JPS5933869A - 半導体装置用電極材料 - Google Patents

半導体装置用電極材料

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JPS5933869A
JPS5933869A JP57143203A JP14320382A JPS5933869A JP S5933869 A JPS5933869 A JP S5933869A JP 57143203 A JP57143203 A JP 57143203A JP 14320382 A JP14320382 A JP 14320382A JP S5933869 A JPS5933869 A JP S5933869A
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layer
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JP57143203A
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JPH023555B2 (ja
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Haruhiko Matsuyama
松山 治彦
Mitsuo Nakatani
中谷 光雄
Masaaki Okunaka
正昭 奥中
Ataru Yokono
中 横野
Tokio Isogai
磯貝 時男
Tadashi Saito
忠 斉藤
Sumiyuki Midorikawa
緑川 澄之
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45Ohmic electrodes
    • H01L29/456Ohmic electrodes on silicon

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置用の電極材料に係り、特。
に太陽電池などの比較的粗いパターンの電極を。
有する半導体素子の製造に好適な電極材料に関。
する。
半導体素子の例として太陽電池の代表的な竺11成例を
図に示す。n +/P/P 接合を形成したSL基。
板の受光面および裏面に受光面電極4.裏面室。
極5を形成した構造である。さらに一般には反゛射防止
膜等も設けられる。
この太陽電池の近年における重要課題は、製5造コスト
の低減にあ如、受光面電極4.裏面室・極5の形成法も
従来の真空蒸着法にかわって、・低コストなメッキ法や
印刷法が検討されるよう・になってきた。このうち特に
印刷法は、自動化・が容易で生産性が高いことから広く
検討されて0いる。この印刷法は、金属粉末、ガラス粉
末な。
どを有機結合剤、有機溶剤と混練したペースト。
状の物質(以下導電ペーストという)をスクリ。
−ン印刷法などで塗布し、焼成する方法であり、。
上記の金鵜粉末としては銀粉末が一般的である。1゜こ
のような導電ペーストは、太陽電池の電極形。
成用、あるいは厚膜回路基板用などとして多数。
のものが市販されている。
一方、太陽電池等のt&影形成おいては、電。
極の接着強度の大きいこと、シリコンに対する0 接触抵抗の低いこと、拡散層に対してつきぬけ゛のない
こと(リーク電流の小さいこと)などが。
要求される。
しかし発明者らが市販の各種のA系、A、ケt1’。ダ 系導電ペーストについて検討した結果によると、・いず
れの導電ペーストも図に示した接合形成シリコンウェハ
上に印刷塗布し、乾燥、焼成した・場合に次の問題があ
った。すなわち、淳膜回路・基板用のA、、系あるいは
A!1−Pd系導電ペースト・では、シリコンウェハと
電極との間にバリアがl・)生成し、接触抵抗が高く、
比較的高い温度の焼。
成では接合が破壊し、リーク電流の増大が認め・られた
太陽電池用のA、系導篭ペーストでは、シリコ。
ンウエハと電極との間にバリアの生成しにくい1゜もの
もあるがいずれも接触抵抗が高く、太陽電。
池の光照射時の電流−電圧特性を調べると曲線。
因子が小さく、高効率な太陽電池は作れなかっ。
た。また焼成温度を比較的高温にすると、接触。
抵抗は低下する傾向がみられたが、とのさいに211は
リーク電流が増加する問題が生じた。   ゛このよう
に上記従来の導電ペーストを用いて゛接合破壊を起すこ
となく、接触抵抗の低い電極。
を形成することは非常に困難であった。   。
本発明の目的は、上記した従来の導電ベース5トにみら
れた欠点がなく、太陽電池などの半導体装置の電極材料
として非常に有用な材料を提・供することにある。
からなることを特徴とする。
本発明が従来の導電ペーストと異なる点は、1゜を配合
した導電ペーストをシリコンなどの基板。
上に印刷し、焼成すると、接合破壊を起す恐れ。
のない比較的低い温度(<750℃)の焼成でも、2゜
祷 O・ 基板姉対して非常に低い接触抵抗の電極が形成゛できる
ことを見い出したことによる。    “本発明の電極
材料が従来の導電ペーストに比。
べ、上記のように非常に良好な電極形成が可能“である
のは次の理由によると考えている。すな5わち、従来の
導電ペーストを例えばシリコン基・板上に印刷し、焼成
した場合、焼成雰囲気中に・含まれる酸素によってシリ
コン表面に絶縁性の・酸化ケイ素膜が生成してしまう。
またこの酸化・ケイ素膜は導電ペーストが酸化鉛系の低
融点ガ11)ラスを使用している場合には酸化鉛とシリ
コン・との反応によっても生成してしまう。このよう。
にシリコン表面に酸化ケイ素膜が生成するたべ。
焼成された電極とシリコン間の接触抵抗が非常。
に高くなってしまうものと予想される。   1゜一方
、本発明による電極材料では、上記と同。
様に酸化ケイ素膜は生成すると考えられるが、。
やこれらの金塊のシリサイド化合物の生成が桐。
・ 4 ・ き、それによって電極とシリコンとの接触抵抗。
が非常に低くなるものと予想される。    。
本発明の電極材料の成分について以下にさら。
に詳述する。構成成分中のA、粉末、有機結合剤L・有
機溶材は従来の導電ペーストで用いられてい5るものと
同様のものを用いることができる。銀・粉末としては粒
径1μm以下のものが、有機結合剤としてはセルロース
系化合物や、ポリメタク・リレート系化合物などが、有
機溶剤としては多・価アルコール系のものが特に好適に
用いられ得10用いるのが好適である。ただし、これら
の金属。
の粉末は活性が高いため、粉末表面に薄い酸化。
膜を形成する方法等で安定化処理したものを川。
いるのが好適である。′JI#;、J/、 、 F 、
 Ni、=Msは−4を用いても、二種以上を併用して
もよい。さら。
には二種以上のものの合金粉本を用いることや、。
A!1粉末表面にこれらの金属をコーティングして。
用いることなども可能である。       2゜また
本発明では、ガラスを含むことを必ずし。
も必要としない。たたし、ガラスを配合すると、゛形成
した電極の半導体連子への接着強度が向上゛する。また
電極の半田に対する耐性も向上する・このため特に太陽
電池の電極形成などに用いる5層合にはむしろガラスを
配合するのが好ましト・ここで用いるガラスの種類は特
に限定されるも・のではない。また本発明の電極材料に
Pd粉木を・配合することにより形成された電極の半田
に対・する耐性がさらに向上し、Pi粉末を配合すると
10とによシ、電極の接着強度が向上する。
末の100重量部に対してα5〜3Oi量部とす15る
のが好適である。0.5重量部未満の配合比で・は形成
された電極のシリコンに対する接触抵抗。
が高くなり、30重量部をこえる配合比では形成、した
電極の抵抗値がやや高くなり、太陽電池の。
効率低下を招き易くなる。         2゜以1
本発明の実施例について説明する。  。
実施例1 粒径1μm以下のA、粉末10qと、表面を安定化。
処理した粒径2μm以下のA/、4粉末(A、粉末10
0重量部に対してα5〜30重舊°部)と、p、0−ム
q−55、q系ガラスフリット0.5qとを秤量した。
これ・にエチルセルロース10重量部をα−テルピネオ
・−ル90重量部に溶解した粘稠液を加えなから十・分
に混練し、釉層が約200ボイズ(ず多速度100/秒
)のペースト状電極材料を調整した。太陽〇電池用の接
合形成シリコン基板として図に示す。
ようにP型シリコン基板1 (比抵抗1〜5Ω−1cm
、直径3インチ丸型ウェハ)の片面にイオン、打込み法
で深さ0.3〜0.5μmの1層の(比抵抗約L 5 
X 、10  Ω−am)と、反対面にAt拡散法工。
探さl〜2μ専の2層3を形成したものを用いた。。
次にこのP型シリコン基板lの1層上2にはく。
し型パターン状に、2層上3にはべたパーン状。
に、上記のペースト状電極材料をスクリーン印刷し、1
50℃、10分間の乾燥処理をし受光面電気。
07 。
−Ω    G  雨  中  ト  神  ト[F]
    1111))   ト  ト  収rd   
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■ w 鼻  昌    真  昌  言  昌  昌  
呂\ −1 、8。
4、裏面電極5を形成した。次にこの基板を酸・素50
ppmを含む窒素ガス雰囲気中で600℃、 10分間
焼成した。
このようにして作製した太陽電池の電流−電・正特性(
1−V%性)を調べ、電極の接触抵抗5逆バイアス(l
V)でのリーク電流、曲線因子(。
F′、F、)、開放電圧(Voc ) 、 ’m絡1t
R(l5c) ・を調べた。
第1表に示した如<、A/、、粉末を配合した不発。
明の!極材料を用いた太陽電池は比較例として。
示したN4粉末を配合しないものを用いた場合に。
比べ、接触抵抗が大幅に低くなり、F、 F、 、 I
、c。
が大きく、その結果として効率も大幅に向上し。
た。また、リーク電流はいずれも10’A/ciの。
オーダーであシ、問題はまったく認められなかった。
このように本発明の電極材料は比較的低温の600℃の
焼成でも接触抵抗が充分低く、1層のルさがα3〜α5
μmと非常に薄いにもかかわらずリーク電流の増加がな
く、電極材料として従来の導電ペーストに比べ非常に優
れていることが・&誌された。
電極材料の実施例について説明する。M、 、 F 、
 Sホウケイ酸鉛系、ホウケイ酸亜鉛系、リン酸菊・と
を各種組合せ、これにポリイソプチルメタク。
リレート40重量部と分散剤0.5重重7部をα−テ1
゜ルビネオール60重量部に溶解した粘調液を加え。
なから十分に混練し、粘mが約200ポイズ(ず。
多速度10 oA/J−)の組成の異なる各種のペース
ト。
状電極材料を調整した。
この電極材料を実施例1と同様の接合形成シ15リコン
基板表面にスクリーン印刷し、150℃で10分間乾燥
後、酸素5ppmを含む窒素ガス雰囲気中。
で600℃、10分間焼成した。このようにして作製。
した太陽電池の特性を実施例1と同様にして調。
べだ結果を電極材料の無機成分とともに第2表、11゜ 、12゜ に示した。M、、W、Ni5この金属を配合した本“発
明の電極材料は比較例1.2の組成に比べいず・れも接
触抵抗が低くなり、P、F、、Isoが大きく、。
その結果として効率も大幅に向上した。またリーク。
電流はいずれも10’A/am”のオーダーであり、5
問題は認められなかった。このように実施例2・に示し
た本発明の電極材料も従来の導電ベース・トに比べ非常
に優れた効果の得られることが確・認された。
以上のように本発明の電極材料は比較的低温1()の焼
成でも、浅い接合の半導体素子に対しても。
接合破壊やリーク電流の増加を引き起すことな。
く、かつ接触抵抗の低い電極形成を可能とする。
画期的な材料である。このため太陽電池の電極。
形成に本発明の電極材料を用いると従来の導電、。
ペーストを用いた場合に比べ非常に効率の高い。
太陽電池を得ることができる。
また、本発明の電極材料は印刷法によって塗。
布でき、安価に、高生産性に電極が形成でき工。
業的にも非常に有用である。さらに本発明の罵。
極材料は太陽電池以外の受光素子や他の半導体装置の電
極形成にも用いることが可能である。。
【図面の簡単な説明】
図は太陽電池の代表的な構成を示した断面図。 である。 l・・・P型シリコン基板 2・・・ル層 3・・・1層 4・・・受光面電極 5・・・裏面電極           1゜代理人弁
珂士 薄 1)利qt。 第11頁の続き ■発 明 者 磯貝時男 横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 0発 明 者 斉藤忠 国分寺市東恋ケ窪−丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 緑用澄之 日立市弁天町三丁目10番2号日 立原町電子工業株式会社内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 くとも一種の金属と、有機結合剤と、有機浴剤・と、必
    要に応じて加えるガラスPd粉末、Pt粉末・とからな
    ることを特徴とする半導体装置用電極・材料0 2、     、−  、モリブデン、タングステル1
    1σ□\ ニッケル、 を喧=たテテから選ばれる少くとも一種?
    の金属の配合割合が、A、粉末100重量部に対し6て
    α5〜30重量部であることを特徴とする特許。 請求の範囲第一項記載の牛導体装置用電極材粍。
JP57143203A 1982-08-20 1982-08-20 半導体装置用電極材料 Granted JPS5933869A (ja)

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