JP2014060261A - 導電性ペースト、太陽電池、及び太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電性ペーストが、少なくともAg粉末等の導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有している。ガラスフリットは、第1の温度領域Xで結晶化する結晶点Tcと、第1の温度領域Xよりも高温の第2の温度領域Yで再溶融する再溶融点Tmを有している。第1の温度領域Xは、プレヒートゾーンBが終了する温度以下の領域であり、第2の温度領域Yは、プレヒートゾーンBの終了後、最高焼成温度T3に達するまでの領域である。この導電性ペーストを使用して受光面電極を形成する。
【選択図】図4
Description
(導電性ペーストの作製)
ガラス素材としてMoO3、TeO2、ZnO、SiO2、Bi2O3、PbO、Na2O、K2O、Al2O3、P2O5、B2O3を用意し、表1に示すような配合量となるように、これらガラス素材を秤量して調製し、試料番号1〜5のガラスフリットを作製した。
縦50mm、横50mm、厚み0.2mmの単結晶のSi系半導体基板の表面全域に膜厚0.1μmの反射防止膜をプラズマ化学気相成長法(PECVD)で形成した。尚、このSi系半導体基板は、p型Si系半導体層の一部にPを拡散させ、これによりp型Si系半導体層の上面にn型Si系半導体層が形成されている。
(導電性ペーストの熱物性)
TG−DTA装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、TG−DTA320)を使用し、試料の結晶化点Tc及び再溶融点Tmを測定した。
試料番号1〜5の各試料について、ソーラーシミュレータ(英弘精機社製、SS−50XIL)を使用し、温度25℃、AM(エアマス)−1.5の条件下、電流−電圧特性曲線を測定し、この電流−電圧特性曲線から数式(1)で表わされる曲線因子FF(Fill Factor)を求めた。
ここで、Pmaxは試料の最大出力、Vocは出力端子を開放したときの開放電圧、Iscは出力端子を短絡したときの短絡電流である。
表1は試料番号1〜5の各試料のペースト組成、熱物性(結晶化点Tc及び再溶融点Tm)、電池特性(曲線因子FF及び変換効率η)を示している。
。その結果、曲線因子FFが0.770〜0.782と高く、変換効率ηも16.47〜16.74%の高変換効率を有する太陽電池が得られることが分かった。
2 反射防止膜
3 受光面電極(電極)
Claims (10)
- 太陽電池の電極を形成するための導電性ペーストであって、
少なくとも導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有し、
前記ガラスフリットが、第1の温度領域で結晶化する結晶化点と、前記第1の温度領域よりも高温の第2の温度領域で再溶融する再溶融点とを有していることを特徴とする導電性ペースト。 - 乾燥ゾーンとプレヒートゾーンと本焼成ゾーンとを有する焼成プロファイルで熱処理を行った場合、前記第1の温度領域は、前記プレヒートゾーンが終了する温度以下の領域であることを特徴とする請求項1記載の導電性ペースト。
- 前記結晶化点は、250℃以上500℃以下であり、前記再溶融点は、500℃を超え750℃以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の導電性ペースト。
- 前記ガラスフリットは、Te及びMoのうちの少なくとも一方の元素を含有していることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の導電性ペースト。
- 前記ガラスフリットは、Zn、Si、Bi、Pb、Al、P、及びアルカリ金属のうちのいずれか1種類以上の元素を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の導電性ペースト。
- 前記ガラスフリットの含有量が、1〜10重量%であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の導電性ペースト。
- 前記導電性粉末は、Ag粉末であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の導電性ペースト。
- 半導体基板の一方の主面に反射防止膜及び該記反射防止膜を貫通する電極が形成され、
前記電極が、請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の導電性ペーストが焼結されてなることを特徴とする太陽電池。 - 少なくとも導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有した導電性ペーストを調製し、
半導体基板の一方の主面に反射防止膜を形成した後、前記導電性ペーストを前記反射防止膜の主面に塗布して導電膜を形成し、その後、焼成処理を行い、前記反射防止膜を分解・除去して前記導電膜を前記半導体基板に接合し、第1の電極を形成する太陽電池の製造方法において、
前記焼成処理は、前記導電膜を乾燥させる乾燥ゾーンと、前記導電膜をプレヒートするプレヒートゾーンと、前記導電膜を本焼成する本焼成ゾーンとからなる焼成プロファイルを実行し、
前記ガラスフリットは、前記プレヒートゾーンが終了するまでの第1の温度領域で結晶化し、前記プレヒートゾーンの終了後、前記本焼成ゾーンで最高焼成温度に達するまでの第2の温度領域で再溶融することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記半導体基板の前記一方の主面に対向する他方の主面に第2の電極を形成することを特徴とする請求項9記載の太陽電池の製造方法。
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