JPS60140883A - 半導体装置製造方法 - Google Patents
半導体装置製造方法Info
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- JPS60140883A JPS60140883A JP58246952A JP24695283A JPS60140883A JP S60140883 A JPS60140883 A JP S60140883A JP 58246952 A JP58246952 A JP 58246952A JP 24695283 A JP24695283 A JP 24695283A JP S60140883 A JPS60140883 A JP S60140883A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置製造方法に係り、特に太陽電池の
Ｂ Ｓ Ｆ （Ｂａｃｋ ５ｕｒｆａｃｅ ＦｉｅＭ
） １９および電極の好適な製造方法に関する。
Ｂ Ｓ Ｆ （Ｂａｃｋ ５ｕｒｆａｃｅ ＦｉｅＭ
） １９および電極の好適な製造方法に関する。
半導体素子の例として、太陽電池の代表的な構成例を図
に示すＯｎ＋／ｐ／ｐ′′接合を形成した８１基板の受
光面、および裏面に受光面電極４．裏面電極５を形成し
た構造である。さらに一般には反射防止膜等も設けられ
る。
に示すＯｎ＋／ｐ／ｐ′′接合を形成した８１基板の受
光面、および裏面に受光面電極４．裏面電極５を形成し
た構造である。さらに一般には反射防止膜等も設けられ
る。
この太陽電池の近年における重要課題は、製造コストの
低減にあり１受光面電極４、裏面電極５の形成法も従来
の真空蒸着法にかわって、低コストなメッキ法や印刷法
が検討されるようになってきた。特に印刷法は、自動化
が容易で生産性が高いことから広く検討さ扛ている。
低減にあり１受光面電極４、裏面電極５の形成法も従来
の真空蒸着法にかわって、低コストなメッキ法や印刷法
が検討されるようになってきた。特に印刷法は、自動化
が容易で生産性が高いことから広く検討さ扛ている。
ｐ＋＃３形式にも、この印刷法が広く用いられてお９．
Ａｔ粉末と有機結合剤、有機溶剤を混練したペースト状
の物質（以下Ａ７ペーストと云う）をスクリーン印刷法
などで塗布し、焼成する方法である０このための市販の
Ｍペーストは太陽電池のｐ＋層形成用として多くのもの
が市販されている。
Ａｔ粉末と有機結合剤、有機溶剤を混練したペースト状
の物質（以下Ａ７ペーストと云う）をスクリーン印刷法
などで塗布し、焼成する方法である０このための市販の
Ｍペーストは太陽電池のｐ＋層形成用として多くのもの
が市販されている。
しかし市販のＡＩ！ペーストを用い一層６および裏面電
極４の形成を行うと次の問題があった０即ち、大気中（
酸化雰囲中）で焼成すると、 ＡＩ！層が酸化さ扛、絶
縁物であるｋｌ！２０３となるため、後工程でｋｌ！２
０Ｂを除去することが必要となシ工程が複雑となる。こ
の酸化を防止するためには、不活性雰囲気（Ｎ２＋ Ａ
ｒ＋ Ｈｅ等）で焼成することが有効であるが、市販の
Ｍペーストでは、何扛も焼成後のＭ層に凝集やクラック
が生じＭ層をそのまま電極、あるいは裏面電極の一部と
して使用することができない。このためＡＩ！層をエツ
チング等で除去した後、再びＡｇペースト等を用いて裏
面電極４を形成する必要が生じ、工程が複雑となり、太
陽電池のコストアップを招く欠点があった。また更には
ＡＩ！層に凝集やクラックが住じるため、均一な一層が
形成できず、太陽電池の効率が低下する欠点もあった。
極４の形成を行うと次の問題があった０即ち、大気中（
酸化雰囲中）で焼成すると、 ＡＩ！層が酸化さ扛、絶
縁物であるｋｌ！２０３となるため、後工程でｋｌ！２
０Ｂを除去することが必要となシ工程が複雑となる。こ
の酸化を防止するためには、不活性雰囲気（Ｎ２＋ Ａ
ｒ＋ Ｈｅ等）で焼成することが有効であるが、市販の
Ｍペーストでは、何扛も焼成後のＭ層に凝集やクラック
が生じＭ層をそのまま電極、あるいは裏面電極の一部と
して使用することができない。このためＡＩ！層をエツ
チング等で除去した後、再びＡｇペースト等を用いて裏
面電極４を形成する必要が生じ、工程が複雑となり、太
陽電池のコストアップを招く欠点があった。また更には
ＡＩ！層に凝集やクラックが住じるため、均一な一層が
形成できず、太陽電池の効率が低下する欠点もあった。
本発明の目的は上記した欠点のない、安価で高効率な太
陽電池などの半導体装置製造方法を提供することにある
。
陽電池などの半導体装置製造方法を提供することにある
。
本発明の半導体素子製造方法は、Ｐ型シリコン基板の一
方の主面に、同一導電型不純物層および電極を形成する
において、鱗片状のＡ７粉末を主成分とするペースト状
物質を塗布した後、焼成することを特徴とする。本発明
が従来の方法と異なる点は、Ｍペースト中の主成分であ
るＭ粉末に鱗片状のものを用いたことである。こ扛によ
り従来、不活性雰囲気中の焼成では不可能であった凝集
やクラックのない均一なＭ層およびｐ＋層の形成を可能
にし、工程数の大幅短縮、低コスト化、高効率化を実現
した。
方の主面に、同一導電型不純物層および電極を形成する
において、鱗片状のＡ７粉末を主成分とするペースト状
物質を塗布した後、焼成することを特徴とする。本発明
が従来の方法と異なる点は、Ｍペースト中の主成分であ
るＭ粉末に鱗片状のものを用いたことである。こ扛によ
り従来、不活性雰囲気中の焼成では不可能であった凝集
やクラックのない均一なＭ層およびｐ＋層の形成を可能
にし、工程数の大幅短縮、低コスト化、高効率化を実現
した。
本発明に用いるＡ７ペーストの成分について以下に更に
詳述する。主成分である鱗片状のＡＪ粉末は平均粒径で
１０μｍ以下であることが好ましい。１０μｍ以上のも
のを用いてスクリーン印刷した場合メツシュの目づまり
が起き易く、連続印刷性に問題がある。またこのペース
ト中にＳｎ、 Ｉｎから選ばれる金属を添加することは
、 ＡＩ！層をそのまま電極とする際、非常に有効な手
段である。こ扛は、と扛らの金属を配合したＭペースト
ラシリコンなどの基板上に印刷し、焼成すると、均一な
ｆ層が形成さ扛るとともに、同時に形成されるＡ７層上
に、従来不可能であっためつき法による金属皮膜が形成
できることを見い出したことによる。これにより、裏面
型１ｆｆＩ！、５の電気抵抗が低減できるとともに、め
っきによる金属皮膜として、半田濡れ性の良い金属（例
えば、 Ｃｕ、 Ｎｉ＋ Ｐｂ、 ｓｎ等）を用いた場
合には、半田付も可能となる。また更には、Ｍ粉末単体
のＭペーストから形成したＭ層と比べ、表面の平滑性に
も優れてお９、セルをパネル化する際のバラケージング
工程での作業マージンの拡大効果もある。このＳｎ、Ｉ
ｎから選ばｎる少なくとも１種の金塊の配合割合は、Ｍ
粉末１００重量部に対して５〜５０重量部、好ましくは
１０〜５０重量であることが必要である。配合割合が５
重量部より少ないと先に述べた、ｓｎ、 Ｉｎの添加効
果はほとんど得ら扛ない。また５０重量部より多くなる
と、形成さ扛たＡｌ！層の電気抵抗が高くなり、セルの
効率低下を招く。次に他の構成成分である有機結合剤と
有機溶剤について述べる。これらは従来の厚膜スクリー
ン印刷用ペーストで用いら扛ているものと同様のものを
用いることができる。有機結合剤としてはセルロース系
化合物や、ポリメタクリレート系化合物などが、有機溶
剤としては多価アルコール系のものが特に好適である。
詳述する。主成分である鱗片状のＡＪ粉末は平均粒径で
１０μｍ以下であることが好ましい。１０μｍ以上のも
のを用いてスクリーン印刷した場合メツシュの目づまり
が起き易く、連続印刷性に問題がある。またこのペース
ト中にＳｎ、 Ｉｎから選ばれる金属を添加することは
、 ＡＩ！層をそのまま電極とする際、非常に有効な手
段である。こ扛は、と扛らの金属を配合したＭペースト
ラシリコンなどの基板上に印刷し、焼成すると、均一な
ｆ層が形成さ扛るとともに、同時に形成されるＡ７層上
に、従来不可能であっためつき法による金属皮膜が形成
できることを見い出したことによる。これにより、裏面
型１ｆｆＩ！、５の電気抵抗が低減できるとともに、め
っきによる金属皮膜として、半田濡れ性の良い金属（例
えば、 Ｃｕ、 Ｎｉ＋ Ｐｂ、 ｓｎ等）を用いた場
合には、半田付も可能となる。また更には、Ｍ粉末単体
のＭペーストから形成したＭ層と比べ、表面の平滑性に
も優れてお９、セルをパネル化する際のバラケージング
工程での作業マージンの拡大効果もある。このＳｎ、Ｉ
ｎから選ばｎる少なくとも１種の金塊の配合割合は、Ｍ
粉末１００重量部に対して５〜５０重量部、好ましくは
１０〜５０重量であることが必要である。配合割合が５
重量部より少ないと先に述べた、ｓｎ、 Ｉｎの添加効
果はほとんど得ら扛ない。また５０重量部より多くなる
と、形成さ扛たＡｌ！層の電気抵抗が高くなり、セルの
効率低下を招く。次に他の構成成分である有機結合剤と
有機溶剤について述べる。これらは従来の厚膜スクリー
ン印刷用ペーストで用いら扛ているものと同様のものを
用いることができる。有機結合剤としてはセルロース系
化合物や、ポリメタクリレート系化合物などが、有機溶
剤としては多価アルコール系のものが特に好適である。
次にＡＩ！ペーストの焼成条件について述べる。焼成温
度は６６０〜９００℃、好ましくは７００〜８００℃が
艮い。６６０℃より低い温度ではＡＩ！が溶融しないた
め、均一な１層が形成されにくい。また９００℃より高
い温度を用いると、受光面側に形成されている？接合層
の接合深さがかわり、セルの効率劣下が生じる。焼成の
時間は２〜６０分、好ましくは３〜３０分が艮い。２分
未満であると、Ｍ層やｐ＋層の形成が不完全となり、高
い効率のセルが得られない。また６０分より焼成時間が
長くなると、先に、９００℃より高い温朋で焼成した場
合と同様の理由でセルの効率劣下が生じる。焼成の雰囲
気は酸素濃度３００ ｐｐｍ以下、好捷しくは５０ｐｐ
ｎ以下の不活性ガス雰囲であることが艮い。３００ｐｐ
ｍ、：ｐ大であると、Ａ１層の酸化が進み、電気抵抗が
高くなるため、セルの効率低下が生じる。不活性ガスと
してはｓ Ｎ２＋ Ａｒ＋ Ｈｅなどがあるが、工業的
に得やすく、安価なＮ２が好捷しい。
度は６６０〜９００℃、好ましくは７００〜８００℃が
艮い。６６０℃より低い温度ではＡＩ！が溶融しないた
め、均一な１層が形成されにくい。また９００℃より高
い温度を用いると、受光面側に形成されている？接合層
の接合深さがかわり、セルの効率劣下が生じる。焼成の
時間は２〜６０分、好ましくは３〜３０分が艮い。２分
未満であると、Ｍ層やｐ＋層の形成が不完全となり、高
い効率のセルが得られない。また６０分より焼成時間が
長くなると、先に、９００℃より高い温朋で焼成した場
合と同様の理由でセルの効率劣下が生じる。焼成の雰囲
気は酸素濃度３００ ｐｐｍ以下、好捷しくは５０ｐｐ
ｎ以下の不活性ガス雰囲であることが艮い。３００ｐｐ
ｍ、：ｐ大であると、Ａ１層の酸化が進み、電気抵抗が
高くなるため、セルの効率低下が生じる。不活性ガスと
してはｓ Ｎ２＋ Ａｒ＋ Ｈｅなどがあるが、工業的
に得やすく、安価なＮ２が好捷しい。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
太陽電池用の接合形成シリコン基板として、図に示すよ
うにＰ型シリコン基板１（平均比抵抗１０ｅｍ％ ｉ！
径６インチ丸型ウェハ）の表面に、イオン打込み法で深
さ０．２〜０．４μｍの耐層２（表面シート抵抗５０Ω
／口）を形成したものを用いた。
うにＰ型シリコン基板１（平均比抵抗１０ｅｍ％ ｉ！
径６インチ丸型ウェハ）の表面に、イオン打込み法で深
さ０．２〜０．４μｍの耐層２（表面シート抵抗５０Ω
／口）を形成したものを用いた。
ＡＪペーストには、表面をステアリン酸コーティングし
た平均粒径２μｍ以下の鱗片状Ａｌ！と、こｎにＩＱｃ
ｐθのエチルセルロース５重量部全α−テルピネオール
９５重量部に溶解した粘稠液を加えながら充分に混練し
、粘度を約１５０ボイズ（すり速度１００／秒）とした
もの、およびこのＡ／ペーストに、Ｓｎ、Ｉｎのうちか
ら選ばれる少なくとも１種の金属粉（平均粒径５μｍ以
下）を各種紐み合せたものを添加し用いた。このＡ７ペ
ーストを先に述べたシリコン基板の裏面（ｎ＋層２と反
対面）にスクリーン印刷し、１５０℃、１０分間の乾燥
処理をした後、この基板を窒素ガス雰囲気（酸素濃度２
．Ｉｌｓｐｐｍ ）中で７５０℃、５分間焼成した。こ
の後、受光面電極４を形成した。
た平均粒径２μｍ以下の鱗片状Ａｌ！と、こｎにＩＱｃ
ｐθのエチルセルロース５重量部全α−テルピネオール
９５重量部に溶解した粘稠液を加えながら充分に混練し
、粘度を約１５０ボイズ（すり速度１００／秒）とした
もの、およびこのＡ／ペーストに、Ｓｎ、Ｉｎのうちか
ら選ばれる少なくとも１種の金属粉（平均粒径５μｍ以
下）を各種紐み合せたものを添加し用いた。このＡ７ペ
ーストを先に述べたシリコン基板の裏面（ｎ＋層２と反
対面）にスクリーン印刷し、１５０℃、１０分間の乾燥
処理をした後、この基板を窒素ガス雰囲気（酸素濃度２
．Ｉｌｓｐｐｍ ）中で７５０℃、５分間焼成した。こ
の後、受光面電極４を形成した。
この様にして作成した太陽電池の電流−電圧特性から、
開放電圧（ｖＯＱ ）、曲線因子（Ｆ、Ｆ）を調べた。
開放電圧（ｖＯＱ ）、曲線因子（Ｆ、Ｆ）を調べた。
また裏面電極４の外観（ＡＪ層の凝集、クラックの有無
）評価および電気ニッケルめっき（液組成：スルフアミ
ノ酸ニッケル１５０ ｇｉｔ、 塩化ニッケル１０ｇ／
Ｊ、ホウ酸４０ｇ／！りを用いめっき析出性評価を行っ
た。
）評価および電気ニッケルめっき（液組成：スルフアミ
ノ酸ニッケル１５０ ｇｉｔ、 塩化ニッケル１０ｇ／
Ｊ、ホウ酸４０ｇ／！りを用いめっき析出性評価を行っ
た。
第１表のＮｏ、 １〜７に示した如く、本発明のｐ＋層
および電極全形成する際、ＡＩ！ペーストの主成分とし
て、鱗片状Ａ／粉末を使用することが、高Ｖ。ｏ１高Ｆ
Ｆなセル特性を得、クラックや凝集のないＭ層形成に効
果のあることがわかる。また、随３〜７より、Ｍペース
トに、Ｓｎ、Ｉｎのうちから選ばｎる少なくとも１種以
上の金属を加えることにより、セルの特性を落すことな
く、従来困難であったＭ層上へのめっきも可能であるこ
とがわかる。このＭ３〜７のニッケルめっき膜上べの半
田濡扛性試験を行った結果も非常に艮好な濡れ結果が得
られた０ 実施例２ 太陽電池用の接合形成シリコン基板として、実施例１と
同様のものを用いた。ＡＩ！ペーストとしてステアリン
酸亜鉛で表面をコーティングした平均粒径２μｍ以下の
鱗片状ＡＩ！粉末１００ｇと、平均粒径１０μｍ以下の
Ｓｎ粉末１０ｇを秤量したものに、ポリインブチルメタ
クリレート２０重量部をα−テルピネオール８０重量部
に溶解した粘稠液を加えながら充分に混練し、粘度が約
１５０ポイズ（すり速度１００７秒）になるよう調整し
たものを用いた。このＡ７ペーストを実施例１と同様に
印刷、乾燥した後、Ｎ２雰囲気中で各種条件を組み合わ
せて焼成し、この後、受光面電極４ｆ形成したＯ この様にして作成した太陽電池の電気特性、およびＡ／
層の外観を実施例１と同様にして調べた。
および電極全形成する際、ＡＩ！ペーストの主成分とし
て、鱗片状Ａ／粉末を使用することが、高Ｖ。ｏ１高Ｆ
Ｆなセル特性を得、クラックや凝集のないＭ層形成に効
果のあることがわかる。また、随３〜７より、Ｍペース
トに、Ｓｎ、Ｉｎのうちから選ばｎる少なくとも１種以
上の金属を加えることにより、セルの特性を落すことな
く、従来困難であったＭ層上へのめっきも可能であるこ
とがわかる。このＭ３〜７のニッケルめっき膜上べの半
田濡扛性試験を行った結果も非常に艮好な濡れ結果が得
られた０ 実施例２ 太陽電池用の接合形成シリコン基板として、実施例１と
同様のものを用いた。ＡＩ！ペーストとしてステアリン
酸亜鉛で表面をコーティングした平均粒径２μｍ以下の
鱗片状ＡＩ！粉末１００ｇと、平均粒径１０μｍ以下の
Ｓｎ粉末１０ｇを秤量したものに、ポリインブチルメタ
クリレート２０重量部をα−テルピネオール８０重量部
に溶解した粘稠液を加えながら充分に混練し、粘度が約
１５０ポイズ（すり速度１００７秒）になるよう調整し
たものを用いた。このＡ７ペーストを実施例１と同様に
印刷、乾燥した後、Ｎ２雰囲気中で各種条件を組み合わ
せて焼成し、この後、受光面電極４ｆ形成したＯ この様にして作成した太陽電池の電気特性、およびＡ／
層の外観を実施例１と同様にして調べた。
捷ためつき析出性の評価を電気銅めっき（液組性：ビロ
リン酸銅９０ｇ／Ｖｂ ビロリン酸カリ３５０＋７／７
． アンモニア３ｍｒ／ｒ）ｅ用いて帥べた。
リン酸銅９０ｇ／Ｖｂ ビロリン酸カリ３５０＋７／７
． アンモニア３ｍｒ／ｒ）ｅ用いて帥べた。
第２表に示した始く、本発明の条件を用いたもの（Ｎｏ
−１１，１２，１３，１５，１７）は何扛も高い”ＯＣ
＋Ｆ’Ｆ値が得られ、且つ裏面電極４となるＡＪ層とし
て凝集やクラックのない平滑な面が得ら扛、めっき析出
性も良好であった。またこの艮好な試料ではめっき膜上
への半田濡れ性も良好であった。
−１１，１２，１３，１５，１７）は何扛も高い”ＯＣ
＋Ｆ’Ｆ値が得られ、且つ裏面電極４となるＡＪ層とし
て凝集やクラックのない平滑な面が得ら扛、めっき析出
性も良好であった。またこの艮好な試料ではめっき膜上
への半田濡れ性も良好であった。
以上のように本発明の半導体装置製造方法を用いれば特
に太陽電池のｐ＋層および裏面電極形成を行ううえで、
従来困難であった。 Ａ１層のＭ２Ｏ，化を効率を下げ
ることなく行える。捷た更にはＭＮｉ上へのめっき処理
も可能とした。こ扛により従来必要であった、Ａ１２（
ｈ層の除去、半田付用のＡｇ電極の形成工程が不要とな
り、工程数および製造コストの大幅低減が可能となる。
に太陽電池のｐ＋層および裏面電極形成を行ううえで、
従来困難であった。 Ａ１層のＭ２Ｏ，化を効率を下げ
ることなく行える。捷た更にはＭＮｉ上へのめっき処理
も可能とした。こ扛により従来必要であった、Ａ１２（
ｈ層の除去、半田付用のＡｇ電極の形成工程が不要とな
り、工程数および製造コストの大幅低減が可能となる。
第１表
図は太陽電池の代表的な構成を示した断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｐ型シリコン基板の一方の主面に、同一導電型不純
物層および電極を形成するにおいて、鱗片状のＡ／粉末
を主成分とするペースト状物質を塗布した後、焼成する
ことを特徴とする半導体装置製造方法。 ２、鱗片状のＡＪ粉末を主成分とするペースト状物質が
、鱗片状ＡＩ！粉末と、必要に応じて加えられるＳｎ、
Ｉｎから選は詐る少なくとも一種の金属と、必要に応
じて加えら扛る有機結合剤と、有機溶剤から成ることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置製造
方法。 ６、鱗片状のＭ粉末がステアリン酸、またはステアリン
酸アルミニウム、またはステアリン酸亜鉛で表面コーテ
ィングしたものであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項、第２項記載の半導体装Ｒ製造方法。 ４、８ｎ、 Ｉｎから選ば扛る少なくとも１種の金属の
配合割合が鱗片状のＭ粉末１００重量部に対して５〜５
０重量部であることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の半導体装置製造方法。 ５、焼成を、酸素濃度３００ ｐｐｍの雰囲気中で、６
６０〜９００℃で２〜６０分間行なうことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58246952A JPH06105792B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58246952A JPH06105792B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140883A true JPS60140883A (ja) | 1985-07-25 |
| JPH06105792B2 JPH06105792B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=17156171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58246952A Expired - Fee Related JPH06105792B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06105792B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005005436A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Toyo Aluminium Kk | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| JP2007273760A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 光電変換素子用導電性ペースト、光電変換素子、および光電変換素子の作製方法 |
| JP2011066353A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Noritake Co Ltd | 太陽電池用アルミニウムペースト |
| US20150364615A1 (en) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | E I Du Pont De Nemours And Company | Aluminum-tin paste and its use in manufacturing solderable electrical conductors |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS4882375A (ja) * | 1972-02-08 | 1973-11-02 | ||
| JPS5110839A (ja) * | 1974-07-17 | 1976-01-28 | Fujikura Kasei Kk | Dodenseitoryo |
| JPS5384495A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Japan Solar Energy | Semiconductor electrode and method of forming same |
| JPS5478491A (en) * | 1977-12-02 | 1979-06-22 | Murata Manufacturing Co | Conductive paste |
| JPS57208182A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacture of phtoelectric converter |
| JPS5885574A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-21 | Toshiba Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58246952A patent/JPH06105792B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN106413975A (zh) * | 2014-06-12 | 2017-02-15 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 铝‑锡浆料及其在制造可焊电导体中的用途 |
| US9966479B2 (en) * | 2014-06-12 | 2018-05-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Aluminum-tin paste and its use in manufacturing solderable electrical conductors |
| CN106413975B (zh) * | 2014-06-12 | 2020-02-18 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 铝-锡浆料及其在制造可焊电导体中的用途 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06105792B2 (ja) | 1994-12-21 |
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|---|---|---|---|
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