうち液晶が滴下された基板（第１
基板）を下面に固定し、他の基板（第２基板）は層形成
面が前記第１基板に向かうように１８０°回転させて上
面に位置させた後、上面に位置した基板に圧力を加えて
両基板を合着するか、又は前記離隔している両基板の間
を真空に形成した後、更に真空を解除してから大気圧に
よって両基板を合着することもできる。
【００５０】又、図５e に示すように、前記合着基板２
００，３００にＵＶ照射装置９００を介してＵＶ照射を
行う。このようなＵＶ照射はＵＶ遮断部７５０が形成さ
れている上部基板３００面に行う。このようにＵＶ照射
を行うと、前記ＵＶ硬化型シール剤７００，８００を構
成する開示剤によって活性化したモノマー又はオリゴマ
ーが重合反応して高分子化することによって、下部基板
２００と上部基板３００とが接着される。
【００５１】この時、前記ＵＶ遮断部７５０が形成され
た領域はＵＶが照射されないのでその領域のダミーＵＶ
硬化型シール剤は固まることなく、最初塗布された状
態、即ち、流動状態で維持されるので後工程のセル切断
工程が容易になる。
【００５２】この時、前記ＵＶ硬化型シール剤７００、
８００として、一方の末端にはアクリル基が、他方の末
端にはエポキシ基が結合されたモノマー又はオリゴマー
を開示剤と混合して用いた場合は、前記ＵＶ照射によっ
てエポキシ基が反応しないので、前記ＵＶ照射工程後に
追加で加熱工程をおこなってシール剤を完全に硬化させ
る。前記加熱工程は約１２０℃で１時間程度行うことが
望ましい。
【００５３】但し、前記ＵＶ硬化しないダミーシール剤
は、たとえ、前記熱硬化工程を経由しても硬化度が５０
％未満に劣りセル切断工程には影響を及ぼさない。尚、
ＵＶ照射工程時、合着基板の全面にＵＶが照射される
と、基板上に形成されている薄膜トランジスタなどの素
子特性に悪影響を及ぼすことになり、液晶の初期配向の
ために形成した配向膜のプリチルト角が変わることにな
る。
【００５４】従って、図６に示すように、前記主ＵＶ硬
化型シール剤８００内部のアクティブ領域を隠すマスク
９５０を合着基板２００、３００と、ＵＶ照射装備９０
０との間に位置させてＵＶ照射を行うことが望ましい。
【００５５】又、図５f に示すように、前記合着基板を
単位セルで切断する。単位セルで切断する工程は、ダイ
ヤモンド材質のペン又はホイルを鋸の歯状に形成した切
断装備を用いてスクライブ／ブレークの同時工程により
単位セルを一つずつ切断する。
【００５６】このように、スクライブ／ブレークの同時
工程を行う切断装置を用いることによって装備の占める
空間が縮小され切断工程時間も短縮される。
【００５７】又、図示してはいないが、前記切断工程後
に最終検査工程をおこなう。前記最終検査工程は前記セ
ル単位で切断された基板が液晶モジュールで組み立てら
れる前に不良の有無を確認する工程であって、電圧印加
時又は無印加時に各々の画素が正しく駆動しているかど
うかを検査することになる。
【００５８】以上本発明の好適な一実施形態に対して説
明したが、前記実施形態のものに限定されるわけではな
く、本発明の技術思想に基づいて種々の変形可能であ
る。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダミーＵＶ硬化型シール剤のうち、セル切断ラインと重
なる領域のシール剤の下部にＵＶ遮断部を形成させるこ
とにより、ＵＶ照射の際、前記ＵＶ遮断部が形成された
領域のシール剤が硬化せずセル切断が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１a】関連技術の液晶滴下方式による液晶表示素子
の製造工程を示す斜視図。
【図１b】関連技術の液晶滴下方式による液晶表示素子
の製造工程を示す斜視図。
【図１c】関連技術の液晶滴下方式による液晶表示素子
の製造工程を示す斜視図。
【図１d】関連技術の液晶滴下方式による液晶表示素子
の製造工程を示す斜視図。
【図１e】関連技術の液晶滴下方式による液晶表示素子
の製造工程を示す斜視図。
【図２】関連技術のセル切断工程を示す斜視図。
【図３】関連技術のシール剤が形成された液晶表示素子
用下部基板のセル切断ラインの平面図。
【図４a】本発明の一実施形態による液晶表示素子用基
板の平面図。
【図４b】本発明の他の一実施形態による液晶表示素子
用基板の平面図。
【図４c】本発明の他の一実施形態による液晶表示素子
用基板の平面図。
【図５a】本発明の一実施形態による液晶表示素子の製
造工程を示す平面図。
【図５b】本発明の一実施形態による液晶表示素子の製
造工程を示す平面図。
【図５c】本発明の一実施形態による液晶表示素子の製
造工程を示す平面図。
【図５d】本発明の一実施形態による液晶表示素子の製
造工程を示す平面図。
【図５e】本発明の一実施形態による液晶表示素子の製
造工程を示す平面図。
【図５f】本発明の一実施形態による液晶表示素子の製
造工程を示す平面図。
【図６】本発明の他の一実施形態による液晶表示素子の
製造工程中、ＵＶ照射工程を示した斜視図。
【符号の説明】
１００ 基板 ２００ 下部基板 ３００ 上部基板 ５００ 液晶 ６００ セル切断ライン ７００、８００ ＵＶ硬化型シール剤 ７５０ ＵＶ遮断部
フロントページの続き (72)発明者 丁 聖 守 大韓民国 大邱廣域市 北區 太田洞 489番地 頭成商家 201 Ｆターム(参考） 2H088 FA02 FA03 FA04 FA06 FA07 FA09 HA14 MA20 2H089 LA09 LA41 NA22 NA44 QA12 TA09 TA13

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と、 前記基板上に形成された主ＵＶ硬化型シール剤及び、 前記主ＵＶ硬化型シール剤と前記基板の端部との間に形
    成されているダミーＵＶ硬化型シール剤及び、 前記ダミーＵＶ硬化型シール剤とセル切断ラインとが重
    なる部分に形成されたＵＶ遮断部とを含んでなる液晶表
    示素子。
  2. 【請求項２】 前記ＵＶ遮断部は、前記ダミーＵＶ硬化
    型シール剤の下側に形成されていることを特徴とする請
    求項１に記載の液晶表示素子。
  3. 【請求項３】 前記ＵＶ遮断部は、前記ダミーＵＶ硬化
    型シール剤の上側に形成されていることを特徴とする請
    求項１に記載の液晶表示素子。
  4. 【請求項４】 前記ＵＶ遮断部は、前記ダミーＵＶ硬化
    型シール剤の上側及び下側に形成されていることを特徴
    とする請求項１に記載の液晶表示素子。
  5. 【請求項５】 前記ＵＶ遮断部は、前記ダミーＵＶ硬化
    型シール剤と前記基板との間に形成されていることを特
    徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
  6. 【請求項６】 前記ＵＶ遮断部は、前記ダミーＵＶ硬化
    型シール剤と前記セル切断ラインの全ての交差部に形成
    されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示
    素子。
  7. 【請求項７】 前記ＵＶ遮断部は、前記基板の少なくと
    も片側の端部において、前記ダミーＵＶ硬化型シール剤
    と前記セル切断ラインの交差部に形成されていることを
    特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
  8. 【請求項８】 前記ＵＶ遮断部は、前記基板の反対側の
    端部において、前記ダミーＵＶ硬化型シール剤と前記セ
    ル切断ラインの交差部に形成されていることを特徴とす
    る請求項１記載の液晶表示素子。
  9. 【請求項９】 前記基板上にゲート配線、データ配線、
    薄膜トランジスタ及び画素電極が形成されていることを
    特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
  10. 【請求項１０】 前記ＵＶ遮断部は、前記ゲート配線と
    同一層に形成されていることを特徴とする請求項９に記
    載の液晶表示素子。
  11. 【請求項１１】 前記ＵＶ遮断部は、前記データ配線と
    同一層に形成されていることを特徴とする請求項９に記
    載の液晶表示素子。
  12. 【請求項１２】 前記基板上に遮光層、カラーフィルタ
    層、及び共通電極が形成されていることを特徴とする請
    求項１に記載の液晶表示素子。
  13. 【請求項１３】 前記ＵＶ遮断部は、前記遮光層と同一
    層に形成されていることを特徴とする請求項１２に記載
    の液晶表示素子。
  14. 【請求項１４】 前記基板上に柱状スペーサが形成され
    ていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素
    子。
  15. 【請求項１５】 第１基板と、第２基板を揃える工程
    と、 前記両基板のうち何れか一方の基板上のダミー領域にＵ
    Ｖ遮断部を形成する工程と、 前記ＵＶ遮断部が形成された基板上に、主ＵＶ硬化型シ
    ール剤を塗布する工程と、 前記主ＵＶ硬化型シール剤と前記基板の端部との間にダ
    ミーＵＶ硬化型シール剤を塗布する工程と、 前記両基板のうち何れか一方の基板上に液晶を滴下する
    工程と、 前記両基板を合着させる工程と、 前記主ＵＶ硬化型シール剤と前記ダミーＵＶ硬化型シー
    ル剤にＵＶを照射する工程と、 前記合着基板をセル単位で切断する工程とを含めてなる
    ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記第１基板上にゲート配線とデータ
    配線を形成する工程と、 前記ゲート配線と前記データ配線との交差部に薄膜トラ
    ンジスタを形成する工程と、 前記第１基板上に画素電極を形成する工程を更に含めて
    なることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示素子
    の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記ＵＶ遮断部を形成する工程は、前
    記ゲート配線の際、同時に形成されることを特徴とする
    請求項１６に記載液晶表示素子の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記ＵＶ遮断部を形成する工程は、前
    記データ配線の際、同時に形成されることを特徴とする
    請求項１６に記載の液晶表示素子の製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記第２基板上に遮光層が形成される
    工程と、 前記遮光層にカラーフィルタ層が形成される工程を追加
    して含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示
    素子の製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記ＵＶ遮断部形成工程は、前記遮光
    層形成工程と同時に形成することを特徴とする請求項１
    ９に記載の液晶表示素子の製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記ＵＶ照射工程は、前記ＵＶ遮断部
    が形成された基板面にＵＶを照射することを特徴とする
    請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記ＵＶ照射工程の後加熱工程を追加
    して含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示
    素子の製造方法。
  23. 【請求項２３】 セル単位で切断する工程は、スクライ
    ブ及びブレーク工程を一つの工程で行うことを特徴とす
    る請求項１５に記載の液晶表示素子の製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記ＵＶ照射工程は、前記主ＵＶ硬化
    型シール剤内部のアクティブ領域をマスクで遮断してか
    ら行うことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示素
    子の製造方法。
  25. 【請求項２５】 前記主及びダミーＵＶ硬化型シール剤
    を前記第２基板上に形成し、前記液晶を前記第１基板上
    に滴下することを特徴とする請求項１５に記載の液晶表
    示素子の製造方法。
  26. 【請求項２６】 前記主及びダミーＵＶ硬化型シール剤
    を前記第１基板上に形成し、前記液晶を前記第２基板上
    に滴下することを特徴とする請求項１５に記載の液晶表
    示素子の製造方法。
  27. 【請求項２７】 前記両基板のうち何れか一方の基板上
    に柱状スペーサを追加して形成することを特徴とする請
    求項１５に記載の液晶表示素子の製造方法。
  28. 【請求項２８】 前記ＵＶ遮断部は、セル切断ラインと
    前記ダミーＵＶ硬化型シール剤が重なる部分に形成され
    ることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示素子の
    製造方法。
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