JP2020083670A - ガラス組成物、ガラス粉末、導電ペーストおよび太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極形成時にシリコン等の半導体基板上の反射防止膜やシリコン基板自体と適度に反応することが可能であり、かつ、ガラス自体の高導電性により太陽電池の変換効率を向上させることのできるガラス組成物、該ガラス組成物からなるガラス粉末、該ガラス粉末を含有する導電ペースト、および該導電ペーストを用いることで変換効率の向上した太陽電池を提供する。【解決手段】酸化物換算のモル%表示で、PbOを20〜45%、TeO2を10〜50%、SiO2を3〜30%、Bi2O3を1〜10%、B2O3を0.1〜10%、およびWO3を0.1〜5%含むガラス組成物および、該ガラス組成物からなり、累積粒度分布における体積基準の50%粒径をD50としたときに、D50が0.3〜3.0μmであるガラス粉末。【選択図】図2
Description
本発明は、ガラス組成物、ガラス粉末、導電ペーストおよび太陽電池に関し、特には太陽電池の電極形成用として好適なガラス組成物、ガラス粉末、これを用いた導電ペースト、および該導電ペーストにより形成された電極を有する太陽電池に関するものである。
従来、シリコン(Si)等の半導体基板の上に電極となる導電層を形成した電子デバイスが、種々の用途に使用されている。この電極となる導電層は、銀(Ag)やアルミニウム(Al)、銅(Cu)等の導電性金属粉末とガラス粉末を有機ビヒクル中に分散させた導電ペーストを、半導体基板上に塗布し、電極形成に必要な温度で焼成することにより形成されている。
半導体基板上に電極を形成する上記技術は、太陽電池におけるpn接合型の半導体基板上への電極形成にも適用されている。例えば、特許文献1には、太陽電池の受光面に反射防止膜を貫通して形成される電極に用いるガラスにおいて、反射防止膜の貫通性が良好であり、かつ電極形成時に太陽電池の変換効率を低下させにくい鉛系ガラスが記載されている。特許文献1には、具体的なガラス組成として、質量%で、PbOを60〜95%、B2O5を0〜10%、SiO2+Al2O3を1〜30%含有する組成が開示されている。
また、特許文献2には、低融点ガラスとしてPbOを含んだガラス組成物が記載されている。
また、特許文献2には、低融点ガラスとしてPbOを含んだガラス組成物が記載されている。
しかし、特許文献1に記載しているガラス組成物ではPbOの含有量が多すぎるために電極形成時にガラスがシリコン等の半導体基板上の反射防止膜やシリコン基板自体と反応し過ぎてしまい、電気特性が劣化してしまう問題がある。
また、特許文献2に記載のガラスはB2O3を多く含む。そのために、このガラスによりP型太陽電池の受光面側に電極を形成すると、受光面側のn型層に対してIII族元素であるホウ素が、少数キャリアとなってしまうので、不純物拡散層として十分に機能せず、太陽電池特性が安定しないという問題点があった。
また、特許文献2に記載のガラスはB2O3を多く含む。そのために、このガラスによりP型太陽電池の受光面側に電極を形成すると、受光面側のn型層に対してIII族元素であるホウ素が、少数キャリアとなってしまうので、不純物拡散層として十分に機能せず、太陽電池特性が安定しないという問題点があった。
太陽電池の電極形成に用いるガラス組成物については、特許文献1に記載された発明のように電極の形成性を向上させる技術が多く開発されている。しかしながら、電極形成に用いるガラス粉末、特には鉛系ガラスの粉末において、ガラスの組成や粉末の粒度分布を調整することで、形成される電極と半導体基板との電気抵抗を下げて、太陽電池の変換効率を向上させる技術は開発途上である。
本発明は、電極形成時にシリコン等の半導体基板上の反射防止膜やシリコン基板自体と適度に反応することが可能であるガラス組成物、該ガラス組成物からなるガラス粉末、該ガラス粉末を含有する導電ペースト、および該導電ペーストを用いることで変換効率の向上した太陽電池を提供することを目的とする。
本発明は以下の構成のガラス組成物、ガラス粉末、導電ペーストおよび太陽電池を提供する。
[1]酸化物換算のモル%表示で、PbOを20〜45%、TeO2を10〜50%、SiO2を3〜30%、Bi2O3を1〜10%、B2O3を0.1〜10%、およびWO3を0.1〜5%含むガラス組成物。
[2]さらに、酸化物換算のモル%表示でLi2Oを1〜15%含有する[1]に記載のガラス組成物。
[3]さらに、酸化物換算のモル%表示でMgOを0.1〜10%含有する[1]または[2]に記載のガラス組成物。
[4]さらに、酸化物換算のモル%表示でNa2Oを0.1〜5%含有する[1]〜[3]のいずれかに記載のガラス組成物。
[5]累積粒度分布における体積基準の50%粒径をD50としたときに、D50が0.3〜3.0μmである[1]〜[4]のいずれかに記載のガラス組成物からなるガラス粉末。
[6][5]記載のガラス粉末、導電性金属粉末、および有機ビヒクルを含有する導電ペースト。
[7][6]記載の導電ペーストを用いて形成された電極を備える太陽電池。
[8]金属、ガラス組成物、および有機ビヒクルを含む導電ペーストであって、金属は、導電ペーストの全質量に対して63.0質量%以上97.9質量%以下含まれ、Al、Ag、Cu、Au、PdおよびPtからなる群から選ばれる少なくとも1種を含み、ガラス組成物は、金属100質量部に対して0.1質量部以上9.8質量部以下含まれ、酸化物換算のモル%表示で、PbOを20〜45%、TeO2を10〜50%、SiO2を3〜30%、Bi2O3を1〜10%、B2O3を0.1〜10%、およびWO3を0.1〜5%含むガラス組成物を含み、有機ビヒクルは、導電ペーストの全質量に対して2質量%以上30質量%以下含まれる導電ペースト。
[12]太陽光受光面を有するシリコン基板と、シリコン基板の太陽光受光面に設けられた第1の絶縁膜と、シリコン基板の太陽光受光面とは反対側の面に設けられた、少なくとも一つの開口部を有する第2の絶縁膜と、第1の絶縁膜の一部を貫通してシリコン基板に接触する第1の電極と、シリコン基板に第2の絶縁膜の開口部を介して部分的に接触する第2の電極と、を備える太陽電池であって、第1の電極は、Al、Ag、Cu、Au、PdおよびPtからなる群から選択される少なくとも1種を含む金属と、酸化物換算のモル%表示で、PbOを20〜45%、TeO2を10〜50%、SiO2を3〜30%、Bi2O3を1〜10%、B2O3を0.1〜10%、およびWO3を0.1〜5%含むガラス組成物とを含む太陽電池。
[1]酸化物換算のモル%表示で、PbOを20〜45%、TeO2を10〜50%、SiO2を3〜30%、Bi2O3を1〜10%、B2O3を0.1〜10%、およびWO3を0.1〜5%含むガラス組成物。
[2]さらに、酸化物換算のモル%表示でLi2Oを1〜15%含有する[1]に記載のガラス組成物。
[3]さらに、酸化物換算のモル%表示でMgOを0.1〜10%含有する[1]または[2]に記載のガラス組成物。
[4]さらに、酸化物換算のモル%表示でNa2Oを0.1〜5%含有する[1]〜[3]のいずれかに記載のガラス組成物。
[5]累積粒度分布における体積基準の50%粒径をD50としたときに、D50が0.3〜3.0μmである[1]〜[4]のいずれかに記載のガラス組成物からなるガラス粉末。
[6][5]記載のガラス粉末、導電性金属粉末、および有機ビヒクルを含有する導電ペースト。
[7][6]記載の導電ペーストを用いて形成された電極を備える太陽電池。
[8]金属、ガラス組成物、および有機ビヒクルを含む導電ペーストであって、金属は、導電ペーストの全質量に対して63.0質量%以上97.9質量%以下含まれ、Al、Ag、Cu、Au、PdおよびPtからなる群から選ばれる少なくとも1種を含み、ガラス組成物は、金属100質量部に対して0.1質量部以上9.8質量部以下含まれ、酸化物換算のモル%表示で、PbOを20〜45%、TeO2を10〜50%、SiO2を3〜30%、Bi2O3を1〜10%、B2O3を0.1〜10%、およびWO3を0.1〜5%含むガラス組成物を含み、有機ビヒクルは、導電ペーストの全質量に対して2質量%以上30質量%以下含まれる導電ペースト。
[12]太陽光受光面を有するシリコン基板と、シリコン基板の太陽光受光面に設けられた第1の絶縁膜と、シリコン基板の太陽光受光面とは反対側の面に設けられた、少なくとも一つの開口部を有する第2の絶縁膜と、第1の絶縁膜の一部を貫通してシリコン基板に接触する第1の電極と、シリコン基板に第2の絶縁膜の開口部を介して部分的に接触する第2の電極と、を備える太陽電池であって、第1の電極は、Al、Ag、Cu、Au、PdおよびPtからなる群から選択される少なくとも1種を含む金属と、酸化物換算のモル%表示で、PbOを20〜45%、TeO2を10〜50%、SiO2を3〜30%、Bi2O3を1〜10%、B2O3を0.1〜10%、およびWO3を0.1〜5%含むガラス組成物とを含む太陽電池。
本発明のガラス組成物、および該ガラス組成物からなるガラス粉末は、これを導電性成分と共に導電ペーストに用いれば、電極形成時にガラス組成物がシリコン等の半導体基板上の反射防止膜やシリコン基板と適度に反応することから、太陽電池の変換効率を向上できる。
本発明のガラス組成物は、微粉化してガラス粉末とすることが可能であり、該ガラス粉末は十分に導電性ペースト中に分散できる。よって得られる導電性ペーストは、電子デバイスの導電性の安定化や電気特性の向上に寄与できる。このような導電性ペーストを用いれば、変換効率が高い太陽電池が得られる。
以下、本発明の実施形態について説明する。
<ガラス組成物>
本発明のガラス組成物は、酸化物換算のモル%表示で、PbOを20〜45%、TeO2を10〜50%、SiO2を3〜30%、Bi2O3を1〜10%、B2O3を0.1〜10%、およびWO3を0.1〜5%含むことを特徴とする。以下の説明において、特に断りのない限り、ガラス組成物の各成分の含有量における「%」の表示は、酸化物換算のモル%表示である。本明細書において、数値範囲を表す「〜」では、上下限を示す。
<ガラス組成物>
本発明のガラス組成物は、酸化物換算のモル%表示で、PbOを20〜45%、TeO2を10〜50%、SiO2を3〜30%、Bi2O3を1〜10%、B2O3を0.1〜10%、およびWO3を0.1〜5%含むことを特徴とする。以下の説明において、特に断りのない限り、ガラス組成物の各成分の含有量における「%」の表示は、酸化物換算のモル%表示である。本明細書において、数値範囲を表す「〜」では、上下限を示す。
本発明のガラス組成物における各成分の含有量は、得られたガラス組成物の誘導結合プラズマ(ICP-AES:Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectroscopy)分析、または電子線マイクロアナライザ(EPMA:Electron Probe Micro Analyzer)分析の結果から求められる。
本発明のガラス組成物は、PbO、TeO2、SiO2、Bi2O3、B2O3、およびWO3をそれぞれ上記特定量含有することで、シリコン等の半導体基板上の反射防止膜やシリコン基板と、電気特性を上げるのに必要な反応を実現できる。また、低温焼結化を実現できると共にガラス組成物の安定性を向上させることができる。
本発明のガラス組成物においてPbOは必須の成分である。PbOは反射防止膜やシリコン基板と反応することができ、かつ、ガラス組成物の軟化流動性を向上させる機能を有する。これにより、例えば本発明のガラス組成物を含有する導電性ペーストを用いて半導体基板等に電極を形成した場合、電極と基板等との電気抵抗を下げたり、接合強度を向上させたりすることができる。
本発明のガラス組成物は、PbOを20%以上45%以下の割合で含有する。PbOの含有量が20%未満であると、反射防止膜やシリコン基板との反応性が低下すると共に、ガラス転移温度が高くなるために流動性が低下する。この場合、例えば、上記のように電極を形成した場合の半導体基板等と電極との電気抵抗が上がったり、接合強度が十分とならなかったりする。PbOの含有量は好ましくは22%以上であり、より好ましくは25%以上である。一方、PbOの含有量が45%を超えると、結晶化によりガラス組成物が得られない。PbOの含有量は好ましくは43%以下であり、より好ましくは40%以下である。
本発明のガラス組成物においてTeO2は必須の成分である。TeO2は、反射防止膜やシリコン基板との反応性を向上させる成分である。本発明のガラス組成物は、TeO2を10%以上50%以下の割合で含有する。TeO2の含有量が10%未満であると、反射防止膜やシリコン基板との反応が不十分となる。TeO2の含有量は、好ましくは15%以上であり、より好ましくは20%以上である。TeO2の含有量が50%を超えると反射防止膜やシリコン基板と反応し過ぎたり、ガラス化しなくなったりする。TeO2の含有量は、好ましくは40%以下であり、より好ましくは35%以下である。
本発明のガラス組成物においてSiO2は必須の成分である。SiO2は、ガラス組成物の安定性を向上させる成分であり、反射防止膜やシリコン基板との反応性を調整する成分でもある。本発明のガラス組成物は、SiO2を3%以上30%以下の割合で含有する。SiO2の含有量が3%未満であると、ガラス化が困難となり、シリコン基板と反応し過ぎて受光面側のn型層を貫いてしまい太陽電池の変換効率が悪くなる。SiO2の含有量は、好ましくは4%以上であり、より好ましくは5%以上である。SiO2の含有量が25%を超えるとガラス転移点が高くなり流動性が低下すると共に反射防止膜やシリコン基板との反応性が低下する。SiO2の含有量は、好ましくは20%以下であり、より好ましくは18%以下である。
本発明のガラス組成物においてBi2O3は必須の成分である。本発明のガラス組成物は、Bi2O3を1%以上10%以下の割合で含有する。Bi2O3の含有量が1%未満であると、反射防止膜やシリコン基板との反応性が低下すると共に、ガラス転移温度が高くなるために流動性が低下する。Bi2O3の含有量は好ましくは2%以上であり、より好ましくは3%以上である。一方、Bi2O3の含有量が10%を超えると、結晶化によりガラス組成物が得られない。Bi2O3の含有量は好ましくは8%以下であり、より好ましくは6%以下である。
本発明のガラス組成物においてB2O3は必須の成分である。B2O3は、ガラス組成物の安定性を向上させる成分であり、流動性を向上させることができる。本発明のガラス組成物は、B2O3を0.1%以上10%以下の割合で含有する。B2O3の含有量が1%未満であると、ガラス化が困難となる。B2O3の含有量は、好ましくは0.5%以上であり、より好ましくは1%以上である。B2O3の含有量が25%を超えると受光面側のn型層に対してIII族元素であるホウ素が、少数キャリアとなり太陽電池の変換効率を低下させる。B2O3の含有量は、好ましくは8%以下であり、より好ましくは5%以下である。
本発明のガラス組成物においてWO3は必須の成分である。WO3は、ガラス組成物の電気伝導性を向上させる機能を有する。本発明のガラス組成物は、WO3を0.1%以上5%以下の割合で含有する。WO3の含有量が0.1%未満であると、十分な電気伝導性が得られない場合がある。WO3の含有量が5%を超えるとガラス転移温度が上がってしまい、焼結時に十分な流動性が得られない場合がある。WO3の含有量は、好ましくは4%以下である。
本発明のガラス組成物は、さらにLi2Oを含むことが好ましい。Li2Oは、ガラス組成物の電気伝導性を向上させるとともに、軟化流動性を向上させる機能を有する。Li2Oの含有量は、1%以上15%以下が好ましい。Li2Oの含有量が1%以上であると、十分な電気伝導性が得やすく、また、ガラス軟化点が高くなりにくいために流動性が得られやすい。Li2Oの含有量は、好ましくは、2%以上である。Li2Oの含有量が15%以下であるとガラス化が特に容易となる。Li2Oの含有量は、好ましくは12%以下である。
本発明のガラス組成物は、さらにMgOを含むことが好ましい。MgOは、ガラス組成物の安定性を向上させる。MgOの含有量は、0.1%以上10%以下が好ましい。MgOの含有量が0.1%以上であると、特に結晶化しにくい。MgOの含有量は、好ましくは、2%以上である。MgOの含有量が10%以下であるとガラス転移温度が上がりにくいため、焼結時に十分な流動性が得やすい。MgOの含有量は、好ましくは7%以下である。
本発明のガラス組成物は、さらにNa2Oを含むことが好ましい。Na2Oは、ガラス組成物の電気伝導性を向上させるとともに、軟化流動性を向上させる機能を有する。Na2Oの含有量は、0.1%以上5%以下が好ましい。Na2Oの含有量が0.1%以上であると、十分な電気伝導性が得られやすく、また、ガラス軟化点が高くなりにくいために流動性が得られやすい。Na2Oの含有量は、好ましくは、0.5%以上である。Na2Oの含有量が5%以下であるとガラス化が特に容易となる。Na2Oの含有量は、好ましくは3%以下である。
本発明のガラス組成物は、さらにその他の任意成分を含んでもよい。その他の任意成分の例としては、Ag2O、Al2O3、As2O5、Sb2O5、Ga2O3、In2O3、CaO、SrO、BaO、K2O、ZrO2、FeO、Fe2O3、CuO、Sb2O3、SnO、SnO2、V2O5、MnO、MnO2、CeO2、Cr2O3、TiO2等の通常ガラス組成物に用いられる各種酸化物成分が挙げられる。
これら、その他の任意成分は、目的に応じて、1種が単独で、または2種以上が組み合せて用いられる。その他の任意成分の含有量は、各成分について48%以下が好ましく、40%以下がより好ましい。さらに、その他の任意成分の合計含有量は48%以下が好ましく、40%以下がより好ましい。
本発明のガラス組成物の製造方法は、特に限定されない。例えば、以下に示す方法で製造できる。
まず、原料混合物を準備する。原料は、通常の酸化物系のガラス組成物の製造に用いる原料であれば特に限定されず、酸化物や炭酸塩等を用いることができる。得られるガラス組成物が上記組成範囲となるように原料の種類および割合を適宜調整して原料混合物とする。
次に、原料混合物を公知の方法で加熱して溶融物を得る。加熱溶融する温度(溶融温度)は、800〜1400℃が好ましく、900〜1300℃がより好ましい。加熱溶融する時間は、30〜300分が好ましい。
その後、溶融物を冷却し固化することにより、本発明のガラス組成物を得ることができる。冷却方法は特に限定されない。ロールアウトマシンやプレスマシンを使用してもよく、また、冷却液体への滴下等により急冷する方法をとることもできる。得られるガラス組成物は完全に非晶質である、すなわち結晶化度が0%であることが好ましい。ただし、本発明の効果を損なわない範囲であれば、結晶化した部分を含んでいてもよい。
こうして得られる本発明のガラス組成物は、いかなる形態であってもよい。例えば、ブロック状、板状、薄い板状(フレーク状)、粉末状等であってもよい。
本発明のガラス組成物は、結合剤としての機能を有するとともに、導電性を有しており導電性ペーストに用いることが好ましい。本発明のガラス組成物を含有する導電性ペーストは導電性が高く、例えば、太陽電池の電極形成に好適に用いられる。本発明のガラス組成物を導電ペーストに含有させる場合、ガラス組成物は粉末であることが好ましい。
<ガラス粉末>
本発明のガラス粉末は、本発明のガラス組成物からなり、D50が0.3μm以上3.0μm以下であるのが好ましい。このD50の範囲は、導電ペーストに用いるのに特に好ましい範囲である。D50が0.3μm以上であることで、導電ペーストとした際の分散性がより向上する。また、D50が3.0μm以下であることで、導電性金属粉末の周りにガラス粉末が存在しない個所が発生しにくいため、電極と半導体基板等との接着性がより向上する。本発明のガラス粉末のD50は、より好ましくは、0.5μm以上である。また、本発明のガラス粉末のD50は、より好ましくは、2.5μm以下である。
本発明のガラス粉末は、本発明のガラス組成物からなり、D50が0.3μm以上3.0μm以下であるのが好ましい。このD50の範囲は、導電ペーストに用いるのに特に好ましい範囲である。D50が0.3μm以上であることで、導電ペーストとした際の分散性がより向上する。また、D50が3.0μm以下であることで、導電性金属粉末の周りにガラス粉末が存在しない個所が発生しにくいため、電極と半導体基板等との接着性がより向上する。本発明のガラス粉末のD50は、より好ましくは、0.5μm以上である。また、本発明のガラス粉末のD50は、より好ましくは、2.5μm以下である。
なお、本明細書において、「D50」は、累積粒度分布における体積基準の50%粒径を示し、具体的には、レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置を用いて測定した粒径分布の累積粒度曲線において、積算量が体積基準で50%となる粒径である。
本発明のガラス粉末は、本発明のガラス組成物を、例えば、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって上記特定の粒度分布となるように粉砕することにより得ることができる。
本発明のガラス粉末を得るためのガラスの粉砕方法は、例えば、適当な形状のガラス組成物を乾式粉砕した後、湿式粉砕する方法が好ましい。乾式粉砕および湿式粉砕は、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機を用いて行うことができる。粒度分布の調整は、例えば、各粉砕における粉砕時間や、ボールミルのボールの大きさ等粉砕機の調整によって行うことができる。湿式粉砕法の場合、溶媒として水を用いることが好ましい。湿式粉砕の後、乾燥等により水分を除去して、ガラス粉末が得られる。ガラス粉末の粒径を調整するために、ガラスの粉砕に加えて、必要に応じて分級を行ってもよい。
<導電ペースト>
本発明の導電ペーストは、金属と、上記の本発明のガラス組成物と、有機ビヒクルを含有する。
本発明の導電ペーストは、金属と、上記の本発明のガラス組成物と、有機ビヒクルを含有する。
本発明の導電ペーストが含有する金属としては、例えば導電性金属粉末が用いられる。導電性金属粉末としては半導体基板や絶縁性基板等の回路基板(積層電子部品を含む)上に形成される電極に通常用いられる金属の粉末が特に制限なく用いられる。導電性金属粉末として、具体的には、Al、Ag、Cu、Au、PdおよびPtからなる群から選ばれる少なくとも1種を含む粉末等が挙げられ、これらのうちでも、生産性の点からAg粉末が好ましい。凝集が抑制され、かつ、均一な分散性が得られる観点から導電性金属粉末のD50は、0.3μm以上10μm以下が好ましい。
本発明の導電ペーストにおける金属の含有量は、導電ペーストの全質量に対して63.0質量%以上97.9質量%以下が好ましい。
金属の含有量が導電ペーストの全質量に対して63.0質量%以上であると、金属の電気伝導性を保持させながら、導電ペーストとして電気抵抗が上がることを防ぐことができる。金属の含有量はより好ましくは導電ペーストの全質量に対して70.0質量%以上である。また、金属の含有量が導電ペーストの全質量に対して97.9質量%以下であると、導電ペーストにおけるガラス組成物の含有量が十分に確保されるため、半導体基板や絶縁性基板などの回路基板に電極として良好に接着できる。金属の含有量はより好ましくは導電ペーストの全質量に対して95.0質量%以下である。
本発明の導電ペーストにおける金属の含有量は、導電ペーストの全質量に対して63.0質量%以上97.9質量%以下が好ましい。
金属の含有量が導電ペーストの全質量に対して63.0質量%以上であると、金属の電気伝導性を保持させながら、導電ペーストとして電気抵抗が上がることを防ぐことができる。金属の含有量はより好ましくは導電ペーストの全質量に対して70.0質量%以上である。また、金属の含有量が導電ペーストの全質量に対して97.9質量%以下であると、導電ペーストにおけるガラス組成物の含有量が十分に確保されるため、半導体基板や絶縁性基板などの回路基板に電極として良好に接着できる。金属の含有量はより好ましくは導電ペーストの全質量に対して95.0質量%以下である。
導電ペーストが含有する本発明のガラス組成物は、好ましくは本発明のガラス粉末である。導電ペーストにおけるガラス組成物の含有量は、例えば、金属100質量部に対して0.1質量部以上9.8質量部以下とすることが好ましい。ガラス組成物の含有量が0.1質量部以上であると、金属の周りをガラス析出物で覆うことが容易となる。また、電極と半導体基板や絶縁性基板等の回路基板との接着性が向上する。一方、ガラス組成物の含有量が9.8質量部以下であると、金属が焼結しすぎることによる、ガラス浮き等が発生しにくくなる。金属100質量部に対するガラス組成物の含有量は、より好ましくは0.5質量部以上5質量部以下である。
導電ペーストが含有する有機ビヒクルとしては、有機樹脂バインダーを溶媒に溶解して得られる有機樹脂バインダー溶液を用いることができる。
有機ビヒクルに用いる有機樹脂バインダーとしては、例えばメチルセルロース、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、オキシエチルセルロース、ベンジルセルロース、プロピルセルロース、ニトロセルロース等のセルロース系樹脂、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ブチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、ブチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート等のアクリル系モノマーの1種以上を重合して得られるアクリル系樹脂等の有機樹脂が用いられる。有機樹脂バインダーとしては、これらの樹脂を単独で用いてもよく、複数種用いてもよい。
有機ビヒクルに用いる溶媒としては、有機樹脂バインダーがセルロース系樹脂の場合はジエチレングリコールモノブチルエーテル、ターピネオール、ブチルジグリコールアセテート、エチルジグリコールアセテート、プロピレングリコールジアセテート等の溶媒が、有機樹脂バインダーがアクリル系樹脂の場合はジエチレングリコールモノブチルエーテル、メチルエチルケトン、ターピネオール、ブチルジグリコールアセテート、エチルジグリコールアセテート、プロピレングリコールジアセテート等の溶媒が好ましく用いられる。溶媒としては、これらを単独で用いてもよく、複数種用いてもよい。
有機ビヒクルにおける有機樹脂バインダーと溶媒の割合は、特に制限されないが、得られる有機樹脂バインダー溶液が導電ペーストの粘度を調整できる粘度となるように選択される。具体的には、有機樹脂バインダー:溶媒で示す質量比が、3:97〜15:85程度が好ましい。
導電ペーストにおける有機ビヒクルの含有量は、導電ペースト全量に対して2質量%以上30質量%以下であることが好ましい。有機ビヒクルの含有量が2質量%以上であると、導電ペーストの粘度が適切な範囲になりやすく、導電ペーストの印刷等の塗布性が向上し、良好な導電層(電極)を形成することが容易である。また、有機ビヒクルの含有量が30質量%以下であると、導電ペーストの固形分の含有割合が高くなるので、十分な塗布膜厚が得られやすい。
本発明の導電ペーストには、上記したガラス組成物、金属、および有機ビヒクルに加え、必要に応じて、かつ、本発明の目的に反しない限度において公知の添加剤を配合することができる。
このような添加剤としては、例えば、各種無機酸化物が挙げられる。無機酸化物として具体的には、B2O3、SiO2、Al2O3、TiO2、MgO、ZrO2、Sb2O3、およびこれらの複合酸化物等が挙げられる。これらの無機酸化物は、導電ペーストの焼成に際し、金属の焼結を和らげる効果があり、それにより、焼成後の接合強度を調整する作用を有する。これらの無機酸化物からなる添加剤の大きさは特に限定されるものではないが、例えば、D50が10μm以下のものを好適に用いることができる。
導電ペーストにおける、無機酸化物の含有量は目的に応じて適宜に設定されるものであるが、ガラス組成物に対して、好ましくは10質量%以下、より好ましくは7質量%以下である。ガラス組成物に対する無機酸化物の含有量が10質量%以下であると、電極形成時における導電ペーストの流動性が良好になりやすいため、電極と半導体基板や絶縁性基板等の回路基板との接着強度が高くなりやすい。また、実用的な配合効果(焼成後の接合強度の調整)を得るためには、無機酸化物の含有量の下限値は好ましくは0.5質量%、より好ましくは1.0質量%である。
導電ペーストには、消泡剤や分散剤のように導電ペーストで公知の添加物を加えてもよい。なお、上記有機ビヒクルおよびこれらの添加物は、通常、電極形成の過程で消失する成分である。導電ペーストの調製には、撹拌翼を備えた回転式の混合機や擂潰機、ロールミル、ボールミル等を用いた公知の方法を適用することができる。
半導体基板や絶縁性基板等の回路基板上への導電ペーストの塗布、および焼成は、従来の電極形成における塗布、焼成と同様の方法により行うことができる。塗布方法としては、スクリーン印刷、ディスペンス法等が挙げられる。焼成温度は、含有する導電性金属粉末の種類、表面状態等によるが、概ね500〜1000℃の温度が例示できる。焼成時間は、形成しようとする電極の形状、厚さ等に応じて適宜調整される。また、導電ペーストの塗布と焼成の間に、80〜200℃程度での乾燥処理を設けてもよい。
<太陽電池>
本発明の太陽電池は、このような本発明の導電ペーストを用いて形成した電極、具体的には、半導体基板上に焼付けられた電極を備える。本発明の太陽電池においては、電極の少なくとも1つが、本発明の導電ペーストを用いて、ファイヤースルーにより、絶縁膜を部分的に貫通して半導体基板に接触する形に設けられた電極であることが好ましい。
本発明の太陽電池は、このような本発明の導電ペーストを用いて形成した電極、具体的には、半導体基板上に焼付けられた電極を備える。本発明の太陽電池においては、電極の少なくとも1つが、本発明の導電ペーストを用いて、ファイヤースルーにより、絶縁膜を部分的に貫通して半導体基板に接触する形に設けられた電極であることが好ましい。
太陽電池が有するこのような絶縁膜を貫通する電極としては、例えば、pn接合型の半導体基板を用いた太陽電池の受光面の電極として反射防止膜である絶縁膜を部分的に貫通して半導体基板に接触する形に設けられた電極が挙げられる。反射防止膜である絶縁膜を構成する絶縁材料としては窒化珪素、二酸化チタン、二酸化珪素、酸化アルミニウム等が挙げられる。この場合、受光面は半導体基板の片面であっても両面であってもよく、半導体基板はn型、p型のいずれであってもよい。このような太陽電池の受光面に設けられる電極は、本発明の導電ペーストを用いてファイヤースルーにより形成できる。
本発明の太陽電池の構成例について以下に説明するが、本発明の太陽電池の構成は当該構成例に限定されない。
当該構成例に係る太陽電池は、太陽光受光面(以下単に「受光面」ともいう)を有するシリコン基板と、シリコン基板の受光面に設けられた第1の絶縁膜と、シリコン基板の受光面とは反対側の面(以下単に「非受光面」ともいう)に設けられた、少なくとも一つの開口部を有する第2の絶縁膜と、第1の絶縁膜の一部を貫通してシリコン基板に接触する第1の電極と、シリコン基板に前記第2の絶縁膜の前記開口部を介して部分的に接触する第2の電極と、を備える。
当該構成例において、第1の電極は本発明の導電ペーストを用いてファイヤースルーにより形成された電極であり、Al、Ag、Cu、Au、PdおよびPtからなる群から選択される少なくとも1種を含む金属と、本発明のガラス組成物とを含む。第1の電極は当該金属を90質量%以上99.9質量%以下含み、本発明のガラス組成物を0.1質量%以上10質量%以下含むことが好ましい。また、第1の電極は少なくともAgを含むことが好ましい。
また、当該構成例において、第2の電極は特に限定されないが、少なくともAlを含む金属を含むことが好ましい。
また、当該構成例において、第2の絶縁膜は、シリコン基板の非受光面に接する酸化金属膜と、酸化金属膜上にさらに窒化珪素膜とを備えることが好ましい。酸化金属膜は、酸化アルミニウム又は酸化珪素からなることが好ましい。
当該構成例に係る太陽電池は、太陽光受光面(以下単に「受光面」ともいう)を有するシリコン基板と、シリコン基板の受光面に設けられた第1の絶縁膜と、シリコン基板の受光面とは反対側の面(以下単に「非受光面」ともいう)に設けられた、少なくとも一つの開口部を有する第2の絶縁膜と、第1の絶縁膜の一部を貫通してシリコン基板に接触する第1の電極と、シリコン基板に前記第2の絶縁膜の前記開口部を介して部分的に接触する第2の電極と、を備える。
当該構成例において、第1の電極は本発明の導電ペーストを用いてファイヤースルーにより形成された電極であり、Al、Ag、Cu、Au、PdおよびPtからなる群から選択される少なくとも1種を含む金属と、本発明のガラス組成物とを含む。第1の電極は当該金属を90質量%以上99.9質量%以下含み、本発明のガラス組成物を0.1質量%以上10質量%以下含むことが好ましい。また、第1の電極は少なくともAgを含むことが好ましい。
また、当該構成例において、第2の電極は特に限定されないが、少なくともAlを含む金属を含むことが好ましい。
また、当該構成例において、第2の絶縁膜は、シリコン基板の非受光面に接する酸化金属膜と、酸化金属膜上にさらに窒化珪素膜とを備えることが好ましい。酸化金属膜は、酸化アルミニウム又は酸化珪素からなることが好ましい。
以下、本発明について実施例を参照してさらに詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されない。例1及び2は実施例であり、例3は比較例である。
(例1〜3)
以下の方法で薄板状のガラス組成物を製造し、当該ガラス組成物からガラス粉末を製造し、ガラス粉末の粒度分布を測定した。
以下の方法で薄板状のガラス組成物を製造し、当該ガラス組成物からガラス粉末を製造し、ガラス粉末の粒度分布を測定した。
<ガラス組成物(薄板状ガラス)の製造>
表1に示す組成となるように原料粉末を配合、混合し、900〜1200℃の電気炉中でルツボを用いて30分から1時間溶融し、ガラス組成物からなる薄板状ガラスを成形した。
表1に示す組成となるように原料粉末を配合、混合し、900〜1200℃の電気炉中でルツボを用いて30分から1時間溶融し、ガラス組成物からなる薄板状ガラスを成形した。
<ガラス粉末の製造>
各例において、得られた薄板状ガラスを乾式粉砕と湿式粉砕を組み合せて以下のとおり粉砕して粒度分布を調整した。得られたガラス粉末の粒度分布を測定した。
各例において、得られた薄板状ガラスを乾式粉砕と湿式粉砕を組み合せて以下のとおり粉砕して粒度分布を調整した。得られたガラス粉末の粒度分布を測定した。
ボールミルで6時間乾式粉砕し、150メッシュの篩にて粗粒を除去した。次いで、上記で得られた乾式粉砕後、粗粒を除去したガラス粉末を、D50が所定の範囲となるように、ボールミルで水を用いて湿式粉砕することで、所望の粒度分布のガラス粉末を製造した。この湿式粉砕の際に、所定のD50を得るために直径5mmのアルミナ製のボールを用いた。その後、湿式粉砕で得られたスラリーを濾過して、水分を除去するために乾燥機により130℃で乾燥して、ガラス粉末を製造した。
<評価>
各例のガラス組成物について以下の方法でガラス粉末のD50を評価した。結果を組成とともに表1に示す。なお、ガラス組成の各成分の欄において「−」は、含有量「0%」を示す。
各例のガラス組成物について以下の方法でガラス粉末のD50を評価した。結果を組成とともに表1に示す。なお、ガラス組成の各成分の欄において「−」は、含有量「0%」を示す。
(D50)
IPA(Isopropyl Alcohol)60ccに対してガラス粉末0.02gを混ぜ、超音波分散により1分間分散させた。その後これをマイクロトラック測定機(レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置)に投入し、D50を測定した。
IPA(Isopropyl Alcohol)60ccに対してガラス粉末0.02gを混ぜ、超音波分散により1分間分散させた。その後これをマイクロトラック測定機(レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置)に投入し、D50を測定した。
<導電ペーストの製造>
上記で作製した例1〜3のガラス粉末をそれぞれ含有するAg電極形成用導電ペーストを以下の方法で作製した。
上記で作製した例1〜3のガラス粉末をそれぞれ含有するAg電極形成用導電ペーストを以下の方法で作製した。
まず、エチルセルロース5質量部にブチルジグリコールアセテート95質量部を混合し、85℃で2時間撹拌して有機ビヒクルを調製した。次に、こうして得られた有機ビヒクル15質量部を、Ag粉末(DOWAエレクトロニクス社製、球状銀粉:AG−4−8F)85質量部に混合した後、擂潰機により10分間混練した。その後、ガラス粉末を、Ag粉末100質量部に対して2質量部の割合で配合し、さらに擂潰機により90分間混練しAg電極形成用導電ペーストとした。
<太陽電池の製造>
上記で得られたAg電極形成用導電ペーストおよび市販品のAl電極形成用導電ペーストを用いて、以下のようにして、p型Si半導体基板1上の非受光面S2に裏面電極としてAl電極4を、受光面S1に表面電極としてAg電極3を形成し、図1に示す構成の太陽電池10を製造した。
上記で得られたAg電極形成用導電ペーストおよび市販品のAl電極形成用導電ペーストを用いて、以下のようにして、p型Si半導体基板1上の非受光面S2に裏面電極としてAl電極4を、受光面S1に表面電極としてAg電極3を形成し、図1に示す構成の太陽電池10を製造した。
160μmの厚みにスライスされたp型の結晶系Si半導体基板を用いて、まず、Si半導体基板のスライス面を洗浄するために、受光面および非受光面をフッ酸でごく微量程度エッチング処理した。その後、Si半導体基板の受光面にウエットエッチング法を用いて、光反射率を低減させるような凹凸構造(図1には不図示)を形成した。次に、Si半導体基板の受光面にn型層1aを拡散にて形成した。n型化のドーピング元素としてはP(リン)を用いた。このようにしてn型層1aとp型層1bからなるp型Si半導体基板1を得た。次に、p型Si半導体基板1の受光面(n型層の表面)S1に反射防止膜2を形成した。反射防止膜2の材料としては、おもに、窒化珪素を用い、プラズマCVDにて80nmの厚さに形成した。
次に、得られた反射防止膜付きSi半導体基板の受光面側および非受光面側にそれぞれAg電極およびAl電極を、形成した。まず、受光面側の表面、すなわち反射防止膜2の表面に上記例1〜3のガラス粉末を用いて得られたAg電極形成用導電ペーストをスクリーン印刷によりライン状に塗布して、120℃で乾燥させた。
次いで、Alペーストを、Si半導体基板1の非受光面S2の表面全体にスクリーン印刷により塗布した。その後、赤外光加熱式ベルト炉を用いてピーク温度が780℃で100秒間焼成を行い、表面Ag電極3、裏面Al電極4を形成させて、太陽電池10を完成させた。なお、焼成によりAg電極3は反射防止膜2を貫通してSi半導体基板1のn型層1aに接触する形に形成された。
(太陽電池の変換効率の測定)
上記各例のガラス粉末をそれぞれ含有するAg電極形成用導電ペーストを用いて製造した太陽電池の変換効率を、ソーラシミュレータを用いて測定した。具体的には、ソーラシミュレータに太陽電池を設置し、分光特性AM1.5Gの基準太陽光線によって、JIS C8912(1998年)及びJIS C8913(1998年)に準拠して電流電圧特性を測定して、各太陽電池の変換効率を導き出した。得られた変換効率の結果を表1に示す。
上記各例のガラス粉末をそれぞれ含有するAg電極形成用導電ペーストを用いて製造した太陽電池の変換効率を、ソーラシミュレータを用いて測定した。具体的には、ソーラシミュレータに太陽電池を設置し、分光特性AM1.5Gの基準太陽光線によって、JIS C8912(1998年)及びJIS C8913(1998年)に準拠して電流電圧特性を測定して、各太陽電池の変換効率を導き出した。得られた変換効率の結果を表1に示す。
なお、表中の記号は以下の意味を示す。
Isc(A);短絡状態の短絡電流
Voc(mV);開放状態の開放電圧
FF(%);曲線因子
Eff(%);変換効率
Isc(A);短絡状態の短絡電流
Voc(mV);開放状態の開放電圧
FF(%);曲線因子
Eff(%);変換効率
例1又は2のガラス粉末を用いた場合は例3のガラス粉末を用いた場合と比べて、FFや変換効率Effが高かった。
また、図2に例1(実施例)および例3(比較例)で得られたガラス組成物を用いて電極を形成された太陽電池測定で得られた電流電圧特性の測定結果を示す。図2から、例1の場合、例3の場合と異なり、電圧が0.5Vでも、電流を8A以上で保持できていることが分かる。
表1から分かるように、比較例である例3のガラス組成物およびガラス粉末に比べて、実施例である例1と例2のガラス組成物およびガラス粉末は、太陽電池の電極を形成するために好適なものである。
10…太陽電池、1…p型Si半導体基板、1a…n型層、1b…p型層、2…反射防止膜、3…Ag電極、4…Al電極、S1…受光面、S2…非受光面。
Claims (17)
- 酸化物換算のモル%表示で、
PbOを20〜45%、
TeO2を10〜50%、
SiO2を3〜30%、
Bi2O3を1〜10%、
B2O3を0.1〜10%、および
WO3を0.1〜5%
含むガラス組成物。 - さらに、酸化物換算のモル%表示でLi2Oを1〜15%含有する請求項1に記載のガラス組成物。
- さらに、酸化物換算のモル%表示でMgOを0.1〜10%含有する請求項1または2に記載のガラス組成物。
- さらに、酸化物換算のモル%表示でNa2Oを0.1〜5%含有する請求項1〜3のいずれか1項に記載のガラス組成物。
- 累積粒度分布における体積基準の50%粒径をD50としたときに、D50が0.3〜3.0μmである、請求項1〜4のいずれか1項に記載のガラス組成物からなるガラス粉末。
- 請求項5に記載のガラス粉末、導電性金属粉末、および有機ビヒクルを含有する導電ペースト。
- 請求項6に記載の導電ペーストを用いて形成された電極を備える太陽電池。
- 金属、ガラス組成物、および有機ビヒクルを含む導電ペーストであって、
前記金属は、前記導電ペーストの全質量に対して63.0質量%以上97.9質量%以下含まれ、Al、Ag、Cu、Au、PdおよびPtからなる群から選ばれる少なくとも1種を含み、
前記ガラス組成物は、前記金属100質量部に対して0.1質量部以上9.8質量部以下含まれ、酸化物換算のモル%表示で、PbOを20〜45%、TeO2を10〜50%、SiO2を3〜30%、Bi2O3を1〜10%、B2O3を0.1〜10%、およびWO3を0.1〜5%含むガラス組成物を含み、前記有機ビヒクルは、前記導電ペーストの全質量に対して2質量%以上30質量%以下含まれる導電ペースト。 - 前記ガラス組成物は、累積粒度分布における体積基準の50%粒径をD50としたときに、D50が0.3〜3.0μmのガラス粉末である請求項8に記載の導電ペースト。
- 前記金属が、Agを含む請求項8または9に記載の導電ペースト。
- 前記有機ビヒクルは、有機樹脂バインダーを溶媒に溶解した有機樹脂バインダー溶液であり、
前記有機樹脂バインダーは、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ブチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、ブチルアクリレート、および2−ヒドロキシエチルアクリレートからなる群から選ばれる1種以上を重合して得られるアクリル系樹脂、メチルセルロース、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、オキシエチルセルロース、ベンジルセルロース、プロピルセルロース、並びにニトロセルロースからなる群から選ばれる少なくとも1種を含み、
前記溶媒は、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ターピネオール、ブチルジグリコールアセテート、エチルジグリコールアセテート、プロピレングリコールジアセテート、およびメチルエチルケトンからなる群から選ばれる少なくとも1種を含む請求項8〜10のいずれか1項に記載の導電ペースト。 - 太陽光受光面を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の前記太陽光受光面に設けられた第1の絶縁膜と、
前記シリコン基板の前記太陽光受光面とは反対側の面に設けられた、少なくとも一つの開口部を有する第2の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の一部を貫通して前記シリコン基板に接触する第1の電極と、
前記シリコン基板に前記第2の絶縁膜の前記開口部を介して部分的に接触する第2の電極と、
を備える太陽電池であって、
前記第1の電極は、Al、Ag、Cu、Au、PdおよびPtからなる群から選択される少なくとも1種を含む金属と、酸化物換算のモル%表示で、PbOを20〜45%、TeO2を10〜50%、SiO2を3〜30%、Bi2O3を1〜10%、B2O3を0.1〜10%、およびWO3を0.1〜5%含むガラス組成物とを含む太陽電池。 - 前記第1の電極は、前記金属を90質量%以上99.9質量%以下含み、前記ガラス組成物を0.1質量%以上10質量%以下含む請求項12に記載の太陽電池。
- 前記第1の電極に含まれる前記金属は、少なくともAgを含む請求項12または13に記載の太陽電池。
- 前記第2の電極は、少なくともAlを含む金属を含む請求項12〜14のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記第1の絶縁膜が、窒化珪素からなる請求項12〜15のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記第2の絶縁膜が、前記シリコン基板の前記太陽光受光面とは反対側の面に接する酸化アルミニウムまたは酸化珪素からなる酸化金属膜と、前記酸化金属膜上にさらに窒化珪素膜を備える請求項12〜16のいずれか1項に記載の太陽電池。
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CN114409248A (zh) * | 2022-01-06 | 2022-04-29 | 江苏日御光伏新材料科技有限公司 | 一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用 |
CN114656154A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-06-24 | 四川东树新材料有限公司 | 玻璃粉、高性能perc电池用背面银浆及其制备方法 |
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