TWI462181B - 大面積薄膜之閃光燈退火結晶 - Google Patents

大面積薄膜之閃光燈退火結晶 Download PDF

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Description

大面積薄膜之閃光燈退火結晶
本文揭示之標的主體係大致上關於大面積薄膜之結晶，並且特別是關於利用閃光燈退火與圖案化技術的組合以製造薄膜元件。
薄矽膜之閃光燈退火(flash lamp annealing；FLA)可以用作為雷射結晶的低成本替代方式。這樣的膜可以例如用來製造不同的元件，包括薄膜電晶體(TFTs)。閃光燈脈衝持續期間可以短到10 μs或長達10 ms。
然而，FLA對於結晶薄膜中晶粒邊界的本質和位置提供受限的控制。此限制會造成產生不一致電晶體的問題。FLA也可能造成具有高體積缺陷的材料，其係由長橫向爆炸結晶所導致。因此，由FLA產生的材料可能具有比由其他方法(包括連續橫向結晶(Sequential Lateral Solidification；SLS)與準分子雷射退火(Excimer Laser Annealing；ELA))產生的材料更低的效能程度。但是，這樣的雷射源不僅售價昂貴，並且使用費用昂貴，大部分是導因自雷射管更換的需求。相反地，FLA能夠以低成本和高產能來提供一致的材料，並且可放大規模於大面積薄膜。
SLS與ELA結晶技術係皆受限於線束的長度。例如，對於大面積薄膜，例如長度大於1.3公尺且寬度大於1.5公尺的薄膜(諸如Gen-5(1.3m×1.5m)、Gen-6(1.5m×1.8m)或Gen-8(2.2m×2.5m))，SLS或ELA線束在大面積薄膜的整個寬度或長度上無法提供一致的束性質。因此，SLS或ELA掃瞄是執行在小區塊的膜面積中，其必須使面板移動於x和y兩者方向以成功地處理該膜。相較於掃瞄較小的膜，掃瞄於x和y兩者方向不僅增加了製程時間，並且其也產生了具有束邊緣之更低品質的膜與多個結晶掃瞄間之不一致性。
本發明係描述用於利用閃光燈退火(FLA)與圖案化技術之組合的方法及系統，以將玻璃基材或其他對於高溫具有低容忍度的基材上的大面積薄膜予以結晶。一些實施例使用一遮護層來遮蔽基材的一些區域免於暴露於閃光燈。在其他實施例中，可以使用近接式罩幕，以暴露出精確地匹配一或多個元件之尺寸的區域。在又其他實施例中，阻障物被蝕刻到膜內及甚至下方的層，以控制從一區域到下一區域的熱傳。在特定實施例中，膜在被輻射前被覆蓋以一圖案化蓋層。在未覆蓋區域中的膜被熔化，並且結晶橫向生長將開始於介於覆蓋與未覆蓋區域間的邊緣。在另一方式中，在覆蓋與未覆蓋區域間使用熔融物干涉的爆炸結晶(melt-mediated explosive crystallization)。
在一實施例中，一種以一脈衝式光源來輻射一大面積膜之方法包含：提供一大面積膜於一基材上；以一覆蓋材料來覆蓋該大面積膜之至少一部分，其中該覆蓋材料具有暴露出該膜之一或多個區塊的一或多個暴露區域；以及在條件下以一脈衝式光源來輻射該膜與該覆蓋材料，以至少部分地熔化該膜之一部分，其中輻射區域具有至少實質等於該膜之尺寸的尺寸，及輻射該膜係引起從該膜之暴露區塊與未暴露區塊間之界面開始的結晶。
在一或多個實施例中，該大面積膜具有大於1.3公尺之長度及大於1.5公尺之寬度，或大於1.5公尺之長度及大於1.8公尺之寬度。在一些實施例中，輻射區域之一尺寸大於約1.3公尺。
在一或多個實施例中，該覆蓋材料包含一蓋層。
在一或多個實施例中，該蓋層沉積在該膜上、是一膜、對於該脈衝式光源是可吸收、可反射、是金屬、與/或不透光中至少一者。
在一或多個實施例中，FLA輻射的能量密度係經選擇以在該膜中引發橫向生長與爆炸結晶之至少一者。
在一或多個實施例中，該脈衝式光源為一閃光燈。
在一或多個實施例中，該方法包括提供一吸收層於該膜與該基材之間，其中該吸收層係吸收該脈衝式光源的輻射，以及該吸收層可以是金屬。
在一或多個實施例中，該基材是玻璃。
在一或多個實施例中，該方法包括在覆蓋該膜之前移除該膜之一部分，與/或在經移除之該膜部分下方移除該基材之一部分。
在一或多個實施例中，該膜包含複數個單結晶島。
在一或多個實施例中，該覆蓋的步驟包含一近接式罩幕，其中該近接式罩幕位在一第一位置且僅覆蓋住該膜之一第一部分，與/或該近接式罩幕對於該脈衝式光源是不透光的。
在一或多個實施例中，該方法包括移動該近接式罩幕至一第二位置，該第二位置覆蓋住該膜之一第二部分。
在一或多個實施例中，該膜之該第二部分沒有與該膜之該第一部分重疊，或該第一區塊與該第二區塊部分地重疊。
在一或多個實施例中，移動該罩幕的步驟包含放置一第二罩幕，其在該膜上方具有不同之開口組態。
在一實施例中，一種使用一脈衝式光源來輻射一大面積膜之方法包含：提供一大面積膜於一基材上，其中該膜具有一第一尺寸與一第二尺寸；以一蓋層來覆蓋該膜，該蓋層具有一圖案，其中該圖案暴露該膜之一或多個區塊；在條件下以一脈衝式光源來輻射該膜，以至少部分地熔化該膜之一第一部分，同時保持該膜之一第二部分為固態，其中輻射區域具有至少實質等於該膜之尺寸的尺寸；以及再固化該膜之該第一部分以形成一結晶部分，藉此釋放熱以熔化該膜之一鄰近部分。
本發明係描述一種用以在大面積薄膜上施加FLA製程以獲得一有序微結構的大致方式，其中該大面積薄膜對於諸如主動矩陣液晶顯示器(AMLCDs)或主動矩陣有機發光二極體顯示器(AMOLEDs)之元件應用是有用的。如本文所討論的大面積薄膜係指長度大於1.3公尺且寬度大於1.5公尺的薄膜。例如，大面積薄膜可以是Gen 5.5(1.3m×1.5m或1.32m×1.5m)、Gen 6(1.5m×1.8m或1.5m×1.85m)、Gen 7(1.87m×2.2m或1.95m×2.25m)、Gen 8(2.16m×2.46m或2.2m×2.5m)、Gen 9(2.2m×2.6m或2.4m×2.8m)或Gen 10(2.6m×3.1m)的薄膜面板。薄膜的脈衝式結晶和微影基受控超橫向生長(controlled super-lateral growth；C-SLG)的一些技術係被解釋與利用。罩幕層、微影或其他圖案化技術用來產生圖案，例如圖案化蓋層、圖案化矽膜、圖案化下層、熱槽(heat sinks)、表面形態與厚度變化。這些層和結構用來局部地調整薄膜的熔化閥值。由下文可瞭解的是，此方法不被限制於矽薄膜結晶且可以被實施用於任何薄膜。對於下文討論的目的，除非特別指明，該些方法可以用於任何這樣的材料。由下文也可瞭解的是，可以使用其他脈衝式光源，只要其也提供一脈衝式發散光源或一脈衝式泛光以及混合相部分熔化製程之期望控制。除非特別指明，閃光燈退火或“FLA”也意圖包括用作為“閃光燈”之二極體雷射和其他發散脈衝式光源。
然而，相較於前述技術，在玻璃基材上使用FLA技術可能引入新挑戰。FLA脈衝的脈衝持續期間可以介於約10 μs至約10 ms之間或甚至更長。FLA脈衝期間的上限係顯著地大於一般使用之脈衝式雷射方式中的脈衝持續期間(其典型的脈衝持續期間是介於約~30 ns至約300 ns)。因此，FLA之熱擴散長度(SQRT(Dt))係顯著地較大。故，需要更高的脈衝能量來達到矽膜中期望的熔化程度。此過量的熱會導致在下方基材之更高的加熱程度，且因而造成玻璃基材(若使用的話)的熔化或扭曲。所以，對於玻璃或其他難耐高溫之基材上膜實施FLA是更有挑戰的。
閃光雷射退火係使用一閃光燈來產生寬波長範圍(例如400-800 nm)的白光。閃光燈是氣體填充的放電燈，其可產生非常短期間之強烈的非同調全光譜白光。閃光燈退火設備使用白光能量以用於表面輻射，其中光係利用諸如橢圓反射鏡將光能量引導到基材上來聚焦，如第1圖所示。第1圖為根據本發明一實施例之繪示一閃光燈反應器100的側視圖，該閃光燈反應器100具有一反射裝置110。閃光燈反應器可以包括一陣列的閃光燈120，該些閃光燈120位在一支撐件130上方，一標靶區域150位在該些閃光燈120與該支撐件130之間。反射裝置110可以設置在該些閃光燈上方，以將來自該些閃光燈之變化量的輻射160反射回標靶區域之面向側的不同部分。標靶區域可以適於接收一基材(晶圓)。
燈功率是由一系列的電容器和電感器(未示出)供應，該些電容器和電感器係允許微秒到毫秒等級之良好定義之閃光脈衝的形成。在典型的閃光燈中，可以獲得1-20 ms放電之高達3-5 J/cm2 或50-60 J/cm2 範圍的光能量密度。在示範性實施例中，光能量密度可以為約2-150 J/cm2 。閃光燈退火允許以介於數十微秒與數十毫秒間(例如10 μs-100 ms)之單一閃光來快速加熱固態表面。影響薄膜結晶品質之閃光燈的變數包括入射光的能量密度以及脈衝持續期間和光形狀(其導致特定的駐留時間，即熔化的持續期間)。
由於閃光燈輻射是一泛輻射製程，閃光燈能夠以單一脈衝來輻射大面積的基材表面。同時地處理基材(例如玻璃面板)上整個膜是可行的。因此，不需要使用掃瞄方式的多脈衝操作(如同用在雷射基再結晶者)來覆蓋大基材面積。
在用於處理大面積薄膜的一方式中，如第2A圖所示，在一薄膜210的頂部提供可反射、可吸收或其兩者的一圖案化蓋層200。蓋層200可以是具有複數個開口之一連續膜。蓋層210對於福射光可以是實質不透光的或可反射的。蓋層210可以是藉由例如使用微影技術的一近接式罩幕或一沉積層。薄膜之FLA處理中的微影技術係揭示在懸而未決之標題為“Lithographic Method of Making Uniform Crystalline Si-Films”的PCT申請案號PCT/US09/XXXX，其在此併入本文作為參考。若蓋層是可反射的，則其可由任何可反射材料(例如金屬材料，諸如鋁)構成。可期望設置一薄阻障層(例如SiO2 )在金屬蓋層與膜之間，以避免金屬擴散。
在一實施例中，使用一能量密度(其以足以熔化未覆蓋之膜，但不足以完全熔化覆蓋之膜部分)的一閃光燈220來輻射該膜210。在此實施例中，結晶結構之橫向生長230將開始於介於覆蓋與未覆蓋區域間的邊緣，並且沿著箭頭230擴增，以產生一結晶材料。大致上，Si結晶粒傾向於從或垂直於液態相與固態相矽之間界面而橫向地生長。因此，當膜210的某些區塊被輻射且熔化而膜210的其他區塊維持固態時，結晶生長從膜210的固態/液態界面沿著箭頭230開始，並且沿著膜210橫向地行進。此種結晶生長的形式稱為橫向生長。橫向結晶生長可以產生大的Si結晶粒，其可用於元件製造。因此，元件可以形成在薄膜210的橫向生長區域(即因橫向生長而形成結晶結構的結晶材料區域)中。
在又另一實施例中，系統可以具有一或多個下方吸收層，其可吸收來自閃光燈之較長的波長輻射，例如超過600 nm。這些吸收層可以設置在薄膜與基材之間或在基材下方。由於其優先吸收較長的波長輻射，吸收層將先升溫且將熱能從輻射傳送到膜以誘使熔化，而膜中其他區域係僅由較短的波長光來加熱且可能維持為固態。由於閃光燈提供了寬光譜光，此配置提供了最有效率之閃光燈輻射之全能量光譜的捕獲，並且也可允許對於Si可穿透之輻射的捕獲。這些吸收層可以由任何熱吸收材料構成，例如金屬基材(諸如鉬)。
在具有吸收層之實施例中，矽膜可以從膜的頂部來照射。閃光燈輻射係照射膜的頂部，並穿透膜厚度到吸收層。在一些情況中，大部分的光是由吸收層所吸收。此吸收會加熱吸收層，因此從底部提供熱給矽膜且因而熔化該薄膜。故，上述實施例提供了非經圖案化的光源來精確定義橫向生長區域的位置的方式。
在另一方式中，見第2C圖，使用類似組態的薄膜210與蓋層200。然而，閃光燈200的能量密度係經選擇而使得膜之覆蓋部分保持為非晶的，而膜之未覆蓋部分係至少部分地熔化。此情況引發了熔融物干涉的爆炸結晶250。隨著第一區塊熔化部分重整成結晶矽，當矽形成更熱力學穩定的結晶形式時，由來自矽之熱所消散的熱會產生一放熱區(exotherm)。當非晶材料在結晶材料存在下熔化，但液體的溫度仍低於結晶材料的熔點時，結晶材料將磊晶地生長。該放熱區足以熔化鄰近的非晶矽，其自身接著再結晶成結晶矽且釋放額外的能量。故，一放熱區會沿著箭頭250方向以波形式從最靠近非晶前部的區域擴增穿過材料，並且擴增到矽膜的整個非晶區塊。
大致上，爆炸結晶製程將持續，直到被淬冷或直到所有的非晶材料轉變成結晶材料。已知淬冷會在生長前部造成溫度的降低以及缺陷的形成，並且最後終止製程。淬冷時常是鄰近之導電材料與/或鄰近之基材的結果。
閃光燈退火條件係經選擇，從而使得爆炸結晶可以橫向地持續足夠穿過薄膜的距離。由爆炸結晶在結晶前部所產生的熱可造成：(1)在區域215中之非晶Si的進一步熔化；(2)散佈到區域225中之a-Si內的熱損失(其將可用於將a-Si朝向熔點加熱)；以及(3)散佈到基材內的熱損失。非晶Si之進一步熔化係驅動此製程之爆炸本質的源由，這是因為其需要比由爆炸結晶製程所產生之熱更少的熱。若到基材或a-Si區域225的熱吸收變得太大，則將無法獲得足以驅動a-Si之進一步熔化的熱，導致了此製程的淬冷。所以，預熱a-Si與/或預熱基材可以藉由減少散佈的熱損失來增加爆炸結晶距離。預熱機制包括使用一經預熱的基材(例如一熱板)與共輻射(其中一輻射是用於加熱且一第二輻射是用於預熱)。例如，閃光燈能量可以從而使得非晶區域實質上由束來加熱，但不會達到發生結晶的程度。沉積在非晶膜中的熱係允許爆炸結晶製程行進更長的距離。此外，用於橫向生長實施例中之吸收層也可以用於藉由加熱a-Si的區塊及延伸爆炸結晶生長長度來引起爆炸結晶。
相較於自熔融物的橫向生長(如第2A圖所示)，用於被引發之爆炸結晶的輻射可以具有較低的能量密度。這是因為橫向生長需要薄膜的完全熔化，而爆炸結晶僅需要最少量的部分熔化。相反地，對於爆炸結晶，在結晶製
程進行前僅必須引發一些熔化。所以，由於爆炸結晶能夠僅以矽之部分熔化來引發，爆炸結晶可以發生在比橫向生長結晶更低的溫度。因此，由於較低的溫度，爆炸結晶技術可以比較適於玻璃基材上的薄膜。
然而，在爆炸結晶實施例中，膜上之蓋層圖案可以不同於用在橫向生長的蓋層圖案。例如，當使用反射性蓋層來避免薄膜免於熔化時，蓋層的矩形區域應該覆蓋住期望橫向爆炸結晶之處的膜。但是，膜的其餘部分不需要整個被覆蓋住。理論上，僅具有一窄溝槽在蓋層中靠近欲發生爆炸結晶的區域處是足夠的。
上述方式也可以與矽島的圖案化結合。矽島的圖案化係揭示在西元2008年9月22日申請而標題為“Collections of Laterally Crystallized Semiconductor Islands for Use in Thin Film Transistors and Systems and Methods for Making Same”之懸而未決的PCT申請案號PCT/US08/077199中，其在此併入本文作為參考。矽島的圖案化可以用於藉由減少在長橫向生長材料中類似方位範圍(oriented domain)的長度(其可減少結晶粒內缺陷)來產生高品質TFTs。當結晶結構中的這些方位範圍其尺寸相當於或大於元件的尺寸時，並且當有可以共同存在之不同類型的類型範圍時(如同由SLS或甚至但單一脈衝製程所造成者)，其可能導致元件非均勻性。大致上，方位範圍可以因為橫向生長中閉塞(occlusion)來產生。第2B圖與第2D圖分別顯示在多個經剝除之圖案化結晶島240中的橫向生長230與爆炸結晶250，其中該些結晶島240被包含在一基材260內。對於非常長的橫向生長距離，甚至在單一脈衝中，方位範圍對於元件製造可能形成為太大。
在另一態樣中，本發明係關於增加FLA製程與膜上玻璃基材的相容性。在一些實施例中，如第3圖所示，一遮護層300(例如可反射或可吸收的層，或均可反射與可吸收的層)設置在膜310上，膜310位在一基材315上，並且遮護層300中蝕刻出多個開口320，其中該些開口320係相應於膜320中將製造TFT通道區域之區域。此方法可以以用於元件密度相當低的像素TFTs。結果是，基材315以及可經圖案化與/或由矽構成的薄膜310將顯著地避開束。小的加熱穴可能導致基材315的局部“過熱”，但最終的應力將是局部化的且因此對基材315造成較小的傷害。
此外，如第4圖所示，由於橫向方向的高熱擴散，將膜中良好定義之區域予以結晶，而不具有由遠離輻射區域之橫向結晶產生的明顯結晶化區域“塗抹(smearing)”，也可能是更富有挑戰的，其中該些輻射區包括一大結晶粒區域404與一位在輻射區域邊緣處的窄小結晶粒區域402。由於形成一延伸區400(其係經由爆炸結晶被結晶化)，結晶或非晶Si之間的切隔或過渡區係被“塗抹(smeared)”，如同前述由長熱擴散長度所引起者。又，一些塗抹也可能導因自輻射梯度(fluence gradient)，其因為光的不佳投射性質或甚至缺少這樣的光學時在亮區域與暗區域(其可能存在於輻射束的邊緣處)之間為非尖銳的過渡，如第4圖之束輪廓406所示。這導致了高程度的塗抹。簡而言之，寬的邊緣區域可能存在，其中會產生非均勻的微結構。這些區域將具有不同於周圍非晶區域的光學性質，並且將可能具有不同的熔化閥值，使得後續的處理更為困難。故，緊密間隔之膜的輻射以為了完全結晶化而具有最小的邊緣區域係不太可能。因此，期望完全之膜的輻射。
所以，在一些實施例中，例如第5A和5B圖所示，可以藉由在基材505上薄膜500的輻射區域的邊緣處提供橫向熱流的阻障物來減少不期望的橫向結晶。阻障物或膜的隔離可以藉由蝕刻薄膜500或藉由亦蝕刻下方的層(例如一緩衝層510)來提供，如第5A圖所示。薄膜的蝕刻可以減少第一區塊501、第二區塊502與第三區塊503之間的輻射熱傳。但是，一些熱可能傳送通過基材。因此，如第5B圖所示，基材505可以具有一或多個溝槽515。這些溝槽515可以進一步減少第一區塊501、第二區塊502與第三區塊503之間的熱流，藉此進一步限制不期望的橫向結晶。可以利用傳統的蝕刻技術或甚至雷射刻劃技術來形成這樣的溝槽515。
此實施例可以避免非尖銳的/被塗抹的結晶範圍，如第4圖所示。在其他實施例中，由於長的熱擴散長度，可以形成非均勻地結晶的寬邊緣，其可避免塊片化(tiling)。例如，一旦一區域經由爆炸結晶來結晶後，引發混合相固化的最佳能量(如在懸而未決之標題為“Flash Light Annealing for Thin Films”的PCT申請案號PCT/US09/XXX中所述)已經偏移，並且下一次輻射因此不會在該些爆炸結晶區域中導致MPS。第5圖顯示之製程係允許更尖銳定義的結晶區域，並且可以減輕這些問題。在一些實施例中，此方式可以與其他本文揭示的實施例(包括使用蓋層、下方之吸收膜、與/或近接式罩幕的實施例)結合。
在其他實施例中，如第6A和6B圖所示，第4圖顯示之邊緣區域的效應在後續製造的元件中可以藉由使用近接式罩幕600來減少。如第6A圖所示，一近接是罩幕600可以用來將薄膜605的區域620暴露於由閃光燈615產生的FLA輻射，其精確地匹配一或多個顯示器或其他元件的尺寸或其尺寸相當靠近這樣的顯示器或元件。一或多個輻射可以利用近接式罩幕來執行。近接式罩幕600應該由對於入射光是實質不透光的材料構成。示範性的罩幕材料包括但不限於金屬基材。隨後，如第6B圖所示，近接式罩幕可以移除或被第二近接式罩幕610取代，以輻射相應於一或多個顯示器或元件的其他區域625。此製程可以重複數次，直到位在面板上之所有元件的位置已被輻射。在典型的實施例中，兩次迭代係足夠。在一些實施例中，罩幕可以不同於前述的蓋層。閃光燈使用發散光，因此其自身不會增添會導致延伸橫向生長的重疊輻射。反而，整個膜(或其大區域)被輻射。近接式罩幕將膜分隔成數個區塊，以對於任何給定之脈衝限制基材的加熱。故，膜的表面被塊片化。然而，一些重疊輻射可以造成連續的微結構，但更可能的並不會如此，並且例如一些橫向生長可能發生在邊緣。在此狀況中，必須小心而不從該些邊緣區域來製造元件。使用對準技術，這是可行的。
在參閱本發明之敘述與實施例後，任何熟習此技藝之人士將可瞭解的是，在不脫離本發明的精神下，實施本發明時可以進行變化與等效取代。因此，本發明不意圖被前述實施例所限制住，並且僅由隨附申請專利範圍所限制住。此外，所討論實施例的特徵可以在本發明範圍內結合、重排等，以產生額外的實施例。
100．．．閃光燈反應器
110．．．反射裝置
120．．．閃光燈
130．．．支撐件
150．．．標靶區域
160．．．輻射
200．．．蓋層
210．．．薄膜
215．．．區域
220．．．閃光燈
225．．．區域
230．．．箭頭
240．．．結晶島
250．．．箭頭
260．．．基材
300．．．遮護層
310．．．膜
315．．．基材
320．．．開口
400．．．延伸區
402．．．區域
404．．．區域
406．．．束輪廓
500．．．薄膜
501．．．第一區塊
502．．．第二區塊
503．．．第三區塊
505．．．基材
510．．．緩衝層
515．．．溝槽
600．．．近接式罩幕
605．．．薄膜
610．．．第二近接式罩幕
615．．．閃光燈
620．．．區域
625．．．區域
第1圖為根據所揭示標的主體一些實施例之可使用之一閃光燈設備的示意圖。
第2A圖為根據所揭示標的主體一些實施例之利用FLA和圖案化蓋層用於橫向生長之一薄膜結晶系統實施的示意圖。
第2B圖為根據所揭示標的主體一些實施例之蓋膜中橫向生長的俯視圖。
第2C圖為根據所揭示標的主體一些實施例之利用FLA和圖案化蓋層用於爆炸結晶之一薄膜結晶系統實施的示意圖。
第2D圖為根據所揭示標的主體一些實施例之蓋膜中爆炸結晶的俯視圖。
第3圖為根據所揭示標的主體一些實施例之利用遮護層之一薄膜結晶系統實施的示意圖。
第4圖係繪示橫向熱擴散效應的實例。
第5A和5B圖為根據所揭示標的主體一些實施例之利用熱流隔離之一薄膜結晶系統實施的示意圖。
第6A圖為根據所揭示標的主體一些實施例之利用近接式罩幕之一薄膜結晶系統實施的示意圖。
第6B圖為根據所揭示標的主體一些實施例之利用近接式罩幕之一薄膜結晶系統實施的示意圖。
200．．．蓋層
210．．．薄膜
220．．．閃光燈
230．．．箭頭

Claims (24)

  1. 一種以一脈衝式光源來輻射一大面積膜之方法，包含以下步驟：提供一大面積膜於一基材上，其中該大面積膜具有一第一尺寸與一第二尺寸；以一覆蓋材料來覆蓋該膜之至少一部分，其中該覆蓋材料具有暴露出該膜之一或多個區塊的一或多個暴露區域；以及在條件下以一脈衝式光源來輻射該膜與該覆蓋材料，以至少部分地熔化該膜之一部分，其中輻射區域具有至少實質等於該膜之尺寸的尺寸，及輻射該膜係引起從該膜之暴露區塊與未暴露區塊間之界面開始的結晶。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該大面積膜具有大於1.3公尺之長度及大於1.5公尺之寬度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該大面積膜具有大於1.5公尺之長度及大於1.8公尺之寬度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中輻射區域之一尺寸大於1.3公尺。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該覆蓋材料包含一蓋層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該蓋層沉積在該膜上。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該蓋層包含一膜。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該蓋層對於該脈衝式光源是可吸收、可反射與不透光中至少一者。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該蓋層是金屬。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中FLA輻射的能量密度係經選擇以在該膜中引發橫向生長與爆炸結晶之至少一者。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該脈衝式光源為一閃光燈。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含提供一吸收層於該膜與該基材之間，其中該吸收層係吸收該脈衝式光源的輻射。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該吸收層是金屬。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基材是玻璃。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含在覆蓋該膜之前，移除該膜之一部分。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包含在經移除之該膜部分下方移除該基材之一部分。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該膜包含複數個單結晶島。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該覆蓋的步驟包含一近接式罩幕，其中該近接式罩幕位在一第一位置且僅覆蓋住該膜之一第一部分。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該近接式罩幕對於該脈衝式光源是不透光的。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之方法，更包含：移動該近接式罩幕至一第二位置，該第二位置覆 蓋住該膜之一第二部分。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該膜之該第二部分沒有與該膜之該第一部分重疊。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該第一部分與該第二部分部分地重疊。
  23. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中移動該罩幕的步驟包含放置一第二罩幕，其在該膜上方具有不同之開口組態。
  24. 一種使用一脈衝式光源來輻射一大面積膜之方法，包含以下步驟：提供一大面積膜於一基材上，其中該膜具有一第一尺寸與一第二尺寸；以一蓋層來覆蓋該膜，該蓋層具有一圖案，其中該圖案暴露該膜之一或多個區塊；在條件下以一脈衝式光源來輻射該膜，以至少部分地熔化該膜之一第一部分，同時保持該膜之一第二部分為固態，其中輻射區域具有至少實質等於該膜之尺寸的尺寸；以及再固化該膜之該第一部分以形成一結晶部分，藉此釋放熱以熔化該膜之一鄰近部分。
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