KR101608123B1 - 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 - Google Patents

태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 Download PDF

Info

Publication number
KR101608123B1
KR101608123B1 KR1020130110718A KR20130110718A KR101608123B1 KR 101608123 B1 KR101608123 B1 KR 101608123B1 KR 1020130110718 A KR1020130110718 A KR 1020130110718A KR 20130110718 A KR20130110718 A KR 20130110718A KR 101608123 B1 KR101608123 B1 KR 101608123B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide
glass frit
solar cell
composition
cell electrode
Prior art date
Application number
KR1020130110718A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150031142A (ko
Inventor
정석현
김동석
박민수
박영기
김군호
김민재
김석철
서용제
Original Assignee
제일모직주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직주식회사 filed Critical 제일모직주식회사
Priority to KR1020130110718A priority Critical patent/KR101608123B1/ko
Priority to CN201480004073.6A priority patent/CN104903974A/zh
Priority to TW103131531A priority patent/TWI562168B/zh
Priority to US14/761,215 priority patent/US10388803B2/en
Priority to EP14844862.4A priority patent/EP2998969A4/en
Priority to PCT/KR2014/008510 priority patent/WO2015037933A1/ko
Priority to JP2016542642A priority patent/JP6392354B2/ja
Publication of KR20150031142A publication Critical patent/KR20150031142A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101608123B1 publication Critical patent/KR101608123B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/82—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • C03C4/14—Compositions for glass with special properties for electro-conductive glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2204/00—Glasses, glazes or enamels with special properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2207/00—Compositions specially applicable for the manufacture of vitreous enamels
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은 은 분말; 유리 프릿; 및 유기 비히클을 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물로서, 상기 유리 프릿은 유리전이온도가 100 내지 300℃이며, 열중량·시차열(TG-DTA) 분석시, DTA 곡선상 발열피크가 나타나는 개시온도가 200 내지 400℃인 것을 특징으로 한다. 본 발명의 태양전지 전극　형성용　조성물로 제조된 태양전지 전극은 개방전압과 단락전류밀도가 높아 변환효율 및 Fill Factor값이 우수하다.

Description

태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극{COMPOSITION FOR FORMING SOLAR CELL ELECTRODE AND ELECTRODE PREPARED USING THE SAME}
본 발명은 태양전지 전극　형성용　조성물 및 이로부터 제조된 전극에 관한 것이다.
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 pn 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양전지는 pn 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼 또는 기판 상·하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어 있다. 태양전지는 반도체 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 pn 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다. 이러한 태양전지의 전극은 전극용 페이스트 조성물의 도포, 패터닝 및 소성에 의해, 웨이퍼 표면에 형성될 수 있다.
　태양전지의 효율을 특징 지워주는 변수로는 개방전압(Voc), 단략전류밀도(Jsc), 그리고 Fill Factor(F.F.)를 들 수 있다. 개방전압(Voc)은 회로가 개방된 상태, 즉 무한대의 임피던스가 걸린 상태에서 빛을 받았을 때 태양전지의 양단에 형성되는 전위차이다. 동종접합(homojunction)의 경우를 예로서 설명하자면, 얻을 수 있는 최대한의 개방전압(Voc)값은 p-type 반도체와 n-type 반도체 사이의 일함수 값(work function)의 차이로 주어지며, 이 값은 반도체의 밴드갭에 의해 결정되므로 밴드갭이 큰 재료를 사용하면 대체로 높은 개방전압이 얻어진다. 단락전류밀도(Jsc)는 회로가 단락된 상태, 즉 외부저항이 없는 상태에서 빛을 받았을 때 나타나는 역방향(음의 값)의 전류밀도이다. 이 값은 우선적으로 입사광의 세기와 파장분포(spectral distribution)에 따라 달라지지만, 이러한 조건이 결정된 상태에서는 광흡수에 의해 여기된 전자와 정공이 재결합(recombination)하여 손실되지 않고 얼마나 효과적으로 전지 내부에서 외부회로 쪽으로 보내어지는가에 의존된다. 이 때 재결합에 의한 손실은 재료의 내부에서나 계면에서 일어날 수 있다.
따라서, 태양전지의 변환효율을 개선하기 위하여, 개방전압과 단락전류밀도가 우수한 태양전지 전극 형성용 조성물에 대한 개발이 시급히 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 개방전압과 단락전류밀도가 높은 태양전지 전극　형성용　조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 변환효율 및 Fill Factor값이 우수한 태양전지 전극　형성용　조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
본 발명의 하나의 관점은 은 분말; 유리 프릿; 및 유기 비히클을 포함하고, 상기 유리 프릿은 유리전이온도가 100 내지 300℃이고, 열중량·시차열(TG-DTA) 분석시, DTA 곡선상 발열피크가 나타나는 개시온도가 200 내지 400℃인 태양전지 전극 형성용 조성물에 관한 것이다.
상기 유리 프릿은 유연 유리 프릿일 수 있다.
상기 유리 프릿은 Pb-Bi-Te-O계 유리 프릿 및 Ag-V-Pb-O계 유리 프릿 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 Pb-Bi-Te-O계 유리 프릿은 산화납(PbO) 10 내지 70 중량%, 산화비스무스(Bi2O3) 1 내지 20 중량%, 및 산화텔루륨(TeO2) 10 내지 70 중량%를 포함하고, 상기 Ag-V-Pb-O계 유리 프릿은 산화은(Ag2O) 10 내지 60 중량%, 및 산화바나듐(V2O5) 　10 내지 40 중량%, 및 산화납(PbO) 10 내지 60 중량%를 포함할 수 있다.
상기 유리 프릿은 산화규소(SiO2), 산화바륨(BaO), 산화바나듐(V2O5), 산화인(P2O5),　산화마그네슘(MgO),　　산화세륨(CeO2), 산화붕소(B2O3),　　　　산화스트론튬(SrO),　산화몰리브덴(MoO3), 산화티탄(TiO2),　　　　　　산화주석(SnO), 산화인듐(In2O3), 산화니켈(NiO), 산화구리(Cu2O or CuO), 산화안티몬(Sb2O3, Sb2O4　또는 Sb2O5), 산화게르마늄(GeO2), 산화갈륨(Ga2O3), 산화칼슘(CaO), 　산화비소(As2O3), 산화코발트(CoO or Co2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화망간(MnO, Mn2O3　or Mn3O4), 산화네오듐(Nd2O3), 산화텅스텐(WO3), 산화크롬(Cr2O3) 및 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속산화물을 더 포함할 수 있다.
상기 태양전지 전극 형성용 조성물은 은 분말 60 내지 95 중량%; 상기 유리 프릿 0.5 내지 20 중량%; 및 상기 유기 비히클 1 내지 30 중량%를 포함할 수 있다.
상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1 내지 10㎛일 수 있다.
상기 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점인 태양전지 전극은 상기 태양전지 전극　형성용　조성물로부터　형성될 수 있다.　　
본 발명의 태양전지 전극　형성용　조성물로 제조된 태양전지 전극은 개방전압과 단락전류밀도가 높아 변환효율 및 Fill Factor값이 우수하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다. 　
도 2는 유리프릿의 열중량·시차열(TG-DTA) 분석하여 확보된 DTA 곡선 그래프를 나타낸 것이다.
태양전지 전극　형성용　조성물
본 발명은 은 분말; 유리 프릿; 및 유기 비히클을 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물에 관한 것으로, 상기 유리 프릿은 유리전이온도가 100 내지 300℃이고, 열중량·시차열(TG-DTA) 분석시 DTA 곡선상 발열피크가 나타나는 개시온도가 200 내지 400℃일 수 있다.
상기 유리 프릿은 본 발명의 태양전지 전극　형성용　조성물로 제조된 태양전지 전극은 개방전압과 단락전류밀도가 높아 변환효율 및 Fill Factor값이 우수하다.
　
이하, 본 발명을 상세히 설명하면, 다음과 같다.
　
(A) 은 분말
본 발명의 태양전지 전극　형성용　조성물은　도전성 분말로서 은(Ag) 분말을 사용한다. 상기 은 분말은 나노 사이즈 또는 마이크로 사이즈의 입경을 갖는 분말일 수 있는데, 예를 들어 수십 내지 수백 나노미터 크기의 은 분말, 수 내지 수십 마이크로미터의 은 분말일 수 있으며, 2 이상의 서로 다른 사이즈를 갖는 은 분말을 혼합하여 사용할 수 있다.
은 분말은 입자 형상이 구형, 판상, 무정형 형상을 가질 수 있다
은 분말은 평균입경(D50)은 바람직하게는 0.1 내지 10㎛이며, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5㎛이 될 수 있다. 상기 평균입경은 이소프로필알코올(IPA)에 도전성 분말을 초음파로 25℃에서 3분 동안 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다. 상기 범위 내에서, 접촉저항과 선 저항이 낮아지는 효과를 가질 수 있다.
은 분말은 조성물 전체 중량 대비 60 내지 95 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 저항의 증가로 변환 효율이 낮아지는 것을 막을 수 있다. 바람직하게는 70 내지 90 중량%로 포함될 수 있다.
　
(B) 유리 프릿
유리 프릿(glass frit)은 전극 페이스트의 소성 공정 중 반사 방지막을 에칭(etching)하고, 은 입자를 용융시켜 저항이 낮아질 수 있도록 에미터 영역에 은 결정 입자를 생성시키고, 전도성 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소결시에 연화하여 소성 온도를 보다 낮추는 효과를 유도한다.
태양전지의 효율 또는 Fill Factor를 증가시키기 위하여 태양전지의 면적을 증가시키면 태양전지의 접촉저항이 높아질 수 있으므로 pn 접합(pn junction)에 대한 피해를 최소화함과 동시에 직렬저항을 최소화시켜야 한다. 또한, 다양한 면저항의 웨이퍼의 증가에 따라 소성 온도가 변동폭이 커지므로 넓은 소성 온도에서도 열안정성을 충분히 확보될 수 있는 유리 프릿을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유리 프릿은 저융점 유리 프릿으로서, 상기 저융점 결정상 유리 프릿은 유리전이온도가 100 내지 300℃일 수 있다.
상기 유리 프릿은 열중량·시차열(TG-DTA) 분석시, DTA 곡선상 발열피크가 나타나는 개시온도가 200 내지 400℃일 수 있다. 상기 개시온도는 최초 발열피크가 발현되는 온도를 의미한다. 상기 발열피크는 하나 이상일 수 있으며, DTA 곡선상 복수 개의 발열피크가 발현되는 경우,　200 내지 400℃ 범위에서 첫번 째 발열피크가 나타날 수 있다. 도 2는 본 발명의 일 구체예에 따른 유리 프릿의 DTA 곡선 그래프를 나타낸 것으로 DTA 곡선상 발열피크가 나타나는 개시온도가 283.5℃인 예를 나타낸 것이다.
상기 열중량·시차열(TG-DTA) 분석은 유리 프릿을 승온속도 20℃/min으로 600℃까지 승온하며 나타나는 DTA 곡선상 발열 또는 흡열 피크를 통해　흡열 및 발열 온도를 각각 측정할 수 있다.
상기 유리 프릿은 유연 유리 프릿일 수 있다.
일 구체예로서, 상기 유리 프릿은 Pb-Bi-Te-O계 유리 프릿일 수 있고, 상기 유리 프릿은 산화납(PbO) 10 내지 70 중량%, 산화비스무스(Bi2O3) 1 내지 20 중량% 및 산화텔루륨(TeO2) 10 내지 70 중량%를 포함할 수 있다. 상기 범위에서 우수한 변환효율 및 리본과의 접착력을 확보할 수 있다.
다른 구체예로서, 상기 저융점 결정상 유리 프릿은 Ag-V-Pb-O계 유리 프릿일 수 있고, 상기 유리 프릿은 산화은(Ag2O) 10 내지 60 중량%, 및 산화바나듐(V2O5) 　10 내지 40 중량%, 및 산화납(PbO) 10 내지 60 중량%를 포함할 수 있다. 상기 범위에서 우수한 변환효율 및 을 확보할 수 있다.
상기 유리 프릿은 산화규소(SiO2), 산화바륨(BaO), 산화인(P2O5),　산화마그네슘(MgO),　　산화세륨(CeO2), 산화붕소(B2O3),　　　　산화스트론튬(SrO),　산화몰리브덴(MoO3), 산화티탄(TiO2),　　　　　　산화주석(SnO), 산화인듐(In2O3), 산화니켈(NiO), 산화구리(Cu2O or CuO), 산화안티몬(Sb2O3, Sb2O4　또는 Sb2O5), 산화게르마늄(GeO2), 산화갈륨(Ga2O3), 산화칼슘(CaO), 　산화비소(As2O3), 산화코발트(CoO or Co2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화망간(MnO, Mn2O3　or Mn3O4), 산화네오듐(Nd2O3), 산화텅스텐(WO3), 산화크롬(Cr2O3) 및 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속산화물을 더 포함할 수 있다.
상기 유리 프릿은 통상의 방법을 사용하여 상기 기술된 금속 산화물로부터 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 기술된 금속산화물의 조성으로 혼합한다. 혼합은 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill)을 사용하여 혼합할 수 있다. 혼합된 조성물을 900℃-1300℃의 조건에서 용융시키고, 25℃에서 ?칭(quenching)한다. 얻은 결과물을 디스크 밀(disk mill), 플라네터리 밀 등에 의해 분쇄하여 유리 프릿을 얻을 수 있다.
상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1 내지 10㎛인 것이 사용될 수 있으며, 조성물 전체 중량을 기준으로 0.5 내지 20 중량% 포함될 수 있으며, 바람직하게는0.5 내지 5 중량%로 포함될 수 있다.
상기 상기 유리 프릿의 형상은 구형이거나 부정형상이어도 무방하다.
　
(C) 유기 비히클
유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물의 무기성분과 기계적 혼합을 통하여 페이스트 조성물에 인쇄에 적합한 점도 및 유변학적 특성을 부여한다.
상기 유기 비히클은 통상적으로 태양전지 전극 형성용 조성물에 사용되는 유기 비히클이 사용될 수 있는데, 통상 바인더 수지와 용매 등을 포함할 수 있다.
상기 바인더 수지로는 아크릴레이트계 또는 셀룰로오스계 수지 등을 사용할 수 있으며 에틸 셀룰로오스가 일반적으로 사용되는 수지이다. 그러나, 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스와 페놀 수지의 혼합물, 알키드 수지, 페놀계 수지, 아크릴산 에스테르계 수지, 크실렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 요소계 수지, 멜라민계 수지, 초산비닐계 수지, 목재 로진(rosin) 또는 알콜의 폴리메타크릴레이트 등을 사용할 수도 있다.
상기 용매로는 예를 들어, 헥산, 톨루엔, 클로헥사논, 에틸셀로솔브, 시, 부틸센로솔브, 부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르), 디부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 등의 글라이콜 에테르 류의 용매, 부틸 카비톨 아세테이트(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트), 헥실렌 글리콜, 터핀올(Terpineol), 메틸에틸케톤, 벤질알콜, 감마부티로락톤, 에틸락테이트, 3-펜탄디올,2,2,4-트리메틸-모노이소부티레이트(텍사놀, Texanol) 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 유기 비히클의 배합량은 조성물 전체 중량에 대하여 1 내지 30 중량%일 수 있다. 상기 범위에서 충분한 접착강도와 우수한 인쇄성을 확보할 수 있다.　
　
(D) 첨가제
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 상기한 구성 요소 외에 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이들은 조성물 전제 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%로 첨가되지만 필요에 따라 변경할 수 있다.
　
태양전지 전극 및 이를 포함하는 태양전지
본 발명의 다른 관점은 상기 태양전지 전극 형성용 조성물부터 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, p층(101) 및 에미터로서의 n층(102)을 포함하는 웨이퍼(100) 또는 기판 상에, 상기 태양전지 전극 형성용 조성물을 인쇄하고 소성하여 후면 전극(210) 및 전면 전극(230)을 형성할 수 있다. 예컨대, 태양전지 전극 형성용 조성물을 웨이퍼의 후면에 인쇄 도포한 후, 대략 200 내지 400℃ 온도로 대략 10 내지 60초 정도 건조하여 후면 전극을 위한 사전 준비 단계를 수행할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 전면에 태양전지 전극 형성용 조성물을 인쇄한 후 건조하여 전면 전극을 위한 사전 준비단계를 수행할 수 있다. 이후에, 400 내지 950℃, 바람직하게는 850 내지 950℃에서 30 내지 50초 정도 소성하는 소성 과정을 수행하여 전면 전극 및 후면 전극을 형성할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로, 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
　
실시예
실시예 1
하기 표 1의 조성으로 금속 산화물을 혼합하여 900 내지 1300℃에서 용융 및 소결과정을 거쳐 평균입경(D50)이 1.0㎛인 유리 프릿 I을 제조하였다. 상기 유리 프릿 I은 유리전이온도가 280℃이며, 열중량·시차열(TG-DTA) 측정시 DTA 곡선상 302℃에서 첫번째 발열피크를 갖는다.
유기 바인더로서 에틸셀룰로오스 (Dow chemical company, STD4) 0.2 중량%를 용매인 부틸 카비톨 (Butyl Carbitol) 5 중량%에 60℃에서 충분히 용해한 후 평균입경이 1.2㎛인 구형의 은 분말(Dowa Hightech CO. LTD, AG-2.5-11F) 89　중량%, 유리 프릿 I 1 중량%, 첨가제로서 가소제 Benzoflex 9-88(Eastman社) 3 중량%, 분산제 BYK102(BYK-chemie) 0.7 중량% 및 요변제 Thixatrol ST(Elementis co.) 1.1 중량%를 투입하여 골고루 믹싱 후 3롤 혼련기로 혼합 분산시켜 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조하였다.
　
물성 평가 방법
Fill Factor, 단락전류밀도, 개방전압, 및 변환효율 :　P-type 다결정 웨이퍼를 산 또는 염기로 텍스쳐링(texturing)하고, 인(P)을 확산시켜 N-type 에미터를 형성한 후, PECVD 공정을 통하여 질화규소계 반사방지막이 형성된 태양전지용 웨이퍼의 전면에 상기 제조된 태양전지 전극 형성용 조성물로 일정한 패턴을 스크린 프린팅 하여 인쇄 후, 적외선 건조로에서 건조하였다. 이후 웨이퍼 후면에 알루미늄 페이스트를 인쇄한 후 동일한 방법으로 건조하였다. 상기 과정으로 형성된 Cell을 벨트형 소성로를 사용하여 400 내지 900 ℃사이로 30초에서 50초간 소성을 행하였으며, 이렇게 제조 완료된 Cell은 태양전지효율 측정장비(Pasan社, CT-801)를 사용하여 Fill Factor(F.F.), 단락 전류 밀도(Jsc), 개방전압(Voc), 및 변환효율(Eff., %)을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
유리프릿의 열중량·시차열(TG-DTA) 측정 : EXSTAR社 aluminium　pan(P/N SSC515D001)　및 　EXSTAR 6200을 사용하여,　유리 프릿을 승온속도 20℃/min 으로 600℃까지 승온하며 DTA 곡선상 나타나는 발열피크의 온도를 측정하여 하기 　표 1에 나타내었다.
　
실시예 2 - 8 및 비교예 1 - 3
하기 표 2 및 3의 조성으로 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다. 실시예 2-8 및 비교예 1-5에서 사용한 유리 프릿 I 내지 V의 조성과 유리전이 온도　및　열중량·시차열(TG-DTA) 분석시 최초 발열피크가 나타나는 개시온도는 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure 112013084211655-pat00001
[표 2]
Figure 112013084211655-pat00002
[표 3]
Figure 112013084211655-pat00003
상기 표 2 및 3에서 보듯이, 유리전이 온도가 100 내지 300℃ 범위로 저융점을 가지면서, 발열피크가 나타나는 개시온도가 200 내지 400℃인 유리 프릿(Ⅰ 및 Ⅱ)을 사용한 실시예의 경우, 유리전이 온도는 본원발명에 포함되더라도 200 내지 400℃에서 발열피크가 발현되지 않는 유리 프릿(Ⅲ)을 사용한 비교예 1 및 유리전이 온도가 300℃를 초과하는 고융점의 유리 프릿(Ⅳ 및 Ⅴ)을 사용한 비교예 2 내지 3에 비하여 변환효율 및 Fill Factor값이 우수한 것을 알 수 있다.
　
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (9)

  1. 은 분말; 유리 프릿; 및 유기 비히클을 포함하고,
    상기 유리 프릿은 유리전이온도가 100 내지 300℃이고, 열중량·시차열(TG-DTA) 분석시, DTA 곡선상 발열피크가 나타나는 개시온도가 200 내지 400℃이고,
    상기 유리 프릿은 Pb-Bi-Te-O계 유리 프릿 및 Ag-V-Pb-O계 유리 프릿 중 하나 이상을 포함하는 것인, 태양전지 전극 형성용 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 유연 유리 프릿인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 Pb-Bi-Te-O계 유리 프릿은 산화납(PbO) 10 내지 70 중량%, 산화비스무스(Bi2O3) 1 내지 20 중량%, 및 산화텔루륨(TeO2) 10 내지 70 중량%를 포함하고,
    상기 Ag-V-Pb-O계 유리 프릿은 산화은(Ag2O) 10 내지 60 중량%, 및 산화바나듐(V2O5) 10 내지 40 중량%, 및 산화납(PbO) 10 내지 60 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 산화규소(SiO2), 산화바륨(BaO), 산화바나듐(V2O5), 산화인(P2O5),　산화마그네슘(MgO),　　산화세륨(CeO2), 산화붕소(B2O3),　　　　산화스트론튬(SrO),　산화몰리브덴(MoO3), 산화티탄(TiO2),　　　　　　산화주석(SnO), 산화인듐(In2O3), 산화니켈(NiO), 산화구리(Cu2O or CuO), 산화안티몬(Sb2O3, Sb2O4　또는 Sb2O5), 산화게르마늄(GeO2), 산화갈륨(Ga2O3), 산화칼슘(CaO), 　산화비소(As2O3), 산화코발트(CoO or Co2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화망간(MnO, Mn2O3　or Mn3O4), 산화네오듐(Nd2O3), 산화텅스텐(WO3), 산화크롬(Cr2O3) 및 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속산화물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 은 분말 60 내지 95 중량%; 상기 유리 프릿 0.5 내지 20 중량%; 및 상기 유기 비히클 1 내지 30 중량%;를 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  9. 제1항, 제2항, 제4항, 제5항, 제6항, 제7항, 제8항 중 어느 한 항의 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 태양전지 전극.
KR1020130110718A 2013-09-13 2013-09-13 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 KR101608123B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130110718A KR101608123B1 (ko) 2013-09-13 2013-09-13 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
CN201480004073.6A CN104903974A (zh) 2013-09-13 2014-09-12 太阳能电池电极用组成物及使用此组成物制造的电极
TW103131531A TWI562168B (en) 2013-09-13 2014-09-12 Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same
US14/761,215 US10388803B2 (en) 2013-09-13 2014-09-12 Composition for forming solar cell electrode and electrode manufactured therefrom
EP14844862.4A EP2998969A4 (en) 2013-09-13 2014-09-12 Composition for forming solar cell electrode and electrode manufactured therefrom
PCT/KR2014/008510 WO2015037933A1 (ko) 2013-09-13 2014-09-12 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
JP2016542642A JP6392354B2 (ja) 2013-09-13 2014-09-12 太陽電池電極形成用組成物及びこれによって製造された電極

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130110718A KR101608123B1 (ko) 2013-09-13 2013-09-13 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150031142A KR20150031142A (ko) 2015-03-23
KR101608123B1 true KR101608123B1 (ko) 2016-03-31

Family

ID=52665958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130110718A KR101608123B1 (ko) 2013-09-13 2013-09-13 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10388803B2 (ko)
EP (1) EP2998969A4 (ko)
JP (1) JP6392354B2 (ko)
KR (1) KR101608123B1 (ko)
CN (1) CN104903974A (ko)
TW (1) TWI562168B (ko)
WO (1) WO2015037933A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180046810A (ko) * 2016-10-28 2018-05-09 삼성에스디아이 주식회사 태양전지용 핑거 전극 및 이의 제조방법
WO2018182143A1 (ko) * 2017-03-30 2018-10-04 알무스이앤티 주식회사 바나듐계 유리 조성물 및 이를 이용하여 제조한 바나듐계 유리재

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9039937B1 (en) * 2013-12-17 2015-05-26 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same
KR20150089939A (ko) * 2014-01-28 2015-08-05 주식회사 동진쎄미켐 유리 조성물 및 이를 이용한 태양전지용 전극 조성물
KR101816236B1 (ko) 2015-04-28 2018-01-08 삼성에스디아이 주식회사 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지
CN105118579B (zh) * 2015-09-15 2017-07-18 苏州晶银新材料股份有限公司 用于光伏电池正面电极银浆的制备方法
JP6804255B2 (ja) 2015-12-15 2020-12-23 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. 電極形成用組成物ならびにこれを用いて製造された電極および太陽電池
KR101974839B1 (ko) * 2015-12-15 2019-05-03 삼성에스디아이 주식회사 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지
KR101736773B1 (ko) * 2016-04-06 2017-05-29 대주전자재료 주식회사 태양전지용 후면전극 페이스트 조성물
US10134925B2 (en) 2016-04-13 2018-11-20 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
US10081879B2 (en) * 2016-05-06 2018-09-25 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for increasing a lifespan of nanopore-based DNA sensing devices
JP7013458B2 (ja) * 2017-05-31 2022-01-31 東洋アルミニウム株式会社 太陽電池用ペースト組成物
KR20190012878A (ko) * 2017-07-28 2019-02-11 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR102406747B1 (ko) * 2018-12-21 2022-06-08 창저우 퓨전 뉴 머티리얼 씨오. 엘티디. 태양전지 전극 형성 방법 및 태양전지
CN109970347A (zh) * 2019-04-29 2019-07-05 齐鲁工业大学 一种提高锂离子电池性能的TeO2-V2O5-CuO微晶玻璃负极材料
JP7360085B2 (ja) * 2019-06-05 2023-10-12 日本電気硝子株式会社 粉末材料及び粉末材料ペースト
CN110342827A (zh) * 2019-06-21 2019-10-18 浙江中希电子科技有限公司 一种低温改性玻璃粉及其在正面双层钝化Perc电池中的应用
KR102342518B1 (ko) * 2019-12-31 2021-12-23 엘에스니꼬동제련 주식회사 태양전지 전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 사용하여 제조된 전극을 포함하는 태양전지
CN112592068B (zh) * 2020-12-15 2022-11-15 广州市儒兴科技股份有限公司 一种玻璃粉及其制备方法与在TOPCon电池中的应用

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4945071A (en) * 1989-04-19 1990-07-31 National Starch And Chemical Investment Holding Company Low softening point metallic oxide glasses suitable for use in electronic applications
US5066621A (en) * 1990-06-21 1991-11-19 Johnson Matthey Inc. Sealing glass composition and electrically conductive formulation containing same
WO1993002980A1 (en) * 1991-08-07 1993-02-18 Vlsi Packaging Materials, Inc. Low temperature lead vanadium sealing glass compositions
US5188990A (en) * 1991-11-21 1993-02-23 Vlsi Packaging Materials Low temperature sealing glass compositions
JPH05175254A (ja) 1991-12-20 1993-07-13 Nippon Electric Glass Co Ltd 低融点接着組成物
US5334558A (en) * 1992-10-19 1994-08-02 Diemat, Inc. Low temperature glass with improved thermal stress properties and method of use
KR100351230B1 (ko) 2000-06-09 2002-09-05 대주정밀화학 주식회사 전극용 도전 페이스트 조성물
US8118722B2 (en) * 2003-03-07 2012-02-21 Neuronetics, Inc. Reducing discomfort caused by electrical stimulation
US7736546B2 (en) 2008-01-30 2010-06-15 Basf Se Glass frits
JP5414409B2 (ja) 2009-01-16 2014-02-12 日立粉末冶金株式会社 低融点ガラス組成物、それを用いた低温封着材料及び電子部品
KR101246686B1 (ko) 2010-03-19 2013-03-21 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용한 태양전지
CN102870197B (zh) * 2010-04-23 2016-10-12 日立化成工业株式会社 n型扩散层形成组合物、n型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法
KR102177050B1 (ko) * 2010-05-04 2020-11-10 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 납- 및 텔루륨-산화물을 함유하는 후막 페이스트, 및 반도체 디바이스의 제조에 있어서의 그의 용도
US9563835B2 (en) * 2010-09-01 2017-02-07 Quake Global, Inc. Methods and apparatus for automatic identification wristband
US20120142140A1 (en) * 2010-12-02 2012-06-07 Applied Nanotech Holdings, Inc. Nanoparticle inks for solar cells
CN103547542A (zh) 2011-03-24 2014-01-29 E.I.内穆尔杜邦公司 导电糊料组合物及由其制成的半导体器件
US20130192671A1 (en) * 2011-08-11 2013-08-01 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive metal paste and use thereof
KR101301482B1 (ko) * 2011-11-03 2013-08-29 주식회사 아이엠티에스 부식 방지 효과가 우수한 전극 보호용 조성물을 이용한 염료감응 태양전지
KR101437143B1 (ko) 2011-12-02 2014-09-03 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 조성물, 이를 이용하여 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지
US20130186463A1 (en) * 2011-12-06 2013-07-25 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive silver paste for a metal-wrap-through silicon solar cell
KR20140022511A (ko) 2012-08-13 2014-02-25 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트, 이로부터 제조된 전극 및 이를 포함하는 태양전지
US8969709B2 (en) 2012-08-30 2015-03-03 E I Du Pont De Nemours And Company Use of a conductive composition containing lead—tellurium-based oxide in the manufacture of semiconductor devices with lightly doped emitters
KR101397708B1 (ko) 2013-01-04 2014-05-23 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트, 그 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 전극
JP6137852B2 (ja) * 2013-02-04 2017-05-31 ナミックス株式会社 太陽電池の電極形成用導電性ペースト
JP6220862B2 (ja) * 2013-04-04 2017-10-25 ナミックス株式会社 電極形成用導電性ペースト、太陽電池の製造方法及び太陽電池
KR20150089939A (ko) * 2014-01-28 2015-08-05 주식회사 동진쎄미켐 유리 조성물 및 이를 이용한 태양전지용 전극 조성물

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Journal of the Korean Ceramic Society, 50, 3, 238-243 (2013.05.)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180046810A (ko) * 2016-10-28 2018-05-09 삼성에스디아이 주식회사 태양전지용 핑거 전극 및 이의 제조방법
WO2018182143A1 (ko) * 2017-03-30 2018-10-04 알무스이앤티 주식회사 바나듐계 유리 조성물 및 이를 이용하여 제조한 바나듐계 유리재

Also Published As

Publication number Publication date
TWI562168B (en) 2016-12-11
EP2998969A1 (en) 2016-03-23
KR20150031142A (ko) 2015-03-23
EP2998969A4 (en) 2017-01-25
CN104903974A (zh) 2015-09-09
JP2016532278A (ja) 2016-10-13
WO2015037933A1 (ko) 2015-03-19
JP6392354B2 (ja) 2018-09-19
TW201523638A (zh) 2015-06-16
US20160284891A1 (en) 2016-09-29
US10388803B2 (en) 2019-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101608123B1 (ko) 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101587683B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101696985B1 (ko) 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101596548B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101557536B1 (ko) 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20150045831A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 태양전지
KR20140092489A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101600659B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101980946B1 (ko) 태양전지용 전면 전극 및 이를 포함하는 태양전지
KR101590224B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101940170B1 (ko) 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지
KR101845102B1 (ko) 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR102018364B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101566071B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101835921B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20190073210A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101737172B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20160075422A (ko) 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101582374B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101974839B1 (ko) 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지
KR101590226B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20210069788A (ko) 선택적 에미터 태양전지 전극 및 이를 포함한 선택적 에미터 태양전지
KR20190012878A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20200015318A (ko) 알루미늄 산화물층을 포함하는 태양 전지의 전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 이로부터 제조된 전극을 포함하는 태양 전지
KR20190010343A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200214

Year of fee payment: 5