JPH0533547U - 光起電力装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 本考案は、パラジウムを含有するＡｇペース
トの焼成時に、そのＡｇペーストの第１電極膜上、又は
第１電極膜間へのマイグレーションが発生しないように
すると共に、電気出力特性の低下がなく、更に歩留まり
が良い光起電力装置を提供することを目的とする。 【構成】 本考案の光起電力装置は、絶縁性基板と、こ
の基板上に離間形成された第１電極膜２と、この第１電
極膜上にその側縁端部に沿って形成された導電性部材
と、上記第１電極膜２上に形成された非晶質半導体層４
と、この非晶質半導体層上に離間形成されると共に、端
部が隣接する上記第１電極膜上の導電性部材と接続せし
められる第２電極膜５と、を具備する光起電力装置にお
いて、上記導電性部材はパラジウムを含有した銀ペース
ト３ａからなることを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、複数個の光起電力素子を電気的に直列接続した光起電力装置の構造 に関する。

【０００２】

【従来の技術】

光起電力装置から所定の光起電力を得るために、従来から複数個の光起電力素 子を電気的に直列接続しており、この光起電力装置が特開昭６２−３３４７７号 公報に開示されている。

【０００３】 図２は、従来の光起電力装置の断面図を示したものである。

【０００４】 １はガラス等からなる透光性基板、２は透光性基板１上全面に、スパッタ法又 は熱ＣＶＤ法により形成された後、ＹＡＧレーザでパターニング形成された酸化 インジウム錫（ＩＴＯ）、フッ素がドープされた酸化錫（ＳｎＯ₂：Ｆ）、アン チモンがドープされた酸化錫（ＳｎＯ₂：Ｓｂ）又はアルミニウムがドープされ た酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）等の酸化金属からなる膜厚２０００乃至８０００Å の透明導電膜の第１電極膜、３は離間形成された夫々の第１電極膜２の側縁端部 に沿って帯状にスクリーン印刷法によって印刷後、５３０乃至５８０℃で焼成さ れたＡｇペースト、４は離間形成された第１電極膜２間を含みその第１電極膜２ 上にプラズマＣＶＤ法によって形成された、半導体光活性層を含む半導体接合を 備えた膜厚３０００乃至８０００Åのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等の非 晶質半導体層、５はＡｌ、Ｔｉ又はＡｇ等からなる一層又はその積層体で、非晶 質半導体層４上全面に形成された膜厚約５０００Åの第２電極膜、６は第２電極 膜５上からレーザビーム、電子ビーム等のエネルギビームをＡｇペースト３に向 かって帯状に照射することによって、第２電極膜５の一部が高温で溶解してＡｇ ペースト３まで達することで、第１電極膜２と第２電極膜５とを電気的に直列接 続する接続部である。

【０００５】 この後、第２電極膜５上からＹＡＧレーザ等のエネルギビームを照射すること によって非晶質半導体層４及び第２電極膜５を離間形成せしめて、第１電極膜２ 、非晶質半導体層４及び第２電極膜５によって１つの光起電力素子が構成される 。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

上述の構成のＡｇペースト３を用いた光起電力装置は、開放電圧Ｖ_OCが低く、 また光起電力素子間のセルショートを起こす不良率が高かった。

【０００７】 この原因について調べてみると、Ａｇペースト３が第１電極膜２上の側縁端部 に帯状に印刷された後、約５００℃で焼成される際に、第１電極膜２と非晶質半 導体層４との界面、又は第１電極膜２間にＡｇからなる粒状物７が散在するため であることが判明した。

【０００８】 従って、本考案は、Ａｇペースト３の焼成時に、そのＡｇペースト３の第１電 極膜２上、又は第１電極膜２間へのマイグレーションが発生しないようにすると 共に、電気出力特性の低下がなく、更に歩留まりが良い光起電力装置を提供する ことを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】

本考案の光起電力装置は、絶縁性基板と、この基板上に離間形成された第１電 極膜と、この第１電極膜上にその側縁端部に沿って形成された導電性部材と、上 記第１電極膜上に形成された非晶質半導体層と、この非晶質半導体層上に離間形 成されると共に、端部が隣接する上記第１電極膜上の導電性部材と接続せしめら れる第２電極膜と、を具備する光起電力装置において、上記導電性部材はパラジ ウムを含有した銀ペーストからなることを特徴とする。

【００１０】

【作用】 Ａｇペースト中にパラジウムを含有させることによってペースト自体の特性を 悪くさせず、且つＡｇペーストの焼成の際に、そのＡｇペースト中のＡｇの第１ 電極膜上、又は第１電極膜間へのマイグレーションを防止する。

【００１１】

【実施例】

本考案の光起電力装置を図１に示し、従来と同一構成については同一番号を付 す。

【００１２】 なお、本実施例中に示す銀及びパラジウム（以下、Ｐｄという。）の含有率は 導電性部材全体量に対する割合である。

【００１３】 本考案の特徴は、約５０重量％のＡｇ及び最大２０重量％のＰｄを含有したＡ ｇペースト３ａを用いることにある。

【００１４】 表１は、Ａｇペースト３ａ中に含有されるＰｄ量を変化させたときの、その種 々のペーストを用いたときの光起電力装置の電気出力特性を示したものである。 なお、Ａｇペースト３ａ以外の製造条件は従来の光起電力装置と同一である。

【００１５】 なお、表１中の数値は、夫々の電気出力特性において、Ｐｄを全く含有しない ときを基準として決定した値である。

【００１６】

【表１】

【００１７】 表１中のαは、Ｐｄが５乃至２０重量％含有されている場合で、βは、Ｐｄが 全く含有されていない場合で、γは、Ｐｄが５重量％未満含有されている場合で 、更にδは、Ｐｄが２０重量％以上含有されている場合である。

【００１８】 表１を見ればわかるように、Ｐｄを含有するＡｇペースト３ａを用いた場合に は、そのＡｇペースト３ａの焼成時にそのＡｇの第１電極膜２上、又は第１電極 膜２間へのマイグレーションは起こらず、光起電力装置の電気出力特性、特に開 放電圧Ｖ_OCは従来に比べて向上する。

【００１９】 また、２０重量％を越えるＰｄを含有するＡｇペースト３ａを用いた場合には 、Ａｇ−Ｐｄペーストの抵抗値が従来より高くなり、光起電力装置の形状因子（ 又は曲線因子）Ｆ．Ｆ．が低下する。

【００２０】 更に、５乃至２０重量％のＰｄを含有するＡｇペースト３ａを用いた場合には 、形状因子（又は曲線因子）Ｆ．Ｆ．は、ＡｇペーストにＰｄを含有せしめたこ とによってペースト自体の抵抗値が高くなるため、従来より僅かに低下するもの の、開放電圧Ｖ_OC、Ｐ_max（＝Ｖ_OC×Ｉ_SC×Ｆ．Ｆ．）及び歩留まりは向上する 。

【００２１】 なお、短絡電流Ｉ_SCはＰｄの含有率に係わらず従来の値と変わることはない。

【００２２】 このように、Ａｇペースト中に最大２０重量％までＰｄを含有させることによ ってペースト自体の特性を悪くさせず、且つＡｇペースト３ａの焼成時にそのＡ ｇの第１電極膜２上、又は第１電極膜２間へのマイグレーションを防止すること ができる結果、光起電力装置の電気出力特性並びに歩留まりを向上させることが できる。

【００２３】 上述のＡｇペースト３ａの焼成時にそのＡｇの第１電極膜２上、又は第１電極 膜２間へのマイグレーションが起こらなくなる理由は、ＰｄがＡｇに対して全率 固溶体、即ちＰｄがＡｇ中に完全に溶解して単相になる特性を有し、この結果略 完全なＡｇ−Ｐｄ合金となるためであると考えられる。

【００２４】

【考案の効果】

本考案によれば、絶縁性基板と、この基板上に離間形成された第１電極膜と、 この第１電極膜上にその側縁端部に沿って形成された導電性部材と、上記第１電 極膜上に形成された非晶質半導体層と、この非晶質半導体層上に離間形成される と共に、端部が隣接する上記第１電極膜上の導電性部材と接続せしめられる第２ 電極膜と、を具備する光起電力装置において、上記導電性部材はパラジウムを含 有した銀ペーストからなるので、上記導電性部材の焼成時に、その導電性部材の 上記第１電極膜上、又は第１電極膜間へのマイグレーションを引き起こすことが なくなる結果、光起電力装置の電気出力特性並びに歩留まりを向上させることが できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の光起電力装置の断面図

【図２】従来の光起電力装置の断面図

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板と、この基板上に離間形成さ
   れた第１電極膜と、この第１電極膜上にその側縁端部に
   沿って形成された導電性部材と、上記第１電極膜上に形
   成された非晶質半導体層と、この非晶質半導体層上に離
   間形成されると共に、端部が隣接する上記第１電極膜上
   の導電性部材と接続せしめられる第２電極膜と、を具備
   する光起電力装置において、上記導電性部材はパラジウ
   ムを含有した銀ペーストからなることを特徴とする光起
   電力装置。
2. 【請求項２】 上記導電性部材のパラジウムの含有比率
   は、その導電性部材の全体重量に対して最大２０重量％
   までであることを特徴とする請求項１記載の光起電力装
   置。