KR20060015543A - 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지 - Google Patents

콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20060015543A
KR20060015543A KR1020057020463A KR20057020463A KR20060015543A KR 20060015543 A KR20060015543 A KR 20060015543A KR 1020057020463 A KR1020057020463 A KR 1020057020463A KR 20057020463 A KR20057020463 A KR 20057020463A KR 20060015543 A KR20060015543 A KR 20060015543A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
light source
light
enclosure
Prior art date
Application number
KR1020057020463A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101148332B1 (ko
Inventor
제임스 아이벳선
번드 켈러
제이에쉬 바란탄
Original Assignee
크리, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 크리, 인코포레이티드 filed Critical 크리, 인코포레이티드
Publication of KR20060015543A publication Critical patent/KR20060015543A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101148332B1 publication Critical patent/KR101148332B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

발광 소자는 지지면, 스프레더 영역에 위치된 광원 및 광원을 에워싸도록 스프레더 영역 상에 배치된 밀폐체를 포함한다. 이 밀폐체는 온도 변화에 따라 스프레더 영역의 표면을 따라 확장 및 수축할 수 있기 때문에 상이한 부품들 사이의 열팽창 계수의 차에 의해 야기된 힘은 최소가 된다. 하나 또는 그 이상의 반사 요소들은 발광 소자의 발광 효율을 증가시키기 위해 광원에 근접하게 배치될 수 있다. 반사 요소는 스프레더 영역 상의 반사층 및/또는 밀폐체 일부 상의 반사층을 포함할 수 있다.

Description

콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지{HIGH POWERED LIGHT EMITTER PACKAGES WITH COMPACT OPTICS}
본 발명은 발광 소자(light emitter)에 관한 것이며, 보다 구체적으로 말하면 열응력(thermal stress)을 견디도록 배치된 컴포넌트들을 갖는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 소자는 전기 에너지를 광으로 전환하는 고체 소자(solid-state device)에 있어서 중요한 하나의 부류이다. 이러한 발광 소자 중 하나는 2개의 대향하는 도핑 영역들 사이에 삽입된 반도전성(semi-conductive) 물질의 활성 영역을 일반적으로 포함하는 발광 다이오드(LED)이다. 바이어스가 도핑 영역 양단에 인가될 때, 양공(hole) 및 전자는 활성 영역으로 주입되어 그 영역에서 광을 발생하도록 재결합된다. 광은 활성 영역으로부터 LED의 표면을 통해 방출될 수 있다.
발광 다이오드(LED)는 일반적으로 그 전력 등급에 따라 여러 부류로 분류된다. 상이한 부류들에 대한 표준 범위가 존재하지 않지만, 낮은 전력의 발광 다이오드는 통상적으로 0.1와트 내지 0.3와트 또는 그 이하의 범위의 전력 등급을 지니며, 높은 전력의 발광 다이오드는 통상적으로 0.5와트 내지 1.0와트 또는 그 이상의 범위의 등급을 지닌다.
낮은 전력의 발광 다이오드를 위한 종래의 패키징은 통상적으로 그 바닥에 발광 다이오드가 장착되어 있는 리플렉터 컵(reflector cup)을 포함한다. 음극 및 양극 리드선은 전기적으로 LED에 결합되어 전력을 공급한다. 음극 리드선은 리플렉터 컵을 통해 연장하고 양극 리드선은 도선 접착될 수 있다. 리플렉터 컵의 주요 기능은 LED의 원장 강도 패턴(far-field intensity)을 제어하기 위해 소정의 방향으로 방출된 광을 재배향하는 데 있다. 상기 리플렉터 컵은 높은 반사 특성으로 마감된 표면을 포함할 수 있고, 도금 스템핑(plate stamped) 또는 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 등의 금속으로 금속 도금될 수 있다.
전체 표면은 플라스틱 또는 에폭시 등의 투명하면서 강성의 밀폐체(encapsulant) 내에 싸일 수 있다. 밀폐체는 몇 가지의 기능을 발휘한다. 그 중 하나는 LED 칩을 위해 기밀한 봉인(seal)을 제공하는 기능이 있다. 다른 기능에 따르면, 광이 밀폐체/공기 계면에서 굴절되기 때문에 밀폐체의 외측 형상은 LED의 강도 패턴을 더 제어하기 위해 렌즈로서 작용할 수 있다는 데 있다.
그러나 이러한 패키징 구조의 단점 중 하나는 LED 칩, 리플렉터 컵 및 밀폐체 각각은 대개 상이한 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion; CTE)를 갖는다는 데 있다. 따라서 운전 중의 가열 사이클 동안, 이들은 상이한 속도로 팽창 및 수축하며, 이로 인해 소자에 높은 기계 응력이 가해질 수 있다. 특히, 밀폐체용으로 통상적으로 사용되는 에폭시 및 실리콘은 금속 또는 세라믹의 열팽창 계수와 매우 상이한 열팽창 계수를 지닌다. 이러한 열팽창 계수의 어울리지 않는 조합은 또한 에폭시 경화 중에서와 같은 제조 단계에서 발생하는 제한사항에 의해 가중 될 수 있다. 추가적으로, 상기 패키지들은 열적 특성이 부족하기 때문에 LED 칩으로부터 효율적으로 열을 발산시키지 않는다. 그러나 LED는 낮은 전력에서 작동하기 때문에 그것이 생성하는 열의 양은 상대적으로 작아 열팽창 계수의 차이로 인해 허용하기 어려울 정도의 손실 등급이 초래되지 않는다.
그러나 높은 전력의 LED는 대개 크고, 더 큰 패키징 컴포넌트를 사용하며, 더 많은 열을 발생한다. 그 결과, 열팽창 계수의 어울리지 않는 조합은 신뢰성에 더 큰 영향을 미치며, 낮은 전력의 LED 형태의 패키징을 사용할 경우 패키징 컴포넌트에 대한 열팽창 계수의 차이로 인해 허용하기 어려울 정도의 손실 등급이 초래될 수 있다. 가장 일반적인 손실 중 하나는 밀폐체의 파손 또는 균열이다.
나머지 컴포넌트들을 위한 강성의 플랫폼으로서 역할을 하고 또 LED 칩으로부터 나온 열을 방사하는 것은 돕는 금속 또는 세라믹 등의 높은 열전도성을 지닌 물질로 구성되는 히터 스프레더(heat spreader)를 갖는 높은 전력의 LED 패키지가 제안되었다. 리플렉터 컵은 플랫폼에 장착되어 있고 LED 칩은 이 컵의 바닥에 장착된다. LED 칩은 강성의 플랫폼으로부터 도선 접착물(wire bond)에 의해 접촉된다. 리플렉터 컵, LED 칩 및 도선 접착물은 환경 보호를 제공하는 광학적으로 깨끗한 물질 내에 에워싸인다. 패키지 컴포넌트의 상이한 열팽창 계수(CTE)를 보상하기 위해, 상기 광학적으로 깨끗한 재료는 실리콘 등의 연질 젤(soft gel)을 포함할 수 있다. 상이한 컴포넌트들이 열 사이클을 통해 팽창 및 수축함에 따라 연질의 젤은 쉽게 변경되어 상이한 열팽창 계수(CTE)를 보상하게 된다.
그러나 연질의 젤은 플라스틱, 에폭시 및 유리만큼 강하지 않고, LED 제조 공정에 복잡성을 추가하는 기밀한 봉인으로서 작용하도록 코팅 또는 커버 없이 몇몇 가혹한 환경에서 사용할 수 없다. 연질 젤은 또한 물을 흡수하는 경향이 있으며, 이는 LED의 수명을 단축시킬 수 있다. 또한 LED 패키지의 방출 패턴을 제어하기 위해 연질 젤을 성형하는 것이 더 어렵게 된다.
전술한 소자 하나를 밀폐체 내의 리플렉터 컵을 이용하지 않도록 한 상태로 강성의 에폭시 밀폐체를 이용하는 다른 높은 전력의 LED 패키지가 제안되었다. 그 대신, 제2의 영역이 히터 스프레더 상에 포함되며, 제2의 영역의 일부는 반사성 물질로 피복될 수 있는 함몰부를 형성하도록 스템핑, 성형 또는 엣칭 가공되어 있다. 그 다음, LED 칩은 함몰부의 베이스에 배치되어 접촉된다. 강성의 에폭시 또는 실리콘은 함몰부를 채우고 LED와 임의의 도선 접착물을 덮는다. 이러한 구조는 에폭시 또는 실리콘 밀폐체의 파손 및 균열을 줄이지만 완전히 없애지는 못한다. 이러한 구조는 또한 에폭시 또는 실리콘 밀폐체가 LED의 열 사이클을 통해 함몰부의 표면으로부터 적층 분리 및 박리되는 또 다른 문제점을 초래할 수 있다.
케리(Carey) 등에 허여된 미국 특허 제6,274,924호에는 인서트 성형 리드프레임으로 삽입되는 방열 슬러그(heat sinking slug)를 포함하는 또 다른 높은 전력의 LED 패키지가 개시되어 있다. 이 슬러그는 LED 칩을 포함하며, LED 칩과 열전도성의 서브마운트가 컵의 베이스에 배치되어 있다. 금속 리드선은 전기적으로 그리고 열적으로 슬러그로부터 절연되어 있다. 광 렌즈는 슬러그 위로 열가소성 렌즈를 장착함으로써 추가된다. 이 렌즈는 LED와 렌즈의 내측면 사이에서 연질의 밀폐체를 위한 여유를 남긴채로 성형될 수 있다. 본 발명은 복잡하지 않고, 제조하 기 쉽고, 비씨지 않으면서 높은 전력 조건 하에서 신뢰성 있게 작동할 수 있도록 해준다. 열가소성 렌즈는 또한 통상적으로 LED를 인쇄 회로 기판에 땜납하는 프로세스에 사용되는 고온에서 견디지 못한다.
본 발명은 높은 특히 전력의 LED와 함께 사용하도록 채택되는 동시에 패키지 컴포넌트에 대한 열팽창 계수(CTE)의 차로 인한 LED 패키지의 파손을 줄이도록 배치되어 있는 LED 패키지를 제공한다. LED 패키지는 또한 간단하고, 가요성이 있고 그리고 울퉁불퉁하다.
본 발명에 따른 발광 소자의 하나의 실시예는 실질적으로 평평한 지지면과, 이 지지면 상에 배치된 광원과, 상기 지지면 상에 배치된 밀폐체를 포함한다. 상기 밀폐체는 광원을 에워싸며, 온도 변화에 따라 팽창 및 수축될 수 있고 상기 평탄한 지지면으로의 접착에 의해서만 제한된다.
본 발명에 따른 발광 소자의 다른 실시예는 히터 스프레더와, 이 히터 스프레더의 실질적으로 평탄한 표면과 열적 접촉 상태로 배치된 광원을 포함한다. 상기 히터 스프레더는 광원을 위한 지지부를 제공하며, 밀폐체는 광원을 에워싸도록 배치되는 동시에 온도 변화에 따라 팽창과 수축 중 하나 이상으로 될 수 있고 상기 평탄한 표면으로의 접착에 의해서만 제한될 수 있다. 제1의 반사 요소는 광원으로부터 나온 광을 반사시키도록 배치되어 있는 동시에 히터 스프레더와 상기 밀폐체 중 적어도 하나와 합체되어 있다.
본 발명에 따른 광디스플레이의 하나의 실시예는 실질적으로 평탄한 표면을 구비하는 히터 스프레더를 포함한다. 복수 개의 발광 소자들은 평탄한 표면에 배치되어 있고, 발광 소자 각각은 히터 스프레더와 열적 접촉 상태로 배치된 광원을 포함한다. 밀폐체는 광원을 에워싸도록 히터 스프레더 상에 배치되는 동시에 온도 변화에 따라 팽창 및 수축될 수 있고 상기 평탄한 표면으로의 접착에 의해서만 제한된다. 발광 소자 각각은 디스플레이의 발광 효율을 증가시키기 위해 히터 스프레더 및/또는 상기 밀폐체 상에 배치된 적어도 하나의 반사 요소를 포함한다.
발광 소자를 제조하는 방법의 하나의 실시예는 실질적으로 평탄한 표면을 제공하는 단계와, 실질적으로 평탄한 지지면 상에 배치된 광원을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 지지면 상에서 광원 위로 배치되는 동시에 온도에 따라 팽창 및 수축될 수 있고 상기 평탄한 표면으로의 접착에 의해서만 제한되는 밀폐체가 제공된다.
본 발명의 이러한 특징 및 추가의 특징과 장점들은 첨부 도면을 참조한 아래의 상세한 설명을 읽음으로써 당업자들에게 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 발광 소자의 단면을 간략하게 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 발광 소자의 또 다른 실시예의 단면을 간략하게 도시한 단면도이다.
도 3은 성형된 렌즈를 구비하는 본 발명에 따른 발광 소자의 또 다른 실시예의 단면을 간략하게 도시한 단면도이다.
도 4는 성형된 렌즈 상에 반사면을 구비하는 본 발명에 따른 발광 소자의 또 다른 실시예의 단면을 간략하게 도시한 단면도이다.
도 5는 탄알 모양의 렌즈를 구비하는 본 발명에 따른 발광 소자의 또 다른 실시예의 단면을 간략하게 도시한 단면도이다.
도 6은 오목한 모양의 렌즈를 구비하는 본 발명에 따른 발광 소자의 또 다른 실시예의 단면을 간략하게 도시한 단면도이다.
도 7은 버섯 모양의 렌즈를 구비하는 본 발명에 따른 발광 소자의 또 다른 실시예의 단면을 간략하게 도시한 단면도이다.
도 8은 구 모양의 렌즈를 구비하는 본 발명에 따른 발광 소자의 또 다른 실시예의 단면을 간략하게 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 발광 소자의 제조 방법을 간략하게 예시하는 플로차트이다.
도 1에는 본 발명에 따른 발광 소자(10)의 일실시예가 도시되어 있다. 발광 소자(10)는 히터 스프레더(12)를 포함하며, 광원(14)은 이 히터 스프레더(12) 상에서 열적 접촉 상태로 배치되어 있다. 스프레더 영역(12)은 광원(14)을 붙들기 위한 지지 구조체를 제공하며, 광원(14)으로부터 멀어지는 방향으로 열 흐름을 용이하게 만들기 위해 적어도 부분적으로 높은 열전도성 재료로 구성되어 있다. 양호한 히터 스프레더는 예컨대, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 질화알루미늄(AlN), 산화알루미늄(AlO), 규소(Si), 탄화규소(SiC) 또는 이들의 조합 등의 높은 열전도성 재료로 구성된다.
광원(14)은 LED를 포함한다. 이 광원은 예컨대, 고체 레이저(solid-state laser), 레이저 다이오드 또는 유기 발광 다이오드 등의 다른 발광 소자를 포함할 수 있다. 광원(14)의 전력은 제1 및 제2의 도선 접착물(16, 18)로부터 공급될 수 있으며, 광원(14)의 양단에는 바이어스가 인가되고, 도시된 실시예의 경우 도선 접착물은 LED 광원이 광을 방출하도록 LED 광원의 대향하는 도핑층들 양단에 바이어스를 인가한다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 단지 하나의 도선 접착물을 사용할 수 있고, 광원(14)은 또한 스프레더 영역(12)을 통해 접촉된다. 또 다른 실시예에 따르면, 광원(14)은 스프레더 영역(12)을 통해서만 접촉된다.
본 발명에 따른 발광 소자는 단일의 광원으로 또는 디스플레이 내에서 광을 발출하도록 설계된 시스템 내에 설치될 수 있다. 본 발명에 따른 발광 소자는 또한 단일 광원 또는 동일 또는 상이한 광 파장을 방출하는 광원의 어레이를 또한 포함할 수 있다. 이하의 도면에 도시된 발광 소자(10) 및 발광 소자들은 설명이 간단해지도록 하고 이해를 쉽게 할 수 있도록 하나의 광원만을 구비하는 것으로 도시되어 있다. 그러나 본 발명에 따른 발광 소자는 다양한 방법으로 설치될 수 있다.
투명한 밀폐체(20)가 광원(14)을 에워싸도록 배치되어 있고 광원(14)과 도선 접착물(16, 18)을 감싸고 기밀하게 밀봉하도록 제공된다. 밀폐체(20)는 통상적으로 스프레더 영역(20)의 상측면 상에 배치되어 있다. 밀폐체(20)는 에폭시, 규소, 유리 또는 플라스틱 등의 견고하고 광학적으로 깨끗한 각종 물질로 구성될 수 있고 예비성형된 렌즈이거나 광원(14) 위로 직접 성형될 수 있다. 예비성형된 밀폐체 또는 렌즈는 사출 성형 등의 기술을 이용하여 제조한 다음 히터 스프레이더(20)에 접착될 수 있다.
스프레더 영역(12)은 또한 광원(14)과 동일한 표면 상에 있는 반사층(22)을 포함할 수 있으며, 이 반사층(22)은 적어도 광원(14)에 의해 덮이지 않은 실질적으로 모든 표면을 덮는다. 도시된 실시예에서, 상기 반사층(22)은 전체면을 덮기 때문에 상기 반사층의 일부는 광원(14)과 스프레더 영역(12) 사이에 개재된다. 광원(14)은 광 경로(1, 2, 3, 4, 5)를 따라 광을 전방향으로 방출하며, 광원으로부터 나오는 광 경로들 중 몇 개만 도시되어 있다. 광 경로(1, 2, 3)는 광원(14)으로부터 밀폐체(20)를 통해 연장한다. 광은 또한 광원(14)으로부터 반사층(22)까지 그리고 밀폐체(20)를 통해 광 경로(4, 5)를 따라 흐를 수 있다. 반사층(22)은 광원(14)으로부터 광을 반사시켜 발광 소자(10)의 광이용 효율(optical efficiency)을 증가시킬 수 있다. 반사층(22)은 관심 대상의 파장에서 반사하는 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 조합 등을 포함할 수 있다.
발광 소자(10)는 많은 장점을 갖는데, 그 중 하나는 덜 복잡하며, 그렇기 때문에 종래의 소자에 비해 싸다는 점이다. 복잡성은 반사층(22)을 스프레더 영역(12)과 합체시키는 한 가지의 방법에 따라 줄어들게 되는데, 그 이유는 리플렉터 구조를 밀폐체(20)와 히터 스프레더(12)로부터 분리시킬 필요성을 없애 제조 공정을 간단하게 만들기 때문이다.
리플렉터 기능이 발광 소자(10) 내에 포함된 다른 컴포넌트들과 통합되기 때문에 열응력도 또한 감소한다. 따라서 상이한 속도로 서로에 대해 팽창 및 수축하는 몇 개의 컨포넌트들이 존재한다. 그 결과 광원(14)은 더 높은 전력에서 나아가 발광 소자(10)가 고장날 위험성이 덜한 높은 온도에서 더 신뢰성 있게 작동할 수 있다. 또 다른 고장 이유는 사용된 상이한 재료들 사이에서 열팽창 계수(CTE)의 어울리지 않는 조합과 관련된 밀폐체(20)의 파손 또는 균열에 의한 것일 수 있다. 그러나 이러한 발생 가능성은 발광 소자(10)의 구조에 의해 줄어든다. 밀폐체(20)와 스프레더 영역(12) 사이의 표면은 평평하기 때문에 밀폐체(20)는 단지 하나의 표면에서만 제한된다. 이는 도선 접착물(16 및/또는 18)을 파손 또는 느슨하게 만드는 원인이 될 수 있는 이들 접착물 상에 응력이 덜 걸리게 하고 또 발광 소자(10)의 사용 수명을 감소시킨다.
밀폐체(20)는 기밀하게 밀봉되는 패키지를 제공하기 위해 유리 등의 견고하면서 높은 융점의 재료를 포함할 수 있는데 그 이유는 경화 공정 및 이 재료와 관련된 온도 사이클이 더 이상 문제가 되지 않기 때문이다. 발광 소자(10)는 또한 밀폐체(20)와 스프레더 영역(22)에 사용될 수 있는 물질의 선택에 있어서 더 높은 유연성을 제공하는데 이들 물질은 접착성에 잘 적응할 수 있기 때문이다. 따라서 발광 소자의 열 사이클을 통해 밀폐체(20)가 스프레더 층(22)으로부터 적층 분리 및 박리될 가능성이 낮아지게 된다.
또 다른 장점은 발광 소자(10)가 작은 풋프린트(footprint)를 가지기 때문에 패키지 어레이가 서로 더 가깝게 위치할 수 있다는 점이다. 이러한 특징은 해상도와 디스플레이 품질을 증가시키기 위해 하나의 어레이에 서로 가깝게 패키지를 위치시키기를 원하는 광디스플레이에 있어서 유리하다.
도 2 내지 도 8에는 본 발명에 따른 발광 소자의 또 다른 실시예가 도시되어 있다. 이하에 개시된 실시예에 따른 발광 소자들은 도 1에 도시된 부품들과 유사한 부품들을 포함하며, 발광 소자(10)와 관련하여 이미 설명한 내용이 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명한 발광 소자에도 그대로 잘 적용되는 것으로 이해되도록 유사한 도면 부호를 사용한 것에 주목해야 한다.
도 2에는 본 발명에 따른 발광 소자(30)의 또 다른 실시예가 도시되어 있다. 발광 소자(30)는 스프레더 영역(12)을 포함하며 반사층(22)을 포함할 수 있다. 광원(14)은 반사층(22) 상에 위치하고 밀폐체(40)는 광원(14)을 감싸 밀봉하도록 배치되어 있다. 밀폐체(40)는 내부 전반사에 의해 광원(14)으로부터 방출된 측방향으로 향하는 광을 반사하는 각진 표면(42)을 제공하기 위해 그 베이스 주변에서 성형되어 있다.
광 경로(6, 7)는 광원(14)에서 나오는 2개의 있음직한 광 경로를 나타내며, 이들 양자는 표면(42)으로 입사한다. 광 경로(6, 7)는 표면(42)에 의한 내부 전반사(TIR)에 의해 각각의 광 경로(8, 9)를 따라 밀폐체(40)의 정상을 향해 반사될 수 있다. 이것은 밀폐체(40)의 측면 밖으로 방출되는 광을 감소시키는 반면에 밀폐체의 정상 밖으로 방출되는 광을 증가시킨다. 그 결과, 발광 소자(30)는 더 양호한 발광 효율을 지닌 더 집중된 광을 생성할 수 있다. 광원(14)에서 방출된 광은 또한 반사층(22)으로부터 반사될 수 있고, 또 방출 효과를 더 증대시키기 위해 밀폐체(40)를 통해 표면(42)에서 직접 또는 간접적으로 반사될 수 있다. 발광 소자(30)는 전술한 발광 소자(10)의 모든 특징에 추가하여 더 집중된 광, 더 양호한 광이용 효율을 포함한다.
도 3에는 도 2의 발광 소자(30)와 유사한 본 발명에 따른 발광 소자(50)의 또 다른 실시에가 도시되어 있다. 발광 소자(50)는 스프레더 영역(12)을 포함하며, 반사층(22)이 스프레더 영역(12) 상에 마련되어 있다. 광원(14)은 반사층(22) 상에 위치하고 밀폐체(60)는 광원(14)을 에워싸고 밀폐된 봉인을 제공하도록 배치되어 있다. 밀폐체(60)는 또한 반사층(64)이 도포되어 있는 각진 표면(42)을 포함한다. 지지 영역(49)은 제2의 반사층(64)과 스프레더 영역(22)에 인접하게 배치되어 있다.
제2의 반사층(64)은 내부 전반사를 겪지 않고 각진 표면(42)을 통과하는 광을 포함하여 각진 표면(42)으로 입사하는 광의 대부분 또는 모두를 반사한다. 이것은 광원(14)에서 나온 광을 밀폐체(60)의 정상을 향해 더 집중시키고 방출된 광의 양을 증가시킴으로써 광이용 효율을 증대시킨다. 제2의 반사층(64)은 예컨대 은(Ag), 알루미늄(Al), 산화티타늄(TiO), 화이트 수지 또는 이들의 조합 등의 상이한 반사율을 지닌 다른 물질로 구성될 수 있다. 제2의 반사층(64)은 페인팅, 도금 또는 증착 등의 각종 상이한 방법을 이용하여 도포될 수 있고, 또 밀폐체(60)가 광원(14) 위로 위치하기 전후에 도포될 수 있다. 광에 불투명한 반사층(64)이 갖는 추가적인 장점은 이 층은 선택적인 장벽 영역(49)이 발광 소자(50)의 광 효율을 저하시키지 않고 기계적 지지 및 환경 보호를 위해 포함되는 것을 허용해준다는 점이다. 장벽 영역(49)에 사용된 재료로는 밀폐체(60)를 열 사이클링 하에서 제한시키지 않는 재료가 선택되어야 한다.
도 4에는 도 1의 발광 소자(10)와 유사한 본 발명에 따른 발광 소자(70)의 또 다른 실시에가 도시되어 있다. 발광 소자(70)는 스프레더 영역(12), 광원(14) 및 반사층(22)을 포함한다. 발광 소자(70)는 또한 그 베이스에 캐비티(81)가 구비되어 있는 예비성형된 렌즈인 밀폐체(80)를 포함한다. 전술한 밀폐체와 마찬가지로, 렌즈(80)는 에폭시, 실리콘, 유리 또는 플라스틱으로 제조될 수 있고 또 사출 성형과 같은 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 밀폐체(80)는 광원(14) 위로 히터 스프레더(12)의 상측면에 장착되고 광원(14)과 도선 접착물(16, 18)은 캐비티(81) 내에 배치되어 있다. 접착 물질(82)은 캐비티(81)의 공간을 채우며 렌즈(80)를 히터 스프레더(12)에 유지시킨다. 광원(14)을 위한 캐비티, 도선 접착물(16, 18) 및 접착 물질(82)을 제공하는 동시에 스프레더(12) 상에 끼워질 수 있는 크기로 설정되기만 하면 상이한 형태의 밀폐체를 사용할 수 있다.
상기 접착 물질(82)로는 에폭시, 아교 또는 규소 젤 등의 다른 재료를 포함할 수 있다. 접착 물질(82)의 굴절률은 2개의 재료들 사이의 반사 작용을 최소화시켜 소망하는 발광 효율을 얻기 위해 선택될 수 있는 밀폐체(80)의 굴절률과 동일한 것이 바람직하다. 상기 접착 물질(82)은 밀폐체(80)가 광원(14) 위로 배치되기 전에 캐비티(81) 내에 배치될 수 있거나, 또는 밀폐체(80)가 정위치에 위치될 수 있고 또 상기 물질(82)은 밀폐체(80)를 통해 또는 히터 스프레더(12) 내의 구멍(도시 생략)을 통해 주입될 수 있다. 상기 구멍은 그 다음 수지나 그와 유사한 재료로 제작된 플러그로 밀봉될 수 있다.
이러한 구조는 광원(14)과 히터 스프레더(12) 위로 장착될 수 있는 밀폐체의 종류 및 형상에 추가적인 유연성을 부가되는 발광 소자(10)를 제공할 수 있다는 장 점을 갖는다. 발광 소자(14), 도선 접착물(16, 18) 및 접착 물질(82)을 위한 캐비티를 제공하는 동시에 스프레더 영역(12)에 적합한 크기를 갖는다면 다른 종류의 렌즈를 사용해도 좋다. 규소 젤이 접착 물질(82)로 사용될 경우, 그것은 상이한 물질의 열팽창 계수(CTE) 차를 보상해줄 수 있다.
도 5에는 본 발명에 따른 발광 소자(90)의 또 다른 실시예가 도시되어 있다. 이 발광 소자(90)는 스프레더 영역(12), 광원(14) 및 반사층(22)을 포함한다. 발광 소자(90)는 예비성형된 렌즈 또는 광원(14) 위로 배치되어 성형된 에폭시일 수 있는 강성의 "탄알 모양"의 밀폐체(100)를 또한 포함한다. 밀폐체(100)의 형상은 광이 표면(121)에서 밀폐체(100) 밖으로 통과할 때 발광 소자(90)의 정상을 향해 광 경로(1, 3, 4, 5)를 따라 광을 굴절시키기 위해 선택될 것이다. 이러한 광굴절은 광원(14)에서 나온 광을 집중시키는 것을 돕는다. 밀폐체(100)의 표면에 정확히 90°(즉, 광 경로(20)를 따라)로 부딪히는 광은 굴절되지 않을 것이다.
도 6에는 본 발명에 따른 발광 소자(110)의 또 다른 실시예가 도시되어 있으며, 이 발광 소자(110)는 스프레더 영역(12), 광원(14) 및 반사층(22)을 포함한다. 발광 소자(110)는 광을 발광 소자(110)의 정상을 향해 내부적으로 더 효과적으로 반사하고 발광 소자(110)의 정상부를 향해 밀폐체(120) 밖으로 통과하는 광을 더 효과적으로 굴절시킬 수 있는 "오목한" 모양의 밀폐체(120)를 또한 포함한다. 상기 밀폐체(120)는 이 밀폐체(120)의 집중 효력과 발광 소자(110)의 발광 효율을 증가시킬 수 있는 방식으로 성형되어 있는 각진 표면(122)을 포함한다. 상기 표면(122)의 각과 형상은 광을 집중시키는데 있어서 희망하는 이득을 얻고 내부 전반사 로부터 어떤 손실을 줄일 수 있도록 선택된다.
도 7에는 본 발명에 따른 발광 소자(130)의 또 다른 실시에가 도시되어 있으며, 이 발광 소자(130)는 스프레더 영역(12), 광원(14), 도선 접착물(16, 18) 및 반사층(22)을 포함한다. 발광 소자(110)는 둥근 천장(142)과 각진 스템(146)을 구비하는 "버섯" 모양의 밀폐체(140)를 또한 포함한다. 상기 스템(146)은 광 경로(6, 7)를 따라 스템(146)을 때리는 공원(14)에서 나온 광이 각각의 광 경로(8, 9)를 따라 돔(142)을 향해 반사되도록 제2의 반사층(147)에 의해 도포될 수 있다. 이러한 구조는 또한 집중된 광을 제공하고, 내부 전반사로부터의 손실이 감소하기 때문에 더욱 효과적으로 된다.
도 8에는 본 발명에 따른 발광 소자(150)의 또 다른 실시예가 도시되어 있으며, 이 발광 소자(150)는 스프레더 영역(12), 광원(14) 및 반사층(22)을 포함한다. 상기 발광 소자(150)는 광을 각각의 광 경로(8, 9)를 따라 밀폐체(160)의 정상을 향해 광 경로(6, 7)를 따라 반사시키기 위해 하측의 반구 상에 반사 영역(161)을 또한 포함할 수 있는 구형 밀폐체(160)를 포함한다. 이러한 구조는 또한 집중된 광을 제공하고 밀폐체(160)와 반사 영역(64)으로 인해 내부 전반사 손실이 덜하게 된다. 상기 밀폐체는 본 발명에 따라 다른 많은 상세한 형상일 수 있는 것으로 이해되어야 한다.
도 9에는 본 발명에 따른 발광 소자의 제조 방법의 일실시예를 예시하는 플로차트가 도시되어 있다. 이 방법은 반사층이 그 위에 마련되어 있는 적어도 하나의 평탄한 표면을 구비하는 스프레더 영역을 제공하는 단계(201)와, 적어도 하나의 평탄한 표면 상에 광원을 제공하는 단계(202)를 포함한다. 단계(230)는 스프레더 영역의 평탄한 표면 위와 광원 위로 위치한 밀폐체를 제공하는 단계를 포함한다. 표면이 평탄하게 되도록 함으로써, 온도 변화에 따라 밀폐체의 팽창 및 수축이 그 표면에서만 일어나도록 제한된다.
상기 밀폐체는 그것이 광원을 기밀하게 밀봉시켜 기밀한 봉인이 온도 변화에 따라 파괴되지 않은 채로 유지되도록 배치될 수 있다. 상기 밀폐체는 이것과 광원의 상대 위치가 온도 변화에 따라 불변 상태로 남게 되도록 배치될 수 있다. 상대 위치는 온도가 변할 때 밀폐체의 밀림이 존재하지 않도록 불변 상태(즉, 3차원의 리플렉터 구조)로 남게 된 것이다.
선택적인 단계(204)는 내부 전반사된 광과 굴절된 광을 발광 소자의 정상을 향해 배향시킴으로써 발광 소자의 효율을 향상시키기 위해 스프레더 영역에 인접하는 밀폐체의 표면에 각이 지도록 하는 단계를 포함한다.
선택적인 단계(205)는 발광 소자의 방출 효율을 증대시키기 위해 각이진 표면 상에 위치된 제2의 반사 요소를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 제2의 반사 요소는 페인팅, 도금 및 증착 중 하나를 사용함으로써 형성될 수 있다. 선택적인 단계(207)는 지지면과 밀폐체의 베이스에 인접하는 장벽 영역을 배치하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 장벽 영역은 광원을 위한 더 양호한 봉인을 형성할 수 있다. 플로차트(200)에 도시된 단계들은 다른 순서에 따라 실시될 수 있고 또 다른 단계들이 본 발명에 따른 방법에 사용될 수 있다는 것에 주목해야 한다.
본 발명이 몇몇 양호한 실시예를 참조하여 상세하게 설명되었지만 다른 변형 례에 따라 실시될 수도 있다. 전술한 렌즈들은 다른 형상을 지닐 수 있고 각종 상이한 물질로 구성될 수 있다. 전술한 광원들은 각각은 정전기 방전(ESD)으로부터의 보호를 제공하기 위해 서브마운트를 더 포함할 수 있다. 각각의 실시예에 따르면, 히터 스프레더는 광원이 히터 스프레더의 상측면 위로 연장하기 못하도록 광원을 에워싸기 위한 구멍을 제공하기 위해 엣칭 처리될 수 있다. 따라서 상기 밀폐체는 광원 위로 히터 스프레더에 장착되도록 평탄한 베이스를 구비할 수 있다.
따라서 전술한 본 발명의 실시예들은 대표적이고, 다양한 수정, 변형 및 재배열이 동등한 결과물을 얻기 위해 용이하게 구현될 수 있고, 이들 모두는 첨부된 청구의 범위에서 한정된 바와 같은 본 발명의 정신 및 범주 내에 속하는 것을 의도한다.

Claims (36)

  1. 발광 소자로서,
    실질적으로 평평한 지지면과;
    상기 지지면 상에 배치된 고체 상태의 광원과;
    상기 광원을 에워싸는 상기 지지면 상에 배치된 밀폐체
    를 포함하며, 상기 밀폐체는 온도 변화에 따라 팽창 및 수축될 수 있고 상기 평탄한 지지면으로의 접착에 의해서만 제한되는 것인 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지지면과 상기 밀폐체 중 적어도 하나와 합체된 반사 요소를 더 포함하는 것인 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광원의 표면은 상기 지지면에 인접하며, 상기 밀폐체는 상기 광의 다른 표면들 모두를 덮는 것인 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 밀폐체는 상기 광원을 기밀하게 밀봉시키고, 상기 기밀한 봉인은 온도 변화에 따라 불변 상태로 남게 되는 것인 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 밀폐체의 베이스에서 상기 지지면에 인접하게 배치된 장벽 영역을 더 포함하며, 상기 장벽 영역은 상기 표면과 상기 밀폐체 사이에 봉인 을 형성하는 것인 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 밀폐체의 팽창과 수축이 상기 지지면에서만 제한되도록 상기 지지면은 평탄한 것인 발광 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 지지면은 상기 광원에 의해 방출된 광에 반사성이 있는 것인 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 밀폐체는 상기 광원으로부터 방출된 광의 일부를 반사시키는 각진 표면을 제공하도록 그 베이스 주변에서 성형되어 있는 것인, 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 밀폐체는 상기 반사된 광이 상기 밀폐체의 포커싱 표면(focusing surface)을 통해 흐르도록 성형된 것인, 발광 소자.
  10. 제8항에 있어서, 상기 각진 표면은 상기 광원에 의해 방출된 상기 광에 반사성이 있는 반사성 코팅을 포함하는 것인 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서, 상기 지지 구조체는 상기 광원으로부터 열을 끌어들이도록 높은 열전도성의 스프레더 영역을 포함하는 것인 발광 소자.
  12. 제1항에 있어서, 상기 광원은 발광 다이오드를 포함하는 것인 발광 소자.
  13. 발광 소자로서,
    히터 스프레더와;
    상기 히터 스프레더의 실질적으로 평탄한 표면과 열적 접촉 상태로 배치된 광원으로, 상기 히터 스프레더가 상기 광원을 위한 지지부를 제공하도록 되어 있는 광원과;
    상기 광원을 에워싸도록 배치되는 동시에 온도 변화에 따라 팽창 및/또는 수축을 할 수 있고 상기 평탄한 표면으로의 접착에 의해서만 제한되는 밀폐체와;
    상기 광원으로부터 나온 광을 반사시키도록 배치되는 동시에 상기 히터 스프레더와 상기 밀폐체 중 적어도 하나와 합체되어 있는 제1의 반사 요소
    를 포함하는 것인 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1의 반사 요소는 상기 밀폐체의 베이스 상에 각진 표면을 포함하며, 상기 각진 표면은 상기 발광 소자의 발광 효율을 증가시키기 위해 상기 광원으로부터 나온 광을 반사할 수 있는 것인 발광 소자.
  15. 제14항에 있어서, 상기 각진 표면 상의 제2의 반사 요소를 더 포함하는 것인 발광 소자.
  16. 제13항에 있어서, 상기 밀폐체는 탄알 형성, 오목한 형상 및 버섯 모양 중 하나인 것인 발광 소자.
  17. 제13항에 있어서, 상기 밀폐체는 상기 제1의 반사 요소의 반사율을 증가시키도록 배치된 제2의 반사 요소를 포함하는 것인 발광 소자.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제2의 반사 요소는 은(Ag), 알루미늄(Al), 산화티타늄(TiO), 화이트 수지 및 관심 대상의 파장에서 반사하는 다른 물질 영역 중 적어도 하나를 포함하는 것인 발광 소자.
  19. 제13항에 있어서, 상기 밀폐체는 그 베이스에 캐비티를 구비하는 예비성형된 렌즈를 포함하며, 상기 광원은 상기 캐비티 내에 배치되는 것인 발광 소자.
  20. 제19항에 있어서, 상기 캐비티의 공간을 채우며 상기 렌즈를 상기 히터 스프레더에 유지시키는 접착 물질을 더 포함하며, 상기 접착 물질의 굴절률은 소망하는 발광 효율을 얻기 위해 선택되는 것인 발광 소자.
  21. 제20항에 있어서, 상기 접착 물질은 에폭시, 아교, 규소 젤 및 상기 발광 소자의 발광 효율을 증가시키기 위해 선택된 굴절률을 지닌 또 다른 물질 중 하나 이 상을 포함하는 것인 발광 소자.
  22. 제20항에 있어서, 상기 접착 물질은 상기 밀폐체, 광원 및/또는 히터 스프레더 사이의 열팽창 계수의 차를 보상하도록 선택되는 것인 발광 소자.
  23. 제13항에 있어서, 상기 히터 스프레더는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 질화알루미늄(AlN), 산화알루미늄(AlO), 규소(Si), 탄화규소(SiC) 및 상기 광원으로부터 멀리 열을 발산시킬 수 있는 다른 열전도성이 높은 물질 중 적어도 하나를 포함하는 것인 발광 소자.
  24. 제13항에 있어서, 상기 제1의 반사 요소는 상기 히터 스프레더의 표면을 포함하는 것인 발광 소자.
  25. 제24항에 있어서, 상기 히터 스프레더의 상기 표면은 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 관심 대상의 파장에서 반사하는 다른 물질 중 적어도 하나를 포함하는 것인 발광 소자.
  26. 제13항에 있어서, 상기 제1의 반사 요소에 근접하게 배치된 장벽 영력을 더 포함하며, 상기 장벽 영역은 상기 밀폐체외 히터 스프레더 사이에 기밀한 봉인을 제공하는 것인 발광 소자.
  27. 광디스플레이로서:
    실질적으로 평탄한 표면을 구비하는 히터 스프레더와;
    상기 실질적으로 평탄한 표면에 배치된 복수 개의 발광 소자
    를 포함하며, 상기 발광 소자 각각은,
    상기 히터 스프레더와 열적 접촉 상태로 배치된 광원과;
    상기 광원을 에워싸도록 배치되는 동시에 온도 변화에 따라 팽창 및 수축될 수 있고 상기 실질적으로 평탄한 표면으로의 접착에 의해서만 제한되는 밀폐체와;
    상기 디스플레이의 발광 효율을 증가시키기 위해 상기 히터 스프레더 및/또는 하나 이상의 밀폐체 상에 배치된 적어도 하나의 반사 요소를 포함하는 것인 광디스플레이.
  28. 발광 소자를 제조하는 방법으로서:
    실질적으로 평탄한 표면을 제공하는 단계와;
    실질적으로 평탄한 표면 상에 배치된 광원을 제공하는 단계와;
    상기 지지면 상에서 상기 광원 위로 배치되는 동시에 온도에 따라 팽창 및 수축될 수 있고 상기 평탄한 표면으로의 접착에 의해서만 제한되는 밀폐체를 제공하는 단계
    를 포함하는 것인 방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 발광 소자의 광 효율을 증가시키도록 배치된 제1의 반사 요소를 제공하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
  30. 제28항에 있어서, 상기 제1의 반사 요소를 제공하는 상기 단계는 상기 밀폐체의 베이스 상에 각이진 표면을 제공하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  31. 제28항에 있어서, 상기 각진 표면의 반사율을 증가시키도록 배치된 제2의 반사 요소를 제공하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
  32. 제31항에 있어서, 상기 제2의 반사 요소를 제공하는 상기 단계는 페인팅, 도금 및 증착 중 하나를 사용함으로써 반사 물질 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  33. 제29항에 있어서, 상기 제1의 반사 요소를 제공하는 단계는 상기 지지면에 대응하는 반사면을 지닌 히터 스프레더를 제공하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  34. 제28항에 있어서, 상기 밀폐체를 제공하는 단계는 밀폐체가 상기 광원을 기밀하게 밀봉시키고 상기 기밀한 봉인이 온도 변화에 따라 불변 상태로 남게 되도록 상기 밀폐체를 배치하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  35. 제28항에 있어서, 상기 밀폐체를 제공하는 단계는 상기 밀폐체와 광원의 상대 위치가 온도 변화에 따라 불변 상태로 남게 되도록 상기 밀폐체를 배치시키는 단계를 포함하는 것인 방법.
  36. 제28항에 있어서, 상기 지지면과 상기 밀폐체의 베이스에 인접한 장벽 영역을 배치하는 단계를 더 포함하며, 상기 장벽 영역은 상기 광원을 위한 봉인을 형성하는 것인 방법.
KR1020057020463A 2003-04-30 2004-04-28 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지 KR101148332B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US46719303P 2003-04-30 2003-04-30
US60/467,193 2003-04-30
PCT/US2004/013256 WO2004100279A2 (en) 2003-04-30 2004-04-28 High-power solid state light emitter package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060015543A true KR20060015543A (ko) 2006-02-17
KR101148332B1 KR101148332B1 (ko) 2012-05-25

Family

ID=33435034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057020463A KR101148332B1 (ko) 2003-04-30 2004-04-28 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9666772B2 (ko)
EP (3) EP2270887B1 (ko)
JP (2) JP2006525682A (ko)
KR (1) KR101148332B1 (ko)
CN (2) CN100502062C (ko)
CA (1) CA2523544A1 (ko)
TW (2) TWI484665B (ko)
WO (1) WO2004100279A2 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100705552B1 (ko) * 2006-06-30 2007-04-09 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
KR101028852B1 (ko) * 2008-03-26 2011-04-12 서울반도체 주식회사 사이드뷰 ｌｅｄ 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 모듈
KR20110111941A (ko) * 2010-04-06 2011-10-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR101461154B1 (ko) * 2012-08-24 2014-11-12 주식회사 씨티랩 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR101490862B1 (ko) * 2008-09-23 2015-02-09 주식회사 아모센스 엘이디 패키지 및 그 엘이디 패키지의 제조 방법

Families Citing this family (160)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7479662B2 (en) 2002-08-30 2009-01-20 Lumination Llc Coated LED with improved efficiency
WO2004100279A2 (en) 2003-04-30 2004-11-18 Cree, Inc. High-power solid state light emitter package
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7777235B2 (en) * 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US6803607B1 (en) * 2003-06-13 2004-10-12 Cotco Holdings Limited Surface mountable light emitting device
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
JP3987485B2 (ja) * 2003-12-25 2007-10-10 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクタ
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
KR100623024B1 (ko) * 2004-06-10 2006-09-19 엘지전자 주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지
US7855395B2 (en) * 2004-09-10 2010-12-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die
US7748873B2 (en) * 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
US7352011B2 (en) * 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US7452737B2 (en) * 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
KR100580753B1 (ko) * 2004-12-17 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
JP4634810B2 (ja) 2005-01-20 2011-02-16 信越化学工業株式会社 シリコーン封止型ｌｅｄ
WO2006112417A1 (ja) * 2005-04-15 2006-10-26 Asahi Glass Company, Limited ガラス封止発光素子、ガラス封止発光素子付き回路基板およびそれらの製造方法
JP4876685B2 (ja) * 2005-04-15 2012-02-15 旭硝子株式会社 ガラス封止発光素子の製造方法
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
KR101232505B1 (ko) * 2005-06-30 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법, 백라이트 유닛 및액정표시장치
KR100592508B1 (ko) * 2005-07-15 2006-06-26 한국광기술원 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지
JP2007059857A (ja) * 2005-07-25 2007-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュール及び投映型表示装置
JP4925346B2 (ja) * 2005-07-25 2012-04-25 パナソニック株式会社 発光装置
DE102005052356A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinheit mit Lumineszenzdiodenchip und Lichtleiter, Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungseinheit und LCD-Display
US7595515B2 (en) * 2005-10-24 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
CN101297411B (zh) * 2005-10-24 2010-05-19 3M创新有限公司 发光器件的制造方法及发光器件
US7614759B2 (en) 2005-12-22 2009-11-10 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
CN101432895B (zh) 2006-04-24 2012-09-05 克利公司 侧视表面安装式白光led
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
CN101427388B (zh) * 2006-04-24 2010-08-18 旭硝子株式会社 发光装置
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US7521727B2 (en) * 2006-04-26 2009-04-21 Rohm And Haas Company Light emitting device having improved light extraction efficiency and method of making same
US20070269586A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
DE102007021042A1 (de) * 2006-07-24 2008-01-31 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Leuchtdiodenmodul für Lichtquellenreihe
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8092735B2 (en) 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US7842960B2 (en) 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
EP2095437A4 (en) * 2006-11-15 2013-11-20 Univ California SPHERE LED WITH HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
JP2008159705A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
KR100834925B1 (ko) 2006-12-22 2008-06-03 (주) 아모센스 반도체 패키지의 제조방법
WO2008096714A1 (ja) * 2007-02-05 2008-08-14 Nikon Corporation 樹脂封止発光素子、平面状光源及びそれらの製造方法、並びに液晶表示装置
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP2008205170A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Nec Lighting Ltd 発光半導体デバイス
JP5179766B2 (ja) * 2007-03-08 2013-04-10 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
DE102007049799A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
CN101562221A (zh) * 2008-04-18 2009-10-21 富准精密工业(深圳)有限公司 侧面发光二极管
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
JP5336775B2 (ja) * 2008-06-11 2013-11-06 パナソニック株式会社 発光装置
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8390193B2 (en) * 2008-12-31 2013-03-05 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
TWI469402B (zh) * 2009-02-24 2015-01-11 Ind Tech Res Inst 發光二極體封裝結構
US8692274B2 (en) 2009-02-24 2014-04-08 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure
TWI413284B (zh) * 2009-02-24 2013-10-21 Ind Tech Res Inst 發光二極體封裝結構
US8576406B1 (en) 2009-02-25 2013-11-05 Physical Optics Corporation Luminaire illumination system and method
CN101866995B (zh) * 2009-04-16 2012-08-08 财团法人工业技术研究院 发光二极管封装结构
US8089075B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LFCC package with a reflector cup surrounded by a single encapsulant
US8101955B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. PLCC package with a reflector cup surrounded by an encapsulant
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US8207554B2 (en) * 2009-09-11 2012-06-26 Soraa, Inc. System and method for LED packaging
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
CN102630288B (zh) 2009-09-25 2015-09-09 科锐公司 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US8575642B1 (en) 2009-10-30 2013-11-05 Soraa, Inc. Optical devices having reflection mode wavelength material
KR100993072B1 (ko) * 2010-01-11 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US9293678B2 (en) * 2010-07-15 2016-03-22 Micron Technology, Inc. Solid-state light emitters having substrates with thermal and electrical conductivity enhancements and method of manufacture
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
US8896235B1 (en) 2010-11-17 2014-11-25 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
US8541951B1 (en) 2010-11-17 2013-09-24 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
US10147853B2 (en) 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
JP2012238830A (ja) * 2011-05-09 2012-12-06 Lumirich Co Ltd 発光ダイオード素子
US9488324B2 (en) 2011-09-02 2016-11-08 Soraa, Inc. Accessories for LED lamp systems
KR101168854B1 (ko) * 2011-10-10 2012-07-26 김영석 Ｌｅｄ 패키지의 제조방법
KR101186815B1 (ko) * 2011-10-10 2012-10-02 김영석 Ｌｅｄ 패키지
US9115868B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Intematix Corporation Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US8668366B2 (en) * 2011-12-07 2014-03-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Energy star compliant LED lamp
TW201338642A (zh) * 2012-03-14 2013-09-16 Walsin Lihwa Corp 承載發光二極體之基板及該基板之製造方法
TWI528596B (zh) * 2012-03-16 2016-04-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體封裝結構及其製造方法
US8985794B1 (en) 2012-04-17 2015-03-24 Soraa, Inc. Providing remote blue phosphors in an LED lamp
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US10468565B2 (en) 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces
US10424702B2 (en) * 2012-06-11 2019-09-24 Cree, Inc. Compact LED package with reflectivity layer
US20130329429A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Emitter package with integrated mixing chamber
US9887327B2 (en) * 2012-06-11 2018-02-06 Cree, Inc. LED package with encapsulant having curved and planar surfaces
US20130328074A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Led package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
US9818919B2 (en) 2012-06-11 2017-11-14 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
TW201411892A (zh) * 2012-09-14 2014-03-16 Lextar Electronics Corp 發光二極體
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US20140159084A1 (en) * 2012-12-12 2014-06-12 Cree, Inc. Led dome with improved color spatial uniformity
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
CN110085578B (zh) 2013-03-13 2023-05-05 亮锐控股有限公司 具有底部反射体的封装led透镜
WO2014151263A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Intematix Corporation Photoluminescence wavelength conversion components
USD735683S1 (en) * 2013-05-03 2015-08-04 Cree, Inc. LED package
CA3015068C (en) * 2013-05-10 2019-07-16 Abl Ip Holding Llc Silicone optics
JP6207236B2 (ja) * 2013-05-28 2017-10-04 三菱電機株式会社 点光源、面状光源装置および表示装置
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
TW201505134A (zh) * 2013-07-25 2015-02-01 Lingsen Precision Ind Ltd 光學模組的封裝結構
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
JP6318495B2 (ja) * 2013-08-07 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
USD758976S1 (en) * 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
JP6201617B2 (ja) * 2013-10-17 2017-09-27 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9976710B2 (en) 2013-10-30 2018-05-22 Lilibrand Llc Flexible strip lighting apparatus and methods
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
USD746240S1 (en) * 2013-12-30 2015-12-29 Cree, Inc. LED package
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
KR102222580B1 (ko) * 2014-07-30 2021-03-05 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
CN104296072A (zh) * 2014-10-09 2015-01-21 青岛海信电器股份有限公司 一种发光器件及背光源
USD762184S1 (en) * 2014-11-13 2016-07-26 Mitsubishi Electric Corporation Light emitting diode
USD826871S1 (en) * 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
US9696199B2 (en) 2015-02-13 2017-07-04 Taiwan Biophotonic Corporation Optical sensor
US9953797B2 (en) 2015-09-28 2018-04-24 General Electric Company Flexible flat emitter for X-ray tubes
WO2017156189A1 (en) 2016-03-08 2017-09-14 Lilibrand Llc Lighting system with lens assembly
JP1566954S (ko) * 2016-04-28 2017-01-16
TWI583086B (zh) * 2016-07-18 2017-05-11 華星光通科技股份有限公司 光發射器散熱結構及包含其的光發射器
CN106520050A (zh) * 2016-10-26 2017-03-22 安徽飞达电气科技有限公司 一种电容器灌封材料
DE102016125909A1 (de) 2016-12-30 2018-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil und Anschlussträger
WO2018140727A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Lilibrand Llc Lighting systems with high color rendering index and uniform planar illumination
US20180328552A1 (en) 2017-03-09 2018-11-15 Lilibrand Llc Fixtures and lighting accessories for lighting devices
JP1588923S (ko) * 2017-03-15 2017-10-23
JP6432656B2 (ja) * 2017-08-22 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110197867A (zh) * 2018-02-26 2019-09-03 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件及其制造方法
US11041609B2 (en) 2018-05-01 2021-06-22 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems and devices with central silicone module
US11353200B2 (en) 2018-12-17 2022-06-07 Korrus, Inc. Strip lighting system for direct input of high voltage driving power
JP7226131B2 (ja) * 2019-06-25 2023-02-21 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7460898B2 (ja) * 2020-04-24 2024-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (321)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2127239A5 (ko) * 1971-03-01 1972-10-13 Radiotechnique Compelec
JPS508494A (ko) * 1973-05-21 1975-01-28
JPS5371375A (en) 1976-12-08 1978-06-24 Schumacher Nihon Kk Filter for high pressure gas
JPS5722581Y2 (ko) * 1979-08-21 1982-05-17
US4476620A (en) * 1979-10-19 1984-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of making a gallium nitride light-emitting diode
DE3128187A1 (de) * 1981-07-16 1983-02-03 Joachim 8068 Pfaffenhofen Sieg Opto-elektronisches bauelement
JPS6016175A (ja) 1983-07-07 1985-01-26 Toshiba Corp 制御整流器のデイジタル制御装置
JPS6132483A (ja) 1984-07-24 1986-02-15 Kimura Denki Kk Ｌｅｄを用いた球状発光体
JPS6194362A (ja) 1984-10-15 1986-05-13 Mitsubishi Electric Corp サイリスタ装置
JPS61144890A (ja) 1984-12-19 1986-07-02 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプのレンズの製造方法
JPS6214481A (ja) 1985-07-12 1987-01-23 Saamobonitsuku:Kk 集熱媒体装置
JPS62143942A (ja) 1985-12-18 1987-06-27 Taihoo Kogyo Kk 防曇材
JP2520423B2 (ja) 1987-06-29 1996-07-31 エヌティエヌ株式会社 潤滑性ゴム組成物
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
JPH01230274A (ja) 1987-11-13 1989-09-13 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード
US5094185A (en) * 1987-11-24 1992-03-10 Lumel, Inc. Electroluminescent lamps and phosphors
JPH01139664A (ja) 1987-11-27 1989-06-01 Sanken Kagaku Kk 溶剤型粘着剤
JPH0770755B2 (ja) * 1988-01-21 1995-07-31 三菱化学株式会社 高輝度ｌｅｄ用エピタキシャル基板及びその製造方法
JPH01287973A (ja) 1988-05-13 1989-11-20 Takiron Co Ltd ドットマトリックス発光表示体
US4912532A (en) * 1988-08-26 1990-03-27 Hewlett-Packard Company Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same
US5087949A (en) * 1989-06-27 1992-02-11 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with diagonal faces
EP0405757A3 (en) 1989-06-27 1991-01-30 Hewlett-Packard Company High efficiency light-emitting diode
US5103271A (en) * 1989-09-28 1992-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US4946547A (en) * 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
JPH0644567B2 (ja) 1989-12-18 1994-06-08 株式会社日立製作所 半導体形状の改善方法
JPH04555A (ja) 1990-04-17 1992-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd データ処理装置
US5226052A (en) * 1990-05-08 1993-07-06 Rohm, Ltd. Laser diode system for cutting off the environment from the laser diode
JPH0428269A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Fujikura Ltd Ｌｅｄベアチップの実装構造
US5200022A (en) * 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
JP2765256B2 (ja) 1991-04-10 1998-06-11 日立電線株式会社 発光ダイオード
JPH06275866A (ja) 1993-03-19 1994-09-30 Fujitsu Ltd ポーラス半導体発光装置と製造方法
JPH05327012A (ja) 1992-05-15 1993-12-10 Sanyo Electric Co Ltd 炭化ケイ素発光ダイオード
JP3269668B2 (ja) 1992-09-18 2002-03-25 株式会社日立製作所 太陽電池
US5298767A (en) 1992-10-06 1994-03-29 Kulite Semiconductor Products, Inc. Porous silicon carbide (SiC) semiconductor device
JPH06177427A (ja) 1992-12-03 1994-06-24 Rohm Co Ltd 発光ダイオードランプ
US5376580A (en) * 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US5834570A (en) * 1993-06-08 1998-11-10 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Epoxy resin composition
JPH077180A (ja) 1993-06-16 1995-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
GB9320291D0 (en) 1993-10-01 1993-11-17 Brown John H Optical directing devices for light emitting diodes
JPH08148280A (ja) * 1994-04-14 1996-06-07 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2994219B2 (ja) * 1994-05-24 1999-12-27 シャープ株式会社 半導体デバイスの製造方法
EP0705856A2 (en) * 1994-10-07 1996-04-10 Shell Internationale Researchmaatschappij B.V. Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JP3127195B2 (ja) 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
US5614734A (en) * 1995-03-15 1997-03-25 Yale University High efficency LED structure
JP3792268B2 (ja) 1995-05-23 2006-07-05 ローム株式会社 チップタイプ発光装置の製造方法
JPH0983018A (ja) 1995-09-11 1997-03-28 Nippon Denyo Kk 発光ダイオードユニット
JPH09153646A (ja) * 1995-09-27 1997-06-10 Toshiba Corp 光半導体装置およびその製造方法
US5851449A (en) * 1995-09-27 1998-12-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a surface-mounted type optical semiconductor device
JPH09138402A (ja) 1995-11-15 1997-05-27 Kouha:Kk 液晶表示装置照明用ｌｅｄバックライト装置
JP3311914B2 (ja) 1995-12-27 2002-08-05 株式会社シチズン電子 チップ型発光ダイオード
US5985687A (en) 1996-04-12 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials
US20040239243A1 (en) 1996-06-13 2004-12-02 Roberts John K. Light emitting assembly
US5803579A (en) 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
US6550949B1 (en) * 1996-06-13 2003-04-22 Gentex Corporation Systems and components for enhancing rear vision from a vehicle
JPH1012929A (ja) 1996-06-25 1998-01-16 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードの実装構造
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
CN1264228C (zh) * 1996-06-26 2006-07-12 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 发光半导体器件、全色发光二极管显示装置及其应用
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
DE19640594B4 (de) * 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
JPH10163535A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JP3065263B2 (ja) 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたｌｅｄ表示器
CN1126001C (zh) 1997-02-13 2003-10-29 联合讯号公司 具有光循环以增强亮度的照明系统
JPH10233532A (ja) 1997-02-21 1998-09-02 Houshin Kagaku Sangiyoushiyo:Kk 発光ダイオード
JP3985065B2 (ja) 1997-05-14 2007-10-03 忠弘 大見 多孔質シリコン基板の形成方法及び多孔質シリコン基板の形成装置
US5939732A (en) * 1997-05-22 1999-08-17 Kulite Semiconductor Products, Inc. Vertical cavity-emitting porous silicon carbide light-emitting diode device and preparation thereof
US6784463B2 (en) 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
JPH1126808A (ja) 1997-07-09 1999-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子およびその製造方法
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
JP3663281B2 (ja) 1997-07-15 2005-06-22 ローム株式会社 半導体発光素子
US7014336B1 (en) * 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
JPH11224960A (ja) * 1997-11-19 1999-08-17 Unisplay Sa Ｌｅｄランプ並びにｌｅｄチップ
JPH11177129A (ja) 1997-12-16 1999-07-02 Rohm Co Ltd チップ型ｌｅｄ、ｌｅｄランプおよびｌｅｄディスプレイ
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
JPH11220178A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
DE19813269A1 (de) * 1998-03-25 1999-09-30 Hoechst Diafoil Gmbh Siegelfähige Polyesterfolie mit hoher Sauerstoffbarriere, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
JP3704941B2 (ja) 1998-03-30 2005-10-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4319265B2 (ja) * 1998-04-22 2009-08-26 株式会社デンソー 厚膜回路基板の焼成方法
DE19829197C2 (de) 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US6225647B1 (en) * 1998-07-27 2001-05-01 Kulite Semiconductor Products, Inc. Passivation of porous semiconductors for improved optoelectronic device performance and light-emitting diode based on same
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
EP1115163A4 (en) 1998-09-10 2001-12-05 Rohm Co Ltd SEMICONDUCTOR LEDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
JP3525061B2 (ja) 1998-09-25 2004-05-10 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
DE69937993C5 (de) * 1998-09-28 2019-01-10 Koninklijke Philips N.V. Beleuchtungsanordnung
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP3469484B2 (ja) 1998-12-24 2003-11-25 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
US6744800B1 (en) * 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
US6212213B1 (en) * 1999-01-29 2001-04-03 Agilent Technologies, Inc. Projector light source utilizing a solid state green light source
US20010042866A1 (en) 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
US6320206B1 (en) * 1999-02-05 2001-11-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks
US6521916B2 (en) 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6258699B1 (en) * 1999-05-10 2001-07-10 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Light emitting diode with a permanent subtrate of transparent glass or quartz and the method for manufacturing the same
US6222207B1 (en) * 1999-05-24 2001-04-24 Lumileds Lighting, U.S. Llc Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
US6489637B1 (en) * 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
EP1065734B1 (en) 1999-06-09 2009-05-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof.
EP1059667A3 (en) * 1999-06-09 2007-07-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
JP2000353826A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置および光照射装置
US6548832B1 (en) * 1999-06-09 2003-04-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
JP2001000043A (ja) 1999-06-18 2001-01-09 Mitsubishi Chemicals Corp 栽培用光源
KR100425566B1 (ko) * 1999-06-23 2004-04-01 가부시키가이샤 시티즌 덴시 발광 다이오드
DE19931689A1 (de) * 1999-07-08 2001-01-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Optoelektronische Bauteilgruppe
DE19952932C1 (de) * 1999-11-03 2001-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit breitbandiger Anregung
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6410942B1 (en) * 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
US6350041B1 (en) * 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
WO2001041225A2 (en) 1999-12-03 2001-06-07 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
JP2001177153A (ja) 1999-12-17 2001-06-29 Sharp Corp 発光装置
US6573537B1 (en) * 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
JP2000315826A (ja) 2000-01-01 2000-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその形成方法、砲弾型発光ダイオード、チップタイプｌｅｄ
JP3696021B2 (ja) 2000-01-20 2005-09-14 三洋電機株式会社 光照射装置
TW465123B (en) 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
JP2001223388A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
US6680568B2 (en) * 2000-02-09 2004-01-20 Nippon Leiz Corporation Light source
DE10008583A1 (de) * 2000-02-24 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optisch transparenten Substrates und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterchips
US6538371B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
JP4060511B2 (ja) * 2000-03-28 2008-03-12 パイオニア株式会社 窒化物半導体素子の分離方法
JP2003533030A (ja) 2000-04-26 2003-11-05 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ＧａＮをベースとする発光ダイオードチップおよび発光ダイオード構造素子の製造法
US20020011192A1 (en) * 2000-05-09 2002-01-31 Yuji Tachizuka Moisture conditioning building material and its production method
US6534346B2 (en) 2000-05-16 2003-03-18 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass and glass tube for encapsulating semiconductors
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP4386693B2 (ja) 2000-05-31 2009-12-16 パナソニック株式会社 Ｌｅｄランプおよびランプユニット
JP2001345485A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
GB0015898D0 (en) * 2000-06-28 2000-08-23 Oxley Dev Co Ltd Light
US6562648B1 (en) * 2000-08-23 2003-05-13 Xerox Corporation Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials
JP2002076443A (ja) 2000-08-29 2002-03-15 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄチップ用反射カップ
DE10042947A1 (de) * 2000-08-31 2002-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
JP3466144B2 (ja) 2000-09-22 2003-11-10 士郎 酒井 半導体の表面を荒くする方法
JP4565723B2 (ja) 2000-09-26 2010-10-20 ローム株式会社 半導体発光装置
US6429460B1 (en) * 2000-09-28 2002-08-06 United Epitaxy Company, Ltd. Highly luminous light emitting device
US6998281B2 (en) 2000-10-12 2006-02-14 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics
WO2002035612A1 (en) * 2000-10-20 2002-05-02 Josuke Nakata Light-emitting or light-receiving semiconductor device and method for fabricating the same
JP4091261B2 (ja) * 2000-10-31 2008-05-28 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
WO2002041364A2 (en) 2000-11-16 2002-05-23 Emcore Corporation Led packages having improved light extraction
JP5110744B2 (ja) 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6930737B2 (en) 2001-01-16 2005-08-16 Visteon Global Technologies, Inc. LED backlighting system
JP2002217450A (ja) 2001-01-22 2002-08-02 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
MY131962A (en) 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
JP2002261333A (ja) 2001-03-05 2002-09-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP3830083B2 (ja) 2001-03-07 2006-10-04 スタンレー電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4430264B2 (ja) 2001-03-19 2010-03-10 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光装置
US6468824B2 (en) 2001-03-22 2002-10-22 Uni Light Technology Inc. Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate
JP2003115204A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Toyoda Gosei Co Ltd 遮光反射型デバイス及び光源
US6833566B2 (en) * 2001-03-28 2004-12-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode with heat sink
JP2002289923A (ja) 2001-03-28 2002-10-04 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2002299699A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US6686676B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
JP3940596B2 (ja) 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
EP1596443B1 (en) 2001-05-29 2015-04-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element
JP3767420B2 (ja) 2001-05-29 2006-04-19 豊田合成株式会社 発光素子
JP4789350B2 (ja) 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP4098568B2 (ja) 2001-06-25 2008-06-11 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP2003017756A (ja) 2001-06-28 2003-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
DE10131698A1 (de) 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3548735B2 (ja) * 2001-06-29 2004-07-28 士郎 酒井 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP2003036707A (ja) 2001-07-25 2003-02-07 Sanyo Electric Co Ltd 照明装置とその製造方法
JP2003037297A (ja) 2001-07-25 2003-02-07 Sanyo Electric Co Ltd 光照射装置とその製造方法及びその光照射装置を用いた照明装置
JP4122737B2 (ja) 2001-07-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
JP2003110146A (ja) 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
US20030030063A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Krzysztof Sosniak Mixed color leds for auto vanity mirrors and other applications where color differentiation is critical
JP2003046117A (ja) 2001-07-30 2003-02-14 Kyocera Corp 半導体発光素子の製造方法
JP4147755B2 (ja) 2001-07-31 2008-09-10 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
DE10137641A1 (de) 2001-08-03 2003-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Hybrid-LED
TW506145B (en) 2001-10-04 2002-10-11 United Epitaxy Co Ltd High Luminescence LED having transparent substrate flip-chip type LED die
US6498355B1 (en) 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
JP3905343B2 (ja) * 2001-10-09 2007-04-18 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US6610598B2 (en) 2001-11-14 2003-08-26 Solidlite Corporation Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens
US6552495B1 (en) * 2001-12-19 2003-04-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Adaptive control system and method with spatial uniform color metric for RGB LED based white light illumination
JP4077312B2 (ja) 2001-12-28 2008-04-16 株式会社東芝 発光素子の製造方法および発光素子
TW520616B (en) 2001-12-31 2003-02-11 Ritdisplay Corp Manufacturing method of organic surface light emitting device
US6480389B1 (en) * 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
JP3802424B2 (ja) 2002-01-15 2006-07-26 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US6936855B1 (en) * 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
JP3782357B2 (ja) 2002-01-18 2006-06-07 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
EP2105977B1 (en) 2002-01-28 2014-06-25 Nichia Corporation Nitride semiconductor element with supporting substrate and method for producing nitride semiconductor element
CN2535926Y (zh) 2002-02-08 2003-02-12 陈巧 发光二极管封装结构
JP2003234509A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
KR200277135Y1 (ko) 2002-03-04 2002-05-30 주식회사 토우그린 레이저 안개등
US6716654B2 (en) 2002-03-12 2004-04-06 Opto Tech Corporation Light-emitting diode with enhanced brightness and method for fabricating the same
SG173925A1 (en) * 2002-03-22 2011-09-29 Nichia Corp Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
JP2003347601A (ja) 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード照明装置
JP3707688B2 (ja) 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2004031856A (ja) 2002-06-28 2004-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ＺｎＳｅ系発光装置およびその製造方法
JP4197109B2 (ja) 2002-08-06 2008-12-17 静雄 藤田 照明装置
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP3991961B2 (ja) 2002-09-05 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 側面発光型発光装置
TWI292961B (en) 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
JP4349782B2 (ja) 2002-09-11 2009-10-21 東芝ライテック株式会社 Ｌｅｄ照明装置
TW546859B (en) 2002-09-20 2003-08-11 Formosa Epitaxy Inc Structure and manufacturing method of GaN light emitting diode
JP2004119839A (ja) 2002-09-27 2004-04-15 Toshiba Corp 光半導体装置及びその製造方法
JP2004127988A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
US6784460B2 (en) * 2002-10-10 2004-08-31 Agilent Technologies, Inc. Chip shaping for flip-chip light emitting diode
US7009199B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
JP4277508B2 (ja) 2002-10-28 2009-06-10 パナソニック電工株式会社 半導体発光装置
TW569479B (en) * 2002-12-20 2004-01-01 Ind Tech Res Inst White-light LED applying omnidirectional reflector
US7091653B2 (en) * 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
JP2004238441A (ja) 2003-02-04 2004-08-26 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用樹脂
US6786390B2 (en) 2003-02-04 2004-09-07 United Epitaxy Company Ltd. LED stack manufacturing method and its structure thereof
US6936857B2 (en) * 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
JP2004266124A (ja) 2003-03-03 2004-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP4182783B2 (ja) * 2003-03-14 2008-11-19 豊田合成株式会社 Ｌｅｄパッケージ
JP4504662B2 (ja) 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄランプ
US6964507B2 (en) 2003-04-25 2005-11-15 Everbrite, Llc Sign illumination system
DE10319274A1 (de) * 2003-04-29 2004-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle
WO2004100279A2 (en) 2003-04-30 2004-11-18 Cree, Inc. High-power solid state light emitter package
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US6869812B1 (en) * 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
JP2004356116A (ja) 2003-05-26 2004-12-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
KR20060059891A (ko) 2003-06-04 2006-06-02 유명철 수직 구조 화합물 반도체 디바이스의 제조 방법
JP4374913B2 (ja) 2003-06-05 2009-12-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3878579B2 (ja) 2003-06-11 2007-02-07 ローム株式会社 光半導体装置
JP4085899B2 (ja) 2003-06-30 2008-05-14 日立エーアイシー株式会社 発光デバイス用基板および発光デバイス
DE102004001312B4 (de) 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP4360858B2 (ja) 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型ｌｅｄ及びそれを用いた発光装置
US6923002B2 (en) 2003-08-28 2005-08-02 General Electric Company Combustion liner cap assembly for combustion dynamics reduction
US6806112B1 (en) 2003-09-22 2004-10-19 National Chung-Hsing University High brightness light emitting diode
KR100808705B1 (ko) 2003-09-30 2008-02-29 가부시끼가이샤 도시바 발광장치
US6972438B2 (en) 2003-09-30 2005-12-06 Cree, Inc. Light emitting diode with porous SiC substrate and method for fabricating
JP2005109212A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
KR20050034936A (ko) 2003-10-10 2005-04-15 삼성전기주식회사 형광체를 이용한 파장변환형 발광 다이오드 패키지 및제조방법
JP2005123238A (ja) 2003-10-14 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置の製造方法および半導体発光装置
US20050082562A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-21 Epistar Corporation High efficiency nitride based light emitting device
JP4458804B2 (ja) * 2003-10-17 2010-04-28 シチズン電子株式会社 白色ｌｅｄ
US6841804B1 (en) * 2003-10-27 2005-01-11 Formosa Epitaxy Incorporation Device of white light-emitting diode
JP4590905B2 (ja) 2003-10-31 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光素子および発光装置
JP2005142311A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Tzu-Chi Cheng 発光装置
JP4124102B2 (ja) 2003-11-12 2008-07-23 松下電工株式会社 多重反射防止構造を備えた発光素子とその製造方法
WO2005050748A1 (ja) 2003-11-19 2005-06-02 Nichia Corporation 半導体素子及びその製造方法
JP2005166937A (ja) 2003-12-02 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005166941A (ja) 2003-12-02 2005-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置およびその製造方法、並びにその発光装置を用いた照明モジュールと照明装置
JP2005191530A (ja) 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2005167079A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US7095056B2 (en) * 2003-12-10 2006-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. White light emitting device and method
JP4289144B2 (ja) 2003-12-15 2009-07-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US7066623B2 (en) * 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
JP2005191192A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Kyocera Corp 発光素子搭載用基板および発光装置
JP4637478B2 (ja) 2003-12-26 2011-02-23 日本パイオニクス株式会社 気相成長装置
JP4622253B2 (ja) 2004-01-22 2011-02-02 日亜化学工業株式会社 発光デバイス及びその製造方法
JP4530739B2 (ja) 2004-01-29 2010-08-25 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板および発光装置
JP2005268770A (ja) * 2004-02-19 2005-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 白色発光素子及び白色光源
JP2005266124A (ja) 2004-03-17 2005-09-29 Sharp Corp 粉体排出装置及び画像形成装置
US7009285B2 (en) 2004-03-19 2006-03-07 Lite-On Technology Corporation Optoelectronic semiconductor component
US7517728B2 (en) 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7419912B2 (en) 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
JP2005294736A (ja) 2004-04-05 2005-10-20 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP4228303B2 (ja) 2004-04-12 2009-02-25 住友電気工業株式会社 半導体発光素子搭載部材と、それを用いた半導体発光装置
JP4665209B2 (ja) 2004-04-15 2011-04-06 スタンレー電気株式会社 平面照射型ｌｅｄ
WO2005104236A2 (en) 2004-04-15 2005-11-03 Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
JP4128564B2 (ja) 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
US7315119B2 (en) 2004-05-07 2008-01-01 Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
KR100586968B1 (ko) 2004-05-28 2006-06-08 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치용 백라이트어셈블리
JP2005353816A (ja) 2004-06-10 2005-12-22 Olympus Corp 発光デバイス、発光デバイスの製造方法、発光デバイスを用いた照明装置、及び、プロジェクタ
WO2005124877A2 (en) 2004-06-18 2005-12-29 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Led with improve light emittance profile
US7255469B2 (en) * 2004-06-30 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a light guide and an interference reflector
US7795623B2 (en) 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
US7375380B2 (en) 2004-07-12 2008-05-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
TWI274209B (en) * 2004-07-16 2007-02-21 Chi Lin Technology Co Ltd Light emitting diode and backlight module having light emitting diode
JP2006036930A (ja) 2004-07-27 2006-02-09 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用樹脂
JP4817629B2 (ja) 2004-09-15 2011-11-16 京セラ株式会社 発光素子およびその発光素子を用いた照明装置
KR100524098B1 (ko) 2004-09-10 2005-10-26 럭스피아 주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US8174037B2 (en) 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US8513686B2 (en) 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
US7633097B2 (en) * 2004-09-23 2009-12-15 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Growth of III-nitride light emitting devices on textured substrates
US7554126B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting element, manufacturing method and mounting method of the same and light-emitting device
JP2006114909A (ja) 2004-10-14 2006-04-27 Agilent Technol Inc フラッシュ・モジュール
US7462502B2 (en) 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7858408B2 (en) 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
KR100638666B1 (ko) * 2005-01-03 2006-10-30 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
US7413918B2 (en) 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
JP2006216717A (ja) 2005-02-02 2006-08-17 Harvatek Corp ウエハーレベル電気光学半導体組立構造およびその製造方法
JP4715227B2 (ja) 2005-02-21 2011-07-06 パナソニック株式会社 半導体発光装置の製造方法
WO2006099741A1 (en) 2005-03-24 2006-09-28 Tir Systems Ltd. Solid-state lighting device package
JP2006278675A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 Toshiba Corp 半導体発光装置
US7244630B2 (en) 2005-04-05 2007-07-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc A1InGaP LED having reduced temperature dependence
WO2006112417A1 (ja) * 2005-04-15 2006-10-26 Asahi Glass Company, Limited ガラス封止発光素子、ガラス封止発光素子付き回路基板およびそれらの製造方法
WO2006116030A2 (en) 2005-04-21 2006-11-02 Aonex Technologies, Inc. Bonded intermediate substrate and method of making same
TWM277882U (en) 2005-05-31 2005-10-11 Sheng-Li Yang Diffusion type light source structure
JP2006339362A (ja) 2005-06-01 2006-12-14 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板
US7348212B2 (en) 2005-09-13 2008-03-25 Philips Lumileds Lighting Company Llc Interconnects for semiconductor light emitting devices
KR100638868B1 (ko) 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
JP2007005091A (ja) 2005-06-22 2007-01-11 Mitsubishi Rayon Co Ltd 線状発光素子アレイ
JP2007080885A (ja) 2005-09-09 2007-03-29 New Japan Chem Co Ltd 光半導体用封止剤、光半導体及びその製造方法
DE102006032416A1 (de) 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
JP4863682B2 (ja) 2005-10-17 2012-01-25 日東電工株式会社 光半導体素子封止用シート
US7514721B2 (en) 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device
US7213940B1 (en) * 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
US7614759B2 (en) 2005-12-22 2009-11-10 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
WO2007073001A1 (en) 2005-12-22 2007-06-28 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabricant thereof
JP2007180430A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
WO2007096405A1 (de) 2006-02-23 2007-08-30 Azzurro Semiconductors Ag Nitridhalbleiter-bauelement und verfahren zu seiner herstellung
JP5357379B2 (ja) 2006-02-23 2013-12-04 パナソニック株式会社 発光装置
US7682850B2 (en) 2006-03-17 2010-03-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc White LED for backlight with phosphor plates
US7364338B2 (en) * 2006-03-29 2008-04-29 Tpo Displays Corp. Systems for providing backlight module with stacked light source
JP2007273763A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
CN101432895B (zh) * 2006-04-24 2012-09-05 克利公司 侧视表面安装式白光led
TWI306674B (en) 2006-04-28 2009-02-21 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
US7626210B2 (en) 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
US8080828B2 (en) 2006-06-09 2011-12-20 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED with window layer and phosphor layer
KR100809210B1 (ko) 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP4458116B2 (ja) 2007-05-30 2010-04-28 住友電気工業株式会社 エピタキシャル層成長用ｉｉｉ族窒化物半導体層貼り合わせ基板および半導体デバイス
DE102007046743A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US20090173958A1 (en) * 2008-01-04 2009-07-09 Cree, Inc. Light emitting devices with high efficiency phospor structures
JP5388666B2 (ja) * 2008-04-21 2014-01-15 キヤノン株式会社 面発光レーザ
JP5371375B2 (ja) 2008-10-30 2013-12-18 三菱レイヨン・テキスタイル株式会社 ワイピング用布帛
US20110018013A1 (en) * 2009-07-21 2011-01-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Thin-film flip-chip series connected leds
US8896197B2 (en) 2010-05-13 2014-11-25 Cree, Inc. Lighting device and method of making
US9240395B2 (en) 2010-11-30 2016-01-19 Cree Huizhou Opto Limited Waterproof surface mount device package and method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100705552B1 (ko) * 2006-06-30 2007-04-09 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
KR101028852B1 (ko) * 2008-03-26 2011-04-12 서울반도체 주식회사 사이드뷰 ｌｅｄ 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 모듈
KR101490862B1 (ko) * 2008-09-23 2015-02-09 주식회사 아모센스 엘이디 패키지 및 그 엘이디 패키지의 제조 방법
KR20110111941A (ko) * 2010-04-06 2011-10-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR101461154B1 (ko) * 2012-08-24 2014-11-12 주식회사 씨티랩 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP2270887A1 (en) 2011-01-05
TW200501458A (en) 2005-01-01
EP1620903B1 (en) 2017-08-16
EP1620903A2 (en) 2006-02-01
CN100502062C (zh) 2009-06-17
WO2004100279A2 (en) 2004-11-18
TWI484665B (zh) 2015-05-11
US9666772B2 (en) 2017-05-30
EP2264798B1 (en) 2020-10-14
JP2006525682A (ja) 2006-11-09
KR101148332B1 (ko) 2012-05-25
CN101556985A (zh) 2009-10-14
CN101556985B (zh) 2017-06-09
CN1809934A (zh) 2006-07-26
EP2270887B1 (en) 2020-01-22
JP2012064962A (ja) 2012-03-29
TW201306326A (zh) 2013-02-01
TWI487149B (zh) 2015-06-01
EP2264798A1 (en) 2010-12-22
US20040227149A1 (en) 2004-11-18
CA2523544A1 (en) 2004-11-18
WO2004100279A3 (en) 2005-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101148332B1 (ko) 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US8669572B2 (en) Power lamp package
JP5271509B2 (ja) 気泡なくレンズを配置するための内部メニスカスを備えた発光ダイオードパッケージ要素
JP5140711B2 (ja) １つの小さい設置面積を有するｌｅｄパッケージダイ
KR101247426B1 (ko) 발광다이오드 램프 및 발광다이오드 장치 제조 방법
TWI382561B (zh) 附有反射透鏡之功率發光二極體封裝及其製造方法
US8324646B2 (en) Chip coated light emitting diode package and manufacturing method thereof
US20070205425A1 (en) Semiconductor light-emitting device
KR100653645B1 (ko) 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법
US20060049423A1 (en) Light-emitting device
JP2002543594A (ja) レンズ付ｌｅｄ光源
JP2002208739A (ja) 半導体装置、およびその製造方法
KR100780182B1 (ko) 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2006156662A (ja) 発光装置
JP2008172140A (ja) ハウジングと上部の硬質保護材の間に緩衝材を持つ発光装置
KR100867516B1 (ko) 발광소자 패키지
KR100862515B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20090103292A (ko) Ｌｅｄ 패키지
KR100878398B1 (ko) 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100609224B1 (ko) 반도체 레이저광 방출장치
KR200389502Y1 (ko) 베이스 프레임과 이를 이용한 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150416

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160419

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170420

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180417

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190417

Year of fee payment: 8