JP2018190967A - 太陽電池用の導電ペースト、太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール - Google Patents
太陽電池用の導電ペースト、太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018190967A JP2018190967A JP2018078588A JP2018078588A JP2018190967A JP 2018190967 A JP2018190967 A JP 2018190967A JP 2018078588 A JP2018078588 A JP 2018078588A JP 2018078588 A JP2018078588 A JP 2018078588A JP 2018190967 A JP2018190967 A JP 2018190967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive paste
- solar cell
- oxide
- glass
- alloy compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 51
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 41
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 41
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- YRXWPCFZBSHSAU-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Ag].[Te] Chemical compound [Ag].[Ag].[Te] YRXWPCFZBSHSAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 10
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VMINMXIEZOMBRH-UHFFFAOYSA-N manganese(ii) telluride Chemical compound [Te]=[Mn] VMINMXIEZOMBRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- IKHZKATVXPFKTI-UHFFFAOYSA-N tellanylideneiron Chemical compound [Fe].[Te] IKHZKATVXPFKTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229940117975 chromium trioxide Drugs 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N chromium trioxide Inorganic materials O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N chromium(6+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+6] GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M dipotassium;hydroxide Chemical compound [OH-].[K+].[K+] FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N erbium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Er+3].[Er+3] ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940119177 germanium dioxide Drugs 0.000 description 1
- 239000003906 humectant Substances 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N silver;hydrate Chemical compound O.[Ag].[Ag] VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L zinc fluoride Chemical compound F[Zn]F BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
- C03C4/14—Compositions for glass with special properties for electro-conductive glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2204/00—Glasses, glazes or enamels with special properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2205/00—Compositions applicable for the manufacture of vitreous enamels or glazes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明の実施形態において、高融点テルル合金化合物は、ガラスの軟化点よりも少なくとも300℃高い融点を有することができ、またその融点は、例えば、900℃以上である。本発明におけるガラスの軟化点は、例えば317℃〜465℃であり、また、テルル合金化合物はガラスの軟化点よりも少なくとも300℃高い融点を有することができ、またしたがって、テルル合金化合物の融点は、例えば617℃〜765℃である。より具体的には、テルル合金化合物は、テルル化鉛、テルル化亜鉛、テルル化銀、又はそれらの組合せを含むことができ、ここで、テルル化鉛の融点は約924℃であり、テルル化銀の融点は約955℃であり、テルル化亜鉛の融点は約1238℃である。しかし、本発明はそれに限定されず、例えば、900℃以上の融点を有する他のテルル合金化合物も使用することができ、例えば、テルル化銅、テルル化マンガン、テルル化カドミウム、又はテルル化鉄を使用することができ、ここで、テルル化銅の融点は約1125℃であり、テルル化マンガンの融点は約1150℃であり、テルル化カドミウムの融点は約1090℃であり、テルル化鉄の融点は約914℃である。
本発明実施形態において、ガラスの材料は、酸化テルル、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化ケイ素、又はそれらの組合せを含むことができる。しかし、本発明はそれに限定されず、ガラスの材料は、以下の元素又はそれら元素の酸化物からなるグループのうち1つ又は複数を含むこともでき、すなわち、該元素としては、リン(P)、ボロン(B)、バリウム(Ba)、ナトリウム(Na)、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、カルシウム(Ca)、銅(Cu)、ストロンチウム(St)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、リチウム(Li)、カリウム(K)、ジルコニウム(Zr)、バナジウム(V)、セレン(Se)、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、スズ(Sn)、ニッケル(Ni)、アンチモン(Sb)、銀(Ag)、ケイ素(Si)、エルビウム(Er)、ゲルマニウム(Ge)、チタン(Ti)、タリウム(Tl)、ガリウム(Ga)、セリウム(Ce)、ニオブ(Nb)、サマリウム(Sm)、及びランタン(La)である。
本発明の実施形態において、太陽電池用の導電ペーストの総重量に基づいて、銀パウダーの量は、例えば60重量%〜95重量%とし、また銀パウダーの粒径は、例えば0.05μm〜10μmとする。粒子の形状は、フレーク状、球状、円柱状、ブロック状、又はサイズに適合する不特定形状とすることができる。
本発明の実施形態において、有機ビヒクルは、溶剤、粘着剤、及び添加剤を含むことができ、また有機ビヒクルは、導電ペーストに施す焼結プロセス中に除去することができる。太陽電池用の導電ペーストの総重量に基づいて、有機ビヒクルの量は、例えば5重量%〜40重量%とする。より具体的には、溶剤の機能は粘着剤を溶解させて粘性を生ずるようにするものであり、またジエチレン・グリコール・モノブチル・エーテル、テキサノール、αテルピネオール、又はそれらの組合せを含むことができる。粘着剤の機能は溶剤に粘性を付与するものであり、またエチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、酢酸セルロース、ニトロセルロース、又はそれらの組合せを含むことができる。添加剤の機能は導電ペーストの特性を改善するものであり、その例としては、限定しないが、共開始剤、感作物質、結合剤、分散剤、保湿剤、増粘剤、消泡剤、若しくはチキソトロピック剤とすることができ、又はその例としては、以下に限定しないが、酸化ジルコニウム(ZrO2)、五酸化バナジウム(V2O5)、酸化銀(Ag2O)、酸化エルビウム(Er2O3)、酸化スズ(SnO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化ネオジム(Nd2O3)、二酸化セレン(SeO2)、酸化鉛(PbO)、三酸化クロム(Cr2O3)、酸化カリウム(K2O)、五酸化リン(P2O5)、二酸化マンガン(MnO2)、酸化ニッケル(NiO)、三酸化サマリウム(Sm2O3)、二酸化ゲルマニウム(GeO2)、フッ化亜鉛(ZnF2)、三酸化インジウム(In2O3)、又は酸化ガリウム(Ga2O3)とすることができる。
本発明の導電ペーストが電気的接続を改善し、また電池効率を向上することを証明するため、以下の実験例を提示する。
太陽電池用の導電ペーストは、以下の表1〜表5に挙げた各成分の量に基づいて調合し、またその太陽電池性能は、曲線因子(FF)及び変換効率(NCell)を含めて測定した。表1〜表5において、テルル合金化合物及びガラスの量は、導電ペーストの総重量に基づき、また重量%の単位である。
Claims (12)
- 太陽電池用の導電ペーストであって、
銀パウダーと、
ガラスと
有機ビヒクルと、及び
前記ガラスの軟化点よりも少なくとも300℃高い融点を有するテルル合金化合物と、
を備える、太陽電池用の導電ペースト。 - 請求項1記載の太陽電池用の導電ペーストにおいて、前記テルル合金化合物の前記融点は900℃以上である、太陽電池用の導電ペースト。
- 請求項2記載の太陽電池用の導電ペーストにおいて、前記テルル合金化合物は、テルル化鉛、テルル化亜鉛、テルル化銀、又はそれらの組合せを含む、太陽電池用の導電ペースト。
- 請求項1記載の太陽電池用の導電ペーストにおいて、前記ガラスの材料は、酸化テルル、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化ケイ素、又はそれらの組合せを含む、太陽電池用の導電ペースト。
- 請求項1記載の太陽電池用の導電ペーストにおいて、太陽電池用の導電ペーストの総重量に基づいて、前記ガラスの量は0.01重量%〜7重量%であり、またテルル合金化合物の量は0.01重量%〜5重量%である、太陽電池用の導電ペースト。
- 請求項4記載の太陽電池用の導電ペーストにおいて、前記ガラスの材料は、酸化テルル、酸化ビスマス、及び酸化亜鉛含み、また太陽電池用の導電ペーストの総重量に基づいて、テルル合金化合物の量は0.01重量%〜3.5重量%である、太陽電池用の導電ペースト。
- 請求項4記載の太陽電池用の導電ペーストにおいて、前記ガラスの材料は、酸化鉛及び酸化テルルを含み、また太陽電池用の導電ペーストの総重量に基づいて、テルル合金化合物の量は0.25重量%〜4重量%である、太陽電池用の導電ペースト。
- 請求項4記載の太陽電池用の導電ペーストにおいて、前記ガラスの材料は、酸化テルル、酸化ビスマス及び酸化ケイ素を含み、また太陽電池用の導電ペーストの総重量に基づいて、テルル合金化合物の量は0.25重量%〜3.5重量%である、太陽電池用の導電ペースト。
- 請求項4記載の太陽電池用の導電ペーストにおいて、前記ガラスの材料は、酸化鉛及び酸化ビスマスを含み、また太陽電池用の導電ペーストの総重量に基づいて、テルル合金化合物の量は0.5重量%〜3重量%である、太陽電池用の導電ペースト。
- 請求項1記載の太陽電池用の導電ペーストによって形成した電極を備える、太陽電池。
- 請求項1記載の太陽電池用の導電ペーストを使用して前記太陽電池の電極を形成する太陽電池製造方法。
- 請求項10記載の太陽電池又は請求項11記載の太陽電池製造方法によって形成した太陽電池を備える、太陽電池モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106114170A TWI638793B (zh) | 2017-04-28 | 2017-04-28 | 用於太陽能電池的導電漿、太陽能電池及其製造方法以及太陽能電池模組 |
TW106114170 | 2017-04-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018190967A true JP2018190967A (ja) | 2018-11-29 |
Family
ID=62044545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018078588A Pending JP2018190967A (ja) | 2017-04-28 | 2018-04-16 | 太陽電池用の導電ペースト、太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10923608B2 (ja) |
EP (1) | EP3396680B1 (ja) |
JP (1) | JP2018190967A (ja) |
TW (1) | TWI638793B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021193736A1 (ja) | 2020-03-26 | 2021-09-30 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀粉およびその製造方法、並びに導電性ペースト |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102238252B1 (ko) * | 2019-10-24 | 2021-04-09 | 주식회사 베이스 | 글라스 프릿 및 이를 포함하는 태양전지 전극용 페이스트 조성물 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002141520A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
WO2010016186A1 (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | 京都エレックス株式会社 | 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法 |
JP2013534023A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-29 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−ホウ素−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
KR20140017052A (ko) * | 2012-07-27 | 2014-02-11 | 주식회사 휘닉스소재 | 페이스트 조성물, 및 이를 포함하는 태양 전지용 전극 및 태양 전지 |
US20140290735A1 (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | Sang Hee Park | Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same |
KR101452966B1 (ko) * | 2014-04-15 | 2014-10-23 | 덕산하이메탈(주) | 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
JP2014207312A (ja) * | 2013-04-12 | 2014-10-30 | 株式会社村田製作所 | 太陽電池セル用導電性ペースト、太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュール |
US20150318419A1 (en) * | 2014-05-05 | 2015-11-05 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste used for solar cell electrodes and method of manufacturing the solar cell electrodes |
JP2016110973A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | 碩禾電子材料股▲ふん▼有限公司 | 鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト |
JP2017010628A (ja) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | ナミックス株式会社 | 導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
WO2017100516A1 (en) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | Sun Chemical Corporation | Silver conductive paste composition |
WO2017125710A1 (en) * | 2016-01-20 | 2017-07-27 | Johnson Matthey Public Limited Company | Conductive paste, method, electrode and solar cell |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5183784A (en) * | 1990-02-21 | 1993-02-02 | Johnson Matthey Inc. | Silver-glass pastes |
JP5690780B2 (ja) | 2012-07-18 | 2015-03-25 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | Ag電極形成用ペースト組成物とその製造方法ならびに太陽電池 |
WO2014117409A1 (zh) | 2013-02-04 | 2014-08-07 | 深圳首创光伏有限公司 | 晶体硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法 |
JP6114389B2 (ja) | 2013-11-20 | 2017-04-12 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 導電性組成物の製造方法 |
JP6242198B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2017-12-06 | 京都エレックス株式会社 | 半導体デバイスの導電膜形成用導電性ペースト、および半導体デバイス、並びに半導体デバイスの製造方法 |
JP5903424B2 (ja) | 2013-12-21 | 2016-04-13 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用導電性ペースト組成物およびその製造方法 |
KR20150121603A (ko) | 2014-04-21 | 2015-10-29 | 덕산하이메탈(주) | 금속입자 |
JP5998178B2 (ja) | 2014-06-05 | 2016-09-28 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池受光面電極用ペースト、その製造方法、および太陽電池セルの製造方法 |
KR101696985B1 (ko) | 2014-12-30 | 2017-01-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
CN104575669A (zh) | 2015-01-21 | 2015-04-29 | 浙江中希电子科技有限公司 | 一种太阳能电池背面银浆及其制备方法 |
-
2017
- 2017-04-28 TW TW106114170A patent/TWI638793B/zh active
-
2018
- 2018-03-30 US US15/940,976 patent/US10923608B2/en active Active
- 2018-04-16 JP JP2018078588A patent/JP2018190967A/ja active Pending
- 2018-04-20 EP EP18168445.7A patent/EP3396680B1/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002141520A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
WO2010016186A1 (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | 京都エレックス株式会社 | 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法 |
JP2013534023A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-29 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−ホウ素−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
KR20140017052A (ko) * | 2012-07-27 | 2014-02-11 | 주식회사 휘닉스소재 | 페이스트 조성물, 및 이를 포함하는 태양 전지용 전극 및 태양 전지 |
US20140290735A1 (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | Sang Hee Park | Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same |
JP2014207312A (ja) * | 2013-04-12 | 2014-10-30 | 株式会社村田製作所 | 太陽電池セル用導電性ペースト、太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュール |
KR101452966B1 (ko) * | 2014-04-15 | 2014-10-23 | 덕산하이메탈(주) | 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
US20150318419A1 (en) * | 2014-05-05 | 2015-11-05 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste used for solar cell electrodes and method of manufacturing the solar cell electrodes |
JP2016110973A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | 碩禾電子材料股▲ふん▼有限公司 | 鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト |
JP2017010628A (ja) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | ナミックス株式会社 | 導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
WO2017100516A1 (en) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | Sun Chemical Corporation | Silver conductive paste composition |
WO2017125710A1 (en) * | 2016-01-20 | 2017-07-27 | Johnson Matthey Public Limited Company | Conductive paste, method, electrode and solar cell |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021193736A1 (ja) | 2020-03-26 | 2021-09-30 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀粉およびその製造方法、並びに導電性ペースト |
KR20220153572A (ko) | 2020-03-26 | 2022-11-18 | 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 은 분말 및 그 제조 방법, 그리고 도전성 페이스트 |
US11819914B2 (en) | 2020-03-26 | 2023-11-21 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Silver powder, method for producing the same, and conductive paste |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3396680A1 (en) | 2018-10-31 |
TW201838946A (zh) | 2018-11-01 |
EP3396680B1 (en) | 2023-12-27 |
US20180315868A1 (en) | 2018-11-01 |
TWI638793B (zh) | 2018-10-21 |
US10923608B2 (en) | 2021-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6067726B2 (ja) | 導電性ペースト及び太陽電池 | |
CN108431964B (zh) | 用于太阳能电池正面电极的浆料组合物及利用该浆料组合物的太阳能电池 | |
JP6084249B2 (ja) | 鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト | |
TWI631088B (zh) | 玻璃熔料組成物、膏糊、以及使用其之太陽能電池 | |
TW201517059A (zh) | 用於太陽能電池之導電漿及其製造方法 | |
KR20140119248A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
CN104157328A (zh) | 一种硅太阳能电池正面电极银浆及其制备方法 | |
KR101716525B1 (ko) | 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
JP6039731B2 (ja) | 鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト | |
CN107258002B (zh) | 银糊组合物、使用其形成的太阳能电池的前电极以及采用其的太阳能电池 | |
JP2015119176A (ja) | 太陽電池電極形成用組成物およびこれにより製造された電極 | |
JP5937689B2 (ja) | 導電性ペースト及び太陽電池 | |
JP6137852B2 (ja) | 太陽電池の電極形成用導電性ペースト | |
JP6067727B2 (ja) | 導電性ペースト及び太陽電池 | |
JP2018190967A (ja) | 太陽電池用の導電ペースト、太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール | |
CN108806828B (zh) | 用于太阳能电池的导电浆、太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块 | |
KR20170064570A (ko) | 태양전지용 전극 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 | |
KR102018364B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
JP6940166B2 (ja) | P型太陽電池電極形成用組成物、これを用いて製造された電極及びp型太陽電池 | |
US20190284089A1 (en) | Solar cell electrode conductive paste composition, and solar cell comprising electrode manufactured by using same | |
KR20200040626A (ko) | 태양전지 전극 형성 방법, 이로부터 제조된 태양전지 전극 및 태양전지 | |
KR102326611B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
KR20170066716A (ko) | 태양전지용 전극 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 | |
KR20190045758A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
TW201941443A (zh) | 用於太陽能電池電極的組成物及使用其製備的電極 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180427 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180611 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190826 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200121 |