TWI424275B - 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 - Google Patents

曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI424275B
TWI424275B TW097135382A TW97135382A TWI424275B TW I424275 B TWI424275 B TW I424275B TW 097135382 A TW097135382 A TW 097135382A TW 97135382 A TW97135382 A TW 97135382A TW I424275 B TWI424275 B TW I424275B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
reference mark
light
exposure apparatus
light receiving
Prior art date
Application number
TW097135382A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200905418A (en
Inventor
Joeri Lof
Hans Butler
Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders
Aleksey Kolesnychenko
Erik Roelof Loopstra
Hendricus Johannes Maria Meijer
Roelof Aeiko Siebrand Ritsema
Schaik Frank Van
Timotheus Franciscus Sengers
Klaus Simon
Smit Joannes Theodoor De
Bob Streefkerk
Erik Theodorus Maria Bijlaart
Christiaan Alexander Hoogendam
Santen Helmar Van
De Kerkhof Marcus Adrianus Van
Mark Kroon
Boef Arie Jeffrey Den
Joost Jeroen Ottens
Johannes Catharinus Hubertus Mulkens
Alexander Straaijer
Jeroen Johannes Sophia Maria Mertens
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from EP03257068.1A external-priority patent/EP1429188B1/en
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW200905418A publication Critical patent/TW200905418A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI424275B publication Critical patent/TWI424275B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
本發明與一微影投影裝置有關，其包括：－一輻射系統，用於提供一輻射投影光束；－一支撐結構，用以支撐圖案化構件，該等圖案化構件係用於根據預期圖案來圖案化該投影光束；－一基板工作檯，用於固定一基板；－一投影系統，用於將該已圖案化的光束投影至該基板的一目標部份之上；以及－一液體供應系統，用以利用液體來至少部份填充介於該投影系統之最終元件與位於該基板工作檯上之物件間的空間。
此處所用術語「圖案化構件」應廣義解釋為可用以賦予進入輻射光束一已圖案化剖面的構件，該已圖案化剖面係對應於欲在該基板目標部份中所產生的圖案；本文中亦使用到術語「光閥」。一般而言，該圖案將會對應到欲在該目標部份處產生之一元件(諸如積體電路或其它元件)中的一特殊功能層(參見下文)。此等圖案化構件的範例包括：－光罩。光罩的概念在微影術中廣為人知，而且光罩的種類包括二元式、交替式相移、衰減式相移、以及各種混合的光罩類型。將此種光罩置放在該輻射光束中，將導致照射在該光罩上的輻射依據該光罩上的圖案作選擇性透射(於透射光罩的情況中)或反射(於反射光罩的情況中)。在
光罩的情況中，該支撐結構一般將會是一光罩工作檯，其可確保該光罩被固定於進入輻射光束中的預期位置處，並且可於必要時相對於該光束作移動。
－可程式面鏡陣列。此種元件的其中一種範例為一可矩陣定址表面，該表面具有一伸縮控制層及一反射表面。此種裝置的基本原理為(例如)該反射表面的已定址區域會將入射光反射為繞射光，而未定址區域則會將入射光反射為非繞射光。使用一適當的濾光片，可濾掉該反射的光束中未繞射的光線，而僅留下該繞射光線；依此方式，該光束便可根據該可矩陣定址表面的定址圖案來進行圖案化。可程式面鏡陣列的替代具體實施例係使用一由複數個小面鏡所組成的矩陣配置，藉由施加一適當的局部電場或運用壓電致動構件，便可讓各個面鏡相對於一軸產生傾斜。同樣地，該等面鏡為可矩陣定址式的，因此該等已定址面鏡會以不同方向將進入的輻射光束反射至未定址的面鏡；依此方式，該反射光束便可根據該等可矩陣定址面鏡的定址圖案來進行圖案化。可使用適當的電子構件來執行預期的矩陣定址。在上述的兩種情形下，該圖案化構件包括一個以上的可程式面鏡陣列。舉例來說，關於本文所述的面鏡陣列的更多資料可參閱美國專利案第5,296,891號及第5,523,193號及PCT專利申請案第WO 98/38597號及第WO 98/33096號，本文以引用的方式將其併入。在可程式面鏡陣列的情況中，舉例來說，該支撐結構可能係一框架或是工作檯，視需要可以係固定式或是移動式。
－可程式LCD陣列。此類構造的範例在美國專利案第5,229,872號中有提及，本文以引用的方式將其併入。如上所述，此情況中的支撐結構可具現為一框架或是工作檯，舉例來說，視需要可以係固定式或是移動式。
為簡化起見，本文的其餘部份在特定的地方將會專門探討涉及光罩及光罩工作檯的實例；不過，在這些實例中所討論的通用原理都應被視為適用於上述所提及之廣義的圖案化構件中。
舉例來說，微影投影裝置可運用於積體電路(IC)的製造上。於此情況中，該圖案化構件會產生一與該IC個別層相對應的電路圖案，而且此圖案會成像在已經塗佈一層輻射敏感材料(光阻)的基板(矽晶圓)上的目標部份(例如含有一個以上的晶粒)。一般而言，單一晶圓將會含有一由複數個相鄰目標部份所構成的整體網絡，該等相鄰目標部份可經由該投影系統逐個地進行連續照射。在目前的裝置中，藉由光罩工作檯上的光罩進行圖案化，可能會在兩種不同的機器之間產生差異。在其中一種微影投影裝置中，係藉由一次同時曝光該目標部份上所有的光罩圖案以照射每個目標部份，此類裝置通常稱為晶圓步進機。於一替代裝置中－通常稱為步進－掃描裝置－係藉由在既定參考方向中(「掃描」方向)以該投影光束漸進地掃描該光罩圖案以照射每個目標部份，同時以與此方向平行或是反向平行的方向同步掃描該基板工作檯；因為，一般來說，該投影系統具有一放大因數M(通常小於1)，因此該基板工作檯的掃描 速度V會是該光罩工作檯掃描速度的M倍。舉例來說，在美國專利案第6,046,792號中可以獲得更多關於本文所述之微影元件的資訊，本文以引用的方式將其併入。
在利用微影投影裝置的製程中，會在一基板上成像一圖案(舉例來說，於一光罩中)，該基板至少有一部份會被輻射敏感材料(光阻)覆蓋。在此成像步驟之前，該基板會經過各種處理程序，例如，前置處理、光阻塗佈以及軟烘烤。在曝光之後，該基板便會再經過其它的處理程序，例如後曝光烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤以及已成像特徵的測量與檢查。該系列程序可作為圖案化一元件(例如，IC)之個別層的基礎。接著，此一已圖案化層便會再接受各種處理程序，例如，蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學－機械研磨等，全部步驟都是為了對個別層進行拋光處理。如果需要數層的話，那麼便必須對每一新層重複進行整個程序，或是其變化程序。最後，將會在該基板(晶圓)上呈現一由複數個元件所組成的陣列。接著可利用類似切割(dicing)或是鋸切(sawing)的技術將這些元件彼此分離，然後將個別的元件安置在一與接針相連的載體之上。舉例來說，關於此等處理的進一步資訊可以從Peter van Zant所著之「Microchip Fabrication：A Practical Guide to Semiconductor Processing」第三版中獲得，其係由McGraw Hill Publishing Co.於1997年發行，ISBN 0－07－067250－4，本文以引用的方式將其併入。
為簡化起見，下文中將該投影系統稱為「透鏡」；不 過，此術語必須作廣義的解釋以涵蓋各種投影系統，例如，包含折射式光學系統、反射式光學系統以及反折射式系統。該輻射系統可能還包含根據任何設計類型來操作的組件，用以導引、整形或控制該輻射投影光束，而且此等組件於下文中亦可以統稱或單獨稱為「透鏡」。另外，該微影裝置可能係一種具有兩個上基板工作檯(及/或兩個以上光罩工作檯)的類型。在此等「多級」元件中，會同時使用該等額外的工作檯，或是在一個以上工作檯之上進行製備步驟，同時利用一個以上其它工作檯來進行曝光。舉例來說，在5,969,441及WO 98/40791中便提及雙級的微影裝置，本文以引用的方式將其併入。
已經有人提出將微影投影裝置中的基板浸泡在一折射率極高的液體(例如水)中，以便填充該投影透鏡之最終光學元件與該基板間的空間。此項觀點係希望能夠成像較小的特徵圖形，因為曝光輻射於液體中的波長會比在空氣中或在真空中還短(液體的該項效應亦可視為提高該系統的有效的NA)。
不過，將該基板或基板與基板工作檯沉入一液體盆中(舉例來說，參見US 4,509,852，本文以引用的方式將其全部併入)意謂著必須於掃描曝光期間加速大量的液體。如此便需要額外或功率更強的馬達，而且該液體中的擾動可能會造成不希望發生且無法預期的效應。
針對液體供應系統所提出的其中一種解決方式便係僅於該基板的局部區域上及該投影系統之最終元件與該基板 (該基板的表面積通常大於該投影系統之最終元件)之間提供液體。於WO 99/49504中便對此揭示一種配置方式，本文以引用的方式將其全部併入。如圖14與15所示，液體係由至少一個入口IN供應至該基板上，較佳的係沿著該基板相對於該最終元件之移動方向來供應，並且於通過該投影系統下方後，便會從至少一個出口OUT處被移除。也就是，當該基板於X方向中在該元件的下方被掃描時，液體便會從該元件的＋X側處供應，並且於－X側處流逝。圖15概略地顯示該配置，其中液體係透過入口IN供應，並且經由出口OUT(其係被連接至一低壓源)從該元件的另一側流逝。於圖14的圖式中，係沿著該基板相對於該最終元件之移動方向來供應該液體，不過並非一定為此種情況不可。位於該最終元件周圍的入口與出口可能會有各種配向與數量，其中一種範例如圖15所示，其中於該最終元件周圍之矩形圖案的每一邊上各有一個入口與出口，總共四組。
本發明的目的係提供一種具改良功能的浸泡式微影投影裝置。
根據本發明於開頭段落中所詳細說明之微影裝置便可達成此目的及其它目的，其特徵為會定位至少一感測器，讓已經穿過該浸泡液體的投影輻射光束來照射。依此方式，便不需要為考量經由不同媒介(可經由該媒介來成像該基板)被該等感測器所測得之各種參數，而採取任何複雜的措施來補償源自該等感測器的信號。不過，必須確保該等 感測器的設計可適用於被液體浸泡時的情況。能夠運用本發明的感測器包含對齊感測器，其可相對於該投影系統來對齊該基板工作檯；透射影像感測器；聚焦感測器；光點或劑量感測器；整合透鏡干涉計及掃描器以及對齊標記。於對齊感測器的情況中，該感測器的測量光柵的間距小於500 nm，其會改良該對齊感測器的解析度。
根據本發明的進一步觀點，提供一種元件製造方法，其包括下面步驟：－提供一至少部份被一層輻射敏感材料所覆蓋的基板；－利用一輻射系統提供一輻射投影光束；－利用圖案化構件於該投影光束的剖面中賦予一圖案；－將該已圖案化的輻射光束投影至該層輻射敏感材料的一目標部份之上；－提供一液體以便至少部份填充介於該基板工作檯上之物件與該投影步驟中所使用之投影系統之最終元件間的空間；其特徵為經由該浸泡液體將該輻射光束投影至一感測器之上。
雖然於製造IC時可特別參考本文中根據本發明之裝置的使用方式，但必須明白的係，此裝置具有許多其它可能的應用。舉例來說，可運用於製造整合光學系統、磁域記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示器面板、薄膜磁頭等。熟練的技術人員將會發現，在此等替代應用內文中所使用的任何術語「主光罩」、「晶圓」或「晶粒」都應該視為可分別由更通用的術語「光罩」、「基板」及「目標部份」來取 代。
於本案中，術語「輻射」及「光束」係用來涵蓋所有類型的電磁輻射，其包含紫外線輻射(例如波長為365、248、193、157或126 nm)在內
 具體實施例1
圖1為根據本發明一特定具體實施例的微影投影裝置的概略圖。該裝置包括：－一輻射系統Ex，IL，用以提供輻射投影光束PB(例如DUV輻射)，於此特殊情況中，該系統還包括一輻射源LA；－一第一物件工作檯(光罩工作檯)MT，其具有一光罩固定器，用以固定光罩MA(例如，主光罩)，並且會被連接到第一定位構件，用以精確地將該光罩放置在相對於符號PL的位置處；－一第二物件工作檯(基板工作檯)WT，其具有一基板固定器，用以固定基板W(例如已塗佈光阻的矽晶圓)，並且會被連接到第二定位構件，用以精確地將該基板放置在相對於符號PL的位置處；－一投影系統(「透鏡」)PL(例如一折射式系統)，用以將該光罩MA中被照射的部份成像於該基板W的目標部份C(例如包括一個以上的晶粒)之上。
如此處所繪，該裝置係透射型(即具有一透射光罩)。然而，一般而言，其亦可能係一反射型(例如具有一反射光 罩)。或者，該裝置可運用另一種圖案化構件，例如上述類型的可程式面鏡陣列。
該輻射源LA(如準分子雷射)會產生一輻射光束。此光束會直接或在穿過調整構件(諸如光束放大器Ex)之後被饋送至一照明系統(照明器)IL之中。該照明器IL可能包含調節構件AM，用以設定該光束中之強度分佈的外徑及/或內徑範圍(一般分別稱為σ－外及σ－內)。此外，其通常包括各種其它組件，例如積分器IN及聚光器CO。依此方式，射在該光罩MA上的光束PB便會於其剖面上具有預期的均勻度與強度分佈。
於圖1中應注意的是：該輻射源LA可能位於該微影投影裝置的外殼內(舉例來說，該光源LA係水銀燈泡時，便經常係這種情況)，但是亦可以與該微影投影裝置相隔一段距離，其所產生的輻射光束則會被導入至該裝置中(例如借助於適當的導向面鏡)，當光源LA係準分子雷射時則通常會是後面的情況。本發明及申請專利範圍涵蓋此兩種情況。
實質上，該光束PB會攔截被固定於一光罩工作檯MT之上的光罩MA。穿過該光罩MA之後，該光束PB便會穿過該透鏡PL，該透鏡會將該光束PB聚焦於該基板W的目標部份C之上。藉由該第二定位構件(以及干涉測量構件IF)，便可以精確地移動該基板工作檯WT，以便在該光束PB的路徑上定位不同的目標部份C。同樣地，該第一定位構件可用以將該光罩MA精確地放置在相對於該光束PB之路徑的 位置上，舉例來說，在以機器方式從光罩庫取出該光罩MA之後，或是在掃描期間。通常，該等物件工作檯MT、WT的移動可以藉由長衝程模組(粗略定位)以及短衝程模組(細微定位)來達成，圖1中並未清楚圖解。不過，在晶圓步進機的情況中(與步進－掃描裝置相反)，該光罩工作檯MT可能僅會被連接到短衝程致動器，或是可能係固定的。
上述裝置可用於兩種不同模式中：1.於步進模式中，基本上該光罩工作檯MT係保持不動，而整個光罩影像則會一次(也就是，單「閃光」)全部被投影至一目標部份C之上。接著該基板工作檯WT便會在x及/或y方向中移動，致使該光束PB可以照射不同的目標部份C；2.於掃描模式中，基本上具有相同的情境，但是卻不會於單「閃光」下曝光一既定的目標部份C。取而代之的係，該光罩工作檯MT可以在既定的方向中(所謂的「掃描方向」，例如y方向)以速度v移動，因此該投影光束PB會在光罩影像上掃描，同時，該基板工作檯WT會以速度V＝Mv在相同或是相反的方向上移動，其中M係該透鏡PL的放大倍率(通常，M＝1/4或1/5)。依此方式，便可曝光非常大的目標部份C，而不會損及解析度。
圖2為介於投影系統PL及基板W(其係位於基板級WT之上)之間的液體貯存器10。液體貯存器10中充滿折射率極高的液體11(例如水或水中的懸浮粒子)，其係透過入口/出口導管13來提供。該液體的效應可讓投影光束輻射於該液 體中的波長比在空氣中或真空中還短，允許解析出較小的特徵圖形。吾人熟知的係，一投影系統的解析上限尤其會取決於投影光束之波長及該系統之數值孔徑。該液體的存在亦可視為提高有效的數值孔徑。再者，數值孔徑固定時，該液體則可有效地提高景深。
較佳的係，貯存器10會於投影透鏡PL的影像場附近形成基板W的一無接觸式密封體，因而可侷限該液體，用以填補介於該基板主表面(其係面向投影系統PL)及該投影系統PL之最終光學元件間的空間。該貯存器係由一密封部件12所構成，該部件係位於該投影透鏡PL之最終元件的下方並且包圍該最終元件。因此，該液體供應系統僅會提供液體至該基板的局部區域上。密封部件12會構成該液體供應系統的一部份，用以利用液體來填補該投影系統之最終元件與該基板間的空間。此液體會被引入該投影透鏡下方及密封部件12內的空間中。密封部件12較佳的係會延伸至略高於該投影透鏡之底部元件的上方處，而且該液體會上升至該最終元件的上方，因而可提供一液體緩衝區。密封部件12具有一內周圍，於上端處，會與該投影系統之形狀或其最終元件之形狀非常一致，而且可能係圓形。於底部處，該內周圍會與該影像場的形狀非常一致，例如矩形，不過未必為此形狀。實質上，該密封部件於XY平面中相對於該投影系統係靜止的，不過，於Z方向中(於光軸的方向中)則可能會有少許的相對移動。於該密封部件及該基板表面之間會產生一密封體。此密封體較佳的係一無接觸式 密封體，而且可能係一氣體密封體。
液體11會被密封元件16侷限在貯存器10之中。如圖2所示，該密封元件係一無接觸式密封體，即一氣體密封體。該氣體密封體係由在壓力下透過入口15被提供至密封部件12及基板W間之間隙中的氣體(例如空氣或綜合空氣)所構成，而且該氣體會經由第一出口14被抽出。氣體入口15上的上壓力、第一出口14上的真空位準或下壓力、以及該間隙的幾何形狀會被配置成產生一向內流向該裝置之光軸的高速氣流，用以侷限液體11。就任何密封體而言，都可能會有部份液體從第一出口14處露出。
圖14與15亦描繪出一由(複數個)入口IN、(複數個)出口OUT、基板W以及投影透鏡PL的最終元件界定而成的液體貯存器。與圖2之液體供應系統相同的係，圖14與15中所示之液體供應系統(其包括(複數個)入口IN及(複數個)出口OUT)會供應液體至介於該投影系統之最終元件與該基板間之局部區域中的基板主表面上，並且於該基板邊緣處可能會有液體洩漏情形。
因此，如此處所使用般，對該等具體實施例而言，該液體供應系統可能包括圖2及圖14與15中所述的部份。
具體實施例2
第二具體實施例如圖3至5所示，除下文所述部份外，皆與第一具體實施例相同或雷同。
於圖3與4的具體實施例中，一邊緣液體供應系統會透過一埠口40供應液體至一貯存器30。視情況，於該貯存器30 中的液體會與液體供應系統中的浸泡液體相同。貯存器30係位於基板W上與該投影透鏡相反的一側上，並且靠近基板W的邊緣及邊緣密封部件17、117的邊緣。圖4中，邊緣密封部件17係由一與該基板工作檯WT分離的元件所組成；而圖3中，邊緣密封部件117則係由基板工作檯WT的集成部份所提供。從圖3中可清楚看見，基板W係由所謂的顆粒狀工作檯20支撐於該基板工作檯WT上。顆粒狀工作檯20包括複數個凸出部，其上可放置基板W。藉由一真空源將基板W吸附於基板工作檯WT的頂面上，便可將基板W固定於正確位置中。利用貯存器30，當成像基板W的邊緣時(也就是，當投影透鏡下方的液體供應系統中的液體流過該基板的邊緣時)，液體便無法從該液體供應系統漏出而進入邊緣密封部件17、117及基板W間的間隙中，因為該空間已經充滿了液體。
圖5中詳細地圖解圖4中用來將邊緣密封部件17相對於基板工作檯WT之其餘部份移動的機制170。依此方式來移動邊緣密封部件17的原因係能夠使其主表面與基板W的主表面變成實質共面。如此便可於基板W的邊緣部份上平滑地移動該液體供應系統，使得該液體供應系統的底部內周圍能夠被移至部份位於基板W的主表面上且部份位於邊緣密封部件17的主表面上。
可利用一水平感測器(未顯示)來偵測基板W的主表面與邊緣密封部件17的主表面間的相對高度。以該水平感測器的結果為基礎，便可發送控制信號給致動器171，用以調 整邊緣密封部件17的主表面的高度。亦可使用一閉路致動器來達成此目的。
致動器171係一旋轉馬達，其可轉動軸承176。軸承176會被連接至馬達171遠端處的圓盤。軸承176會連接在遠離該盤的中心處。該盤係位於楔形部172中的圓形凹窩中。可利用複數個球狀軸珠來減低介於該圓盤與楔形部172之凹窩中各側邊間摩擦。可利用複數個葉片彈簧177將馬達171固定在正確的位置。啟動該馬達之後，因為該盤中之軸承176的偏心位置的關係，該楔形部便會如圖示般地被左右傳動(也就是，在該楔形部的傾斜方向中)。利用該等彈簧177便可防止該馬達以與該楔形部172之移動方向相同的方向來移動。
當楔形部172如圖5所示般地左右移動時，其頂表面175(其為該楔形中相對於邊緣密封部件17之主表面呈現傾斜狀的表面)便會接觸到額外的楔形部件173(其係被固定在邊緣密封部件17的底部)的底部傾斜表面。可防止邊緣密封部件17於楔形部件172之移動方向中來移動，因此當楔形部件172左右移動時，邊緣密封部件17便會上下移動。邊緣密封部件17可能需要朝基板工作檯WT略施偏壓。
很明顯地，該額外的楔形部件173可能具有不同的形狀，舉例來說，垂直楔形172之移動方向的立桿。如果楔形部件172及該額外的楔形部件173間的摩擦係數大於該楔角的切線的話，那麼該致動器170便會產生自制動現象，也就是，無需施加任何作用力在該楔形部件172上，便可 將其固定在正確位置處。此結果相當有利，因為當未致動該致動器171時，該系統將會非常地穩定。機制170的精確度在數個μm的等級。
尤其是在邊緣密封部件117為基板工作檯WT之集成部件的情況中，可能必須提供一種機制來調整基板W的高度或是調整用於支撐基板W之部件的高度，致使邊緣密封部件17、117的主表面能夠與基板W的主表面實質共面。
具體實施例3
第三具體實施例如圖6與7所示，除下文所述部份外，皆與第一具體實施例相同或雷同。
此具體實施例會配合一邊緣密封部件117來作說明，該部件為基板工作檯WT的集成部份。不過，此具體實施例亦可應用至邊緣密封部件17，該部件可相對於基板工作檯WT來移動。
於如圖6a所示之此具體實施例的第一種形式中，會利用額外的邊緣密封部件500來橋接邊緣密封部件117與基板W之間的間隙。該額外的邊緣密封部件係附在邊緣密封部件117的尾部。該額外的邊緣密封部件500係以可移除的方式附著於基板W中與主表面相反的表面上。於此具體實施例中，該額外的邊緣密封部件500可能係一彈性的邊緣密封部件，其可被致動以接觸基板W的下表面。當取消致動該彈性的邊緣密封部件500時，該部件500便會因重力的關係而下滑遠離該基板。圖7及下文中將會說明達成此結果的方式。
該額外的邊緣密封部件500很可能無法防止所有源自液體供應系統的浸泡液體進入基板W下方的空間，因此，於此具體實施例的部份或所有形式中，便會於基板W下方靠近邊緣密封部件117邊緣及基板W邊緣處提供一被連接至一低壓源的埠口46。當然，該基板下方之區域的設計方式可能會與第三具體實施例的設計方式相同。
和基板W不同的係，基板工作檯上的感測器(例如透射影像感測器(TIS))可使用相同的系統。於感測器的情況中，當該等感測器不移動時，便可利用黏著劑將邊緣密封部件500永久附著至該感測器上。
再者，邊緣密封部件500可被配置成嚙合該物件的頂表面(最靠近投影系統的表面)，而非底表面。此外，該額外的邊緣密封部件500可被附著至邊緣密封部件117的頂表面或其附近，而非如圖6a所示般地被附著至邊緣密封部件117的下方。
圖6b中所示的係此具體實施例的第二種形式。圖中使用兩個額外的邊緣密封部件500a、500b。該些邊緣密封部件中的第一者500a和第一種形式中的邊緣密封部件相同。該些邊緣密封部件中的第二者500b則係附在基板工作檯20的後面(也就是位於基板W下方)並且使其自由端從其附著點處向外呈輻射狀延伸。第二額外邊緣密封部件500b會將第一額外邊緣密封部件500a鉗止在基板W的上面。可利用受壓縮的空氣來讓第二額外邊緣密封部件500b產生變形或使其移動。
圖6c中所示的係此具體實施例的第三種形式。第三種形式和第二種形式相同，不過卻係由第一額外邊緣密封部件500c將第二額外邊緣密封部件500d止在基板W的上面。舉例來說，如此便不需要第二種形式中的受壓縮氣體。
吾人將會發現，該具體實施例亦可運作在僅有第二額外邊緣密封部件500b、500d的情況，不論是否配合真空的情況。
現在將配合該具體實施例的第一種形式來說明讓該等額外邊緣密封部件500、500a、500b、500c、500d產生變形的各種方式。
從圖7可以看出，於一彈性的額外邊緣密封部件500(其較佳的係一輪狀環)的細長方向中會形成一條通道510，而且於該彈性的額外邊緣密封部件中面向投影系統的上表面及基板W的下方側中則會提供(複數個)不大醒目的埠口。將一真空源515連接至該導管510，便可使得該彈性的額外邊緣密封部件因吸附的關係而鄰接基板W。當中斷或關閉真空源515時，該彈性的額外邊緣密封部件500便會因重力及/或源自埠口46之壓力的關係而下滑，而呈現出圖7中虛線所示的位置。
於替代具體實施例中，可利用一機械前置負載來構成一彈性的額外邊緣密封部件500，致使於基板W被置放於顆粒狀工作檯20之上時，其便會接觸到該基板，而且該彈性的額外邊緣密封部件500會嚴重變形，致使於基板W上向上施加一作用力，從而產生一密封體。
於另一替代例中，一彈性的額外邊緣密封部件500會因埠口46中的受壓氣體所產生的上壓力而壓迫在基板W之上。
一彈性的額外邊緣密封部件500可由任何彈性的抗輻射及抗浸泡液體的無污染材料塑造而成，舉例來說，鋼、玻璃(例如Al2 O3 )、陶瓷材料(例如SiC)、矽、鐵弗龍、低膨脹玻璃(例如Zerodur(TM)或ULE(TM))、碳纖維環氧樹脂或石英，而且於玻璃的情況中，厚度通常係介於10至500 μm之間，較佳的係介於30至200 μm之間，甚至介於50至150 μm之間。利用由此材料所製成及具有該些尺寸之彈性的額外邊緣密封部件500，那麼必須被施加至導管510的標準壓力便約為0.1至0.6巴。
具體實施例4
第四具體實施例如圖8所示，除下文所述部份外，皆與第一具體實施例相同或雷同。
此具體實施例會配合一邊緣密封部件117來作說明，該部件為基板工作檯WT的集成部份。不過，此具體實施例亦可應用至邊緣密封部件17，該部件可相對於基板工作檯WT來移動。
於第四具體實施例中，介於邊緣密封部件117及基板W間的間隙會充滿一額外邊緣密封部件50。該額外邊緣密封部件係一彈性的額外邊緣密封部件50，其頂表面實質上係與基板W的主表面及邊緣密封部件117的主表面共面。彈性的額外邊緣密封部件50係由一致的材料所製成，因此， 藉由該彈性的額外邊緣密封部件50的偏斜作用便能夠容忍基板W的直徑及基板W的寬度中的細微變化。當位於投影透鏡下方之液體供應系統中的液體流過基板的邊緣時，該液體便無法漏出該基板W、彈性的額外邊緣密封部件50以及邊緣密封部件117之間的區域，因為該些元件的邊緣會彼此緊密地靠在一起。再者，因為實質上基板W的主表面及邊緣密封部件117的主表面係與該彈性的額外邊緣密封部件50的頂表面共面，所以當其流過基板W的邊緣時，該液體供應系統的運作情形並不會被攪亂，因此並不會於該液體供應系統中產生擾動作用力。
從圖8可以看出，該彈性的額外邊緣密封部件50會於邊緣部份處接觸到基板W中和基板W的主表面相反的表面。此接觸具有兩項功能。第一項功能係，介於該彈性的額外邊緣密封部件50與基板W間的流體密封體會獲得改良。第二項功能係，該彈性的額外邊緣密封部件50會於遠離顆粒狀工作檯20的方向中在基板W上施加一作用力。當藉由真空吸力將基板W固定在基板工作檯WT上時，該基板便可牢牢地固定在基板工作檯上。不過，當關閉或中斷該真空源時，該彈性的額外邊緣密封部件50於基板W上所產生的作用力則會將基板W推離基板工作檯WT，從而有助於載入及卸除基板W。
該彈性的額外邊緣密封部件50係由一抗輻射且抗浸泡液體的材料(例如PTFE)所製成。
具體實施例5
圖9所示的係本發明的第五具體實施例，除下文所述部份外，皆與第一具體實施例相同或雷同。
此具體實施例會配合一邊緣密封部件117來作說明，該部件為基板工作檯WT的集成部份。不過，此具體實施例亦可應用至邊緣密封部件17，該部件可相對於基板工作檯WT來移動。
從圖9可以看出，第五具體實施例包含一額外邊緣密封部件100，用來橋接邊緣密封部件117與基板W間的間隙。於此情況中，該額外邊緣密封部件100係一位於基板W之主表面上及邊緣密封部件117之主表面上的間隙密封部件，橫跨基板W與邊緣密封部件117間的間隙。因此，如果基板W係圓形的話，那麼間隙密封部件100也將會是圓形的(輪狀)。
於間隙密封部件100的下方側施加真空105(也就是，經由邊緣密封部件117之主表面上的真空埠口露出的真空源)，便可將其固定在正確位置處。因為基板W與邊緣密封部件117間的間隙會被間隙密封部件100覆蓋住，所以液體供應系統可流過基板W的邊緣而不會讓液體漏出。可利用基板操作器將間隙密封部件100置放於正確位置處或是將其移除，致使能夠使用標準基板及進行基板操作。或者，可利用適當的機制(例如基板操作機器人)將間隙密封部件100保持在投影系統PL處，並且將其置放於正確位置處或是將其移除。間隙密封部件100應該夠堅硬，以防止因該真空源而變形。間隙密封部件100的優點係厚度小於50 μm、較佳的係小於30或20甚至10 μm，以避免接觸到液體供應系統，而且越薄越好。
間隙密封部件100優點係配備複數個漸細狀邊緣110，其中間隙密封部件100的厚度會朝該等邊緣遞減。該間隙密封部件遞移至完整厚度的方式可確保液體供應系統於流過該間隙密封部件100頂端時減低其擾動情形。
可針對感測器(舉例來說，透射影像感測器)之類的其它物件使用相同的密封方式。於此情況中，當不需要移動該物件時，便可利用黏著劑將間隙密封部件100黏著在正確的位置(兩側)，該黏著劑並不會溶化於浸泡液體中。或者，該黏著劑可能係位於邊緣密封部件117、該物件以及間隙密封部件100的接合處。
再者，間隙密封部件100可能係位於該物件及邊緣密封部件117外懸部的下方。必要時，該物件的形狀亦可能具有一外懸部。
不論係位於該物件的上方或下方，間隙密封部件100之中皆可能具有一條通道，從接觸到邊緣密封構件117之表面中的其中一個開口處通往接觸到該物件之表面中的另一個開口處。藉由定位一個開口，使其與真空105產生流體交流，便可將間隙密封部件100牢牢地保持在正確位置處。
具體實施例6
現在將參考圖10來說明第六具體實施例。圖10中的解決方式可略過和基板W之成像邊緣部份相關聯的問題，並且 允許於和基板W相同的條件下利用投影透鏡PL來照明一透射影像感測器(TIS)220。
第六具體實施例會使用和第一具體實施例有關的液體供應系統。不過，其並未利用基板W將該投影透鏡下方之液體供應系統中的浸泡液體侷限於其下方側上，取而代之的係，該液體係受到該液體供應系統及基板W間之中間板210的限制。介於中間板210及TIS 220間的空間222以及介於中間板210及基板W間的空間215同樣充滿液體111。如圖所示般利用兩個不同的空間液體供應系統，透過個別的埠口230、240便可達成此目的；或者，利用相同的空間液體供應系統，透過埠口230、240亦可達成此目的。因此，介於基板W及中間板210間的空間215以及介於透射影像感測器220及中間板210間的空間222皆充滿液體，而且可於相同的條件下來照明基板W及透射影像感測器220。圖中有複數個部份200可為中間板210提供一支撐表面或複數個支撐表面，可利用複數個真空源將該中間板210固定於正確位置處。
中間板210的大小可以覆蓋所有的基板W以及透射影像感測器220。所以，即使於成像基板W的邊緣時或當該透射影像感測器位於投影透鏡PL的下方時，該液體供應系統亦不必越過任何的邊緣。透射影像感測器220及基板W的頂表面實質上係共面的。
中間板210係可移除的。舉例來說，可利用一基板操作機器人或其它適當的機制來將其置放於正確位置處或將其移 除。
上述所有的具體實施例皆可用來密封基板W之邊緣的周圍附近。基板工作檯WT上的其它物件(例如感測器，其包含感測器及/或利用投影光束穿過該液體來照明的標記，例如透射影像感測器；整合透鏡干涉計與掃描器(波前感測器)；以及光點感測板)亦可能必須以雷同的方式加以密封。此等物件可能還包含感測器及/或利用非投影輻射光束來照明的標記，例如水平及對齊感測器及/或標記。於此情況中，該液體供應系統可供應液體以覆蓋所有的物件。上面任一具體實施例皆可針對此用途來使用。於部份實例中，和基板W不同的係，當不需要從基板工作檯WT中移除該等感測器時，便不需要從基板工作檯WT中移除該物件。於此情況中，必要時，可修正上面的具體實施例(例如該等密封體可能不需要為可移除的形式)。
必要時，每項該等具體實施例皆可結合一個以上其它具體實施例。再者，必要時，每項該等具體實施例(以及任何適當的具體實施例組合)皆可僅應用於圖2及圖11與12的液體供應系統中，而不必有邊緣密封部件17、117。
邊緣密封部件117的形狀及感測器220的頂端最外側邊緣亦可改變。舉例來說，若提供一外懸的邊緣密封部件117或是讓感測器220的外側邊緣呈外懸狀，那麼便相當有利。或者，亦可使用感測器220的外側上方角落。
具體實施例7
圖11為第七具體實施例，除下文所述部份外，皆與第一 具體實施例相同。
於第七具體實施例中，基板工作檯WT上的物件係感測器220，例如透射影像感測器(TIS)。為防止浸泡液體滲到感測器220下方，於邊緣密封部件117及感測器220之間會置放一滴黏著劑700，該黏著劑不會溶化於浸泡液體中，亦不會與其產生反應。使用中，該黏著劑會被浸泡液體覆蓋住。
具體實施例8
現在參考圖12與13來說明第八具體實施例。第八具體實施例中，被密封至基板工作檯WT的感測器220。於圖12及13所示的兩種形式中，皆會利用一開放通道47及一腔室44於該間隙旁邊提供一真空46，用於帶走任何的浸泡液體，該浸泡液體原本應該會穿越邊緣密封部件117及基板220邊緣間的間隙。
圖12的形式中，真空46係位於物件220之外懸部下方的基板工作檯WT之中。通道47係位於基板工作檯WT之向內突出部中。視情況，可於基板工作檯WT及物件220之間的突出部的最內側邊緣處置放一滴黏著劑700。如果未提供任何黏著劑700的話，那麼，源自物件220下方的氣流便會幫助密封感測器220及基板工作檯WT間的間隙。
圖13的形式中，真空46、分隔室44、以及通道47皆係位於向內突出之邊緣密封部件117下方的物件220本身之中。同樣地，亦可於於通道47中呈輻射向外狀在物件220及基板工作檯WT之間提供一滴黏著劑。
高NA偵測感測器範例
根據本發明具體實施例之基板階的感測器包括一輻射接收元件(1102、1118(見圖19a))以及一輻射偵測元件(1108、1124、1140)，如圖16所示。曝光輻射會從投影系統PL之最終元件發出，穿過至少部份填充投影系統PL之最終元件與基板W間之空間的浸泡液體11。該些元件中每一者的細部組態和欲偵測之輻射的特性相依。位於基板階之感測器可能僅包括一光學單元，其適用於希望該光學單元直接接收該輻射的情況中。或者，位於基板階之感測器可能包括一發光層，用以結合一光學單元。於此配置中，該發光層會吸收第一波長處的輻射，並且於短暫過後重新輻射出第二(較長)波長。舉例來說，此配置可使用於該光學單元被設計成欲於第二波長處更有效率地工作的情況中。
輻射接收元件(1102、1118)(其可能係一層具有接針孔、光柵或可實現雷同功能之其它繞射元件)可能會被支撐於一石英感測器主體1120的頂端之上，也就是，被支撐於該主體中與該投影系統相同側之上。相反地，輻射偵測元件(1108、1124、1140)可能係被配置在該感測器主體1120內，或是被配置在該感測器主體1120中背向該投影系統之一側上所形成的凹區內。
於不同折射率之媒介間的邊界處，將會有一定比例的入射輻射被該感測器反射，並且可能會喪失。對光學平坦的表面來說，發生此情況的範圍會與該輻射的入射角度及所探討之媒介的折射率差異相依。對在「臨界角度」(慣例 上係從垂直入射處所測得)處或以上入射的輻射而言，可能會發生完全內部反射，造成欲送給該感測器後面之元件的信號嚴重地喪失。於輻射可能會具有較高之平均入射角的高NA系統中，此為一項特殊的問題。本發明提供各種配置，其可將空氣排出該等輻射接收元件(1102、1118)以及輻射偵測元件(1108、1124、1140)之間的區域，以防止出現高折射率媒介與空氣間的介面。
除了因部份及完全內部反射而導致喪失以外，吸收亦可能會嚴重地減低抵達該光學單元的輻射強度，因為可能會從光學特性不平滑的介面處發生散射。
圖16為根據先前技術的ILIAS感測器模組。此模組具有一剪像光柵結構1102作為輻射接收元件，其會受到一透射板1104的支撐，該剪像光柵結構1102可能係由玻璃或石英所製成。於一相機晶片1108(輻射偵測元件)之上係放置一量子轉換層1106，接著便會將其安裝於一基板1110之上。基板1110會透過複數個分隔體1112被連接至透射板1104，而且會有複數條焊接電線1114將該輻射偵測元件連接至外部的儀器。於量子轉換層1106及透射板1104之間會放置一空氣間隙。舉例來說，於針對157 nm輻射所設計之結構中，並無法容易地淨化該感測器內之空氣間隙，因此其將會含有非常多的氧氣與水，從而其便會吸收輻射。所以當信號穿過空氣的路徑長度較長時，該信號便會喪失，而且該效應對較大角度而言會變得較差。因此，該感測器的動態範圍規格便會變得比較嚴格。
圖17與18顯示的係根據本發明具體實施例之經改良的ILIAS感測器模組。圖17中，已藉由該改變透射板1104的形狀，使其直接適配至相機1108而移除該空氣間隙。當需要接取該等焊接電線1114以及狹長形狀時，此配置比較難以提供。從工程觀點來看，圖18中所示的替代配置比較容易實現。此處，會在透射板1104及量子轉換層1106之間插入一填充薄片1116，其材料和透射板1104相同或是具有雷同的光學特性。移除該空氣間隙可降低透射損失，並且放寬動態範圍規定(換言之，可改良有效的動態範圍)。兩種配置皆可改良折射率匹配情形並且減低在與該透射板1104之界接處的偽內部反射程度。
圖19a為根據先前技術之DUV透射影像感測器。圖19b為該處理元件的放大圖，以達更清楚的效果。可於藉由濺鍍法被沉積在一基板上的薄金屬層中利用電子束微影術及乾蝕刻技術來達成透射溝紋1118的圖案，於此情況中，該等透射溝紋係構成輻射接收元件。被投影至該等溝紋1118的任何DUV光都會被透射板1104(提可能係石英或熔凝矽土)透射出來並且擊中下方的發光材料1122或是「磷光體」。發光材料1122可能係由一摻有鹼土離子之結晶材料厚板所構成，例如摻飾的釔－鋁－石榴石(YAG：Ce)。發光材料1122的主要用途係將DUV輻射轉換成更容易偵測的可見光輻射，接著其便會被光二極體1124偵測到。未被磷光體1122吸收且轉換成可見光輻射的DUV輻射可能會在抵達光二極體1124之前便被濾除(例如被BG－39或UG濾光片26濾除)。
於上面的配置中，可能會有空氣存在於被安裝於感測器外殼1125中的複數個組件間的間隙之中，其會造成數個空氣/材料/空氣介面，中斷輻射的傳播。考量DUV輻射以及發光材料所產生之輻射的路徑，便可找出輻射可能會喪失的區域。第一個感興趣的區域係透射板1104的背側1128，DUV輻射於穿過該等溝紋1118及透射板1104之後便會抵達該處。此處，該表面已經機械構件(例如鑽孔機)構形，而且於該輻射之波長等級中必然相當地粗糙。所以，輻射可能會因散射的關係而喪失，其可能係返回透射板1104之中或是越過發光材料1122。其次，於此介面之後，該DUV光便會遇到光學平坦的空氣/YAG：Ce介面，由於折射率不匹配的關係可能會出現大量的反射現象，尤其是在高NA的系統中。再者，發光材料1122會於隨機方向中發出輻射。由於其非常高的折射率的關係，於YAG：Ce/空氣邊界處之完全內部反射的臨界角度約與法線形成33°的角度(於該YAG：Ce及該濾光片間之間隙中有空氣)，其意謂著入射至該邊界上的輻射大部份都會經由發光材料1122的側護避被該系統反射並且喪失。最後，發光中被導向該光二極體的部份必須克服該二極體表面上的空氣/石英介面，因為該表面粗糙度可能會再次造成已偵測信號喪失。
雖然本發明的特定具體實施例已如上述加以說明，不過，應明瞭本發明亦可以上述以外的其它方法來完成。明確地說，本發明亦可應用於其它類型的液體供應系統，尤其是局部化液體區域系統。如果使用密封部件溶液的話， 那麼所使用的可能係密封體而非密封氣體。本發明並不受本說明的限制。
10‧‧‧液體貯存器
11‧‧‧液體
12‧‧‧密封部件
13‧‧‧導管
14‧‧‧出口
15‧‧‧入口
16‧‧‧密封元件
17‧‧‧邊緣密封部件
20‧‧‧顆粒狀工作檯
30‧‧‧貯存器
40‧‧‧埠口
44‧‧‧腔室
46‧‧‧埠口
47‧‧‧通道
50‧‧‧邊緣密封部件
100‧‧‧邊緣密封部件
105‧‧‧真空
110‧‧‧漸細狀邊緣
111‧‧‧液體
117‧‧‧邊緣密封部件
170‧‧‧移動機制
171‧‧‧致動器
172‧‧‧楔形部
173‧‧‧楔形部件
174‧‧‧(未定義)
175‧‧‧頂表面
176‧‧‧軸承
177‧‧‧葉片彈簧
200‧‧‧支撐部份
210‧‧‧中間板
215‧‧‧空間
220‧‧‧透射影像感測器
222‧‧‧空間
224‧‧‧(未定義)
230‧‧‧埠口
240‧‧‧埠口
500‧‧‧邊緣密封部件
500a‧‧‧邊緣密封部件
500b‧‧‧邊緣密封部件
500c‧‧‧邊緣密封部件
500d‧‧‧邊緣密封部件
510‧‧‧通道
515‧‧‧真空源
700‧‧‧黏著劑
1102‧‧‧輻射接收元件
1104‧‧‧透射板
1106‧‧‧量子轉換層
1108‧‧‧輻射偵測元件
1110‧‧‧基板
1112‧‧‧分隔體
1114‧‧‧焊接電線
1116‧‧‧填充薄片
1118‧‧‧輻射接收元件
1120‧‧‧感測器主體
1122‧‧‧發光材料
1124‧‧‧輻射偵測元件
1125‧‧‧感測器外殼
1126‧‧‧(未定義)
1127‧‧‧(未定義)
1128‧‧‧透射板1104的背側
AM‧‧‧調整構件
CO‧‧‧聚光器
Ex‧‧‧光束放大器
IF‧‧‧干涉測量構件
IL‧‧‧照明器
IN‧‧‧積分器
IN‧‧‧入口
LA‧‧‧輻射源
M1‧‧‧光罩對齊標記
M2‧‧‧光罩對齊標記
MA‧‧‧光罩
MT‧‧‧光罩工作檯
OUT‧‧‧出口
P1‧‧‧基板對齊標記
P2‧‧‧基板對齊標記
PB‧‧‧輻射投影光束
PL‧‧‧透鏡
RF‧‧‧(未定義)
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板工作檯
上面已經利用範例，參考附圖，對本發明的具體實施例作說明，其中：圖1為根據本發明一具體實施例的一微影投影裝置；圖2為本發明第一具體實施例之液體貯存器；圖3為本發明之第二具體實施例；圖4為本發明第二具體實施例之替代形式；圖5為本發明第二具體實施例之細部圖式；圖6a為本發明第四具體實施例之第一種形式；圖6b為本發明之第四具體實施例之第二種形式；圖6c為本發明之第四具體實施例之第三種形式；圖7詳細地圖解本發明第四具體實施例之第一種形式的進一步觀點；圖8為本發明的第五具體實施例；圖9為本發明的第八具體實施例；圖10為本發明的第九具體實施例；圖11為本發明的第十一具體實施例；圖12為本發明的第十二具體實施例；圖13為本發明的第十三具體實施例；圖14為根據本發明一具體實施例之替代液體供應系統的示意圖；圖15為圖14之系統的平面圖； 圖16為根據先前技術的ILIAS感測器模組；圖17為根據本發明一具體實施例之具有一狹長形透射板的ILIAS感測器模組；圖18為根據本發明一具體實施例之具有一填充薄片的ILIAS感測器模組；以及圖19a及19b為根據先前技術之發光型DUV TIS。
在該等圖式中，對應的元件符號表示對應的部件。
20‧‧‧顆粒狀工作檯
30‧‧‧貯存器
40‧‧‧埠口
117‧‧‧邊緣密封部件
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板工作檯

Claims (15)

  1. 一種曝光裝置，其包括：一投影光學系統，用以將一光罩上之圖案投影至待曝光之一物體上；一參考標記，用於提供一參考以對齊該光罩與該物體；一第一流體，其具有等於1或更大的第一折射率，且該流體填充於該投影光學系統之至少一部分與該物體之間的空間以及於該投影光學系統之至少一部分與該參考標記之間的空間；一對齊機構，用以利用該投影光學系統與該第一流體來對齊該光罩與該物體，其中該對齊機構包括一光接收元件，用以接收經傳送通過(via)該參考標記之光線；一第二流體，其填充於該參考標記與該光接收元件之間的空間，且該第二流體具有等於1或更大之折射率。
  2. 如請求項1之曝光裝置，其進一步包括：一工作檯，用以固定該物體；及一透射板，其固定於該工作檯上，並且由一可透光之透明材料構成，其中該參考標記係提供於該透射板上。
  3. 如請求項2之曝光裝置，其中該對齊機構包括一光接收元件，其係提供於該透射板上形成該參考標記之表面的背面，該光接收元件接收經傳送通過該參考標記之光線，其中該曝光裝置進一步包括一第二流體，其具有等於 1或更大之折射率，該第二流體填充於該參考標記與該光接收元件之間的空間。
  4. 一種曝光裝置，其包括：一投影光學系統，用以將一光罩上之圖案投影至一物體上；一參考標記，用於提供一參考以對齊該光罩與該物體；一光接收元件，用以接收經傳送通過該參考標記之光線；及一流體，填充於該參考標記與該光接收元件之間的空間，且具有等於1或更大之折射率。
  5. 如請求項4之曝光裝置，其進一步包括：一工作檯，用以固定該物體；及一透射板，其固定於該工作檯上，並且由一可透光之透明材料構成，其中該參考標記係提供於該透射板上。
  6. 如請求項4之曝光裝置，其中該投影光學系統有一等於0.8或更大之數值孔徑。
  7. 一種曝光裝置，其包括：一投影光學系統，用以將一光罩上之圖案投影至一物體上；一參考標記，用於提供一參考以對齊該光罩與該物體；一抗反射構件，用以避免經傳送通過該參考標記之光線進行全反射，而未被一光接收元件所接收；及 一流體，填充於該參考標記與該光接收元件之間的空間，且具有等於1或更大之折射率。
  8. 如請求項7之曝光裝置，其中該光接收元件為一光強度感測器，用以偵測該光線之強度變化。
  9. 如請求項8之曝光裝置，其進一步包括一計算部分，用以基於該光強度感測器測得的光線強度，在該投影光學系統之一光學軸方向上計算一介於該光罩與該物體之間的位置關係。
  10. 如請求項8之曝光裝置，其進一步包括一計算部分，用以基於該光強度感測器測得的光線強度來計算該投影光學系統之一像差。
  11. 一種曝光裝置，其包括：一投影光學系統，用以將一光罩上之圖案投影至一物體上；一光接收元件，用以接收經傳送通過一參考標記之光線；及一調整器，配置於該參考標記與該光接收元件之間，用以調整該光線之一數值孔徑，其中該調整器具有一第一流體，該第一流體具有等於1或更大之折射率且填充於該參考標記與該光接收元件之間的空間。
  12. 如請求項11之曝光裝置，其中該曝光裝置係為一浸潤式曝光裝置，該浸潤式曝光裝置使該投影光學系統之至少一部分浸潤於一第二流體內，該第二流體具有等於1或更大之折射率。
  13. 一種曝光方法，其係用來將一光罩上的圖案曝光在一物體上，該曝光方法包括：利用一參考標記及數值孔徑為1或更大的光線來使該光罩與該物體相互對齊；利用一光接收元件接收經傳送通過該參考標記之光線；及以一具有等於1或更大之折射率之第一流體填充該參考標記與該光接收元件之間的空間。
  14. 如請求項13之曝光方法，其中該投影光學系統之至少一部分被一第二流體所填充，該第二流體之折射率等於1或更大。
  15. 一種元件製造方法，其包括以下步驟：使用如請求項1之曝光裝置來曝光一物體；及顯影被曝光之該物體。
TW097135382A 2003-06-09 2004-06-08 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 TWI424275B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP03253636 2003-06-09
EP03255395 2003-08-29
EP03257068.1A EP1429188B1 (en) 2002-11-12 2003-11-10 Lithographic projection apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200905418A TW200905418A (en) 2009-02-01
TWI424275B true TWI424275B (zh) 2014-01-21

Family

ID=34108333

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097135382A TWI424275B (zh) 2003-06-09 2004-06-08 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
TW093116432A TWI304159B (en) 2003-06-09 2004-06-08 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093116432A TWI304159B (en) 2003-06-09 2004-06-08 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Country Status (6)

Country Link
US (8) US7213963B2 (zh)
JP (7) JP4199699B2 (zh)
KR (1) KR100683263B1 (zh)
CN (2) CN102147574B (zh)
SG (2) SG152931A1 (zh)
TW (2) TWI424275B (zh)

Families Citing this family (139)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE10261775A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
TW201908879A (zh) 2003-02-26 2019-03-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
SG141425A1 (en) 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
KR101177330B1 (ko) 2003-04-10 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치
JP4315198B2 (ja) 2003-04-11 2009-08-19 株式会社ニコン 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法
US7213963B2 (en) * 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3401946A1 (en) 2003-06-13 2018-11-14 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101146962B1 (ko) 2003-06-19 2012-05-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
EP1639391A4 (en) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
EP2466382B1 (en) * 2003-07-08 2014-11-26 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP2264531B1 (en) 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2005006416A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1650787A4 (en) * 2003-07-25 2007-09-19 Nikon Corp INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP2264534B1 (en) 2003-07-28 2013-07-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101613384B1 (ko) * 2003-08-21 2016-04-18 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG145780A1 (en) 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
KR101748923B1 (ko) 2003-09-03 2017-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101421398B1 (ko) 2003-09-29 2014-07-18 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
KR101111364B1 (ko) 2003-10-08 2012-02-27 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법
KR20060126949A (ko) 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
EP3392713A1 (en) * 2003-10-31 2018-10-24 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method
JP4513534B2 (ja) * 2003-12-03 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
TWI470371B (zh) 2003-12-03 2015-01-21 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, an element manufacturing method, and an optical component
CN1890779B (zh) * 2003-12-03 2011-06-08 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法和器件制造方法
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
KR101499405B1 (ko) 2003-12-15 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2005076321A1 (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4018647B2 (ja) * 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI402893B (zh) 2004-03-25 2013-07-21 尼康股份有限公司 曝光方法
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
JP4826146B2 (ja) * 2004-06-09 2011-11-30 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法
KR20160137690A (ko) 2004-06-09 2016-11-30 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 발액 플레이트
US8508713B2 (en) * 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR20180072867A (ko) * 2004-06-10 2018-06-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US8717533B2 (en) * 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8373843B2 (en) * 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7517639B2 (en) * 2004-06-23 2009-04-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Seal ring arrangements for immersion lithography systems
US7501226B2 (en) * 2004-06-23 2009-03-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Immersion lithography system with wafer sealing mechanisms
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
ATE441937T1 (de) 2004-07-12 2009-09-15 Nikon Corp Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren
EP3258318B1 (en) 2004-08-03 2019-02-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4752375B2 (ja) * 2004-08-03 2011-08-17 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
EP1801853A4 (en) 2004-08-18 2008-06-04 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8102512B2 (en) 2004-09-17 2012-01-24 Nikon Corporation Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI654661B (zh) * 2004-11-18 2019-03-21 日商尼康股份有限公司 位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件製造方法
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006173527A (ja) * 2004-12-20 2006-06-29 Sony Corp 露光装置
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006202825A (ja) * 2005-01-18 2006-08-03 Jsr Corp 液浸型露光装置
EP2506289A3 (en) 2005-01-31 2013-05-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7268357B2 (en) * 2005-05-16 2007-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and method
JP2006339448A (ja) 2005-06-02 2006-12-14 Canon Inc 受光ユニットを有する露光装置
JP4708876B2 (ja) * 2005-06-21 2011-06-22 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US8054445B2 (en) * 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4883467B2 (ja) * 2005-09-08 2012-02-22 株式会社ニコン 光量計測装置、露光装置、およびデバイスの製造方法
FR2890742B1 (fr) * 2005-09-12 2007-11-30 Production Et De Rech S Appliq Equipement et procede de surveillance d'un dispositif lithographique a immersion.
JP3997245B2 (ja) * 2005-10-04 2007-10-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3997244B2 (ja) * 2005-10-04 2007-10-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4125315B2 (ja) * 2005-10-11 2008-07-30 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7564536B2 (en) * 2005-11-08 2009-07-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JPWO2007055237A1 (ja) * 2005-11-09 2009-04-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7633073B2 (en) * 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7787101B2 (en) * 2006-02-16 2010-08-31 International Business Machines Corporation Apparatus and method for reducing contamination in immersion lithography
US8027019B2 (en) * 2006-03-28 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007266504A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Canon Inc 露光装置
US7388652B2 (en) * 2006-06-15 2008-06-17 Asml Netherlands B.V. Wave front sensor with grey filter and lithographic apparatus comprising same
US7804582B2 (en) * 2006-07-28 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of calibrating a lithographic apparatus and device manufacturing method
US8253922B2 (en) 2006-11-03 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US8208116B2 (en) * 2006-11-03 2012-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
JP2008147577A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8514365B2 (en) * 2007-06-01 2013-08-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20090002656A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Asml Netherlands B.V. Device and method for transmission image detection, lithographic apparatus and mask for use in a lithographic apparatus
JP4961299B2 (ja) * 2007-08-08 2012-06-27 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
US8681308B2 (en) * 2007-09-13 2014-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4533416B2 (ja) * 2007-09-25 2010-09-01 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
US8629970B2 (en) * 2008-01-23 2014-01-14 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus with immersion fluid re-circulating system
WO2009115979A1 (en) * 2008-03-16 2009-09-24 Nxp B.V. Methods, circuits, systems and arrangements for undriven or driven pins
NL1036898A1 (nl) * 2008-05-21 2009-11-24 Asml Netherlands Bv Substrate table, sensor and method.
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置の動作方法
NL2003575A (en) * 2008-10-29 2010-05-03 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
PL2364228T3 (pl) 2008-11-11 2021-12-27 Wila B.V. Urządzenie do zaciskania narzędzia
JP5199982B2 (ja) 2008-12-08 2013-05-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
NL2004322A (en) * 2009-04-13 2010-10-14 Asml Netherlands Bv Cooling device, cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a cooling arrangement.
NL2004242A (en) 2009-04-13 2010-10-14 Asml Netherlands Bv Detector module, cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a detector module.
NL2004807A (en) 2009-06-30 2011-01-04 Asml Netherlands Bv Substrate table for a lithographic apparatus, litographic apparatus, method of using a substrate table and device manufacturing method.
NL2005528A (en) * 2009-12-02 2011-06-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
TWI582894B (zh) * 2010-02-19 2017-05-11 瑪波微影Ｉｐ公司 基板支撐結構、夾持準備單元、以及微影系統
NL2006244A (en) 2010-03-16 2011-09-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, cover for use in a lithographic apparatus and method for designing a cover for use in a lithographic apparatus.
NL2006203A (en) * 2010-03-16 2011-09-19 Asml Netherlands Bv Cover for a substrate table, substrate table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
JP5313293B2 (ja) * 2010-05-19 2013-10-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、リソグラフィ装置で使用する流体ハンドリング構造およびデバイス製造方法
NL2007802A (en) 2010-12-21 2012-06-25 Asml Netherlands Bv A substrate table, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2008980A (en) 2011-07-11 2013-01-14 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2008979A (en) 2011-07-11 2013-01-14 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
CN102914946B (zh) * 2011-08-04 2016-04-20 上海微电子装备有限公司 一种光刻装置能量传感器
JP5778093B2 (ja) 2011-08-10 2015-09-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板テーブルアセンブリ、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
CN104541206B (zh) 2012-05-29 2016-12-21 Asml荷兰有限公司 物体保持器和光刻设备
EP2856262B1 (en) 2012-05-29 2019-09-25 ASML Netherlands B.V. Support apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2011568A (en) * 2012-10-31 2014-05-06 Asml Netherlands Bv Sensor and lithographic apparatus.
CN103176368B (zh) * 2013-03-06 2014-12-10 浙江大学 用于浸没式光刻机的气密封和气液减振回收装置
JP6336124B2 (ja) * 2014-05-07 2018-06-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置用のダイヤモンドベースの監視装置、およびダイヤモンドベースの監視装置を備えるリソグラフィ装置
WO2015188988A1 (en) 2014-06-10 2015-12-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of manufacturing a lithographic apparatus
US10095129B2 (en) 2014-07-04 2018-10-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus
JP6420895B2 (ja) 2014-08-06 2018-11-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び物体位置決めシステム
NL2016469A (en) 2015-04-29 2016-11-07 Asml Netherlands Bv A Support Apparatus, a Lithographic Apparatus and a Device Manufacturing Method.
NL2017014A (en) 2015-06-23 2016-12-29 Asml Netherlands Bv A Support Apparatus, a Lithographic Apparatus and a Device Manufacturing Method
US10317804B2 (en) 2015-12-08 2019-06-11 Asml Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and method of operating a lithographic apparatus
CN111474826A (zh) 2015-12-15 2020-07-31 Asml荷兰有限公司 衬底保持器、光刻设备及制造器件的方法
KR102542369B1 (ko) 2017-10-12 2023-06-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치에 사용하기 위한 기판 홀더

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4540277A (en) * 1982-07-09 1985-09-10 Perkin-Elmer Censor Anstalt Device for the projection printing of masks into a workpiece
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
EP1067536A2 (en) * 1999-07-07 2001-01-10 Sony Corporation Exposure apparatus and method, optical disc drive, and recording and/or reproducing method

Family Cites Families (322)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE224448C (zh)
DE221563C (zh)
DE206607C (zh)
DE242880C (zh)
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
US3903413A (en) 1973-12-06 1975-09-02 Polaroid Corp Glass-filled polymeric filter element
US4280054A (en) 1979-04-30 1981-07-21 Varian Associates, Inc. X-Y Work table
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
JPS5645021A (en) 1979-09-19 1981-04-24 Hitachi Ltd Moving apparatus
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS596274A (ja) 1982-07-05 1984-01-13 Seiko Epson Corp 液晶組成物
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) * 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
GB8427357D0 (en) 1984-10-30 1984-12-05 Davy Mckee Stockton Assembly of blast furnace shell
US4887904A (en) 1985-08-23 1989-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Device for positioning a semi-conductor wafer
US4853880A (en) 1985-08-23 1989-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Device for positioning a semi-conductor wafer
JPH0247515Y2 (zh) 1985-08-28 1990-12-13
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS6265326U (zh) 1985-10-16 1987-04-23
US5162642A (en) 1985-11-18 1992-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Device for detecting the position of a surface
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62121417U (zh) 1986-01-24 1987-08-01
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63157419U (zh) 1987-03-31 1988-10-14
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JPH0228312A (ja) * 1988-07-18 1990-01-30 Nikon Corp 露光装置
JPH0247515A (ja) 1988-08-09 1990-02-16 Mitsubishi Electric Corp 光学式エンコーダ
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JP2938568B2 (ja) 1990-05-02 1999-08-23 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照明装置
JP2559076B2 (ja) 1990-06-28 1996-11-27 キヤノン株式会社 プリアライメント装置
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
US5243195A (en) 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
JP3218478B2 (ja) * 1992-09-04 2001-10-15 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
US6078380A (en) 1991-10-08 2000-06-20 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
JPH05251544A (ja) 1992-03-05 1993-09-28 Fujitsu Ltd 搬送装置
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
US5654553A (en) * 1993-06-10 1997-08-05 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an alignment sensor for aligning a mask image with a substrate
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5517344A (en) 1994-05-20 1996-05-14 Prime View Hk Limited System for protection of drive circuits formed on a substrate of a liquid crystal display
US5633968A (en) 1994-07-18 1997-05-27 Sheem; Sang K. Face-lock interconnection means for optical fibers and other optical components and manufacturing methods of the same
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JP3387075B2 (ja) 1994-12-12 2003-03-17 株式会社ニコン 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP3287761B2 (ja) 1995-06-19 2002-06-04 日本電信電話株式会社 真空吸着装置および加工装置
US5883704A (en) 1995-08-07 1999-03-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system
JPH09184787A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Olympus Optical Co Ltd 光学レンズ用解析評価装置
EP0824722B1 (en) 1996-03-06 2001-07-25 Asm Lithography B.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
KR970067585A (ko) 1996-03-25 1997-10-13 오노 시게오 결상특성의 측정방법 및 투영노광방법
JPH09283407A (ja) 1996-04-12 1997-10-31 Nikon Corp 露光装置
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
US6104687A (en) 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
JPH1092728A (ja) 1996-09-11 1998-04-10 Canon Inc 基板保持装置およびこれを用いた露光装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JPH10135316A (ja) 1996-10-28 1998-05-22 Sony Corp 薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置
JPH10160582A (ja) 1996-12-02 1998-06-19 Nikon Corp 透過波面測定用干渉計
WO1998028665A1 (en) 1996-12-24 1998-07-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
EP0956516B1 (en) 1997-01-29 2002-04-10 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
USRE40043E1 (en) 1997-03-10 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Positioning device having two object holders
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JP3495891B2 (ja) * 1997-10-22 2004-02-09 株式会社湯山製作所 薬剤分割包装装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
EP1039511A4 (en) 1997-12-12 2005-03-02 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS
WO1999039375A1 (fr) 1998-01-29 1999-08-05 Nikon Corporation Luxmetre et systeme d'exposition
JPH11239758A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JPH11297615A (ja) 1998-04-09 1999-10-29 Nikon Corp 投影露光装置および該装置を用いた半導体デバイスの製造方法
US6031946A (en) 1998-04-16 2000-02-29 Lucent Technologies Inc. Moving mirror switch
US5997963A (en) 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
AU3849199A (en) 1998-05-19 1999-12-06 Nikon Corporation Aberration measuring instrument and measuring method, projection exposure apparatus provided with the instrument and device-manufacturing method using the measuring method, and exposure method
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000097616A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 干渉計
US6333775B1 (en) 1999-01-13 2001-12-25 Euv Llc Extreme-UV lithography vacuum chamber zone seal
JP3796369B2 (ja) 1999-03-24 2006-07-12 キヤノン株式会社 干渉計を搭載した投影露光装置
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
TW552480B (en) 1999-04-19 2003-09-11 Asml Netherlands Bv Moveable support in a vacuum chamber and its application in lithographic projection apparatus
US6809802B1 (en) 1999-08-19 2004-10-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
JP3548464B2 (ja) 1999-09-01 2004-07-28 キヤノン株式会社 露光方法及び走査型露光装置
AU5653699A (en) 1999-09-20 2001-04-24 Nikon Corporation Parallel link mechanism, exposure system and method of manufacturing the same, and method of manufacturing devices
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
KR100773165B1 (ko) 1999-12-24 2007-11-02 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 반도체기판처리장치 및 처리방법
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
TWI256484B (en) 2000-02-23 2006-07-01 Asml Netherlands Bv Method of measuring aberration in an optical imaging system
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
JP2001281050A (ja) 2000-03-30 2001-10-10 Canon Inc 光検出装置、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
EP1279070B1 (en) 2000-05-03 2007-10-03 ASML Holding N.V. Apparatus for providing a purged optical path in a projection photolithography system and a corresponding method
JP2001358056A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Canon Inc 露光装置
JP2002005737A (ja) 2000-06-20 2002-01-09 Komatsu Ltd 光検出装置
US7234477B2 (en) 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
EP1566695B1 (en) * 2000-08-25 2007-10-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
KR100586913B1 (ko) * 2000-08-25 2006-06-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법 및 이것에 의해제조된 디바이스
JP2002071513A (ja) 2000-08-28 2002-03-08 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法
JP4692862B2 (ja) 2000-08-28 2011-06-01 株式会社ニコン 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法
TW497013B (en) * 2000-09-07 2002-08-01 Asm Lithography Bv Method for calibrating a lithographic projection apparatus and apparatus capable of applying such a method
DE10050349C2 (de) * 2000-10-11 2002-11-07 Schott Glas Verfahren zur Bestimmung der Strahlenbeständigkeit von Kristallen und deren Verwendung
JP2002151400A (ja) 2000-11-15 2002-05-24 Canon Inc 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場
JP2002158154A (ja) 2000-11-16 2002-05-31 Canon Inc 露光装置
DE10058810A1 (de) 2000-11-27 2002-06-06 Philips Corp Intellectual Pty Röntgendetektormodul
JP2002170754A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Nikon Corp 露光装置、光学特性検出方法及び露光方法
GB2369724B (en) 2000-12-04 2003-04-30 Infrared Integrated Syst Ltd Improving individual detector performance in radiation detector arrays
JP2002170765A (ja) 2000-12-04 2002-06-14 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
EP1231513A1 (en) 2001-02-08 2002-08-14 Asm Lithography B.V. Lithographic projection apparatus with adjustable focal surface
EP1231514A1 (en) 2001-02-13 2002-08-14 Asm Lithography B.V. Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus
US20060285100A1 (en) 2001-02-13 2006-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP4921644B2 (ja) 2001-02-27 2012-04-25 オリンパス株式会社 波面測定装置および波面測定方法
JP2002296005A (ja) 2001-03-29 2002-10-09 Nikon Corp アライメント方法、点回折干渉計測装置、及び該装置を用いた高精度投影レンズ製造方法
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6598974B2 (en) 2001-05-08 2003-07-29 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Method and apparatus for measuring wavefront aberrations
US7015491B2 (en) 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
US6787789B2 (en) 2001-08-23 2004-09-07 Asml Netherlands B.V. Method of measuring aberration of a projection system of a lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
US6801301B2 (en) 2001-10-12 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
KR20050044371A (ko) * 2001-11-07 2005-05-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 광학 스폿 그리드 어레이 프린터
US6842256B2 (en) 2001-11-15 2005-01-11 Zygo Corporation Compensating for effects of variations in gas refractivity in interferometers
JP2003158173A (ja) 2001-11-20 2003-05-30 Oki Electric Ind Co Ltd ウェハホルダ
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
CN1650401B (zh) 2002-04-09 2010-04-21 株式会社尼康 曝光方法与曝光装置、以及器件的制造方法
EP1353230A1 (en) * 2002-04-12 2003-10-15 ASML Netherlands B.V. Device manufacturing method and computer programs
JP3958993B2 (ja) 2002-05-14 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US7092231B2 (en) 2002-08-23 2006-08-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
US7372541B2 (en) 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG121829A1 (en) 2002-11-29 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
KR20050085236A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
JP4529433B2 (ja) 2002-12-10 2010-08-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
CN100429748C (zh) 2002-12-10 2008-10-29 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
KR20050062665A (ko) 2002-12-10 2005-06-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
KR101036114B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4362867B2 (ja) 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4645027B2 (ja) * 2002-12-10 2011-03-09 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
DE60307322T2 (de) 2002-12-19 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
KR100971440B1 (ko) 2002-12-19 2010-07-21 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
US7112727B2 (en) 2002-12-20 2006-09-26 Peotec Seeds S.R.L. Mutant allele of tomato
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
SG141425A1 (en) 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
KR101177330B1 (ko) 2003-04-10 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
KR101508809B1 (ko) 2003-04-11 2015-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP4315198B2 (ja) 2003-04-11 2009-08-19 株式会社ニコン 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
EP1477856A1 (en) 2003-05-13 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI424470B (zh) 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
JP2005277363A (ja) * 2003-05-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP5143331B2 (ja) 2003-05-28 2013-02-13 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
CN100541717C (zh) 2003-05-28 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
EP3401946A1 (en) 2003-06-13 2018-11-14 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101146962B1 (ko) 2003-06-19 2012-05-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1639391A4 (en) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
EP2466382B1 (en) 2003-07-08 2014-11-26 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1650787A4 (en) 2003-07-25 2007-09-19 Nikon Corp INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
SG145780A1 (en) 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101748923B1 (ko) 2003-09-03 2017-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP3870182B2 (ja) 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
KR101421398B1 (ko) 2003-09-29 2014-07-18 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005054953A2 (en) 2003-11-24 2005-06-16 Carl-Zeiss Smt Ag Holding device for an optical element in an objective
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
WO2005059654A1 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
KR101200654B1 (ko) 2003-12-15 2012-11-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN102169226B (zh) 2004-01-14 2014-04-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
US8279524B2 (en) 2004-01-16 2012-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
EP1706793B1 (en) 2004-01-20 2010-03-03 Carl Zeiss SMT AG Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
EP1723467A2 (en) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
JP4018647B2 (ja) 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2007522508A (ja) 2004-02-13 2007-08-09 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050226737A1 (en) 2004-04-07 2005-10-13 Sauer-Danfoss, Inc. Axial piston hydraulic power unit with pseudo slippers
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR101213831B1 (ko) 2004-05-17 2012-12-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8605257B2 (en) 2004-06-04 2013-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
KR20160137690A (ko) 2004-06-09 2016-11-30 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 발액 플레이트
US7411657B2 (en) * 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317506B2 (en) 2005-03-29 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Variable illumination source
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7760324B2 (en) 2006-03-20 2010-07-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036835A1 (nl) 2008-05-08 2009-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method.
JP1628330S (zh) 2018-06-22 2019-04-01

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4540277A (en) * 1982-07-09 1985-09-10 Perkin-Elmer Censor Anstalt Device for the projection printing of masks into a workpiece
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
EP1067536A2 (en) * 1999-07-07 2001-01-10 Sony Corporation Exposure apparatus and method, optical disc drive, and recording and/or reproducing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010161421A (ja) 2010-07-22
SG152931A1 (en) 2009-06-29
US20190250518A1 (en) 2019-08-15
CN1573564A (zh) 2005-02-02
US9541843B2 (en) 2017-01-10
JP5602174B2 (ja) 2014-10-08
JP5130314B2 (ja) 2013-01-30
JP5270743B2 (ja) 2013-08-21
US9152058B2 (en) 2015-10-06
US20120274911A1 (en) 2012-11-01
US8482845B2 (en) 2013-07-09
JP2012114485A (ja) 2012-06-14
US7213963B2 (en) 2007-05-08
US20110279800A1 (en) 2011-11-17
JP2012114484A (ja) 2012-06-14
JP2012054602A (ja) 2012-03-15
TWI304159B (en) 2008-12-11
JP4199699B2 (ja) 2008-12-17
US20110285977A1 (en) 2011-11-24
JP4558762B2 (ja) 2010-10-06
US8154708B2 (en) 2012-04-10
KR100683263B1 (ko) 2007-02-15
CN1573564B (zh) 2011-05-18
CN102147574B (zh) 2013-10-09
US20170102621A1 (en) 2017-04-13
TW200519544A (en) 2005-06-16
TW200905418A (en) 2009-02-01
US10678139B2 (en) 2020-06-09
JP2005005707A (ja) 2005-01-06
SG116555A1 (en) 2005-11-28
US10180629B2 (en) 2019-01-15
CN102147574A (zh) 2011-08-10
JP2012054601A (ja) 2012-03-15
KR20040105621A (ko) 2004-12-16
US20070132979A1 (en) 2007-06-14
US20050264778A1 (en) 2005-12-01
US20110007285A1 (en) 2011-01-13
JP2007235179A (ja) 2007-09-13
US9081299B2 (en) 2015-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI424275B (zh) 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
US7795603B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8035798B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4373987B2 (ja) リソグラフィ装置で使用するセンサ
EP1486828B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method