JPS5933867A - 半導体装置用電極材料 - Google Patents

半導体装置用電極材料

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JPS5933867A
JPS5933867A JP57143201A JP14320182A JPS5933867A JP S5933867 A JPS5933867 A JP S5933867A JP 57143201 A JP57143201 A JP 57143201A JP 14320182 A JP14320182 A JP 14320182A JP S5933867 A JPS5933867 A JP S5933867A
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Haruhiko Matsuyama
松山 治彦
Mitsuo Nakatani
中谷 光雄
Masaaki Okunaka
正昭 奥中
Ataru Yokono
中 横野
Tokio Isogai
磯貝 時男
Tadashi Saito
忠 斉藤
Sumiyuki Midorikawa
緑川 澄之
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45Ohmic electrodes
    • H01L29/456Ohmic electrodes on silicon

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置用の電極材料に係り、特に太陽電
油などの比較的粗いパターンの電極を有する半導体素子
の製造に好適な電極材料に関する。
牛漢体素子の例として太陽電池の代表的な構成例を図に
示す。n+/ p / P+接合を形成したSi基板の
受光面および裏面に受光面電極4.裏面電極5を形成し
た構造である。さらに一般には反射防止膜等も設けられ
る。
この太陽電6b、の近年における型砂課題は、製造コス
トの低減に))す、受光面宿極4.裏面電極5の形成法
も併来の真空蒸着法にかわって、低コストtcメッキ法
や印刷法が検討されるようになってきた。このうち特に
印刷法は、自動化が家易で生産性が高いことから広く検
討されている。この印刷法は、金属粉末、ガラス粉末な
どを有機結合剤、有機溶剤と混練したペースト状の物質
(以下導電ペーストという)をスクリーン印刷法などで
塗布し、焼成する方法であり、上記の金牌粉末としては
銀粉末が一般的である。
このような導電ペーストは、太陽電池の電極形成用、あ
るいば1v膜回路基板用などとして多数のものが市販さ
れている。
一方、太陽電池等の電極形成においては、市1極の接着
強叶の大きいこと、シリコンに対する接触抵抗のイ氏い
こと、拡散層に対してつきぬけのないこと(リーク電流
の小さいこと)などが要求される。
しかし本発明者らが市販の各種のAg系、Ag −Pd
系導電ペーストについて検討した結果によると、いずれ
の導電ペーストも図に示した接合形成シリコンウエノ飄
上に印刷塗布し、乾燥、焼成した場合に次の問題があっ
た。すなわち、厚膜回路基板用のAg系あるいはAg 
−Pd系導電ペーストでは、シリコンウェハと電極との
間にバリアが生成し、接触抵抗が高く、比較的高い温度
の焼成では接合が破壊1.、リーク電流の増大が認めら
れf−。
太陽電池用のAg系導電ペーストではシリコンウェハと
電極との間にバリアの生成しにくいものもおるがいずれ
も接触抵抗が高く、太陽電池の光照射時の電流−市、正
特性を調べると曲線因子が小さく、窩効率な太陽電池は
作れなかった。
また焼成温度を比較的高温にすると接触抵抗は低下する
傾向がみられたが、このさいにはリーク電流が増加する
問題が生じた。
このように上記従来の導電ペーストを用いて接合破壊を
起すことなく、接触抵抗の低い電極を形成することは非
常に困難であった。
本発明の目的は、上記した従来の導電ペーストにみられ
た欠点がなく、太陽電池などの半導体装置の電極材料と
して非常に有用な材料を提供することにある。
本発明の電極材料はAg粉末と、希土類元素、特にスカ
ンジウム(Sc)、イツトリウム(Y) 。
ランクン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(
Pr)、ネオシーム(Nd)から選ばれる少くとも一種
の金属と、有機結合剤と、有機溶剤と、必要に応じて加
えるガラスやPd粉末とからなることを特徴とする。
本発明が従来の導電ペーストと異IIる点は1、3 。
希土類元素、特ニSc、 Y、La+ Ce、 Pr、
 Nd  から選ばれる少くとも一種の金属を含むこと
にある。
これはこれらの金属を配合した導電ペーストをシリコン
などの基板上に印刷し、構成すると、接合破壊を起す恐
れのない比較的低い温度(〈750°C)の焼成でも、
基板に対して非常に低い接触抵抗の電極が形成できるこ
とを見い出したことによる。
本発明の電極材料が従来の導電ペーストに比べ、上記の
ように非常に良好な電極形成が可能であるのは次の理由
によると考えている。すなわち、従来の導電ペーストを
例えばシリコン基板上に印刷し、焼成した場合、焼成雰
囲気中に含まれる酸素によってシリコン表面に絶縁性の
酸化ケイ素膜が生成してしまう。またこの酸化ケイ素膜
は導電ペーストが酸化鉛系の低融点ガラスを使用してい
る場合には酸化鉛とシリコンとの反応によっても生成し
てしまう。このようにシリコン表面に酸化ケイ素膜が生
成するため、焼成された[4とシリコン間の接触抵抗が
非常・ 4 ・ に高くなってしまうものと予想される。
一方、本発明による電極材料では上記と同様に酸化ケイ
素膜は生成すると考えられるが、電極材料中に含まれる
金属(希土類、%にSc、 Y。
La+ Ce+ Pr、 Nd )  が酸化ケイ素膜
ト反応シ、シリコンの還元やこれらの金属のシリサイド
化合物の生成が起き、それによって電極とシリコンとの
接触抵抗が非常に低(なるものと予想される。
本発明の電極材料の成分について以下にさらに詳述する
。構成成分中のAg粉末、有機結合剤。
有機溶剤は従来の導電ペーストで用いられているものと
同様のものを用いることができる。銀粉末としては粒径
11gn以下のものが、有機結合剤としてはセルロース
系化合物や、ポリメタクリレート系化合物などが、有機
溶剤としては多価アルコール系のものが特に好適に用い
られ得る。
希土類元素%にSc、 y、 La、 Ce+ Pr+
 Ndの金属は、粉末の状態で用いるのが好適である。
ただし、これらの金也の粉末は活性が高いため、粉末表
面に薄い酸化膜を形成する方法等で安定化処理したもの
を用いるのが好適である。Sc。
Y+ La、 Ce+ Pr、 Ndは一種を用いても
、二種以上を併用してもよい。さらには二種以上のもの
の合金粉末を用いることや、Ag粉末表面にこれらの今
加、をコーティングして用いることなども可能である。
また本発明では、ガラスを含むことを必ずしも必要とし
ない。ただし、ガラスを配合すると、形成した電極の半
導体素子への接着強度が向上する。また電極の半田に対
する耐性も向上する。
このため特に太陽電池の電極形成などに用いる場合には
むしろガラスを配合するのが好ましい。
ここで用いるガラスの種類は%に限定されるものではな
い。また本発明の電極材料にPd粉末を配合することに
より形成された電極の半田に対する削性かさらに向上し
、Pt粉末を配合することにより、電極の接着強度が向
上する。
また本発明の噴、極材料を特に太、陽N池の電極形成に
用いる場合には、希土類元素、特に8c。
Y、 La、 Ce、 Pr、 Ndから選ばれる少く
とも一種の金摩の配向比をAg粉末の100重量部に対
して05〜30重量部とするのが好適である。01重量
部未満の配合比では形成された電極のシリコンに対する
接触抵抗が高くなり、30重量部をこえる配合比では形
成した電極の抵抗値がやや高くなり、太陽電池の効率低
下を招き易くなる。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例1 粒径1μm以下のAg粉末10gと、表面を安定化処理
した粒径2μm以下のCe粉末(Ag粉末109重量部
に対して0.5〜60重量部)と、PbO−B20n−
8in2系ガラスフリツ) 0.5gとを秤量した。こ
れにエチルセルロース10重量部をα−テルピネオール
90重量部に溶解した粘稠液を加えながら十分に混練し
、粘度が約200ボイズ(ずり速度100/秒)のペー
スト状電極材料を調整した。
太陽電池用の接合形成シリコン基板として図に示すよう
にP型シリコン基板1(比抵抗1〜5Ω−―、直直径3
ンンチ丸型ウエハの方面にイオン打込み法で深さ03〜
05μmのn 層2(比抵抗約1.5X10“3Ω−1
)と、反対面にAl拡散法で深さ1〜2μmのP十層3
を形成したものを用いた。
次にこのP型シリコン基板1のn層2上にはくし型パタ
ーン状に、P十層、ト3にはべたパーン状に上記のペー
スト状電極材料をスクリーン印刷し、150°C110
分間の乾燥処理をし受光面電極4、裏面電極5を形成し
た。次にこの基板を酸素50ppmを含む♀素ガス雰囲
気中でろ00°C110分間焼成した。
このようにして作製した太陽電池の電流−電圧特性(1
−V特性)を訓べ、電極の接触抵抗。
逆バイアス(1V)でのリーク電流2臼線因子(F、P
、  )、開数電圧(Voc ) 、短絡電流(Isc
 )を調べた。
第1表に示した如(、Ce粉末を配合した本発明の電極
材料を用いた太陽電池は比較例として示したCe粉末を
配合しtxいものを用いた場合に比べ、接触抵抗が大幅
に低くなり、′P、F、Isc、8 。
が大きく、その結果として効率も大幅に向上した。また
、リーク重1流はいずれも1ff’A/〜のオーダーで
あり、問題はまったく望められなかった。
このように本発明の電極材料は比較的低温の600°C
の焼成でも接触抵抗が充分低く、n十層の厚さが03〜
05μmと非常に薄いにもかかわらずリーク電、流の増
加がなく、電極材料として従来の導電ペーストに比べ非
常に優れていることが確Vされた。
実施例2 金属として8c、 Y、 La、 Pr、 Ndを配合
した本発明の電極材料の実施例について説明する。Sc
Y、 La、 Pr、 Ndの令嬢粉末(表面に薄い酸
化膜を形成)と、粒径1μm以下のAg粉末とガラスフ
リット(ホウケイ酸鉛系、ホウケイ酸亜鉛系。
リン酸系)とを各種組合せ、これにポリイソブチルメタ
クリレート40重量部と分散剤0.5重量部をα−テル
ピネオール60重量部に溶解1−だ粘稠液を加えながら
十分に混練し、粘度が約200ボ、11゜ ・ 12・ イズ(ずり速度100/秒)の組成の異なる各種のペー
スト状電極材料を調整した。
この電極材料を実施例1と同様の接合形成シIJ =+
ン基板表面にスクリーン印刷し、150°Cで10分間
乾燥後、酸素5ppm を含む窒素ガス雰囲気中で60
0°C110分間焼成した。このようにして作製した太
陽電池の特性を実施例1と同様にして調べた結果を電極
材料の無機成分とともに第2表に示した。Sc、 Y、
 La、 Pr、 Nd ノ金属を配合した本発明の電
極イオ料は比較例1.2の組成に比べいずれも接触抵抗
が低くなり、E′F、。
Iscが大きく、その結果として効率も大幅に向−ヒし
た。またリーク電流はいずれも10−’ A / eI
Iのオーダーであり、間四は認められなかった。
このように実施例2に示した本発明の電極材料も従来の
導電ペーストに比べ非常に優れた効果の得られることが
確認された。
以ヒのように本発明の電極材料は比較的低温の焼成でも
、浅い接合の半導体素子に対しても接合破壊やリーク電
流の増加を引き起すことなく、かつ接触抵抗の低い電極
形成を可能とする画1tJI的な材料である。このため
太陽電池の電極形成に本発明の電極材料を用いると従来
の導電ペーストを用いた場合に比べ非常に効率の高い太
陽電池を得るこ2ができる。
また、本発明の電極材料は印刷法によって塗布でき、安
価に、高生産件に電極が形成でき工業的にも非常に有用
である。さらに本発明の電極材料は太陽電池以外の受光
素子や他の半導体装置の電極形成にも用いることが可能
である。
【図面の簡単な説明】
図は太陽電池の代表的な構成を示した断面図である。 1・・・P型シリコン基板 2・・・n+層 3・・・P層 4・・・受光面電極 5・・・裏面電極 第1頁の続き @発 明 者 磯貝時男 横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 0発 明 者 斉藤忠 国分寺市東恋ケ窪−丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 緑用澄之 日立市弁天町三丁目10番2号日 立原町電子工業株式会社内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、  Ag粉末と、希土類元素から選ばれる少なくと
    も一種の金属と、有機結合剤と、有機溶剤と、必要に応
    じて加えるガラス、Pd粉末、pt粉末とからなること
    を特徴とする半導体装置用電極材料。 2、希土類元素から選ばれる少1c くとも二種の金属
    とAg粉末の配合比が、Ag粉末100重量部に対して
    081〜60重量部であることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の半導体装置用電極材料。 3 希土類元素が、スカンジウム、イツトリウム、ラン
    タン、セリウム、プラセオジム、ネオジムの何れかであ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項もしくは第2
    項記載の半導体装置用電極材料。
JP57143201A 1982-08-20 1982-08-20 半導体装置用電極材料 Granted JPS5933867A (ja)

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JP57143201A JPS5933867A (ja) 1982-08-20 1982-08-20 半導体装置用電極材料

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JPS5933867A true JPS5933867A (ja) 1984-02-23
JPH023553B2 JPH023553B2 (ja) 1990-01-24

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ID=15333222

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0533547U (ja) * 1991-10-04 1993-04-30 三洋電機株式会社 光起電力装置
JP2014530482A (ja) * 2011-09-09 2014-11-17 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 銀製の太陽電池接点
KR20210032389A (ko) 2018-07-18 2021-03-24 마크스 가부시기가이샤 결속용 테이프, 결속 방법, 테이프 감기체 및 릴
KR20240048571A (ko) 2018-07-18 2024-04-15 마크스 가부시기가이샤 결속용 테이프, 결속 방법, 테이프 감기체 및 릴

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