JPH06105792B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH06105792B2 JPH06105792B2 JP58246952A JP24695283A JPH06105792B2 JP H06105792 B2 JPH06105792 B2 JP H06105792B2 JP 58246952 A JP58246952 A JP 58246952A JP 24695283 A JP24695283 A JP 24695283A JP H06105792 B2 JPH06105792 B2 JP H06105792B2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims description 3
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 3
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 14
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 9
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229920000205 poly(isobutyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、太陽電池の製造方法に関する。
太陽電池の代表的な構成例を図に示す。n+/p/p+接合を
形成したSi基板の受光面、および裏面に受光面電極４、
裏面電極５を形成した構造である。さらに一般には反射
防止膜等も設けられる。
形成したSi基板の受光面、および裏面に受光面電極４、
裏面電極５を形成した構造である。さらに一般には反射
防止膜等も設けられる。
この太陽電池の近年における重要課題は、製造コストの
低減にあり、受光面電極４、裏面電極５の形成法も従来
の真空蒸着法にかわって、低コストなメッキ法や印刷法
が検討されるようになってきた。特に印刷法は、自動化
が容易で生産性が高いことから広く検討されている。
低減にあり、受光面電極４、裏面電極５の形成法も従来
の真空蒸着法にかわって、低コストなメッキ法や印刷法
が検討されるようになってきた。特に印刷法は、自動化
が容易で生産性が高いことから広く検討されている。
p+層３形式にも、この印刷法が広く用いられており、Al
粉末と有機結合剤、有機溶剤を混練したペースト状の物
質（以下Alペーストと云う）をスクリーン印刷法などで
塗布し、焼成する方法である。このための市販のAlペー
ストは太陽電池のp+層形成用として多くのものが市販さ
れている。
粉末と有機結合剤、有機溶剤を混練したペースト状の物
質（以下Alペーストと云う）をスクリーン印刷法などで
塗布し、焼成する方法である。このための市販のAlペー
ストは太陽電池のp+層形成用として多くのものが市販さ
れている。
しかし市販のAlペーストを用いp+層３および裏面電極５
の形成を行うと次の問題があった。即ち、大気中（酸化
雰囲中）で焼成すると、Al層が酸化され、絶縁物である
Al2O3となるため、後工程でAl2O3を除去することが必要
となり工程が複雑となる。この酸化を防止するために
は、不活性雰囲気（N2,Ar,He等）で焼成することが有効
であるが、市販のAlペーストでは、何れも焼成後のAl層
に凝集やクラックが生じAl層をそのまま電極、あるいは
裏面電極の一部として使用することができない。このた
めAl層をエッチング等で除去した後、再びAgペースト等
を用いて裏面電極５を形成する必要が生じ、工程が複雑
となり、大陽電池のコストアップを招く欠点があった。
また更にはAl層に凝集やクラックが生じるため、均一な
p+層が形成できず、太陽電池の効率が低下する欠点もあ
った。
の形成を行うと次の問題があった。即ち、大気中（酸化
雰囲中）で焼成すると、Al層が酸化され、絶縁物である
Al2O3となるため、後工程でAl2O3を除去することが必要
となり工程が複雑となる。この酸化を防止するために
は、不活性雰囲気（N2,Ar,He等）で焼成することが有効
であるが、市販のAlペーストでは、何れも焼成後のAl層
に凝集やクラックが生じAl層をそのまま電極、あるいは
裏面電極の一部として使用することができない。このた
めAl層をエッチング等で除去した後、再びAgペースト等
を用いて裏面電極５を形成する必要が生じ、工程が複雑
となり、大陽電池のコストアップを招く欠点があった。
また更にはAl層に凝集やクラックが生じるため、均一な
p+層が形成できず、太陽電池の効率が低下する欠点もあ
った。
本発明の目的は、エッチング工程、Agペーストの印刷、
焼成工程をなくし、凝集やクラックによる製品不良の低
減を図り、かつP+層の形成不良を防止することにある。
焼成工程をなくし、凝集やクラックによる製品不良の低
減を図り、かつP+層の形成不良を防止することにある。
本発明の太陽電池の製造方法は、Ｐ型シリコン基板の表
面部分をn+層とする工程、該Ｐ型シリコン基板の裏面に
ステアリン酸又はステアリン酸亜鉛の何れかで表面をコ
ーティングした鱗片状のAl粉末と、該Al粉末100重量部
に対して５〜50重量部のSn粉末、In粉末から選ばれた少
なくとも一種の金属とに、有機結合剤及び有機溶剤から
なる粘調液を加えながら混練してできた半導体製造用ペ
ースト材料を印刷し、Al層を形成する工程、乾燥処理す
る工程、酸素濃度300ppm以下の不活性ガス雰囲気中、66
0〜900℃で、２〜60分間焼成し、前記Ｐ型シリコン基板
の裏面部分がP+層となる工程、受光面に受光面電極を形
成する工程、前記Al層の前記P+層と接する面と反対の面
上及び前記受光面電極上にめっき被膜を設ける工程によ
り製造することを特徴とする。本発明が従来の方法と異
なる点は、Alペースト中の主成分であるAl粉末に鱗片状
のものを用いたことである。これにより従来、不活性雰
囲気中の焼成では不可能であった凝集やクラックのない
均一なAl層およびp+層の形成を可能にし、工程数の大幅
短縮、低コスト化、高効率化を実現した。
面部分をn+層とする工程、該Ｐ型シリコン基板の裏面に
ステアリン酸又はステアリン酸亜鉛の何れかで表面をコ
ーティングした鱗片状のAl粉末と、該Al粉末100重量部
に対して５〜50重量部のSn粉末、In粉末から選ばれた少
なくとも一種の金属とに、有機結合剤及び有機溶剤から
なる粘調液を加えながら混練してできた半導体製造用ペ
ースト材料を印刷し、Al層を形成する工程、乾燥処理す
る工程、酸素濃度300ppm以下の不活性ガス雰囲気中、66
0〜900℃で、２〜60分間焼成し、前記Ｐ型シリコン基板
の裏面部分がP+層となる工程、受光面に受光面電極を形
成する工程、前記Al層の前記P+層と接する面と反対の面
上及び前記受光面電極上にめっき被膜を設ける工程によ
り製造することを特徴とする。本発明が従来の方法と異
なる点は、Alペースト中の主成分であるAl粉末に鱗片状
のものを用いたことである。これにより従来、不活性雰
囲気中の焼成では不可能であった凝集やクラックのない
均一なAl層およびp+層の形成を可能にし、工程数の大幅
短縮、低コスト化、高効率化を実現した。
本発明に用いるAlペーストの成分について以下に更に詳
述する。主成分である鱗片状のAl粉末は平均粒径で10μ
ｍ以下であることが好ましい。10μｍ以上のものを用い
てスクリーン印刷した場合メッシュの目づまりが起き易
く、連続印刷性に問題がある。またこのペースト中にS
n,Inから選ばれる金属を添加することは、Al層をそのま
ま電極とする際、非常に有効な手段である。これは、こ
れらの金属を配合したAlペーストをシリコンなどの基板
上に印刷し、焼成すると、均一なp+層が形成されるとと
もに、同時に形成されるAl層上に、従来不可能であった
めっき法による金属皮膜が形成できることを見い出した
ことによる。これにより、裏面電極５の電気抵抗が低減
できるとともに、めっきによる金属皮膜として、半田濡
れ性の良い金属（例えば、Cu,Ni,Pb,Sn等）を用いた場
合には、半田付も可能となる。また更にと、Al粉末単体
のAlペーストから形成したAl層と比べ、表面の平滑性に
も優れており、セルをパネル化する際のパッケージング
工程での作業マージンの拡大効果もある。このSn,Inか
ら選ばれる少なくとも１種の金属の配合割合は、Al粉末
100重量部に対して５〜50重量部、好ましくは10〜50重
量であることが必要である。配合割合が５重量部より少
ないと先に述べた、Sn,Inの添加効果はほとんど得られ
ない。また50重量部より多くなると、形成されたAl層の
電気抵抗が高くなり、セルの効率低下を招く。次に他の
構成成分であく有機結合剤と有機溶剤について述べる。
これらは従来の厚膜スクリーン印刷用ペーストで用いら
れているものと同様のものを用いることができる。有機
結合剤としてはセルロース系化合物や、ポリメタクリレ
ート系化合物などが、有機溶剤としては多価アルコール
系のものが特に好適である。
述する。主成分である鱗片状のAl粉末は平均粒径で10μ
ｍ以下であることが好ましい。10μｍ以上のものを用い
てスクリーン印刷した場合メッシュの目づまりが起き易
く、連続印刷性に問題がある。またこのペースト中にS
n,Inから選ばれる金属を添加することは、Al層をそのま
ま電極とする際、非常に有効な手段である。これは、こ
れらの金属を配合したAlペーストをシリコンなどの基板
上に印刷し、焼成すると、均一なp+層が形成されるとと
もに、同時に形成されるAl層上に、従来不可能であった
めっき法による金属皮膜が形成できることを見い出した
ことによる。これにより、裏面電極５の電気抵抗が低減
できるとともに、めっきによる金属皮膜として、半田濡
れ性の良い金属（例えば、Cu,Ni,Pb,Sn等）を用いた場
合には、半田付も可能となる。また更にと、Al粉末単体
のAlペーストから形成したAl層と比べ、表面の平滑性に
も優れており、セルをパネル化する際のパッケージング
工程での作業マージンの拡大効果もある。このSn,Inか
ら選ばれる少なくとも１種の金属の配合割合は、Al粉末
100重量部に対して５〜50重量部、好ましくは10〜50重
量であることが必要である。配合割合が５重量部より少
ないと先に述べた、Sn,Inの添加効果はほとんど得られ
ない。また50重量部より多くなると、形成されたAl層の
電気抵抗が高くなり、セルの効率低下を招く。次に他の
構成成分であく有機結合剤と有機溶剤について述べる。
これらは従来の厚膜スクリーン印刷用ペーストで用いら
れているものと同様のものを用いることができる。有機
結合剤としてはセルロース系化合物や、ポリメタクリレ
ート系化合物などが、有機溶剤としては多価アルコール
系のものが特に好適である。
次にAlペーストの焼成条件について述べる。焼成温度は
660〜900℃、好ましくは700〜800℃が良い。、660℃よ
り低い温度ではAlが溶融しないため、均一なp+層が形成
されにくい。また900℃より高い温度を用いると、受光
面側に形成されているn+接合層の接合深さがかわり、セ
ルの効率劣化が生じる。焼成の時間は２〜60分、好まし
くは３〜30分が良い。２分未満であると、Al層やp+層の
形成が不完全となり、高い効率のセルが得られない。ま
た60分より焼成時間が長くなると、先に、900℃より高
い温度で焼成した場合と同様の理由でセルの効率劣下が
生じる。焼成の雰囲気は酸素濃度300ppm以下、好ましく
は50ppm以下の不活性ガス雰囲であることが良い。300pp
mより大であると、Al層の酸化が進み、電気抵抗が高く
なるため、セルの効率低下が生じる。不活性ガスとして
は、N2,Ar,Heなどがあるが、工業的に得やすく、安価な
N2が好ましい。
660〜900℃、好ましくは700〜800℃が良い。、660℃よ
り低い温度ではAlが溶融しないため、均一なp+層が形成
されにくい。また900℃より高い温度を用いると、受光
面側に形成されているn+接合層の接合深さがかわり、セ
ルの効率劣化が生じる。焼成の時間は２〜60分、好まし
くは３〜30分が良い。２分未満であると、Al層やp+層の
形成が不完全となり、高い効率のセルが得られない。ま
た60分より焼成時間が長くなると、先に、900℃より高
い温度で焼成した場合と同様の理由でセルの効率劣下が
生じる。焼成の雰囲気は酸素濃度300ppm以下、好ましく
は50ppm以下の不活性ガス雰囲であることが良い。300pp
mより大であると、Al層の酸化が進み、電気抵抗が高く
なるため、セルの効率低下が生じる。不活性ガスとして
は、N2,Ar,Heなどがあるが、工業的に得やすく、安価な
N2が好ましい。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１ 太陽電池用の接合形成シリコン基板として、図に示すよ
うにＰ型シリコン基板１（平均比抵抗１Ωcm、直径３イ
ンチ丸型ウエハ）の表面に、イオン打込み法で深さ0.2
〜0.4μｍのn+層２（表面シート抵抗50Ω／口）を形成
したものを用いた。Alペーストには、表面をステアリン
酸コーティングした平均粒径２μｍ以下の鱗片状Alと、
これに10cpsのエチルセルロース５重量部をα−テルピ
ネオール95重量部に溶解した粘調液を加えながら充分に
混練し、粘度を約150ポイズ（ずり速度100/秒）とした
もの、およびこのAlペーストに、Sn,Inのうちから選ば
れる少なくとも１種の金属粉（平均粒径５μｍ以下）を
各種組み合せたものを添加し用いた。このAlペーストを
先に述べたシリコン基板の裏面（n+層２と反対面）にス
クリーン印刷し、150℃、10分間の乾燥処理をした後、
この基板を窒素ガス雰囲気（酸素濃度2.6ppm）中で750
℃、５分間焼成した。これにより前記Al層の前記Ｐ型シ
リコン基板１と接している面からAlがSi中に拡散され、
前記Ｐ型シリコン基板１の裏面部分がP+層となり、ま
た、前記Al層は焼成時に酸化されて絶縁物であるAl2O3
が生じたり、凝集やクラックが生じることがなく、前記
Al層は焼成後そのまま裏面電極５として使用できた。そ
して次に、受光面電極４を形成した。
うにＰ型シリコン基板１（平均比抵抗１Ωcm、直径３イ
ンチ丸型ウエハ）の表面に、イオン打込み法で深さ0.2
〜0.4μｍのn+層２（表面シート抵抗50Ω／口）を形成
したものを用いた。Alペーストには、表面をステアリン
酸コーティングした平均粒径２μｍ以下の鱗片状Alと、
これに10cpsのエチルセルロース５重量部をα−テルピ
ネオール95重量部に溶解した粘調液を加えながら充分に
混練し、粘度を約150ポイズ（ずり速度100/秒）とした
もの、およびこのAlペーストに、Sn,Inのうちから選ば
れる少なくとも１種の金属粉（平均粒径５μｍ以下）を
各種組み合せたものを添加し用いた。このAlペーストを
先に述べたシリコン基板の裏面（n+層２と反対面）にス
クリーン印刷し、150℃、10分間の乾燥処理をした後、
この基板を窒素ガス雰囲気（酸素濃度2.6ppm）中で750
℃、５分間焼成した。これにより前記Al層の前記Ｐ型シ
リコン基板１と接している面からAlがSi中に拡散され、
前記Ｐ型シリコン基板１の裏面部分がP+層となり、ま
た、前記Al層は焼成時に酸化されて絶縁物であるAl2O3
が生じたり、凝集やクラックが生じることがなく、前記
Al層は焼成後そのまま裏面電極５として使用できた。そ
して次に、受光面電極４を形成した。
この様にして作成した太陽電池の電流−電圧特性から、
開放電圧（Voc）、曲線因子（F.F）を調べた。また裏面
電極５の外観（Al層の凝集、クラックの有無）評価およ
び電気ニッケルめっき（液組成：スルファミン酸ニッケ
ル150g/l、塩化ニッケル10g/l、ホウ酸40g/l）を用い前
記裏面電極５に対するニッケルめっき被膜析出性評価を
行った。
開放電圧（Voc）、曲線因子（F.F）を調べた。また裏面
電極５の外観（Al層の凝集、クラックの有無）評価およ
び電気ニッケルめっき（液組成：スルファミン酸ニッケ
ル150g/l、塩化ニッケル10g/l、ホウ酸40g/l）を用い前
記裏面電極５に対するニッケルめっき被膜析出性評価を
行った。
第１表のNo.1〜７に示した如く、本発明のp+層および電
極を形成する際、Alペーストの主成分として、鱗片状Al
粉末を使用することが、高Voc、高FFなセル特性を得、
クラックや凝集のないAl層形成に効果のあることがわか
る。また、No.3〜７より、Alペーストに、Sn,Inのうち
から選ばれる少なくとも１種以上の金属を加えることに
より、セルの特性を落すことなく、従来困難であったAl
層上へのめっきも可能であることがわかる。このNo.3〜
７のニッケルめっき膜に対する半田濡れ性試験を行った
結果も非常に良好な濡れ結果が得られた。
極を形成する際、Alペーストの主成分として、鱗片状Al
粉末を使用することが、高Voc、高FFなセル特性を得、
クラックや凝集のないAl層形成に効果のあることがわか
る。また、No.3〜７より、Alペーストに、Sn,Inのうち
から選ばれる少なくとも１種以上の金属を加えることに
より、セルの特性を落すことなく、従来困難であったAl
層上へのめっきも可能であることがわかる。このNo.3〜
７のニッケルめっき膜に対する半田濡れ性試験を行った
結果も非常に良好な濡れ結果が得られた。
実施例２ 太陽電池用の接合形成シリコン基板として、実施例１と
同様のＰ型シリコン基板１を用いた。Alペーストとして
ステアリン酸亜鉛で表面をコーティングした平均粒径２
μｍ以下の鱗片状Al粉末100gと、平均粒径10μｍ以下の
Sn粉末10gを秤量したものに、ポリイソブチルメタクリ
レート20重量部をα−テルピネオール80重量部に溶解し
た粘調液を加えながら充分に混練し、粘度が約150ポイ
ズ（ずり速度100/秒）になるように調整したものを用い
た。このAlペーストを実施例１と同様に印刷、乾燥した
後、N2雰囲気中で各種条件を組み合わせて焼成し、これ
により前記Al層の前記Ｐ型シリコン基板１と接している
面からAlがSi中に拡散され、前記Ｐ型シリコン基板１の
裏面部分がP+層となり、また、前記Al層は焼成時に酸化
されて絶縁物であるAl2O3が生じたり、凝集やクラック
が生じることがなく、前記Al層は焼成後そのまま裏面電
極５として使用できた。そして次に、受光面電極４を形
成した。
同様のＰ型シリコン基板１を用いた。Alペーストとして
ステアリン酸亜鉛で表面をコーティングした平均粒径２
μｍ以下の鱗片状Al粉末100gと、平均粒径10μｍ以下の
Sn粉末10gを秤量したものに、ポリイソブチルメタクリ
レート20重量部をα−テルピネオール80重量部に溶解し
た粘調液を加えながら充分に混練し、粘度が約150ポイ
ズ（ずり速度100/秒）になるように調整したものを用い
た。このAlペーストを実施例１と同様に印刷、乾燥した
後、N2雰囲気中で各種条件を組み合わせて焼成し、これ
により前記Al層の前記Ｐ型シリコン基板１と接している
面からAlがSi中に拡散され、前記Ｐ型シリコン基板１の
裏面部分がP+層となり、また、前記Al層は焼成時に酸化
されて絶縁物であるAl2O3が生じたり、凝集やクラック
が生じることがなく、前記Al層は焼成後そのまま裏面電
極５として使用できた。そして次に、受光面電極４を形
成した。
この様にして作成した太陽電池の電気特性、およびAl層
の外観を実施例１と同様にして調べた。まためっき析出
性の評価を電気銅めっき（液組性：ピロリン酸銅90g/
l、ピロリン酸カリ350g/l、アンモニア3ml/l）を用いて
調べた。
の外観を実施例１と同様にして調べた。まためっき析出
性の評価を電気銅めっき（液組性：ピロリン酸銅90g/
l、ピロリン酸カリ350g/l、アンモニア3ml/l）を用いて
調べた。
第２表に示した如く、本発明の条件を用いたもの（No.1
1,12,13,15,17）は何れも高いVoc,FF値が得られ、且つ
裏面電極５となるAl層として凝集やクラックのない平滑
な面が得られ、前記裏面電極５に対する銅めっき被膜析
出性も良好であった。またこの良好な試料では銅めっき
膜に対する半田濡れ性も良好であった。
1,12,13,15,17）は何れも高いVoc,FF値が得られ、且つ
裏面電極５となるAl層として凝集やクラックのない平滑
な面が得られ、前記裏面電極５に対する銅めっき被膜析
出性も良好であった。またこの良好な試料では銅めっき
膜に対する半田濡れ性も良好であった。
以上のように本発明の半導体装置製造方法を用いれば特
に太陽電池のp+層および裏面電極形成を行ううえで、従
来困難であった、Al層のAl2O3化を効率を下げることな
く行える。また更にはAl層上へのめっき処理も可能とし
た。これにより従来必要であった、Al2O3層の除去、半
田付用のAg電極の形成工程が不要となり、工程数および
製造コストの大幅低減が可能となる。
に太陽電池のp+層および裏面電極形成を行ううえで、従
来困難であった、Al層のAl2O3化を効率を下げることな
く行える。また更にはAl層上へのめっき処理も可能とし
た。これにより従来必要であった、Al2O3層の除去、半
田付用のAg電極の形成工程が不要となり、工程数および
製造コストの大幅低減が可能となる。
図は太陽電池の代表的な構成を示した断面図である。 １……シリコン基板、２……n+層、３……p+層、４……
受光面電極、５……裏面電極
受光面電極、５……裏面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥中 正昭 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 横野 中 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 磯貝 時男 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 斉藤 忠 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 松熊 邦浩 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内 (72)発明者 緑川 澄之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 鈴木 悟 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−85574（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−10839（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−78491（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】Ｐ型シリコン基板の表面部分をn+層とする
工程、 該Ｐ型シリコン基板の裏面にステアリン酸又はステアリ
ン酸亜鉛の何れかで表面をコーティングした鱗片状のAl
粉末と、該Al粉末100重量部に対して５〜50重量部のSn
粉末、In粉末から選ばれた少なくとも一種の金属とに、
有機結合剤及び有機溶剤からなる粘調液を加えながら混
練してできた半導体製造用ペースト材料を印刷し、Al層
を形成する工程、 乾燥処理する工程、 酸素濃度300ppm以下の不活性ガス雰囲気中、660〜900℃
で、２〜60分間焼成し、前記Ｐ型シリコン基板の裏面部
分がP+層となる工程、 受光面に受光面電極を形成する工程、 前記Al層の前記P+層と接する面と反対の面上及び前記受
光面電極上にめっき被膜を設ける工程により製造するこ
とを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58246952A JPH06105792B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58246952A JPH06105792B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140883A JPS60140883A (ja) | 1985-07-25 |
| JPH06105792B2 true JPH06105792B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=17156171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58246952A Expired - Fee Related JPH06105792B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06105792B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4668523B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2011-04-13 | 東洋アルミニウム株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| JP4627511B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-02-09 | 京セラ株式会社 | 光電変換素子および光電変換素子の作製方法 |
| JP2011066353A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Noritake Co Ltd | 太陽電池用アルミニウムペースト |
| US9966479B2 (en) * | 2014-06-12 | 2018-05-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Aluminum-tin paste and its use in manufacturing solderable electrical conductors |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5429707B2 (ja) * | 1972-02-08 | 1979-09-26 | ||
| JPS5110839A (ja) * | 1974-07-17 | 1976-01-28 | Fujikura Kasei Kk | Dodenseitoryo |
| JPS5384495A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Japan Solar Energy | Semiconductor electrode and method of forming same |
| JPS5478491A (en) * | 1977-12-02 | 1979-06-22 | Murata Manufacturing Co | Conductive paste |
| JPS57208182A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacture of phtoelectric converter |
| JPS5885574A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-21 | Toshiba Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58246952A patent/JPH06105792B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60140883A (ja) | 1985-07-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |