JP4173380B2 - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示素子（ＬＣＤ）に関し、特に、液晶滴下方式による液晶表示素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【関連技術】
表示画面の厚さが数ｃｍに過ぎない超薄型の平板表示素子、その中でも液晶表示素子は動作電圧が低くて消費電力が少なく、且つ携帯用に使えるなどの利点のため、ノートパソコン、モニター、宇宙船、航空機などに至るまでその応用分野が広くて多様である。
【０００３】
かかる液晶表示素子は、一般に、その上に薄膜トランジスタと画素電極とが形成されている下部基板と、その下部基板と対向するように形成され、且つその上に遮光膜、カラーフィルタ層及び、共通電極が形成されている上部基板と、前記両基板の間に形成されている液晶層から構成されており、前記画素電極と共通電極によって両基板の間に電場が形成されて液晶層が駆動し、その駆動する液晶層を介して光透過度が調節されて画像がディスプレイされるようになっている。
【０００４】
このような構造の液晶表示素子において、前記下部基板と上部基板との間に液晶層を形成する方法として、従来の関連技術では毛細管現象と圧力差を用いた真空注入方式を使用していたが、真空注入方式は表示画面が大面積化されることに伴い長時間の液晶注入時間が必要とされ、生産性が劣るという問題点が発生した。
【０００５】
従って、このような問題点を解決するために液晶滴下方式という新たな方法が提案された。以下、添付の図面を参照して関連技術の液晶滴下方式による液晶表示素子について説明する。
【０００６】
図１a 乃至図１e は関連技術の液晶滴下方式による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図である。
まず、図１a のように、下部基板１及び上部基板３を用意する。図面には示していないが、下部基板１上には横縦に交差して画素領域を形成する複数個のゲート配線とデータ配線が形成され、前記ゲート配線とデータ配線との交差点に薄膜トランジスタを形成し、その薄膜トランジスタと連結される画素電極を前記画素領域に形成する。
【０００７】
また、上部基板３上には前記ゲート配線、データ配線及び、薄膜トランジスタ形成領域からの光漏洩を遮断するための遮光膜を形成し、その上に赤、緑、青のカラーフィルタ層を形成し、その上に共通電極を形成する。また、前記下部基板１と上部基板３上に液晶の初期配向のための配向膜を形成する。
【０００８】
そして、図１b のように、前記下部基板１上に主シール剤７及びダミーシール剤８を形成し、液晶５を滴下して液晶層を形成する。そして、前記上部基板３上にセルギャップを維持するためのスペーサー（図示せず）を散布する。
【０００９】
前記主シール剤７は液晶が漏れることを防止し、両基板１、３を接着させる役割を果たしている。
前記ダミーシール剤８は前記主シール剤７を保護するための役割を果たしているもので、前記主シール剤７の周囲に形成される。
この際、液晶滴下方式では、後工程のシール剤の硬化工程の際、合着基板に液晶層が形成されている状態で熱硬化型シール剤を硬化させることになると、シール剤７が加熱される間に漏れて液晶が汚染されるおそれがあるので、ＵＶ（紫外線）硬化型シール剤が用いられる。
【００１０】
そして、図１c のように、前記下部基板１と上部基板３とを合着する。
【００１１】
そして、図１d のように、ＵＶ照射装置９を通してＵＶを照射して前記シール剤７、８を硬化させる。このようにシール剤７、８が硬化することで、前記下部基板１と上部基板３とが接着される。
【００１２】
また、図１e に示すように、前記合着基板１、３をセル単位で切断して単位合着基板１a・３a、１b・３b、１c・３c 及び１d・３d からなる複数の単位液晶セルを完成させる。
この時図２は、セル単位で基板を切断する工程を示す斜視図である。
図２に示すように、まず、基板材質のガラスより硬度の高いダイヤモンドペンのようなスクライブ装置で合着基板１、３の表面に切断ライン１０を形成（スクライブ工程）した後、ブレーク装置で前記切断ラインに沿って機械的な衝撃を与えることによって（ブレーク工程）複数の単位セルが同時に得られる。
【００１３】
又は、ダイヤモンド材質のペン或いはホイルを用いて前記スクライブ及びブレーク工程を一つの工程で行って単位セルを一つずつ得ることもできる。
尚、図２にはセル切断ライン１０について詳しく図示してはいないが、実際セルの切断時、周囲のダミー領域を除去するために更に多くのセル切断ラインが形成される。
【００１４】
図３は前記セル切断ラインを詳細に示すためのもので、特にシール剤７，８が形成された下部基板１のセル切断ライン１０を示すための平面図である。
図３から分かるように、セル切断ライン１０はダミーシール剤８と一定の領域（丸印）で重なることになり、この時前記ダミーシール剤８はセル切断工程前のＵＶ照射工程を通して硬化済みの状態である。
【００１５】
従って、前記セル切断工程中、スクライブ工程の後ブレーク工程を通して単位セルを同時に得る方法は前記硬化されたダミーシール剤８によって影響を及ぼすことはないが、スクライブ工程とブレーク工程とを同時に行って単位セルを一つずつ得る方法は、前記硬化されたダミーシール剤８のため、セル切断が困難になるという問題があった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は上記のような問題点を解決するために成されたもので、その目的は、前述したスクライブ及びブレークの同時工程によりセル単位で基板を切断する際に切断をより容易にするための液晶表示素子及びその製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、基板と、前記基板上に形成された閉鎖型の主ＵＶ硬化型シール剤及び、前記主ＵＶ硬化型シール剤と前記基板の端部との間に形成されているダミーＵＶ硬化型シール剤及び、前記ダミーＵＶ硬化型シール剤とセル切断ラインとが重なる領域に形成されたＵＶ遮断部とを含めてなる液晶表示素子を提供する。
【００１８】
また、本発明は、第１基板と、第２基板を揃える工程と、前記両基板のうち何れか一方の基板上のダミー領域にＵＶ遮断部を形成する工程と、前記ＵＶ遮断部が形成された基板上に、主ＵＶ硬化型シール剤を塗布する工程と、前記主ＵＶ硬化型シール剤と前記基板の端部との間の領域にダミーＵＶ硬化型シール剤を塗布する工程と、前記両基板のうち何れか一方の基板上に液晶を滴下する工程と、前記両基板を合着させる工程と、前記主ＵＶ硬化型シール剤と前記ダミーＵＶ硬化型シール剤にＵＶを照射する工程と、前記合着基板をセル単位で切断する工程とを含んでなる液晶表示素子の製造方法を提供する。
【００１９】
即ち、本発明はダミーＵＶ硬化型シール剤のうち、セル切断ラインと重なる領域のシール剤の下部にＵＶ遮断部を形成することで、ＵＶ照射時、前記ＵＶ遮断部が形成された領域のシール剤が硬化せずセル切断工程を容易にするものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の望ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００２１】
図４a は本発明の一実施形態によるシール剤が形成された基板の平面図である。
図には四つの単位セルが形成された場合について示しているが、単位セルは増減可能である。
【００２２】
図４a から明らかなように、基板１００上には主ＵＶ硬化型シール剤７００が注入口のない閉鎖されたパターンに形成されており、前記主ＵＶ硬化型シール剤７００の周囲にはダミーＵＶ硬化型シール剤８００が閉鎖されたパターンに形成されている。
【００２３】
前記主及びダミーＵＶ硬化型シール剤７００，８００としては、両末端にアクリル基が結合されたモノマー又はオリゴマーを開始剤と混合したものを使用することができ、一方の末端にはアクリル基が、他方の末端にはエポキシ基が結合されたモノマー又はオリゴマーを開始剤と混合したものを使用することが望ましい。
【００２４】
また、前記ダミーＵＶ硬化型シール剤８００と、セル切断ライン６００とが重なる領域で前記ダミーＵＶ硬化型シール剤８００の下部にＵＶ遮断部７５０が形成されている。
【００２５】
前記ＵＶ遮断部はその厚さが１０００Åないし２０００Å程度が望ましい。前記厚さの範囲のＵＶ遮断部７５０はセル切断にいかなる影響をも及ぼすことがないので金属のようにＵＶを遮断できる物質であればいずれも適用できる。
【００２６】
尚、図４Ａに示すように、本発明の一実施例はセル切断ライン６００とダミーＵＶ硬化型シール剤８００とが重なる全ての領域でダミーＵＶ硬化型シール剤８００の下部にＵＶ遮断部７５０が形成されている。
【００２７】
しかしながら、セル切断ラインに沿ってスクライブ/ブレークの同時工程でセルを切断する工程において、まず右側または左側の末端のセル切断ラインから上下方向に基板を切断すると右側または左側にあるダミーＵＶ硬化型シール剤は除去される。従って、除去されるダミーＵＶ硬化型シール剤は後続セル切断工程にいかなる影響をも及ぼさない。
【００２８】
つまり、図４b に示すように、セル切断ライン６００と重なるダミーＵＶ硬化型シール剤８００の領域の中で上側及び下側だけに、ダミーＵＶ硬化型シール剤８００の下部にＵＶ遮断部を形成するか、または図４c に示すように、左側及び右側の領域だけにダミーＵＶ硬化型シール剤８００の下部にＵＶ遮断部を形成してもセル切断工程が容易になるという同一の効果を奏する。
もちろん、図４b に示すように、まず上下方向にセルを切断する場合に適用し、図４c に示すように、まず左右方向にセルを切断する場合に適用できる。
【００２９】
尚、液晶表示素子は下部基板、上部基板、及び前記両基板の間に形成された液晶層からなるが、この時シール剤は両基板のいずれか一方の基板上に形成することができる。
【００３０】
従って、図４a ないし図４c に示すように、本発明の一実施例によるシール剤が形成された基板が下部基板の場合は、前記基板１００上にゲート配線、データ配線、薄膜トランジスタ及び画素電極が形成されている。
この時、前記ＵＶ遮断部７５０は、前記ゲート配線またはデータ配線と同一層にゲート配線またはデータ配線と同一物質で形成してもよいし、別の層に形成することもできる。
【００３１】
また、図４a ないし図４c に示すように、本発明の一実施例によるシール剤が形成された基板が上部基板の場合は、前記基板１００上に遮光膜、カラーフィルタ層及び共通電極画が形成されている。
この時、前記ＵＶ遮断部７５０は、前記遮光膜と同一層に遮光膜と同一物質で形成してもよいし、別の層に形成することもできる。
【００３２】
また、セルギャップ維持のための柱状スペーサは前記シール剤が形成された基板上に付着して形成され得る。このような柱状スペーサは前記ゲート配線またはデータ配線の形成領域に対応する領域に形成され、感光性有機樹脂からなることが望ましい。
【００３３】
図５a ないし図５f は本発明の一実施形態による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図である。
図には四つの単位セルが形成された場合について示しているが、単位セルは増減可能である。
【００３４】
まず、図５a に示すように、下部基板２００と上部基板３００を揃える。図示してはいないが、下部基板２００上には縦横に交差して画素領域を定義する複数のゲート配線とデータ配線を形成し、前記ゲート配線とデータ配線の交差点にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、オーミックコンタクト層、ソース/ドレイン電極及び保護膜からなる薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタと連結する画素電極を前記画素領域に形成する。
【００３５】
また、前記画素電極上に液晶の初期配向のための配向膜を形成する。
この時、前記配向膜はポリアミドまたはポリイミド系化合物、ＰＶＡ、ポリアミック酸などの物質をラビング配向処理して形成することもでき、ＰＶＣＮ、ＰＳＣＮ又はＣｅｌＣＮ系化合物のような光反応性の物質を光配向処理して形成することもできる。
【００３６】
また、上部基板３００上には前記ゲート配線、データ配線及び薄膜トランジスタ形成領域で光が漏れることを遮断するための遮光膜を形成し、前記遮光膜の上に赤、緑、及び青のカラーフィルタ層を形成し、前記カラーフィルタ層の上に共通電極を形成する。また、前記カラーフィルタ層と共通電極との間にオーバーコート層を追加して形成することもできる。また、前記共通電極上には前述した配向膜を形成する。
【００３７】
また、前記下部基板２００の外郭部には銀をドット状に形成して前記両基板２００、３００を合着させた後、前記上部基板３００の上の共通電極に電圧を印加できるようにする。
尚、ＩＰＳモード液晶表示素子の場合は共通電極と画素電極は、基板に対して平行な電界が誘起されるように下部基板上に形成され、前記銀ドットは基板上に形成されない。
【００３８】
また、図５b に示すように、前記上部基板３００上のダミー領域にＵＶ遮断部７５０をパターニングして形成する。
より具体的には前記ＵＶ遮断部７５０は後工程のセル切断工程時、セル切断ラインと重なる領域に形成される。従って、セル切断時に悪影響を及ぼさない物質で形成することが望ましい。
【００３９】
図５b にはセル切断ラインと重なる全ての領域にＵＶ遮断部７５０を形成する場合について示しているが、セル切断ラインと重なる領域中、上側及び下側、または左側及び右側の領域にだけＵＶ遮断部７５０を形成することも可能である。
【００４０】
また、図面にはＵＶ遮断部７５０を上部基板３００上に形成した場合について示しているが下部基板２００上に形成することも可能である。
尚、図５b はＵＶ遮断部７５０が別の層に形成される場合について示しているが、ＵＶ遮断部７５０は図５a の上部基板３００準備工程または下部基板２００の準備工程中、層形成の時に同時に形成することもできる。
【００４１】
即ち、前記ＵＶ遮断部７５０が上部基板３００上に形成される場合は前記ゲート配線またはデータ配線形成の時に同時に同一物質で形成することができ、下部基板２００上に形成する場合は前記遮光膜の形成時に同時に同一物質で形成することもできる。
【００４２】
また、図５c に示すように、前記ＵＶ遮断部７５０がパターン形成された上部基板３００上に閉鎖されたパターンに主ＵＶ硬化型シール剤７００を塗布し、前記主ＵＶ硬化型シール剤７００の周囲で前記ＵＶ遮断部７５０と重なって、閉鎖されたパターンにダミーＵＶ硬化型シール剤８００を塗布する。
【００４３】
シール剤塗布方法はスクリーン印刷法、ディスペンサー法などがあるが、スクリーン印刷法はスクリーンが基板と接触するので基板上に形成された配向膜などが損傷するおそれがあり、基板が大面積化すると、シール剤の損失量が多くて非経済的であるのでディスペンサー法の方が望ましい。
【００４４】
このような主及びダミーＵＶ硬化型シール剤７００、８００としては、両末端にアクリル基が結合されたモノマー又はオリゴマーを開示剤と混合して用いるか、または一方の末端にはアクリル基が、他の一方の末端にはエポキシが結合されたモノマー又はオリゴマーを開示剤と混合したものが望ましい。
【００４５】
また、前記下部基板２００上に液晶５００を滴下して液晶層を形成する。
前記液晶５００は前記主シール剤７００が硬化する前に主シール剤７００に接すると汚染される。従って、前記液晶５００は前記下部基板２００の中央部に滴下されたものが望ましい。このように中央部に滴下された液晶５００は前記主シール剤７００が硬化した後まで徐々に広がって基板全体に同一密度で分布することになる。
【００４６】
尚、図には下部基板２００上に液晶５００を滴下し、上部基板３００上にＵＶ遮断部７５０及びシール剤７００、８００を形成する工程が示されているが、これに限定されるものではなく、上部基板３００上に前記液晶５００を形成し下部基板２００上にＵＶ遮断部及びＵＶ硬化型シール剤７００、８００を形成することもできる。
【００４７】
また、前記液晶５００、ＵＶ遮断部７５０及びＵＶ硬化型シール剤７００，８００を同一基板に形成することもできる。但し、前記液晶５００とＵＶ硬化型シール剤を同一基板に形成する場合、液晶とＵＶ硬化型シール剤とが形成される基板と、そうではない基板の工程との間に不均衡が発生して工程時間が長くなるだけでなく、液晶とシール剤が同一の基板に形成されるので合着前にシール剤に汚染物質が形成されたとしても基板洗浄を行うことができなくなるので、前記液晶とシール剤とは互いに異なる基板に形成することが望ましい。
【００４８】
又、図示してはいないが、前記両基板のうち、何れか一つの基板、望ましくは前記上部基板３００上にセルギャップ維持のためのスペーサを形成することもできる。
前記スペーサはボールスペーサを適正濃度で溶液中に混合した後噴射ノズルから高圧で基板上に撒布して形成することもでき、柱状スペーサを前記ゲート配線又はデータ配線形成領域に対応する基板上に付着させて形成することもできるが、ボールスペーサは大面積に適用する場合にセルギャップが不均一になるという短所があるので大面積の基板には柱状スペーサを形成することが望ましい。
【００４９】
この時前記柱状スペーサとしては感光性有機樹脂を用いることが望ましい。
又、図５d のように、前記下部基板２００と上部基板３００とを合着する。
合着工程は前記両基板のうち液晶が滴下された基板（第１基板）を下面に固定し、他の基板（第２基板）は層形成面が前記第１基板に向かうように１８０°回転させて上面に位置させた後、上面に位置した基板に圧力を加えて両基板を合着するか、又は前記離隔している両基板の間を真空に形成した後、更に真空を解除してから大気圧によって両基板を合着することもできる。
【００５０】
又、図５e に示すように、前記合着基板２００，３００にＵＶ照射装置９００を介してＵＶ照射を行う。
このようなＵＶ照射はＵＶ遮断部７５０が形成されている上部基板３００面に行う。
このようにＵＶ照射を行うと、前記ＵＶ硬化型シール剤７００，８００を構成する開示剤によって活性化したモノマー又はオリゴマーが重合反応して高分子化することによって、下部基板２００と上部基板３００とが接着される。
【００５１】
この時、前記ＵＶ遮断部７５０が形成された領域はＵＶが照射されないのでその領域のダミーＵＶ硬化型シール剤は固まることなく、最初塗布された状態、即ち、流動状態で維持されるので後工程のセル切断工程が容易になる。
【００５２】
この時、前記ＵＶ硬化型シール剤７００、８００として、一方の末端にはアクリル基が、他方の末端にはエポキシ基が結合されたモノマー又はオリゴマーを開示剤と混合して用いた場合は、前記ＵＶ照射によってエポキシ基が反応しないので、前記ＵＶ照射工程後に追加で加熱工程をおこなってシール剤を完全に硬化させる。前記加熱工程は約１２０℃で１時間程度行うことが望ましい。
【００５３】
但し、前記ＵＶ硬化しないダミーシール剤は、たとえ、前記熱硬化工程を経由しても硬化度が５０％未満に劣りセル切断工程には影響を及ぼさない。
尚、ＵＶ照射工程時、合着基板の全面にＵＶが照射されると、基板上に形成されている薄膜トランジスタなどの素子特性に悪影響を及ぼすことになり、液晶の初期配向のために形成した配向膜のプリチルト角が変わることになる。
【００５４】
従って、図６に示すように、前記主ＵＶ硬化型シール剤８００内部のアクティブ領域を隠すマスク９５０を合着基板２００、３００と、ＵＶ照射装備９００との間に位置させてＵＶ照射を行うことが望ましい。
【００５５】
又、図５f に示すように、前記合着基板を単位セルで切断する。
単位セルで切断する工程は、ダイヤモンド材質のペン又はホイルを鋸の歯状に形成した切断装備を用いてスクライブ／ブレークの同時工程により単位セルを一つずつ切断する。
【００５６】
このように、スクライブ／ブレークの同時工程を行う切断装置を用いることによって装備の占める空間が縮小され切断工程時間も短縮される。
【００５７】
又、図示してはいないが、前記切断工程後に最終検査工程をおこなう。
前記最終検査工程は前記セル単位で切断された基板が液晶モジュールで組み立てられる前に不良の有無を確認する工程であって、電圧印加時又は無印加時に各々の画素が正しく駆動しているかどうかを検査することになる。
【００５８】
以上本発明の好適な一実施形態に対して説明したが、前記実施形態のものに限定されるわけではなく、本発明の技術思想に基づいて種々の変形可能である。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ダミーＵＶ硬化型シール剤のうち、セル切断ラインと重なる領域のシール剤の下部にＵＶ遮断部を形成させることにより、ＵＶ照射の際、前記ＵＶ遮断部が形成された領域のシール剤が硬化せずセル切断が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】関連技術の液晶滴下方式による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図。
【図１ｂ】関連技術の液晶滴下方式による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図。
【図１ｃ】関連技術の液晶滴下方式による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図。
【図１ｄ】関連技術の液晶滴下方式による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図。
【図１ｅ】関連技術の液晶滴下方式による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図。
【図２】関連技術のセル切断工程を示す斜視図。
【図３】関連技術のシール剤が形成された液晶表示素子用下部基板のセル切断ラインの平面図。
【図４ａ】本発明の一実施形態による液晶表示素子用基板の平面図。
【図４ｂ】本発明の他の一実施形態による液晶表示素子用基板の平面図。
【図４ｃ】本発明の他の一実施形態による液晶表示素子用基板の平面図。
【図５ａ】本発明の一実施形態による液晶表示素子の製造工程を示す平面図。
【図５ｂ】本発明の一実施形態による液晶表示素子の製造工程を示す平面図。
【図５ｃ】本発明の一実施形態による液晶表示素子の製造工程を示す平面図。
【図５ｄ】本発明の一実施形態による液晶表示素子の製造工程を示す平面図。
【図５ｅ】本発明の一実施形態による液晶表示素子の製造工程を示す平面図。
【図５ｆ】本発明の一実施形態による液晶表示素子の製造工程を示す平面図。
【図６】本発明の他の一実施形態による液晶表示素子の製造工程中、ＵＶ照射工程を示した斜視図。
【符号の説明】
１００ 基板
２００ 下部基板
３００ 上部基板
５００ 液晶
６００ セル切断ライン
７００、８００ ＵＶ硬化型シール剤
７５０ ＵＶ遮断部

Claims (14)

1. 第１基板と、第２基板を揃える工程と、
   前記両基板のうち何れか一方の基板上のダミー領域にＵＶ遮断部を形成する工程と、
   前記ＵＶ遮断部が形成された基板上に、主ＵＶ硬化型シール剤を塗布する工程と、
   前記主ＵＶ硬化型シール剤と前記基板の端部との間にダミーＵＶ硬化型シール剤を塗布する工程と、
   前記両基板のうち何れか一方の基板上に液晶を滴下する工程と、
   前記両基板を合着させる工程と、
   前記主ＵＶ硬化型シール剤と前記ダミーＵＶ硬化型シール剤にＵＶを照射する工程と、
   前記合着基板をセル単位で切断する工程とからなる液晶表示素子の製造方法において、
   前記ＵＶ遮断部は、前記ダミーＵＶ硬化型シール剤塗布部と前記合着基板を切断するラインとの交差点で前記ダミーＵＶ硬化型シール剤塗布部内の所定の領域上に形成されており、それによって前記ＵＶ照射時にダミーＵＶ硬化型シール剤塗布部の前記所定の領域は硬化されないことを特徴とする方法。
2. 前記第１基板上にゲート配線とデータ配線を形成する工程と、
   前記ゲート配線と前記データ配線との交差部に薄膜トランジスタを形成する工程と、
   前記第１基板上に画素電極を形成する工程を更に含めてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
3. 前記ＵＶ遮断部を形成する工程は、前記ゲート配線の際、同時に形成されることを特徴とする請求項２に記載液晶表示素子の製造方法。
4. 前記ＵＶ遮断部を形成する工程は、前記データ配線の際、同時に形成されることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示素子の製造方法。
5. 前記第２基板上に遮光層が形成される工程と、
   前記遮光層にカラーフィルタ層が形成される工程を追加して含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
6. 前記ＵＶ遮断部形成工程は、前記遮光層形成工程と同時に形成することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示素子の製造方法。
7. 前記ＵＶ照射工程は、前記ＵＶ遮断部が形成された基板面にＵＶを照射することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
8. 前記ＵＶ照射工程の後加熱工程を追加して含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
9. セル単位で切断する工程は、スクライブ及びブレーク工程を一つの工程で行うことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
10. 前記ＵＶ照射工程は、前記主ＵＶ硬化型シール剤内部のアクティブ領域をマスクで遮断してから行うことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
11. 前記主及びダミーＵＶ硬化型シール剤を前記第２基板上に形成し、前記液晶を前記第１基板上に滴下することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
12. 前記主及びダミーＵＶ硬化型シール剤を前記第１基板上に形成し、前記液晶を前記第２基板上に滴下することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
13. 前記両基板のうち何れか一方の基板上に柱状スペーサを追加して形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
14. 前記ＵＶ遮断部は、セル切断ラインと前記ダミーＵＶ硬化型シール剤が重なる部分に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。

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