JPS59168668A - 半導体装置用電極材料 - Google Patents

半導体装置用電極材料

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JPS59168668A
JPS59168668A JP58042104A JP4210483A JPS59168668A JP S59168668 A JPS59168668 A JP S59168668A JP 58042104 A JP58042104 A JP 58042104A JP 4210483 A JP4210483 A JP 4210483A JP S59168668 A JPS59168668 A JP S59168668A
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carbide
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Haruhiko Matsuyama
松山 治彦
Mitsuo Nakatani
中谷 光雄
Masaaki Okunaka
正昭 奥中
Ataru Yokono
中 横野
Tokio Isogai
磯貝 時男
Tadashi Saito
忠 斉藤
Kunihiro Matsukuma
邦浩 松熊
Sumiyuki Midorikawa
緑川 澄之
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45Ohmic electrodes
    • H01L29/456Ohmic electrodes on silicon

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 特に太陽電池などの比較的粗いパターンの電極を有する
半導体素子の製造に好適な電極材料に関する。
〔Pi鵡〕
半導体素子の例として、太陽電池の代表的な構成例を図
に示す。n”/ p / P+接合を形成したP塑シリ
コン基板10表面にル+層21反対面にP上層6が設け
られ、n上層2上に受光面電極4.P十層3上に裏面電
極5を形成した構造である。さらに一般には反射防止膜
等も設けられる。
この太陽電池の近年における重要課題は。
製造コストの低減にあり、受光面電極4.裏面電極5の
形成法も従来の真空蒸着法にかわって、低コストなメッ
キ法や印刷法が検討されるようになってきた。このうち
特に印刷法は、自動化が容易で生産性が高いことから広
く検討されている。この印刷法は、金属粉末ガラス粉末
などを有機結合剤、有機溶剤と混練したペースト状の物
質(以下導電ペーストという)をスクリーン印刷法など
で塗布し。
焼成する方法でおり、上記の金属粉末としては銀粉末が
一般的でおる。このような導電ペーストは、太陽゛電池
の電極形成用、あるいは厚膜回路基板用などとして多数
のものが市販されている。
一方、太陽電池等の電極形成においては。
電極の接着強度の太ぎいこと、シリコンに河するコンタ
クト抵抗の低いこと、拡散層に対してつきぬけのないこ
と(リーク電流の小さいこと)などが要求される。
しかし、市販の各種のAl系、A1−pd系導電ペース
トについて検討した結果によると。
いずれの導電ペーストも図に示した接合形成シリコンウ
ェハ上に印刷塗面し、乾燥、焼成した場合に次の問題が
あった。すなわち、厚膜回路基板用のAl系あるいはA
y −pd系導電ペーストでは、シリコンウェハと電体
との間にバリアが生成し、コンタクト抵抗が高く、比較
的高い温度の焼成では接合が(i!!:壊し、リーク電
流の増大が認められた。
太陽゛電池用のAjq系導胤ペーストでは、シリコンウ
ェハと電極との間にバリアの生成しにくいものもあるか
いずれもコンタクト抵抗が高く、太陽電池の光照射時の
電流−電圧特性を調べると曲線因子が小さく、高効率な
太陽電池は作れなかった。また、焼成温度を比較的高温
にするとコンタクト抵抗は低下する傾向がみられたが、
このさいにはリーク電流が増加する問題が生じfこ。
このように上記従来の導電ペーストを用い工接合破壊を
起すこと7ヨ<、コンタクト抵抗の低い′電極を形成す
ることは非常に困難であった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記した従来の導−べ−ストにみられ
た欠点がなく、太陽電池などの半導体装置の電極材料と
して非常に有用な材料を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の電極材料は銀粉末と、■α、■α族の金属の炭
化物、窒化物から選ばれた少なくとも一種の金属化合物
と、有機結合材と、有機溶剤と、必要に応じて加えられ
るガラス粉末とからなることを特徴とし、更に■α、V
α族の金属の炭化物、窒化物から選ばれた少なくとも一
種の金属化合物が、具体的には炭化チタン、炭化シリコ
ニウム、炭化ハフニウム。
炭化バナジウム、炭化ニオブ、炭化タンタル。
窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化
バナジウム、窒化二オグ、窒化タンタルのうちから選ば
れた少なくとも一種類の化合物であることを特徴とする
すなわち1本発明が従来の導電ペーストと異なる点は、
上記した■α、■α族の金属の炭化物、窒化物から選ば
れた少なくとも一種の金属化合物を含む点にある。
これらの金属化合物を配合した導電ペーストをシリコン
などの基板上に印刷し、焼成すると、接合破壊を起す恐
れのない比較的低い温度((750℃)の焼成でも、基
板に対して非常に低いコンタクト抵抗の電極が形成でき
る。
本発明の電極材料が従来の導電ペーストに比べ、上記の
ように非常に良好な電極形成が可能であるのは1次の理
由によると考えている。すなわち、従来の導電ペースト
を例えばシリコン基板上に印刷し、焼成した場合、焼成
雰囲気中に含まれる酸素によってシリコン表面に絶縁性
の酸化ケイ素膜が生成してしまう。またこの酸化ケイ素
膜は導電ペーストが酸化鉛系の低融点ガラスを使用し℃
いる場合には酸化鉛とシリコンとの反応によっても生成
してしまう。このようにシリコン表面に酸化ケイ素膜が
生成するため、焼成された電極とシリコン間のコンタク
ト抵抗が非常に高くなってしまうものと予想される。
一方1本発明による電極材料では上記と同様に酸化ケイ
素膜は生成すると考えられるが、電極材料中に含まれる
金属化合物(■α、Vα族の金属の炭化物、窒化物から
選ばれた少なくとも一種の金属化合物、具体的には炭化
チタン、炭化ジルコニウム、炭化)・フニウム、炭化バ
ナジウム、炭化ニオブ、炭化タンタル。
窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ノ・フニウム、窒
化バナジウム、窒化ニオブ、窒化タンタルのうちから選
ばれた少なくとも一種類の化合物が酸化ケイ紫膜と反応
し、シリコンの還元や、これら■α、va族の金属のシ
リサイド化合物が生成し、それによって電極とシリコン
とのコンタクト抵抗が非常に低くなるものと予想される
本発明の電極材料の成分について以下にさらに詳述する
。構成成分中のAf粉末、有機結合剤、有機溶剤は、従
来の導電ペーストで用いられているものと同様のものを
用いることができる。銀粉末としては粒径1μm以下の
ものが、有機結合剤としてはセルロース系化合物や、ポ
リメタクリレート系化合物などが、有機溶剤としては多
価アルコール系のものが特に好適である。
前記の■α、■α族の金属の炭化物、窒化物から選はれ
た少なくとも一種の金属化合物は、粉末の状態で用いる
のが好適である。
また本発明では、ガラスを含むことを必ずしも必要とし
ない。ただし、ガラスを配合すると、形成した電極の半
導体素子への接着強度が向上する。また電極の半田に対
する耐性も向上する。このため特に太陽電池の電極形成
などに用いる場合忙はむしろガラスを配合するのが好ま
しい。ここで用いろガラスの種類は、特に限定されるも
のではない。また本発明の電極材料にPt粉末を配合す
ることにより、形成された電極の半田に対する耐性がさ
らに向上し、Pt粉末を配合することにより。
電極の接着強度が向上する。
本発明の電極材料を特に太陽電池の電極形成に用いる場
合、前記の■α、■α族の金属の炭化物、窒化物から選
ばれた少なくとも一種の金属化合物の配合比は、銀粉末
100重量部に対して0.5〜40重量部とするのが好
適である。0.5重量部未満の配合比では形成された電
極のシリコンに対するコンタクト抵抗が烏くなり、40
重量部をこえる配合比では形成した電極の抵抗率がやや
高くなり、太陽電池の効率低下を招き易くなる。
〔発明の実施例〕
以下本発明を実施例により更に説明する。
実施例1 粒径1μm以下の銀粉末1りと1粒径10μm以下の炭
化二オグ粉末(配合割合は銀粉末100重量部に対して
0,5〜40重量部)と、ホウケイ酸鉛系ガラスフリッ
ト11に−ICJcpzのエチルセルロース10重量部
をα−テルピネオール90重量部に溶解した粘稠液を加
えながら充分に混練し、第1表7F61〜6に示す粘度
が約200ボイズ(ずり速度100/秒)の電極用ペー
スト状電極材料を調整した。
太陽電池用の接合形成シリコン基板として。
図に示すようにP型シリコン基板1(比抵抗1〜5Ω−
cmsK径3インチ丸型ウェハ)の表面にイオン打込み
法で深さ0.5〜0.5μmのn+層2(比抵抗約L5
 X 10−”Ω−cフル)と1反対面に別拡散法で深
さ1〜2μmのP上層3を形成したものを用いた。
次に、このPfiシリコン基板1のn上層2上にはくし
型パターン状に、P上層上乙にはぺたパターン状に上記
のペースト状電極材料をスクリーン印刷し、150℃、
10分間の乾燥処理をし受光面電極4.裏面電極5を形
成した。
次に、この基板を酸素50ppmを含む蟹素ガス雰囲気
中で、600℃で10分間焼成した。
このようにして作製した太陽電池の電流−電圧特性(1
−V%性)を調べ、電極の接触抵抗逆バイアス(1V)
でのリーク電流1萌線因子(F、F、> 1開放電圧(
Voc ) 、短絡電流(Izc )を調べた。
第1表に示した如く、炭化ニオブを配合した本発明の電
極材料を用いた太陽電池は、比較例として示した炭化ニ
オブな配合しないものを用いた場合に比べてRcが大幅
に低くなり、F、F、Jscが大きく、その結果として
効率も大幅に向上した。また、リーク電流はいずれも1
0= A7’crrL”のオーダーであり、問題はまっ
たく認められなかった。
このように本発明の電極材料は、比較的低温の600℃
の焼成でも接触抵抗が充分低く、ル+層の厚さが0.3
〜0.5μmと非常に薄いにもかかわらずリーク電流の
増加がなく、電極材料として従来の導電ペーストに比べ
非常に優れていることが確認された。
(以下余白) 実施例2 炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化
バナジウム、炭化タンタル、窒化チタン、窒化ジルコニ
ウム、窒化ハフニウム、窒化バナジウム、窒化ニオズ、
窒化タンタルと、粒径1μm以下のA(j粉末と、ガラ
ススリット(ホウケイ酸鉛系、ホウケイ酸亜鉛系リン酸
系)とを、第2表の/167〜17に示すように各種組
合せ、これにポリイソグチルメタクリレート40重量部
と分散剤0,5重量部をα−テルピネオール60重量部
に溶解した粘調液を加えながら十分に混練し、粘度が約
200ボイズ(ずり速度100/秒)の組成の異なる各
種のペースト状電極材料を調整した。
この電極材料を実施例1と同様の接合形成シリコン基板
表面にスクリーン印刷し、150℃で10分間乾燥後、
酸素50ppmを含む窒素ガス雰囲気中で600℃、1
0分間焼成した。このようにして作製した太陽電池の特
性を実施例1と同様にし”C調べた結果を電極材料の無
機成分とともに第2表に示した。炭化チタン。
炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウム、
炭化タンタル、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化八
ツニウム、鼠化バナジウム、雪化ニオグ、鼠化夕/タル
の金属化合物を配合した本発明の電極材料は比較例の組
成に比べ騒ずnも接触抵抗が低くなり、F、I?。
Jtcが大きく、その結果として効率も大幅に向上した
。またり−ク′亀流はいずれも104A/C74”のオ
ーダーであり、問題は認められなかった。このように実
施例2に示した本発明の電極材料も従来の導電ペースト
に比べ非常に優れた効果の得られることが確認された。
また、第2表置18〜21に示すよ5に■σ族。
Vα族の金属の炭化物、窒化物ρχら選ばれた少なくと
も二種類の金属化合物を用いても、上記と同様な結果が
得られた。
(以下余白) 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明の電極材料は比較的低温の焼
成でも、浅い接合の半導体素子に対しても接合破壊やリ
ーク電流の増加を引き起すことなく、かつ接触抵抗の低
い電極形成をuJ能とする画期的な材料である。このた
め、太陽電池の電極形成に本発明の電極材料を用いると
、従来の導電ペーストを用いた場合に比べ非常に効率の
高い太陽電池を得ることができる。
また、本発明の電極材料は印刷法によって塗布でき、安
価に、高生産性に電極が形成でき工業的にも非常に有用
である。さらに1本発明の電)全材料は、太wh電池以
外の受光素子や他の半導体装置の電極形成にも用いるこ
とかり能である。
【図面の簡単な説明】
図は太陽電池の代表的な構成を示した断面図である。 1・・・P′mシリコン基板 2・・・n4層 6・・・12層 4・・・受光面電極 5・・・裏面電極 第1頁の続き 0発 明 者 磯貝時男 横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 ■発 明 者 斉藤忠 国分寺市東恋ケ窪−r目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 (符合 明 者 松熊邦浩 日立市幸町三丁目1番1号株式 %式% 立原町電子工業株式会社内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 t 銀粉末と、■α、■α族の金属の炭化物、窒化物か
    ら選ばれた少なくとも一種の金属化合物と、有機結合材
    と1M機溶剤と、必要に応じて加えられるガラス粉末と
    からなることを特徴とする半導体装置用電極材料。 2、IVα、Va族の金属の炭化物、鼠化物から選ばれ
    た少なくとも一種の金属化合物が、炭化チタン、炭化ジ
    ルコニウム、炭化ハフニウム。 炭化バナジウム、炭化ニオブ、炭化タンタル。 窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化
    バナジウム、屋化二オグ、窒化タンタルのうちから選ば
    れた少なくとも一種類の化合物であることを特徴とする
    特許請求の範囲第一項記載の半導体装置用電極材料。 & ■α、 Va族の金属の炭化物、窒化物から選ばれ
    る少なくとも一種の金属化合物の配合割合が、銀粉末1
    00重量部に対してよ5〜40重量部であることを特徴
    とする特許請求の範囲第一項記載の半導体装置用電極材
    料。
JP58042104A 1983-03-16 1983-03-16 半導体装置用電極材料 Granted JPS59168668A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093433A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
US8597488B2 (en) 2010-04-26 2013-12-03 Panasonic Corporation Method for reducing carbon dioxide

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JP2006093433A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
US8597488B2 (en) 2010-04-26 2013-12-03 Panasonic Corporation Method for reducing carbon dioxide

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