CN114409248B - 一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用 - Google Patents
一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114409248B CN114409248B CN202210009639.0A CN202210009639A CN114409248B CN 114409248 B CN114409248 B CN 114409248B CN 202210009639 A CN202210009639 A CN 202210009639A CN 114409248 B CN114409248 B CN 114409248B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductive paste
- silicon
- tellurium
- loss
- lithium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical class CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 claims description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical class [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Chemical class C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N Dimethyl adipate Chemical compound COC(=O)CCCCC(=O)OC UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Chemical class O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 claims description 2
- 229920002125 Sokalan® Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940053200 antiepileptics fatty acid derivative Drugs 0.000 claims description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 claims description 2
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M hexadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000005011 phenolic resin Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920001225 polyester resin Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004645 polyester resin Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920005749 polyurethane resin Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000003760 tallow Substances 0.000 claims description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 2
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 claims description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Chemical class OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 abstract description 7
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 27
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 2
- 238000007603 infrared drying Methods 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006283 Si—O—H Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
- C03C8/12—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead containing titanium or zirconium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
- C03C3/074—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/12—Silica-free oxide glass compositions
- C03C3/122—Silica-free oxide glass compositions containing oxides of As, Sb, Bi, Mo, W, V, Te as glass formers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/16—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低热损的碲‑锂‑硅‑锆体系玻璃料及其导电浆料与应用，属于导电浆料领域。本发明的低热损的碲‑锂‑硅‑锆体系玻璃料，所述玻璃料的成分为24％～40％TeO2、18％～24％Li2O、4％～13％SiO2、0～2％ZrO2，余量为MOx，M为Na，K，Mg，Ca，Sr，Ti，V，Cr，Mo，W，Mn，Cu，Ag，Zn，Cd，B，Al，Ga，Tl，Ge，Pb，P，Bi中的一种或者几种混合物。本发明中无需添加额外的表面活性剂，制备得到的导电浆料放置30天后导电浆料的粘度变化<20％，具有良好的稳定性，其无机氧化水失重小于1.6％，甚至小于1.4％，且放置30天后不会影响其应用性能。
Description
技术领域
本发明涉及用于印刷具有一个或多个钝化层的光伏太阳能电池装备的表面的导电浆料，具体涉及一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用，导电浆料包括导电金属，有机载体，以及碲-锂-硅-锆氧化物，属于导电浆料领域。
背景技术
常规的P型(或N型)太阳能电池的基底为P型(或N型)结构。在太阳光照射到P型或N型电池的时候，P型电池正面为负极，背面为正极，而N型电池背面为负极，正面为正极。当光子入射到半导体的p-n结的时候，会激发电子-空穴对载流子的产生。这些电子空穴对载流子在p-n结所产生的电场下迁移，并通过电池表面的电极网络收集，流向外部电路。大多数太阳能电池的硅晶片表面有一层或多层钝化层。导电浆料通过丝网印刷涂敷在硅晶片表面的钝化层上，在导电浆料烧结以后，穿透此钝化层，在太阳能电池表面形成导电电极，导通硅晶片和电池的表面电极网络。
在制作导电浆料时，首先将金属、无机氧化物和载体按配方的比例称量，用混料搅拌器将导电浆料的原材料搅拌混合均匀，再使用三辊磨反复混合导电浆料，利用三辊磨的辊与辊之间的剪切力将导电浆料进一步混合均匀即可。导电浆料一般需要三个月到六个月的存储和运输时间后才会被打印并涂敷在晶硅片上。导电浆料的粘度值是确保导电浆料成功打印的一种重要参数。在存储和运输当中，导电浆料需要保持一个稳定的粘度值。如果粘度升高，会在打印时造成金属电极虚印、断线，或是浆料高低起伏。从而降低太阳能电池的光电转换效率。如果粘度降低，会在打印时造成金属电极扩宽、高度降低，也会减低太阳能点至的转换效率。
导电浆料中的无机氧化物通常由网络形成体和网络修饰体组成。网络形成体以氧化硅和氧化碲为例。硅与硅之间，碲与碲之间通过桥氧链接在一起，结构式为≡Si-O-Si≡和≡Te-O-Te≡。在无机氧化物表面，网络结构断裂开来，最外层原子有两种情况，一种是O，一种是Si(或Te)，形成≡Si-O-+≡Si+，或是≡Te-O-+≡Te+。在无机氧化物加工或存储当中，会接触到水，或空气中的水汽。H2O会分解成为H++OH-，与无机氧化物表面的原子结合，发生以下过程：≡Si-O-+H+→≡Si-OH，≡Si++OH-→≡Si-OH，≡Te-O-+H+→≡Te-OH，≡Te++OH-→≡Te-OH，从而导致无机氧化物表面覆盖一层羟基。
导电浆料中的无机氧化物的网络修饰体有碱金属、碱土金属以及其他元素。以Na2O为例，以游离在网络之外的Na+形式存在。同样的，在无机氧化物加工或存储当中，如果遇到水或空气中的水汽，在无机氧化物表面，Na+被水汽中的H+离子置换出来，即，≡Si-O-Na+H2O→≡Si-O-H+NaOH。产生的NaOH进一步与空气中的CO2反应，生成Na2CO3和H2O。而NaOH和Na2CO3会和H2O进一步水合，形成NaOH·(H2O)m和Na2CO3·(H2O)n，其中，m可以是1，n可以是1,1.5,2,4,6,7,10。同样的碱金属Li、K，以及其他金属氧化物也会同样形成各种水合氧化物。此外，H2O也可以以水合物以外的其他形式包裹在无机氧化物外。在浆料中，各种形式的H2O会增加碱金属离子活性，从而影响到无机体系的稳定性，从而影响浆料的粘度变化。
为了解决浆料长期储存稳定性，以保证印刷时的浆料良好的过墨性，以保证印刷后无虚印、无短线，专利公开CN113362983A加入了几种特定分散剂，以及优选有机溶剂和树脂的方法。这几种分散剂可以促使导电浆料中的粉料具有更佳的分散效果，进而更好地平衡浆料中各成分的性能，使各组分发挥更好的功效。因此浆料有良好的长期储存稳定性。
但是，如何在不添加其他分散剂的情况下保持导电浆料的长期储存稳定性仍具有一定的挑战。尤其是在运输途中环境的高温低温环境下，浆料的黏度变化更为加速。长期稳定的浆料黏度，可以保证其的稳定印刷效果，使太阳能电池达到最佳光电转换效率。
发明内容
为了提高导电浆料的长期储存稳定性，本发明提供了一种低热损碲-锂-硅-锆导电浆料的制备方法，以及一种低热损的碲-锂-硅-锆体系导电浆料，本发明制备得到的导电浆料放置30天后导电浆料的粘度变化<20％，具有良好的稳定性，其无机氧化水失重小于1.6％，甚至小于1.4％，且放置30天后不会影响其应用性能。
为了实现上述目的，本发明首先提供了一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料，所述玻璃料的成分为：
Tea-Lib-Sic-Zrd-Me-Of (I)
其中，0<a<0.8，0<b<0.5，0.01<c<0.4，0<d<0.1，M为Na，K，Mg，Ca，Sr，Ti，V，Cr，Mo，W，Mn，Cu，Ag，Zn，Cd，B，Al，Ga，Tl，Ge，Pb，P，Bi中的一种或者几种混合物。
在本发明的一种实施方式中，所述玻璃料的组成，以mol％计，包括24％～40％TeO2、18％～24％Li2O、4％～13％SiO2、0～2％ZrO2，余量为MOx。
在本发明的一种实施方式中，所述玻璃料的组成，以mol％计，优选包括28～40％TeO2、18～20％Li2O、12～13％SiO2、0.2～2％ZrO2，余量为MOx。
在本发明的一种实施方式中，所述玻璃料组成，以mol％计，优选为40％TeO2、20％Li2O、12％SiO2、0.2％ZrO2，27.8％MOx。
在本发明的一种实施方式中，所述玻璃料组成，以mol％计，优选为28％TeO2、18％Li2O、13％SiO2、0.5％ZrO2，41％MOx。
在本发明的一种实施方式中，所述玻璃料组成，以mol％计，优选为40％TeO2、20％Li2O、12％SiO2、2％ZrO2，26％MOx。
本发明还提供了一种低热损的导电浆料，基于所述导电浆料的重量，包括84％～94％的导电金属、0.1～9％上述低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料和5～15％有机载体。
在本发明的一种实施方式中，所述导电金属为银、金、铂、铑、铜、镍、铝中的任一种或几种。
在本发明的一种实施方式中，所述导电金属优选为银。
在本发明的一种实施方式中，所述有机载体是基于一种或多种溶剂，优选有机载体的溶液、乳液或分散体，其确保导电浆料的成分以溶解、乳化或分散的形式存在。优选的有机载体是在导电浆料内提供最佳成分稳定性并赋予导电浆料粘度以允许有效的行印刷性的那些物质。
在本发明的一种实施方式中，所述有机载体包括有机粘结剂、有机溶剂、触变剂、表面活性剂等。
在本发明的一种实施方式中，所述有机粘结剂选自乙基纤维素、聚丙烯酸、酚醛树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂、聚碳酸酯、松香衍生物及其任意组合中的一种或多种；所述有机溶剂选自卡必醇、萜品醇、己基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、己二酸二甲酯、丁基卡必醇的一种或其任意组合等；所述触变剂选自蓖麻油衍生物、聚酰胺、聚酰胺衍生物、热解法二氧化硅、羧酸衍生物、脂肪酸衍生物的一种或其任意组合等；所述表面活性剂选自聚氧化乙烯、苯并三唑、聚乙二醇、牛脂二胺二油酸盐、有机硅油、聚(乙二醇)乙酸、亚油酸、硬脂酸、月桂酸、油酸、癸酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸盐、棕榈酸脂的一种或任意组合。
在本发明的一种实施方式中，所述低热损的碲-锂-硅体系玻璃料重量为导电浆料的0.5～5％。
本发明还提供了上述导电浆料的制备方法，所述方法包括：将有机载体混合均匀，之后将玻璃粉末和导电金属粉加入有机载体中，充分搅拌后形成混合物，用三辊研磨机反复辗压此糊剂组合物，研磨成导电浆料。
本发明还提供了太阳能电池器件，所述器件包含上述低热损的碲-锂-硅体系玻璃料或上述低热损的导电浆料。
本发明还提供了上述低热损的碲-锂-硅体系玻璃料或上述低热损的导电浆料在太阳能利用领域的应用。
本发明相对于现有技术，具有以下的优点和效果：
本发明发现无机氧化物表面各种形式的水，包括水合物，羟基以及其他形式的水，影响导电浆料的长期稳定型。因此本发明通过以下手段来降低无机氧化物表面的水，其一，通过复配控制无机氧化物表面各种形式的水<1.6％重量比。其二，增加无机氧化物的SiO2，ZrO2含量，1％<SiO2<40％，0％<ZrO2<10％。高的SiO2含量和适量的ZrO2含量有助于有效降低无机氧化物表面的水。
本发明中无需添加额外的表面活性剂，过多的表面活性剂会显著降低浆料黏度，在印刷的时候会导致栅线外扩，从而增大遮光面积，降低光电转换效率。本发明避免引入过多的表面活性剂，从而保证较好的印刷性能和光电转换效率。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的描述，但本发明的实施方式不限于此。
为了提高导电浆料在存储和运输当中的粘度稳定性，本发明发现，使用表面有大量水合物、羟基(-OH)或其他形式H2O的无机氧化物原料，制成导电浆料以后，导电浆料的粘度不稳定，随着储存时间、环境温度、湿度的变化，导电浆料的粘度有较大的变化。因此需要降低无机氧化物表面的水合物、羟基以及其他形式的水。具体测试方法如下。
使用TGA-IR设备测试无机氧化物的水汽失重。将样品放入TGA-IR设备，样品在氮气环境下，由室温加热至500℃。TGA来测试样品重量变化，IR测试排除气体的红外光谱，确定样品重量变化来自样品表面蒸发，分解或反应生成的水汽。水汽失重需要控制在1.6％以内。
实验方法如下：
(1)无机氧化物：将金属氧化物按一定比例混合，将混合的组合物在约900～1300℃下熔融，然后骤冷至约25℃，然后使用行星式研磨机对所得材料进行粉碎，干燥，从而得到均匀的无机氧化物粉末(玻璃料)。
(2)导电浆料：将有机粘结剂、有机助剂、有机溶剂等有机载体混合，在50～60℃下以高剪切力搅拌1～2小时。将步骤(1)得到的无机氧化物粉末和银粉加入上述混合物，充分搅拌后形成混合物，用三辊研磨机反复辗压此糊剂组合物，研磨成导电浆料。
(3)粘度测试：使用Brookfield DV1黏度测试仪和转子SC 14，在25℃下，测量导电浆料粘度值。
(4)光电转换效率测试：通过丝网印刷技术，将导电浆料印刷到硅片基板上。将电池片在红外干燥炉中干燥，随后通过带式烧成炉中，于750～850℃下烧结。烧结后冷却，形成电池。使用IV测试仪测试电池效率。
实施例1
按照表1的配方将不同的金属氧化物按照一定比例进行混合，将混合的组合物在约900～1300℃下熔融，然后骤冷至约25℃，然后使用行星式研磨机对所得材料进行粉碎，干燥，从而得到均匀的无机氧化物粉末。之后再将0.6％用量(质量百分数，下同)的有机粘结剂乙基纤维素和聚乙烯醇缩丁醛(二者质量比为7:3)，0.4％用量的触变剂聚酰胺，0.5％用量的有机硅油，0.3％用量的表面活性剂牛脂二胺二油酸盐，6.4％用量的有机溶剂丁基卡必醇乙酸酯和己二酸二甲酯混合(二者质量比为5:5)，在50～60℃下以高剪切力搅拌1.5小时。将2.4％用量的无机氧化物粉末和89.4％用量的银粉加入上述混合物，充分搅拌后形成混合物。用三辊研磨机反复辗压此糊剂组合物，研磨成导电浆料。
再通过丝网印刷技术，将导电浆料印刷到硅片基板上。将电池片在红外干燥炉中干燥，随后通过带式烧成炉中，于750～850℃下烧结，烧结后冷却，形成电池。
根据上述测定粘度以及电池效率测试的方法测定30天的粘度变化以及电池效率，结果见表1。
以样品P1作为对比，可以发现，当样品P2～P5中加入组分SiO2的时，能够明显降低无机氧化物水失重以及30天内浆料的粘度变化率，且粘度变化率随着SiO2的含量增加而减少，说明SiO2的添加有助于有效降低无机氧化物表面的水。但当SiO2的含量为16％时，尽管导电浆料30天的粘度变化率更低，但是其光电转换效率较SiO2的含量为12％时有所下降。因此，为了兼顾粘度变化率和效率，SiO2的含量优选为12％。
表1样品P1-P5的配方(以mol％计)及其性能测试数据
实施例2
按照表2的配方将不同的金属氧化物按照一定比例进行混合，导电浆料和太阳能电池的制备方法同实施例1，测试结果见表2。
与样品P1相比，当样品P6～P10中增加了和氧化硅氧化锆时，最终得到的导电浆料的30天粘度变化明显降低，粘度变化较样品P1降低了39％～74％，同时，样品P6～P10的光电转换效率具有明显提升。尤其是样品P7，在保持光电转换效率的同时，30天粘度变化分别较样品P1和P4降低了73.9％和40.0％，即，样品P7能够在保持光电转换效率的情况下，显著提高了导电浆料的长期储存稳定性。
经过大量实验，发现，当玻璃料中含有包括24％～40％TeO2、18％～24％Li2O、4％～13％SiO2、0～2％ZrO2，余量为MOx(其中，M为Na，K，Mg，Ca，Sr，Ti，V，Cr，Mo，W，Mn，Cu，Ag，Zn，Cd，B，Al，Ga，Tl，Ge，Pb，P，Bi中的一种或者几种混合物)时，能够在实现显著提高导电浆料的长期储存稳定性的同时，提高太阳能电池的光电转换效率。更优选的玻璃料组成为28～40％TeO2、18～20％Li2O、12～13％SiO2、0.2～2％ZrO2，余量为MOx，得到的导电浆料30天的粘度变化率小于20％、无机氧化物水失重小于1.4％，光电转换效率大于22.90％。最优选的组成为样品P7：40％TeO2、20％Li2O、12％SiO2、2％ZrO2，26％MOx。
表2样品P6-P10的配方(以mol％计)及其性能测试数据
实施例3
按照表3的配方将不同的金属氧化物按照一定比例进行混合，导电浆料和太阳能电池的制备方法同实施例1，测试结果见表3。
可见，与样品P7相比，当样品P11中ZrO2含量过高时，虽然能够降低导电浆料的粘度变化，但是其光电转换效率较样品P7明显降低，且低于样品P1。与样品P7相比，样品P12中Li2O含量过低以及SiO2含量过高，虽然能够降低导电浆料的粘度变化，但是其光电转换效率较样品P7也有明显降低。可见，在组成在实施例2的范围内时才能实现导电浆料30天内粘度变化小且光电转换效率有明显提升的效果。
表3样品P11-P12的配方(以mol％计)及其性能测试数据
| 样品 | P11 | P12 |
| <![CDATA[TeO<sub>2</sub>]]> | 40％ | 32％ |
| <![CDATA[Li<sub>2</sub>O]]> | 20％ | 10％ |
| <![CDATA[SiO<sub>2</sub>]]> | 12％ | 20.0％ |
| <![CDATA[ZrO<sub>2</sub>]]> | 5％ | 1.5％ |
| PbO | 14％ | 25％ |
| <![CDATA[Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]]> | 3％ | 6％ |
| MgO | 2％ | 2％ |
| CaO | 4％ | 4％ |
| Total | 100％ | 100％ |
| 无机氧化物水失重 | 1.19％ | 1.27％ |
| 浆料粘度30天变化|Δη| | 11％ | 11％ |
| 光电转换效率 | 22.73％ | 22.79％ |
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，但其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术的人，在不脱离本发明的精神和范围内，都可做各种的改动与修饰，因此本发明的保护范围应该以权利要求书所界定的为准。
Claims (8)
1.一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料，其特征在于，所述玻璃料的成分为：
Tea-Lib-Sic-Zrd-Me-Of(I)
其中，M为Mg，Ca，Pb，Bi的混合物，所述玻璃料的组成，以mol％计，为40％TeO2、20％Li2O、12％SiO2、0.2％ZrO2、15.8％PbO、6％Bi2O3、2％MgO、4％CaO，或40％TeO2、20％Li2O、12％SiO2、2％ZrO2、15％PbO、5％Bi2O3、2％MgO、4％CaO。
2.一种低热损的导电浆料，其特征在于，基于所述导电浆料的重量，包括84％～94％的导电金属、0.1～9％权利要求1所述的一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料和5～15％有机载体。
3.根据权利要求2所述的一种低热损的导电浆料，其特征在于，所述导电金属为银、金、铂、铑、铜、镍、铝中的任一种或几种。
4.根据权利要求2或3所述的一种低热损的导电浆料，其特征在于，所述有机载体包括有机粘结剂、有机溶剂、触变剂、表面活性剂。
5.根据权利要求4所述的一种低热损的导电浆料，其特征在于，所述有机粘结剂选自乙基纤维素、聚丙烯酸、酚醛树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂、聚碳酸酯、松香衍生物及其任意组合中的一种或多种；所述有机溶剂选自卡必醇、萜品醇、己基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、己二酸二甲酯、丁基卡必醇及其任何组合及其任意组合；所述触变剂选自蓖麻油衍生物、聚酰胺、聚酰胺衍生物、热解法二氧化硅、羧酸衍生物、脂肪酸衍生物及其任何组合及其任意组合；所述表面活性剂选自聚氧化乙烯、苯并三唑、聚乙二醇、牛脂二胺二油酸盐、有机硅油、聚(乙二醇)乙酸、亚油酸、硬脂酸、月桂酸、油酸、癸酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸盐、棕榈酸脂及其任意组合。
6.权利要求2～5任一项所述的低热损的导电浆料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将有机载体混合均匀，之后将权利要求1所述的一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料和导电金属粉加入有机载体中，充分搅拌后形成混合物，用三辊研磨机反复辗压此糊剂组合物，研磨成导电浆料。
7.一种太阳能电池器件，其特征在于，所述太阳能电池器件包含权利要求1所述的低热损的碲-锂-硅体系玻璃料或权利要求2～5任一项所述的低热损的导电浆料。
8.权利要求1所述的低热损的碲-锂-硅体系玻璃料或权利要求2～5任一项所述的低热损的导电浆料在太阳能利用领域的应用。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210009639.0A CN114409248B (zh) | 2022-01-06 | 2022-01-06 | 一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用 |
| US17/680,878 US11697612B2 (en) | 2022-01-06 | 2022-02-25 | Low LOI tellurium-lithium-silicon-zirconium frit system and conductive paste and application thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210009639.0A CN114409248B (zh) | 2022-01-06 | 2022-01-06 | 一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114409248A CN114409248A (zh) | 2022-04-29 |
| CN114409248B true CN114409248B (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=81271659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210009639.0A Active CN114409248B (zh) | 2022-01-06 | 2022-01-06 | 一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11697612B2 (zh) |
| CN (1) | CN114409248B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114409248B (zh) * | 2022-01-06 | 2023-04-07 | 江苏日御光伏新材料科技有限公司 | 一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009286673A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Ohara Inc | 光学ガラス、プリフォーム、及び光学素子 |
| CN110015851A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-07-16 | 北京大学深圳研究生院 | 一种用于制备太阳能电池银浆的玻璃粉及其应用 |
| CN111599506A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-08-28 | 常州聚和新材料股份有限公司 | 一种太阳能电池导电浆料、玻璃料及太阳能电池 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08115613A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-05-07 | Murata Mfg Co Ltd | 導電ペースト |
| US7736546B2 (en) * | 2008-01-30 | 2010-06-15 | Basf Se | Glass frits |
| JP5782112B2 (ja) * | 2010-05-04 | 2015-09-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ | 鉛およびテルル酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
| JP5698365B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2015-04-08 | ダウニア・ソーラー・セル・ソシエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータＤＡＵＮＩＡ ＳＯＬＡＲ ＣＥＬＬ Ｓ．ｒ．Ｌ． | 電子デバイスの調製に有用な低軟化温度をもつシール剤 |
| US20130049148A1 (en) * | 2011-02-22 | 2013-02-28 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
| US20130186463A1 (en) * | 2011-12-06 | 2013-07-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive silver paste for a metal-wrap-through silicon solar cell |
| CN103204632B (zh) * | 2012-01-14 | 2015-09-02 | 比亚迪股份有限公司 | 导电玻璃粉及其制备方法、晶体硅太阳能电池铝导电浆料及制备方法 |
| TWI594268B (zh) * | 2012-04-17 | 2017-08-01 | 賀利氏貴金屬北美康舍霍肯有限責任公司 | 用於導電膏組成物之無機反應系統 |
| US8900488B2 (en) * | 2012-09-06 | 2014-12-02 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
| CN106816199B (zh) * | 2017-01-23 | 2019-01-29 | 湖南省国银新材料有限公司 | 一种高方阻晶体硅太阳能电池正面电极银浆及其制备方法 |
| KR102060425B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2020-02-11 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이에 포함되는 유리 프릿, 그리고 태양 전지 |
| WO2019183934A1 (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 |
| WO2019183931A1 (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 |
| WO2019183932A1 (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 |
| JP2020083670A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | Ａｇｃ株式会社 | ガラス組成物、ガラス粉末、導電ペーストおよび太陽電池 |
| CN114409248B (zh) * | 2022-01-06 | 2023-04-07 | 江苏日御光伏新材料科技有限公司 | 一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用 |
-
2022
- 2022-01-06 CN CN202210009639.0A patent/CN114409248B/zh active Active
- 2022-02-25 US US17/680,878 patent/US11697612B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009286673A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Ohara Inc | 光学ガラス、プリフォーム、及び光学素子 |
| CN110015851A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-07-16 | 北京大学深圳研究生院 | 一种用于制备太阳能电池银浆的玻璃粉及其应用 |
| CN111599506A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-08-28 | 常州聚和新材料股份有限公司 | 一种太阳能电池导电浆料、玻璃料及太阳能电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220177356A1 (en) | 2022-06-09 |
| US11697612B2 (en) | 2023-07-11 |
| CN114409248A (zh) | 2022-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11043605B2 (en) | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices | |
| CN113409986B (zh) | 一种太阳能电池p+电极用银铝浆及太阳能电池 | |
| US20060231800A1 (en) | Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein | |
| JP2013514956A (ja) | 光起電力セル用の導体中に使用されるガラス組成物 | |
| AU2006201558A1 (en) | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices | |
| KR20140018072A (ko) | 납-바나듐계 산화물을 함유하는 후막 페이스트 및 반도체 소자의 제조에서의 그의 용도 | |
| US20110147677A1 (en) | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells | |
| EP2946854A1 (en) | Coated conductive metallic particles | |
| CN114409248B (zh) | 一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用 | |
| US20110315210A1 (en) | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells | |
| US20150243811A1 (en) | Silver-lead-silicate glass for electroconductive paste composition | |
| US20120312368A1 (en) | Thick film paste containing bismuth-based oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices | |
| CN114409249B (zh) | 一种硅-锂-铅体系及其导电浆料与制备方法 | |
| CN116313213A (zh) | 导电银铝浆、制备方法、电极及N型Topcon电池 | |
| CN114388172A (zh) | 一种硼硅玻璃浆料、选择性发射极及制备方法和应用 | |
| CN103222011A (zh) | 用于形成电极的银糊组合物以及使用其的硅太阳能电池 | |
| EP2476123A1 (en) | Conductors for photovoltaic cells | |
| EP2749546B1 (en) | An electro-conductive paste comprising elemental phosphorus in the preparation of electrodes in mwt solar cells | |
| CN115938640B (zh) | 一种耐醋酸的太阳能电池银浆及其制备方法 | |
| CN117843237A (zh) | 一种含锆高铅玻璃料、制备方法及银浆 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Yan Li Inventor after: Xu Song Inventor after: Tian Rui Inventor before: Xu Song Inventor before: Tian Rui |
|
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 214000 No. 8, Luzhong Road, Liangxi District, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee after: Jiangsu Riyu Photovoltaic New Materials Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 214000 No. 8, Luzhong Road, Liangxi District, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: Jiangsu riyu photovoltaic New Material Technology Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| CP03 | Change of name, title or address |