JP2003241206A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents

液晶表示素子の製造方法

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JP2003241206A
JP2003241206A JP2003015709A JP2003015709A JP2003241206A JP 2003241206 A JP2003241206 A JP 2003241206A JP 2003015709 A JP2003015709 A JP 2003015709A JP 2003015709 A JP2003015709 A JP 2003015709A JP 2003241206 A JP2003241206 A JP 2003241206A
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crystal display
display device
sealant
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Moo Yeol Park
武 烈 朴
Sung Su Jung
聖 守 丁
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    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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    • G—PHYSICS
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    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1341—Filling or closing of cells
    • G02F1/13415—Drop filling process

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配向膜及び薄膜トランジスタなどの特性に悪
影響を与えずにシール剤を硬化させるための液晶表示素
子の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明による液晶表示素子の製造方法は
下部基板及び上部基板を用意する工程、前記両基板のう
ち何れか一方の基板上にＵＶ硬化型シール剤を形成する
工程、前記両基板のうち何れか一方の基板上に液晶を滴
下する工程、前記両基板を合着させる工程、前記シール
剤が形成された領域以外の領域を遮るようマスクを前記
合着基板とアラインする工程、前記マスクで遮られた合
着基板にＵＶを照射してＵＶ硬化型シール剤を硬化させ
る工程を含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に関
し、特に、液晶滴下方式による液晶表示素子の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】表示画面の厚さが数ｃｍに過ぎない超薄
型の平板表示素子、その中でも液晶表示素子は動作電圧
が低くて消費電力が少なく、且つ携帯用に使われ得るな
どの利点のため、ノートパソコン、モニター、宇宙船、
航空機などに至るまでその応用分野が広くて多様であ
る。
【０００３】かかる液晶表示素子は、一般に、その上に
薄膜トランジスタと画素電極とが形成されている下部基
板と、その下部基板と対向するように形成され、且つそ
の上に遮光膜、カラーフィルター層及び、共通電極が形
成されている上部基板と、前記両基板の間に形成されて
いる液晶層から構成されており、前記画素電極と共通電
極によって両基板の間に電気場が形成され液晶層が駆動
し、その駆動する液晶層を介して光透過度が調節されて
画像がディスプレイされるようになっている。
【０００４】このような構造の液晶表示素子において、
前記下部基板と上部基板との間に液晶層を形成する方法
として、従来は毛細管現象と圧力差を用いた真空注入方
式を使用していた。以下、その真空注入方式による従来
の液晶表示素子の製造方法について説明する。
【０００５】まず、薄膜トランジスタと画素電極を備え
た下部基板と、遮光膜、カラーフィルター層及び、共通
電極を備えた上部基板とを製造する。そして、両基板間
の均一なセルギャップを維持するため、何れか一方の基
板にスペーサーを形成し、液晶が外部に漏れ出ることを
防止し、且つ両基板を接着できるように何れか一方の基
板の周縁にシール剤を形成する。この際、前記シール剤
としてはエポキシシール剤のような熱硬化型シール剤が
主に使用される。
【０００６】そして、前記両基板を合着させる。この
際、前記エポキシシール剤はエポキシ樹脂と開始剤とが
混合されたものであって、加熱時に前記開始剤により活
性化されたエポキシ樹脂が架橋結合によって高分子化さ
れ、接着力に優れたシール剤として作用する。そして、
前記合着された両基板を真空チェンバーに位置させ、基
板の内部を真空状態に維持した後、液晶に浸ける。この
ように、基板の内部が真空状態になると、毛細管現象に
よって液晶が基板の内部に吸上げられるようになる。そ
して、液晶が基板の内部にある程度満たされた時、徐々
に窒素（Ｎ２）を真空チェンバー内に注入すると、基板
の内部と周囲との圧力差が発生して、液晶が基板の内部
の空いた空間を満たし、結局、両基板の間に液晶層が形
成される。
【０００７】しかしながら、このような真空注入方式は
表示画面が大面積化されることに伴い長時間の液晶注入
時間が所要され、生産性が劣るという問題点が発生し
た。従って、このような問題点を解決するために液晶滴
下方式という新たな方法が提案された。以下、添付の図
面を参照して従来の液晶滴下方式による液晶表示素子の
製造方法を説明する。
【０００８】図１Ａ乃至図１Ｄは従来の液晶滴下方式に
よる液晶表示素子の製造工程を示す斜視図である。ま
ず、図１Ａのように、下部基板１及び上部基板３を用意
する。図面には示していないが、下部基板１上には横縦
に交差して画素領域を形成する複数個のゲート配線とデ
ータ配線を形成し、前記ゲート配線とデータ配線との交
差点に薄膜トランジスタを形成し、その薄膜トランジス
タと連結される画素電極を前記画素領域に形成する。
【０００９】また、上部基板３上には前記ゲート配線、
データ配線及び薄膜トランジスタを形成した領域からの
光漏洩を遮断するための遮光膜を形成し、その上に赤、
緑、青のカラーフィルター層を形成し、その上に共通電
極を形成する。また、前記下部基板１と上部基板３のう
ち少なくとも一方の基板上に液晶の初期配向のための配
向膜を形成する。
【００１０】そして、図１Ｂのように、前記下部基板１
上にシール剤７を形成し、液晶５を滴下して液晶層を形
成する。そして、前記上部基板３上にセルギャップを維
持するためのスペーサーを散布する。
【００１１】そして、図１Ｃのように、前記下部基板１
と上部基板３とを合着させる。この際、上述した真空注
入方式による液晶表示素子は、液晶が注入される前に両
基板の合着工程が行われるが、液晶滴下方式による液晶
表示素子は液晶５の滴下後に両基板１，３の合着工程が
行われるので、前記シール剤７として熱硬化型シール剤
を使用すると、加熱される間にシール剤７が流れ出て液
晶５が汚染されるという問題点が発生する。従って、液
晶滴下方式による液晶表示素子では前記シール剤７とし
てＵＶ硬化型シール剤を使用する。
【００１２】そして、図１Ｄのように、ＵＶ照射装置９
を通してＵＶを照射して前記シール剤７を硬化させる。
【００１３】しかしながら、前記ＵＶが前記シール剤７
の形成領域の内側のアクティブ領域に照射されると、基
板上に形成された薄膜トランジスタなどの素子特性に悪
影響を及ぼし、液晶の初期配向のために形成された配向
膜のプリチルトアングル（ｐｒｅｔｉｌｔ ａｎｇｌ
ｅ）が変化するという問題が生じる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、配向膜及び薄膜トランジスタなどの特性に悪影響を
与えずにシール剤を硬化させるための液晶表示素子の製
造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による液晶表示素子の製造方法は下部基板及
び上部基板を用意する工程、前記両基板のうち何れか一
方の基板上にＵＶ硬化型シール剤を形成する工程、前記
両基板のうち何れか一方の基板上に液晶を滴下する工
程、前記両基板を合着させる工程、前記シール剤が形成
された領域以外の領域を遮るようマスクを前記合着基板
とアラインする工程、前記マスクで遮られた合着基板に
ＵＶを照射してＵＶ硬化型シール剤を硬化させる工程を
含むことを特徴とする。
【００１６】即ち、本発明は配向膜及び薄膜トランジス
タなどの特性に悪影響を与えずシール剤を硬化させるた
めに、シール剤が形成された領域以外の領域をマスクで
遮ることによってその領域にＵＶが照射されることを防
止したものである。この際、前記シール剤が形成された
領域以外の領域をマスクで遮る工程は、マスクと合着基
板にアラインマークを形成して、画像で両者の位置を調
節しながら行われるので、他の領域へのＵＶ照射が最小
化される。
【００１７】本発明による液晶表示素子の製造方法は、
また、下部基板及び上部基板を用意する工程、前記両基
板のうち何れか一方の基板上にＵＶ硬化型シール剤を形
成する工程、前記両基板のうち何れか一方の基板上に液
晶を滴下する工程、前記両基板を合着させる工程、前記
合着基板の上側及び下側に二重にマスクを位置させて前
記シール剤が形成された領域以外の領域を遮り、ＵＶを
照射する工程を含むことを特徴とする。
【００１８】合着基板の上側又は下側の何れか一方にの
みマスクを形成し、ＵＶを照射すると、マスクが形成さ
れていない反対側から反射されるＵＶによって上記と同
様な問題点が発生し得る。従って、本発明は合着基板の
上側及び下側に二重にマスクを形成することで、照射さ
れたＵＶがシール剤の形成領域以外の領域に照射される
ことを防止するためのものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付の
図面に基づいて詳細に説明する。
【００２０】図２Ａ〜図２Ｅは本発明の第１実施形態に
よる液晶表示素子の製造工程を示す斜視図である。図面
には一つの単位セルのみ示されているが、基板の大きさ
によって基板上に複数個の単位セルが形成され得る。
【００２１】まず、図２Ａのように、第１アラインマー
ク２０が形成された下部基板１０及び上部基板を用意す
る。図面には下部基板１０にアラインマークを形成した
場合を示しているが、上部基板３０にアラインマークを
形成することもできる。また、前記第１アラインマーク
２０は基板上に対角線方向に２つを形成することもで
き、図面のように、基板のエッジ領域に４つを形成する
こともできる。この際、前記第１アラインマーク２０
は、図５のように、＋型、×型、四角形、円形など多様
な形態に変更することができる。
【００２２】その他に、図面には示していないが、下部
基板１０上には横縦に交差して画素領域を形成する複数
個のゲート配線とデータ配線を形成し、前記ゲート配線
とデータ配線との交点にゲート電極、ゲート絶縁膜、半
導体層、オミックコンタクト層、ソース／ドレイン電極
及び保護膜からなる薄膜トランジスタを形成し、その薄
膜トランジスタと連結される画素電極を前記画素領域に
形成する。
【００２３】また、前記画素電極上に液晶の初期配向の
ための配向膜を形成する。この際、前記配向膜はポリア
ミード系又はポリイミード系の化合物、ＰＶＡ（ｐｏｌ
ｙｖｉｎｙｌａｌｃｏｈｏｌ）、ポリアミック酸などの
物質をラビング配向処理して形成することもでき、ＰＶ
ＣＮ（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃｉｎｎａｍａｔｅ）、ＰＳ
ＣＮ（ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅｃｉｎｎａｍａｔ
ｅ）、又は、ＣｅｌＣＮ（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅｃｉｎｎ
ａｍａｔｅ）系の化合物のような光反応性物質を光配向
処理して形成することもできる。
【００２４】そして、上部基板３０上には前記ゲート配
線、データ配線及び、薄膜トランジスタ形成領域からの
光漏洩を遮断するための遮光膜を形成し、その遮光膜上
に赤色、緑色及び青色のカラーフィルター層を形成し、
そのカラーフィルター層上に共通電極を形成する。ま
た、前記カラーフィルター層と共通電極との間にオーバ
ーコート層を更に形成することもできる。また、前記共
通電極上には上述した配向膜を形成する。
【００２５】また、前記下部基板１０には銀（Ａｇ）を
ドット形状に形成して、前記両基板１０，３０の合着
後、前記上部基板３０上の共通電極に電圧を印加できる
ようにする。
【００２６】一方、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔ
ｃｈｉｎｇ）モード液晶表示素子の場合は、共通電極を
画素電極と同一の下部基板上に形成して横電界を誘導
し、前記銀（Ａｇ）ドットは形成しない。
【００２７】そして、図２Ｂのように、注入口のない閉
鎖したパターンでＵＶ硬化型シール剤７０を前記上部基
板３０の周縁に形成する。シール剤の塗布方法は、スク
リーン印刷法、ディスペンサー法などがあるが、スクリ
ーン印刷法はスクリーンが基板と接触するため、基板上
に形成された配向膜などが損傷するおそれがあり、基板
が大面積化すると、シール剤の損失量が多くて非経済的
であるので、ディスペンサー法が望ましい。
【００２８】前記ＵＶ硬化型シール剤７０としては、両
末端にアクリール基が結合されたモノマー又はオリゴマ
ーを開始剤と混合して使用するか、一方の末端にはアク
リール基がそして他方の末端にはエポキシ基が結合され
たモノマー又はオリゴマーを開始剤と混合して使用する
ことが望ましい。
【００２９】そして、前記下部基板１０上に液晶５０を
滴下して液晶層を形成する。前記液晶５０は前記ＵＶ硬
化型シール剤７０が硬化する前にＵＶ硬化型シール剤７
０に出会うと汚染される。従って、前記液晶５０は前記
下部基板１０の中央部に滴下されることが望ましい。こ
のように中央部に滴下された液晶５０は前記ＵＶ硬化型
シール剤７０が硬化した後まで徐々に広がり、基板の全
体に同一の密度で分布する。
【００３０】一方、これに限定されず、前記液晶５０を
上部基板３０上に形成することができ、前記ＵＶ硬化型
シール剤７０を下部基板１０上に形成することもでき
る。また、前記液晶５０とＵＶ硬化型シール剤７０とを
同一の基板に形成することもできる。但し、前記液晶５
０とＵＶ硬化型シール剤７０とを同一の基板に形成する
場合、液晶とＵＶ硬化型シール剤が形成される基板とそ
うでない基板との工程間に不均衡が発生して工程時間が
多く所要される。また、液晶とシール剤とが同一の基板
に形成されると、合着前にシール剤に汚染物質が形成さ
れるとしても基板洗浄が行えなくなる。したがって、前
記液晶とシール剤とは互いに異なる基板に形成した方が
望ましい。
【００３１】また、前記上部基板３０上にＵＶ硬化型シ
ール剤７０を形成した後、後工程の合着工程前に前記上
部基板３０を洗浄する洗浄工程を更に行うことができ
る。また、図面には示していないが、前記両基板１０，
３０のうち何れか一方の基板、望ましくは前記上部基板
３０上にセルギャップを維持するためのスペーサーを形
成することができる。
【００３２】前記スペーサーはボールスペーサーを適正
な濃度で溶液中に混合した後、噴射ノズルから高圧で基
板上に散布して形成することもでき、カラムスペーサー
を前記ゲート配線又はデータ配線の形成領域に対応する
基板上に取り付けて形成することもできるが、ボールス
ペーサーは大面積に適用する場合にセルギャップが不均
一となるという短所があるので、大面積の基板にはカラ
ムスペーサーを形成することが望ましい。この際、前記
カラムスペーサーとしては感光性有機樹脂を使用するこ
とが望ましい。
【００３３】そして、図２Ｃのように、前記下部基板１
０と上部基板３０とを合着させる。合着工程は前記両基
板のうち液晶が滴下された一方の基板を下面に固定し、
他方の一基板をレーヤ形成面が前記一方の基板に向かう
ように１８０°回転させ上面に位置させた後、上面に位
置した一方の基板に圧力を加えて両基板を合着させる
か、又は、前記離隔されている両基板の間に真空を形成
した後、真空を解除して両基板を合着させることもでき
る。
【００３４】そして、図２Ｄのように、第２アラインマ
ーク８２が形成されている第１マスク８０を前記第１ア
ラインマーク２０が形成されている合着基板の上側に位
置させ、前記第１及び第２アラインマーク２０，８２が
互いに一致しているか否かを画像装置９５を介して確認
しながら第１マスク８０と合着基板とをアラインする。
即ち、前記アライン工程は前記第１マスク８０又は合着
基板をｘ軸，ｙ軸，又はθ軸に移動させ、第１及び第２
アラインマーク２０，８２を一致させた後、再びｚ軸に
移動させることで第１マスク８０と合着基板間の間隔を
調節する。
【００３５】一方、図面には前記第１マスク８０を合着
基板の上側に形成した場合のみを示しているが、下側に
形成することもできる。この際、前記第２アラインマー
ク８２は前記第１アラインマーク２０に対応するように
２つ又は４つの個数で円形、四角形、＋形、×形などで
形成する。
【００３６】そして、図２Ｅに示すように、前記第１マ
スク８０で遮られた合着基板にＵＶ照射装置９０でＵＶ
を照射する。図面には合着基板の上部基板３０面にＵＶ
照射する場合のみを示しているが、合着基板を回転させ
下部基板１０面にＵＶ照射するようにすることも可能で
ある。
【００３７】一方、基板のレーヤ形成時に前記遮光膜と
シール剤７０の形成位置に従って前記合着基板の下部基
板面又は上部基板面のみでＵＶ照射を行うことで前記シ
ール剤７０を硬化する場合がある。即ち、遮光膜形成領
域の周辺部にシール剤を形成する場合は遮光膜が形成さ
れている上部基板面でＵＶを照射できるが、遮光膜形成
領域にシール剤が形成されている場合には、上部基板面
でＵＶを照射すると遮光膜によってＵＶが遮られるの
で、この場合は下部基板面でＵＶを照射しなければなら
ない。従って、上述したように、前記第１マスク８０と
ＵＶ照射装置９０の位置を変更してＵＶを照射するか、
又は、前記第１マスク８０とＵＶ照射装置９０は固定
し、且つ合着基板のＵＶ照射面を変更することもでき
る。
【００３８】一方、このように合着基板の上側又は下側
にのみマスクを形成し、ＵＶを照射すると、マスクが形
成されていない反対側でＵＶが反射し、配向膜及び薄膜
トランジスタなどの特性が悪化する可能性が有るので、
ＵＶが合着基板面にのみ照射されるように装備を構成す
ることが望ましい。
【００３９】このようにＵＶを照射すると、前記ＵＶ硬
化型シール剤を構成する開始剤により活性化されたモノ
マー又はオリゴマーが重合反応を行い高分子化されるこ
とで、下部基板１０と上部基板３０とが接着する。この
際、前記ＵＶ硬化型シール剤として、一方の末端にはア
クリール基がそして他方の末端にはエポキシ基が結合さ
れたモノマー又はオリゴマーを開始剤と混合して使用し
た場合は、このようなＵＶ照射ではエポキシ基が反応し
ないので、前記ＵＶ照射工程の後、更に加熱工程を行っ
てシール剤を完全に硬化する。ここで、前記加熱工程は
約１２０℃で１時間程度行うことが望ましい。また、図
示していないが、前記ＵＶ照射工程後に単位セルに基板
を切断する工程及び最終検査工程を行う。
【００４０】前記単位セルに基板を切断する工程は、ガ
ラスより硬度の高いダイアモンド材質のペンで基板の表
面に切断線を形成（スクライブ工程）した後、機械的な
力を加え前記切断線に沿って基板を切断（ブレーキ工
程）して行うこともでき、ダイアモンド材質のペンを鋸
形に形成し、スクライブ及びブレーキ工程を一つの工程
として行うこともできる。
【００４１】前記最終検査工程は前記セル単位に切断さ
れた基板が液晶モジュールで組み立てられる前に不良の
有無を確認する工程であって、電圧印加時又は無印加時
にそれぞれの画素が正しく駆動しているかどうかを検査
する。
【００４２】図３Ａ〜図３Ｄは本発明の第２実施形態に
よる液晶表示素子の製造工程を示す斜視図である。図面
には一つの単位セルのみが示されているが、基板の大き
さによって基板上に複数個の単位セルが形成され得る。
【００４３】まず、図３Ａのように、下部基板１０及び
上部基板３０を用意する。図面には示していないが、下
部基板１０上には横縦に交差して画素領域を形成する複
数個のゲート配線とデータ配線を形成し、前記ゲート配
線とデータ配線との交点にゲート電極、ゲート絶縁膜、
半導体層、オミックコンタクト層、ソース／ドレイン電
極及び保護膜からなる薄膜トランジスタを形成し、その
薄膜トランジスタと連結される画素電極を前記画素領域
に形成する。また、前記画素電極上に上述した液晶の初
期配向のための配向膜を形成する。
【００４４】また、図面には示していないが、上部基板
３０上には前記ゲート配線、データ配線及び、薄膜トラ
ンジスタ形成領域からの光漏洩を遮断するための遮光膜
を形成し、その遮光膜上に赤色、緑色、青色のカラーフ
ィルター層を形成し、そのカラーフィルター層上に共通
電極を形成する。また、前記カラーフィルター層と共通
電極の間にオーバーコート層を更に形成することもでき
る。また、前記共通電極上には上述した配向膜を形成す
る。
【００４５】そして、前記下部基板１０の外郭部には銀
（Ａｇ）をドット形状に形成することができる。一方、
ＩＰＳモード液晶表示素子の場合は共通電極を画素電極
と同一の下部基板上に形成し、前記銀ドットは形成しな
い。
【００４６】そして、図３Ｂのように、前記下部基板１
０の中央部に液晶５０を滴下して液晶層を形成し、前記
上部基板３０の周縁にスクリーン印刷法やディスペンサ
法によって注入口のない閉鎖されたパターンでＵＶ硬化
型シール剤７０を形成する。前記ＵＶ硬化型シール剤７
０としては両末端にアクリル基が結合されたモノマー又
はオリゴマーを開始剤と混合して使用するか、又は一方
の末端にはアクリル基がそして他方の末端にはエポキシ
基が結合されたモノマー又はオリゴマーを開始剤と混合
して使用することが望ましい。
【００４７】一方、これに限定されず、前記液晶５０を
上部基板３０上に形成することができ、前記ＵＶ硬化型
シール剤７０を下部基板１０上に形成することもでき
る。また、前記液晶５０とＵＶ硬化型シール剤７０とを
同一の基板に形成することもできる。また、前記上部基
板３０上にＵＶ硬化型シール剤７０を形成した後、後工
程の合着工程前に前記上部基板３０を洗浄する洗浄工程
を更に行うことができる。また、図面には示していない
が、前記両基板１０，３０のうち何れか一方の基板、望
ましくは前記上部基板３０上にセルギャップを維持する
ためのスペーサーを形成できる。
【００４８】そして、図３Ｃのように、前記下部基板１
０と上部基板３０とを合着させる。そして、図３Ｄのよ
うに、前記合着基板の上側及び下側に第１マスク８０及
び第２マスク８２を位置させ、前記ＵＶ硬化型シール剤
７０が形成された領域以外の領域をマスク８０，８２で
遮り、ＵＶ照射装置９０を介してＵＶを照射する。この
際、図面には前記ＵＶ照射装置９０を合着基板の上側に
形成した場合のみを示しているが、前記ＵＶ照射装置９
０を合着基板の下側に形成することもできる。また、図
面には合着基板の上部基板３０面にＵＶ照射する場合の
みを示しているが、合着基板を回転させ下部基板１０面
にＵＶ照射するようにすることも可能である。
【００４９】このように、本発明は合着基板の上側及び
下側に二重にマスクを形成させ、ＵＶを照射することで
ＵＶが反射し、シール剤の形成領域以外の領域に照射さ
れることを防止できる。また、前記ＵＶ照射を合着基板
面だけでなくそれ以外の領域にも行い、意図的に照射し
たＵＶが反射され得るように装備を構成することで、Ｕ
Ｖ照射効率を高めて前記ＵＶ硬化型シール剤７０の硬化
を促進させることができる。
【００５０】この際、前記ＵＶ硬化型シール剤として一
方の末端にはアクリール基がそして他方の末端にはエポ
キシ基が結合されたモノマー又はオリゴマーを開始剤と
混合して使用した場合は、このようなＵＶ照射によって
エポキシ基が反応しないので、前記ＵＶ照射工程後に更
に加熱工程を行うことでシール剤を完全に硬化させる。
前記加熱工程は約１２０℃で１時間程度行うことが望ま
しい。また、図面には示していないが、前記ＵＶ照射工
程後に単位セルに基板を切断する工程及び最終検査工程
を行う。
【００５１】図４Ａ〜図４Ｅは本発明の第３実施形態に
よる液晶表示素子の製造工程を示す斜視図であって、こ
れは、シール剤が形成された領域以外の領域へのＵＶ照
射を防止するためのマスクを合着基板の上側及び下側に
二重に形成したことを除いては上述した第１実施形態と
同様である。
【００５２】まず、図４Ａのように、第１アラインマー
ク２０が形成された下部基板１０及び上部基板３０を用
意する。次いで、図４Ｂのように、前記下部基板１０上
に液晶５０を滴下して液晶層を形成し、前記上部基板３
０の周縁にスクリーン印刷法やディスペンサ法によって
注入口のない閉鎖されたパターンでＵＶ硬化型シール剤
７０を形成する。また、前記両基板１０，３０のうち何
れか一方の基板上にセルギャップを維持するためのスペ
ーサーを形成する。
【００５３】そして、図４Ｃのように、前記下部基板１
０と上部基板３０とを合着させる。次いで、図４Ｄのよ
うに、第２アラインマーク８２が形成されている第１マ
スク８０及び、第３アラインマーク８７が形成されてい
る第２マスク８５を、前記第１アラインマーク２０が形
成されている合着基板の上側及び下側に位置させ、画像
装置９５を介して前記第１，第２及び、第３アラインマ
ーク２０，８２，８７が一致しているかを確認しながら
第１及び第２マスク８０，８５と合着基板をアラインす
る。
【００５４】そして、図４Ｅのように、前記第１及び第
２マスク８０，８５で遮られた合着基板にＵＶ照射装置
９０でＵＶを照射する。この際、前記ＵＶ照射装置９０
は合着基板の上側又は下側に形成され得る。このように
合着基板の上側及び下側に二重にマスクを形成すると、
例えＵＶ照射装置から照射されたＵＶが反対側から反射
されるとしても、基板上の配向膜や薄膜トランジスタな
どの特性に影響を及ぼすことはない。
【００５５】また、前記ＵＶ照射を合着基板面だけでな
くそれ以外の領域にも行い、意図的に照射したＵＶの一
部が反射され得るように装備を構成することで、ＵＶ照
射効率を高めて前記ＵＶ硬化型シール剤７０の硬化を促
進させることができる。そして、図示していないが、前
記ＵＶ照射工程後に単位セルに基板を切断する工程及び
最終検査工程を行う。
【００５６】図６は上述した本発明による液晶表示素子
の製造工程を示す概略的なレイアウトである。図６から
分かるように、本発明は上部基板を用意し、その上に配
向膜を形成した後、その上にシール剤を形成して上部基
板を完成する。また、下部基板を用意し、その上に配向
膜を形成した後、その上に液晶を滴下して下部基板を完
成する。この際、前記上部基板と下部基板の製造工程は
同時に行われ、前記液晶及びシール剤が基板に選択的に
形成され得ることは上述した通りである。
【００５７】そして、前記完成した両基板を合着した
後、ＵＶを照射してシール剤を硬化させ、セル単位に基
板を切断した後、最終検査工程を行って一つの液晶セル
を完成する。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１実施
形態によれば、シール剤が形成された領域以外の領域を
遮るマスクを合着基板と画像で精密にアラインすること
で、シール剤形成領域以外の領域へのＵＶ照射が最小化
され、基板上に形成された配向膜や薄膜トランジスタな
どの特性が低下しない。
【００５９】本発明の第２実施形態によれば、合着基板
の上側及び下側に二重にマスクを形成し、ＵＶを照射す
ることで、ＵＶ硬化型シール剤が形成された領域にのみ
ＵＶが照射され、それ以外の領域にはＵＶ照射が遮断さ
れることで、基板上に形成された配向膜が損傷したり、
薄膜トランジスタなどの素子特性が低下したりしない。
また、ＵＶを合着基板面及びそれ以外の領域に照射し
て、一部が照射されたＵＶが反射するようにすること
で、ＵＶ照射効率を高めてＵＶ硬化型シール剤の硬化を
促進させることができる。
【００６０】本発明の第３実施形態によれば、更に本発
明は合着基板の上側及び下側に二重にマスクを形成し、
ＵＶを合着基板面及び、それ以外の領域に照射して、一
部が照射されたＵＶが反射するようにすることで、ＵＶ
照射効率を高めてＵＶ硬化型シール剤の硬化を促進させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】従来の液晶滴下方式による液晶表示素子の製
造工程を示す斜視図。
【図１Ｂ】従来の液晶滴下方式による液晶表示素子の製
造工程を示す斜視図。
【図１Ｃ】従来の液晶滴下方式による液晶表示素子の製
造工程を示す斜視図。
【図１Ｄ】従来の液晶滴下方式による液晶表示素子の製
造工程を示す斜視図。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図２Ｃ】本発明の第１実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図２Ｄ】本発明の第１実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図２Ｅ】本発明の第１実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図３Ａ】本発明の第２実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図３Ｂ】本発明の第２実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図３Ｃ】本発明の第２実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図３Ｄ】本発明の第２実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図４Ａ】本発明の第３実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図４Ｂ】本発明の第３実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図４Ｃ】本発明の第３実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図４Ｄ】本発明の第３実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図４Ｅ】本発明の第３実施形態による液晶表示素子の
製造工程を示す斜視図。
【図５】本発明による多様な形態のアラインマークを示
す平面図。
【図６】本発明による液晶表示素子の製造工程に対する
概略的なレイアウト。
【符号の説明】
１０：下部基板 ３０：上部基板 ５０：液晶 ７０：ＵＶ硬化型シール剤 ２０：第１アラインマーク ８０：第１マスク ８２：第２アラインマーク ８５：第２マスク ８７：第３アラインマーク ９０：光照射装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丁 聖 守 大韓民国 大邱廣域市 北區 太田洞 489番地 頭成商家 201 Ｆターム(参考） 2H089 LA01 LA46 MA03Y NA22 NA24 NA25 NA38 NA44 QA02 QA05 QA16 TA04 TA06 TA09 4H017 AA04 AB01 AB02 AC08 AD06 AE04 AE05

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下部基板及び上部基板を用意する工程、 前記両基板のうち何れか一方の基板上にＵＶ硬化型シー
    ル剤を形成する工程、 前記両基板のうち何れか一方の基板上に液晶を滴下する
    工程、 前記両基板を合着させる工程、 前記シール剤が形成された領域以外の領域を遮るようマ
    スクを前記合着基板とアラインする工程、 前記マスクで遮られた合着基板にＵＶを照射してＵＶ硬
    化型シール剤を硬化させる工程を含む液晶表示素子の製
    造方法。
  2. 【請求項２】 前記アライン工程は前記マスク及び合着
    基板にアラインマスクを形成して、画像で調節しながら
    行われることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子
    の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記マスクを前記合着基板の上側又は下
    側に位置させ、アラインすることを特徴とする請求項１
    記載の液晶表示素子の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記ＵＶを合着基板面にのみ照射するこ
    とを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子の製造方
    法。
  5. 【請求項５】 前記マスクを前記合着基板の上側及び下
    側に位置させ、アラインすることを特徴とする請求項１
    記載の液晶表示素子の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記ＵＶを合着基板面及びそれ以外の領
    域に照射して、照射された一部のＵＶが反射されるよう
    にすることを特徴とする請求項５記載の液晶表示素子の
    製造方法。
  7. 【請求項７】 前記シール剤は両末端にアクリール基が
    結合されたモノマー又はオリゴマーを利用して形成する
    ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の製造方
    法。
  8. 【請求項８】 前記シール剤は一方の末端にはアクリー
    ル基が、他方の末端にはエポキシ基が結合されたモノマ
    ー又はオリゴマーを利用して形成することを特徴とする
    請求項１記載の液晶表示素子の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記ＵＶ照射工程の後に加熱工程を更に
    含むことを特徴とする請求項８記載の液晶表示素子の製
    造方法。
  10. 【請求項１０】 前記上部基板上にカラムスペーサーを
    形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１記載
    の液晶表示素子の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記ＵＶ硬化型シール剤を前記上部基
    板上に形成し、前記液晶を前記下部基板上に滴下するこ
    とを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の製造方
    法。
  12. 【請求項１２】 下部基板及び上部基板を用意する工
    程、 前記両基板のうち何れか一方の基板上にＵＶ硬化型シー
    ル剤を形成する工程、 前記両基板のうち何れか一方の基板上に液晶を滴下する
    工程、 前記両基板を合着させる工程、 前記合着基板の上側及び下側に二重にマスクを位置させ
    て前記シール剤が形成された領域以外の領域を遮り、Ｕ
    Ｖを照射する工程を含む液晶表示素子の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記シール剤は両末端にアクリール基
    が結合されたモノマー又はオリゴマーを利用して形成す
    ることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示素子の製
    造方法。
  14. 【請求項１４】 前記シール剤は一方の末端にはアクリ
    ール基が、他方の末端にはエポキシ基が結合されたモノ
    マー又はオリゴマーを用いて形成することを特徴とする
    請求項１２記載の液晶表示素子の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記ＵＶ照射工程の後に加熱工程を更
    に含むことを特徴とする請求項１４記載の液晶表示素子
    の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記ＵＶを合着基板面及びそれ以外の
    領域に照射して、照射された一部のＵＶが反射されるよ
    うにすることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示素
    子の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記上部基板上にカラムスペーサーを
    形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１２記
    載の液晶表示素子の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記ＵＶ硬化型シール剤を前記上部基
    板上に形成し、前記液晶を前記下部基板上に滴下するこ
    とを特徴とする請求項１２記載の液晶表示素子の製造方
    法。
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