JPH04270140A - シーリングガラス組成物および導電性成分を含む同組成物 - Google Patents
シーリングガラス組成物および導電性成分を含む同組成物Info
- Publication number
- JPH04270140A JPH04270140A JP3148450A JP14845091A JPH04270140A JP H04270140 A JPH04270140 A JP H04270140A JP 3148450 A JP3148450 A JP 3148450A JP 14845091 A JP14845091 A JP 14845091A JP H04270140 A JPH04270140 A JP H04270140A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- sealing glass
- glass composition
- silver
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 19
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 5
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 38
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000009472 formulation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 16
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- -1 thixotropes Substances 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 2
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 2
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 2
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N lead(2+);oxido(oxo)borane Chemical compound [Pb+2].[O-]B=O.[O-]B=O ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001483 poly(ethyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/12—Silica-free oxide glass compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4827—Materials
- H01L23/4828—Conductive organic material or pastes, e.g. conductive adhesives, inks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シーリングガラス組成
物およびその組成物の導電性混合物に係わり、具体的に
は、“ダイ”の別名で知られる半導体チップをセラミッ
ク基材に接合することに関し、さらに具体的には４００
℃未満で焼成してこれらダイをセラミック基材に接合す
るのに用いる組成物に関する。本発明の一態様によれば
、シーリングガラス組成物は、特にシリコン半導体デバ
イスをセラミック基材に接合するのに有効である銀ペー
ストのような導電性ペーストとして調合される。
物およびその組成物の導電性混合物に係わり、具体的に
は、“ダイ”の別名で知られる半導体チップをセラミッ
ク基材に接合することに関し、さらに具体的には４００
℃未満で焼成してこれらダイをセラミック基材に接合す
るのに用いる組成物に関する。本発明の一態様によれば
、シーリングガラス組成物は、特にシリコン半導体デバ
イスをセラミック基材に接合するのに有効である銀ペー
ストのような導電性ペーストとして調合される。
【０００２】
【発明の背景】半導体デバイスを金属化した、あるいは
金属化していないセラミック基材に接合するのに銀充填
ガラスを使用することは知られている。このようなペー
ストは、たとえば、Ｄｉｅｔｚ等の米国特許第４，４０
１，７６７号、同第４，４３６，７８５号、同第４，４
５９１６６号や、Ｈｕｓｓｏｎ，Ｊｒ等の米国特許第４
，６３６２５４号、同第４，７６１，２２４号に記載さ
れている。
金属化していないセラミック基材に接合するのに銀充填
ガラスを使用することは知られている。このようなペー
ストは、たとえば、Ｄｉｅｔｚ等の米国特許第４，４０
１，７６７号、同第４，４３６，７８５号、同第４，４
５９１６６号や、Ｈｕｓｓｏｎ，Ｊｒ等の米国特許第４
，６３６２５４号、同第４，７６１，２２４号に記載さ
れている。
【０００３】従来の銀ペーストは半導体産業で広い用途
があるが、セラミック基材に接合する間に受ける高温に
耐えられないような半導体デバイスに適用するには問題
がある。
があるが、セラミック基材に接合する間に受ける高温に
耐えられないような半導体デバイスに適用するには問題
がある。
【０００４】今までのシーリングガラス組成物および銀
ペーストは、満足すべき接合性と充分な接着力を得るた
めには４３０℃といった４００℃以上の温度での加熱を
必要とした。たとえば、一般に使用されているホウ酸鉛
系のガラスは、所望の接着力を得るためには４３０℃の
温度で焼成する必要がある。しかしながら、最近の半導
体ダイの多くは、従来のものより焼成温度に敏感であり
、それらの用途はその温度によって制限されることにな
る。高温の焼成温度に敏感なダイには、大規模ダイや微
細な線形状のダイが含まれる。後者の場合、ダイ表面に
１〜２ミクロンの間隔のＳｉ−ＳｉＯ２−Ｓｉの線が形
成される。充分に接合させるために高温で焼成すると線
の組成物に初期融解が起こり、その結果、線間に望まし
くない接触が起こるためダイの有用性を損ねる結果を招
きやすい。
ペーストは、満足すべき接合性と充分な接着力を得るた
めには４３０℃といった４００℃以上の温度での加熱を
必要とした。たとえば、一般に使用されているホウ酸鉛
系のガラスは、所望の接着力を得るためには４３０℃の
温度で焼成する必要がある。しかしながら、最近の半導
体ダイの多くは、従来のものより焼成温度に敏感であり
、それらの用途はその温度によって制限されることにな
る。高温の焼成温度に敏感なダイには、大規模ダイや微
細な線形状のダイが含まれる。後者の場合、ダイ表面に
１〜２ミクロンの間隔のＳｉ−ＳｉＯ２−Ｓｉの線が形
成される。充分に接合させるために高温で焼成すると線
の組成物に初期融解が起こり、その結果、線間に望まし
くない接触が起こるためダイの有用性を損ねる結果を招
きやすい。
【０００５】したがって、このような高温で焼成しなく
ても充分な接着力を得られるシーリングガラス組成物お
よびそれを用いた銀ペーストを提供できることが望まれ
る。
ても充分な接着力を得られるシーリングガラス組成物お
よびそれを用いた銀ペーストを提供できることが望まれ
る。
【０００６】
【発明の概要】本発明は、半導体デバイスをセラミック
基材に接合するための新規のシーリングガラス組成物お
よびこれを含む接合用の導電性剤を提供するものである
。本発明のシーリングガラス組成物は４００℃未満の温
度で焼成しても充分な接着力で半導体デバイスをセラミ
ック基材に接着させることができる。この組成物は、重
量％で、１３−５０％の酸化鉛、２０−５０％の酸化バ
ナジウム、２−４０％の酸化テルル、４０％以下の酸化
セレン、５％以下の酸化ニオブ、２０％以下の酸化ビス
マス、１０％以下の酸化リン、５％以下の酸化銅、１０
％以下の酸化ホウ素を含む。好ましい組成物は、約３０
−５０％のＰｂＯ、約３０−５０％のＶ２Ｏ５、約９−
３０％のＴｅＯ２、約１−５％のＢｉ２Ｏ３、０−４０
％のＳｅＯ２、および１０％以下のＮｂ２Ｏ５、Ｐ２Ｏ
５、ＣｕＯ、Ｂ２Ｏ３の１種または２種以上を含む。
基材に接合するための新規のシーリングガラス組成物お
よびこれを含む接合用の導電性剤を提供するものである
。本発明のシーリングガラス組成物は４００℃未満の温
度で焼成しても充分な接着力で半導体デバイスをセラミ
ック基材に接着させることができる。この組成物は、重
量％で、１３−５０％の酸化鉛、２０−５０％の酸化バ
ナジウム、２−４０％の酸化テルル、４０％以下の酸化
セレン、５％以下の酸化ニオブ、２０％以下の酸化ビス
マス、１０％以下の酸化リン、５％以下の酸化銅、１０
％以下の酸化ホウ素を含む。好ましい組成物は、約３０
−５０％のＰｂＯ、約３０−５０％のＶ２Ｏ５、約９−
３０％のＴｅＯ２、約１−５％のＢｉ２Ｏ３、０−４０
％のＳｅＯ２、および１０％以下のＮｂ２Ｏ５、Ｐ２Ｏ
５、ＣｕＯ、Ｂ２Ｏ３の１種または２種以上を含む。
【０００７】また、半導体デバイスをセラミック基材に
接合させるための本発明による導電性剤は、銀ガラスペ
ーストの形の上記シーリングガラス組成物を含むもので
あって、重量％で、５０−７７％の銀フレーク（粉末の
銀１０％以下を含んでいてもよい）、８−３４％の上記
シーリングガラス組成物、および１０−２０％の、樹脂
、チキソトロープ、溶媒を含む有機材料を含む。樹脂と
チキソトロープは合計で０．２−１．５％の範囲で区別
なく用いることができる。有機溶媒は１０−２０％の範
囲である。
接合させるための本発明による導電性剤は、銀ガラスペ
ーストの形の上記シーリングガラス組成物を含むもので
あって、重量％で、５０−７７％の銀フレーク（粉末の
銀１０％以下を含んでいてもよい）、８−３４％の上記
シーリングガラス組成物、および１０−２０％の、樹脂
、チキソトロープ、溶媒を含む有機材料を含む。樹脂と
チキソトロープは合計で０．２−１．５％の範囲で区別
なく用いることができる。有機溶媒は１０−２０％の範
囲である。
【０００８】
上記の通り、導電性ペースト剤として有用な本発明のシ
ーリングガラス組成物は、重量％で、１３−５０％の酸
化鉛（ＰｂＯ）、２０−５０％の酸化バナジウム（Ｖ２
Ｏ５）、２−４０％の酸化テルル（ＴｅＯ２）を含んで
いる。好ましい添加物としては、４０％以下の酸化セレ
ン（ＳｅＯ２）、１０％以下の酸化リン（Ｐ２Ｏ５）、
５％以下の酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、２０％以下の酸
化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、５％以下の酸化銅（ＣｕＯ
）、および１０％以下の酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）を含む
。本明細書において使用される％はすべて重量％である
。
ーリングガラス組成物は、重量％で、１３−５０％の酸
化鉛（ＰｂＯ）、２０−５０％の酸化バナジウム（Ｖ２
Ｏ５）、２−４０％の酸化テルル（ＴｅＯ２）を含んで
いる。好ましい添加物としては、４０％以下の酸化セレ
ン（ＳｅＯ２）、１０％以下の酸化リン（Ｐ２Ｏ５）、
５％以下の酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、２０％以下の酸
化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、５％以下の酸化銅（ＣｕＯ
）、および１０％以下の酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）を含む
。本明細書において使用される％はすべて重量％である
。
【０００９】基本的なガラス組成はガラス形成物質であ
る酸化鉛（ＰｂＯ）および酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）
である。組成物の望ましい特性は他の成分を添加するこ
とにより得られるが、添加によって望ましい特性が確実
に現れるためにはＰｂＯおよびＶ２Ｏ５を上記割合で含
有させねばならない。組成物の調合に際しては、ＰｂＯ
およびＶ２Ｏ５が酸化テルルおよび他の成分と相互作用
することにより低い温度で焼成しても充分な接着力を有
する混合物を生成するように、酸化鉛、酸化バナジウム
および酸化テルルの量を選択する。
る酸化鉛（ＰｂＯ）および酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）
である。組成物の望ましい特性は他の成分を添加するこ
とにより得られるが、添加によって望ましい特性が確実
に現れるためにはＰｂＯおよびＶ２Ｏ５を上記割合で含
有させねばならない。組成物の調合に際しては、ＰｂＯ
およびＶ２Ｏ５が酸化テルルおよび他の成分と相互作用
することにより低い温度で焼成しても充分な接着力を有
する混合物を生成するように、酸化鉛、酸化バナジウム
および酸化テルルの量を選択する。
【００１０】酸化テルル（ＴｅＯ２）、およびＴｅＯ２
の一部の代りとして用いることのできる酸化セレン（Ｓ
ｅＯ２）は、いずれもガラス組成物の流動性を高めてガ
ラスとセラミック基材との反応を促進することにより有
効な接合を達成するように作用する。酸化テルルは単独
で使用しても、あるいは酸化セレンとともに使用しても
よいが、合計で４０％を越えないようにする。
の一部の代りとして用いることのできる酸化セレン（Ｓ
ｅＯ２）は、いずれもガラス組成物の流動性を高めてガ
ラスとセラミック基材との反応を促進することにより有
効な接合を達成するように作用する。酸化テルルは単独
で使用しても、あるいは酸化セレンとともに使用しても
よいが、合計で４０％を越えないようにする。
【００１１】任意の添加物としての酸化リン（Ｐ２Ｏ５
）は、これを含有するガラス組成物の融点を低下させる
のに有用である。１０％以下の五酸化リンをガラスの焼
成温度に悪影響を及ぼすことなくこのために使用し得る
。
）は、これを含有するガラス組成物の融点を低下させる
のに有用である。１０％以下の五酸化リンをガラスの焼
成温度に悪影響を及ぼすことなくこのために使用し得る
。
【００１２】ガラス組成物の熱膨張率と半導体デバイス
を接合するセラミック部材の熱膨張率の不整合を避ける
目的でガラスの熱膨張特性を制御するために、上記ガラ
ス混合物に酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含ませることが
できる。ただし、酸化ニオブの量はガラス組成物の所要
の低い焼成温度に悪影響が及ばないように制御しなけれ
ばならない。そのためには酸化ニオブ量を５％以下とす
べきである。
を接合するセラミック部材の熱膨張率の不整合を避ける
目的でガラスの熱膨張特性を制御するために、上記ガラ
ス混合物に酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含ませることが
できる。ただし、酸化ニオブの量はガラス組成物の所要
の低い焼成温度に悪影響が及ばないように制御しなけれ
ばならない。そのためには酸化ニオブ量を５％以下とす
べきである。
【００１３】酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）はセラミック
基材に対するガラス組成物の付着性を高める。酸化ビス
マスはたとえば金のような金属コーティングを施されて
いるセラミック基材を接合する際の添加物として特に有
用であり、その理由は酸化ビスマスが金属コーティング
の付着性を高めるからである。金属コーティングのない
基材については酸化ビスマス抜きでガラス組成物を調合
してもよいが、酸化ビスマスが含有されていればガラス
組成物に汎用性が付与される。酸化ビスマスの好ましい
量は２０％以下である。
基材に対するガラス組成物の付着性を高める。酸化ビス
マスはたとえば金のような金属コーティングを施されて
いるセラミック基材を接合する際の添加物として特に有
用であり、その理由は酸化ビスマスが金属コーティング
の付着性を高めるからである。金属コーティングのない
基材については酸化ビスマス抜きでガラス組成物を調合
してもよいが、酸化ビスマスが含有されていればガラス
組成物に汎用性が付与される。酸化ビスマスの好ましい
量は２０％以下である。
【００１４】酸化銅（ＣｕＯ）は酸化ビスマスと同様に
金属コーティングされた基材に対するガラス組成物の付
着性を改良する機能を有する。したがって、この目的の
ために酸化銅は５％以下の量で使用される。
金属コーティングされた基材に対するガラス組成物の付
着性を改良する機能を有する。したがって、この目的の
ために酸化銅は５％以下の量で使用される。
【００１５】上記に加え、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）をガ
ラス組成物の融点を低下させるのに用いることができる
。 酸化ホウ素はこの目的にために１０％以下の量で使用さ
れる。
ラス組成物の融点を低下させるのに用いることができる
。 酸化ホウ素はこの目的にために１０％以下の量で使用さ
れる。
【００１６】ガラス組成物の望ましい低い焼成温度に悪
影響を与えない限り、上記の添加物に加えて本発明の基
本的なガラス組成物に他の添加物を加えることができる
。
影響を与えない限り、上記の添加物に加えて本発明の基
本的なガラス組成物に他の添加物を加えることができる
。
【００１７】本発明による銀ガラスペーストを調合する
に際しては、この混合物中の銀成分の量が５０−７７％
となるようにする。この銀成分はペーストに導電性を与
えるもので、銀フレークの形状で用いることが有利であ
るが、粉末状の銀を少量含んでいてもよい。銀ガラスペ
ーストの第２成分は前記のシーリングガラス組成物であ
る。これは、８−３４％の範囲でよい。この範囲は所望
の低温焼成温度において最適な接着力が達成できるよう
に選択される。
に際しては、この混合物中の銀成分の量が５０−７７％
となるようにする。この銀成分はペーストに導電性を与
えるもので、銀フレークの形状で用いることが有利であ
るが、粉末状の銀を少量含んでいてもよい。銀ガラスペ
ーストの第２成分は前記のシーリングガラス組成物であ
る。これは、８−３４％の範囲でよい。この範囲は所望
の低温焼成温度において最適な接着力が達成できるよう
に選択される。
【００１８】上記の他に加える銀ガラスペーストの第３
成分は、通常は樹脂、チキソトロープおよび溶媒からな
る有機物質である。樹脂とチキソトロープを合せた量は
、０．２−１．５％の範囲であり、溶媒の量は約１０−
２０％の範囲で用いる。
成分は、通常は樹脂、チキソトロープおよび溶媒からな
る有機物質である。樹脂とチキソトロープを合せた量は
、０．２−１．５％の範囲であり、溶媒の量は約１０−
２０％の範囲で用いる。
【００１９】有機物質の樹脂成分はペーストを安定させ
、流動性を向上させる効果がある。これはガラス粒子に
コーティングすることによって実施する。チキソトロー
プは解こう剤として作用し、粒子を有機溶媒中に懸濁さ
せる働きをする。溶媒はエクソン社から“Ｉｓｏｐａｒ
ｓ”の商品名で販売されている適当なグレードのイソパ
ラフィンやミネラルスピリットを用いることができる。
、流動性を向上させる効果がある。これはガラス粒子に
コーティングすることによって実施する。チキソトロー
プは解こう剤として作用し、粒子を有機溶媒中に懸濁さ
せる働きをする。溶媒はエクソン社から“Ｉｓｏｐａｒ
ｓ”の商品名で販売されている適当なグレードのイソパ
ラフィンやミネラルスピリットを用いることができる。
【００２０】前述の通り、樹脂とチキソトロープの両方
または一方を用いることができる。たとえば、チキソト
ロープとして水素化ヒマシ油を用いることができる。た
だし、無機のチキソトロープは本発明において用いるこ
とはできない。好ましい樹脂はアクリレートやポリメタ
クリレート、ポリエチルメタクリレート等のメタクリレ
ートを含む。樹脂成分はこの物質をペースト状で取扱え
るように粘性を付与するものである。チキソトロープも
粘性を付与するが、樹脂よりも濃縮効果の大きい幾分異
なった粘性を付与することができる。溶媒は樹脂とチキ
ソトロープを溶解するために用いる。溶媒、チキソトロ
ープ、樹脂を含むすべての有機物質は、焼成して半導体
デバイスをセラミック基材に接合させる間に蒸発される
。
または一方を用いることができる。たとえば、チキソト
ロープとして水素化ヒマシ油を用いることができる。た
だし、無機のチキソトロープは本発明において用いるこ
とはできない。好ましい樹脂はアクリレートやポリメタ
クリレート、ポリエチルメタクリレート等のメタクリレ
ートを含む。樹脂成分はこの物質をペースト状で取扱え
るように粘性を付与するものである。チキソトロープも
粘性を付与するが、樹脂よりも濃縮効果の大きい幾分異
なった粘性を付与することができる。溶媒は樹脂とチキ
ソトロープを溶解するために用いる。溶媒、チキソトロ
ープ、樹脂を含むすべての有機物質は、焼成して半導体
デバイスをセラミック基材に接合させる間に蒸発される
。
【００２１】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。
【００２２】７１．２％の銀フレーク、１７．８％のシ
ーリングガラス組成物、１１％の有機物質の混合物を混
合した後、るつぼに入れて９００℃に加熱した。この１
１％の有機物質成分は、３６．４重量％のｉｓｏｐａｒ
（イソパラフィン系炭化水素）と６３．４重量％のｔｈ
ｉｘｃｉｎ（水素化ヒマシ油）の混合物からなる。１．
５時間保持した後、残った溶融混合物を水で急冷すると
、フリット状のガラス生成物が残った。フリット状ガラ
スを１５０℃で６時間乾燥し、３２５メッシュ以下とな
るように機械的粉砕によって細粒化した。この粉砕ガラ
スを銀フレークおよび有機物質と混合した。有機物質は
、樹脂、チキソトロープ、溶媒で予め混合しておく。
ーリングガラス組成物、１１％の有機物質の混合物を混
合した後、るつぼに入れて９００℃に加熱した。この１
１％の有機物質成分は、３６．４重量％のｉｓｏｐａｒ
（イソパラフィン系炭化水素）と６３．４重量％のｔｈ
ｉｘｃｉｎ（水素化ヒマシ油）の混合物からなる。１．
５時間保持した後、残った溶融混合物を水で急冷すると
、フリット状のガラス生成物が残った。フリット状ガラ
スを１５０℃で６時間乾燥し、３２５メッシュ以下とな
るように機械的粉砕によって細粒化した。この粉砕ガラ
スを銀フレークおよび有機物質と混合した。有機物質は
、樹脂、チキソトロープ、溶媒で予め混合しておく。
【００２３】このペーストが、比較的低い温度で焼成し
た後にセラミックとの充分な接合が得られるかを評価す
るために、上記銀ペーストの複数サンプルを調製して加
熱した。条件を表１に示した。この表で分るように、ピ
ーク焼成温度の範囲は３００℃から４２０℃であり、異
なるサイズのダイを用いた。すべてのサンプルを毎秒１
０℃の速度で昇温し、ピーク温度で１０分および１５分
保持した。
た後にセラミックとの充分な接合が得られるかを評価す
るために、上記銀ペーストの複数サンプルを調製して加
熱した。条件を表１に示した。この表で分るように、ピ
ーク焼成温度の範囲は３００℃から４２０℃であり、異
なるサイズのダイを用いた。すべてのサンプルを毎秒１
０℃の速度で昇温し、ピーク温度で１０分および１５分
保持した。
【００２４】上記の加熱の後、サンプルを室温で放冷し
、接着強度をテストした。表１に示すテスト結果は、接
着の程度、すなわち半導体ダイを基材から剥離するのに
必要な引張り強度である。
、接着強度をテストした。表１に示すテスト結果は、接
着の程度、すなわち半導体ダイを基材から剥離するのに
必要な引張り強度である。
【００２５】
【表１】
【００２６】上記実施例によれば、接着強度は焼成温度
が高いほど大きくなるが、本発明による銀ペースト調合
物は、焼成温度が４００℃未満であっても充分な接着強
度が得られることが分る。
が高いほど大きくなるが、本発明による銀ペースト調合
物は、焼成温度が４００℃未満であっても充分な接着強
度が得られることが分る。
【００２７】他の実施例として、表２に示すシーリング
ガラス組成のサンプルを前記の方法で調製した。これら
のシーリングガラス組成物を、銀フレーク６８％、シー
リングガラス粉末１７％、有機物質１５％の割合となる
ように、銀フレークおよび有機物質を混合して銀ガラス
ペーストに調合した。有機物質は前記実施例と同様の組
成である。この実施例の銀ガラスペーストはより希釈さ
れたものである。前の実施例では、銀とガラスの総重量
は８９％であるが、この実施例では８５％である。
ガラス組成のサンプルを前記の方法で調製した。これら
のシーリングガラス組成物を、銀フレーク６８％、シー
リングガラス粉末１７％、有機物質１５％の割合となる
ように、銀フレークおよび有機物質を混合して銀ガラス
ペーストに調合した。有機物質は前記実施例と同様の組
成である。この実施例の銀ガラスペーストはより希釈さ
れたものである。前の実施例では、銀とガラスの総重量
は８９％であるが、この実施例では８５％である。
【００２８】調製した銀ガラスペーストをアルミナ基材
上に付け、シリコンダイを銀ガラスペーストの頂部に置
いた。このパッケージを毎秒１０℃の速度で昇温して３
２０℃から３５０℃の温度範囲に加熱した。表に示した
温度でパッケージを１５分間均熱保持した後、室温まで
放冷した。
上に付け、シリコンダイを銀ガラスペーストの頂部に置
いた。このパッケージを毎秒１０℃の速度で昇温して３
２０℃から３５０℃の温度範囲に加熱した。表に示した
温度でパッケージを１５分間均熱保持した後、室温まで
放冷した。
【００２９】０．４平方インチ（２．６平方センチメー
トル）のこのサンプルを前記実施例と同じ方法で接着強
度をテストした結果を表３に示した。
トル）のこのサンプルを前記実施例と同じ方法で接着強
度をテストした結果を表３に示した。
【００３０】
【表２】
【００３１】
【表３】
【００３２】上記ガラスを金属化された基材上でもテス
トした。その条件および結果を表４に示した。
トした。その条件および結果を表４に示した。
【００３３】
【表４】
【００３４】さらに、表５に示すガラス組成物を調製し
、焼成炉で９００℃１．５時間融解した。これを水中で
急冷し、粉末にしてから１５０℃６時間乾燥した。それ
からこのガラス組成物を前記と同様に銀フレークおよび
有機物質と混合し、ペーストを形成した。得られたペー
ストを前記と同様に接着強度を測定した結果を表６に示
した。
、焼成炉で９００℃１．５時間融解した。これを水中で
急冷し、粉末にしてから１５０℃６時間乾燥した。それ
からこのガラス組成物を前記と同様に銀フレークおよび
有機物質と混合し、ペーストを形成した。得られたペー
ストを前記と同様に接着強度を測定した結果を表６に示
した。
【００３５】
【表５】
【００３６】
【表６】
【００３７】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明のシーリング
ガラス組成物およびそれから得られるシーリングガラス
ペーストは、４００℃未満の温度で焼成しても充分な接
着強度が得られる。
ガラス組成物およびそれから得られるシーリングガラス
ペーストは、４００℃未満の温度で焼成しても充分な接
着強度が得られる。
【００３８】本発明のシーリングガラス組成物およびそ
れから得られるシーリングガラスペーストは、金属化さ
れた、またはされていないセラミック表面に対する半導
体デバイスの充分な接着強度を提供するものである。
れから得られるシーリングガラスペーストは、金属化さ
れた、またはされていないセラミック表面に対する半導
体デバイスの充分な接着強度を提供するものである。
【００３９】また、本発明の主旨を逸脱しない限り種々
の変更が可能である。たとえば、ガラス組成物のペース
トを形成するために種々の適当な有機溶媒、樹脂、チキ
ソトロープを使用することができる。有機物質は接合の
ための加熱中に蒸発してしまうので、この目的のために
従来から知られたものを用いることができる。
の変更が可能である。たとえば、ガラス組成物のペース
トを形成するために種々の適当な有機溶媒、樹脂、チキ
ソトロープを使用することができる。有機物質は接合の
ための加熱中に蒸発してしまうので、この目的のために
従来から知られたものを用いることができる。
【００４０】さらに、本発明のシーリングガラス組成物
は種々のセラミック基材に適用することができる。アル
ミナ基材を使用した例を実施例として説明したが、シリ
コンカーバイドやシリコンニトライドのような他のセラ
ミック基材に半導体デバイスを接合させるためにも本発
明のシーリングガラスペーストを用いることができる。
は種々のセラミック基材に適用することができる。アル
ミナ基材を使用した例を実施例として説明したが、シリ
コンカーバイドやシリコンニトライドのような他のセラ
ミック基材に半導体デバイスを接合させるためにも本発
明のシーリングガラスペーストを用いることができる。
【００４１】したがって、本発明は特許請求の範囲の記
載によってのみ制限されるものである。
載によってのみ制限されるものである。
Claims (13)
- 【請求項１】 重量％で、１３−５０％の酸化鉛、２
０−５０％の酸化バナジウム、２−４０％の酸化テルル
、４０％以下の酸化セレン、２０％以下の酸化ビスマス
、１０％以下の酸化リン、５％以下の酸化ニオブ、５％
以下の酸化銅、および１０％以下の酸化ホウ素を含むシ
ーリングガラス組成物。 - 【請求項２】 酸化テルルの量が９−３０％である請
求項１記載のシーリングガラス組成物。 - 【請求項３】 酸化ビスマスの量が１−５％である請
求項１記載のシーリングガラス組成物。 - 【請求項４】 酸化ニオブ、酸化リン、酸化銅および
酸化ホウ素の量が全部で１０％を越えない量である請求
項１記載のシーリングガラス組成物。 - 【請求項５】 酸化テルルと酸化セレンを合せた量が
２−４０％である請求項１記載のシーリングガラス組成
物。 - 【請求項６】 重量％で、３０−５０％の酸化鉛、３
０−５０％の酸化バナジウム、９−３０％の酸化テルル
、酸化テルルと合せて２−４０％の酸化セレン、１−５
％の酸化ビスマス、ならびに１０％以下の、酸化ニオブ
、酸化リン、酸化銅、および酸化ホウ素の１種または２
種以上を含むシーリングガラス組成物。 - 【請求項７】 半導体デバイスをセラミック基材に接
合させるための銀ガラスペーストであって、重量％で、
銀５０−７７％と、１３−５０％の酸化鉛、２０−５０
％の酸化バナジウム、２−４０％の酸化テルル、４０％
以下の酸化セレン、１０％以下の酸化リン、５％以下の
酸化ニオブ、２０％以下の酸化ビスマス、５％以下の酸
化銅、および１０％以下の酸化ホウ素を含むシーリング
ガラス組成物８−３４％と、０．２−１．５％の樹脂お
よびチキソトロープ、ならびに１０−２０％の有機溶媒
と、を含むことを特徴とする銀ガラスペースト。 - 【請求項８】 銀がフレーク状の銀と１０％以下の粉
末状の銀を含む請求項７記載の銀ガラスペースト。 - 【請求項９】 シーリングガラス組成物中の酸化テル
ルの量が９−３０％である請求項７記載の銀ガラスペー
スト。 - 【請求項１０】 シーリングガラス組成物中の酸化ビ
スマスの量が１−５％である請求項７記載の銀ガラスペ
ースト。 - 【請求項１１】 シーリングガラス組成物中の酸化ニ
オブ、酸化リン、酸化銅および酸化ホウ素の量が全部で
１０％を越えない量である請求項７記載のシーリングガ
ラス組成物。 - 【請求項１２】 シーリングガラス組成物中の酸化テ
ルルと酸化セレンを合せた量が２−４０％である請求項
７記載のシーリングガラス組成物。 - 【請求項１３】 シーリングガラス組成物が、重量％
で、３０−５０％の酸化鉛、３０−５０％の酸化バナジ
ウム、９−３０％の酸化テルル、酸化テルルと合せて２
−４０％の酸化セレン、１−５％の酸化ビスマス、なら
びに１０％以下の、酸化ニオブ、酸化リン、酸化銅、お
よび酸化ホウ素の１種または２種以上を含む銀ガラスペ
ースト。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/541,606 US5013697A (en) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | Sealing glass compositions |
| US07/541605 | 1990-06-21 | ||
| US07/541,605 US5066621A (en) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | Sealing glass composition and electrically conductive formulation containing same |
| US07/541606 | 1990-06-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04270140A true JPH04270140A (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=27066747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3148450A Pending JPH04270140A (ja) | 1990-06-21 | 1991-06-20 | シーリングガラス組成物および導電性成分を含む同組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0463826A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04270140A (ja) |
| KR (1) | KR920000643A (ja) |
| CN (1) | CN1060280A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0969531A (ja) * | 1994-06-16 | 1997-03-11 | Anam Ind Co Inc | 半導体パッケージ用ダイアタッチ接着剤組成物 |
| KR100702736B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2007-04-03 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 투사 디스플레이용 광학 시스템 |
| JP2011096747A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池電極形成用導電性ペースト |
| JP2011096748A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子及びその製造方法 |
| WO2012046719A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| WO2012144335A1 (ja) | 2011-04-21 | 2012-10-26 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト |
| JP2013133342A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Hitachi Ltd | 複合材料 |
| JP2013533187A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−リチウム−チタン−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
| JP2014028740A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 |
| WO2014073086A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | 株式会社 日立製作所 | 接合構造体とその製造方法 |
| JP2014512073A (ja) * | 2011-03-24 | 2014-05-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 導電性ペースト組成物およびそれで製造される半導体デバイス |
| JP2014531702A (ja) * | 2011-08-26 | 2014-11-27 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | ＳＩＮｘおよび良好なＢＳＦ形成のためのファイアスルーアルミニウムペースト |
| US9543265B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-01-10 | Hitachi, Ltd. | Joint material, and jointed body |
| US10658528B2 (en) | 2017-04-18 | 2020-05-19 | Dupont Electronics, Inc. | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
| WO2022176519A1 (ja) * | 2021-02-16 | 2022-08-25 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 電極形成用組成物、太陽電池素子及びアルミニウム／銀積層電極 |
| WO2022176520A1 (ja) * | 2021-02-16 | 2022-08-25 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 電極形成用組成物、太陽電池素子及びアルミニウム／銀積層電極 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370500B1 (ko) * | 2000-08-22 | 2003-01-30 | 광주과학기술원 | 광자결정섬유 모재의 제조방법 |
| JP3655916B2 (ja) * | 2003-04-04 | 2005-06-02 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用キャップ |
| US20130049148A1 (en) * | 2011-02-22 | 2013-02-28 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
| TW201308630A (zh) * | 2011-05-17 | 2013-02-16 | Du Pont | 含有鉍－碲－氧化物之厚膜膏及其在半導體裝置製造中的使用 |
| US20120305859A1 (en) * | 2011-06-06 | 2012-12-06 | E I Du Pont De Nemours And Company | Low temperature fireable thick film silver paste |
| US8790550B2 (en) * | 2011-06-06 | 2014-07-29 | E I Du Pont De Nemours And Company | Low temperature fireable thick film silver paste |
| US20120312369A1 (en) * | 2011-06-13 | 2012-12-13 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick film paste containing bismuth-based oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices |
| US20120312368A1 (en) * | 2011-06-13 | 2012-12-13 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick film paste containing bismuth-based oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8845932B2 (en) | 2012-04-26 | 2014-09-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices |
| WO2015030199A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| JP2018506152A (ja) | 2015-02-04 | 2018-03-01 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ | 導電性ペースト組成物およびそれによって製造された半導体デバイス |
| CN115477472B (zh) * | 2022-09-06 | 2023-08-18 | 湖南兆湘光电高端装备研究院有限公司 | 一种钒磷系封接玻璃及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4401767A (en) * | 1981-08-03 | 1983-08-30 | Johnson Matthey Inc. | Silver-filled glass |
| US4636254A (en) * | 1985-07-23 | 1987-01-13 | Quantum Materials, Inc. | Silver-glass paste for attachment of silicon die to ceramic substrate |
| US4881974A (en) * | 1987-11-05 | 1989-11-21 | Johnson Matthey, Inc. | Silver-glass paste |
| US4945071A (en) * | 1989-04-19 | 1990-07-31 | National Starch And Chemical Investment Holding Company | Low softening point metallic oxide glasses suitable for use in electronic applications |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP3148450A patent/JPH04270140A/ja active Pending
- 1991-06-21 KR KR1019910010320A patent/KR920000643A/ko not_active Application Discontinuation
- 1991-06-21 CN CN91105034A patent/CN1060280A/zh active Pending
- 1991-06-21 EP EP91305653A patent/EP0463826A1/en not_active Ceased
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0969531A (ja) * | 1994-06-16 | 1997-03-11 | Anam Ind Co Inc | 半導体パッケージ用ダイアタッチ接着剤組成物 |
| KR100702736B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2007-04-03 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 투사 디스플레이용 광학 시스템 |
| US8551368B2 (en) | 2009-10-28 | 2013-10-08 | Shoei Chemical Inc. | Conductive paste for forming a solar cell electrode |
| JP2011096747A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池電極形成用導電性ペースト |
| JP2011096748A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子及びその製造方法 |
| US10347787B2 (en) | 2009-10-28 | 2019-07-09 | Shoei Chemical Inc. | Method for forming a solar cell electrode with conductive paste |
| US8962981B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-02-24 | Shoei Chemical Inc. | Solar cell device and manufacturing method therefor |
| US8895843B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8889980B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead—tellurium—lithium—oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| JP2013533188A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛およびテルル酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
| JP2013534023A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-29 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−ホウ素−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
| US11043605B2 (en) | 2010-05-04 | 2021-06-22 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US10559703B2 (en) | 2010-05-04 | 2020-02-11 | Dupont Electronics, Inc. | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US10468542B2 (en) | 2010-05-04 | 2019-11-05 | Dupont Electronics, Inc. | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US10069020B2 (en) | 2010-05-04 | 2018-09-04 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| JP2013533187A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−リチウム−チタン−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
| US8889979B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead—tellurium—lithium—titanium—oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US9722100B2 (en) | 2010-05-04 | 2017-08-01 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| WO2012046719A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| US10084100B2 (en) | 2010-10-07 | 2018-09-25 | Shoei Chemical Inc. | Solar cell element and method for manufacturing same |
| JP2012084585A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子並びにその製造方法 |
| KR101396037B1 (ko) * | 2010-10-07 | 2014-05-19 | 교세라 가부시키가이샤 | 태양전지소자 및 그의 제조방법 |
| JP2014512073A (ja) * | 2011-03-24 | 2014-05-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 導電性ペースト組成物およびそれで製造される半導体デバイス |
| US9064616B2 (en) | 2011-04-21 | 2015-06-23 | Shoei Chemical Inc. | Conductive paste |
| WO2012144335A1 (ja) | 2011-04-21 | 2012-10-26 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト |
| JP2014531702A (ja) * | 2011-08-26 | 2014-11-27 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | ＳＩＮｘおよび良好なＢＳＦ形成のためのファイアスルーアルミニウムペースト |
| US9824790B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-11-21 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Fire through aluminum paste for SiNx and better BSF formation |
| JP2013133342A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Hitachi Ltd | 複合材料 |
| JP2014028740A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 |
| US9824900B2 (en) | 2012-11-09 | 2017-11-21 | Hitachi, Ltd. | Bonded structure and production method therefor |
| JP5853106B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-02-09 | 株式会社日立製作所 | 接合構造体とその製造方法 |
| JPWO2014073086A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-09-08 | 株式会社日立製作所 | 接合構造体とその製造方法 |
| WO2014073086A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | 株式会社 日立製作所 | 接合構造体とその製造方法 |
| US9543265B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-01-10 | Hitachi, Ltd. | Joint material, and jointed body |
| US10658528B2 (en) | 2017-04-18 | 2020-05-19 | Dupont Electronics, Inc. | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
| WO2022176519A1 (ja) * | 2021-02-16 | 2022-08-25 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 電極形成用組成物、太陽電池素子及びアルミニウム／銀積層電極 |
| WO2022176520A1 (ja) * | 2021-02-16 | 2022-08-25 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 電極形成用組成物、太陽電池素子及びアルミニウム／銀積層電極 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920000643A (ko) | 1992-01-29 |
| CN1060280A (zh) | 1992-04-15 |
| EP0463826A1 (en) | 1992-01-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04270140A (ja) | シーリングガラス組成物および導電性成分を含む同組成物 | |
| US5066621A (en) | Sealing glass composition and electrically conductive formulation containing same | |
| US5188990A (en) | Low temperature sealing glass compositions | |
| US5183784A (en) | Silver-glass pastes | |
| JPH02293344A (ja) | 電子的用途に使用するのに好適な低軟化点金属酸化物ガラス | |
| JPH0334162B2 (ja) | ||
| US4906596A (en) | Die attach adhesive composition | |
| JPH056909A (ja) | 銀・ガラスペースト | |
| US4962066A (en) | Solder paste for fastening semiconductors onto ceramic bases | |
| US5013697A (en) | Sealing glass compositions | |
| JPS62119139A (ja) | 半導体をボンデイングするペ−スト | |
| US4004057A (en) | Gold conductor compositions | |
| JPH01223738A (ja) | 銀充填ガラス | |
| KR910003851B1 (ko) | 주형 부착 접착 조성물 | |
| US3970590A (en) | Gold conductor compositions | |
| JPH02189813A (ja) | 金属化支持体を含む電気部品および金属化ペースト | |
| KR100585909B1 (ko) | 질화알루미늄 기판에 사용하기 위한 후막 전도체 조성물 | |
| JPH05175254A (ja) | 低融点接着組成物 | |
| US3516949A (en) | Copper/vanadium oxide compositions | |
| US4904415A (en) | Oxide glasses having low glass transformation temperatures | |
| JP3125971B2 (ja) | 低温封着用組成物 | |
| JP3157695B2 (ja) | 低温封着用組成物 | |
| US3592781A (en) | Conductive glaze composition and method for preparation | |
| JPH0238557B2 (ja) | ||
| CA1294991C (en) | Low melting glass composition |