JPS5933869A - 半導体装置用電極材料 - Google Patents
半導体装置用電極材料Info
- Publication number
- JPS5933869A JPS5933869A JP57143203A JP14320382A JPS5933869A JP S5933869 A JPS5933869 A JP S5933869A JP 57143203 A JP57143203 A JP 57143203A JP 14320382 A JP14320382 A JP 14320382A JP S5933869 A JPS5933869 A JP S5933869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- substrate
- electrode
- electrode material
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000013040 bath agent Substances 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 abstract description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 abstract description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 abstract description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- MSJLMQTXVKCUCD-UHFFFAOYSA-M 2-dodecylisoquinolin-2-ium;bromide Chemical compound [Br-].C1=CC=CC2=C[N+](CCCCCCCCCCCC)=CC=C21 MSJLMQTXVKCUCD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000006432 Carica papaya Species 0.000 description 1
- 235000009467 Carica papaya Nutrition 0.000 description 1
- 235000007516 Chrysanthemum Nutrition 0.000 description 1
- 244000189548 Chrysanthemum x morifolium Species 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 241000287462 Phalacrocorax carbo Species 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- OOYGSFOGFJDDHP-KMCOLRRFSA-N kanamycin A sulfate Chemical group OS(O)(=O)=O.O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CN)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O[C@@H]2[C@@H]([C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)[C@H](N)C[C@@H]1N OOYGSFOGFJDDHP-KMCOLRRFSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Chemical class 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical class [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置用の電極材料に係り、特。
に太陽電池などの比較的粗いパターンの電極を。
有する半導体素子の製造に好適な電極材料に関。
する。
半導体素子の例として太陽電池の代表的な竺11成例を
図に示す。n +/P/P 接合を形成したSL基。
図に示す。n +/P/P 接合を形成したSL基。
板の受光面および裏面に受光面電極4.裏面室。
極5を形成した構造である。さらに一般には反゛射防止
膜等も設けられる。
膜等も設けられる。
この太陽電池の近年における重要課題は、製5造コスト
の低減にあ如、受光面電極4.裏面室・極5の形成法も
従来の真空蒸着法にかわって、・低コストなメッキ法や
印刷法が検討されるよう・になってきた。このうち特に
印刷法は、自動化・が容易で生産性が高いことから広く
検討されて0いる。この印刷法は、金属粉末、ガラス粉
末な。
の低減にあ如、受光面電極4.裏面室・極5の形成法も
従来の真空蒸着法にかわって、・低コストなメッキ法や
印刷法が検討されるよう・になってきた。このうち特に
印刷法は、自動化・が容易で生産性が高いことから広く
検討されて0いる。この印刷法は、金属粉末、ガラス粉
末な。
どを有機結合剤、有機溶剤と混練したペースト。
状の物質(以下導電ペーストという)をスクリ。
−ン印刷法などで塗布し、焼成する方法であり、。
上記の金鵜粉末としては銀粉末が一般的である。1゜こ
のような導電ペーストは、太陽電池の電極形。
のような導電ペーストは、太陽電池の電極形。
成用、あるいは厚膜回路基板用などとして多数。
のものが市販されている。
一方、太陽電池等のt&影形成おいては、電。
極の接着強度の大きいこと、シリコンに対する0
接触抵抗の低いこと、拡散層に対してつきぬけ゛のない
こと(リーク電流の小さいこと)などが。
こと(リーク電流の小さいこと)などが。
要求される。
しかし発明者らが市販の各種のA系、A、ケt1’。ダ
系導電ペーストについて検討した結果によると、・いず
れの導電ペーストも図に示した接合形成シリコンウェハ
上に印刷塗布し、乾燥、焼成した・場合に次の問題があ
った。すなわち、淳膜回路・基板用のA、、系あるいは
A!1−Pd系導電ペースト・では、シリコンウェハと
電極との間にバリアがl・)生成し、接触抵抗が高く、
比較的高い温度の焼。
れの導電ペーストも図に示した接合形成シリコンウェハ
上に印刷塗布し、乾燥、焼成した・場合に次の問題があ
った。すなわち、淳膜回路・基板用のA、、系あるいは
A!1−Pd系導電ペースト・では、シリコンウェハと
電極との間にバリアがl・)生成し、接触抵抗が高く、
比較的高い温度の焼。
成では接合が破壊し、リーク電流の増大が認め・られた
。
。
太陽電池用のA、系導篭ペーストでは、シリコ。
ンウエハと電極との間にバリアの生成しにくい1゜もの
もあるがいずれも接触抵抗が高く、太陽電。
もあるがいずれも接触抵抗が高く、太陽電。
池の光照射時の電流−電圧特性を調べると曲線。
因子が小さく、高効率な太陽電池は作れなかっ。
た。また焼成温度を比較的高温にすると、接触。
抵抗は低下する傾向がみられたが、とのさいに211は
リーク電流が増加する問題が生じた。 ゛このよう
に上記従来の導電ペーストを用いて゛接合破壊を起すこ
となく、接触抵抗の低い電極。
リーク電流が増加する問題が生じた。 ゛このよう
に上記従来の導電ペーストを用いて゛接合破壊を起すこ
となく、接触抵抗の低い電極。
を形成することは非常に困難であった。 。
本発明の目的は、上記した従来の導電ベース5トにみら
れた欠点がなく、太陽電池などの半導体装置の電極材料
として非常に有用な材料を提・供することにある。
れた欠点がなく、太陽電池などの半導体装置の電極材料
として非常に有用な材料を提・供することにある。
からなることを特徴とする。
本発明が従来の導電ペーストと異なる点は、1゜を配合
した導電ペーストをシリコンなどの基板。
した導電ペーストをシリコンなどの基板。
上に印刷し、焼成すると、接合破壊を起す恐れ。
のない比較的低い温度(<750℃)の焼成でも、2゜
祷 O・ 基板姉対して非常に低い接触抵抗の電極が形成゛できる
ことを見い出したことによる。 “本発明の電極
材料が従来の導電ペーストに比。
祷 O・ 基板姉対して非常に低い接触抵抗の電極が形成゛できる
ことを見い出したことによる。 “本発明の電極
材料が従来の導電ペーストに比。
べ、上記のように非常に良好な電極形成が可能“である
のは次の理由によると考えている。すな5わち、従来の
導電ペーストを例えばシリコン基・板上に印刷し、焼成
した場合、焼成雰囲気中に・含まれる酸素によってシリ
コン表面に絶縁性の・酸化ケイ素膜が生成してしまう。
のは次の理由によると考えている。すな5わち、従来の
導電ペーストを例えばシリコン基・板上に印刷し、焼成
した場合、焼成雰囲気中に・含まれる酸素によってシリ
コン表面に絶縁性の・酸化ケイ素膜が生成してしまう。
またこの酸化・ケイ素膜は導電ペーストが酸化鉛系の低
融点ガ11)ラスを使用している場合には酸化鉛とシリ
コン・との反応によっても生成してしまう。このよう。
融点ガ11)ラスを使用している場合には酸化鉛とシリ
コン・との反応によっても生成してしまう。このよう。
にシリコン表面に酸化ケイ素膜が生成するたべ。
焼成された電極とシリコン間の接触抵抗が非常。
に高くなってしまうものと予想される。 1゜一方
、本発明による電極材料では、上記と同。
、本発明による電極材料では、上記と同。
様に酸化ケイ素膜は生成すると考えられるが、。
やこれらの金塊のシリサイド化合物の生成が桐。
・ 4 ・
き、それによって電極とシリコンとの接触抵抗。
が非常に低くなるものと予想される。 。
本発明の電極材料の成分について以下にさら。
に詳述する。構成成分中のA、粉末、有機結合剤L・有
機溶材は従来の導電ペーストで用いられてい5るものと
同様のものを用いることができる。銀・粉末としては粒
径1μm以下のものが、有機結合剤としてはセルロース
系化合物や、ポリメタク・リレート系化合物などが、有
機溶剤としては多・価アルコール系のものが特に好適に
用いられ得10用いるのが好適である。ただし、これら
の金属。
機溶材は従来の導電ペーストで用いられてい5るものと
同様のものを用いることができる。銀・粉末としては粒
径1μm以下のものが、有機結合剤としてはセルロース
系化合物や、ポリメタク・リレート系化合物などが、有
機溶剤としては多・価アルコール系のものが特に好適に
用いられ得10用いるのが好適である。ただし、これら
の金属。
の粉末は活性が高いため、粉末表面に薄い酸化。
膜を形成する方法等で安定化処理したものを川。
いるのが好適である。′JI#;、J/、 、 F 、
Ni、=Msは−4を用いても、二種以上を併用して
もよい。さら。
Ni、=Msは−4を用いても、二種以上を併用して
もよい。さら。
には二種以上のものの合金粉本を用いることや、。
A!1粉末表面にこれらの金属をコーティングして。
用いることなども可能である。 2゜また
本発明では、ガラスを含むことを必ずし。
本発明では、ガラスを含むことを必ずし。
も必要としない。たたし、ガラスを配合すると、゛形成
した電極の半導体連子への接着強度が向上゛する。また
電極の半田に対する耐性も向上する・このため特に太陽
電池の電極形成などに用いる5層合にはむしろガラスを
配合するのが好ましト・ここで用いるガラスの種類は特
に限定されるも・のではない。また本発明の電極材料に
Pd粉木を・配合することにより形成された電極の半田
に対・する耐性がさらに向上し、Pi粉末を配合すると
10とによシ、電極の接着強度が向上する。
した電極の半導体連子への接着強度が向上゛する。また
電極の半田に対する耐性も向上する・このため特に太陽
電池の電極形成などに用いる5層合にはむしろガラスを
配合するのが好ましト・ここで用いるガラスの種類は特
に限定されるも・のではない。また本発明の電極材料に
Pd粉木を・配合することにより形成された電極の半田
に対・する耐性がさらに向上し、Pi粉末を配合すると
10とによシ、電極の接着強度が向上する。
末の100重量部に対してα5〜3Oi量部とす15る
のが好適である。0.5重量部未満の配合比で・は形成
された電極のシリコンに対する接触抵抗。
のが好適である。0.5重量部未満の配合比で・は形成
された電極のシリコンに対する接触抵抗。
が高くなり、30重量部をこえる配合比では形成、した
電極の抵抗値がやや高くなり、太陽電池の。
電極の抵抗値がやや高くなり、太陽電池の。
効率低下を招き易くなる。 2゜以1
本発明の実施例について説明する。 。
本発明の実施例について説明する。 。
実施例1
粒径1μm以下のA、粉末10qと、表面を安定化。
処理した粒径2μm以下のA/、4粉末(A、粉末10
0重量部に対してα5〜30重舊°部)と、p、0−ム
q−55、q系ガラスフリット0.5qとを秤量した。
0重量部に対してα5〜30重舊°部)と、p、0−ム
q−55、q系ガラスフリット0.5qとを秤量した。
これ・にエチルセルロース10重量部をα−テルピネオ
・−ル90重量部に溶解した粘稠液を加えなから十・分
に混練し、釉層が約200ボイズ(ず多速度100/秒
)のペースト状電極材料を調整した。太陽〇電池用の接
合形成シリコン基板として図に示す。
・−ル90重量部に溶解した粘稠液を加えなから十・分
に混練し、釉層が約200ボイズ(ず多速度100/秒
)のペースト状電極材料を調整した。太陽〇電池用の接
合形成シリコン基板として図に示す。
ようにP型シリコン基板1 (比抵抗1〜5Ω−1cm
、直径3インチ丸型ウェハ)の片面にイオン、打込み法
で深さ0.3〜0.5μmの1層の(比抵抗約L 5
X 、10 Ω−am)と、反対面にAt拡散法工。
、直径3インチ丸型ウェハ)の片面にイオン、打込み法
で深さ0.3〜0.5μmの1層の(比抵抗約L 5
X 、10 Ω−am)と、反対面にAt拡散法工。
探さl〜2μ専の2層3を形成したものを用いた。。
次にこのP型シリコン基板lの1層上2にはく。
し型パターン状に、2層上3にはべたパーン状。
に、上記のペースト状電極材料をスクリーン印刷し、1
50℃、10分間の乾燥処理をし受光面電気。
50℃、10分間の乾燥処理をし受光面電気。
07 。
−Ω G 雨 中 ト 神 ト[F]
1111)) ト ト 収rd
ddc3ddd 二; こ o ooooo+ 、、;’、−+−、−+、−+、+、+c+’5coa
)cocoazcoat l の 1.O1,0000。
1111)) ト ト 収rd
ddc3ddd 二; こ o ooooo+ 、、;’、−+−、−+、−+、+、+c+’5coa
)cocoazcoat l の 1.O1,0000。
≧ ”c3 c3c3dC3C3C5ス 二
魔 (2℃ 掩 唖 (℃ 唖
11Fl!’。1olo+。’o ’。
〒突S宜蓑冒マq蓑
1、Ov 4 褌 リ 0 → のにゝ
届 、! 、、F 噴 甘 叶 ぐ
嶽 cQcI I−1o Oo OCV?易 C3qd
d d d d A翠 − ヘ ペ I7′) 1.0 0 0 0 0 0べ
d dddc3dd 1へ 駆 5 ■O H鉛 o H0 減 i 6 66 “ “ 。
d d d d A翠 − ヘ ペ I7′) 1.0 0 0 0 0 0べ
d dddc3dd 1へ 駆 5 ■O H鉛 o H0 減 i 6 66 “ “ 。
■
w 鼻 昌 真 昌 言 昌 昌
呂\ −1 、8。
呂\ −1 、8。
4、裏面電極5を形成した。次にこの基板を酸・素50
ppmを含む窒素ガス雰囲気中で600℃、 10分間
焼成した。
ppmを含む窒素ガス雰囲気中で600℃、 10分間
焼成した。
このようにして作製した太陽電池の電流−電・正特性(
1−V%性)を調べ、電極の接触抵抗5逆バイアス(l
V)でのリーク電流、曲線因子(。
1−V%性)を調べ、電極の接触抵抗5逆バイアス(l
V)でのリーク電流、曲線因子(。
F′、F、)、開放電圧(Voc ) 、 ’m絡1t
R(l5c) ・を調べた。
R(l5c) ・を調べた。
第1表に示した如<、A/、、粉末を配合した不発。
明の!極材料を用いた太陽電池は比較例として。
示したN4粉末を配合しないものを用いた場合に。
比べ、接触抵抗が大幅に低くなり、F、 F、 、 I
、c。
、c。
が大きく、その結果として効率も大幅に向上し。
た。また、リーク電流はいずれも10’A/ciの。
オーダーであシ、問題はまったく認められなかった。
このように本発明の電極材料は比較的低温の600℃の
焼成でも接触抵抗が充分低く、1層のルさがα3〜α5
μmと非常に薄いにもかかわらずリーク電流の増加がな
く、電極材料として従来の導電ペーストに比べ非常に優
れていることが・&誌された。
焼成でも接触抵抗が充分低く、1層のルさがα3〜α5
μmと非常に薄いにもかかわらずリーク電流の増加がな
く、電極材料として従来の導電ペーストに比べ非常に優
れていることが・&誌された。
電極材料の実施例について説明する。M、 、 F 、
Sホウケイ酸鉛系、ホウケイ酸亜鉛系、リン酸菊・と
を各種組合せ、これにポリイソプチルメタク。
Sホウケイ酸鉛系、ホウケイ酸亜鉛系、リン酸菊・と
を各種組合せ、これにポリイソプチルメタク。
リレート40重量部と分散剤0.5重重7部をα−テ1
゜ルビネオール60重量部に溶解した粘調液を加え。
゜ルビネオール60重量部に溶解した粘調液を加え。
なから十分に混練し、粘mが約200ポイズ(ず。
多速度10 oA/J−)の組成の異なる各種のペース
ト。
ト。
状電極材料を調整した。
この電極材料を実施例1と同様の接合形成シ15リコン
基板表面にスクリーン印刷し、150℃で10分間乾燥
後、酸素5ppmを含む窒素ガス雰囲気中。
基板表面にスクリーン印刷し、150℃で10分間乾燥
後、酸素5ppmを含む窒素ガス雰囲気中。
で600℃、10分間焼成した。このようにして作製。
した太陽電池の特性を実施例1と同様にして調。
べだ結果を電極材料の無機成分とともに第2表、11゜
、12゜
に示した。M、、W、Ni5この金属を配合した本“発
明の電極材料は比較例1.2の組成に比べいず・れも接
触抵抗が低くなり、P、F、、Isoが大きく、。
明の電極材料は比較例1.2の組成に比べいず・れも接
触抵抗が低くなり、P、F、、Isoが大きく、。
その結果として効率も大幅に向上した。またリーク。
電流はいずれも10’A/am”のオーダーであり、5
問題は認められなかった。このように実施例2・に示し
た本発明の電極材料も従来の導電ベース・トに比べ非常
に優れた効果の得られることが確・認された。
問題は認められなかった。このように実施例2・に示し
た本発明の電極材料も従来の導電ベース・トに比べ非常
に優れた効果の得られることが確・認された。
以上のように本発明の電極材料は比較的低温1()の焼
成でも、浅い接合の半導体素子に対しても。
成でも、浅い接合の半導体素子に対しても。
接合破壊やリーク電流の増加を引き起すことな。
く、かつ接触抵抗の低い電極形成を可能とする。
画期的な材料である。このため太陽電池の電極。
形成に本発明の電極材料を用いると従来の導電、。
ペーストを用いた場合に比べ非常に効率の高い。
太陽電池を得ることができる。
また、本発明の電極材料は印刷法によって塗。
布でき、安価に、高生産性に電極が形成でき工。
業的にも非常に有用である。さらに本発明の罵。
極材料は太陽電池以外の受光素子や他の半導体装置の電
極形成にも用いることが可能である。。
極形成にも用いることが可能である。。
図は太陽電池の代表的な構成を示した断面図。
である。
l・・・P型シリコン基板
2・・・ル層
3・・・1層
4・・・受光面電極
5・・・裏面電極 1゜代理人弁
珂士 薄 1)利qt。 第11頁の続き ■発 明 者 磯貝時男 横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 0発 明 者 斉藤忠 国分寺市東恋ケ窪−丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 緑用澄之 日立市弁天町三丁目10番2号日 立原町電子工業株式会社内
珂士 薄 1)利qt。 第11頁の続き ■発 明 者 磯貝時男 横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 0発 明 者 斉藤忠 国分寺市東恋ケ窪−丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 緑用澄之 日立市弁天町三丁目10番2号日 立原町電子工業株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 くとも一種の金属と、有機結合剤と、有機浴剤・と、必
要に応じて加えるガラスPd粉末、Pt粉末・とからな
ることを特徴とする半導体装置用電極・材料0 2、 、− 、モリブデン、タングステル1
1σ□\ ニッケル、 を喧=たテテから選ばれる少くとも一種?
の金属の配合割合が、A、粉末100重量部に対し6て
α5〜30重量部であることを特徴とする特許。 請求の範囲第一項記載の牛導体装置用電極材粍。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57143203A JPS5933869A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 半導体装置用電極材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57143203A JPS5933869A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 半導体装置用電極材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5933869A true JPS5933869A (ja) | 1984-02-23 |
JPH023555B2 JPH023555B2 (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15333271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57143203A Granted JPS5933869A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 半導体装置用電極材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5933869A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008078374A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Namics Corporation | 太陽電池用導電性ペースト |
JP2011181680A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Noritake Co Ltd | 太陽電池用導電性ペースト組成物 |
CN102770382A (zh) * | 2010-03-25 | 2012-11-07 | 株式会社日立制作所 | 铝电极配线用玻璃组合物和导电糊、具备该铝电极配线的电子部件及该电子部件的制造方法 |
US8497420B2 (en) | 2010-05-04 | 2013-07-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US10658528B2 (en) | 2017-04-18 | 2020-05-19 | Dupont Electronics, Inc. | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4963994A (ja) * | 1972-10-26 | 1974-06-20 | ||
JPS5384495A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Japan Solar Energy | Semiconductor electrode and method of forming same |
JPS5713164A (en) * | 1980-06-28 | 1982-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Paste of activating metallic material for electroless plating and plating method using said paste |
-
1982
- 1982-08-20 JP JP57143203A patent/JPS5933869A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4963994A (ja) * | 1972-10-26 | 1974-06-20 | ||
JPS5384495A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Japan Solar Energy | Semiconductor electrode and method of forming same |
JPS5713164A (en) * | 1980-06-28 | 1982-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Paste of activating metallic material for electroless plating and plating method using said paste |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008078374A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Namics Corporation | 太陽電池用導電性ペースト |
JPWO2008078374A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2010-04-15 | ナミックス株式会社 | 太陽電池用導電性ペースト |
JP2011181680A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Noritake Co Ltd | 太陽電池用導電性ペースト組成物 |
CN102770382A (zh) * | 2010-03-25 | 2012-11-07 | 株式会社日立制作所 | 铝电极配线用玻璃组合物和导电糊、具备该铝电极配线的电子部件及该电子部件的制造方法 |
US9142708B2 (en) | 2010-03-25 | 2015-09-22 | Hitachi, Ltd. | Glass composition and conductive paste for aluminum electrode wiring, electronic component provided with that aluminum electrode wiring and method for producing this electronic component |
US8889980B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead—tellurium—lithium—oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US8889979B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead—tellurium—lithium—titanium—oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US8895843B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US8497420B2 (en) | 2010-05-04 | 2013-07-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US9722100B2 (en) | 2010-05-04 | 2017-08-01 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US10069020B2 (en) | 2010-05-04 | 2018-09-04 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US10468542B2 (en) | 2010-05-04 | 2019-11-05 | Dupont Electronics, Inc. | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US10559703B2 (en) | 2010-05-04 | 2020-02-11 | Dupont Electronics, Inc. | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US11043605B2 (en) | 2010-05-04 | 2021-06-22 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US10658528B2 (en) | 2017-04-18 | 2020-05-19 | Dupont Electronics, Inc. | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH023555B2 (ja) | 1990-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI380458B (en) | Method of making solar cell contacts | |
EP1713094B1 (en) | Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom | |
TWI363378B (ja) | ||
US6071437A (en) | Electrically conductive composition for a solar cell | |
US4256513A (en) | Photoelectric conversion device | |
EP1713093A2 (en) | Electroconductive thick film composition, electrode, and solar cell formed therefrom | |
JPH0350365B2 (ja) | ||
JPS6244864B2 (ja) | ||
JPH023554B2 (ja) | ||
JPH0364964B2 (ja) | ||
JPS5933869A (ja) | 半導体装置用電極材料 | |
JP4126215B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
JPH0337751B2 (ja) | ||
JPS5933867A (ja) | 半導体装置用電極材料 | |
JPS59168668A (ja) | 半導体装置用電極材料 | |
JPH06105792B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JPH01206508A (ja) | 窒化アルミニウム基板用導体ペースト | |
JPS6018152B2 (ja) | 太陽電池装置の作製方法 | |
JPS6159547B2 (ja) | ||
JPS59168669A (ja) | 電極用ペースト材料 | |
JPH10247418A (ja) | Si太陽電池用導電性組成物 | |
JPS60140881A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JPS6159546B2 (ja) | ||
JPH0231446B2 (ja) | Atsumakudotaisoseibutsu | |
JP2000034501A (ja) | 導電性粉体及び導電インク |