JPS6159546B2 - - Google Patents
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Description
本発明は太陽電池用電極材料に関し、特に比較
的大きな電極を有する太陽電池を大量かつ安価に
製造するのに適した電極材料を提供するものであ
る。すなわち、本発明は、たとえば太陽電池等の
半導体装置の電極を印刷などの方法で塗布し、焼
成することによつてオーミツクに形成する場合に
用いられる電極用泥状物質（以下導電ペーストと
いう）に関するもので、高効率の太陽電池を安価
に、かつ再現性よく得るための導電ペーストを提
供するものである。 近年、太陽電池の電極形成法として、従来の真
空蒸着法やメツキ法などに変つて印刷法が検討さ
れるようになつた。 印刷法は、金属粉末、ガラス質粉末などを有機
質溶液に分散させて調製した粘調な泥状物質、い
わゆる導電ペーストをステンシルスクリーンなど
で印刷した後焼成する方法である。この方法を用
いれば、従来の真空蒸着法やメツキ法などに比べ
て著しく作業が簡素化され、しかも容易に連続自
動化が可能であるために、太陽電池の製造工程の
合理化が達成される。現在太陽電池の最も大きな
問題の１つは製造コストの低減であり、このこと
が太陽電池の普及に決定的な要因となる。そして
たとえばシリコン太陽電池の製造コストの中で電
極の形成工程の示しめる割合が大きい。したがつ
て、印刷法は太陽電池の製造コストの低減に大き
く寄与するが、太陽電池の電極形成にこの印刷法
を用いる場合、もつとも重要なことは、光起電特
性を示す半導体すなわち被電極基板面に対してオ
ーミツク接触でき、しかも強固に密着させること
である。 従来、ハイブリツド集積回路の焼成形厚膜抵抗
やコンデンサーなどに印刷法で電極を形成すると
きに用いられている導電ペーストには、Ag、
Ag／PdおよびAu系が主に使用されてきた。Ag
系、またはAg／Pd系ペーストはAgあるいはAg
とPdの粉末に鉛系を主成分とするガラス粉末と
エチルセルロースなどの有機結着剤や印刷時の粘
度を調整するためのセルソルブなどの有機溶媒を
加えたものである。しかし、本発明者らの検討に
よれば、このような導電ペーストを太陽電池用半
導体基板に単に印刷、焼成しただけでは、基板と
電極との間にバリヤーができ低い接触抵抗を示す
良好な電極を形成するのが困難であつた。これら
従来の導電ペーストを使つて実用性のある例えば
シリコン太陽電池の電極を形成するためには、被
電極形成面すなわちＰ／ｎ接合を有するシリコン
の拡散面および基板面ともにP+またはn+になる
ように表面の不純物濃度を1019cm-3以上にする必
要があつた。また導電ペーストを焼成するときの
温度も800℃近くの比較的高温を必要とするとい
う欠点があつた。このようにシリコン基板に対し
て低い接触抵抗を与えるために高温を必要とする
AgまたはAg／Pd系の導電ペースト電極を使用す
ると電極材料成分がシリコン中に浸入拡散し、光
起電特性を示す比較的浅いＰ／ｎ接合層をつきぬ
け接合を破壊するおそれがあつた。 このように従来の導電ペーストを用いた場合、
拡散層に対してつきぬけのない。しかも低接触抵
抗を示す太陽電池用電極を形成することが非常に
困難であつた。またAu系の導電ペーストも、前
記AgあるいはAg／Pd系導電ペーストと同様の問
題点を有しているばかりでなく、高価でより安価
な太陽電池をつくることがいつそう困難であつ
た。 また、これらの導電ペーストには、焼成後にお
いて電極を被接着基板に強固にかつ安定に形成さ
せるために通常ガラス質の粉末が適当量添加され
ている。一般に、これらガラス質粉末の成分は、
金属粉末の種類や焼成温度によつて変えられるが
通常低融点とするため、500〜600℃程度の中温焼
成のAg系導電ペーストでは、鉛系の低融点ガラ
ス粉末が主成分として含まれており、他に硼素、
珪素、亜鉛、ビスマスおよびカドミウム系のガラ
ス粉末がそれぞれ少量ずつ含まれている。また、
800℃以上の高温焼成のAg系導電ペーストには、
硼珪酸鉛ガラス粉末がガラス質粉末の主成分をな
している。このように従来の導電ペースト中のガ
ラス質粉末の成分には、組成や焼成温度が異なつ
ていても、かなりの鉛系ガラスが含まれており、
本発明者らの検討によればこの鉛系ガラスがシリ
コン等の半導体基板から直接に良好な電極が形成
されない原因にもなつていることが判明した。こ
れは、導電ペーストの焼成過程において、ガラス
粉末中の鉛成分がシリコンなどの半導体基板の酸
化を促進させる性質を持つているためにおこるも
ので、できた基板上の酸化膜が電極との間に介在
し高抵抗層を形成するためである。従来は、この
酸化膜を破つてペースト中の金属成分が基板と良
好な電極を形成するためにも800℃以上の高温を
必要としていたと思われる。 以上のように、従来から厚膜抵抗や厚膜コンデ
ンサーなどの電極として、一般に使用されている
導電ペーストは半導体用の電極として特にシリコ
ンなどの太陽電池用電極として実用に耐えない多
くの欠点を有している。 本発明は、上記の従来の導電ペーストの欠点を
なくするためのシリコン太陽電池用の電極材料と
して非常に有用な導電ペーストを提供するもの
で、とくに太陽電池用基板のように片方に基板と
伝導型の異なる浅い拡散層が形成された拡散層側
および基板側から電極を取りだす場合に特にその
効果が発揮されるものである。 すなわち本発明は、導電ペーストの固形成分を
銀とアルミニウムの金属微粉末の混合物と、さら
に好ましくは鉛系のガラス粉末をまつたく含まな
い他のガラス質粉末たとえば酸化亜鉛、酸化硼
素、シリカおよびその他のガラス質粉末で構成
し、さらに印刷を容易にするためにセチルセルロ
ースやセルソルブなどの有機結着剤と有機溶媒を
適当量添加し充分に混合撹拌された粘調な導電ペ
ーストである。 本発明に従いペーストの固形金属成分として
Ag粉末にAlの粉末を新たに加えることによつ
て、さらに好ましくはガラス質成分から鉛系ガラ
スを除去することによつて、従来より約200℃低
い焼成温度ですぐれた太陽電池用電極が形成可能
になつた。 本発明の特長を述べると、AlはSiに対して570
℃の共晶温度を有し、Al微粉末の存在はこれよ
り低温度でSiと反応し、Al―Siの合金反応層を形
成し、ペースト中の銀粉末による低抵抗膜形成と
相まつて、シリコンに対して低接触抵抗の電極が
形成される。とくにAlはシリコンに対してＰ型
不純物となるのでガラス質成分を減じ、Ｐ型シリ
コン層表面に適用した場合はより一層完全なオー
ミツク接触が得られる。 さらに、本発明において、シリコン基板に塗布
された導電ペーストに鉛系のガラスを含ませない
と、酸素を含む雰囲気中で600℃以下で加熱され
ても、シリコン基板の酸化がほとんどおこらな
い。したがつて、より一層良好なオーミツク接触
を実現することができる。 また、本発明はAgとAlの配合比は適当に変え
ることにより、太陽電池のように基板と伝導型の
異なる拡散層たとえばｎ基板にＰ型不純物を拡散
させたPn接合において拡散層が浅い場合でも適
当な条件をえらべば電極が拡散層をつきぬけるよ
うなことは起らない。 以下本発明の実施例について説明する。 実施例 １ 0.5μｍ以下の粒径からなる銀の微粉末35gと
0.1μｍ以下の粒径からなるアルミニウムの超微
粉末3.5gを0.5μｍ以下の酸化亜鉛（ZnO）60wt
％、酸化硼素（B2O3）10wt％、二酸化珪素
（SiO2）10wt％、酸化カドミウム（CdO）10wt
％、酸化ビスマス（Bi2O3）5wt％、酸化ナトリ
ウム（Na2O）5wt％の割合で配合されたガラス粉
末2.5gとともに、メノウの混合撹拌機で少量のエ
チルセルローズとカルビトール（ジエチレングリ
コール＝モノエーテル）を加えながら十分に混合
撹拌して、約300cps程度の粘調な泥状物質すな
わち導電ペーストを調製する。太陽電池用基板と
して、図に示すごとく比抵抗0.5Ω―cmのｎ型シ
リコン基板１に拡散深さ約1.5μｍのP+層２およ
び反対面にn+層３を気相拡散で形成し、それぞ
れの面に上記導電ペースト４，５を250メツシユ
のスランシルスクリーンを用いて印刷する。つい
で120℃の熱風乾燥機で10分以上加熱し、有機溶
媒成分を蒸発除去した後、微量の酸素を含む窒素
ガスの流れる雰囲気中で600℃、20分間焼成す
る。 このようにして形成した電極シリコン基板の
P+面およびn+面との接触抵抗を測定してみる
と、p+およびn+面ともに10-2〜10-3Ω―cm2と非常
に低い接触抵抗を示し、ほぼ完全なオーミツク接
触が形成されていることがわかつた。またP+面
に対して電極のつきぬけの有無をしらべるために
カープトレーサでダイオード特性をみたところ、
良好なカーブが観察された。P+側電極に−1.0V
を印加してPn接合を逆バイアスしリーク電流を
測定した結果、−2.5×10-6A/cm2以下となり、従来
の蒸着で電極を形成したときのリーク電流とほと
んど遜色がないことが確認された。 このように、本発明の導電ペーストは、従来の
導電ペーストより200℃程低い温度で焼成したに
もかかわらず、接触抵抗が充分低く、しかも太陽
電池の性能上もつとも重要なp+からｎ基板えの
つきぬけがまつたくみられない太陽電池の電極と
して非常に優れた導電ペーストであつた。 実施例 ２ つぎに本発明の導電ペーストの固形成分、すな
わち銀、アルミニウム粉末およびガラス質粉末の
配合組成を変えて調製した導電ペーストのP+層
に対する接触抵抗や電極の表面抵抗やつきぬけの
程度を表わすリーク電流などの電気的特性をしら
べた結果について説明する。 次表は、本発明の導電ペーストの固形成分のう
ち特に銀とアルミニウムの配合組成を任意にかえ
たときの配合組成と電気的特性の変化を調べたも
のである。なお、導電ペーストの調製、印刷、焼
成は、実施例１に示した方法と基本的には同一で
あるが、導電ペースト中の銀とアルミニウムの配
合比の調整あたつては、あらかじめアルミニウム
無添加の導電ペーストを調製しておき、この導電
ペーストに適当量のアルミニウム粉末を加え再度
カルビトール（ジエチレングリコール＝モノエー
テル）で粘度を300cpsに調整しながら十分に混
合撹拌した。
的大きな電極を有する太陽電池を大量かつ安価に
製造するのに適した電極材料を提供するものであ
る。すなわち、本発明は、たとえば太陽電池等の
半導体装置の電極を印刷などの方法で塗布し、焼
成することによつてオーミツクに形成する場合に
用いられる電極用泥状物質（以下導電ペーストと
いう）に関するもので、高効率の太陽電池を安価
に、かつ再現性よく得るための導電ペーストを提
供するものである。 近年、太陽電池の電極形成法として、従来の真
空蒸着法やメツキ法などに変つて印刷法が検討さ
れるようになつた。 印刷法は、金属粉末、ガラス質粉末などを有機
質溶液に分散させて調製した粘調な泥状物質、い
わゆる導電ペーストをステンシルスクリーンなど
で印刷した後焼成する方法である。この方法を用
いれば、従来の真空蒸着法やメツキ法などに比べ
て著しく作業が簡素化され、しかも容易に連続自
動化が可能であるために、太陽電池の製造工程の
合理化が達成される。現在太陽電池の最も大きな
問題の１つは製造コストの低減であり、このこと
が太陽電池の普及に決定的な要因となる。そして
たとえばシリコン太陽電池の製造コストの中で電
極の形成工程の示しめる割合が大きい。したがつ
て、印刷法は太陽電池の製造コストの低減に大き
く寄与するが、太陽電池の電極形成にこの印刷法
を用いる場合、もつとも重要なことは、光起電特
性を示す半導体すなわち被電極基板面に対してオ
ーミツク接触でき、しかも強固に密着させること
である。 従来、ハイブリツド集積回路の焼成形厚膜抵抗
やコンデンサーなどに印刷法で電極を形成すると
きに用いられている導電ペーストには、Ag、
Ag／PdおよびAu系が主に使用されてきた。Ag
系、またはAg／Pd系ペーストはAgあるいはAg
とPdの粉末に鉛系を主成分とするガラス粉末と
エチルセルロースなどの有機結着剤や印刷時の粘
度を調整するためのセルソルブなどの有機溶媒を
加えたものである。しかし、本発明者らの検討に
よれば、このような導電ペーストを太陽電池用半
導体基板に単に印刷、焼成しただけでは、基板と
電極との間にバリヤーができ低い接触抵抗を示す
良好な電極を形成するのが困難であつた。これら
従来の導電ペーストを使つて実用性のある例えば
シリコン太陽電池の電極を形成するためには、被
電極形成面すなわちＰ／ｎ接合を有するシリコン
の拡散面および基板面ともにP+またはn+になる
ように表面の不純物濃度を1019cm-3以上にする必
要があつた。また導電ペーストを焼成するときの
温度も800℃近くの比較的高温を必要とするとい
う欠点があつた。このようにシリコン基板に対し
て低い接触抵抗を与えるために高温を必要とする
AgまたはAg／Pd系の導電ペースト電極を使用す
ると電極材料成分がシリコン中に浸入拡散し、光
起電特性を示す比較的浅いＰ／ｎ接合層をつきぬ
け接合を破壊するおそれがあつた。 このように従来の導電ペーストを用いた場合、
拡散層に対してつきぬけのない。しかも低接触抵
抗を示す太陽電池用電極を形成することが非常に
困難であつた。またAu系の導電ペーストも、前
記AgあるいはAg／Pd系導電ペーストと同様の問
題点を有しているばかりでなく、高価でより安価
な太陽電池をつくることがいつそう困難であつ
た。 また、これらの導電ペーストには、焼成後にお
いて電極を被接着基板に強固にかつ安定に形成さ
せるために通常ガラス質の粉末が適当量添加され
ている。一般に、これらガラス質粉末の成分は、
金属粉末の種類や焼成温度によつて変えられるが
通常低融点とするため、500〜600℃程度の中温焼
成のAg系導電ペーストでは、鉛系の低融点ガラ
ス粉末が主成分として含まれており、他に硼素、
珪素、亜鉛、ビスマスおよびカドミウム系のガラ
ス粉末がそれぞれ少量ずつ含まれている。また、
800℃以上の高温焼成のAg系導電ペーストには、
硼珪酸鉛ガラス粉末がガラス質粉末の主成分をな
している。このように従来の導電ペースト中のガ
ラス質粉末の成分には、組成や焼成温度が異なつ
ていても、かなりの鉛系ガラスが含まれており、
本発明者らの検討によればこの鉛系ガラスがシリ
コン等の半導体基板から直接に良好な電極が形成
されない原因にもなつていることが判明した。こ
れは、導電ペーストの焼成過程において、ガラス
粉末中の鉛成分がシリコンなどの半導体基板の酸
化を促進させる性質を持つているためにおこるも
ので、できた基板上の酸化膜が電極との間に介在
し高抵抗層を形成するためである。従来は、この
酸化膜を破つてペースト中の金属成分が基板と良
好な電極を形成するためにも800℃以上の高温を
必要としていたと思われる。 以上のように、従来から厚膜抵抗や厚膜コンデ
ンサーなどの電極として、一般に使用されている
導電ペーストは半導体用の電極として特にシリコ
ンなどの太陽電池用電極として実用に耐えない多
くの欠点を有している。 本発明は、上記の従来の導電ペーストの欠点を
なくするためのシリコン太陽電池用の電極材料と
して非常に有用な導電ペーストを提供するもの
で、とくに太陽電池用基板のように片方に基板と
伝導型の異なる浅い拡散層が形成された拡散層側
および基板側から電極を取りだす場合に特にその
効果が発揮されるものである。 すなわち本発明は、導電ペーストの固形成分を
銀とアルミニウムの金属微粉末の混合物と、さら
に好ましくは鉛系のガラス粉末をまつたく含まな
い他のガラス質粉末たとえば酸化亜鉛、酸化硼
素、シリカおよびその他のガラス質粉末で構成
し、さらに印刷を容易にするためにセチルセルロ
ースやセルソルブなどの有機結着剤と有機溶媒を
適当量添加し充分に混合撹拌された粘調な導電ペ
ーストである。 本発明に従いペーストの固形金属成分として
Ag粉末にAlの粉末を新たに加えることによつ
て、さらに好ましくはガラス質成分から鉛系ガラ
スを除去することによつて、従来より約200℃低
い焼成温度ですぐれた太陽電池用電極が形成可能
になつた。 本発明の特長を述べると、AlはSiに対して570
℃の共晶温度を有し、Al微粉末の存在はこれよ
り低温度でSiと反応し、Al―Siの合金反応層を形
成し、ペースト中の銀粉末による低抵抗膜形成と
相まつて、シリコンに対して低接触抵抗の電極が
形成される。とくにAlはシリコンに対してＰ型
不純物となるのでガラス質成分を減じ、Ｐ型シリ
コン層表面に適用した場合はより一層完全なオー
ミツク接触が得られる。 さらに、本発明において、シリコン基板に塗布
された導電ペーストに鉛系のガラスを含ませない
と、酸素を含む雰囲気中で600℃以下で加熱され
ても、シリコン基板の酸化がほとんどおこらな
い。したがつて、より一層良好なオーミツク接触
を実現することができる。 また、本発明はAgとAlの配合比は適当に変え
ることにより、太陽電池のように基板と伝導型の
異なる拡散層たとえばｎ基板にＰ型不純物を拡散
させたPn接合において拡散層が浅い場合でも適
当な条件をえらべば電極が拡散層をつきぬけるよ
うなことは起らない。 以下本発明の実施例について説明する。 実施例 １ 0.5μｍ以下の粒径からなる銀の微粉末35gと
0.1μｍ以下の粒径からなるアルミニウムの超微
粉末3.5gを0.5μｍ以下の酸化亜鉛（ZnO）60wt
％、酸化硼素（B2O3）10wt％、二酸化珪素
（SiO2）10wt％、酸化カドミウム（CdO）10wt
％、酸化ビスマス（Bi2O3）5wt％、酸化ナトリ
ウム（Na2O）5wt％の割合で配合されたガラス粉
末2.5gとともに、メノウの混合撹拌機で少量のエ
チルセルローズとカルビトール（ジエチレングリ
コール＝モノエーテル）を加えながら十分に混合
撹拌して、約300cps程度の粘調な泥状物質すな
わち導電ペーストを調製する。太陽電池用基板と
して、図に示すごとく比抵抗0.5Ω―cmのｎ型シ
リコン基板１に拡散深さ約1.5μｍのP+層２およ
び反対面にn+層３を気相拡散で形成し、それぞ
れの面に上記導電ペースト４，５を250メツシユ
のスランシルスクリーンを用いて印刷する。つい
で120℃の熱風乾燥機で10分以上加熱し、有機溶
媒成分を蒸発除去した後、微量の酸素を含む窒素
ガスの流れる雰囲気中で600℃、20分間焼成す
る。 このようにして形成した電極シリコン基板の
P+面およびn+面との接触抵抗を測定してみる
と、p+およびn+面ともに10-2〜10-3Ω―cm2と非常
に低い接触抵抗を示し、ほぼ完全なオーミツク接
触が形成されていることがわかつた。またP+面
に対して電極のつきぬけの有無をしらべるために
カープトレーサでダイオード特性をみたところ、
良好なカーブが観察された。P+側電極に−1.0V
を印加してPn接合を逆バイアスしリーク電流を
測定した結果、−2.5×10-6A/cm2以下となり、従来
の蒸着で電極を形成したときのリーク電流とほと
んど遜色がないことが確認された。 このように、本発明の導電ペーストは、従来の
導電ペーストより200℃程低い温度で焼成したに
もかかわらず、接触抵抗が充分低く、しかも太陽
電池の性能上もつとも重要なp+からｎ基板えの
つきぬけがまつたくみられない太陽電池の電極と
して非常に優れた導電ペーストであつた。 実施例 ２ つぎに本発明の導電ペーストの固形成分、すな
わち銀、アルミニウム粉末およびガラス質粉末の
配合組成を変えて調製した導電ペーストのP+層
に対する接触抵抗や電極の表面抵抗やつきぬけの
程度を表わすリーク電流などの電気的特性をしら
べた結果について説明する。 次表は、本発明の導電ペーストの固形成分のう
ち特に銀とアルミニウムの配合組成を任意にかえ
たときの配合組成と電気的特性の変化を調べたも
のである。なお、導電ペーストの調製、印刷、焼
成は、実施例１に示した方法と基本的には同一で
あるが、導電ペースト中の銀とアルミニウムの配
合比の調整あたつては、あらかじめアルミニウム
無添加の導電ペーストを調製しておき、この導電
ペーストに適当量のアルミニウム粉末を加え再度
カルビトール（ジエチレングリコール＝モノエー
テル）で粘度を300cpsに調整しながら十分に混
合撹拌した。
【表】
この表において導電ペースト番号＃１のよう
に、アルミニウムをまつたく加えない銀粉末のみ
を金属成分として使用した導電ペーストは、P+
拡散層やn+拡散層に対して接触抵抗が10Ω―cm2
と高く、実用に耐えなかつた。導電ペーストを太
陽電池の電極として用いるためには、接触抵抗や
表面抵抗が充分に低く、しかもリーク電流の小さ
いものが好ましい訳であるが、これら三つの条件
をほぼ満足するAlの配合組成は、固形成分の６
〜30wt％の間であつた。 最適配合組成とみられるAl 10〜25wt％では、
接触抵抗10-2〜10-3Ω―cm2、表面抵抗10-2〜10-3
Ω/sq、リーク電流10-5〜10-6A/cm2となり、従来
の蒸着法で形成した電極とほとんど遜色のない電
気的特性を示した。またAlの配合組成が５％以
下に小さくなると、接触抵抗が１Ω―cm2以上にな
り、また30％をこえると表面抵抗が増大し、しか
もリーク電流が増大してゆく傾向を示し、これは
導電ペースト中のAl粉末の酸化および拡散層に
対してのつきぬけが、Al粉末の配合量に比例し
て起りやすくなるためであると考えられる。ま
た、ガラス粉末の配合組成は、固形成分の３〜
10wt％が適当であり、3wt％以下では、基板に対
する接着力が弱くなり長期的な信頼性の点で問題
が発生し、一方10wt％以上になると接触抵抗や
表面抵抗が増大し、直列抵抗が大きくなり、太陽
電池としての性能を低下させる。なお、アルミニ
ウム、ガラスを適当な上記配合組成とすると、銀
の配合割合は60〜91wt％が適切となる。 実施例 ３ つぎに本発明の導電ペースト中のガラス成分に
ついて説明する。前記実施例で使用した導電ペー
スト中のガラス質粉末は、はじめから鉛系のガラ
ス粉末を除いたZnO（60wt％）、B2O3（10wt
％）、SiO2（10wt％）、CdO（10wt％）、Bi2O3
（5wt％）、およびNa2O（5wt％）からなるガラス
粉末を使用した。本実施例では、上記のガラス粉
末の主成分であるZnO粉末大部分をPbOでおきか
えて実施例１と同様の方法で導電ペーストを調整
し、太陽電池基板に電極を形成した結果、たとえ
ばZnO（15wt％）、PbO（45wt％）、SiO2（10wt
％）、B2O3（10wt％）、CdO（10wt％）、Bi2O3
（5wt％）、Na2O（5wt％）からなるガラス粉末を
用いた場合の接触抵抗は、１Ω―cm2と大きく、
PbO粉末をまつたく含まない実施例１で形成した
電極の接触抵抗より２桁以上に高くなつた。さら
にZnO粉末をPbO粉末で全部おきかえた場合の接
触抵抗は、さらに５Ω―cm2と大きくなつたが、従
来よりも良好な結果となつた。 このようにPb系のガラス粉末が含まれた導電
ペーストを用いることによつて起る接触抵抗の増
大は、鉛のシリコン基板に対する加速酸化の影響
と考えられる。すなわち導電ペーストの焼成過程
で導電ペースト中の鉛がシリコンと雰囲気中の酸
素との反応を助長する働きを持つているために起
るもので、その結果シリコン基板と電極との間に
抵抗の高いSiO2が形成され接触抵抗が増大す
る。 以上の理由から本発明の導電ペースト中のガラ
ス成分には、Pb系のガラス粉末をまつたく含ま
ないこともさらにすぐれた要件となり、この鉛ガ
ラス粉末を比較的融点の低いZnO粉末でおきかえ
ることによつてすぐれた電極の形成が達成される
ものである。さらに、本発明のペーストはＰ型シ
リコン基板にｎ型拡散層を形成した場合もほぼ同
様に満足した結果が得られた。 以上のように、本発明の導電ペーストは、銀と
アルミニウムの混合金属微粉末と好ましくは鉛成
分をまつたく含まないかわりに亜鉛系のガラス粉
末を主成分とするガラス質とを適切な割合で含む
固形成分が構成されたもので、従来のAg系導電
ペーストでは実現し得なかつた画期的な太陽電極
導電ペーストである。本発明の導電ペーストを用
いれば、従来の銀系ペーストのように800℃以上
の高温を必要とせずしかも拡散層に対してつきぬ
けなどの問題が一挙に解決される。よつて本発明
の導電ペーストを使用すれば、従来から太陽電池
の電極形成に用いられていた真空蒸着法やメツキ
法に変わつて製造工程の合理化が期待されている
印刷、焼成法の特徴がいかんなく発揮され、高効
率の太陽電池が安価に再現性よく得られるので、
工業的に非常に有用である。
に、アルミニウムをまつたく加えない銀粉末のみ
を金属成分として使用した導電ペーストは、P+
拡散層やn+拡散層に対して接触抵抗が10Ω―cm2
と高く、実用に耐えなかつた。導電ペーストを太
陽電池の電極として用いるためには、接触抵抗や
表面抵抗が充分に低く、しかもリーク電流の小さ
いものが好ましい訳であるが、これら三つの条件
をほぼ満足するAlの配合組成は、固形成分の６
〜30wt％の間であつた。 最適配合組成とみられるAl 10〜25wt％では、
接触抵抗10-2〜10-3Ω―cm2、表面抵抗10-2〜10-3
Ω/sq、リーク電流10-5〜10-6A/cm2となり、従来
の蒸着法で形成した電極とほとんど遜色のない電
気的特性を示した。またAlの配合組成が５％以
下に小さくなると、接触抵抗が１Ω―cm2以上にな
り、また30％をこえると表面抵抗が増大し、しか
もリーク電流が増大してゆく傾向を示し、これは
導電ペースト中のAl粉末の酸化および拡散層に
対してのつきぬけが、Al粉末の配合量に比例し
て起りやすくなるためであると考えられる。ま
た、ガラス粉末の配合組成は、固形成分の３〜
10wt％が適当であり、3wt％以下では、基板に対
する接着力が弱くなり長期的な信頼性の点で問題
が発生し、一方10wt％以上になると接触抵抗や
表面抵抗が増大し、直列抵抗が大きくなり、太陽
電池としての性能を低下させる。なお、アルミニ
ウム、ガラスを適当な上記配合組成とすると、銀
の配合割合は60〜91wt％が適切となる。 実施例 ３ つぎに本発明の導電ペースト中のガラス成分に
ついて説明する。前記実施例で使用した導電ペー
スト中のガラス質粉末は、はじめから鉛系のガラ
ス粉末を除いたZnO（60wt％）、B2O3（10wt
％）、SiO2（10wt％）、CdO（10wt％）、Bi2O3
（5wt％）、およびNa2O（5wt％）からなるガラス
粉末を使用した。本実施例では、上記のガラス粉
末の主成分であるZnO粉末大部分をPbOでおきか
えて実施例１と同様の方法で導電ペーストを調整
し、太陽電池基板に電極を形成した結果、たとえ
ばZnO（15wt％）、PbO（45wt％）、SiO2（10wt
％）、B2O3（10wt％）、CdO（10wt％）、Bi2O3
（5wt％）、Na2O（5wt％）からなるガラス粉末を
用いた場合の接触抵抗は、１Ω―cm2と大きく、
PbO粉末をまつたく含まない実施例１で形成した
電極の接触抵抗より２桁以上に高くなつた。さら
にZnO粉末をPbO粉末で全部おきかえた場合の接
触抵抗は、さらに５Ω―cm2と大きくなつたが、従
来よりも良好な結果となつた。 このようにPb系のガラス粉末が含まれた導電
ペーストを用いることによつて起る接触抵抗の増
大は、鉛のシリコン基板に対する加速酸化の影響
と考えられる。すなわち導電ペーストの焼成過程
で導電ペースト中の鉛がシリコンと雰囲気中の酸
素との反応を助長する働きを持つているために起
るもので、その結果シリコン基板と電極との間に
抵抗の高いSiO2が形成され接触抵抗が増大す
る。 以上の理由から本発明の導電ペースト中のガラ
ス成分には、Pb系のガラス粉末をまつたく含ま
ないこともさらにすぐれた要件となり、この鉛ガ
ラス粉末を比較的融点の低いZnO粉末でおきかえ
ることによつてすぐれた電極の形成が達成される
ものである。さらに、本発明のペーストはＰ型シ
リコン基板にｎ型拡散層を形成した場合もほぼ同
様に満足した結果が得られた。 以上のように、本発明の導電ペーストは、銀と
アルミニウムの混合金属微粉末と好ましくは鉛成
分をまつたく含まないかわりに亜鉛系のガラス粉
末を主成分とするガラス質とを適切な割合で含む
固形成分が構成されたもので、従来のAg系導電
ペーストでは実現し得なかつた画期的な太陽電極
導電ペーストである。本発明の導電ペーストを用
いれば、従来の銀系ペーストのように800℃以上
の高温を必要とせずしかも拡散層に対してつきぬ
けなどの問題が一挙に解決される。よつて本発明
の導電ペーストを使用すれば、従来から太陽電池
の電極形成に用いられていた真空蒸着法やメツキ
法に変わつて製造工程の合理化が期待されている
印刷、焼成法の特徴がいかんなく発揮され、高効
率の太陽電池が安価に再現性よく得られるので、
工業的に非常に有用である。
図は本発明の一実施例にかかる導電ペーストを
用いたシリコン太陽電池の構造断面図である。 １…ｎ型シリコン基板、２…P+層、３…n+
層、４，５…導電ペースト。
用いたシリコン太陽電池の構造断面図である。 １…ｎ型シリコン基板、２…P+層、３…n+
層、４，５…導電ペースト。
Claims (1)
- １ 銀、アルミニウムおよびガラスからなる固形
成分が有機結着剤および有機溶媒にて分散された
泥状物質よりなり、上記ガラスは酸化亜鉛を主成
分とし、鉛成分を含有しないものであつて、上記
アルミニウムが６〜30重量％、上記銀が60〜91重
量％、上記ガラスが３〜10重量％で上記固形成分
が構成されてなるシリコン太陽電池用電極材料。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9192977A JPS5426674A (en) | 1977-07-29 | 1977-07-29 | Electrode material for semiconductor device |
| AU38236/78A AU509758B2 (en) | 1977-07-29 | 1978-07-21 | Ohmic electrode to semiconductor device |
| DE19782833214 DE2833214C2 (de) | 1977-07-29 | 1978-07-28 | Verfahren zum Herstellen einer für eine Solarzelle bestimmten Elektrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9192977A JPS5426674A (en) | 1977-07-29 | 1977-07-29 | Electrode material for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5426674A JPS5426674A (en) | 1979-02-28 |
| JPS6159546B2 true JPS6159546B2 (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=14040266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9192977A Granted JPS5426674A (en) | 1977-07-29 | 1977-07-29 | Electrode material for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5426674A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141520A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| WO2019003638A1 (ja) | 2017-06-26 | 2019-01-03 | 信越化学工業株式会社 | 高効率裏面電極型太陽電池及びその製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57179404A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Masabumi Isobe | Cylinder device |
| JPS59181071A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-15 | Hoxan Corp | 太陽電池の表面電極形成方法 |
| US20100096014A1 (en) * | 2006-12-25 | 2010-04-22 | Hideyo Iida | Conductive paste for solar cell |
-
1977
- 1977-07-29 JP JP9192977A patent/JPS5426674A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141520A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| WO2019003638A1 (ja) | 2017-06-26 | 2019-01-03 | 信越化学工業株式会社 | 高効率裏面電極型太陽電池及びその製造方法 |
| US11984522B2 (en) | 2017-06-26 | 2024-05-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | High-efficiency backside contact solar cell and method for manufacturing thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5426674A (en) | 1979-02-28 |
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