JPS6194362A - サイリスタ装置 - Google Patents
サイリスタ装置Info
- Publication number
- JPS6194362A JPS6194362A JP59215652A JP21565284A JPS6194362A JP S6194362 A JPS6194362 A JP S6194362A JP 59215652 A JP59215652 A JP 59215652A JP 21565284 A JP21565284 A JP 21565284A JP S6194362 A JPS6194362 A JP S6194362A
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- JP
- Japan
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- thyristor
- conductive plate
- electrodes
- plate
- external circuit
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はサイリスタを外来サージから保護する保護装
置を備えたサイリスタ装置に関する。
置を備えたサイリスタ装置に関する。
第2図は従来のサイリスタ装置を示すブロック接続図で
あり、図において、1はサイリスタ、2は接続導体3,
4によりサイリスタIK並列接続した保護素子、5はサ
イリスタ1によって制御される制御対象で、この制御対
象5とサイリスタ1とは接続導体6.7によって接続さ
れている。また、上記の保護素子2はいわゆるサージ吸
収回路を構成し、10回路や非線形素子としてのアバラ
ンシェ・ダイオードなどが用いられ、特に制御対象がモ
ータなどの誘導負荷である場合にはフライホイールダイ
オードなどが用いられる。さらに、接続導体3.4.6
.7には一定の耐電流容量のリードまたはケーブルが用
いられる。
あり、図において、1はサイリスタ、2は接続導体3,
4によりサイリスタIK並列接続した保護素子、5はサ
イリスタ1によって制御される制御対象で、この制御対
象5とサイリスタ1とは接続導体6.7によって接続さ
れている。また、上記の保護素子2はいわゆるサージ吸
収回路を構成し、10回路や非線形素子としてのアバラ
ンシェ・ダイオードなどが用いられ、特に制御対象がモ
ータなどの誘導負荷である場合にはフライホイールダイ
オードなどが用いられる。さらに、接続導体3.4.6
.7には一定の耐電流容量のリードまたはケーブルが用
いられる。
次に1動作について述べる。いま、雷サージやスイッチ
開閉時に生じるサージあるいは制御対象5の短絡事故に
より、この制御対象5を経由しであるいは制御対象5自
体から、サージ電圧が接続導体6.7を通じてサイリス
タ1に達した場合、保護回路2はそのサージ電圧を吸収
し、サイリスタ1の破壊を防止する。
開閉時に生じるサージあるいは制御対象5の短絡事故に
より、この制御対象5を経由しであるいは制御対象5自
体から、サージ電圧が接続導体6.7を通じてサイリス
タ1に達した場合、保護回路2はそのサージ電圧を吸収
し、サイリスタ1の破壊を防止する。
従来の保護装置を備えたサイリスタ装置は以上のように
構成されているので、サイリスタ1と保護装置2とを接
続するリード線やケーブルなどの接続導体3,4には、
制御対象5側から進入してきたサージ電流が流れ、この
接続導体3,4に近接する電気回路に誘導障害を生じさ
せる危険があり、この誘導障害対策のため江上記電気向
路罠別途誘導障害対策を施す必要が生じるという問題が
あった。また、サイリスタ1、保護回路2および接続導
体3.4.6.7を含めた装置全体の占有スペースが大
きくなるという問題点もあった。
構成されているので、サイリスタ1と保護装置2とを接
続するリード線やケーブルなどの接続導体3,4には、
制御対象5側から進入してきたサージ電流が流れ、この
接続導体3,4に近接する電気回路に誘導障害を生じさ
せる危険があり、この誘導障害対策のため江上記電気向
路罠別途誘導障害対策を施す必要が生じるという問題が
あった。また、サイリスタ1、保護回路2および接続導
体3.4.6.7を含めた装置全体の占有スペースが大
きくなるという問題点もあった。
この発明は上記のような従来のものの問題点を除去する
ためになされたもので、サイリスタと保護回路とを結ぶ
接続導体をできるだけ少くして、外部回路へのサージ電
流による誘導障害を抑制するとともに装置の小形化が図
ることができるサイリスタ装置を提供することを目的と
する。
ためになされたもので、サイリスタと保護回路とを結ぶ
接続導体をできるだけ少くして、外部回路へのサージ電
流による誘導障害を抑制するとともに装置の小形化が図
ることができるサイリスタ装置を提供することを目的と
する。
この発明にかかるサイリスク装置はサイリスタおよび保
護装置を2平面が電極となる平板状となし、これらのサ
イリスタおよび保護装置の各1の電極間にこれらの電極
を電気的に接続する導電板を挟み込んだものである。
護装置を2平面が電極となる平板状となし、これらのサ
イリスタおよび保護装置の各1の電極間にこれらの電極
を電気的に接続する導電板を挟み込んだものである。
この発明においては、導電板がサイリスタの一方の電極
と保護装置の一方の電極とを極めて短かい距離で継いで
いるから、導電板が外部回路に接近する機会がなくなり
、この導電板から外部に誘導障害を生じさせることがな
くなる。また、各電極どうしはリードやケーブルで結ば
ないので、これらのための余分の占有スペースを装置内
に設ける必要がなくなり、サイリスタ装置全体の小形化
が図れる。
と保護装置の一方の電極とを極めて短かい距離で継いで
いるから、導電板が外部回路に接近する機会がなくなり
、この導電板から外部に誘導障害を生じさせることがな
くなる。また、各電極どうしはリードやケーブルで結ば
ないので、これらのための余分の占有スペースを装置内
に設ける必要がなくなり、サイリスタ装置全体の小形化
が図れる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、11は平板状のサイリスクで、これの2面
が電極をなす。12は平板状の保護装置としての保護素
子で、これの2面が電極をなす。また、このサイリスタ
11と保護素子12の、回路上共通に接続される各1の
電極間には、薄い銅やアルミの導電板13が挟み込まれ
ている。
図において、11は平板状のサイリスクで、これの2面
が電極をなす。12は平板状の保護装置としての保護素
子で、これの2面が電極をなす。また、このサイリスタ
11と保護素子12の、回路上共通に接続される各1の
電極間には、薄い銅やアルミの導電板13が挟み込まれ
ている。
14はコ字状の加圧部材で、サイリスタ11と保護素子
12の他の電極側に接して、これらを導電板13に密接
させて、電気伝導性が良好になるように保持している。
12の他の電極側に接して、これらを導電板13に密接
させて、電気伝導性が良好になるように保持している。
なお、3は上記他の電極どうしを結ぶ上記同様の接続導
体、6,7は制御対象5をサイリスタ11に接続する上
記同様の接続導体である。
体、6,7は制御対象5をサイリスタ11に接続する上
記同様の接続導体である。
次に動作について説明する。かかるサイリスタ装置にあ
っても、制御対象側からサージ電圧がサイリスタ11に
達した場合に保護素子12は導電板13を通じてこのサ
ージ電圧を吸収し、サイリスタ11を保護する。また、
この導電板13は薄い導電膜のようなものにすることも
できる。したがって、導電板13は第1図に示す長尺の
接続導体4に代わるものであるが、これが極めて短かく
外部回路に接近したり空中線作用を持つことがないため
、外部回路へスイッチングサージ等にもとづ(誘導障害
を及ぼすことがなくなる。また、従来の接続導体4の省
略による占有空間の狭、J\化、装置の小形化が図れる
という利点が得られる。
っても、制御対象側からサージ電圧がサイリスタ11に
達した場合に保護素子12は導電板13を通じてこのサ
ージ電圧を吸収し、サイリスタ11を保護する。また、
この導電板13は薄い導電膜のようなものにすることも
できる。したがって、導電板13は第1図に示す長尺の
接続導体4に代わるものであるが、これが極めて短かく
外部回路に接近したり空中線作用を持つことがないため
、外部回路へスイッチングサージ等にもとづ(誘導障害
を及ぼすことがなくなる。また、従来の接続導体4の省
略による占有空間の狭、J\化、装置の小形化が図れる
という利点が得られる。
なお、上記実施例では、従来の接続導体4を省いて導電
板13を使ったのであるが、接続導体3をも省いて加圧
部材14自体を導電材料とすることにより、より一層の
省スペースタイプの小形サイリスタ装置とすることがで
きる。
板13を使ったのであるが、接続導体3をも省いて加圧
部材14自体を導電材料とすることにより、より一層の
省スペースタイプの小形サイリスタ装置とすることがで
きる。
以上のように、この発明によれば、サイリスタと保護装
置とを導電板とともに積み重ね、サイリスタと保護装置
の対応する電極どうしを短距離で電気的に接続する構成
としたので、その電極どうしを結ぶ回路(導電板)から
のサージ雑音の放射を防止でき、外部回路への誘導障害
を防止できるほか、サイリスタ装置全体の所要スペース
を縮小できる効果がある。
置とを導電板とともに積み重ね、サイリスタと保護装置
の対応する電極どうしを短距離で電気的に接続する構成
としたので、その電極どうしを結ぶ回路(導電板)から
のサージ雑音の放射を防止でき、外部回路への誘導障害
を防止できるほか、サイリスタ装置全体の所要スペース
を縮小できる効果がある。
第1図は本考案の一実施例によるサイリスク装置を示す
ブロック接続図、第2図は従来のサイリスタ装置のブロ
ック接続図である。 3.6.7・・・接続導体、5・・・制御対象、11・
・・サイリスタ、12・・・保護装置、13・・・導電
板、14・・・加圧部材。 特許出願人 三菱電機株式会社 手続補正書(自発) 昭和60゛年1−L 日
ブロック接続図、第2図は従来のサイリスタ装置のブロ
ック接続図である。 3.6.7・・・接続導体、5・・・制御対象、11・
・・サイリスタ、12・・・保護装置、13・・・導電
板、14・・・加圧部材。 特許出願人 三菱電機株式会社 手続補正書(自発) 昭和60゛年1−L 日
Claims (2)
- (1)サイリスタの極間に進入するサージを制限する保
護装置を、上記サイリスタに並列接続してなるサイリス
タ装置において、上記サイリスタおよび保護装置はそれ
ぞれ2平面が電極をなすように平板状に形成され、これ
らのサイリスタおよび保護装置の対応する各1の電極間
に導電板を挟み込ませたことを特徴とするサイリスタ装
置。 - (2)導電板を挟み込んだサイリスタおよび保護装置を
、これらの両側から加圧部材によつて加圧保持するよう
にしたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のサ
イリスタ装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59215652A JPS6194362A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | サイリスタ装置 |
EP85110049A EP0182008B1 (en) | 1984-10-15 | 1985-08-09 | Thyristor device with protection means |
DE8585110049T DE3585142D1 (de) | 1984-10-15 | 1985-08-09 | Thyristoranordnung mit schutzvorrichtung. |
US06/764,550 US4675719A (en) | 1984-10-15 | 1985-08-12 | Thyristor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59215652A JPS6194362A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | サイリスタ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6194362A true JPS6194362A (ja) | 1986-05-13 |
Family
ID=16675942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59215652A Pending JPS6194362A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | サイリスタ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4675719A (ja) |
EP (1) | EP0182008B1 (ja) |
JP (1) | JPS6194362A (ja) |
DE (1) | DE3585142D1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9666772B2 (en) | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
US10615324B2 (en) | 2013-06-14 | 2020-04-07 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Tiny 6 pin side view surface mount LED |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4935935A (en) * | 1988-08-31 | 1990-06-19 | Carnegie Mellon University | Wavelength tunable electronic and electrooptical semiconductor devices |
EP0379616A1 (de) * | 1989-01-26 | 1990-08-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterbauelement mit übereinander montierten Halbleiterkörpern |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH465064A (de) * | 1967-10-20 | 1968-11-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Anordnung mit mehreren Halbleiter-Dioden in einem Gehäuse |
FR2412168A1 (fr) * | 1977-12-15 | 1979-07-13 | Silicium Semiconducteur Ssc | Diodes ecreteuses de surtension |
JPS55114135A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-03 | Tokyo Shibaura Electric Co | Surge absorbing circuit |
JPS589349A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Hitachi Ltd | Gtoスタツク |
JPS57122573A (en) * | 1981-12-16 | 1982-07-30 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | Semiconductor device |
JPS58121661A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
EP0100626A3 (en) * | 1982-07-29 | 1985-11-06 | LUCAS INDUSTRIES public limited company | Semi-conductor assembly |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP59215652A patent/JPS6194362A/ja active Pending
-
1985
- 1985-08-09 DE DE8585110049T patent/DE3585142D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-08-09 EP EP85110049A patent/EP0182008B1/en not_active Expired
- 1985-08-12 US US06/764,550 patent/US4675719A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9666772B2 (en) | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
US10615324B2 (en) | 2013-06-14 | 2020-04-07 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Tiny 6 pin side view surface mount LED |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0182008A2 (en) | 1986-05-28 |
DE3585142D1 (de) | 1992-02-20 |
EP0182008A3 (en) | 1988-02-17 |
EP0182008B1 (en) | 1992-01-08 |
US4675719A (en) | 1987-06-23 |
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