WO2010016186A1 - 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法 - Google Patents

太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法 Download PDF

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落合信雄
樋之津崇
中山豊
桜庭正美
藤森亘
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京都エレックス株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a conductive paste for forming an electrode of a solar cell element, a solar cell element having an electrode formed using the conductive paste, and a method for manufacturing the solar cell element.
  • the general solar cell element includes a semiconductor substrate 21, a diffusion layer 22, an antireflection layer 23, a back electrode 24, and a front electrode 25.
  • This solar cell element is manufactured as follows, for example.
  • An impurity diffusion layer 22 and an insulating antireflection layer 23 made of silicon nitride, silicon oxide, titanium oxide, or the like are sequentially formed on the light receiving surface side (surface side) of the semiconductor substrate 21 made of silicon.
  • the semiconductor substrate 21 contains a semiconductor impurity such as boron in an amount of about 1 ⁇ 10 16 to 10 18 atoms / cm 3 so as to exhibit one conductivity type (eg, p-type) having a specific resistance of about 1.5 ⁇ cm. It is a thing.
  • the semiconductor substrate 21 is obtained, for example, by slicing an ingot formed by a pulling method or a casting method to a thickness of about 100 to 300 ⁇ m.
  • the diffusion layer 22 is a region exhibiting the opposite conductivity type (for example, n-type) of the semiconductor substrate 21 formed by diffusing impurities such as phosphorus on the light receiving surface of the semiconductor substrate 21.
  • the diffusion layer 22 is formed, for example, by placing the semiconductor substrate 21 in a furnace and heating it in phosphorus oxychloride (POCl 3 ) or the like.
  • the antireflection layer 23 is formed on the light receiving surface side of the diffusion layer 22 to protect the solar cell element together with the antireflection function.
  • the antireflection layer 23 is a silicon nitride film, it is formed by, for example, a plasma CVD method in which a mixed gas of silane (SiH 4 ) and ammonia (NH 3 ) is converted into plasma by glow discharge decomposition and deposited.
  • the antireflection layer 23 is formed so as to have a refractive index of about 1.8 to 2.3 and a thickness of about 0.05 ⁇ m to 1.0 ⁇ m in consideration of a difference in refractive index with the semiconductor substrate 21. Is done.
  • a front surface electrode 25 is formed on the surface of the semiconductor substrate 21, and a back surface electrode 24 is formed on the back surface.
  • the surface electrode 25 is formed by printing, drying, and baking a conductive paste containing conductive particles, an organic binder, a solvent, glass frit, and a substance added as necessary.
  • the back electrode 24 is also formed by printing a conductive paste, drying, and firing, but it is not necessary to use the same conductive paste as the front electrode 25.
  • the surface electrode 25 plays a role of fire-through, and selection of an appropriate composition and firing conditions is important for enhancing the characteristics of the solar cell. This fire-through means that during firing, the glass frit contained in the conductive paste acts on the antireflection layer 23 to dissolve and remove the layer.
  • the surface electrode 25 and the diffusion layer 22 come into contact with each other, It means obtaining an ohmic connection between the surface electrode 25 and the diffusion layer 22. If a stable ohmic connection is not obtained between the surface electrode 25 and the diffusion layer 22, the series resistance of the solar cell increases and the fill factor (FF) tends to decrease. Since the conversion efficiency of the solar cell is obtained by multiplying the open circuit voltage, the short-circuit current density, and the FF, the conversion efficiency decreases when the FF becomes small.
  • Patent Document 1 discloses an organic binder, a solvent, glass frit, conductive powder, and at least one metal selected from Ti, Bi, Zn, Y, In, and Mo.
  • a conductive paste comprising a metal or a metal compound thereof is disclosed in which the average particle size of the metal or the metal compound is 0.001 ⁇ m or more and less than 0.1 ⁇ m.
  • Patent Document 1 discloses a stable high conductivity and excellent adhesion between a semiconductor and a conductive paste existing through an antireflection layer by firing a conductive paste containing ultrafine metal or a metal compound thereof. It is described that a surface electrode having force can be formed.
  • the composition of the conductive paste in particular, as in Patent Document 1, the conductive paste containing ultrafine metal or its metal compound is printed on the surface of the semiconductor substrate, dried, and then fired, the coating film (paste film) shrinks.
  • the contact resistance increases, and in some cases, microcracks may be generated on the surface of the semiconductor substrate due to the difference in thermal contraction behavior (linear expansion coefficient) between the paste film and the semiconductor substrate. If the contact resistance increases, the FF becomes small as described above, and there is a disadvantage that the conversion efficiency is lowered.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-243500
  • the present invention has been made in view of such problems of the prior art, and its purpose is to provide a conductive paste for forming an electrode of a solar cell element and its conductivity without causing an increase in contact resistance. It is providing the manufacturing method of the solar cell element which has the electrode formed using the paste, and the solar cell element.
  • the conductive paste for forming an electrode of a solar cell element of the present invention contains conductive particles, an organic binder, a solvent, glass frit, and an organic compound containing an alkaline earth metal. It is characterized by that.
  • the conductive paste for forming an electrode of the solar cell element of the present invention is characterized by containing conductive particles, an organic binder, a solvent, a glass frit, and a low melting point metal.
  • the conductive paste for forming an electrode of the solar cell element of the present invention contains conductive particles, an organic binder, a solvent, a glass frit, an organic compound containing an alkaline earth metal, and a low melting point metal. It is characterized by that.
  • the conductive paste for electrode formation of the solar cell element of the present invention is characterized by containing conductive particles, an organic binder, a solvent, glass frit, and a low-melting-point metal compound.
  • the conductive paste for electrode formation of the solar cell element of the present invention comprises conductive particles, an organic binder, a solvent, glass frit, an organic compound containing an alkaline earth metal, and a low melting point metal compound. It is characterized by containing.
  • the organic compound containing an alkaline earth metal is preferably an alkaline earth metal soap.
  • the alkaline earth metal soap is preferably magnesium stearate.
  • the low melting point metal is preferably Te or Se.
  • Low-melting-point metal compound is preferably a TeO 2.
  • the conductive paste for forming an electrode of the solar cell element of the present invention preferably contains an organic compound containing 0.1 to 5% by weight of an alkaline earth metal.
  • the conductive paste for forming an electrode of the solar cell element of the present invention preferably contains 0.1 to 5% by weight of a low melting point metal.
  • the conductive paste for forming an electrode of a solar cell element of the present invention contains an organic compound containing 0.1 to 5% by weight of an alkaline earth metal and 0.1 to 5% by weight of a low melting point metal. preferable.
  • the conductive paste for forming an electrode of the solar cell element of the present invention contains 0.01 to 10% by weight of a low melting point metal compound.
  • the conductive paste for forming an electrode of the solar cell element of the present invention contains an organic compound containing 0.1 to 5% by weight of an alkaline earth metal and 0.01 to 10% by weight of a low melting point metal compound. It is preferable.
  • the solar cell element of the present invention is a solar cell in which a diffusion layer is formed on the light receiving surface side of a semiconductor substrate, an antireflection layer and a surface electrode are provided on the diffusion layer, and a back electrode is provided on the side opposite to the light receiving surface of the semiconductor substrate.
  • the surface electrode is formed by printing the conductive paste on the antireflection layer and baking it.
  • a diffusion layer is formed on the light receiving surface side of a semiconductor substrate, an antireflection layer is formed on the diffusion layer, and the conductive paste is printed on the antireflection layer,
  • a back surface electrode conductive paste is printed on the side opposite to the light receiving surface of the semiconductor substrate, and the back surface electrode is formed by conducting the conductive paste printed on the antireflective layer to be electrically connected to the diffusion layer.
  • the back electrode is formed by firing the conductive paste for use.
  • the electroconductive paste for electrode formation of the solar cell element which does not cause the increase in contact resistance, the solar cell element which has an electrode formed using the conductive paste, and the manufacturing method of the solar cell element Can be provided.
  • FIG. 2 (a) is a plan view on the light receiving surface side of one embodiment of the solar cell element of the present invention
  • FIG. 2 (b) is a plan view on the side opposite to the light receiving surface of one embodiment of the solar cell element of the present invention.
  • Conductive particles examples include silver powder, silver oxide powder, silver carbonate powder, silver acetate powder, silver coat powder, silver-containing alloy powder, nickel powder, and copper powder. These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the conductive particles preferably contain 70 to 100% by mass of silver.
  • the conductive paste printed on the antireflective layer is baked to make it conductive with the diffusion layer, it is baked at about 750 to 950 ° C.
  • the conductive property is obtained by surface oxidation without using a reducing atmosphere. This is because there is no decline.
  • the blending amount of the conductive particles is preferably 65 to 95% by weight with respect to the entire conductive paste. If it is less than 65% by weight, the amount of the conductive particles is too small, and the specific resistance of the light-receiving surface electrode obtained by firing is disadvantageously increased. If it exceeds 95% by weight, the printability is deteriorated and physical adhesion is caused. This is because there is a disadvantage that the strength is insufficient.
  • the shape of the conductive particles may be a scale shape, a spherical shape, a flake shape, an indefinite shape, or a mixture thereof.
  • the average particle size of the conductive particles affects the sintering characteristics (the conductive particles having a large particle size are sintered at a slower rate than the conductive particles having a small particle size), 0.1 to 15 ⁇ m is preferred. If it is less than 0.1 ⁇ m, the sintering speed is too high, and there is a disadvantage that the physical adhesive strength is insufficient. If it exceeds 15 ⁇ m, the sintering speed is somewhat slow, but the dispersibility and printability in the paste are deteriorated, and it is difficult to print thin lines.
  • the average particle size means a particle size of 50% cumulative from the small diameter side when the particle size is measured by the microtrack type particle size distribution measuring method.
  • the specific surface area of the conductive particles is preferably 0.05 to 5 m 2 / g. If it is less than 0.05 m 2 / g, the particle size is large and thin lines cannot be drawn. When it exceeds 5 m 2 / g, there is a disadvantage that workability is deteriorated, for example, a large amount of solvent is required for viscosity adjustment.
  • (2) Glass frit The glass frit that can be used in the present invention is such that when the conductive paste is baked at 750 to 950 ° C., the antireflection layer is eroded and appropriately adhered to the semiconductor substrate. Those having a softening point of 300 to 550 ° C are preferred.
  • the softening point When the softening point is lower than 300 ° C., there is a disadvantage that the firing is advanced and the effect of the present invention cannot be sufficiently obtained. On the other hand, if the softening point is higher than 550 ° C., sufficient melt flow does not occur at the time of firing, so that there is a disadvantage that sufficient adhesive strength cannot be obtained.
  • glass frit Bi glass, Bi 2 O 3 —B 2 O 3 —ZnO glass, Bi 2 O 3 —B 2 O 3 glass, Bi 2 O 3 —B 2 O 3 —SiO 2 glass are used. Glass, Ba glass, BaO—B 2 O 3 —ZnO glass, or the like can be used.
  • the shape of the glass frit is not limited and may be spherical or indefinite.
  • the blending amount of the glass frit is preferably 0.1 to 10% by weight with respect to the entire conductive paste. If it is less than 0.1% by weight, the adhesive strength may be insufficient. If it exceeds 10% by weight, glass floating and soldering failure in the subsequent process may occur.
  • the glass frit include, for example, Bi glass frit of 1 to 10% by weight of B 2 O 3 , 1 to 10% by weight of BaO, 70 to 80% by weight of Bi 2 O 3 , Sb 2 Examples thereof include a composition in which O 3 is 1% by weight or less, and other components (excluding the aforementioned substances and ZnO and CaO) are 10% by weight or less, and the softening point is about 430 ° C.
  • the Ba glass frit has a composition in which B 2 O 3 is 20% by weight or more, ZnO is 20% by weight or less, BaO is 40% by weight or more, and CaO is 10% by weight or more, and the softening point is about 530 ° C.
  • Organic compound containing alkaline earth metal, low melting point metal and low melting point metal compound Organic compound containing alkaline earth metal and low melting point metal act as a sintering inhibitor.
  • the low melting point metal refers to a metal having a melting point of 500 ° C. or lower, for example, zinc (melting point 419.6 ° C.), lead (melting point 327.5 ° C.), tin (melting point 231.97 ° C.), bismuth (melting point 271.degree. 3 ° C.), tellurium (melting point: 449.5 ° C.), and selenium (melting point: 217 ° C.).
  • tellurium which is a semiconductor having a specific resistance of 0.436 ⁇ cm
  • a substance having a melting point equal to or lower than the firing temperature of the conductive paste for example, tellurium dioxide (melting point: 732.6 ° C.) can be used instead of the low melting point metal.
  • a chemical reaction (physical change) at a temperature lower than the firing temperature of the conductive paste substrate having a melting point lower than the firing temperature of the conductive paste (low melting point metal compound such as tellurium dioxide)
  • conductive paste can be used instead of the low melting point metal.
  • an alkaline earth metal soap is preferable.
  • the alkaline earth metal soap include Ca stearate, Mg stearate, Sr stearate, Mg gluconate and the like.
  • This alkaline earth metal soap has a high surface activity and uniformly disperses the conductive particles like a kind of protective colloid and suppresses excessive sintering of the conductive particles when fired in the atmosphere. As a result, it can be expected that the heat shrinkage behavior is not significantly different from the metalloid element Si which is the main component of the semiconductor substrate.
  • the conductive paste contains a low melting point metal or a low melting point metal-based compound, when the conductive paste is fired in the atmosphere, the low melting point metal or the low melting point metal-based compound is easily oxidized.
  • the oxide film naturally forms during the firing process of the conductive paste, excessive sintering of the conductive particles is suppressed, and the heat shrinkage behavior is not significantly different from the semi-metal element Si, which is the main component of the semiconductor substrate. Can be expected. In this way, after the conductive paste of the present invention is printed / dried on the surface of the semiconductor substrate, the occurrence of microcracks and an increase in contact resistance during firing are not caused.
  • the conductive paste is made of an organic compound containing an appropriate amount of alkaline earth metal, an appropriate amount of low melting point metal, an organic compound containing an appropriate amount of alkaline earth metal, and a low melting point metal. It is preferable to contain an appropriate amount of a low melting point metal compound, or an organic compound containing an appropriate amount of an alkaline earth metal and a low melting point metal compound.
  • the conductive paste preferably contains an organic compound containing 0.1 to 5% by weight of an alkaline earth metal.
  • the conductive paste preferably contains 0.1 to 5% by weight of a low melting point metal.
  • the conductive paste preferably contains an organic compound containing 0.1 to 5% by weight of an alkaline earth metal and 0.1 to 5% by weight of a low melting point metal.
  • the conductive paste contains 0.01 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 8% by weight, and still more preferably 0.1 to 4% by weight of a low melting metal compound.
  • the conductive paste comprises an organic compound containing 0.1 to 5% by weight of an alkaline earth metal and 0.01 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 8% by weight, still more preferably 0.8. 1 to 4% by weight of a low melting point metal compound is contained. This is because if it is less than the lower limit of the numerical range, the effect of suppressing the sintering of the conductive particles cannot be obtained, and if it exceeds the upper limit of the numerical range, the resistance increases and the FF value decreases.
  • Se compounds such as ferroselen, selenide alloy, selenium dioxide, selenite, selenate, selenium disulfide, selenium organometallic compound can be contained in the conductive paste.
  • any one of the Se compound and the Te compound selected from the above, or both the Se compound and the Te compound can be contained in the conductive paste.
  • ZnTe is a direct transition type compound semiconductor having a minimum energy gap (energy difference between a valence band and a vacant band) of 2.26 eV, and the impurity level when silver is added is from the top of the valence band. It is relatively close to 0.11 eV. If electrons in the valence band are not given enough energy to move over the forbidden band between the valence band and the vacant band and move to the vacant band, the electrons remain in the valence band and no electrical conduction occurs. However, electrical conduction occurs when electrons jump from the valence band or impurity level due to heat or light absorption.
  • Organic binder is not limited, but cellulose derivatives such as methyl cellulose and ethyl cellulose, acrylic resins, alkyd resins, polypropylene resins, polyvinyl chloride resins, polyurethane resins, rosin resins, Terpene resin, phenol resin, aliphatic petroleum resin, acrylate resin, xylene resin, coumarone indene resin, styrene resin, dicyclopentadiene resin, polybutene resin, polyether resin, urea Resin, melamine resin, vinyl acetate resin, polyisobutyl resin and the like can be used.
  • cellulose derivatives such as methyl cellulose and ethyl cellulose, acrylic resins, alkyd resins, polypropylene resins, polyvinyl chloride resins, polyurethane resins, rosin resins, Terpene resin, phenol resin, aliphatic petroleum resin, acrylate resin, xylene resin, coumarone indene
  • the blending amount of the organic binder is preferably 0.1 to 30% by weight with respect to the entire conductive paste. If it is less than 0.1% by weight, sufficient adhesive strength cannot be ensured. On the other hand, if it exceeds 30% by weight, the printability deteriorates due to the increase in viscosity of the paste.
  • Solvent solvents include, but are not limited to, hexane, toluene, ethyl cellosolve, cyclohexanone, butyl cellosolve, butyl cellosolve acetate, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, diethylene glycol diethyl ether, diacetone alcohol, terpineol, methyl ethyl ketone , Benzyl alcohol and the like.
  • the amount of the solvent is preferably 1 to 40% by weight based on the entire conductive paste. It is because the printability of a paste falls that it is out of those ranges.
  • Dispersant A dispersant such as stearic acid, palmitic acid, myristic acid, oleic acid or lauric acid can be blended in the conductive paste.
  • a dispersing agent is a general thing, it will not be limited to an organic acid.
  • the blending amount of these dispersants is preferably 0.05 to 10% by weight with respect to the entire conductive paste.
  • FIG. 1 is a schematic view showing a cross-sectional structure of an embodiment of the solar cell element of the present invention.
  • 2A and 2B are diagrams showing an example of the electrode shape of the present invention.
  • FIG. 2A is a plan view of the light receiving surface side (front surface) of the solar cell element, and
  • FIG. 2B is an anti-light receiving surface of the solar cell element. It is a top view of the side (back surface).
  • the silicon substrate 1 is made of single crystal or polycrystalline silicon.
  • the silicon substrate 1 contains one conductivity type semiconductor impurity such as boron, and the specific resistance is, for example, about 1.0 to 2.0 ⁇ cm.
  • a single crystal silicon substrate it is formed by a pulling method or the like, and in the case of a polycrystalline silicon substrate, it is formed by a casting method or the like.
  • a silicon ingot formed by a pulling method or casting is sliced to a thickness of 200 ⁇ m or less, preferably 150 ⁇ m or less to obtain a silicon substrate 1.
  • a p-type silicon substrate is used for explanation, but an n-type silicon substrate may be used.
  • the surface thereof is etched by a small amount with NaOH, KOH, hydrofluoric acid, or hydrofluoric acid.
  • an uneven surface (rough surface) having a light reflectivity reducing function on the silicon substrate surface (light receiving surface) side that is a light incident surface by using dry etching, wet etching, or the like.
  • the n-type diffusion layer 2 is formed.
  • the n-type doping element phosphorus is preferably used, and an n + type having a sheet resistance of about 40 to 100 ⁇ / ⁇ is used. Thereby, a pn junction is formed between the p-type silicon substrate 1 and the p-type silicon substrate 1.
  • the n-type diffusion layer 2 is formed on the light-receiving surface of the silicon substrate, and a coating thermal diffusion method in which P 2 O 5 in a paste state is applied and thermally diffused, and POCl 3 in a gas state is used as a diffusion source. It is formed by a gas phase thermal diffusion method, an ion implantation method for directly diffusing P + ions, or the like.
  • the n-type diffusion layer 2 is formed to a depth of about 0.3 to 0.5 ⁇ m.
  • a diffusion region is also formed at a site where diffusion is not planned, it may be removed later by etching.
  • the BSF region on the back surface anti-light-receiving surface
  • aluminum which is a p-type dopant, can be diffused to a sufficient depth at a sufficient concentration. Since the influence of the layer can be ignored, it is not particularly necessary to remove the n-type diffusion layer formed on the back surface side.
  • the method for forming the n-type diffusion layer 2 is not limited to the above.
  • a hydrogenated amorphous silicon film, a crystalline silicon film including a microcrystalline silicon film, or the like may be formed using thin film technology.
  • an i-type silicon region (not shown) may be formed between the p-type silicon substrate 1 and the n-type diffusion layer 2.
  • the antireflection layer 3 is formed.
  • the material of the antireflection layer 3 include a SiNx film (the composition x has a width centering on Si 3 N 4 ), a TiO 2 film, a SiO 2 film, a MgO film, an ITO film, a SnO 2 film, a ZnO film, and the like. Can be used.
  • the thickness can be appropriately selected for the semiconductor material so that non-reflection conditions can be reproduced with respect to appropriate incident light.
  • the silicon substrate 1 may have a refractive index of about 1.8 to 2.3 and a thickness of about 500 to 1000 mm.
  • a CVD method As a manufacturing method of the antireflection layer 3, a CVD method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like can be used.
  • the BSF layer refers to a region where one conductivity type semiconductor impurity is diffused at a high concentration on the back side of the silicon substrate 1, and plays a role of preventing a decrease in conversion efficiency due to carrier recombination.
  • the impurity element boron or aluminum can be used, and an ohmic connection can be obtained between the back electrode 6 to be described later by increasing the impurity element concentration to be p + type.
  • the BSF layer 4 As a manufacturing method of the BSF layer 4, it can be formed at about 800 to 10000 ° C. using a thermal diffusion method using BBr 3 as a diffusion source. When the thermal diffusion method is used, it is preferable to previously form a diffusion barrier such as an oxide film in the already formed n-type diffusion layer 2.
  • a method of spreading aluminum toward the silicon substrate 1 by applying an aluminum paste containing an aluminum powder and an organic vehicle and firing at about 600 to 850 ° C. can be used. According to this method, it is possible to form a desired diffusion region on the coated surface, and it is not necessary to remove an unnecessary diffusion layer on the back surface side.
  • the baked aluminum can be used as a collecting electrode for the back electrode as it is.
  • the front surface electrode 5 including the bus bar electrode 5a and the finger electrode 5b illustrated in FIG. 2A and the back surface electrode 6 including the bus bar electrode 6a and the current collecting electrode 6b illustrated in FIG. Formed on the front side and the back side.
  • the surface electrode 5 is formed by applying a conductive paste for forming a solar cell element of the present invention on the silicon substrate 1 using a known coating method, and having a peak temperature of about 750 to 950 ° C. for several tens of seconds to several tens of minutes. It can be formed by baking.
  • the back electrode 6 includes a bus bar electrode 6a formed by applying and baking a silver-aluminum paste containing silver powder, aluminum powder, an organic binder, a solvent, and glass frit, and aluminum powder.
  • the collector electrode 6b formed by applying and baking an aluminum paste containing an organic binder, a solvent, and glass frit on substantially the entire surface of the silicon substrate 1 may be configured to partially overlap.
  • each paste for electrode formation, and to bake simultaneously, since a manufacturing process can be reduced.
  • the order of applying each paste is not particularly limited.
  • the electrode formation pattern using the conductive paste is a pattern generally used, for example, in the case of a surface electrode, as shown in FIG. A comb pattern can be employed.
  • (9) Method for Manufacturing Solar Cell Module An example of a method for manufacturing a solar cell module using the solar cell element manufactured as described above will be described.
  • the front and back electrodes of the adjacent solar cell elements 12 are connected by the wiring 11, and the front side filler 13 made of a transparent thermoplastic resin or the like and the transparent thermoplastic resin or the like are used.
  • the solar cell element 12 is sandwiched between the backside filler 14 and a transparent member 15 made of glass is disposed on the upper side of the front side filler 13, and a sheet of polyethylene terephthalate or the like having excellent mechanical properties on the lower side of the backside filler 14
  • the terminal box 17 that is an output extraction portion by the output extraction wiring 18. It is preferable. Furthermore, since the solar cell module is usually left outdoors for a long period of time, it is preferable to protect the periphery with a frame made of aluminum or the like.
  • An n-type diffusion layer is formed on the surface of a p-type silicon substrate made of polycrystalline silicon having a semiconductor wafer preparation thickness of 200 ⁇ m, an outer shape of 20 mm ⁇ 20 mm, and a specific resistance of 1.5 ⁇ cm; A semiconductor wafer having an SiNx antireflection layer formed on an n-type diffusion layer was prepared.
  • a paste is prepared by mixing 28 parts by weight of diol monoisobutyrate (solvent) and 1 part by weight of Bi 2 O 3 —B 2 O 3 —ZnO-based glass frit having a softening point of about 405 ° C. with a three-roll mill.
  • a conductive paste for forming the BSF layer and the back collector electrode was obtained.
  • Conductive paste for forming surface bus bar electrode and surface finger electrode ⁇ Composition of Examples 1 to 17 (conductive paste containing Bi-based glass frit) >> Examples 1 to 7 include 86 parts by weight of conductive particles (Ag powder having an average particle size of 0.4 ⁇ m) and Bi glass frit (B 2 O 3 of 1 to 10% by weight) having a softening point of about 430 ° C. BaO is 1 to 10% by weight, Bi 2 O 3 is 70 to 80% by weight, Sb 2 O 3 is 1% by weight or less, and other components (excluding the aforementioned substances and ZnO and CaO) are 10% by weight or less.
  • Example 14 only Te was mix
  • Example 16 only Se was blended with the first main paste composition as shown in Table 1 below.
  • Example 17 only ZnTe was blended as shown in Table 1 below with respect to the first main paste composition.
  • compositions of Examples 1 to 17 were mixed with a three-roll mill to form a paste, and the organic solvent was appropriately added so that the viscosity of the paste at the time of screen printing described later was about 300 Pa ⁇ s. Prepared. Thus, a conductive paste for forming the surface bus bar electrode and the surface finger electrode was obtained.
  • ⁇ Composition of Examples 18 to 32 conductive paste containing Ba glass frit
  • 86 parts by weight of conductive particles Ag powder having an average particle diameter of 0.4 ⁇ m
  • a Ba-based glass frit having a softening point of about 530 ° C.
  • B 2 O 3 of 20% by weight or more, ZnO Of 20 wt% or less, BaO 40 wt% or more, and CaO 10 wt% or more
  • ethyl cellulose 1 part by weight (organic binder), 2,2,4-trimethyl-1 As shown in Table 2 below, Mg stearate and TeO 2 were blended with 11 parts by weight (solvent) of 3-pentanediol monoisobutyrate and 0.5 parts by weight of stearic acid (dispersant).
  • composition comprising the conductive particles, Ba-based glass frit, ethyl cellulose, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate, and stearic acid is described below.
  • the two main paste composition The two main paste composition.
  • Example 32 only Te was mix
  • composition of Examples 18 to 32 was made into a paste by mixing with a three-roll mill, and the organic solvent was appropriately added so that the viscosity of the paste at the time of screen printing described later was about 300 Pa ⁇ s. Prepared. Thus, a conductive paste for forming the surface bus bar electrode and the surface finger electrode was obtained.
  • ⁇ Compositions of Comparative Examples 1 to 6 conductive paste containing Bi glass frit
  • Comparative Examples 1 to 5 as shown in Table 3 below, other compounds were added to the first main paste composition in place of alkaline earth metal soap in addition to 1 part by weight of Te.
  • compositions of Comparative Examples 1 to 6 were mixed with a three-roll mill to form a paste, and the organic solvent was added as appropriate so that the viscosity of the paste during screen printing to be described later was about 300 Pa ⁇ s. Prepared. In this way, a conductive paste for forming a surface bus bar electrode and a surface finger electrode as a comparative example was obtained.
  • Composition of Comparative Example 7 conductive paste containing Ba glass frit
  • Comparative Example 7 nothing was added to the second main paste composition as shown in Table 4 below.
  • Comparative Example 7 was mixed with a three-roll mill to make a paste, and further prepared by adding the above-mentioned organic solvent as appropriate so that the viscosity of the paste during screen printing to be described later was about 300 Pa ⁇ s. did. In this way, a conductive paste for forming a surface bus bar electrode and a surface finger electrode as a comparative example was obtained.
  • Reference Examples 1 to 9 Composition of Reference Examples 1 to 9
  • Reference Examples 1 to 3 with respect to the first main paste composition, as shown in Table 5 below, a large amount of Mg stearate was blended, and as Reference Example 4, the first main paste composition, As shown in Table 5 below, a large amount of Te is blended, and as Reference Example 5, a large amount of Se is blended as shown in Table 5 below with respect to the first main paste composition as Reference Example 6.
  • TeO 2 As shown in Table 5 below, a large amount of TeO 2 is blended with respect to the first main paste composition, and as Reference Example 7, with respect to the first main paste composition, as shown in Table 5 below, ZnTe was blended in a large amount, and as Reference Examples 8 and 9, TeO 2 was blended in a large amount as shown in Table 5 below with respect to the second main paste composition. Then, the compositions of Reference Examples 1 to 9 were mixed with a three-roll mill to form a paste, and the organic solvent was appropriately added so that the viscosity of the paste during screen printing described later was about 300 Pa ⁇ s. Prepared. Thus, a conductive paste for forming a surface bus bar electrode and a surface finger electrode as a reference example was obtained.
  • the conductive paste prepared as described in (2) a above is applied to substantially the entire back surface of the semiconductor wafer prepared as described in (1) by screen printing.
  • the conductive paste prepared as shown in (2) b so as to have a shape as shown in 6a of FIG. 2 (b) is applied by screen printing and dried at 150 ° C. for 5 minutes. It cooled to room temperature by natural cooling.
  • the conductive paste prepared as in (2) c so as to have the shape shown in 5a and 5b of FIG. 2 (a) is screened. After applying by printing and drying at 150 ° C. for 5 minutes, it was cooled to room temperature by natural cooling. (4) Firing The semiconductor wafer coated with the conductive paste as described above is inserted into a high-speed firing furnace having a 4-zone heating zone with a model PV309 manufactured by BTU, and the surface of the semiconductor wafer is coated with a Datapaq temperature logger. While confirming the maximum temperature, the maximum surface temperature was set as the baking temperature, and baking was performed at a baking temperature of 800 ° C. for 1 minute.
  • the FF value of the solar cell element test piece produced as described above was obtained. Specifically, the FF value is obtained from the voltage-current curve using a tester with a trade name of KST-15Ce-1s manufactured by Kyojin Electric Co., Ltd. and a solar simulator with a trade name of XES-502S manufactured by Kansai Scientific Instruments. It was. Table 1, Table 2, Table 3, Table 4, and Table 5 show FF values of Examples, Comparative Examples, and Reference Examples. It shows that conversion efficiency is so high that the numerical value of FF value is large.
  • the amount of Mg stearate added to 1 part by weight of Te is preferably about 1 to 5 parts by weight in order to achieve a sintering suppressing effect and increase the FF value. Furthermore, from Table 1, in order to maximize the FF value in such an addition amount range of Mg stearate, the addition amount of Mg stearate with respect to 1 part by weight of Te is 2 parts by weight and its vicinity (1.5%). To about 2.5 parts by weight).
  • Example 20 Compared to Example 12, Example 20, Example 13, Example 21, Example 15, and Example 28, the FF value tends to be larger when Ba glass frit is used than Bi glass frit. I understand that.
  • the evaluation results relating to the FF values of the examples, comparative examples, and reference examples are summarized as follows.
  • (1) The FF value is increased by adding an appropriate amount of Mg stearate, a low melting point metal or a low melting point metal compound to the conductive paste.
  • (2) The FF value of a conductive paste containing an appropriate amount of alkaline earth metal soap in addition to the appropriate amount of Te is based on the FF value of a conductive paste containing only alkaline earth metal soap without containing Te. growing.
  • Mg stearate is preferable.
  • the FF of the conductive paste in the blend can be the largest.
  • the FF value is increased by containing TeO 2 in the conductive paste. In that case, the FF value is further increased by using Ba glass frit as the glass frit.
  • the FF value of the conductive paste containing Mg stearate and TeO 2 is larger than the FF value of the conductive paste containing Mg stearate and Te.
  • the FF value may be maximized.
  • TeO 2 is contained in an amount of about 1 to 4 parts by weight with respect to 1 part by weight of Mg stearate.
  • the present invention is suitable as a conductive paste for forming an electrode of a solar cell element and a solar cell element.

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Abstract

接触抵抗の増大を招くことのない太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストを提供するために、導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、アルカリ土類金属を含む有機化合物、低融点金属または低融点金属系化合物とを含有している。

Description

太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法
本発明は、太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及びその導電性ペーストを用いて形成された電極を有する太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法に関する。
一般的な太陽電池素子は、図４に示すように、半導体基板２１、拡散層２２、反射防止層２３、裏面電極２４および表面電極２５を備えている。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　この太陽電池素子は、例えば、以下のように製造される。シリコンからなる半導体基板２１の受光面側（表面側）に、不純物の拡散層２２と、窒化シリコン、酸化シリコンまたは酸化チタンなどからなる絶縁性の反射防止層２３とが順次形成される。ここで、半導体基板２１は、例えば、ホウ素などの半導体不純物を１×１０１６～１０１８原子／ｃｍ３程度含有することにより、比抵抗１．５Ωcm程度の一導電型（例えば、ｐ型）を呈するようにしたものである。単結晶シリコンの場合は引き上げ法などによって形成され、多結晶シリコンの場合は鋳造法などによって形成される。多結晶シリコンは、大量生産が可能で製造コスト面で単結晶シリコンよりも有利である。半導体基板２１は、例えば、引き上げ法や鋳造法によって形成されたインゴットを１００ないし３００μｍ程度の厚みにスライスすることにより得られる。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　拡散層２２は、半導体基板２１の受光面に、リンなどの不純物を拡散させることにより形成される、半導体基板２１の逆の導電型（例えば、ｎ型）を呈する領域である。この拡散層２２は、例えば、半導体基板２１を炉中に配置して、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）などの中で加熱することによって形成される。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　反射防止層２３は、反射防止機能と併せて太陽電池素子の保護のために拡散層２２の受光面側に形成されるものである。反射防止層２３が窒化シリコン膜の場合、例えば、シラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）の混合ガスをグロー放電分解でプラズマ化して堆積させるプラズマＣＶＤ法などで形成される。例えば、反射防止層２３は半導体基板２１との屈折率差などを考慮して、屈折率が１．８～２．３程度になるようにされ、０．０５μｍないし１．０μｍ程度の厚みに形成される。
半導体基板２１の表面には表面電極２５が形成され、裏面には裏面電極２４が形成される。表面電極２５は、導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、必要に応じて添加される物質とを含む導電性ペーストを印刷し、乾燥し、焼成することにより形成される。裏面電極２４も導電性ペーストを印刷し、乾燥し、焼成することにより形成されるが、表面電極２５と同一の導電性ペーストを用いる必要はない。特に、表面電極２５はファイヤースルーの役割を担っており、適切な組成と焼成条件の選択は太陽電池の特性を高める上で重要である。このファイヤースルーとは、焼成の際、導電性ペーストに含まれているガラスフリットが反射防止層２３に作用して当該層を溶解除去し、その結果、表面電極２５と拡散層２２が接触し、表面電極２５と拡散層２２のオーミック接続を得ることをいう。表面電極２５と拡散層２２との間で安定なオーミック接続が得られないと、太陽電池の直列抵抗が高くなって曲線因子（ＦＦ）が小さくなる傾向にある。太陽電池の変換効率は、開放電圧と短絡電流密度とＦＦとを乗じることにより得られるので、ＦＦが小さくなると変換効率は低下してしまう。
　ところで、太陽電池における発電特性を高めるためには、電極の特性が重要である。例えば、電極の抵抗値を下げることによって発電効率が高まる。この目的を達成するため、例えば、特許文献１には、有機バインダーと、溶剤と、ガラスフリットと、導電性粉末と、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｙ、ＩｎおよびＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属又はその金属化合物とを含んでなる導電性ペーストにおいて、金属又はその金属化合物の平均粒径が０．００１μｍ以上０．１μｍ未満である導電性ペーストが開示されている。
　特許文献１には、超微粒子の金属又はその金属化合物を含む導電性ペーストを焼成することで反射防止層を介して存在する半導体と導電性ペーストとの間に安定した高い導通性と優れた接着力を有する表面電極を形成することができると記載されている。しかし、導電性ペーストの組成、特に特許文献１のように、超微粒子の金属又はその金属化合物を含む導電性ペーストを半導体基板表面に印刷・乾燥後、焼成すると、塗膜（ペースト膜）が収縮して接触抵抗が増大したり、場合によっては、ペースト膜と半導体基板の熱収縮挙動（線膨張率）の差違によって、半導体基板表面にマイクロクラックが発生することもある。接触抵抗が増大すれば、上記したようにＦＦが小さくなり、変換効率が低下してしまうという不都合がある。
　特許文献１：　特開２００５－２４３５００号公報
本発明は従来の技術の有するこのような問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、接触抵抗の増大を招くことのない太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及びその導電性ペーストを用いて形成された電極を有する太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明の太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストは、導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、アルカリ土類金属を含む有機化合物とを含有することを特徴としている。
　また、本発明の太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストは、導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、低融点金属とを含有することを特徴としている。
また、本発明の太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストは、導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、アルカリ土類金属を含む有機化合物と、低融点金属とを含有することを特徴としている。
また、本発明の太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストは、導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、低融点金属系化合物とを含有することを特徴としている。
　さらに、本発明の太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストは、導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、アルカリ土類金属を含む有機化合物と、低融点金属系化合物とを含有することを特徴としている。
　アルカリ土類金属を含む有機化合物はアルカリ土類金属せっけんであることが好ましい。
　アルカリ土類金属せっけんはステアリン酸マグネシウムであることが好ましい。
低融点金属はＴｅ、またはＳｅであることが好ましい。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　低融点金属系化合物はＴｅＯ２であることが好ましい。
　本発明の太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストは、０．１ないし５重量％のアルカリ土類金属を含む有機化合物を含有することが好ましい。
本発明の太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストは、０．１ないし５重量％の低融点金属を含有することが好ましい。
　本発明の太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストは、０．１ないし５重量％のアルカリ土類金属を含む有機化合物と、０．１ないし５重量％の低融点金属とを含有することが好ましい。
　本発明の太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストは、０．０１ないし１０重量％の低融点金属系化合物を含有することが好ましい。
　本発明の太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストは、０．１ないし５重量％のアルカリ土類金属を含む有機化合物と、０．０１ないし１０重量％の低融点金属系化合物とを含有することが好ましい。
　本発明の太陽電池素子は、半導体基板の受光面側に拡散層を形成し、この拡散層上に反射防止層と表面電極を有し、半導体基板の反受光面側に裏面電極を有する太陽電池素子において、表面電極は上記導電性ペーストを反射防止層上に印刷して焼成することにより形成されたものであることを特徴としている。
　本発明の太陽電池素子の製造方法は、半導体基板の受光面側に拡散層を形成し、この拡散層上に反射防止層を形成し、この反射防止層上に上記導電性ペーストを印刷し、半導体基板の反受光面側に裏面電極用導電性ペーストを印刷し、さらに、反射防止層上に印刷された導電性ペーストを焼成することによって拡散層と導通させて表面電極を形成し、裏面電極用導電性ペーストを焼成することによって裏面電極を形成することを特徴としている。
　本発明によれば、接触抵抗の増大を招くことのない太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及びその導電性ペーストを用いて形成された電極を有する太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法を提供することができる。
本発明の太陽電池素子の一実施形態の断面図である。 図２（ａ）は本発明の太陽電池素子の一実施形態の受光面側の平面図、図２（ｂ）は本発明の太陽電池素子の一実施形態の反受光面側の平面図である。 太陽電池モジュールの一例を示す断面図である。 一般的な太陽電池素子の概略構成を示す断面図である。
（１）導電性粒子
　導電性粒子としては、銀粉末、酸化銀粉末、炭酸銀粉末、酢酸銀粉末、銀コート粉末、銀含有合金粉末、ニッケル粉末、銅粉末などを挙げることができる。これらを単独または２種以上混合して使用することができる。
導電性粒子は銀を７０ないし１００質量％含有するものが好ましい。反射防止層上に印刷された導電性ペーストを焼成して拡散層と導通させる場合、約７５０ないし９５０℃で焼成されるが、銀の場合は還元性雰囲気としなくても、表面酸化によって導電性が低下するということがないからである。
導電性粒子の配合量は導電性ペースト全体に対して６５ないし９５重量％であるのが好ましい。６５重量％未満では導電性粒子の配合量が少なすぎて焼成して得られる受光面電極の固有抵抗が上昇するという不都合があり、９５重量％を超えると印刷性が悪くなり、物理的な接着強度が不足するという不都合があるからである。
導電性粒子の形状は、鱗片状、球形状、フレーク状、不定形状またはこれらを混合したものでもよい。
導電性粒子の平均粒径は、焼結特性に影響を与えるので（粒径の大きい導電性粒子は粒径の小さい導電性粒子よりもゆっくりとした速度で焼結される）、０．１ないし１５μｍが好ましい。０．１μｍ未満であると焼結速度が速すぎ、物理的な接着強度が不足するという不都合がある。１５μｍを超えると、焼結速度はやや緩慢になるが、ペースト中での分散性および印刷性が悪くなり、細いラインを印刷するのが困難になるという不都合がある。本明細書において、平均粒径とは、マイクロトラック式粒度分布測定法により粒径を測定した場合において、小径側から累積５０％の粒径をいう。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　導電性粒子の比表面積は、０．０５ないし５ｍ２／ｇであるのが好ましい。０．０５ｍ２／ｇ未満であると、粒径が大きく、細いラインを描くことができない。５ｍ２／ｇを超えると粘度調整に多量の溶剤が必要になるなど、作業性が悪くなるという不都合がある。
（２）ガラスフリット
本発明で使用可能なガラスフリットは、導電性ペーストが７５０ないし９５０℃で焼成されたときに、反射防止層を浸食し、適切に半導体基板への接着が行われるように、３００ないし５５０℃の軟化点を有するものが好ましい。軟化点が３００℃より低いと、焼成が進んで本発明の効果を十分に得ることができないという不都合がある。一方、軟化点が５５０℃より高いと、焼成時に十分な溶融流動が起こらないため、十分な接着強度が得られないという不都合がある。例えば、ガラスフリットとしては、Ｂｉ系ガラス、Ｂｉ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＺｎＯ系ガラス、Ｂｉ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３系ガラス、Ｂｉ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系ガラス、Ｂａ系ガラス、ＢａＯ－Ｂ２Ｏ３－ＺｎＯ系ガラスなどを用いることができる。
　ガラスフリットの形状は限定されず、球状でも、不定形状でもよい。
ガラスフリットの配合量は導電性ペースト全体に対して０．１ないし１０重量％であるのが好ましい。０．１重量％未満では接着強度が不十分となる場合がある。１０重量％を超えると、ガラスの浮きや後工程での半田付け不良が生じることがある。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　ガラスフリットに関するより詳しい性状としては、例えば、Ｂｉ系ガラスフリットとしては、Ｂ２Ｏ３が１ないし１０重量％、ＢａＯが１ないし１０重量％、Ｂｉ２Ｏ３が７０ないし８０重量％、Ｓｂ２Ｏ３が１重量％以下、その他（前記物質およびＺｎＯ、ＣａＯを除くもの）が１０重量％以下である組成を有し、軟化点が約４３０℃のものを挙げることができる。Ｂａ系ガラスフリットとしては、Ｂ２Ｏ３が２０重量％以上、ＺｎＯが２０重量％以下、ＢａＯが４０重量％以上、ＣａＯが１０重量％以上である組成を有し、軟化点が約５３０℃のものを挙げることができる。
（３）アルカリ土類金属を含む有機化合物と低融点金属と低融点金属系化合物
アルカリ土類金属を含む有機化合物と低融点金属は、焼結抑制剤として作用する。低融点金属とは、融点が５００℃以下の金属をいい、例えば、亜鉛（融点４１９．６℃）、鉛（融点３２７．５℃）、スズ（融点２３１．９７℃）、ビスマス（融点２７１．３℃）、テルル（融点４４９．５℃）、セレン（融点２１７℃）を挙げることができる。この中で比抵抗が０．４３６Ωcmの半導体であるテルルを好ましく用いることができる。さらに、低融点金属に代えて導電性ペーストの焼成温度以下の融点を有する物質、例えば、二酸化テルル（融点７３２．６℃）を用いることもできる。要するに、低融点金属に代えて、導電性ペーストの焼成温度以下の融点を有する物質（二酸化テルルのような低融点金属系化合物）または導電性ペーストの焼成温度以下の温度において化学反応（物理変化）を起こす物質を用いることができる。
アルカリ土類金属を含む有機化合物としてはアルカリ土類金属せっけんが好ましい。具体的なアルカリ土類金属せっけんとしては、ステアリン酸Ｃａ、ステアリン酸Ｍｇ、ステアリン酸Ｓｒ、グルコン酸Ｍｇなどを挙げることができる。
　このアルカリ土類金属せっけんは表面活性が高く、導電性粒子を一種の保護コロイドの様に均一分散させると共に、大気中で焼成すると、導電性粒子の過剰な焼結を抑制する。その結果、半導体基板の主成分である半金属元素Ｓｉと大差のない熱収縮挙動を示すことが期待できる。また、導電性ペーストが低融点金属または低融点金属系化合物を含む場合、その導電性ペーストを大気雰囲気で焼成すると、低融点金属または低融点金属系化合物が酸化されやすくなる。すなわち、導電性ペーストの焼成過程において酸化物被膜が自然と形成されるため、導電性粒子の過剰な焼結が抑制され、半導体基板の主成分である半金属元素Ｓｉと大差のない熱収縮挙動を示すことが期待できる。このようにして、半導体基板表面に本発明の導電性ペーストを印刷・乾燥後、焼成時におけるマイクロクラックの発生や接触抵抗の増大を招くことがないのである。
　以上のような効果を得るためには、導電性ペーストは、適正量のアルカリ土類金属を含む有機化合物、適正量の低融点金属、適正量のアルカリ土類金属を含む有機化合物および低融点金属、適正量の低融点金属系化合物、または適正量のアルカリ土類金属を含む有機化合物および低融点金属系化合物を含有することが好ましい。具体的には、導電性ペーストは、０．１ないし５重量％のアルカリ土類金属を含む有機化合物を含有することが好ましい。また、導電性ペーストは、０．１ないし５重量％の低融点金属を含有することが好ましい。また、導電性ペーストは、０．１ないし５重量％のアルカリ土類金属を含む有機化合物および０．１ないし５重量％の低融点金属を含有することが好ましい。また、導電性ペーストは、０．０１ないし１０重量％、より好ましくは、０．１ないし８重量％、より一層好ましくは０．１ないし４重量％の低融点金属系化合物を含有する。さらに、導電性ペーストは、０．１ないし５重量％のアルカリ土類金属を含む有機化合物および０．０１ないし１０重量％、より好ましくは、０．１ないし８重量％、より一層好ましくは０．１ないし４重量％の低融点金属系化合物を含有する。上記数値範囲の下限未満であると、導電性粒子の焼結抑制効果が得られず、上記数値範囲の上限を超えると、抵抗が増大してＦＦ値が小さくなるからである。
　また、フェロセレン、セレン化合金、二酸化セレン、亜セレン酸塩、セレン酸塩、二硫化セレン、セレン有機金属化合物などのＳｅの化合物を導電性ペーストに含有することができる。
さらに、塩化テルル、二酸化テルル、亜テルル酸化合物、テルル化亜鉛、四臭化テルル、テルル化アルミニウム、テルル化カドミウム、テルル化水素、テルル化カリウム、テルル化ナトリウム、テルル化ガリウム、テルル化銀、テルル化クロム、テルル化ゲルマニウム、テルル化コバルト、テルル化水銀、テルル化スズ、テルル化タングステン、テルル化チタン、テルル化銅、テルル化鉛、テルル化ビスマス、テルル化砒素、テルル化マンガン、テルル化モリブデン、テルル酸、メタテルル酸アンモニウム、メタテルル酸カリウム、メタテルル酸ルビジウム、メタテルル酸ナトリウム、メタテルル酸鉛、ヨウ化テルル、硫化テルル、ジフェニルジテルリド、オクチル酸テルルなどのテルルの無機化合物、テルルの有機金属化合物などのＴｅの化合物を導電性ペーストに含有することができる。
上記から選択されるＳｅの化合物およびＴｅの化合物の中のいずれか一種類の金属化合物又はＳｅの化合物およびＴｅの化合物の両方を導電性ペーストに含有することができる。
　特に、ＺｎＴｅは最小エネルギーギャップ（価電子帯と空帯とのエネルギー差）が２．２６ｅＶの直接遷移型の化合物半導体であって、銀を添加したときの不純物準位は価電子帯の頂点から０．１１ｅＶと比較的近いところにある。価電子帯の電子が価電子帯と空帯との間にある禁止帯を超えて空帯に移るに足るエネルギーが与えられなければ、電子は価電子帯に留まっているので電気伝導は生じないが、熱あるいは光の吸収によって電子が価電子帯または不純物準位から飛び上がることによって電気伝導が起こる。この点で、不純物準位と価電子帯とのエネルギー差が小さいことは有利であり、Ｔｅの化合物の中で、特にＺｎＴｅを好ましく用いることができる。
（４）有機バインダ
有機バインダとしては、限定されるものではないが、メチルセルロース、エチルセルロース等のセルロース誘導体、アクリル樹脂、アルキド樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ロジン系樹脂、テルペン系樹脂、フェノール系樹脂、脂肪族系石油樹脂、アクリル酸エステル系樹脂、キシレン系樹脂、クマロンインデン系樹脂、スチレン系樹脂、ジシクロペンタジエン系樹脂、ポリブテン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ユリア系樹脂、メラミン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリイソブチル系樹脂等を用いることができる。
有機バインダの配合量は導電性ペースト全体に対して０．１ないし３０重量％であるのが好ましい。０．１重量％未満では、十分な接着強度を確保することができない。一方、３０重量％を超えると、ペーストの粘度上昇により印刷性が低下する。
（５）溶剤
溶剤としては、限定されるものではないが、ヘキサン、トルエン、エチルセロソルブ、シクロヘキサノン、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジアセトンアルコール、ターピネオール、メチルエチルケトン、ベンジルアルコール等を挙げることができる。
溶剤の配合量は導電性ペースト全体に対して１ないし４０重量％であるのが好ましい。それらの範囲外であると、ペーストの印刷性が低下するからである。
（６）分散剤
ステアリン酸、パルミチン酸、ミリスチン酸、オレイン酸、ラウリン酸などの分散剤を導電性ペーストに配合することができる。なお、分散剤は一般的なものであれば、有機酸に限定されるものではない。これら分散剤の配合量は導電性ペースト全体に対して０．０５ないし１０重量％であるのが好ましい。０．０５重量％未満であるとペーストの分散性が悪くなるという不都合があり、１０重量％を超えると焼成によって得られる受光面電極の固有抵抗が上昇するという不都合がある。
（７）その他の添加剤
本発明においては、安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、シランカップリング剤、消泡剤、粘度調整剤などの各種添加剤を本発明の効果を妨げない範囲において配合することができる。
（８）太陽電池素子の製造方法
本発明の太陽電池素子の製造方法について詳しく説明する。
　図１は、本発明の太陽電池素子の一実施形態の断面の構造を示す概略図である。図２は、本発明の電極形状の一例を示す図であり、図２（ａ）は太陽電池素子の受光面側（表面）の平面図、図２（ｂ）は太陽電池素子の反受光面側（裏面）の平面図である。
シリコン基板１は、単結晶または多結晶シリコンなどからなる。このシリコン基板１は、ボロンなどの一導電型半導体不純物を含有し、比抵抗は、例えば、１．０ないし２．０Ωcm程度である。単結晶シリコン基板の場合には引き上げ法などによって形成され、多結晶シリコン基板の場合には鋳造法などによって形成される。引き上げ法や鋳造などによって形成されたシリコンのインゴットを２００μｍ以下、好ましくは１５０μｍ以下の厚みにスライスしてシリコン基板１とする。なお、以下の説明においてはｐ型シリコン基板を用いて説明を行うが、ｎ型シリコン基板を用いてもかまわない。
このシリコン基板１は、そのスライス面を清浄化するために、表面をＮａＯＨやＫＯＨ、またはフッ酸やフッ硝酸等で微量エッチングされる。
その後、光入射面となるシリコン基板表面（受光面）側に、ドライエッチングやウエットエッチングなどを用いて、光反射率低減機能を有する凹凸面（粗面）を形成することが好ましい。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　次に、ｎ型拡散層２を形成する。ｎ型化ドーピング元素としては、リンを用いるのが好ましく、シート抵抗が４０ないし１００Ω／□程度のｎ＋型とする。これにより、ｐ型シリコン基板１との間にｐｎ接合部が形成される。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　ｎ型拡散層２はシリコン基板の受光面に形成されるものであり、ペースト状態にしたＰ２Ｏ５を塗布して熱拡散させる塗布熱拡散法、ガス状態にしたＰＯＣｌ３を拡散源とした気相熱拡散法、およびＰ＋イオンを直接拡散させるイオン打ち込み法などによって形成される。このｎ型拡散層２は、０．３ないし０．５μｍ程度の深さに形成される。
なお、拡散を予定しない部位にも拡散領域が形成された場合、後でエッチングによって除去すればよい。後記するように、裏面（反受光面）のＢＳＦ領域をアルミニウムペーストによって形成する場合は、ｐ型ドープ剤であるアルミニウムを十分な濃度で十分な深さまで拡散させることができるので、浅いｎ型拡散層の影響は無視することができるので、裏面側に形成されたｎ型拡散層を特に除去する必要はない。
ｎ型拡散層２の形成方法は上記に限定されるものではなく、例えば、薄膜技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜や、微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。さらに、ｐ型シリコン基板１とｎ型拡散層２との間にｉ型シリコン領域（図示せず）を形成してもよい。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　次に、反射防止層３を形成する。反射防止層３の材料としては、ＳｉＮｘ膜（Ｓｉ３Ｎ４を中心にして組成ｘには幅がある）、ＴｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜、ＭｇＯ膜、ＩＴＯ膜、ＳｎＯ２膜、ＺｎＯ膜などを用いることができる。その厚さは、適当な入射光に対して無反射条件を再現できるよう、半導体材料に対して適宜選択することができる。例えば、シリコン基板１に対しては、屈折率は１．８ないし２．３程度、厚みは５００ないし１０００Å程度にすればよい。
反射防止層３の製法としては、ＣＶＤ法、蒸着法またはスパッタ法などを用いることができる。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　次に、ＢＳＦ(Back Surface Field)層４を形成することが好ましい。ここで、ＢＳＦ層とは、シリコン基板１の裏面側に一導電型半導体不純物が高濃度に拡散されてなる領域をいい、キャリヤの再結合による変換効率の低下を防ぐ役割を果たすものである。不純物元素としては、ボロンやアルミニウムを用いることができ、不純物元素濃度を高濃度にしてｐ＋型とすることによって後記する裏面電極６との間にオーミック接続を得ることができる。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　ＢＳＦ層４の製法としては、ＢＢｒ３を拡散源とした熱拡散法を用いて８００ないし１００００℃程度で形成することができる。熱拡散法を用いる場合は、すでに形成してあるｎ型拡散層２には酸化膜などの拡散バリアをあらかじめ形成しておくことが好ましい。他の製法として、アルミニウムを用いる場合、アルミニウム粉末および有機ビヒクルを含むアルミニウムペーストを塗布した後、６００ないし８５０℃程度で焼成してアルミニウムをシリコン基板１に向けて拡散する方法を用いることができ、この方法によると塗布面への所望の拡散領域を形成できるとともに、裏面側の不要な拡散層の除去を必要としない。しかも、焼成されたアルミニウムはそのまま裏面電極の集電電極として利用することもできる。
次に、図２（ａ）に示すバスバー電極５ａおよびフィンガー電極５ｂからなる表面電極５と、図２（ｂ）に示すバスバー電極６ａおよび集電電極６ｂからなる裏面電極６とを、シリコン基板１の表面側および裏面側に形成する。
　表面電極５は、シリコン基板１上に公知の塗布法を用いて本発明の太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストを塗布し、ピーク温度が７５０ないし９５０℃程度で数十秒ないし数十分間焼成することにより形成できる。
裏面電極６は、図２（ｂ）に示すように、銀粉末とアルミニウム粉末と有機バインダと溶剤とガラスフリットを含む銀－アルミニウムペーストを塗布・焼成して形成されるバスバー電極６ａと、アルミニウム粉末と有機バインダと溶剤とガラスフリットを含むアルミニウムペーストをシリコン基板１の略全面に塗布・焼成して形成される集電電極６ｂとを、一部が重なるように構成してもよい。
なお、表面電極および裏面電極について、それぞれの電極形成用ペーストを塗布・乾燥した後、同時に焼成すれば、製造工程を減らすことができるので好ましい。各ペースト塗布の順序は特に限定されるものではない。
導電性ペーストによる電極形成パターンは、太陽電池素子から効率よく集電するために、一般的に用いられているパターン、例えば、表面電極の場合であれば、図２（ａ）に示すように、櫛形パターンを採用することができる。
（９）太陽電池モジュールの製造方法
上記のようにして製造した太陽電池素子を用いて太陽電池モジュールを製造する方法の一例について説明する。
図３に示すように、配線１１によって、隣接している太陽電池素子１２の表面電極と裏面電極とを接続し、透明の熱可塑性樹脂などからなる表側充填材１３と透明の熱可塑性樹脂などからなる裏側充填材１４によって太陽電池素子１２を挟み込み、さらに、表側充填材１３の上側にガラスからなる透明部材１５を配し、裏側充填材１４の下側に機械特性に優れたポリエチレンテレフタレートなどのシートを耐候性に優れたポリフッ化ビニルのフィルムで覆った裏面保護材１６を配し、これらの積層部材を適切な真空炉で脱気し、加熱・押圧して一体化することが好ましい。また、複数の太陽電池素子１２が直列接続されている場合、複数の素子の中の最初の素子と最後の素子の電極の一端を出力取出部である端子ボックス１７に出力取出配線１８によって接続することが好ましい。さらに、太陽電池モジュールは、通常長期にわたって野外に放置されるため、アルミニウムなどからなる枠体によって周囲を保護することが好ましい。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　以下に本発明の実施例を説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲において適宜変更や修正が可能である。
（１）半導体ウエハの準備
厚さが２００μｍで、外形が２０mm×２０mmの大きさで、比抵抗が１．５Ωcmの多結晶シリコンのｐ型シリコン基板の表面にｎ型拡散層が形成され、さらに、ｎ型拡散層の上にＳｉＮxの反射防止層が形成された半導体ウエハを準備した。
（２）導電性ペーストの調製
ａ．ＢＳＦ層と裏面集電電極形成用の導電性ペースト
平均粒径が約３μｍのアルミニウム粉末７０重量部と、エチルセルロース（有機バインダ）１重量部と、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオール　モノイソブチレート（溶剤）２８重量部と、軟化点が約４０５℃のＢｉ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＺｎＯ系ガラスフリット１重量部とを３本ロールミルで混合することによりペースト状にして、ＢＳＦ層と裏面集電電極形成用の導電性ペーストを得た。
ｂ．裏面バスバー電極形成用の導電性ペースト
平均粒径が約１μｍの銀粉末８０重量部と、平均粒径が約３μｍのアルミニウム粉末２．４重量部と、エチルセルロース（有機バインダ）１重量部と、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオール　モノイソブチレート（溶剤）１５重量部と、軟化点が約４０５℃のＢｉ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＺｎＯ系ガラスフリット１．５重量部と、ステアリン酸０．１重量部とを３本ロールミルで混合することによりペースト状にして、裏面バスバー電極形成用の導電性ペーストを得た。
ｃ．表面バスバー電極と表面フィンガー電極形成用の導電性ペースト
《実施例１ないし１７（Ｂｉ系ガラスフリットを含有する導電性ペースト）の組成》 
実施例１ないし７としては、導電性粒子（平均粒径０．４μｍのＡｇ粉末）８６重量部と、軟化点が約４３０℃のＢｉ系ガラスフリット（Ｂ２Ｏ３が１ないし１０重量％、ＢａＯが１ないし１０重量％、Ｂｉ２Ｏ３が７０ないし８０重量％、Ｓｂ２Ｏ３が１重量％以下、その他（前記物質およびＺｎＯ、ＣａＯを除くもの）が１０重量％以下である組成のもの）１重量部と、エチルセルロース１重量部（有機バインダ）と、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオール　モノイソブチレート１１重量部（溶剤）と、ステアリン酸０．５重量部（分散剤）に対して、以下の表１に示すように、アルカリ土類金属せっけんとＴｅを配合した。なお、上記導電性粒子と、Ｂｉ系ガラスフリットと、エチルセルロースと、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオール　モノイソブチレートと、ステアリン酸との配合からなるものを、以下、第一主ペースト組成という。
　また、実施例８ないし１１としては、第一主ペースト組成に対して、以下の表１に示すように、ステアリン酸Ｍｇのみを配合した。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　また、実施例１２および１３としては、第一主ペースト組成に対して、以下の表１に示すように、ステアリン酸ＭｇとＴｅＯ２を配合した。
　また、実施例１４としては、第一主ペースト組成に対して、以下の表１に示すように、Ｔｅのみを配合した。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　また、実施例１５としては、第一主ペースト組成に対して、以下の表１に示すように、ＴｅＯ２のみを配合した。
　また、実施例１６としては、第一主ペースト組成に対して、以下の表１に示すように、Ｓｅのみを配合した。
　また、実施例１７としては、第一主ペースト組成に対して、以下の表１に示すように、ＺｎＴｅのみを配合した。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　そして、実施例１ないし１７の組成を３本ロールミルで混合することによりペースト状にし、さらに、後記するスクリーン印刷時のペーストの粘度が約３００Ｐａ・ｓとなるように、上記有機溶剤を適宜添加して調製した。このようにして、表面バスバー電極と表面フィンガー電極形成用の導電性ペーストを得た。
《実施例１８ないし３２（Ｂａ系ガラスフリットを含有する導電性ペースト）の組成》 
実施例１８ないし２４としては、導電性粒子（平均粒径０．４μｍのＡｇ粉末）８６重量部と、軟化点が約５３０℃のＢａ系ガラスフリット（Ｂ２Ｏ３が２０重量％以上、ＺｎＯが２０重量％以下、ＢａＯが４０重量％以上、ＣａＯが１０重量％以上である組成のもの）１重量部と、エチルセルロース１重量部（有機バインダ）と、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオール　モノイソブチレート１１重量部（溶剤）と、ステアリン酸０．５重量部（分散剤）に対して、以下の表２に示すように、ステアリン酸ＭｇとＴｅＯ２を配合した。なお、上記導電性粒子と、Ｂａ系ガラスフリットと、エチルセルロースと、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオール　モノイソブチレートと、ステアリン酸との配合からなるものを、以下、第二主ペースト組成という。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　また、実施例２５ないし３１としては、第二主ペースト組成に対して、以下の表２に示すように、ＴｅＯ２のみを配合した。
また、実施例３２としては、第二主ペースト組成に対して、以下の表２に示すように、Ｔｅのみを配合した。
　そして、実施例１８ないし３２の組成を３本ロールミルで混合することによりペースト状にし、さらに、後記するスクリーン印刷時のペーストの粘度が約３００Ｐａ・ｓとなるように、上記有機溶剤を適宜添加して調製した。このようにして、表面バスバー電極と表面フィンガー電極形成用の導電性ペーストを得た。
《比較例１ないし６（Ｂｉ系ガラスフリットを含有する導電性ペースト）の組成》 
　また、比較例１ないし５として、第一主ペースト組成に対して、以下の表３に示すように、１重量部のＴｅに加えてアルカリ土類金属せっけんに代えて他の化合物を配合した。
　また、比較例６として、第一主ペースト組成に対して、以下の表３に示すように、何も配合しなかった。
　そして、比較例１ないし６の組成を３本ロールミルで混合することによりペースト状にし、さらに、後記するスクリーン印刷時のペーストの粘度が約３００Ｐａ・ｓとなるように、上記有機溶剤を適宜添加して調製した。このようにして、比較例としての表面バスバー電極と表面フィンガー電極形成用の導電性ペーストを得た。
《比較例７（Ｂａ系ガラスフリットを含有する導電性ペースト）の組成》 
　また、比較例７として、第二主ペースト組成に対して、以下の表４に示すように、何も配合しなかった。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　そして、比較例７の組成を３本ロールミルで混合することによりペースト状にし、さらに、後記するスクリーン印刷時のペーストの粘度が約３００Ｐａ・ｓとなるように、上記有機溶剤を適宜添加して調製した。このようにして、比較例としての表面バスバー電極と表面フィンガー電極形成用の導電性ペーストを得た。
《参考例１ないし９の組成》 
　また、参考例１ないし３として、第一主ペースト組成に対して、以下の表５に示すように、ステアリン酸Ｍｇを多量に配合し、参考例４として、第一主ペースト組成に対して、以下の表５に示すように、Ｔｅを多量に配合し、参考例５として、第一主ペースト組成に対して、以下の表５に示すように、Ｓｅを多量に配合し、参考例６として、第一主ペースト組成に対して、以下の表５に示すように、ＴｅＯ２を多量に配合し、参考例７として、第一主ペースト組成に対して、以下の表５に示すように、ＺｎＴｅを多量に配合し、参考例８、９として、第二主ペースト組成に対して、以下の表５に示すように、ＴｅＯ２を多量に配合した。そして、参考例１ないし９の組成を３本ロールミルで混合することによりペースト状にし、さらに、後記するスクリーン印刷時のペーストの粘度が約３００Ｐａ・ｓとなるように、上記有機溶剤を適宜添加して調製した。このようにして、参考例としての表面バスバー電極と表面フィンガー電極形成用の導電性ペーストを得た。
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Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
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Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
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（３）導電性ペーストの印刷
上記（２）ａのように調製した導電性ペーストを、（１）のように準備した半導体ウエハの裏面側の略全面にスクリーン印刷により塗布し、その導電性ペーストの上に、図２（ｂ）の６ａに示すような形状となるように（２）ｂのように調製した導電性ペーストをスクリーン印刷により塗布し、１５０℃で５分間乾燥を行った後、自然放冷により室温まで冷却した。
次に、（１）のように準備した半導体ウエハの表面側に、図２（ａ）の５ａおよび５ｂに示すような形状となるように（２）ｃのように調製した導電性ペーストをスクリーン印刷により塗布し、１５０℃で５分間乾燥を行った後、自然放冷により室温まで冷却した。（４）焼成
以上のように導電性ペーストを塗布した半導体ウエハを、ＢＴＵ社製のモデルＰＶ３０９で４ゾーンの加熱ゾーンがある高速焼成炉に挿入して、Ｄａｔａｐａｑ社の温度ロガーで半導体ウエハ表面の最高温度を確認しながら、その表面最高温度を焼成温度として、８００℃の焼成温度で１分間焼成した。この焼成過程において、半導体ウエハの裏面側に塗布したアルミニウムが半導体ウエハ側に拡散することにより、図１の４に示すようなＢＳＦ層が形成され、同時に図１の６ｂに示すような集電電極が形成されるのである。
（５）電気特性の評価
以上のようにして作製した太陽電池素子試験片のＦＦ値を求めた。具体的には、共進電機株式会社製の商品名ＫＳＴ－１５Ｃｅ－１ｓのテスターと、関西科学機器社製の商品名ＸＥＳ－５０２Ｓのソーラーシミュレーターとを用いて、電圧－電流曲線からＦＦ値を求めた。表１、表２、表３、表４、表５には、各実施例、比較例および参考例のＦＦ値を示す。ＦＦ値の数値が大きいほど変換効率が高いことを示している。
表１、表２と表３、表４、表５との比較で分かるように、本発明の実施例１ないし３２のＦＦ値は、比較例１ないし７および参考例１ないし３に比べて大きなＦＦ値を示している。
実施例１ないし７と実施例８ないし１１との比較で分かるように、適正量のＴｅに加えて適正量のアルカリ土類金属せっけんを含有するもののＦＦ値は、Ｔｅを含有せずアルカリ土類金属せっけん（ステアリン酸Ｍｇ）のみを含有するもののＦＦ値より大きくなることが分かる。
　また、実施例１ないし４の比較より、アルカリ土類金属せっけんの中でもステアリン酸Ｍｇを配合したもののＦＦ値が他のアルカリ土類金属せっけんを添加したもののＦＦ値より大きいことが分かる。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　また、実施例４と実施例１２の比較より、ステアリン酸Ｍｇに加えてＴｅＯ２を配合したもののＦＦ値は、ステアリン酸マグネシウムに加えてＴｅを配合したもののＦＦ値より大きくなることが分かる。
　焼結抑制効果を奏するとともにＦＦ値を大きくするためには、１重量部のＴｅに対するステアリン酸Ｍｇの添加量は１ないし５重量部程度とすることが好ましいことが分かる。さらに、表１より、そのようなステアリン酸Ｍｇの添加量範囲においてＦＦ値を最も大きくするためには、１重量部のＴｅに対するステアリン酸Ｍｇの添加量は２重量部及びその近傍（１．５ないし２．５重量部程度）が好ましいことが推定される。
　また、実施例１２と実施例２０および実施例１３と実施例２１および実施例１５と実施例２８の比較より、Ｂｉ系ガラスフリットよりＢａ系ガラスフリットを用いる方がＦＦ値が大きくなる傾向にあることが分かる。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　さらに、Ｂａ系ガラスフリットを用いた場合において、実施例２５ないし３１の比較より、ＴｅＯ２を２ないし４重量部配合することにより、０．７５より高いＦＦ値が得られることが分かる。また、Ｂａ系ガラスフリットを用いた場合、実施例１８ないし２４の比較より、ＴｅＯ２と１重量部のステアリン酸Ｍｇをともに含有する場合、ＴｅＯ２が０．５重量部でも０．７５より高いＦＦ値が得られ、１重量部のステアリン酸Ｍｇと１ないし４重量部のＴｅＯ２を含有すると、ＦＦ値は最も大きくなることが分かる。さらに、Ｂａ系ガラスフリットを用いた場合、実施例３２より、ステアリン酸Ｍｇを含有しなくても、Ｔｅを４重量部含有すると、０．７５より高いＦＦ値が得られることが分かる。
　また、実施例４ないし７と参考例１、２との比較で分かるように、１重量部のＴｅを含有してもステアリン酸マグネシウムの配合量が多すぎると、Aｇ粒子の焼結抑制効果は十分に発揮されるが、一方、抵抗が増大するのでＦＦ値は低下することが分かる。
　また、実施例８ないし１１と参考例３との比較で分かるように、ステアリン酸マグネシウムの配合量が多すぎると、Ａｇ粒子の焼結抑制効果は十分に発揮されるが、一方、抵抗が増大するのでＦＦ値は低下することが分かる。
　また、比較例１ないし５より、１重量部のＴｅを含有しても、アルカリ土類金属を含む有機化合物を含有しない導電性ペーストのＦＦ値は低いことが分かる。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　なお、Ｔｅ粉末、Ｓｅ粉末、ＴｅＯ２粉末またはＺｎＴｅ粉末を多量に配合した参考例４ないし９は、ファイヤースルーによる反射防止層の導通効果が大き過ぎて、表面電極とｐ型シリコンのシャント（短絡）が発生し、ＦＦ値の測定ができなかった。
[規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
　以上の実施例と比較例と参考例のＦＦ値に関する評価結果をまとめると、以下のようになる。
（１）適正量のステアリン酸Ｍｇ、低融点金属または低融点金属系化合物を導電性ペーストに配合することによりＦＦ値は増加する。
（２）適正量のＴｅに加えて適正量のアルカリ土類金属石鹸を含有する導電性ペーストのＦＦ値は、Ｔｅを含有せずアルカリ土類金属石鹸のみを含有する導電性ペーストのＦＦ値より大きくなる。このアルカリ土類金属石鹸としてはステアリン酸Ｍｇが好ましい。
（３）ステアリン酸ＭｇとＴｅを導電性ペースト中に含有する場合、Ｔｅ１重量部に対して、ステアリン酸Ｍｇを１．５ないし２．５重量部程度含有すると、その配合における導電性ペーストのＦＦ値は最も大きくなる可能性がある。
（４）アルカリ土類金属を含む有機化合物を含有しなくてもＴｅＯ２を導電性ペースト中に含有することによりＦＦ値は大きくなる。その場合、ガラスフリットとしてＢａ系ガラスフリットを用いることにより、ＦＦ値はさらに大きくなる。
（５）ステアリン酸ＭｇとＴｅを含有する導電性ペーストのＦＦ値より、ステアリン酸ＭｇとＴｅＯ２を含有する導電性ペーストのＦＦ値の方が大きくなる。その場合、ガラスフリットとしてＢａ系ガラスフリットを用い、ステアリン酸Ｍｇ１重量部に対してＴｅＯ２を１ないし４重量部程度含有すると、ＦＦ値は最も大きくなる可能性がある。
（６）Ｔｅを含有しても、アルカリ土類金属を含む有機化合物以外の物質を含有する導電性ペーストのＦＦ値は低い。
　また、表１、表２に示すように、実施例１ないし３２の太陽電池素子試験片のＦＦ値は比較例１ないし７ならびに参考例１ないし３のものより大きいことから、実施例１ないし３２の太陽電池素子試験片の接触抵抗の値は比較例１ないし７ならびに参考例１ないし３より小さいことが分かる。
本発明は、太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子として好適である。
　１　シリコン基板
　２　ｎ型拡散層
　３　反射防止層
　４　ＢＳＦ層
　５　表面電極
　５ａ　表面バスバー電極
　５ｂ　表面フィンガー電極
　６　裏面電極
　６ａ　裏面バスバー電極
　６ｂ　裏面集電電極
　１１　配線
　１２　太陽電池素子
　１３　表側充填材
　１４　裏側充填材
　１５　透明部材
　１６　裏面保護材
　１７　端子ボックス
　１８　出力取出配線
　２１　半導体基板
　２２　拡散層
　２３　反射防止層
　２４　裏面電極
　２５　表面電極

Claims (16)

  1. 導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、アルカリ土類金属を含む有機化合物とを含有することを特徴とする太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  2. 導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、低融点金属とを含有することを特徴とする太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  3. 導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、アルカリ土類金属を含む有機化合物と、低融点金属とを含有することを特徴とする太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  4. 導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、低融点金属系化合物とを含有することを特徴とする太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  5. 導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、アルカリ土類金属を含む有機化合物と、低融点金属系化合物とを含有することを特徴とする太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  6. アルカリ土類金属を含む有機化合物はアルカリ土類金属せっけんであることを特徴とする請求項１、３または５記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  7. 　アルカリ土類金属せっけんはステアリン酸マグネシウムであることを特徴とする請求項６記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  8. 　低融点金属はＴｅまたはＳｅであることを特徴とする請求項２、３または６記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  9. [規則91に基づく訂正 08.10.2009]　
    　低融点金属系化合物はＴｅＯ２であることを特徴とする請求項４、５、６または７記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  10. 　０．１ないし５重量％のアルカリ土類金属を含む有機化合物を含有することを特徴とする請求項１または６記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。　
  11. ０．１ないし５重量％の低融点金属を含有することを特徴とする請求項２または８記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  12. 　０．１ないし５重量％のアルカリ土類金属を含む有機化合物と、０．１ないし５重量％の低融点金属とを含有することを特徴とする請求項３、６または８記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  13. ０．０１ないし１０重量％の低融点金属系化合物を含有することを特徴とする請求項４または９記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  14. ０．１ないし５重量％のアルカリ土類金属を含む有機化合物と、０．０１ないし１０重量％の低融点金属系化合物とを含有することを特徴とする請求項５、６または９記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
  15. 半導体基板の受光面側に拡散層を形成し、この拡散層上に反射防止層と表面電極を有し、半導体基板の反受光面側に裏面電極を有する太陽電池素子において、表面電極は請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３または１４記載の導電性ペーストを反射防止層上に印刷して焼成することにより形成されたものであることを特徴とする太陽電池素子。
  16. 　半導体基板の受光面側に拡散層を形成し、この拡散層上に反射防止層を形成し、この反射防止層上に請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３または１４記載の導電性ペーストを印刷し、半導体基板の反受光面側に裏面電極用導電性ペーストを印刷し、さらに、反射防止層上に印刷された導電性ペーストを焼成することによって拡散層と導通させて表面電極を形成し、裏面電極用導電性ペーストを焼成することによって裏面電極を形成することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。 
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CN2009801007645A CN101828267B (zh) 2008-08-07 2009-07-07 太阳能电池元件的电极形成用导电性糊料及太阳能电池元件以及该太阳能电池元件的制造方法
EP09804673.3A EP2323171B1 (en) 2008-08-07 2009-07-07 Conductive paste for formation of a solar cell element electrode, solar cell element, and manufacturing method for said solar cell element
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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011096747A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Shoei Chem Ind Co 太陽電池電極形成用導電性ペースト
JP2011096748A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Shoei Chem Ind Co 太陽電池素子及びその製造方法
JP2011171673A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Kyoto Elex Kk 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法
JP2011168873A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Dowa Electronics Materials Co Ltd 銀粉及びその製造方法
JP2011181538A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Kyoto Elex Kk 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト
JP2011204872A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Kyoto Elex Kk 太陽電池素子の受光面電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法
WO2012147378A1 (ja) * 2011-04-25 2012-11-01 横浜ゴム株式会社 太陽電池集電電極形成方法、太陽電池集電電極形成用導電性組成物のセットおよび太陽電池セル
WO2012160921A1 (ja) * 2011-05-26 2012-11-29 株式会社 村田製作所 導電性ペースト及び太陽電池
WO2013105601A1 (ja) * 2012-01-10 2013-07-18 日立化成株式会社 マスク形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法および太陽電池素子の製造方法
WO2013105599A1 (ja) * 2012-01-10 2013-07-18 日立化成株式会社 マスク形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法および太陽電池素子の製造方法
WO2013105604A1 (ja) * 2012-01-10 2013-07-18 日立化成株式会社 バリア層形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法
JP2013196954A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Kyoto Elex Kk 加熱硬化型導電性ペースト組成物
JP2013207054A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Kyoto Elex Kk 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト
WO2013161996A3 (ja) * 2012-04-26 2013-12-19 国立大学法人大阪大学 透明導電性インク及び透明導電パターン形成方法
JP2013254726A (ja) * 2012-01-23 2013-12-19 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc 太陽電池の接点のための導電性厚膜ペースト
JP2014022194A (ja) * 2012-07-18 2014-02-03 Noritake Co Ltd Ａｇ電極形成用ペースト組成物とその製造方法ならびに太陽電池
WO2014045900A1 (ja) * 2012-09-18 2014-03-27 株式会社村田製作所 導電性ペースト及び太陽電池
JP2014078594A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Noritake Co Ltd ペースト組成物と太陽電池
JP2014515161A (ja) * 2011-04-06 2014-06-26 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 太陽電池の電極の製造方法
JP2014207262A (ja) * 2013-04-10 2014-10-30 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用導電性ペースト組成物
WO2014185537A1 (ja) * 2013-05-17 2014-11-20 株式会社カネカ 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
JP2015528178A (ja) * 2012-06-12 2015-09-24 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 接着促進剤を有する導電性ペースト
JP2016519838A (ja) * 2013-04-02 2016-07-07 ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー 導電性ペースト及び太陽電池調製物におけるＡｌ、Ｓｉ及びＭｇを含む粒子
US20180062007A1 (en) * 2010-05-04 2018-03-01 E I Du Pont De Nemours And Company Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium- oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
US10030156B2 (en) 2013-12-10 2018-07-24 Kyoto Elex Co., Ltd. Conductive paste for forming conductive film for semiconductor devices, semiconductor device, and method for producing semiconductor device
US10141459B2 (en) 2012-12-28 2018-11-27 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Binary glass frits used in n-type solar cell production
JP2018190967A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 碩禾電子材料股▲ふん▼有限公司 太陽電池用の導電ペースト、太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール
WO2021193736A1 (ja) 2020-03-26 2021-09-30 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉およびその製造方法、並びに導電性ペースト

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9947809B2 (en) 2009-11-11 2018-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
CN102456427A (zh) * 2010-10-30 2012-05-16 比亚迪股份有限公司 一种导电浆料及其制备方法
US8691612B2 (en) * 2010-12-10 2014-04-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of creating micro-scale silver telluride grains covered with bismuth nanoparticles
RU2570814C2 (ru) * 2010-12-24 2015-12-10 Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент
JP5884077B2 (ja) 2010-12-29 2016-03-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
US20120222738A1 (en) * 2011-03-02 2012-09-06 Electronics And Telecommunications Research Institute Conductive composition, silicon solar cell including the same, and manufacturing method thereof
KR101814014B1 (ko) 2011-03-25 2018-01-03 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
US8512463B2 (en) 2011-04-05 2013-08-20 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
CN102185001B (zh) * 2011-04-18 2013-04-17 西安交通大学 硅基纳米氧化锌粉体薄膜异质结太阳能的结构及其制备
CN105489662A (zh) * 2011-07-19 2016-04-13 日立化成株式会社 n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法
US8696948B2 (en) 2011-08-11 2014-04-15 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing lead—tellurium—lithium—titanium—oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
US8691119B2 (en) 2011-08-11 2014-04-08 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing lead-tellurium-lithium-titanium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
WO2013062549A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-02 Wuxi Calex Science And Technology Co., Ltd. Electro-conductive composition for forming semiconductor electrodes
KR20130064659A (ko) * 2011-12-08 2013-06-18 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101985929B1 (ko) 2011-12-09 2019-06-05 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
KR101363344B1 (ko) 2012-01-10 2014-02-19 주식회사 젠스엔지니어링 전도성 페이스트를 전극으로 사용하는 실리콘 태양전지 모듈 및 그 제조 방법.
KR101909143B1 (ko) * 2012-01-20 2018-10-17 엘지전자 주식회사 양면 수광형 태양전지
US20130248777A1 (en) * 2012-03-26 2013-09-26 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Low silver content paste composition and method of making a conductive film therefrom
TWI594268B (zh) * 2012-04-17 2017-08-01 賀利氏貴金屬北美康舍霍肯有限責任公司 用於導電膏組成物之無機反應系統
BR102013009357A2 (pt) 2012-04-17 2015-06-23 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Sistema de reação inorgânica para uma pasta eletrocondutora, composição de pasta eletrocondutora, célula solar
US8845932B2 (en) 2012-04-26 2014-09-30 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
JP2013243279A (ja) * 2012-05-22 2013-12-05 Namics Corp 太陽電池の電極形成用導電性ペースト
KR101999795B1 (ko) 2012-06-27 2019-07-12 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
TW201407635A (zh) * 2012-08-09 2014-02-16 Darfon Materials Corp 銀漿及其用於製造光伏元件之用途
US8900488B2 (en) 2012-09-06 2014-12-02 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
CN102956283B (zh) * 2012-10-25 2016-08-03 上海玻纳电子科技有限公司 一种新型高效晶硅太阳能电池用无铅化银浆及其制备与应用
CN103000249B (zh) * 2012-12-28 2016-09-28 上海匡宇科技股份有限公司 一种太阳能电池正面银浆及其制备方法
KR20140092744A (ko) 2012-12-29 2014-07-24 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
EP2763141B1 (en) * 2013-02-01 2016-02-03 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Low fire silver paste
KR101587683B1 (ko) * 2013-02-15 2016-01-21 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR102032280B1 (ko) * 2013-04-25 2019-10-15 엘지전자 주식회사 태양 전지의 전극용 페이스트 조성물
TWM512217U (zh) 2013-06-20 2015-11-11 Plant PV 太陽能電池
US9159864B2 (en) 2013-07-25 2015-10-13 First Solar, Inc. Back contact paste with Te enrichment and copper doping control in thin film photovoltaic devices
CN104347735A (zh) * 2013-07-25 2015-02-11 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池片和太阳能电池组件
US9793025B2 (en) 2013-12-03 2017-10-17 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
US9761742B2 (en) 2013-12-03 2017-09-12 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
TWI517430B (zh) 2013-12-31 2016-01-11 東旭能興業有限公司 太陽能電池單元及其製造方法
CN104752556A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 东旭能兴业有限公司 太阳能电池单元及其制造方法
US9218979B2 (en) * 2014-01-16 2015-12-22 Phononic Devices, Inc. Low resistivity ohmic contact
KR101600874B1 (ko) * 2014-05-16 2016-03-09 덕산하이메탈(주) 은 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 제조된 태양전지
CN104021841B (zh) * 2014-06-25 2016-09-28 西安工程大学 一种碳纳米管复合铜厚膜导电浆料及其制备方法
TWI505294B (zh) * 2014-12-08 2015-10-21 Giga Solar Materials Corp 一種含無鉛玻璃熔塊之導電漿（六）
JP2016115873A (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 京都エレックス株式会社 太陽電池電極形成用導電性ペースト、並びに、これを用いた太陽電池素子および太陽電池モジュール
KR101696985B1 (ko) * 2014-12-30 2017-01-17 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20170014734A (ko) 2015-07-31 2017-02-08 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US10784383B2 (en) 2015-08-07 2020-09-22 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
JP2018525832A (ja) 2015-08-14 2018-09-06 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンＨｅｎｋｅｌ ＡＧ ＆ Ｃｏ． ＫＧａＡ 太陽光電池において使用される焼結性組成物
WO2017035103A1 (en) 2015-08-25 2017-03-02 Plant Pv, Inc Core-shell, oxidation-resistant particles for low temperature conductive applications
WO2017035102A1 (en) 2015-08-26 2017-03-02 Plant Pv, Inc Silver-bismuth non-contact metallization pastes for silicon solar cells
CN108028187B (zh) * 2015-09-24 2022-06-07 东洋铝株式会社 膏状组合物及硅锗层的形成方法
US9741878B2 (en) 2015-11-24 2017-08-22 PLANT PV, Inc. Solar cells and modules with fired multilayer stacks
JP2016122840A (ja) * 2015-12-18 2016-07-07 日立化成株式会社 素子及び太陽電池並びに電極用ペースト組成物
GB201601034D0 (en) 2016-01-20 2016-03-02 Johnson Matthey Plc Conductive paste,electrode and solar cell
JP6714275B2 (ja) * 2016-08-23 2020-06-24 ナミックス株式会社 導電性ペースト及び太陽電池
TWI745562B (zh) 2017-04-18 2021-11-11 美商太陽帕斯特有限責任公司 導電糊料組成物及用其製成的半導體裝置
CN107274965B (zh) * 2017-07-03 2019-07-05 云南科威液态金属谷研发有限公司 基于低熔点金属微纳米粉末的电子浆料及其制造方法
CN107879635B (zh) * 2017-08-31 2021-05-04 无锡帝科电子材料股份有限公司 用于制备太阳能电池电极的玻璃粉料、包括其的糊剂组合物、太阳能电池电极及太阳能电池
JP6877750B2 (ja) * 2017-12-06 2021-05-26 ナミックス株式会社 導電性ペースト
RU2690091C1 (ru) * 2018-11-08 2019-05-30 Общество с ограниченной ответственностью "Научное Предприятие Монокристалл Пасты" Алюминиевая паста для изготовления тыльного контакта кремниевых солнечных элементов c тыльной диэлектрической пассивацией
WO2021159499A1 (zh) * 2020-02-14 2021-08-19 硕禾电子材料股份有限公司 用于异质结太阳能电池的导电糊膏、异质结太阳能电池与电极结构
KR102455164B1 (ko) * 2020-03-13 2022-10-17 주식회사 헤드솔라 페이스트, 이의 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 광전극용 차단층 제조방법
CN112909128A (zh) * 2021-02-07 2021-06-04 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) 异质结太阳能电池片的制造方法及异质结太阳能电池片
AU2022264427A1 (en) * 2021-04-30 2023-11-09 Arkion Life Sciences, Llc Insect, bacterial, and/or fungal control composition
US12055737B2 (en) * 2022-05-18 2024-08-06 GE Precision Healthcare LLC Aligned and stacked high-aspect ratio metallized structures

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05128910A (ja) * 1991-11-07 1993-05-25 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 導体ペースト
JP2001284754A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Kyocera Corp ガラスセラミック回路基板
JP2005243500A (ja) 2004-02-27 2005-09-08 Kyocera Chemical Corp 導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法
WO2007032151A1 (ja) * 2005-09-13 2007-03-22 Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha アルミニウムペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
WO2007125879A1 (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Sharp Corporation 太陽電池電極用導電性ペースト
WO2008001518A1 (fr) * 2006-06-30 2008-01-03 Mitsubishi Materials Corporation Composition de fabrication d'une électrode dans une cellule solaire, procédé de fabrication de l'électrode, et cellule solaire utilisant une électrode obtenue par le procédé de fabrication
JP2009099781A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Central Glass Co Ltd 導電性ペースト材料

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5066621A (en) * 1990-06-21 1991-11-19 Johnson Matthey Inc. Sealing glass composition and electrically conductive formulation containing same
BR9610739A (pt) 1995-10-05 1999-07-13 Ebara Sola Inc Célula solar e processo para sua fabricação
JP2001313400A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Kyocera Corp 太陽電池素子の形成方法
US6599446B1 (en) * 2000-11-03 2003-07-29 General Electric Company Electrically conductive polymer composite compositions, method for making, and method for electrical conductivity enhancement
KR20060007011A (ko) 2003-04-01 2006-01-23 아길라 테크놀로지스, 인코포레이티드 열 전도성 접착제 조성물 및 장치 부착 방법
US7556748B2 (en) * 2005-04-14 2009-07-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein
JP2007134387A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Sharp Corp 光電変換素子およびその電極形成方法
US8721931B2 (en) * 2005-12-21 2014-05-13 E I Du Pont De Nemours And Company Paste for solar cell electrode, solar cell electrode manufacturing method, and solar cell
JP4948876B2 (ja) * 2006-04-03 2012-06-06 京セラ株式会社 太陽電池素子用導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池素子の製造方法。
CN101164943A (zh) 2006-10-19 2008-04-23 北京印刷学院 一种用作电子浆料组成中粘接相的无铅碲酸盐低熔玻璃
CN102037573A (zh) * 2008-06-11 2011-04-27 E.I.内穆尔杜邦公司 形成硅太阳能电池的方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05128910A (ja) * 1991-11-07 1993-05-25 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 導体ペースト
JP2001284754A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Kyocera Corp ガラスセラミック回路基板
JP2005243500A (ja) 2004-02-27 2005-09-08 Kyocera Chemical Corp 導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法
WO2007032151A1 (ja) * 2005-09-13 2007-03-22 Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha アルミニウムペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
WO2007125879A1 (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Sharp Corporation 太陽電池電極用導電性ペースト
WO2008001518A1 (fr) * 2006-06-30 2008-01-03 Mitsubishi Materials Corporation Composition de fabrication d'une électrode dans une cellule solaire, procédé de fabrication de l'électrode, et cellule solaire utilisant une électrode obtenue par le procédé de fabrication
JP2009099781A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Central Glass Co Ltd 導電性ペースト材料

Cited By (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8962981B2 (en) 2009-10-28 2015-02-24 Shoei Chemical Inc. Solar cell device and manufacturing method therefor
JP2011096748A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Shoei Chem Ind Co 太陽電池素子及びその製造方法
JP2011096747A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Shoei Chem Ind Co 太陽電池電極形成用導電性ペースト
US8551368B2 (en) 2009-10-28 2013-10-08 Shoei Chemical Inc. Conductive paste for forming a solar cell electrode
US10347787B2 (en) 2009-10-28 2019-07-09 Shoei Chemical Inc. Method for forming a solar cell electrode with conductive paste
JP2011168873A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Dowa Electronics Materials Co Ltd 銀粉及びその製造方法
JP2011171673A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Kyoto Elex Kk 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法
JP2011181538A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Kyoto Elex Kk 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト
JP2011204872A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Kyoto Elex Kk 太陽電池素子の受光面電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法
US20180062007A1 (en) * 2010-05-04 2018-03-01 E I Du Pont De Nemours And Company Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium- oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
US10468542B2 (en) * 2010-05-04 2019-11-05 Dupont Electronics, Inc. Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
US20200013910A1 (en) * 2010-05-04 2020-01-09 Dupont Electronics, Inc. Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium- oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
US10559703B2 (en) 2010-05-04 2020-02-11 Dupont Electronics, Inc. Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
US11158746B2 (en) * 2010-05-04 2021-10-26 Solar Paste, Llc Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
JP2014515161A (ja) * 2011-04-06 2014-06-26 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 太陽電池の電極の製造方法
JP2012230950A (ja) * 2011-04-25 2012-11-22 Yokohama Rubber Co Ltd:The 太陽電池集電電極形成方法、太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
WO2012147378A1 (ja) * 2011-04-25 2012-11-01 横浜ゴム株式会社 太陽電池集電電極形成方法、太陽電池集電電極形成用導電性組成物のセットおよび太陽電池セル
WO2012160921A1 (ja) * 2011-05-26 2012-11-29 株式会社 村田製作所 導電性ペースト及び太陽電池
JP5339011B1 (ja) * 2012-01-10 2013-11-13 日立化成株式会社 太陽電池用基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法
JP5339014B1 (ja) * 2012-01-10 2013-11-13 日立化成株式会社 バリア層形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法
JP5339012B1 (ja) * 2012-01-10 2013-11-13 日立化成株式会社 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池素子の製造方法
JP5339013B1 (ja) * 2012-01-10 2013-11-13 日立化成株式会社 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池素子の製造方法
WO2013105604A1 (ja) * 2012-01-10 2013-07-18 日立化成株式会社 バリア層形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法
WO2013105599A1 (ja) * 2012-01-10 2013-07-18 日立化成株式会社 マスク形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法および太陽電池素子の製造方法
WO2013105603A1 (ja) * 2012-01-10 2013-07-18 日立化成株式会社 バリア層形成用組成物、バリア層、太陽電池用基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法
WO2013105601A1 (ja) * 2012-01-10 2013-07-18 日立化成株式会社 マスク形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法および太陽電池素子の製造方法
JP2013254726A (ja) * 2012-01-23 2013-12-19 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc 太陽電池の接点のための導電性厚膜ペースト
JP2017141156A (ja) * 2012-01-23 2017-08-17 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 太陽電池の接点のための導電性厚膜ペースト
JP2013196954A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Kyoto Elex Kk 加熱硬化型導電性ペースト組成物
JP2013207054A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Kyoto Elex Kk 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト
US9236162B2 (en) 2012-04-26 2016-01-12 Osaka University Transparent conductive ink and transparent conductive pattern forming method
JP5706998B2 (ja) * 2012-04-26 2015-04-22 国立大学法人大阪大学 透明導電性インク及び透明導電パターン形成方法
WO2013161996A3 (ja) * 2012-04-26 2013-12-19 国立大学法人大阪大学 透明導電性インク及び透明導電パターン形成方法
JPWO2013161996A1 (ja) * 2012-04-26 2015-12-24 国立大学法人大阪大学 透明導電性インク及び透明導電パターン形成方法
JP2015528178A (ja) * 2012-06-12 2015-09-24 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 接着促進剤を有する導電性ペースト
JP2014022194A (ja) * 2012-07-18 2014-02-03 Noritake Co Ltd Ａｇ電極形成用ペースト組成物とその製造方法ならびに太陽電池
JP5937689B2 (ja) * 2012-09-18 2016-06-22 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 導電性ペースト及び太陽電池
WO2014045900A1 (ja) * 2012-09-18 2014-03-27 株式会社村田製作所 導電性ペースト及び太陽電池
JP2014078594A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Noritake Co Ltd ペースト組成物と太陽電池
US10141459B2 (en) 2012-12-28 2018-11-27 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Binary glass frits used in n-type solar cell production
JP2016519838A (ja) * 2013-04-02 2016-07-07 ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー 導電性ペースト及び太陽電池調製物におけるＡｌ、Ｓｉ及びＭｇを含む粒子
JP2014207262A (ja) * 2013-04-10 2014-10-30 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用導電性ペースト組成物
CN104854708B (zh) * 2013-05-17 2016-05-18 株式会社钟化 太阳能电池及其制造方法和太阳能电池模块
WO2014185537A1 (ja) * 2013-05-17 2014-11-20 株式会社カネカ 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
US9553228B2 (en) 2013-05-17 2017-01-24 Kaneka Corporation Solar cell, production method therefor, and solar cell module
JP5695283B1 (ja) * 2013-05-17 2015-04-01 株式会社カネカ 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
CN104854708A (zh) * 2013-05-17 2015-08-19 株式会社钟化 太阳能电池及其制造方法和太阳能电池模块
US10030156B2 (en) 2013-12-10 2018-07-24 Kyoto Elex Co., Ltd. Conductive paste for forming conductive film for semiconductor devices, semiconductor device, and method for producing semiconductor device
JP2018190967A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 碩禾電子材料股▲ふん▼有限公司 太陽電池用の導電ペースト、太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール
US10923608B2 (en) 2017-04-28 2021-02-16 Giga Solar Materials Corp. Conductive paste for solar cell, solar cell and manufacturing method thereof, and solar cell module
WO2021193736A1 (ja) 2020-03-26 2021-09-30 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉およびその製造方法、並びに導電性ペースト
KR20220153572A (ko) 2020-03-26 2022-11-18 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 은 분말 및 그 제조 방법, 그리고 도전성 페이스트
US11819914B2 (en) 2020-03-26 2023-11-21 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Silver powder, method for producing the same, and conductive paste

Also Published As

Publication number Publication date
EP2637216B1 (en) 2014-12-17
JP2015122506A (ja) 2015-07-02
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US20110192457A1 (en) 2011-08-11
KR20100075661A (ko) 2010-07-02
JP4754655B2 (ja) 2011-08-24
CN101828267A (zh) 2010-09-08
CN101828267B (zh) 2013-10-23
EP2323171B1 (en) 2019-07-03
KR101135337B1 (ko) 2012-04-17
JP2010283340A (ja) 2010-12-16
JPWO2010016186A1 (ja) 2012-01-12
US20150020880A1 (en) 2015-01-22
TWI485866B (zh) 2015-05-21
JP2014116627A (ja) 2014-06-26
EP2637215B1 (en) 2019-02-27
US8852465B2 (en) 2014-10-07
US9461188B2 (en) 2016-10-04
JP5870124B2 (ja) 2016-02-24
EP2637216A1 (en) 2013-09-11
EP2323171A1 (en) 2011-05-18
KR20120032573A (ko) 2012-04-05
KR101225909B1 (ko) 2013-01-24
TW201007957A (en) 2010-02-16

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