KR101569567B1 - 납-텔루륨-붕소-산화물을 함유하는 후막 페이스트, 및 반도체 소자의 제조에서의 그의 용도 - Google Patents

납-텔루륨-붕소-산화물을 함유하는 후막 페이스트, 및 반도체 소자의 제조에서의 그의 용도 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하나 이상의 절연층을 갖는 태양 전지 소자의 전면을 인쇄하기 위한 후막 페이스트를 제공한다. 후막 페이스트는 유기 매질 중에 분산된, 전기 전도성 금속 및 납-텔루륨-붕소-산화물을 포함한다.

Description

납-텔루륨-붕소-산화물을 함유하는 후막 페이스트, 및 반도체 소자의 제조에서의 그의 용도{THICK-FILM PASTES CONTAINING LEAD-TELLURIUM-BORON-OXIDES, AND THEIR USE IN THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES}
본 발명은 하나 이상의 절연층을 갖는 태양 전지 소자의 전면(front side)을 인쇄하기 위한 후막 페이스트(thick-film paste)를 제공한다. 후막 페이스트는 유기 매질 중에 분산된, 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체 및 납-텔루륨-붕소-산화물을 포함한다.
p형 베이스(base)를 갖는 종래의 태양 전지 구조물은 전형적으로 전지의 전면(태양측 면(sun side)) 상에 있는 음극과 후면 상에 있는 양극을 갖는다. 반도체 본체의 p-n 접합부 상으로 떨어지는 적합한 파장의 방사선이 전자-정공 쌍 전하 캐리어를 생성하기 위한 외부 에너지원으로서의 역할을 한다. 이러한 전자-정공 쌍 전하 캐리어는 p-n 반도체 접합부에 의해 발생된 전기장 내에서 이동하며, 반도체의 표면에 적용된 전도성 그리드(conductive grid) 또는 금속 접점에 의해 수집된다. 발생된 전류는 외부 회로로 흐른다.
전도성 페이스트(잉크로도 알려짐)는 전형적으로 전도성 그리드 또는 금속 접점을 형성하는 데 사용된다. 전도성 페이스트는 전형적으로 유리 프릿(frit), 전도성 화학종(예를 들어, 은 입자), 및 유기 매질을 포함한다. 금속 접점을 형성하기 위해, 전도성 페이스트가 그리드 라인 또는 다른 패턴으로서 기재(substrate) 상에 인쇄되고 이어서 소성되는데, 그 동안에 그리드 라인과 반도체 기재 사이에 전기 접촉이 이루어진다.
그러나, 전형적으로 결정질 규소 PV 전지는 흡광을 촉진하도록 질화규소, 산화티타늄, 또는 산화규소와 같은 반사방지 코팅으로 코팅되며, 이는 전지의 효율을 증가시킨다. 그러한 방사방지 코팅은 또한 기재로부터 금속 접점으로의 전자의 흐름을 약화시키는 절연체로서 작용한다. 이러한 문제점을 극복하기 위해, 전도성 페이스트는 소성 중에 반사방지 코팅에 침투하여, 반도체 기재와 전기 접촉하는 금속 접점을 형성하여야만 한다. 금속 접점과 기재 사이의 강력한 결합(즉, 접착)의 형성 및 납땜성(solderability)이 또한 바람직하다.
소성 시에 반사방지 코팅에 침투하고 기재와의 강력한 결합을 형성하는 능력은 전도성 페이스트의 조성 및 소성 조건에 따라 크게 좌우된다. PV 전지 성능의 중요한 척도인, 효율이 또한 소성된 전도성 페이스트와 기재 사이에서 이루어지는 전기 접촉의 품질에 의해 영향을 받는다.
양호한 효율을 갖는 PV 전지를 제조하는 경제적인 방법을 제공하기 위하여, 저온에서 소성되어 반사방지 코팅에 침투할 수 있고 반도체 기재와의 양호한 전기 접촉을 제공할 수 있는 후막 페이스트 조성물이 필요하다.
본 발명의 일 태양은, 후막 페이스트 조성물로서,
a) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 85 내지 99.5 중량%의 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체;
b) 고형물 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-붕소-산화물; 및
c) 유기 매질을 포함하는 후막 페이스트 조성물이다.
본 발명의 추가의 태양은, 후막 페이스트 조성물로서,
a) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 84.5 내지 99 중량%의 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체;
b) 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-붕소-산화물;
c) 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물;
및
d) 유기 매질를 포함하는 후막 페이스트 조성물이다.
본 발명의 다른 태양은,
(a) 적어도 하나의 표면 상에 침착된 하나 이상의 절연막을 포함하는 반도체 기재를 제공하는 단계;
(b) 후막 페이스트 조성물을 하나 이상의 절연막 상에 적용하여 층상 구조를 형성하는 단계 - 여기서, 후막 페이스트 조성물은
i) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 85 내지 99.5 중량%의 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체;
ii) 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-붕소-산화물; 및
iii) 유기 매질을 포함함 - ; 및
(c) 반도체 기재, 하나 이상의 절연막, 및 후막 페이스트를 소성하여, 하나 이상의 절연층과 접촉하고 반도체 기재와 전기 접촉하는 전극을 형성하는 단계를 포함하는 방법이다.
본 발명의 다른 태양은,
(a) 적어도 하나의 표면 상에 침착된 하나 이상의 절연막을 포함하는 반도체 기재를 제공하는 단계;
(b) 후막 페이스트 조성물을 하나 이상의 절연막 상에 적용하여 층상 구조를 형성하는 단계 - 여기서, 후막 페이스트 조성물은
i) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 84.5 내지 99 중량%의 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체;
ii) 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-붕소-산화물;
iii) 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물; 및
iv) 유기 매질을 포함함 - ; 및
(c) 반도체 기재, 하나 이상의 절연막, 및 후막 페이스트를 소성하여, 하나 이상의 절연층과 접촉하고 반도체 기재와 전기 접촉하는 전극을 형성하는 단계를 포함하는 방법이다.
본 발명의 다른 태양은,
a) 반도체 기재;
b) 반도체 기재 상의 하나 이상의 절연층; 및
c) 하나 이상의 절연층과 접촉하고 반도체 기재와 전기 접촉하는 전극 - 전극은 전기 전도성 금속 및 납-텔루륨-붕소-산화물을 포함함 - 을 포함하는 물품이다.
<도 1>
도 1은 반도체 소자의 제작을 예시하는 공정 흐름도. 도 1에 도시된 도면 부호는 아래에 설명되어 있다.
10: p형 규소 기재
20: n형 확산층
30: 절연막
40: p+ 층(후면 전계, BSF)
60: 후면 상에 침착된 알루미늄 페이스트
61: 알루미늄 후면 전극(후면 알루미늄 페이스트를 소성하여 얻어짐)
70: 후면 상에 침착된 은 또는 은/알루미늄 페이스트
71: 은 또는 은/알루미늄 후면 전극(후면 은 페이스트를 소성하여 얻어짐)
500: 전면 상에 침착된 후막 페이스트
501: 전면 전극(후막 페이스트를 소성하여 형성됨)
태양-동력 광기전 시스템(solar-powered photovoltaic system)은 화석 연료에 대한 요구를 감소시킨다는 점에서 환경 친화적인 것으로 여겨진다.
본 발명은 전기적 성능이 개선된 광기전 소자를 제조하는 데 사용될 수 있는 조성물을 제공한다. 후막 페이스트 조성물은
a) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 85 내지 99.5 중량%의 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체;
b) 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-붕소-산화물; 및
c) 유기 매질을 포함한다.
후막 페이스트 조성물은, 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물을 추가로 포함할 수 있다.
본 명세서에 정의된 바와 같이, 유기 매질은 후막 페이스트 조성물 중의 고형물의 일부인 것으로 여겨지지 않는다.
전기 전도성 금속
전기 전도성 금속은 은, 구리, 및 팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 전기 전도성 금속은 박편(flake) 형태, 구 형태, 과립 형태, 결정 형태, 분말, 또는 기타 불규칙한 형태, 및 그 혼합물일 수 있다. 전기 전도성 금속은 콜로이드 현탁액으로 제공될 수 있다.
금속이 은인 경우, 은 금속, 은 유도체, 또는 그 혼합물의 형태일 수 있다. 예시적인 유도체에는, 예를 들어, 은의 합금, 산화은(Ag2O), 은 염, 예를 들어, AgCl, AgNO3, AgOOCCH3(은 아세테이트), AgOOCF3(은 트라이플루오로아세테이트), 은 오르토포스페이트(Ag3PO4)가 포함된다. 다른 후막 페이스트 성분들과 상용성인 다른 형태의 은이 또한 사용될 수 있다.
일 실시 형태에서, 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체는, 후막 페이스트 조성물의 고형물 성분의 약 85 내지 약 99.5 중량%이다. 추가의 실시 형태에서, 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체는, 후막 페이스트 조성물의 고형물 성분의 약 90 내지 약 95 중량%이다.
일 실시 형태에서, 후막 페이스트 조성물의 고형물 부분은 약 85 내지 약 99.5 중량%의 구형 은 입자를 포함한다. 일 실시 형태에서, 후막 조성물의 고형물 부분은 약 85 내지 약 90 중량%의 은 입자 및 약 1 내지 약 9.5 중량%의 은 박편을 포함한다.
일 실시 형태에서, 후막 페이스트 조성물은 전기 전도성인, 코팅된 은 입자를 포함한다. 적합한 코팅은 포스페이트 및 계면활성제를 포함한다. 적합한 계면활성제에는 폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸렌글리콜, 벤조트라이아졸, 폴리(에틸렌글리콜)아세트산, 라우르산, 올레산, 카프르산, 미리스트산, 리놀산, 스테아르산, 팔미트산, 스테아레이트 염, 팔미테이트 염, 및 그 혼합물이 포함된다. 염 반대 이온은 암모늄, 나트륨, 칼륨, 및 그 혼합물일 수 있다.
은의 입자 크기는 어떠한 특정 제한도 받지 않는다. 일 실시 형태에서, 평균 입자 크기는 0.5 내지 10 마이크로미터이고; 다른 실시 형태에서, 평균 입자 크기는 1 내지 5 마이크로미터이다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, "입자 크기" 또는 "D50"은 "평균 입자 크기"를 의미하고자 하는 것이며; "평균 입자 크기"는 50% 부피 분포 크기를 의미한다. 부피 분포 크기는 마이크로트랙(Microtrac) 입자 크기 분석기를 사용하여 레이저 회절 및 분산 방법에 의해 결정될 수 있다.
납-텔루륨-붕소-산화물 조성물
본 발명의 일 태양은 납-텔루륨-붕소-산화물(Pb-Te-B-O) 조성물에 관한 것이다. 일 실시 형태에서, 이러한 조성물은 유리 조성물일 수 있다. 추가의 실시 형태에서, 이러한 조성물은 결정질, 부분 결정질, 무정형, 부분 무정형, 또는 그 조합일 수 있다. 일 실시 형태에서, Pb-Te-B-O 조성물은 하나를 초과하는 유리 조성물을 포함할 수 있다. 일 실시 형태에서, Pb-Te-B-O 조성물은 유리 조성물 및 부가적인 조성물, 예를 들어, 결정질 조성물을 포함할 수 있다. 용어 "유리" 또는 "유리 조성물"은 본 명세서에서 무정형 물질과 결정질 물질의 상기 조합들 중 임의의 것을 나타내는 데 사용될 것이다.
일 실시 형태에서, 본 명세서에 기재된 유리 조성물은 납-텔루륨-붕소-산화물을 포함한다. 유리 조성물은 또한 규소, 은, 주석, 비스무트, 알루미늄, 티타늄, 구리, 리튬, 세륨, 지르코늄, 나트륨, 바나듐, 아연, 불소 등과 같은 부가적인 성분을 포함할 수 있다.
납-텔루륨-붕소-산화물(Pb-Te-B-O)은 당업자에 의해 이해되는 기술을 사용하여 PbO, TeO2, 및 B2O3 (또는 가열 시에 원하는 산화물로 분해되는 다른 물질)을 혼합함으로써 제조할 수 있다. 그러한 제조 기술은 공기 중에서 또는 산소-함유 분위기에서 혼합물을 가열하여 용융물을 형성하는 단계, 용융물을 급랭(quenching)하는 단계, 및 급랭된 물질을 분쇄(grinding), 밀링(milling) 및/또는 스크리닝하여 원하는 입자 크기를 갖는 분말을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 납, 텔루륨, 및 붕소 산화물의 혼합물을 용융하는 단계는 전형적으로 800 내지 1200℃의 피크 온도로 수행된다. 용융된 혼합물을, 예를 들어, 스테인리스강 압반 상에서, 또는 역회전(counter-rotating) 스테인리스강 롤러들 사이에서 급랭하여 소판(platelet)을 형성할 수 있다. 생성된 소판을 밀링하여 분말을 형성할 수 있다. 전형적으로, 밀링된 분말은 D50이 0.1 내지 3.0 마이크로미터이다. 유리 프릿을 제조하는 분야의 당업자는, 수냉, 졸-겔(sol-gel), 스프레이 열분해(spray pyrolysis), 금속 압반 상에서의 초급랭(splat cooling)에 의한 급랭, 또는 유리의 분말 형태를 제조하기 위한 다른 적절한 기술과 같은 그러나 이에 한정되지 않는 대안적인 합성 기술을 채용할 수 있다.
일 실시 형태에서, Pb-Te-B-O를 제조하는 데 사용되는 시작 혼합물은 (전체 시작 혼합물의 중량을 기준으로): 25 내지 75 중량%, 30 내지 60 중량%, 또는 30 내지 50 중량%일 수 있는 PbO; 10 내지 70 중량%, 25 내지 60 중량%, 또는 40 내지 60 중량%일 수 있는 TeO2; 0.1 내지 15 중량%, 0.25 내지 5 중량%, 또는 0.4 내지 2 중량%일 수 있는 B2O3을 포함할 수 있다.
일 실시 형태에서, PbO, TeO2, 및 B2O3은 Pb-Te-B-O 조성물의 80 내지 100 중량%일 수 있다. 추가의 실시 형태에서, PbO, TeO2, 및 B2O3는 Pb-Te-B-O 조성물의 85 내지 100 중량% 또는 90 내지 100 중량%일 수 있다.
추가의 실시 형태에서, 상기 PbO, TeO2, 및 B2O3에 더하여, Pb-Te-B-O를 제조하는 데 사용되는 시작 혼합물은 PbF2, SiO2, BiF3, SnO2, Li2O, Bi2O3, ZnO, V2O5, Na2O, TiO2, Al2O3, CuO, ZrO2, CeO2, 또는 Ag2O 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 일 실시 형태에서, 이러한 성분들 중 하나 이상은 Pb-Te-B-O 조성물의 0 내지 20 중량%, 0 내지 15 중량%, 또는 0 내지 10 중량%일 수 있다. 이러한 실시 형태의 태양에서, (전체 시작 혼합물의 중량을 기준으로):
PbF2는 0 내지 20 중량%, 0 내지 15 중량%, 또는 5 내지 10 중량%일 수 있고;
SiO2는 0 내지 11 중량%, 0 내지 5 중량%, 0.25 내지 4 중량%, 또는 0 내지 0.5 중량%일 수 있고;
BiF3은 0 내지 15 중량%, 0 내지 10 중량%, 또는 1 내지 10 중량%일 수 있고;
SnO2는 0 내지 5 중량%, 0 내지 2 중량%, 또는 0.5 내지 1.5 중량%일 수 있고;
ZnO는 0 내지 5 중량%, 0 내지 3 중량%, 또는 2 내지 3 중량%일 수 있고;
V2O5는 0 내지 5 중량%, 0 내지 1 중량%, 또는 0.5 내지 1 중량%일 수 있고;
Na2O는 0 내지 5 중량%, 0 내지 3 중량%, 또는 0.1 내지 1.5 중량%일 수 있고;
CuO는 0 내지 5 중량%, 0 내지 3 중량%, 또는 2 내지 3 중량%일 수 있고;
ZrO2는 0 내지 3 중량%, 0 내지 2 중량%, 또는 0.1 내지 1 중량%일 수 있고;
CeO2는 0 내지 5 중량%, 0 내지 3 중량%, 또는 0.1 내지 2.5 중량%일 수 있고;
Li2O는 0 내지 5 중량%, 0.1 내지 3 중량%, 또는 0.25 내지 2 중량%일 수 있고;
Bi2O3은 0 내지 15 중량%, 0 내지 10 중량%, 또는 5 내지 8 중량%일 수 있고;
TiO2는 0 내지 5 중량%, 0.25 내지 5 중량%, 또는 0.25 내지 2.5 중량%일 수 있고;
Al2O3은 0 내지 3 중량%, 0 내지 2 중량%, 또는 0.1 내지 2 중량%일 수 있고;
Ag2O는 0 내지 10 중량%, 1 내지 10 중량%, 또는 1 내지 8 중량%일 수 있다.
일 실시 형태에서, Pb-Te-B-O는 균질한 분말일 수 있다. 추가의 실시 형태에서, Pb-Te-B-O는 하나를 초과하는 분말의 조합일 수 있으며, 여기서, 각각의 분말은 개별적으로 균질 집단(homogenous population)일 수 있다. 다수의 분말의 전체 조합의 조성은 상기에 기재된 범위 내에 속한다. 예를 들어, Pb-Te-B-O는 둘 이상의 상이한 분말의 조합을 포함할 수 있으며; 개별적으로, 이러한 분말들은 상이한 조성을 가질 수 있고, 상기에 기재된 범위 내에 속하거나 속하지 않을 수 있으나; 이러한 분말들의 조합은 상기에 기재된 범위 내에 속한다.
일 실시 형태에서, Pb-Te-B-O 조성물은, Pb, Te, B, 및 O의 군 중에서 전부가 아닌 일부의 원소를 포함하는 균질한 분말을 포함하는 하나의 분말, 및 Pb, Te, B, 및 O의 군 중에서 하나 이상의 원소를 포함하는 제2 분말을 포함할 수 있다. 예를 들어, Pb-Te-B-O 조성물은 Pb, Te, 및 O를 포함하는 제1 분말, 및 B2O3을 포함하는 제2 분말을 포함할 수 있다. 이러한 실시 형태의 일 태양에서, 분말들은 함께 용융되어 균일한 조성물을 형성할 수 있다. 이러한 실시 형태의 추가의 태양에서, 분말들은 후막 조성물에 개별적으로 첨가될 수 있다.
일 실시 형태에서, Li2O의 일부 또는 전부가 Na2O, K2O, Cs2O, 또는 Rb2O로 대체될 수 있으며, 이는 상기에 열거된 조성물과 유사한 특성을 갖는 유리 조성물을 야기한다. 이러한 실시 형태에서, 총 알칼리 금속 산화물 함량은 0 내지 5 중량%, 0.1 내지 3 중량%, 또는 0.25 내지 3 중량%일 수 있다.
추가의 실시 형태에서, 본 발명의 Pb-Te-B-O 조성물(들)은 하기 제3 세트의 성분들 중 하나 이상을 포함할 수 있다: GeO2, Ga2O3, In2O3, NiO, CoO, ZnO, CaO, MgO, SrO, MnO, BaO, SeO2, MoO3, WO3, Y2O3, As2O3, La2O3, Nd2O3, Bi2O3, Ta2O5, V2O5, FeO, HfO2, Cr2O3, CdO, Sb2O3, PbF2, ZrO2, Mn2O3, P2O5, CuO, Pr2O3, Gd2O3, Sm2O3, Dy2O3, Eu2O3, Ho2O3, Yb2O3, Lu2O3, CeO2, BiF3, SnO, SiO2, Ag2O, Nb2O5, TiO2, Rb2O, SiO2, Na2O, K2O, Cs2O, Lu2O3, SnO2, 및 금속 할라이드(예를 들어, NaCl, KBr, NaI, LiF, ZnF2).
따라서, 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "Pb-Te-B-O"는 또한 Si, Sn, Li, Ti, Ag, Na, K, Rb, Cs, Ge, Ga, In, Ni, Zn, Ca, Mg, Sr, Ba, Se, Mo, W, Y, As, La, Nd, Co, Pr, Gd, Sm, Dy, Eu, Ho, Yb, Lu, Bi, Ta, V, Fe, Hf, Cr, Cd, Sb, Bi, F, Zr, Mn, P, Cu, Ce, 및 Nb로 이루어진 군으로부터 선택되는 원소들의 하나 이상의 산화물을 함유하는 금속 산화물을 포함할 수 있다.
표 1은 납-텔루륨-붕소-산화물을 제조하는 데 사용될 수 있는, PbO, TeO2, B2O3, 및 기타 선택적인 화합물을 함유하는 분말 혼합물의 일부 예를 열거한다. 이러한 열거는 예시하고자 하는 것이며 제한하고자 하는 것은 아니다. 표 1에서, 화합물의 양은, 전체 유리 조성물의 중량을 기준으로 한 중량%로 나타나 있다.
전형적으로, PbO 및 TeO2 분말의 혼합물은, 조합된 분말을 기준으로, 5 내지 95 ㏖%의 산화납 및 5 내지 95 ㏖%의 산화텔루륨을 포함한다. 일 실시 형태에서, 납-텔루륨-붕소-산화물 중 납 대 텔루륨의 몰 비는 5/95 내지 95/5이다. 일 실시 형태에서, PbO 및 TeO2 분말의 혼합물은, 조합된 분말을 기준으로, 30 내지 85 ㏖%의 산화납 및 15 내지 70 ㏖%의 산화텔루륨을 포함한다.
유리 프릿이라고도 하는 유리 조성물은 일정 백분율의 소정 성분들을 포함하는 것으로서 본 명세서에서 설명된다. 구체적으로, 백분율은, 본 명세서에 기재된 바와 같이 후속적으로 처리되어 유리 조성물을 형성하는 시작 재료에 사용되는 성분들의 백분율이다. 그러한 명명법은 당업자에게 통상적인 것이다. 다시 말하면, 조성물은 소정 성분들을 포함하며, 그러한 성분들의 백분율은 상응하는 산화물 형태의 백분율로서 표시된다. 유리 화학 분야의 당업자에게 인지되는 바와 같이, 유리를 제조하는 공정 동안 휘발성 화학종의 소정 부분이 방출될 수 있다. 휘발성 화학종의 예는 산소이다.
소성된 유리를 사용하여 시작하는 경우, 당업자는 유도 결합 플라즈마 발광 분광법(ICPES), 유도 결합 플라즈마 원자 발광 분광법(ICP-AES) 등을 포함하지만 이로 한정되지 않는 당업자에게 알려진 방법을 사용하여, 본 명세서에 기재된 시작 성분들의 백분율을 계산할 수 있다. 또한, 다음의 예시적인 기술이 사용될 수 있다: X-선 형광 분광법(XRF); 핵 자기 공명 분광법(NMR); 전자 상자성 공명 분광법(EPR); 뫼스바우어 분광법; 전자 마이크로프로브 에너지 분산 분광법(EDS); 전자 마이크로프로브 파장 분산 분광법(WDS); 음극선 발광(CL).
당업자는 원료의 선택이 가공 도중 유리에 혼입될 수 있는 불순물을 의도치 않게 포함할 수 있음을 알 것이다. 예를 들어, 불순물은 수백 내지 수천 ppm의 범위로 존재할 수 있다.
불순물의 존재는 유리, 후막 조성물, 또는 소성된 소자의 특성을 변화시키지 않을 것이다. 예를 들어, 후막 조성물이 불순물을 포함하더라도 후막 조성물을 포함하는 태양 전지는 본 명세서에 기재된 효율을 가질 수 있다.
납-텔루륨-붕소-산화물 및 납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물 조성물
본 발명의 일 태양은 납-텔루륨-붕소-산화물(Pb-Te-B-O) 및 납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물(Pb-Te-Li-Ti-O) 조성물에 관한 것이다. 일 실시 형태에서, 이러한 조성물은 유리 조성물일 수 있다. 추가의 실시 형태에서, 이러한 조성물은 결정질, 부분 결정질, 무정형, 부분 무정형, 또는 그 조합일 수 있다. 일 실시 형태는 Pb-Te-B-O 및 Pb-Te-Li-Ti-O 조성물의 혼합물에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시 형태는 Pb-Te-B-O 및 Pb-Te-Li-Ti-O를 포함하는 페이스트에 관한 것이다. 본 명세서에 기재된 Pb-Te-B-O 페이스트를 포함하는 페이스트가 또한 Pb-Te-Li-Ti-O를 포함할 수 있는 것으로 생각된다.
일 실시 형태에서, Pb-Te-Li-Ti-O 조성물은 하나를 초과하는 유리 조성물을 포함할 수 있다. 일 실시 형태에서, Pb-Te-Li-Ti-O 조성물은 유리 조성물 및 부가적인 조성물, 예를 들어, 결정질 조성물을 포함할 수 있다.
Pb-Te-Li-Ti-O는 또한 규소, 붕소, 은, 주석 등과 같은 부가적인 성분의 산화물을 포함할 수 있다.
납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물(Pb-Te-Li-Ti-O)은 Pb-Te-B-O에 대해 상기에 기재된 것과 유사한 방식으로 제조될 수 있다.
일 실시 형태에서, Pb-Te-Li-Ti-O를 제조하는 데 사용되는 시작 혼합물은 (전체 시작 혼합물의 중량을 기준으로): 25 내지 80 중량%, 30 내지 60 중량%, 또는 30 내지 50 중량%일 수 있는 PbO; 10 내지 70 중량%, 30 내지 65 중량%, 또는 50 내지 65 중량%일 수 있는 TeO2; 0.1 내지 5 중량%, 0.25 내지 3 중량%, 또는 0.5 내지 2.5 중량%일 수 있는 Li2O; 0.1 내지 5 중량%, 0.25 내지 5 중량%, 또는 0.5 내지 3 중량%일 수 있는 TiO2를 포함할 수 있다.
일 실시 형태에서, PbO, TeO2, Li2O, 및 TiO2는, Pb-Te-Li-Ti-O 조성물의 80 내지 100 중량%, 85 내지 100 중량%, 또는 90 내지 100 중량%일 수 있다.
추가의 실시 형태에서, 상기 PbO, TeO2, Li2O, 및 TiO2에 더하여, Pb-Te-Li-Ti-O를 제조하는 데 사용되는 시작 혼합물은 SiO2, SnO2, B2O3, 또는 Ag2O 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 일 실시 형태에서, 이러한 성분들 중 하나 이상은 Pb-Te-Li-Ti-O 조성물의 0 내지 20 중량%, 0 내지 15 중량%, 또는 0 내지 10 중량%일 수 있다. 이러한 실시 형태의 태양에서, (전체 시작 혼합물의 중량을 기준으로):
SiO2는 0 내지 10 중량%, 0 내지 9 중량%, 또는 2 내지 9 중량%일 수 있고;
SnO2는 0 내지 5 중량%, 0 내지 4 중량%, 또는 0.5 내지 1.5 중량%일 수 있고;
B2O3은 0 내지 10 중량%, 0 내지 5 중량%, 또는 1 내지 5 중량%일 수 있고;
Ag2O는 0 내지 30 중량%, 0 내지 20 중량%, 또는 3 내지 15 중량%일 수 있다.
일 실시 형태에서, Pb-Te-Li-Ti-O는 균질한 분말일 수 있다. 추가의 실시 형태에서, Pb-Te-Li-Ti-O는 하나를 초과하는 분말의 조합일 수 있으며, 여기서, 각각의 분말은 개별적으로 균질 집단일 수 있다. 둘 이상의 분말의 전체 조합의 조성은 상기에 기재된 범위 내에 속한다. 예를 들어, Pb-Te-Li-Ti-O는 둘 이상의 상이한 분말의 조합을 포함할 수 있으며; 개별적으로, 이러한 분말들은 상이한 조성을 가질 수 있고, 상기에 기재된 범위 내에 속하거나 속하지 않을 수 있으나; 이러한 분말들의 조합은 상기에 기재된 범위 내에 속한다.
일 실시 형태에서, Pb-Te-Li-Ti-O 조성물은, Pb, Te, Li, Ti, 및 O의 군 중에서 전부가 아닌 일부의 원소를 포함하는 균질한 분말을 포함하는 하나의 분말, 및 Pb, Te, Li, Ti, 및 O의 군 중에서 하나 이상의 원소를 포함하는 제2 분말을 포함할 수 있다. 예를 들어, Pb-Te-Li-Ti-O 조성물은 Pb, Te, Li, 및 O를 포함하는 제1 분말, 및 TiO2를 포함하는 제2 분말을 포함할 수 있다. 이러한 실시 형태의 일 태양에서, 분말들은 함께 용융되어 균일한 조성물을 형성할 수 있다. 이러한 실시 형태의 추가의 태양에서, 분말들은 후막 조성물에 개별적으로 첨가될 수 있다.
일 실시 형태에서, Li2O의 일부 또는 전부가 Na2O, K2O, Cs2O, 또는 Rb2O로 대체될 수 있으며, 이는 상기에 열거된 조성물과 유사한 특성을 갖는 유리 조성물을 야기한다. 이러한 실시 형태에서, 총 알칼리 금속 산화물 함량은 0 내지 5 중량%, 0.1 내지 3 중량%, 또는 0.25 내지 3 중량%일 수 있다.
추가의 실시 형태에서, 본 발명의 Pb-Te-Li-Ti-O 조성물(들)은 하기 제3 세트의 성분들 중 하나 이상을 포함할 수 있다: GeO2, Ga2O3, In2O3, NiO, CoO, ZnO, CaO, MgO, SrO, MnO, BaO, SeO2, MoO3, WO3, Y2O3, As2O3, La2O3, Nd2O3, Bi2O3, Ta2O5, V2O5, FeO, HfO2, Cr2O3, CdO, Sb2O3, PbF2, ZrO2, Mn2O3, P2O5, CuO, Pr2O3, Gd2O3, Sm2O3, Dy2O3, Eu2O3, Ho2O3, Yb2O3, Lu2O3, CeO2, BiF3, SnO, SiO2, Ag2O, Nb2O5, TiO2, Rb2O, SiO2, Na2O, K2O, Cs2O, Lu2O3, SnO2, 및 금속 할라이드(예를 들어, NaCl, KBr, NaI, LiF, ZnF2).
따라서, 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "Pb-Te-Li-Ti-O"는 또한 Si, Sn, B, Ag, Na, K, Rb, Cs, Ge, Ga, In, Ni, Co, Zn, Ca, Mg, Sr, Ba, Se, Mo, W, Y, As, La, Nd, Bi, Ta, V, Fe, Hf, Pr, Gd, Sm, Dy, Eu, Ho, Yb, Lu, Ti, Cr, Cd, Sb, Bi, F, Zr, Mn, P, Cu, Ce, 및 Nb로 이루어진 군으로부터 선택되는 원소들의 하나 이상의 산화물을 포함할 수 있다.
표 3은 납-텔루륨-리튬-티타늄 산화물을 제조하는 데 사용될 수 있는, PbO, TeO2, Li2O, TiO2, 및 기타 선택적인 화합물을 함유하는 분말 혼합물의 일부 예를 열거한다. 이러한 열거는 예시하고자 하는 것이며 제한하고자 하는 것은 아니다. 표 3에서, 화합물의 양은, 전체 유리 조성물의 중량을 기준으로 한 중량%로 나타나 있다.
일 실시 형태에서, PbO 및 TeO2 분말의 혼합물은, 조합된 분말을 기준으로, 5 내지 95 ㏖%의 산화납 및 5 내지 95 ㏖%의 산화텔루륨을 포함한다. 일 실시 형태에서, 납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물 중 납 대 텔루륨의 몰 비는 5/95 내지 95/5이다. 일 실시 형태에서, PbO 및 TeO2 분말의 혼합물은, 조합된 분말을 기준으로, 30 내지 85 ㏖%의 산화납 및 15 내지 70 ㏖%의 산화텔루륨을 포함한다.
유기 매질
후막 페이스트 조성물의 무기 성분은 인쇄에 적합한 주도(consistency) 및 리올로지(rheology)를 갖는 점성 페이스트를 형성하도록 유기 매질과 혼합된다. 매우 다양한 불활성 점성 물질이 유기 매질로서 사용될 수 있다. 유기 매질은 페이스트의 제조, 선적 및 보관 동안, 뿐만 아니라 스크린 인쇄 공정 동안 인쇄 스크린 상에서 무기 성분이 충분한 정도의 안정성을 가지고 분산될 수 있는 것일 수 있다.
적합한 유기 매질은 고형물의 안정한 분산, 스크린 인쇄를 위한 적합한 점도 및 요변성(thixotropy), 기재 및 페이스트 고형물의 적합한 습윤성, 양호한 건조 속도, 및 양호한 소성 특성을 제공하는 리올로지 특성을 갖는다. 유기 매질은 증점제, 안정제, 계면활성제, 및/또는 다른 일반적인 첨가제를 함유할 수 있다. 유기 매질은 용매(들) 중 중합체(들)의 용액일 수 있다. 적합한 중합체에는 에틸 셀룰로오스, 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스, 나무 로진, 에틸 셀룰로오스와 페놀계 수지의 혼합물, 저급 알코올의 폴리메타크릴레이트, 및 에틸렌 글리콜 모노아세테이트의 모노부틸 에테르가 포함된다. 적합한 용매에는 알파- 또는 베타-테르피네올과 같은 테르펜, 또는 그와 기타 용매, 예를 들어, 등유, 다이부틸프탈레이트, 부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트, 헥실렌 글리콜 및 비등점이 150℃ 초과인 알코올, 및 알코올 에스테르와의 혼합물이 포함된다. 다른 적합한 유기 매질 성분에는 비스(2-(2-부톡시에톡시)에틸 아디페이트, 이염기성 에스테르, 예를 들어, DBE, DBE-2, DBE-3, DBE-4, DBE-5, DBE-6, DBE-9, 및 DBE 1B, 옥틸 에폭시 탈레이트, 아이소테트라데칸올, 및 수소화 로진의 펜타에리트리톨 에스테르가 포함된다. 유기 매질은 또한 후막 페이스트 조성물을 기재에 적용한 후의 신속한 경화를 촉진하기 위해 휘발성 액체를 포함할 수 있다.
후막 페이스트 조성물 중 유기 매질의 최적량은 페이스트의 적용 방법 및 사용되는 특정 유기 매질에 따라 좌우된다. 전형적으로, 후막 페이스트 조성물은 70 내지 95 중량%의 무기 성분 및 5 내지 30 중량%의 유기 매질을 함유한다.
유기 매질이 중합체를 포함하는 경우, 유기 조성물은 8 내지 15 중량%의 중합체를 포함할 수 있다.
후막 페이스트 조성물의 제조
일 실시 형태에서, 후막 페이스트 조성물은 전도성 금속 분말, Pb-Te-B-O 분말, 및 유기 매질을 임의의 순서로 혼합하여 제조할 수 있다. 일 실시 형태에서, 후막 페이스트 조성물은 또한 Pb-Te-Li-Ti-O를 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 무기 물질들을 우선 혼합하고, 이어서, 이들을 유기 매질에 첨가할 수 있다. 필요하다면, 하나 이상의 용매를 첨가하여 점도를 조정할 수 있다. 고전단을 제공하는 혼합 방법이 유용할 수 있다.
본 발명의 다른 태양은,
(a) 적어도 하나의 표면 상에 침착된 하나 이상의 절연막을 포함하는 반도체 기재를 제공하는 단계;
(b) 후막 페이스트 조성물을 하나 이상의 절연막의 적어도 일부분 상에 적용하여 층상 구조를 형성하는 단계 - 여기서, 후막 페이스트 조성물은
i) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 85 내지 99.5 중량%의 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체;
ii) 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-붕소-산화물; 및
iii) 유기 매질을 포함함 - ; 및
(c) 반도체 기재, 하나 이상의 절연막, 및 후막 페이스트를 소성하여, 하나 이상의 절연층과 접촉하고 반도체 기재와 전기 접촉하는 전극을 형성하는 단계를 포함하는 방법이다.
본 발명의 추가의 태양은
(a) 적어도 하나의 표면 상에 침착된 하나 이상의 절연막을 포함하는 반도체 기재를 제공하는 단계;
(b) 후막 페이스트 조성물을 하나 이상의 절연막의 적어도 일부분 상에 적용하여 층상 구조를 형성하는 단계 - 여기서, 후막 페이스트 조성물은
i) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 84.5 내지 99 중량%의 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체;
ii) 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-붕소-산화물;
iii) 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물; 및
iv) 유기 매질을 포함함 - ; 및
(c) 반도체 기재, 하나 이상의 절연막, 및 후막 페이스트를 소성하여, 하나 이상의 절연층과 접촉하고 반도체 기재와 전기 접촉하는 전극을 형성하는 단계를 포함하는 방법이다.
일 실시 형태에서, 후막 페이스트는, 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%, 0.5 내지 7 중량%, 또는 1 내지 3 중량%의 양으로 납-텔루륨-붕소-산화물을 포함할 수 있다.
일 실시 형태에서, 반도체 소자는 접합부-포함(junction-bearing) 반도체 기재 및 그의 주 표면 상에 형성된 질화규소 절연막을 포함하는 물품으로부터 제조된다. 본 방법은 절연층에 침투하는 능력을 갖는 후막 페이스트 조성물을, 미리 결정된 형상 및 두께로, 미리 결정된 위치에서, 절연막 상에 적용하고(예를 들어, 코팅하거나 또는 스크린 인쇄하고), 이어서, 후막 페이스트 조성물이 절연막과 반응하여 절연막에 침투하도록 소성하고, 그에 의해서 규소 기재와 전기 접촉하게 하는 단계를 포함한다.
이러한 방법의 일 실시 형태가 도 1에 예시된다.
도 1a는 단결정 규소 또는 다결정 규소 p형 기재(10)를 나타낸다.
도 1b에서는, 반대 극성의 n형 확산층(20)을 형성하여 p-n 접합부를 생성한다. n형 확산층(20)은 옥시염화인(POCl3)을 인 공급원으로서 사용하는 인(P)의 열 확산에 의해 형성할 수 있다. 임의의 특정 변경이 없는 경우, n형 확산층(20)은 규소 p형 기재의 전체 표면 위에 형성된다. 확산층의 깊이는 확산 온도 및 시간을 제어하여 변화시킬 수 있으며, 일반적으로 약 0.3 내지 0.5 마이크로미터의 두께 범위로 형성된다. n형 확산층은 수십 옴/스퀘어 내지 최대 약 120 옴/스퀘어의 시트 저항을 가질 수 있다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 레지스트 등을 사용하여 n형 확산층(20)의 한쪽 표면을 보호한 후, n형 확산층(20)이 단지 한쪽 주 표면에만 남아 있도록 에칭함으로써 대부분의 표면으로부터 n형 확산층을 제거한다. 이어서, 유기 용매 등을 사용하여 레지스트를 제거한다.
다음으로, 도 1d에서는, 반사방지 코팅으로서 또한 기능하는 절연층(30)을 n형 확산층(20) 상에 형성한다. 절연층은 보통 질화 규소이나, 또한 SiNx:H 막(즉, 절연막이 후속 소성 처리 동안의 패시베이션을 위한 수소를 포함함), 산화티타늄 막, 산화규소 막, 옥시질화규소탄소(silicon carbon oxynitride), 탄소를 함유하는 질화규소 막, 탄소를 함유하는 산화규소 막, 또는 산화규소/산화티타늄 막일 수 있다. 약 700 내지 900 Å 두께의 질화규소 막이 약 1.9 내지 2.0의 굴절률을 위해 적합하다. 절연층(30)의 침착은 스퍼터링, 화학증착, 또는 다른 방법에 의해 행해질 수 있다.
다음으로, 전극을 형성한다. 도 1e에 도시된 바와 같이, 본 발명의 후막 페이스트 조성물을 절연막(30) 상에 스크린 인쇄하고, 이어서 건조한다. 또한, 알루미늄 페이스트(60) 및 후면 은 페이스트(70)를 기재의 후면 상에 스크린 인쇄하고 이어서 건조한다. 소성을 750 내지 850℃의 온도에서 수초 내지 수십분의 기간 동안 수행한다.
그 결과로, 도 1f에 도시된 바와 같이, 소성 동안, 후면에서는 알루미늄이 알루미늄 페이스트로부터 규소 기재 내로 확산하여, 고농도의 알루미늄 도펀트를 함유하는 p+ 층(40)을 형성한다. 이 층은 일반적으로 BSF(back surface field) 층이라고 하며, 태양 전지의 에너지 변환 효율을 향상시키는 데 도움이 된다. 소성은 건조된 알루미늄 페이스트(60)를 알루미늄 후면 전극(61)으로 전환시킨다. 동시에 후면 은 페이스트(70)가 소성되어 은 또는 은/알루미늄 후면 전극(71)이 된다. 소성 동안, 후면 알루미늄과 후면 은 사이의 경계부는 합금 상태를 띠며,이로 인해서 전기 접속이 달성된다. 알루미늄 전극이 후면 전극의 대부분의 영역을 차지하는데, 이는 p+ 층(40)을 형성하는 데 대한 필요성에 일부 기인한다. 동시에, 알루미늄 전극에 대한 납땜은 불가능하기 때문에, 은 또는 은/알루미늄 후면 전극이 구리 리본 등에 의해 태양 전지를 상호접속시키기 위한 전극으로서 후면의 제한된 영역 상에 형성된다.
전면 상에서, 본 발명의 후막 페이스트 조성물(500)은 소성 중에 소결되고 절연막(30)을 관통하여 n형 확산층(20)과 전기 접촉을 달성한다. 이러한 유형의 공정을 일반적으로 "관통 소성"(fire through)이라고 한다. 이러한 관통 소성 상태, 즉, 페이스트가 용융하여 절연막(30)을 통과하는 정도는 절연막(30)의 질 및 두께, 페이스트의 조성, 및 소성 조건에 따라 좌우된다. 소성 시에, 페이스트(500)는 도 1f에 도시된 바와 같이 전극(501)이 된다.
일 실시 형태에서, 절연막은 산화티타늄, 산화알루미늄, 질화규소, SiNx:H, 산화규소, 옥시질화규소탄소, 탄소를 함유하는 질화규소 막, 탄소를 함유하는 산화규소 막, 및 산화규소/산화티타늄 막으로부터 선택된다. 질화규소 막은 스퍼터링, 플라스마 강화 화학 증착(PECVD), 또는 열 CVD 공정에 의해 형성될 수 있다. 일 실시 형태에서, 산화규소 막은 열산화, 스퍼터링, 또는 열 CVD 또는 플라즈마 CVD에 의해 형성된다. 산화티타늄 막은 반도체 기재 상에 티타늄 함유 유기 액체 물질을 코팅하고 소성함으로써, 또는 열 CVD에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에서, 반도체 기재는 단결정 또는 다결정 규소일 수 있다.
적합한 절연막은 산화알루미늄, 산화티타늄, 질화규소, SiNx:H, 산화규소, 및 산화규소/산화티타늄으로부터 선택된 하나 이상의 성분을 포함한다. 본 발명의 일 실시 형태에서, 절연막은 반사방지 코팅(ARC)이다. 절연막은 반도체 기재에 적용될 수 있거나, 또는 산화규소의 경우와 같이 자연적으로 형성될 수 있다.
일 실시 형태에서, 절연막은 질화규소의 층을 포함한다. 질화규소는 CVD(화학 증착), PECVD(플라즈마 강화 화학 증착), 스퍼터링, 또는 다른 방법에 의해 침착될 수 있다.
일 실시 형태에서, 절연층의 질화규소를 처리하여 질화규소의 적어도 일부를 제거한다. 처리는 화학적 처리일 수 있다. 질화규소의 적어도 일부의 제거에 의해, 반도체 기재와 후막 페이스트 조성물의 전도체 사이의 전기 접촉이 개선될 수 있다. 이는 반도체 소자의 개선된 효율을 야기할 수 있다.
일 실시 형태에서, 절연막의 질화규소는 반사방지 코팅의 일부이다.
후막 페이스트 조성물은 절연막 상에 패턴으로, 예를 들어, 접속 라인을 갖는 버스바(bus bar)로 인쇄될 수 있다. 인쇄는 스크린 인쇄, 도금, 압출, 잉크젯, 형상 또는 다중 인쇄(shaped or multiple printing), 또는 리본(ribbon)에 의해 이루어질 수 있다.
이러한 전극 형성 공정에서는, 후막 페이스트 조성물을 가열하여 유기 매질을 제거하고 금속 분말을 소결한다. 가열은 공기 중에서 또는 산소-함유 분위기에서 수행될 수 있다. 이러한 단계를 보통 "소성"이라고 지칭한다. 전형적으로 소성 온도 프로파일은 건조된 후막 페이스트 조성물로부터 유기 결합제 물질, 뿐만 아니라 존재하는 임의의 기타 유기 물질의 번아웃(burnout)이 가능하도록 설정된다. 일 실시 형태에서, 소성 온도는 750 내지 950℃이다. 소성은 0.05 내지 5분의 홀드-업(hold-up) 시간을 야기하는 높은 수송 속도, 예를 들어, 100 내지 500 ㎝/min을 사용하여 벨트로(belt furnace)에서 수행될 수 있다. 원하는 온도 프로파일을 제어하기 위해 다수의 온도 구역, 예를 들어, 3 내지 11개의 구역이 사용될 수 있다.
소성 시에, 전기 전도성 금속 및 Pb-Te-B-O 혼합물이 절연막에 침투한다. 절연막으로의 침투는 전극과 반도체 기재 사이의 전기 접촉을 야기한다. 소성 후에, 반도체 기재와 전극 사이에 중간층이 형성될 수 있는데, 상기 중간층은 텔루륨, 텔루륨 화합물, 납, 납 화합물, 붕소 화합물, 및 규소 화합물 중 하나 이상을 포함하고, 상기 규소는 규소 기재 및/또는 절연층(들)으로부터 유래할 수 있다. 소성 후에, 전극은 하나 이상의 절연층과 접촉하는 소결된 금속을 포함하며, 또한 아래에 놓인 반도체 기재와 접촉할 수 있다.
본 발명의 다른 태양은
(a) 적어도 하나의 표면 상에 침착된 하나 이상의 절연막을 포함하는 반도체 기재를 제공하는 단계;
(b) 후막 페이스트 조성물을 하나 이상의 절연막의 적어도 일부분 상에 적용하여 층상 구조를 형성하는 단계 - 여기서, 후막 페이스트 조성물은
i) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 85 내지 99.5 중량%의 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체;
ii) 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-붕소-산화물; 및
iii) 유기 매질을 포함함 - ; 및
(c) 반도체 기재, 하나 이상의 절연막, 및 후막 페이스트를 소성하여, 하나 이상의 절연층과 접촉하고 반도체 기재와 전기 접촉하는 전극을 형성하는 단계를 포함하는 방법에 의해 형성된 물품이다.
그러한 물품은 광기전 소자의 제조에 유용할 수 있다. 일 실시 형태에서, 물품은 후막 페이스트 조성물로부터 형성된 전극을 포함하는 반도체 소자이다. 일 실시 형태에서, 전극은 규소 태양 전지 상의 전면 전극이다. 일 실시 형태에서, 물품은 또한 후면 전극을 포함한다.
실시예
후막 페이스트 조성물의 예시적인 제조 및 평가를 하기에 설명한다.
실시예 I
납-텔루륨-붕소-산화물 제조
표 1의 유리 36 내지 유리 54 및 유리 76, 및 표 3의 유리들의 납- 텔루륨 -붕소-산화물 제조
Pb3O4, TeO2, 및 B2O3 분말, 및 선택적으로, 표 1에 나타낸 바와 같이, Li2O, Bi2O3, TiO2, Al2O3 PbF2, SiO2, BiF3, SnO2, ZnO, V2O5, Na2O, CuO, ZrO2, CeO2, 및/또는 Ag2O를 혼합 및 블렌딩하여, 납-텔루륨-붕소-산화물(Pb-Te-B-O) 조성물인, 표 1의 36번 내지 54번, 및 76번 유리, 및 표 3의 56번 내지 75번 유리를 제조하였다. 블렌딩된 분말 배치(batch) 물질들을 백금 합금 도가니에 로딩하고 이어서 공기- 또는 O2-함유 대기를 사용하는 900 내지 1000℃의 노에 넣었다. 열처리의 지속시간은 성분들의 완전한 용액을 얻은 후 20분이었다. 이어서, 성분들의 융합으로부터 생성된 저점도 액체를 금속 롤러에 의해 급랭시켰다. 이어서, 급랭된 유리를 밀링하고, 스크리닝하여 D50이 0.1 내지 3.0 마이크로미터인 분말을 제공하였다.
Figure 112012099877355-pct00001
표 1의 유리 1 내지 유리 35 및 유리 55, 및 표 2의 유리 77 내지 유리 90의 납-텔루륨-붕소-산화물 제조
TeO2 분말(99+% 순도), PbO 또는 Pb3O4 분말, 및 B2O3 분말(ACS 시약 등급, 99+% 순도), 및 선택적으로 Bi2O3, Li2O, Li2CO3, Al2O3, TiO2, CuO, ZrO2, Na2O, Na2CO3, BiF3, SiO2, 및/또는 PbF2의 혼합물을 적합한 용기에서 15 내지 30분동안 텀블링하여 시작 분말들을 혼합하였다. 시작 분말 혼합물을 백금 도가니에 넣고 공기 중에서 10℃/min의 가열 속도로 900℃까지 가열하고, 이어서 900℃에서 1시간 동안 유지하여 혼합물을 용융시켰다. 백금 도가니를 노에서 꺼내고 용융물을 스테인리스강 압반 상에 부어서 용융물을 900℃로부터 급랭시켰다. 생성된 물질을 막자와 막자사발에서 100 메시 미만으로 분쇄하였다. 이어서, 분쇄된 물질을 D50이 0.5 내지 0.7 마이크로미터가 될 때까지 폴리에틸렌 용기에서 지르코니아 볼 및 아이소프로필 알코올을 사용하여 볼 밀링하였다. 이어서, 볼 밀링된 물질을 밀링 볼로부터 분리하고, 건조하고, 230 메시 스크린에 통과시켜 후막 페이스트 제조에 사용되는 분말을 제공하였다.
Figure 112012099877355-pct00002
Figure 112012099877355-pct00003
실시예 II
페이스트 제조
표 5, 표 6, 및 표 7의 페이스트 제조
페이스트 제조는 일반적으로 다음 절차를 사용하여 제조하였다. 표 4로부터의 적절한 양의 용매, 매질, 및 계면활성제를 칭량하고 혼합 캔에서 15분 동안 혼합하였다.
Figure 112012099877355-pct00004
Ag가 고형물의 대부분이므로, 더욱 우수한 습윤을 보장하기 위해 이를 증분식으로 첨가하였다. 잘 혼합되었을 때, 페이스트를 0에서 1.72 ㎫로(0에서 250 psi로) 점진적으로 증가하는 압력으로 3-롤 밀에 반복 통과시켰다. 롤의 갭을 0.051 ㎜(2 밀)로 설정하였다. 브룩필드(Brookfield) 점도계를 사용하여 페이스트 점도를 측정하고 적절한 양의 용매 및 수지를 첨가하여 페이스트 점도를 230 내지 280 Pa-sec의 목표치를 향해 조정하였다. 분산 정도는 FOG(fineness of grind)에 의해 측정하였다. 페이스트에 대한 전형적인 FOG 값은, 4번째로 긴 연속 스크래치의 경우 20 마이크로미터 미만이고, 페이스트의 50%가 스크래치되는 지점에서는 10 마이크로미터 미만이다.
표 5, 표 6, 및 표 7의 데이터를 산출하는 데 사용되는 최종 페이스트를 제조하기 위하여, 2 중량%의 표 1의 프릿 또는 프릿들을 Ag 페이스트의 일부에 혼합하고, 당업자에게 뮬러(muller)로 알려진 회전 유리판들 사이의 전단에 의해 분산시켰다.
하기의 상세 내용에 따라 표에 열거된 페이스트 조성물을 제조하기 위하여 상기에 기재된 절차를 사용하여 표 5, 표 6 및 표 7의 페이스트 실시예들을 제조하였다. 시험된 페이스트는 85 내지 88%의 은 분말을 함유하였다. 실시예들은 D50이 2.0 ㎛인 단구형(singular spherical) 은을 사용하였다.
표 11의 페이스트 실시예를, 표에 기재된 바와 같은 1개 또는 2개의 상이한 프릿 분말을 표 4의 적절한 양의 매질에 혼합한 다음, 0에서 1.72 ㎫ 초과로(0에서 250 psi 초과로) 점진적으로 증가하는 압력에서 0.051 ㎜(2 밀) 갭으로 롤 밀링하여 전구체 페이스트를 제조하는 것을 사용하여, 제조하였다. 이어서, Ag 분말을 증분식으로 첨가하고 전구체 페이스트에 혼합하여 Ag 분말의 적절한 습윤을 보장하였다. Ag 분말은 페이스트 조성물의 85 내지 88%였다. 모든 Ag 분말이 첨가된 페이스트를 0에서 0.52 ㎫로(0에서 75 psi로) 점증하는 압력에서 0.051 ㎜(2 밀) 갭으로 다시 롤 밀링하였다. 수지 및 용매를 첨가하여 점도를 230 내지 280 Pa-sec로 조정하였다. 이러한 실시예는 D50이 2.0 um인 단구형 은 분말을 사용하였다.
표 8, 표 9, 및 표 10의 실시예의 후막 페이스트 제조
표 4에 기재된 바와 같은 유기 성분(약 4.6 g)을 씽키(Thinky) 혼합병(씽키 유에스에이, 인크.(Thinky USA, Inc.))에 넣고, 잘 블렌딩될 때까지 2000 RPM에서 2 내지 4분 동안 씽키-혼합하였다. 무기 성분(Pb-Te-B-O 분말 및 은 전도성 분말)을 유리병에서 15분 동안 텀블-혼합하였다. 무기 성분의 총 중량은 44 g이었고, 그 중 42.5 내지 43.5 g은 은 분말이었고 0.5 내지 1.5 g은 PbO, TeO2, 및 B2O3 분말의 혼합물이었다. 이어서, 무기 성분의 1/3을 유기 성분이 담긴 씽키 병에 첨가하고 1분 동안 2000 RPM에서 혼합하였다. 모든 무기 성분이 첨가되고 혼합될 때까지 이를 반복하였다. 페이스트를 냉각시켰고, 용매를 첨가하고 이어서 1분 동안 2000 RPM에서 혼합함으로써 점도를 200 내지 500 Pa.s로 조정하였다. 이러한 단계를 원하는 점도가 달성될 때까지 반복하였다. 이어서, 페이스트를 0.025 ㎜(1 밀) 갭으로 0 ㎫(0 psi)에서 3회 및 0.52 ㎫(75 psi)에서 3회 통과시켜 롤-밀링하였다. 분산 정도는 FOG(fineness of grind)에 의해 측정하였다. FOG 값은 후막 페이스트에 대해 전형적으로 20/10 이하이다. 실온에서 24시간 후에 페이스트의 점도를 200 내지 320 Pa.s로 조정하였다. 점도계에서 10 RPM으로 3분 후에 점도를 측정하였다. 각각의 페이스트의 점도를 브룩필드 점도계(미국 매사추세츠주 미들보로 소재의 브룩필드, 인크.(Brookfield, Inc.))에서 #14 스핀들 및 #6 컵을 사용하여 측정하였다.
실시예 III
태양 전지 제조
표 5, 표 6 및 표 7의 실시예의 태양 전지 제조
표 5, 표 6 및 표 7의 실시예를 위해, 65 Ω/□ 인-도핑된 이미터(emitter) 층을 갖는 다결정 규소 웨이퍼를 진테크 에너지 코포레이션(Gintech Energy Corporation; 타이완) 또는 도이치셀(DeutscheCell; 독일)로부터 입수하였다. 다이싱 쏘(dicing saw)를 사용하여 152 ㎜(6 인치) 정방형 웨이퍼를 28 ㎜(1.1 인치) 정방형으로 절단하였다.
사용된 태양 전지는 등방성 산 에칭에 의해 텍스쳐화된 것이었고 SiNX:H의 반사방지 코팅(ARC)을 가졌다. 각각의 샘플에 대해 효율 및 필 팩터(fill factor)를 측정하였다. 각각의 샘플은 250 ㎜/sec의 스퀴지 속도(squeegee speed)로 설정된 ETP 모델 L555 인쇄기를 사용하여 스크린 인쇄에 의해 제조하였다. 사용된 스크린은 325 메시 및 23 ㎛ 와이어를 갖는 스크린에서 20 ㎛의 에멀젼으로, 1.5 ㎜ 개구를 갖는 1개의 버스바 및 100 ㎛ 개구를 갖는 11개의 핑거 라인의 패턴을 가졌다. 구매가능한 Al 페이스트인 듀폰(DuPont) PV381을 소자의 비조사면(후면) 상에 인쇄하였다.
이어서, 양면에 패턴이 인쇄된 소자를 건조 오븐에서 250℃의 피크 온도로 10분 동안 건조하였다. 이어서, 560 ㎝/min 벨트 속도를 사용하여 CF7214 데스패치(Despatch) 6-구역 IR 노에서 태양측 면을 위로 하여 기재를 소성하였고, 처음 5개의 구역은 550-600-650-700-800로 설정하였고 6번째 구역은 표 5, 표 6, 및 표 7에 표시된 온도로 설정하였다. 처리 중에 부품의 실제 온도를 측정하였다. 각 부품의 측정된 피크 온도는 770 내지 780℃였고 각 부품은 총 4초의 시간 동안 650℃ 초과였다. 이어서, 완전히 처리된 샘플을, 보정된 ST-1000 테스터를 사용하여 PV 성능에 대해 시험하였다.
표 5, 표 6 및 표 7에 나타낸 바와 같이, 각각의 샘플에 대해 효율 및 필 팩터를 측정하였다. 각각의 페이스트에 대해, 6 내지 10개의 샘플에 대한 효율 및 필 팩터의 평균값 및 중위값이 나타나 있다.
표 8, 표 9 및 표 10의 실시예의 태양 전지 제조
산-에칭되어 텍스쳐화된 표면 및 70 ㎚ 두께의 PECVD SiNx 반사방지 코팅을 갖는 65 ohm/sq. 인-도핑된 이미터 층을 갖는 200 마이크로미터 도이치셀 다결정 규소 웨이퍼로부터, 후막 페이스트의 성능을 시험하기 위한 태양 전지를 제조하였다. 다이아몬드 웨이퍼링 쏘(diamond wafering saw)를 사용하여 웨이퍼를 28 ㎜ × 28 ㎜ 웨이퍼로 절단하였다. 절단 후에 AMI-프레스코(Presco) MSP-485 스크린 인쇄기를 사용하여 웨이퍼에 스크린 인쇄하여, 버스바, 0.254 ㎝ 피치의 11개의 전도체 라인, 및 전체 그라운드-플레인(ground-plane)인 스크린 인쇄된 알루미늄 후면 전도체를 제공하였다. 인쇄 및 건조 후에, 전지를 BTU 인터내셔널(International) 급속 열처리 벨트로에서 소성하였다. 표 8, 표 9 및 표 10에 나타낸 소성 온도는 최종 피크 구역의 노 설정점 온도였으며, 이는 실제 웨이퍼 온도보다 대략 125℃ 더 높았다. 소성된 전도체 라인의 중위 라인 폭은 120 마이크로미터였고 평균 라인 높이는 15 마이크로미터였다. 중위 라인 저항은 3.0×10-6 ohm.㎝였다. 28 ㎜ × 28 ㎜ 전지의 성능은, 전체적인 태양 전지 필 팩터(FF)를 약 5%만큼 감소시키는 에지 효과에 의해 영향을 받는 것으로 예상된다.
표 11의 실시예의 태양 전지 제조
타이완 소재의 진테크 에너지 코포레이션에 의해 공급된, 알칼리 텍스쳐화된 최대 152 ㎜ × 152 ㎜(6" × 6")의 65 Ω/□ 단결정 전지로부터, 표 11의 후막 페이스트의 성능을 시험하기 위한 태양 전지를 제조하였다. 25-㎛ 에멀젼으로 325 메시의 23-㎛ 와이어 직경의 스크린에서 80-㎛ 개구를 갖는 스크린을 사용하여 전지의 전면에 스크린 인쇄에 의해 표 6에 기재된 페이스트의 65 라인 패턴을 적용하였다. 알루미늄 후면 페이스트 및 구매가능한 태빙(tabbing) 페이스트인 듀폰(DuPont) PV505를 전지의 후면에 적용하였다. I-V 기술을 사용하여 평균 및 중위 효율 및 필 팩터를 측정하였고 이는 표 11에 나타나 있다.
실시예 IV
태양 전지 성능: 효율 및 필 팩터
태양 전지 성능: 표 5, 표 6, 표 7 및 표 11에 대한 효율 및 필 팩터
본 명세서에 기재된 방법에 따라 구성된 태양 전지를 전환 효율에 대해 시험하였다. 예시적인 효율 시험 방법을 하기에 제공한다.
일 실시 형태에서, 본 명세서에 기재된 방법에 따라 구성된 태양 전지를 효율 측정용 시판 I-V 테스터(텔레콤(Telecom) STV, 모델 ST-1000)에 넣었다. I-V 테스터 내의 제논 아크(Xe arc) 램프는 기지의 강도인 AM 1.5로 태양광을 시뮬레이팅하였고 전지의 전면을 조사하였다. 테스터는 다점 접촉 방법을 사용해 대략 400 부하 저항 설정에서 전류(I) 및 전압(V)을 측정하여 전지의 I-V 곡선을 결정하였다. I-V 곡선으로부터 필 팩터(FF)와 효율(Eff) 둘 모두를 계산하였다.
태양 전지 성능: 표 8, 표 9 및 표 10에 대한 효율 및 필 팩터
25℃ ± 1.0℃에서 ST-1000, 텔레콤 STV 컴퍼니 IV 테스터를 사용하여 표 8, 표 9 및 표 10의 실시예의 태양 전지 성능을 측정하였다. IV 테스터 내의 제논 아크 램프는 기지의 강도로 태양광을 시뮬레이팅하였고, 전지의 전면을 조사하였다. 테스터는 4-접촉 방법을 사용해 대략 400 부하 저항 설정에서 전류(I) 및 전압(V)을 측정하여 전지의 I-V 곡선을 결정하였다. 태양 전지 효율(Eff), 필 팩터(FF), 및 직렬 저항(Rs)(Rs에 대한 데이터는 표시하지 않음)을 I-V 곡선으로부터 계산하였다. 썬즈(Suns)-VOC 기술(썬즈-VOC 데이터는 표시하지 않음)을 사용하여 이상 계수(ideality factor)를 결정하였다.
이들 실시예에 대한 효율 및 필 팩터에 대한 중위값 및 평균값이 표 8, 표 9, 및 표 10에 나타나 있다.
Figure 112012099877355-pct00005
Figure 112012099877355-pct00006
Figure 112012099877355-pct00007
Figure 112012099877355-pct00008
Figure 112012099877355-pct00009
Figure 112012099877355-pct00010
Figure 112012099877355-pct00011
비교예 I: 비스무트-텔루륨-붕소-산화물
비스무트-텔루륨-붕소-산화물의 제조
산화붕소(B2O3), 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO2), 산화비스무트(Bi2O3), 산화텔루륨(TeO2), 탄산리튬(LiCO3), 및 인산리튬(LiPO4)을 사용하여, 실시예 I, 즉 "표 1의 유리 36 내지 유리 54 및 유리 76, 및 표 3의 유리들의 납-텔루륨-붕소-산화물 제조"에서 전술된 절차에 의해, 표 12에 나타낸 바와 같은 비스무트-텔루륨-붕소-산화물(Bi-Te-B-O) 함유 조성물을 제조하였다.
Figure 112012099877355-pct00012
페이스트 제조
유리 A를 사용하는 페이스트를 다음 절차에 의해 제조하였다. 적절한 양의 유기 비히클(표 4) 및 Ag 분말을 혼합하여 페이스트를 제조하였다. Ag 페이스트를 0에서 0.52 ㎫로(0에서 75 psi로) 점진적으로 증가하는 압력에서 3-롤 밀에 통과시켰다. 브룩필드 점도계를 사용하여 Ag 페이스트 점도를 측정하고 적절한 양의 용매 및 수지를 첨가하여 페이스트 점도를 230 내지 280 Pa-sec의 목표치를 향해 조정하였다. 적절한 양의 유기 비히클(표 4) 및 유리 분말 A를 혼합하여 다른 페이스트를 제조하였다. 프릿 페이스트를 0에서 1.72 ㎫로(0에서 250 psi로) 점진적으로 증가하는 압력에서 3-롤 밀에 통과시켰다. 각각의 페이스트의 분산 정도는 FOG(fineness of grind)에 의해 측정하였다. 페이스트에 대한 전형적인 FOG 값은, 4번째로 긴 연속 스크래치의 경우 20 마이크로미터 미만이고, 페이스트의 50%가 스크래치되는 지점에서는 10 마이크로미터 미만이다.
유성 원심 혼합기(일본 도쿄 소재의 씽키 코포레이션(Thinky Corporation))를 사용하여 Ag 및 프릿 페이스트를 함께 혼합하여 표 13에 나타낸 최종 페이스트 레시피를 만들었다.
태양 전지 제조 및 효율 및 필 팩터 측정
p형 베이스 상에 인-도핑된 이미터를 갖는, 27.9 ㎜ × 27.9 ㎜(1.1" × 1.1")의 다이싱 쏘 절단된 다결정 규소 태양 전지에 페이스트를 적용하였다. 62 Ω/□ 이미터를 갖는 도이치셀(독일 소재의 도이치셀) 다결정 웨이퍼에 페이스트를 적용하였다. 사용된 태양 전지는 등방성 산 에칭에 의해 텍스쳐화된 것이었고 SiNX:H의 반사방지 코팅(ARC)을 가졌다. 표 13에 나타낸 바와 같이, 각각의 샘플에 대해 효율 및 필 팩터를 측정하였다. 각각의 샘플은 200 ㎜/sec의 스퀴지 속도로 설정된 ETP 모델 L555 인쇄기를 사용하여 스크린 인쇄에 의해 제조하였다. 사용된 스크린은 325 메시 및 23 ㎛ 와이어를 갖는 스크린에서 20 ㎛의 에멀젼으로, 1.5 ㎜ 개구를 갖는 1개의 버스바 및 100 ㎛ 개구를 갖는 11개의 핑거 라인의 패턴을 가졌다. 구매가능한 Al 페이스트인 듀폰 PV381을 소자의 비조사면(후면) 상에 인쇄하였다.
이어서, 양면에 패턴이 인쇄된 소자를 건조 오븐에서 250℃의 피크 온도로 10분 동안 건조하였다. 560 ㎝/min 벨트 속도 및 500-550-610-700-800-HZ6 온도 설정점(여기서, HZ6는 885, 900 & 915℃)을 사용하여 CF7214 데스패치 6 구역 IR 노에서 태양측 면을 위로 하여 기재를 소성하였다. 처리 중에 부품의 실제 온도를 측정하였다. 각 부품의 측정된 피크 온도는 745 내지 775℃였고 각 부품은 총 4초의 시간 동안 650℃ 초과였다. 이어서, 완전히 처리된 샘플을, 보정된 ST-1000 테스터를 사용하여 PV 성능에 대해 시험하였다.
각각의 샘플에 대해 효율 및 필 팩터를 측정하고 표 13에 나타내었다. 각각의 페이스트에 대해, 6개의 샘플에 대한 효율 및 필 팩터의 평균값 및 중위값이 나타나 있다.
Figure 112012099877355-pct00013

Claims (15)

  1. 후막 페이스트 조성물(thick-film paste composition)로서,
    a) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 85 내지 99.5 중량%의 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체;
    b) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-붕소-산화물; 및
    c) 유기 매질을 포함하고,
    상기 납-텔루륨-붕소-산화물은 0.25 내지 5 중량%의 B2O3를 포함하며,
    반도체 기재의 주 표면 상에 형성된 하나 이상의 절연층을 갖는 반도체 기재를 포함하는 광기전 소자에서 전기 접속을 형성하는데 사용되며, 소성 시 하나 이상의 절연층에 침투할 수 있는, 후막 페이스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 전기 전도성 금속은 은을 포함하는 후막 페이스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 납-텔루륨-붕소-산화물 중 납 대 텔루륨의 몰 비는 5/95 내지 95/5인 후막 페이스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 납-텔루륨-붕소-산화물은
    25 내지 75 중량%의 PbO,
    10 내지 70 중량%의 TeO2, 및
    PbF2, SiO2, Bi2O3, BiF3, Li2O, SnO2, Ag2O, ZnO, V2O5, Al2O3, Na2O, TiO2, CuO, ZrO2, 및 CeO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 성분 0 내지 20.0 중량%를 포함하는 후막 페이스트 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 납-텔루륨-붕소-산화물은 0.1 내지 5 중량%의 TiO2를 추가로 포함하는 후막 페이스트 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 유기 매질은 용매, 안정제, 계면활성제, 및 증점제로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함하는 후막 페이스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 전기 전도성 금속은 고형물의 90 내지 95 중량%이고, 납-텔루륨-붕소-산화물은 고형물의 0.5 내지 7 중량%인 후막 페이스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 납-텔루륨-붕소-산화물은 적어도 부분적으로 결정질인 후막 페이스트 조성물.
  9. 제4항에 있어서, K2O, Rb2O, Cs2O, MgO, CaO, SrO, BaO, MoO3, Mn2O3, Ga2O3, GeO2, In2O3, Sb2O3, P2O5, NiO, Cr2O3, Fe2O3, CoO 및 Co2O3로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 추가로 포함하는 후막 페이스트 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 납-텔루륨-붕소-산화물은 Si, Na, K, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba, V, Zr, Mo, Mn, Zn, B, P, Se, Sn, Ga, Ge, In, Sb, Bi, Ce, Cu, F, Ni, Cr, Fe, Co, 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 원소의 산화물을 추가로 포함하는 후막 페이스트 조성물.
  11. (a) 적어도 하나의 표면 상에 침착된 하나 이상의 절연막을 포함하는 반도체 기재를 제공하는 단계;
    (b) 후막 페이스트 조성물을 절연막의 적어도 일부분 상에 적용하여 층상 구조를 형성하는 단계 - 여기서, 후막 페이스트 조성물은
    i) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 85 내지 99.5 중량%의 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체;
    ii) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-붕소-산화물; 및
    iii) 유기 매질을 포함하고,
    상기 납-텔루륨-붕소-산화물은 0.25 내지 5 중량%의 B2O3를 포함함 - ; 및
    (c) 반도체 기재, 절연막, 및 후막 페이스트 조성물을 소성하여, 절연층과 접촉하고 반도체 기재와 전기 접촉하는 전극을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
  12. (a) 반도체 기재;
    (b) 반도체 기재 상의 절연층; 및
    (c) 절연층과 접촉하고 반도체 기재와 전기 접촉하는 전극 - 전극은 전기 전도성 금속, 및 0.25 내지 5 중량%의 B2O3를 포함하는 납-텔루륨-붕소-산화물을 포함함 - 을 포함하는 물품.
  13. 제12항에 있어서, 태양 전지인 물품.
  14. a) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 84.5 내지 99 중량%의 전기 전도성 금속 또는 이의 유도체;
    b) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-붕소-산화물;
    c) 조성물 중 총 고형물을 기준으로, 0.5 내지 15 중량%의 납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물; 및
    d) 유기 매질을 포함하고,
    상기 납-텔루륨-붕소-산화물은 0.25 내지 5 중량%의 B2O3를 포함하며,
    반도체 기재의 주 표면 상에 형성된 하나 이상의 절연층을 갖는 반도체 기재를 포함하는 광기전 소자에서 전기 접속을 형성하는데 사용되며, 소성 시 하나 이상의 절연층에 침투할 수 있는 후막 페이스트 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물은
    25 내지 80 중량%의 PbO,
    10 내지 70 중량%의 TeO2,
    0.1 내지 5 중량%의 Li2O, 및
    0.1 내지 5 중량%의 TiO2를 포함하는 후막 페이스트 조성물.
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