DE19964479B4 - Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 132
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 96
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002996 emotional effect Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
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- Y10S414/00—Material or article handling
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- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
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- Y10S414/00—Material or article handling
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Abstract
Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, umfassend:
– einen ersten Kassettentisch (60) zum Anordnen einer Kassette mit hierin gestapelten Wafern vor der Durchführung eines Prozesses oder Verfahrensschrittes;
– einen zweiten Kassettentisch (70) zum Anbringen einer Kassette für Wafer nach der Durchführung des Prozesses oder Verfahrensschrittes,
– einen Transportweg, der eine rechteckige Gestalt aufweist; eine Mehrzahl an Ladeschleusenkammern (43), die an einer Längsseite des rechteckigen Transportweges angeordnet ist, wobei der zweite Kassettentisch (70) an der den Ladeschleusenkammern (43) gegenüberliegenden Seite des rechteckigen Transportweges angeordnet ist;
– eine Mehrzahl von Prozesskammern (45), von denen jeweils zwei Prozesskammern (45) vor und nach einer jeweiligen Ladeschleusenkammer (43) angeordnet sind, sodass sie eine gemeinsame Ladeschleusenkammer (43) besitzen, wobei die Mehrzahl von Prozesskammern (45) zur Längsseite des rechteckigen Transportweges und parallel hierzu und in mehreren Ebenen ausgerichtet sind;
– eine Transporteinrichtung (52), die im Transportweg angeordnet ist und die in...
– einen ersten Kassettentisch (60) zum Anordnen einer Kassette mit hierin gestapelten Wafern vor der Durchführung eines Prozesses oder Verfahrensschrittes;
– einen zweiten Kassettentisch (70) zum Anbringen einer Kassette für Wafer nach der Durchführung des Prozesses oder Verfahrensschrittes,
– einen Transportweg, der eine rechteckige Gestalt aufweist; eine Mehrzahl an Ladeschleusenkammern (43), die an einer Längsseite des rechteckigen Transportweges angeordnet ist, wobei der zweite Kassettentisch (70) an der den Ladeschleusenkammern (43) gegenüberliegenden Seite des rechteckigen Transportweges angeordnet ist;
– eine Mehrzahl von Prozesskammern (45), von denen jeweils zwei Prozesskammern (45) vor und nach einer jeweiligen Ladeschleusenkammer (43) angeordnet sind, sodass sie eine gemeinsame Ladeschleusenkammer (43) besitzen, wobei die Mehrzahl von Prozesskammern (45) zur Längsseite des rechteckigen Transportweges und parallel hierzu und in mehreren Ebenen ausgerichtet sind;
– eine Transporteinrichtung (52), die im Transportweg angeordnet ist und die in...
Description
- Hintergrund der Erfindung
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen. Sie betrifft insbesondere ein Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit einem minimalen Platzbedarf für die Einrichtung durch Ausrichtung mehrerer Prozeßkammern zu einem in der Mitte verlaufenden Transfer- oder Transportweg. Auf
US 5 286 296 A wird verwiesen, die ein Mehrkammersystem mit einem Transportweg mit rechteckiger Gestalt zeigt. - Beschreibung des Standes der Technik
- Zur Herstellung von Halbleiterbauelementen bedient man sich vieler Verfahren, wie zum Beispiel ein Fotolithographieverfahren, ein Ätzverfahren oder ein Verfahren zur Bildung dünner Filme, die während des Herstellungsprozesses wiederholt durchgeführt werden. Das Ätzen erfolgt typischerweise in einem Mehrkammersystem des ”Fokustyps”, in dem mehrere Verarbeitungsschritte für die Wafer gleichzeitig durchgeführt werden können.
- Ein Mehrkammersystem für ein Trockenätzverfahren unter Verwendung eines Plasmas wird üblicherweise mit mehreren Prozeßkammern betrieben, in denen ein Hochvakuum zur Erzeugung eines Plasmas vorhanden ist. Das Mehrkammersystem umfaßt zudem eine innere Transfer- oder Transporteinrichtung zum Transportieren der Wafer von einer zentralen Kammer mit einem schwachen Vakuum zu mehreren Prozeßkammern.
-
1 veranschaulicht ein herkömmliches Mehrkammersystem des Fokustyps zum Trockenätzen unter Verwendung eines Plasmas. Das Mehrkammersystem ist so gestaltet, daß sich in der Mitte eine hexagonale säulenförmige zentrale Kammer16 befindet. Vier Prozeßkammern15 sind mit jeweils einer Seite der zentralen Kammer16 verbunden. Zwischen der zentralen Kammer16 und den Prozeßkammern15 ist jeweils ein (nicht dargestellter) Zugang oder eine Schleuse ausgebildet, die das selektive Durchführen von Wafern ermöglicht. In der zentralen Kammer16 befindet sich eine innere Transfer- oder Transportvorrichtung14 zum selektiven Einführen/Entnehmen der Wafer in/aus der Prozeßkammer15 durch die Schleuse. - Die zentrale Kammer
16 kann als Quadrat, Pentagon oder Hexagon usw. ausgebildet sein.1 zeigt eine hexagonalförmige zentrale Kammer16 , wie sie üblicherweise am meisten verwendet wird. - In den Prozeßkammern
15 und in der zentralen Kammer16 befindet sich jeweils eine (nicht dargestellte) Vakuumpumpe. - Die Wafer werden durch die innere Transportvorrichtung
14 unter Vakuumbedingungen zu den Prozeßkammern15 transportiert. Zusätzlich hierzu ist mit der zentralen Kammer16 eine Ladeschleusenkammer13 verbunden, die als Bereitstellungs- oder Stand by-Bereich für die Wafer mit einem schwachen Vakuum dient, bevor die sich unter Atmosphärendruck befindenden Wafer in einer Kassette11 in die zentrale Kammer16 gebracht werden. - Die Ladeschleusenkammer
13 umfaßt eine Eingangsladeschleusenkammer zum Stapeln oder Lagern der Wafer vor ihrer Verarbeitung und eine Ausgangsladeschleusenkammer zum Stapeln oder Lagern der Wafer nach ihrer Verarbeitung. - Mit den zwei Ladeschleusenkammern
13 ist zusätzlich hierzu ein Kassettentisch12 verbunden, auf dem eine Kassette11 angebracht ist, die zum einfachen Transport der Wafer durch die Kassette unter Atmosphärendruck dient. - Wenn bei dem herkömmlichen Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen auf dem Kassettentisch
12 eine Kassette11 angebracht ist, wird die Kassette11 , auf der sich Wafer befinden, durch eine Bedienungsperson oder durch eine automatische Transporteinrichtung usw. in der Ladeschleusenkammer13 in die Ladeschleusenkammer13 transportiert, die anschließend abgedichtet wird. Zudem wird dort ein schwaches Vakuum erzeugt. Wenn in der Ladeschleusenkammer13 ein bestimmtes Vakuum herrscht, wird der Zugang oder die Schleuse zu der Ladeschleusenkammer geöffnet und die Wafer werden einzeln oder in einer bestimmten Anzahl durch die innere Transporteinrichtung14 in der zentralen Kammer16 auf einem (nicht dargestellten) Transportarm unter einem hohen Vakuum angebracht und in eine bestimmte Prozeßkammer15 transportiert, wobei sie horizontal um einen bestimmten Winkel gedreht und in Richtung auf die spezielle Prozeßkammer15 bewegt werden. - Nach dem Transport der Wafer in die Prozeßkammer
15 wird der Zugang oder die Schleuse zu der Prozeßkammer15 geschlossen und es wird ein spezielles entsprechendes Verfahren durchgeführt. Nach der Durchführung des Verfahrens werden die Wafer durch die innere Transportvorrichtung14 in der zentralen Kammer16 in umgekehrter Richtung bewegt und auf der Kassette11 in der Ladeschleusenkammer13 gestapelt. - Während der Durchführung eines bestimmten Prozesses in einer bestimmten Prozeßkammer
15 können Wafer durch die innere Transporteinrichtung14 kontinuierlich in eine andere Prozeßkammer15 eingeführt bzw. aus dieser entnommen werden. In mehreren Prozeßkammern15 können somit gleichzeitig mehrere Wafer verarbeitet werden. - Das auf die oben beschriebene Art und Weise gestaltete herkömmliche Mehrkammersystem, das eine hexagonale säulenförmige zentrale Kammer
16 und vier Verarbeitungskammern15 sowie zwei Ladeschleusenkammern13 umfaßt, die die zentrale Kammer16 umgeben, benötigt bei der Gestaltung der Fertigungslinie oder Fertigungseinrichtung eine so große Einrichtungsbreite ”W”, daß eine weitere Vergrößerung der Vakuumeinrichtung erforderlich ist, um die zentrale Kammer16 unter Vakuum zu halten. Hierdurch steigen die Kosten für die Einrichtungen und für die Installation. - Zusätzlich hierzu nimmt der Platzbedarf für die zentrale Kammer mit zunehmender Anzahl an Prozeßkammern zu (sechs Prozeßkammern erfordern beispielsweise die Gestaltung einer orthogonalen säulenförmigen zentralen Kammer, deren Platzbedarf größer ist).
- Bei Erhöhung der Anzahl an Prozeßkammern ist somit ein anderes Mehrkammersystem erforderlich.
- Es kostet jedoch eine Menge, ein teures Mehrkammersystem zu ermöglichen. Die Grundfläche der Einrichtung erhöht sich mit zunehmender Breite der Einrichtung. Zudem wird eine ganze Menge Platz des Reinraumes verbraucht, dessen Unterhaltung üblicherweise eine Menge kostet. Zahlreiche Vorrichtungen für Prozeßgase und zur Erzeugung des Vakuums, die mit der Prozeßkammer oder der Ladeschleusenkammer verbunden sind, sind doppelt installiert.
- Als Versuch zur Erhöhung der Anzahl an Prozeßkammern bei dem in
2 dargestellten Fokus-Mehrkammersystem sind zwei jeweils mit drei Prozeßkammern15 verbundene zentrale Kammern16 über eine Verbindungs-Ladeschleusenkammer17 miteinander verbunden, so daß zwei dieser herkömmlichen Fokus-Mehrkammersysteme10 miteinander verbunden sind. - Die Installation von sieben Prozeßkammern
15 ist jedoch teurer als die Installation eines zusätzlichen Fokus-Mehrkammersystems10 , wobei auch noch das Problem des großen Platzbedarfs in einem Reinraum und die doppelte Installation der unterschiedlichen Prozeßgas- und Vakuumvorrichtungen besteht. - Da ein herkömmliches Fokus-Mehrkammersystem
10 mit einem Kassettentisch an seiner Vorderseite zusammen mit anderen Einrichtungen20 in einem Reinraum installiert wird, sind zusätzlich hierzu, wie dies in3 dargestellt ist, auch die Kassettentische der anderen Einrichtungen alle nach vorne gerichtet, so daß Kassetten von einer Bedienungsperson oder einem automatischen Kassettenwagen zwischen den Einrichtungen transportiert werden müssen. - Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zum Herstellen von Hableiterbauelementen anzugeben, das bedienungsfreundlicher ist als die bekannten Systeme, das die Wafer durch Unterdruck oder Schwerkraft gehalten werden können, und dass sie mit geringer Transportgeschwindigkeit bewegt werden können.
- Diese Aufgabe wird durch die Merkmale von Anspruch 1 gelöst.
- Der Stand der Technik sowie die Erfindung sind anhand der Zeichnung näher erläutert. Die
1 bis3 zeigen Beispiele aus dem Stand der Technik. Die4 bis9 zeigen nicht erfindungsgemäße Beispiele. Die10 veranschaulicht die Erfindung. Darin zeigen: -
1 eine Draufsicht auf ein herkömmliches Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen; -
2 eine Draufsicht auf miteinander verbundene Mehrkammersysteme einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen gemäß1 ; -
3 das Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen gemäß1 , das in einer Produktionslinie für Halbleiterbauelemente installiert ist; -
4 eine Draufsicht auf ein Beispiel eines Mehrkammersystems einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen; -
5 eine perspektivische Ansicht des Mehrkammersystems gemäß4 ; -
6 eine Seitenansicht mit einer schematischen Darstellung des Transportzustandes der Wafer in5 ; -
7 eine Draufsicht auf ein Beispiel eines Mehrkammersystems einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen; -
8 eine Draufsicht auf ein Beispiel, bei dem das Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen gemäß7 in einer entsprechenden Produktionslinie installiert ist; -
9 eine Draufsicht auf das Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen gemäß7 , das erweiterbar installiert ist; -
10 eine Draufsicht auf eine Ausführungsform, bei der ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Mehrkammersystems einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen in einer Produktionslinie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen installiert ist. - Nachstehend werden Beispiele beschrieben, die in den zugehörigen Zeichnungen dargestellt sind.
-
4 zeigt eine Draufsicht auf ein Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen. - Das Mehrkammersystem gemäß
4 ist so gestaltet, daß eine Kassette41 mit darauf gestapelten Wafern auf einem Kassettentisch42 angebracht ist. Acht Prozeßkammern45 zur Durchführung von Prozessen oder Verfahrensschritten sind in mehreren Ebenen parallel auf beiden Seiten eines rechteckigen Transportweges angeordnet, der als Raum für den Transport Wafern dient. Auf dem Transportweg ist eine Transporteinrichtung52 angeordnet, die zum Einführen der auf dem Kassettentisch42 aufgestapelten Wafer in die acht Prozeßkammern45 und zum Entnehmen der Wafern aus diesen Prozeßkammern dient. - Der Kassettentisch
42 umfaßt einen Kassettenaufzug zum Hoch- und Runterbewegen der Kassetten. Der Kassettentisch42 ist zum Austauschen der Kassettenpositionen auch horizontal bewegbar. - Die Prozeßkammern
45 können in einer Ebene angeordnet sein. Im Hinblick auf die Effektivität der Platzausnutzung werden, sowie dies in5 dargestellt ist, zwei Ebenen verwendet, wobei in jeder Ebene vier Prozeßkammern45 parallel zueinander ausgerichtet sind. - Bei der in
4 dargestellten Installation von vier Prozeßkammern45 und zwei Ladeschleusenkammern43 mit der gleichen Abmessung der Kammern wie bei dem herkömmlichen Mehrkammersystem10 gemäß1 ist die Einrichtungsbreite ”W” des Mehrkammersystems40 gleich der Summe aus der Breite von zwei Prozeßkammern45 und der Breite des Transportweges, wobei die Breite der zentralen Kammer des herkömmlichen Systems durch die Breite des Transportweges ersetzt wird, der etwas breiter ist als der Durchmesser eines Wafers, so daß die Breite ”W” der Einrichtung minimiert wird. Die Verringerung der Einrichtungsbreite ”W” entspricht auch einer Verringerung der Einrichtungslänge. Das heißt, daß die Länge der zentralen Kammer durch die Länge der Ladeschleusenkammer43 ersetzt wird und daß auch die Form der Ladeschleusenkammer43 veränderbar ist, und zwar von einer Form, bei der eine Seite länger ist als der Waferdurchmesser, zu einer regelmäßigen rechteckigen Säulenform, so daß sich die Länge und die Breite der gesamten Einrichtung verringern. - Im Falle einer solchen Anordnung des Mehrkammersystems in einer Ebene wird daher der sich durch eine Vervielfachung der Breite und der Länge der Einrichtungen ergebende Platzbedarf im Vergleich zu einer herkömmlichen Gestaltung stark verringert. Eine Mehrkammeranordnung in mehreren Ebenen ist daher kompakter gestaltbar.
- Zusätzlich hierzu wird der Platzbedarf der Ladeschleusenkammer
43 minimiert. Das Volumen der Vakuumeinrichtungen oder der Zusatzvorrichtungen läßt sich verringern, so daß die Kosten für die Einrichtungen und die Installation minimiert werden. - Zusätzlich hierzu ermöglicht die Transporteinrichtung
52 eine schnelle Bewegung der Wafer, da diese durch einen Unterdruck gehalten werden, so daß kein zusätzlicher Vakuumgenerator erforderlich ist. - Im Unterschied zu einem System, bei dem die Wafer in der zentralen Kammer lediglich von dem Transportarm gehalten und ohne Abweichungen nur langsam bewegt werden, können die Wafer im vorliegenden Fall schneller transportiert werden.
- Wenn in den Prozeßkammern nur ein relativ schwaches Vakuum erforderlich ist, wie zum Beispiel bei einem base-oven-Verfahren, einem Veraschungs- oder Ablöseverfahren, einem Vor-/Nach-Ätzverfahren usw., ist zum Transportweg hin eine (nicht dargestellte) Schleuse zum selektiven Öffnen/Schließen ausgebildet, die als Durchlaß für die Wafer dient. In der Prozeßkammer
45 ist ein Vakuumgenerator zur Erzeugung eines Vakuums installiert. Die Prozeßkammer45 zur Durchführung eines Trockenätzverfahrens ist somit eine Hochvakuum-Prozeßkammer mit einem entsprechenden Hochvakuum zur Bildung eines Plasmas. - Zur Minimierung der Zeit oder des Energieverlustes bei der Bildung eines Hochvakuumzustandes in der Prozeßkammer nachdem in dieser Atmosphärendruck herrschte, ist eine Seite der Prozeßkammer
45 mit einer als Bereitstellungsraum für die Wafer dienende Ladeschleusenkammer43 mit einem schwachen Vakuum verbunden. Auf einer Seite der Ladeschleusenkammer43 ist zu den Transportweg hin ein Durchlaß oder eine Schleuse46 ,49 ausgebildet. - Wie in
6 zu erkennen ist, umfaßt die Ladeschleusenkammer43 einen Transportarm54 zur Entgegennahme von Wafern von der Transporteinrichtung52 und zum Transportieren dieser Wafer in die Prozeßkammer. Sie umfaßt zudem eine innere Transporteinrichtung44 zum Bewegen des Transportarmes54 und eine seitlich an dem Transportweg ausgebildete Schleuse46 ,49 , die als Durchlaß für die Wafer selektiv zu öffnen und zu schließen ist. An den Seiten der Prozeßkammer ist zudem jeweils eine Schleuse47 ,48 ,50 ,51 ausgebildet, die als Durchlaß für die Wafer selektiv zu öffnen und zu schließen ist. - Der Transportarm der Ladeschleusenkammer
43 und die innere Transporteinrichtung44 in der Kammer können in jeder der beiden Ladeschleusenkammern angebracht sein, so daß zwei Wafer gleichzeitig einzeln in die Prozeßkammern transportiert werden können. - Zusätzlich hierzu ist in der Ladeschleusenkammer
43 ein (nicht dargestellter) Vakuumgenerator zur Erzeugung eines schwaches Vakuums in der Ladeschleusenkammer vorhanden, um eine abrupte Verschlechterung des Vakuums in der Prozeßkammer zu verhindern, wenn die Wafer durch die Schleuse47 ,48 ,50 ,51 zwischen der Prozeßkammer45 mit ihrem Hochvakuum und der Ladeschleusenkammer43 transportiert werden. - Der Vakuumgenerator kann unterschiedlich geformt sein. Es handelt sich hierbei um eine herkömmliche Vakuumerzeugungsvorrichtung unter Verwendung einer Vakuumpumpe, wie sie bei Fachleuten auf diesem Gebiet bekannt ist.
- Wie in den
4 und5 zu erkennen ist, sind zusätzlich hierzu auf beiden Seiten jeweils zwei Prozeßkammern45 angeordnet, d. h. vor/nach der Ladeschleusenkammer43 , so daß sie eine gemeinsame Ladeschleusenkammer43 besitzen. Es können auch drei oder mehrere Prozeßkammern eine gemeinsame Ladeschleusenkammer besitzen. - Zusätzlich hierzu sind die Prozeßkammern durch Schleusen miteinander verbunden, so daß die einen bestimmten Prozeß oder Verfahrensschritt durchlaufenden Wafer direkt zu einer anderen Prozeßkammer transportiert werden. Die Wafer können somit von einer Prozeßkammer zur anderen transportiert werden.
- Die auf dem Transportweg installierte Transporteinrichtung umfaßt gemäß
6 die folgenden Bauteile: einen Transportarm53 zum selektiven Halten der Wafer, ein (nicht dargestellter) Transportroboter zum Einführen der Wafer in die Prozeßkammern und zum Entnehmen der Wafer aus den Prozeßkammern durch Bewegen des Transportarmes53 , ein (nicht dargestelltes) horizontales Antriebsteil zum horizontalen Bewegen des Transportroboters; ein (nicht dargestelltes) vertikales Antriebsteil zum Auf- und Abwegen des Transportroboters; und eine (nicht dargestellte) Steuerungseinrichtung zum Anlegen von Steuersignalen an den Transportroboter, das horizontale Antriebsteil und das vertikale Antriebsteil. - Der Transportarm
53 umfaßt hier eine (nicht dargestellte) Vakuumleitung zum selektiven Ansaugen von Wafern durch einen anliegenden Unterdruck. - Der in
6 dargestellte Transportarm53 kann so gestaltet sein, daß zu einem bestimmten Zeitpunkt ein Wafer transportiert wird. Er kann jedoch auch als Vierarmsystem gestaltet sein, bei dem vier Arme miteinander verbunden sind, um gleichzeitig vier Wafer einzeln zu den in zwei Ebenen angeordneten Ladeschleusenkammern transportieren zu können. - Wie bei Fachleuten auf diesem Gebiet bekannt ist, kann neben einem Vierarmsystem zum individuellen Transport von vier Wafern auch ein Zweiarmsystem zum Transport von zwei Wafern oder ein Dreiarmsystem zum Transport von drei Wafern, usw. verwendet werden.
- Bei dem (nicht dargestellten) horizontalen Antriebsteil, das sich mittels eines Motors oder eines Druckluftzylinders als Antriebsquelle entlang einer Schiene oder eines Führungsstabes zum Führen entlang des Bewegungsweges bewegt und bei dem (nicht dargestellten) vertikalen Antriebsteil, das sich entlang der Schiene oder des Führungsstabes zum Führen entlang des Bewegungsweges nach oben/unten bewegt, ist ein Transportarm und ein Transportroboter installiert. Hierbei handelt es sich ebenfalls um eine bekannte Technologie, wobei zahlreiche Veränderungen und Abänderungen möglich sind.
- Das oben beschriebene Mehrkammersystem zur Herstellung von Halbleiterbauelementen ist gemäß
6 so gestaltet, daß die Kassette41 mit mehreren darauf gestapelten Wafern auf dem Kassettentisch42 angebracht ist und daß das horizontale Antriebsteil und das vertikale Antriebsteil der Transporteinrichtung52 ansprechend auf ein Steuersignal der Steuerungseinrichtung betätigt werden, um den Transportroboter einen Zugang zu den Wafern in der Kassette41 zu ermöglichen. - Die Transporteinrichtung
52 besitzt einen ausreichenden Zugang zu den Wafern1 . Der Transportroboter empfängt ein Steuersignal von der Steuerungseinrichtung, wonach der Transportarm53 in Kontakt mit den Wafern gelangt. Der mit einer Vakuumleitung versehene Transportarm53 saugt die Wafer durch einen Unterdruck an und befestigt sie an einer Seite. - Wenn der an dem Transportarm
53 befestigte Wafer zu einer bestimmten Prozeßkammer45 der ersten Ebene bewegt wird, wird der Wafer1 zunächst durch das durch die Steuerungseinrichtung gesteuerte horizontale Antriebsteil zu der mit der bestimmten Kammer45 der ersten Ebene verbundenen Ladeschleusenkammer43 bewegt. - Zu diesem Zeitpunkt ist die in Richtung auf den Bewegungsweg hin ausgebildete Schleuse der Ladeschleusenkammer
43 offen und der Transportarm53 der Transporteinrichtung52 wird eingeführt. Wenn der an der Vakuumleitung anliegende Unterdruck abgeschaltet wird, wird der Wafer auf dem Transportarm54 innerhalb der Ladeschleusenkammer43 angebracht. - Der Transportarm
53 der Transporteinrichtung52 verläßt die Ladeschleusenkammer43 und die Schleuse46 wird geschlossen. Nun wird der Vakuumgenerator der Ladeschleusenkammer43 betätigt, um innerhalb der Ladeschleusenkammer43 ein schwaches Vakuum zu erzeugen. - Wenn in der Ladeschleusenkammer
43 ein bestimmtes Vakuum erreicht ist, wird die Schleuse46 der Ladeschleusenkammer43 zu der Prozeßkammer geöffnet und die auf dem Transportarm54 angebrachten Wafer werden durch die innere Transporteinrichtung44 in der Ladeschleusenkammer43 in die Prozeßkammer45 transportiert. - Aufgrund des schwachen Vakuums in der Ladeschleusenkammer
43 ist zu diesem Zeitpunkt eine Vakuumabsorption oder ein Ansaugen des Wafers nur schwer möglich. Der Platzbedarf der Ladeschleusenkammer43 ist jedoch nicht so groß wie bei einem herkömmlichen System, so daß der Transportarm zum Anbringen der Wafer nur wenig Zeit benötigt und nur kurz mit einer geringen Geschwindigkeit bewegt wird. - Wenn der Transportarm
54 die Prozeßkammer45 verlassen hat, wird die Schleuse46 geschlossen und der Vakuumgenerator in der Prozeßkammer45 wird betätigt, um in der Prozeßkammer45 ein Hochvakuum zu erzeugen. Nun wird das Ätzverfahren durchgeführt. - Wenn die Wafer zu einer bestimmten Prozeßkammer
45 in einer zweiten Ebene bewegt werden, wird das horizontale Antriebsteil und das vertikale Antriebsteil durch die Steuerungseinrichtung so gesteuert, daß die Wafer zu der mit der bestimmten Prozeßkammer45 verbundenen Ladeschleusenkammer43 transportiert werden. - Die Wafer werden nach oben bewegt und in die Ladeschleusenkammer
43 eingeführt, wobei sie durch einen Unterdruck an dem Transportarm53 des Transportroboters angesaugt werden. Die nächsten Schritte sind die gleichen wie bei der oben beschriebenen ersten Ebene. - Wenn die Wafer in mehrere Prozeßkammern
45 transportiert/eingeführt werden, wird in der entsprechenden Prozeßkammer ein entsprechendes Verfahren durchgeführt und die Wafer werden zum Abschluß des Verfahrens entnommen. Nun werden die Wafer ansprechend auf ein Steuersignal der Steuerungseinrichtung zu dem Kassettentisch42 oder zu einer bestimmten Prozeßkammer in einer bestimmten Ebene transportiert. - Wenn an der Transporteinrichtung
52 ein Vierarmsystem installiert ist, werden die auf der Kassette gestapelten Wafer durch die Transporteinrichtung52 zu viert transportiert und jeweils zu zweit in eine mit bestimmten Prozeßkammern verbundene Ladeschleusenkammer transportiert. Die innere Transporteinrichtung und der Transportarm sind als Zweiarmtransportsystem ausgebildet, so daß die Wafer einzeln in zwei Prozeßkammer transportiert werden. Nach der Verarbeitung werden ein oder zwei Wafer zu der Transporteinrichtung52 transportiert, um eine Nachverarbeitung durchzuführen. - Gemäß einem anderen Beispiel umfaßt ein Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen gemäß
7 die folgenden Bauteile: ein erster Kassettentisch60 zum Anbringen einer Kassette mit Wafern vor der Durchführung eines Prozesses oder Verfahrensschrittes, ein zweiter Kassettentisch70 zum Anbringen einer Kassette mit Wafern nach der Durchführung des Prozesses oder Verfahrensschrittes; mehrere auf beiden Seiten eines als Weg für die Wafer dienenden rechteckigen Transportweges in mehreren Ebenen parallel ausgerichtete Prozeßkammern45 zur Durchführung eines Verarbeitungsschrittes für die Wafer; eine auf dem Weg installierte Transporteinrichtung52 , die eine wechselseitige vertikale/horizontale Bewegung ermöglicht und einen Transportroboter zum Transport der auf dem ersten Kassettentisch60 angebrachten Wafer zu den mehreren Prozeßkammern45 und zum Transport der Wafer nach der Durchführung des Verarbeitungsschrittes zu dem zweiten Kassettentisch70 . - Gemäß einem anderen Beispiel ist das Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung so gestaltet, daß die die gesamte Verarbeitung des ersten Ausführungsbeispiels durchlaufenden Wafer auf dem zweiten Kassettentisch
70 gestapelt werden und daß das Mehrkammersystem einfach mit anderen Prozeßeinrichtungen20 verbunden wird, so wie dies in8 dargestellt ist. - Gemäß
8 werden die Wafer durch einen an der Vorderseite der Einrichtung installierten ersten Kassettentisch60 dem Mehrkammersystem zugeführt, wobei sie in mehreren Prozeßkammern45 mehrere Prozesse oder Verarbeitungsschritte durchlaufen und auf einem an der Rückseite der Einrichtung angeordneten zweiten Kassettentisch70 gestapelt werden. Nun werden die Wafer durch eine automatische Transporteinrichtung einer anderen Einrichtung20 dieser anderen Einrichtung20 zugeführt, wo sie verarbeitet werden. Sie werden seitlich in die andere Einrichtung20 eingeführt, werden durch die andere Einrichtung20 transportiert und auf den Kassettentisch der anderen Einrichtung20 an der rechten Seite des Mehrkammersystems gestapelt. - Die obige Beschreibung betrifft eine Vorrichtung, bei der das zweite Beispiel in einer Produktionslinie für Halbleiterbauelemente installiert ist, wobei zahlreiche Anwendungsmöglichkeiten und Änderungen möglich sind.
- Im Unterschied zu einem herkömmlichen System, bei dem sich alle Kassettentische an der Vorderseite der Einrichtung befinden, so daß ein zusätzlicher Kassettentransportwagen zum Transport der Kassetten zwischen den Einrichtungen erforderlich ist, entfällt bei der vorliegenden Erfindung die Notwendigkeit für eine zusätzliche Kassettentransporteinrichtung zum Transport der Kassetten zwischen den Einrichtungen, wie zum Beispiel eine Bedienungsperson oder ein automatischer Kassettenwagen, usw.
- Wenn, so wie dies in
9 dargestellt ist, das zweite Beispiel ausgebaut wird, d. h., daß die Anzahl an Prozeßkammern45 erhöht und der Transportweg verlängert wird, werden zusätzliche Prozeßkammern45 und Ladeschleusenkammern43 auf beiden Seiten des Transportweges ausgerichtet. - Bei einer Verlängerung des Transportweges kann eine erste Transporteinrichtung
62 und eine zweite Transporteinrichtung72 installiert werden, wobei ein Übernehmen/Übergeben von Wafern zwischen den Transporteinrichtungen möglich ist. - Im Unterschied zu einem herkömmlichen Mehrkammersystem kann die Anzahl an Prozeßkammern ohne Veränderungen der Einrichtungsbreite erhöht werden. Es gibt jedoch Begrenzungen bezüglich der Länge der Einrichtungen und der Einrichtungssteuerung, usw.
- Gemäß einem in
10 dargestellten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel umfaßt ein Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen die folgenden Bauteile: ein Kassettentisch42 zum Anbringen einer Kassette mit darauf gestapelten Wafern; mehrere an einer Seite eines Transportweges für Wafer in mehreren Ebenen ausgerichtete Prozeßkammern45 zur Durchführung von Prozessen oder Verfahrensschritten; und eine auf dem Transportweg angebrachte Transporteinrichtung52 zum Einführen der Wafer in die mehreren Prozeßkammern und zum Entnehmen der Wafer aus diesen Prozeßkammern durch eine vertikale/horizontale Bewegung. - Das heißt, daß die Prozeßkammern
45 lediglich an einer Seite des Transportweges ausgerichtet sind und daß jeweils eine Ladeschleusenkammer43 als Bereitstellungsraum für Wafer seitlich mit ihr verbunden ist. - Zusätzlich hierzu umfaßt die Ladeschleusenkammer
43 die folgenden Bauteile: ein Transportarm zum Transportieren der Wafer von der Transporteinrichtung52 zu einer Prozeßkammer; eine innere Transporteinrichtung zum Transportieren des Transportarmes; und eine an einer Seite des Transportweges und an einer Seite der Prozeßkammer angeordnete Schleuse, die als Durchlaß für die Wafer selektiv geöffnet/geschlossen wird. - Im Unterschied zu den ersten beiden Beispielen werden die Wafer durch die Transporteinrichtung
52 der erfindungsgemäßen Ausführungsform nach einer horizontalen Drehung um 90° in lediglich einer Richtung auf den Kassettentisch42 geladen, wobei die Wafer durch einen Unterdruck angesaugt werden. Das beruht darauf, daß die Prozeßkammern45 und die Ladeschleusenkammer43 nur entlang einer Seite ausgerichtet sind. - Vor der Durchführung eines Prozesses oder Verfahrensschrittes werden die Wafer, die auf der auf dem ersten Kassettentisch
60 angebrachten Kassette gestapelte sind, durch die Transporteinrichtung52 zu einer Prozeßkammer45 transportiert und nach der Durchführung des Prozesses oder Verfahrensschrittes von der Prozeßkammer zu dem zweiten Kassettentisch70 transportiert, der so angeordnet ist, daß die Wafer einfach zu dem nächsten Prozeß- oder Verfahrensschritt transportiert werden können. - Wie in
10 dargestellt ist, ist der zweite Kassettentisch70 somit an der gegenüberliegenden Seite der Prozeßkammer45 und der Ladeschleusenkammer43 seitlich an dem Transportweg angeordnet, so daß die Wafer nach Beendigung des einen Prozesses oder Verfahrensschrittes einfach zur Durchführung des nächsten Verfahrensschritts transportiert werden können. - Bei dem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel wird die Effektivität der Platzausnutzung dadurch erhöht, daß das erfindungsgemäße Mehrkammersystem nach der Installation unterschiedlicher Einrichtungen mit unterschiedlichen Formen und Größen auf dem verbliebenen Platz eines Reinraums installiert wird.
- Bei dem erfindungsgemäßen Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen werden somit mehrere Prozeßkammern in mehreren Ebenen parallel zueinander ausgerichtet, so daß sich der Platzbedarf, die Breite und das Volumen der Einrichtung stark verringern. Zudem lassen sich die Kosten für die Einrichtung und deren Installation durch Verringerung des Raumes für Vakuum minimieren. Zudem gestaltet sich die Verbindung mit einer anderen Prozeßeinrichtung recht einfach. Ferner ergibt sich eine bessere Effektivität der Raumausnutzung, wodurch sich die Transportgeschwindigkeit der Wafer erhöht.
Claims (3)
- Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, umfassend: – einen ersten Kassettentisch (
60 ) zum Anordnen einer Kassette mit hierin gestapelten Wafern vor der Durchführung eines Prozesses oder Verfahrensschrittes; – einen zweiten Kassettentisch (70 ) zum Anbringen einer Kassette für Wafer nach der Durchführung des Prozesses oder Verfahrensschrittes, – einen Transportweg, der eine rechteckige Gestalt aufweist; eine Mehrzahl an Ladeschleusenkammern (43 ), die an einer Längsseite des rechteckigen Transportweges angeordnet ist, wobei der zweite Kassettentisch (70 ) an der den Ladeschleusenkammern (43 ) gegenüberliegenden Seite des rechteckigen Transportweges angeordnet ist; – eine Mehrzahl von Prozesskammern (45 ), von denen jeweils zwei Prozesskammern (45 ) vor und nach einer jeweiligen Ladeschleusenkammer (43 ) angeordnet sind, sodass sie eine gemeinsame Ladeschleusenkammer (43 ) besitzen, wobei die Mehrzahl von Prozesskammern (45 ) zur Längsseite des rechteckigen Transportweges und parallel hierzu und in mehreren Ebenen ausgerichtet sind; – eine Transporteinrichtung (52 ), die im Transportweg angeordnet ist und die in der Lage ist, eine Bewegung entlang dem rechteckigen Transportweg auszuführen, um die Ladeschleusenkammern (43 ) mit dem auf dem ersten Kassettentisch (60 ) gestapelten Wafern zu beladen. - Mehrkammersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ladeschleusenkammern (
43 ) jeweils einen Transportarm zum Transportieren der Wafer von der Transporteinrichtung (52 ) zu einer Prozesskammer (45 ) umfassen. - Mehrkammersystem nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrzahl von Prozesskammern (
45 ) jeweils nur eine einzige Schleuse (47 , 48) aufweisen, um den Durchgang von Wafern von den Prozesskammern (45 ) zur Ladeschleusenkammer (43 ) zu ermöglichen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19901426A DE19901426B4 (de) | 1998-04-21 | 1999-01-18 | Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980014228A KR100265287B1 (ko) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | 반도체소자 제조용 식각설비의 멀티챔버 시스템 |
KR98-14228 | 1998-04-21 | ||
DE19901426A DE19901426B4 (de) | 1998-04-21 | 1999-01-18 | Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19964479B4 true DE19964479B4 (de) | 2011-03-31 |
Family
ID=19536537
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19964479A Expired - Lifetime DE19964479B4 (de) | 1998-04-21 | 1999-01-18 | Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
DE19901426A Expired - Lifetime DE19901426B4 (de) | 1998-04-21 | 1999-01-18 | Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19901426A Expired - Lifetime DE19901426B4 (de) | 1998-04-21 | 1999-01-18 | Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US6503365B1 (de) |
JP (3) | JPH11307614A (de) |
KR (1) | KR100265287B1 (de) |
DE (2) | DE19964479B4 (de) |
TW (1) | TW502284B (de) |
Families Citing this family (384)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 1999-01-18 DE DE19964479A patent/DE19964479B4/de not_active Expired - Lifetime
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- 1999-01-26 US US09/237,229 patent/US6503365B1/en not_active Expired - Lifetime
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- 2006-10-02 JP JP2006270706A patent/JP2007036284A/ja active Pending
-
2009
- 2009-03-16 JP JP2009062953A patent/JP5134575B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2009-04-17 US US12/425,426 patent/US20090203211A1/en not_active Abandoned
- 2009-07-30 US US12/512,106 patent/US7776226B2/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|---|---|---|
US5286296A (en) * | 1991-01-10 | 1994-02-15 | Sony Corporation | Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means |
Also Published As
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---|---|
DE19901426B4 (de) | 2008-04-03 |
JP5134575B2 (ja) | 2013-01-30 |
KR19990080759A (ko) | 1999-11-15 |
US7776226B2 (en) | 2010-08-17 |
JP2012186506A (ja) | 2012-09-27 |
US20050236092A1 (en) | 2005-10-27 |
US6930050B2 (en) | 2005-08-16 |
KR100265287B1 (ko) | 2000-10-02 |
JPH11307614A (ja) | 1999-11-05 |
JP2007036284A (ja) | 2007-02-08 |
US6503365B1 (en) | 2003-01-07 |
US20090203211A1 (en) | 2009-08-13 |
US20030073323A1 (en) | 2003-04-17 |
TW502284B (en) | 2002-09-11 |
JP2009147368A (ja) | 2009-07-02 |
JP5491579B2 (ja) | 2014-05-14 |
US20090291558A1 (en) | 2009-11-26 |
DE19901426A1 (de) | 1999-11-04 |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
Q172 | Divided out of (supplement): |
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|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
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Ipc: H01L 21/677 AFI20060121BHDE |
|
AC | Divided out of |
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|
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R071 | Expiry of right |