JP5982430B2 - フィールドプレートに接続されたソース領域を有する、ワイドバンドギャップ電界効果トランジスタ - Google Patents
フィールドプレートに接続されたソース領域を有する、ワイドバンドギャップ電界効果トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5982430B2 JP5982430B2 JP2014126655A JP2014126655A JP5982430B2 JP 5982430 B2 JP5982430 B2 JP 5982430B2 JP 2014126655 A JP2014126655 A JP 2014126655A JP 2014126655 A JP2014126655 A JP 2014126655A JP 5982430 B2 JP5982430 B2 JP 5982430B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- field plate
- transistor
- spacer layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 62
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 11
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 5
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 MgNx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017947 MgOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000342 Monte Carlo simulation Methods 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/812—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
る電界効果トランジスタに関する。
力用途のための高電子移動度トランジスタ(HEMT)などの、AlGaN/GaNトラ
ンジスタの開発を進めるのに役立っている。AlGaN/GaNは、大きなバンドギャッ
プ、高いピーク及び飽和電子速度を有する(非特許文献1参照)。
は、これらのデバイスの性能を制限する要因になっている。窒化ケイ素(SiN)保護(
passivation)をうまく使用して、10Ghzにおいて10W/mmを超える出力密度(p
ower density)を有する高性能デバイスにおけるこの捕獲問題は軽減される(特許文献1
参照)。しかしながら、これらの構造において存在する高電場のために、電荷捕獲(char
getrapping)は、以前として問題である。
の性能を高める(非特許文献2参照)。しかしながら、この方法は、チャネルのドレイン
側の最上部にある、トランジスタのゲートに接続されたフィールドプレートを必要とする
。これは、ドレインキャパシタンス(drain capacitance)にとって重要なフィールドプ
レートとなり、ゲートに接続されたこのフィールドプレートは、デバイスに追加のゲート
−ドレイン間キャパシタンス(Cgd)を与える。これは、捕獲(gain)を抑えることが
できるだけでなく、より弱い入出力絶縁のために不安定さを生じさせることもある。
ランジスタを提供する。本発明に係る電界効果トランジスタの一実施形態は、基板上のバ
ッファ層と、バッファ層上のチャネル層とを有し、バッファ層がチャネル層と基板との間
に挟まれた形の、金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)を含む。ソース電極
は、チャネル層に電気的に接続するドレイン電極と同様に、複数のチャネル層に電気的に
接続して含まれる。ゲートは、チャネル層に電気的に接続して含まれ、ソースとドレイン
電極との間にある。スペーサ層(spacer layer)は、ゲートとドレイン電極との間のチャ
ネル層の少なくとも一部を覆う。フィールドプレートは、スペーサ層上に形成され、チャ
ネル層及びゲートからは電気的に絶縁され、少なくとも1つの導電性パス(conductive p
ath)によってソース電極に電気的に接続される。
ly)形成されたバッファ層及びチャネル層を備える。ソース電極、ドレイン電極、並びに
、ソースとドレイン電極との間にあるゲートはすべて、チャネル層に電気的に接続して形
成される。スペーサ層は、ゲートとドレイン電極との間のチャネル層の、少なくとも一部
の表面上に形成され、フィールドプレートは、ゲート及びチャネル層から絶縁されたスペ
ーサ層上に離れて形成される。スペーサ層は、少なくとも1つの導電性パスによってソー
ス電極に電気的に接続され、フィールドプレートは、トランジスタ内のピーク操作電界(
peak operating electric field)を抑える。
ファ層及びチャネル層を有する、金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)を含
む。ソース電極、ドレイン電極、並びに、ソース及びドレイン電極との間にあるゲートは
すべて、チャネル層に電気的に接続して形成される。フィールドプレートは、ゲートの端
からの距離Lfをドレイン電極へ伸ばし、ゲート及びアクティブ層から絶縁されている。
少なくとも1つの導電性パスは、フィールドプレートをソース電極に電気的に接続し、ゲ
ートとソース電極との間の表面の最上部のすべてを覆うわけではない。
を含む。ソース電極、ドレイン電極、並びに、アクティブ領域上のソース及びドレイン電
極との間にあるゲートはすべて、チャネル層に電気的に接続して形成される。スペーサ層
は、ゲートとドレイン電極との間のアクティブ領域の少なくとも一部を覆う。スペーサ層
上のフィールドプレートは、アクティブ領域及びゲートから絶縁され、少なくとも1つの
導電性パスによってソース電極に電気的に接続される。フィールドプレートは、ゲートの
端から測定された距離Lfを、ドレイン電極へ拡張する。
以下の詳細な説明から、当業者に明らかとなるだろう。
きる。ワイドバンドギャップトランジスタ(wide bandgaptransistor)構造は、一般的
に、アクティブ領域を含み、金属ソース及びドレイン電極は、アクティブ領域に電気的に
接続して形成され、ゲート電極は、アクティブ領域内の電界を調整するために、ソースと
ドレイン電極との間に形成される。スペーサ層は、アクティブ領域上に形成される。スペ
ーサ層は、1つの誘電体層、または複数の誘電体層の組み合わせを含むことができる。導
電性フィールドプレートは、スペーサ層上に形成され、ゲート電極の端からの距離Lfを
、ドレイン電極へ向かって拡張する。
ドプレートの配置は、デバイスにおけるピーク電界を抑えることができ、絶縁破壊電圧(
breakdown voltage)を増大させ、捕獲(trapping)を低減する。この電界の低減はまた
、漏洩電流を減少させ、信頼性を高めるなどのその他の利点ももたらす。ソース電極に電
気的に接続されたフィールドプレートを有することによって、フィールドプレートに接続
されたゲートから生じる減少した捕獲(gain)、及び不安定さは低減される。本発明に係
る配置がなされると、ソース接続フィールドプレート(source-connected field plate)
の遮蔽効果は、入出力絶縁を高めるCgdを小さくすることができる。
、電界効果トランジスタであり、特に、通常、バッファ層、及びバッファ層上のチャネル
層を含む、金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)である。ゲート電極は、ソ
ースとドレイン電極との間にあるチャネル層上に形成される。
スペーサ層上に形成することができるように、ゲートとソース電極との間のチャネル層の
少なくとも一部を覆うスペーサ層は、チャネル層上に形成される。その他の実施形態では
、スペーサ層は、ゲートの全てまたは一部を覆うこともでき、ゲート及びチャネル層から
の電気的絶縁を残しながら、フィールドプレートがゲートの一部を覆うことができるよう
にする。好ましい実施形態では、スペーサ層は、ゲート、並びに、ゲートとソース及びド
レイン電極との間にある障壁層(barrier layer)の表面を覆う。スペーサ層は、誘電体
層、若しくは複数の誘電体層の組み合わせを含むことができる。SiN、SiO2、Si
、Ge、MgOx、MgNx、ZnO、SiNx、SiOx、それらの合金またはレイヤ
シーケンス(layer sequence)、若しくは以下でさらに説明するエピタキシャル材料など
の、様々な誘電体材料を用いることができる。
離Lfを、ドレイン電極に向かって拡張する。ここで、フィールドプレート及びゲート電
極は通常、別の堆積ステップの間に形成される。フィールドプレートは、通常様々な方法
で配置される導電性パスによって、ソース電極に電気的に接続される。
される」、または「接続して」と記載される場合、その他の要素または層、若しくは介在
要素または層に対して、直接〜上に、接続される、結合される、または接続してというこ
とを表すことが理解されるであろう。その一方、要素がその他の要素または層と「直接的
に〜上に」、「直接的に接続される」、「直接的に結合される」、または「直接的に接続
して」と言及される場合、介在要素または層は存在しない。同様に、第1の要素または層
が第2の要素または層に対して「電気的に接続して」または「電気的に結合して」と記載
される場合、第1の要素または層と、第2の要素または層との間の電流フローを可能にす
る電気経路が存在する。電流経路は、キャパシタ、結合インダクタ、及び/または、導電
性要素との間に直接的接触がなくても電流フローを可能にするその他の要素を含むことが
できる。
料系から形成されるMESFET10の一実施形態を示す図である。MESFET10は
、炭化ケイ素の成長が可能である様々な材料から形成することができる、基板12を備え
る。好ましい基板材料は、炭化ケイ素であり、いくつかの実施形態では、基板12は、本
件特許出願人が販売する半絶縁性4H−SiCを含むことができる。
炭化ケイ素チャネル層16は、バッファ層上に形成され、バッファ層14は、チャネル層
16と基板12との間に挟まれる。バッファ層14及びチャネル層16は、金属酸化物化
学気相堆積(MOCVD:Metal Oxide Chemical Vapor Deposition)、水素化物気相成
長(HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy)、または分子線エピタキシー(MBE:M
olecularBeam Epitaxy)などの従来の半導体成長技法を用いて、基板12上に形成する
ことができる。
、その2つの間の格子不整合を低減することができる。核生成層は、様々な材料からなり
、MOCVD、HVPE、またはMBEを用いて基板12上に形成することもできる。核
生成層の形成は、基板12に用いられる材料に依存する。例えば、様々な基板上に核生成
層を形成する方法は、特許文献2や特許文献3に開示されている。炭化ケイ素基板上に核
生成層を形成する方法は、特許文献4、特許文献5、及び特許文献6に開示されている。
ト22は、ソース及びドレイン電極18、20の間のチャネル層16上に形成される。電
流は、ゲート22に適切なレベルでバイアスがかけられると、チャネル層16を介して、
ソース及びドレイン電極18、20の間を流れる。ソース及びドレイン電極18、20は
、チタン、アルミニウム、金、またはニッケルの合金、ニッケル、金、白金、チタン、ク
ロム、チタンとタングステンの合金、白金シリサイドなど、これらに限定されるわけでは
ないが、様々な材料で形成することができる。ゲート24は、様々な長さをとることがで
き、好ましいゲート長(Lg)は、0.5ミクロンである。図1に最もよく示されるよう
に、ゲート22は、ゲートコンタクト24に接続され、ゲートコンタクト24において接
続される。
ト22とソース及びドレイン電極18、20との間のチャネル層16の表面を覆うように
形成される。一方、上述したように、スペーサ層26は、チャネル層及びゲートを覆うほ
ど長くはなく、ゲート及びチャネル層からフィールドプレートを絶縁するために提供され
る。スペーサ層26は、上述した様々な材料を、単独でまたはその組み合わせで含むこと
ができるが、好ましくは、上述した1つの誘電体材料の層、または誘電体材料の複数の異
なる層を含む。スペーサ層26は、様々な厚さをとることができ、厚さの適切な範囲は、
好ましくは、0.05から2ミクロンである。デバイス間の電気的遮蔽は、MESFET
のアクティブ領域の外側でメサエッチングまたはイオン注入で成される。
Ga、またはIn合金などの、様々な3族要素を有する3族窒化物などのエピタキシャル
材料を含むことができ、適切なスペーサ層の材料は、AlxGa1−xN(0≦x≦1)
であらわされる。チャネル層16のエピタキシャル成長の後に、スペーサ層26は、同じ
エピタキシャル成長法を使用して、成長させることができる。次いでスペーサ層26は、
ゲート24、ソース電極20、及びドレイン電極22を、バッファ層18及び2DEG1
7に接続して、適切に形成できるようにエッチングされる。次いでフィールドプレートは
、ゲート24とドレイン電極22との間のスペーサ層上に堆積することができる。フィー
ルドプレートがゲートの一部を覆う諸実施形態では、誘電体材料の追加のスペーサ層が、
フィールドプレートからゲートを絶縁するために、少なくともゲートを部分的に覆うよう
に含まれるべきである。
に形成され、ゲート22の近くに、重ならないように形成される。ゲート22とフィール
ドプレート(Lgf)との間のスペースは残り、フィールドプレート30によってもたら
される電界効果を最大化するために十分に小さいながらも、フィールドプレート30から
絶縁するのに十分な幅があるべきである。Lgfが広すぎると、電界効果は低減されうる
。本発明に係る一実施形態では、Lgfは、およそ0.4ミクロンとすることができ、よ
り大きいまたはより小さいスペースを使用することもできる。
でき、距離の適切な範囲は、およそ0.1から2ミクロンである。フィールドプレート3
0は、様々な導電性材料を含むことができ、適切な材料は、標準的な金属化方法を用いて
堆積された、金属または金属化合物である。本発明に係るいくつかの実施形態では、フィ
ールドプレート30は、チタン/金合金、またはニッケル/金合金を含む。
明のおいて用いることのできる2つの接続構造を示すが、その他の接続構造を用いること
もできることが理解されるだろう。スペーサ層がゲート、並びに、ゲート22とソース電
極18との間のチャネル層の表面を覆う諸実施形態では、導電性バス32を、フィールド
プレート30とソース電極18との間を拡張するために、スペーサ層26上に形成するこ
とができる。複数のバス32を用いることができるが、バスの数が多いほど、バスによっ
て導かれる不要なキャパシタンスは増大する。バスは、MESFETの多くのアクティブ
領域を覆わないように、電流がソースコンタクト18とフィールドプレート30との間を
効果的に流れるように、十分な数持つべきであり、バス32の適切な数は2つである。一
実施形態では、導電性パスは、スペーサ層26が好ましい、ゲートとソース電極との間の
最上部の層の全てを覆わない。
ネル層の表面だけを覆うことができ、縞模様は、導電性バス32をサポートするに十分な
幅を有する。バス32は、チャネル層を覆うスペーサ層領域に渡って、フィールドプレー
ト30から拡張する。
外側を通り、ソースコンタクト20に接続する導電性パス34を介して、ソースコンタク
ト20に電気的に接続することもできる。この配置は、他の実施形態においても用いるこ
とができるが、スペーサ層26がゲート22とソース18との間のチャネル層16を覆わ
ない実施形態において特に適合する。図1に示されるように、パス34は、ゲート24の
反対側の、MESFETのアクティブ領域の外側を通る。本発明に係るその他の実施形態
では、導電性パスは、ゲート24側の、MESFET10のアクティブ領域の外側を通る
こともでき、MESFET10は、MESFET10に対して同じ若しくは異なる側を通
る、2つ以上の導電性パスを含むこともできる。
ブ構造を、窒化ケイ素などの誘電体保護層(dielectric passivation layer)(不図示)
によって覆うことができる。この保護層は、既知の成長技法を用いて形成することができ
る。
るMESFET40の別の実施形態を示す。同じ特徴については同じ参照番号を用い、そ
の特徴は、上述した特徴についての説明がMESFET40に対して等しく適用されると
いう理解と共に、詳細な説明は行わずに記載する。
化ケイ素バッファ層14、炭化ケイ素チャネル層16、ソースコンタクト18、ドレイン
コンタクト20、ゲート22、ゲートコンタクト24、及びスペーサ層26を含む。ME
SFET40は、ゲート22の一部に重なるだけでなく、主にゲート22とドレインコン
タクト22との間にあるスペーサ層26上に形成されるフィールドプレート42も含む。
図1及び図2におけるMESFET10に対して、Lgfは小さく、製造過程においてい
くつかの問題がある。ゲート22に重なるフィールドプレート42を有することによって
、HEMT40は、Lgfの許容範囲に触れることなく作ることができる。しかしながら
、フィールドプレート42の重複部分は、追加の不要なキャパシタンスを生じさせること
がある。フィールドプレート30または42のどちらを使うかの判断において、フィール
ドプレート42を用いた製造の容易さは、図1及び図2におけるフィールドプレート30
によってもたらされる、低減されたキャパシタンスとバランスをとらなければならない。
MESFET40は、フィールドプレート42をソースコンタクト18へ電気的に接続す
る、バス44または導電性パス34も備える。
ず、様々なMESFETにおいて用いることができる。例えば、図5は、MESFET1
0及び40における特徴に類似する多くの特徴を有し、基板12、バッファ層14、チャ
ネル層16、ソース電極18、及びドレイン電極20を含む、本発明に係るMESFET
50の別の実施形態を示す。一方で、MESFET80は、特に高周波操作に適応する、
ガンマ(Γ)形状のゲート52を有する。ゲート長(Lg)は、デバイスの速度の判断に
おいて重要な特徴であり、高周波デバイスであるほど、ゲート長はより短い。より短いゲ
ート長は、高周波操作に悪影響を与えることのある高い抵抗をもたらしうる。T−ゲート
は、一般に、高周波操作において用いられるが、T−ゲートを有するフィールドプレート
の良く結合した配置を達成するのは困難でありうる。
controlled definition)を許容する。スペーサ層54が含まれ、スペーサ層54は、ガ
ンマゲート52、並びに、ガンマゲート52とソース及びドレイン電極18、20との間
の障壁層16の表面を覆う。スペースは、ガンマゲート52の水平部分と、ゲート52と
ソース電極との間にあるスペーサ層54の上部との間に残りうる。MESFET50は、
ガンマゲート52に一部重なる、スペーサ層54上のフィールドプレート56も含み、フ
ィールドプレート56は、好ましくは、ガンマゲート52の側面上に堆積し、水平な張り
出し部分を有さない。この配置は、密接な配置(tight placement)、並びにフィールド
プレート56と、その下のアクティブ層との間の効果的な結合を可能にする。その他のガ
ンマゲートの実施形態では、フィールドプレートは、フィールドプレート56と同じよう
に配置され、ゲートに一部重なる代わりに、図2に示されるスペースLgfに類似した、
ゲートの端とフィールドプレートとの間のスペースが存在しうる。
ゲート52の水平部分の下側の表面とスペーサ層54との間のスペースのために、フィー
ルドプレート56とソース電極18との間に直接的に導電性パスを提供することは困難で
ある。その代わりに、MESFET50のアクティブ領域の外側を通る導電性パスは、フ
ィールドプレート56とソース電極18との間に含まれうる。また、ガンマゲート52は
、スペーサ層54によって完全に覆われ、ゲートの水平部分のスペースを満たされうる。
導電性パスは、フィールドプレート56からスペーサ層54をまたいでソース電極へ、直
接的に通されうる。アクティブ構造は、誘電体保護層(不図示)によって覆われうる。
SFET60を示す。MESFET60は、図1〜4におけるMESFET10及び40
の特徴と類似する多くの特徴を有し、基板12、バッファ層14、チャネル層16、ソー
ス電極18、及びドレイン電極20を含む。一方、ゲート62は、チャネル層16内に埋
め込まれ、スペーサ層64によって覆われる。その他の実施形態では、ゲートの底面が部
分的に埋め込まれるだけか、あるいは、ゲートの様々な部分がチャネル層16内に異なる
深さで埋め込まれうる。フィールドプレート66は、スペーサ層64上に配置され、ソー
ス電極18に電気的に接続され、アクティブ構造は、誘電体保護層(不図示)によって覆
われうる。MESFET60について上述したように、フィールドプレート66は、ゲー
トの端とフィールドプレートとの間のスペースLgfが存在するように配置されうる。
する、ワイドバンドギャップトランジスタ、特にMESFETを実現する。MESFET
は、より高い入出力絶縁のおかげで、同時に存在する高利得、高出力、及びより安定な動
作を示す。この構造は、より低い周波数における高電圧用途のための、より大きな容量に
まで拡張することができる。
変形も可能である。このフィールドプレートの配置は、様々なデバイスにおいて用いるこ
とができる。フィールドプレートはまた、様々な形状をとることができ、様々な方法でソ
ースコンタクトに接続することができる。本発明の趣旨及び範囲は、上述した発明の好ま
しい形態に限定されるわけではない。
Claims (13)
- トランジスタであって、
バッファ層及びチャネル層を含むアクティブ領域と、
前記チャネル層に電気的に接続される、ソース電極、ドレイン電極、並びに、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間のゲートと、
前記ゲートと前記ドレイン電極との間にあり、前記チャネル層の表面の少なくとも一部の上にあるスペーサ層と、
前記スペーサ層上のフィールドプレートであり、前記チャネル層から前記フィールドプレートを絶縁する絶縁材料により前記ゲート及び前記チャネル層から離れて存在するフィールドプレートであって、前記アクティブ領域及び前記スペーサ層の外側を通ると共に前記ゲート及び前記ソース電極の間の前記アクティブ領域の真上を通らない少なくとも1つの導電性パスによって前記ソース電極に電気的に接続され、当該トランジスタ内におけるピーク操作電界を低減するフィールドプレートと
を備える、トランジスタ。 - 請求項1に記載のトランジスタであって、前記ピーク操作電界における前記低減は、当該トランジスタの破壊電圧を増大させ、及び/又は当該トランジスタ内のトラップを低減し、及び/又は当該トランジスタ内における漏洩電流を低減する、トランジスタ。
- 請求項1に記載のトランジスタであって、前記スペーサ層は、前記ゲートを少なくとも部分的に覆うと共に前記ゲートと前記ドレイン電極との間の前記チャネル層の表面の少なくとも一部の上に延在し、前記フィールドプレートは、前記ゲートに少なくとも部分的に重なり、前記ドレイン電極へ向かって前記スペーサ層上を延在する、トランジスタ。
- 請求項1に記載のトランジスタであって、前記スペーサ層は、前記ゲートと前記ソース電極との間の、前記アクティブ領域の表面上にある、トランジスタ。
- 請求項1に記載のトランジスタであって、前記スペーサ層は、誘電体材料、または複数
層の誘電体材料を含む、トランジスタ。 - 請求項1に記載のトランジスタであって、前記フィールドプレートは、前記ゲートの端から前記ドレイン電極まで計測される距離Lgfだけ前記ゲートから離れている、トランジスタ。
- 請求項6に記載のトランジスタであって、前記ゲートの端と前記フィールドプレートとは距離によって隔てられている、トランジスタ。
- 請求項1に記載のトランジスタであって、前記フィールドプレートは、前記ゲート及び前記チャネル層から前記スペーサ層によって絶縁され、前記チャネル層に前記ソース電極及び前記ドレイン電極が少なくとも部分的に埋め込まれている、トランジスタ。
- 請求項1に記載のトランジスタであって、前記フィールドプレートは、前記スペーサ層上に前記ソース電極から離れて存在する、トランジスタ。
- 請求項1に記載のトランジスタであって、前記少なくとも1つの導電性パスは、当該トランジスタの一辺の上を通る、トランジスタ。
- チャネルを有するアクティブ領域と、
前記アクティブ領域に電気的に接続して形成される、ソース電極、ドレイン電極、並びに、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の前記アクティブ領域上にあるゲートと、
前記ゲートと前記ドレイン電極との間にある前記アクティブ領域の少なくとも一部の上にあるスペーサ層と
前記ソース電極から離れたフィールドプレートであって、前記スペーサ層上にあると共に少なくとも部分的に前記ゲートを覆う前記スペーサ層により前記アクティブ領域及び前記ゲートから隔てられ、前記スペーサ層によって覆われる領域の外であると共に前記スペーサ層によって覆われる前記領域の真上でない領域を通る少なくとも1つの導電性パスによって前記ソース電極に電気的に接続され、前記ゲートと前記ドレイン電極との間に存在するように前記ゲートの端から前記ドレイン電極まで測定される正の距離Lgfから始まり、前記ゲートの端から前記ドレイン電極まで測定される距離Lfを前記スペーサ層上に延在するフィールドプレートと
を備える、トランジスタ。 - 請求項11に記載のトランジスタであって、前記フィールドプレートを前記ソース電極に電気的に接続する前記少なくとも1つの導電性パスは、前記ゲートと前記ソース電極との間の前記スペーサ層の最表面の全てを覆うわけではない、トランジスタ。
- 請求項11に記載のトランジスタであって、前記フィールドプレートと前記ゲート及びアクティブ領域との間の前記スペーサ層が、フィールドプレート絶縁を提供する、トランジスタ。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US57134204P | 2004-05-13 | 2004-05-13 | |
US60/571,342 | 2004-05-13 | ||
US10/958,945 US9773877B2 (en) | 2004-05-13 | 2004-10-04 | Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates |
US10/958,945 | 2004-10-04 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007513167A Division JP5611509B2 (ja) | 2004-05-13 | 2005-04-21 | フィールドプレートに接続されたソース領域を有する、ワイドバンドギャップ電界効果トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014209647A JP2014209647A (ja) | 2014-11-06 |
JP5982430B2 true JP5982430B2 (ja) | 2016-08-31 |
Family
ID=34971731
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007513167A Active JP5611509B2 (ja) | 2004-05-13 | 2005-04-21 | フィールドプレートに接続されたソース領域を有する、ワイドバンドギャップ電界効果トランジスタ |
JP2014126655A Active JP5982430B2 (ja) | 2004-05-13 | 2014-06-19 | フィールドプレートに接続されたソース領域を有する、ワイドバンドギャップ電界効果トランジスタ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007513167A Active JP5611509B2 (ja) | 2004-05-13 | 2005-04-21 | フィールドプレートに接続されたソース領域を有する、ワイドバンドギャップ電界効果トランジスタ |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9773877B2 (ja) |
EP (3) | EP2515338A3 (ja) |
JP (2) | JP5611509B2 (ja) |
KR (1) | KR101142555B1 (ja) |
CN (1) | CN1998089B (ja) |
AU (1) | AU2005246697B2 (ja) |
BR (1) | BRPI0510960A (ja) |
CA (1) | CA2564955C (ja) |
TW (3) | TWI452695B (ja) |
WO (1) | WO2005114747A2 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7501669B2 (en) | 2003-09-09 | 2009-03-10 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistor devices with field plates |
US7550783B2 (en) * | 2004-05-11 | 2009-06-23 | Cree, Inc. | Wide bandgap HEMTs with source connected field plates |
US9773877B2 (en) | 2004-05-13 | 2017-09-26 | Cree, Inc. | Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates |
US11791385B2 (en) | 2005-03-11 | 2023-10-17 | Wolfspeed, Inc. | Wide bandgap transistors with gate-source field plates |
WO2006132418A1 (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタ |
CN101238560B (zh) * | 2005-06-10 | 2011-08-31 | 日本电气株式会社 | 场效应晶体管 |
US7662698B2 (en) * | 2006-11-07 | 2010-02-16 | Raytheon Company | Transistor having field plate |
JP2010034282A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Nec Electronics Corp | 電界効果型トランジスタ |
JP5564790B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-08-06 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5458709B2 (ja) * | 2009-07-13 | 2014-04-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2011249728A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2012109492A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Sanken Electric Co Ltd | 化合物半導体装置 |
JP5866773B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2016-02-17 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
WO2014050054A1 (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-03 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
US9755059B2 (en) | 2013-06-09 | 2017-09-05 | Cree, Inc. | Cascode structures with GaN cap layers |
US9847411B2 (en) * | 2013-06-09 | 2017-12-19 | Cree, Inc. | Recessed field plate transistor structures |
US9679981B2 (en) | 2013-06-09 | 2017-06-13 | Cree, Inc. | Cascode structures for GaN HEMTs |
US10566429B2 (en) * | 2013-08-01 | 2020-02-18 | Dynax Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US9466371B2 (en) * | 2014-07-29 | 2016-10-11 | Macronix International Co., Ltd. | Transistor and circuit using same |
KR102178865B1 (ko) * | 2015-02-25 | 2020-11-18 | 한국전자통신연구원 | 고속 스위칭 성능을 갖는 캐스코드 타입의 스위치 회로 |
CN104882483B (zh) * | 2015-05-05 | 2018-06-26 | 西安电子科技大学 | 具有γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法 |
CN106328523B (zh) * | 2015-06-15 | 2019-10-15 | 北大方正集团有限公司 | 射频横向双扩散mos器件的制作方法 |
US10056478B2 (en) | 2015-11-06 | 2018-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | High-electron-mobility transistor and manufacturing method thereof |
KR101742073B1 (ko) * | 2015-12-01 | 2017-06-01 | 주식회사 페타룩스 | 할로겐화구리 반도체 기반 전자소자 및 이를 포함하는 기억소자 및 논리소자 |
US10396166B2 (en) | 2016-03-11 | 2019-08-27 | Mediatek Inc. | Semiconductor device capable of high-voltage operation |
US10199496B2 (en) | 2016-03-11 | 2019-02-05 | Mediatek Inc. | Semiconductor device capable of high-voltage operation |
US10418480B2 (en) * | 2016-03-11 | 2019-09-17 | Mediatek Inc. | Semiconductor device capable of high-voltage operation |
CN106876323B (zh) * | 2017-02-04 | 2019-08-30 | 智瑞佳(苏州)半导体科技有限公司 | 一种功率器件及其工艺方法 |
CN109786233B (zh) * | 2019-01-17 | 2021-01-12 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件 |
CN112993018A (zh) * | 2019-12-02 | 2021-06-18 | 吴俊鹏 | 一种降低三五族半导体器件寄生电容的方法及三五族半导体器件结构 |
US11749726B2 (en) | 2020-10-27 | 2023-09-05 | Wolfspeed, Inc. | Field effect transistor with source-connected field plate |
US11658234B2 (en) * | 2020-10-27 | 2023-05-23 | Wolfspeed, Inc. | Field effect transistor with enhanced reliability |
US11502178B2 (en) | 2020-10-27 | 2022-11-15 | Wolfspeed, Inc. | Field effect transistor with at least partially recessed field plate |
US11869964B2 (en) | 2021-05-20 | 2024-01-09 | Wolfspeed, Inc. | Field effect transistors with modified access regions |
US11621672B2 (en) | 2021-08-05 | 2023-04-04 | Wolfspeed, Inc. | Compensation of trapping in field effect transistors |
CN113644129B (zh) * | 2021-08-12 | 2023-04-25 | 电子科技大学 | 一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT |
US20230369480A1 (en) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Electronic device employing two-dimensional electron gas with reduced leakage current |
Family Cites Families (197)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5187552A (en) | 1979-03-28 | 1993-02-16 | Hendrickson Thomas E | Shielded field-effect transistor devices |
US4290077A (en) * | 1979-05-30 | 1981-09-15 | Xerox Corporation | High voltage MOSFET with inter-device isolation structure |
US4947232A (en) | 1980-03-22 | 1990-08-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | High voltage MOS transistor |
JPS56169368A (en) | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Sharp Corp | High withstand voltage mos field effect semiconductor device |
NL8103218A (nl) | 1981-07-06 | 1983-02-01 | Philips Nv | Veldeffekttransistor met geisoleerde stuurelektrode. |
US4551905A (en) | 1982-12-09 | 1985-11-12 | Cornell Research Foundation, Inc. | Fabrication of metal lines for semiconductor devices |
JPS62237763A (ja) | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置の製造方法 |
JPS6387773A (ja) | 1986-09-30 | 1988-04-19 | Nec Corp | シヨツトキバリア型電界効果トランジスタ |
US5196359A (en) | 1988-06-30 | 1993-03-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming heterostructure field effect transistor |
US4876213A (en) * | 1988-10-31 | 1989-10-24 | Motorola, Inc. | Salicided source/drain structure |
JPH035536A (ja) | 1989-05-31 | 1991-01-11 | Sekisui Chem Co Ltd | バルコニーユニットの連結構造 |
JPH0335536A (ja) | 1989-06-30 | 1991-02-15 | Fujitsu Ltd | 電界効果型半導体装置 |
US5053348A (en) | 1989-12-01 | 1991-10-01 | Hughes Aircraft Company | Fabrication of self-aligned, t-gate hemt |
US5290393A (en) | 1991-01-31 | 1994-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo K.K. | Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor |
EP0576566B1 (en) | 1991-03-18 | 1999-05-26 | Trustees Of Boston University | A method for the preparation and doping of highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films |
US5374843A (en) | 1991-05-06 | 1994-12-20 | Silinconix, Inc. | Lightly-doped drain MOSFET with improved breakdown characteristics |
US5192987A (en) | 1991-05-17 | 1993-03-09 | Apa Optics, Inc. | High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions |
JPH0521793A (ja) | 1991-07-09 | 1993-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH0661266A (ja) | 1992-08-06 | 1994-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JPH06204253A (ja) * | 1993-01-07 | 1994-07-22 | Fujitsu Ltd | 電界効果半導体装置 |
JPH06224225A (ja) | 1993-01-27 | 1994-08-12 | Fujitsu Ltd | 電界効果半導体装置 |
JPH06267991A (ja) | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3188346B2 (ja) | 1993-06-10 | 2001-07-16 | ローム株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JPH0738108A (ja) | 1993-07-21 | 1995-02-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フィ―ルド電極層を有するmos型電界効果トランジスタ |
US5393993A (en) | 1993-12-13 | 1995-02-28 | Cree Research, Inc. | Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices |
JP2658860B2 (ja) | 1993-12-20 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5543253A (en) | 1994-08-08 | 1996-08-06 | Electronics & Telecommunications Research Inst. | Photomask for t-gate formation and process for fabricating the same |
US5523589A (en) | 1994-09-20 | 1996-06-04 | Cree Research, Inc. | Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime |
JP3051817B2 (ja) | 1995-01-31 | 2000-06-12 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5739554A (en) | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
US5956590A (en) * | 1995-05-25 | 1999-09-21 | United Microelectronics Corp. | Process of forming a field effect transistor without spacer mask edge defects |
US6002148A (en) | 1995-06-30 | 1999-12-14 | Motorola, Inc. | Silicon carbide transistor and method |
US5569937A (en) | 1995-08-28 | 1996-10-29 | Motorola | High breakdown voltage silicon carbide transistor |
EP0772249B1 (en) | 1995-11-06 | 2006-05-03 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
KR0167273B1 (ko) | 1995-12-02 | 1998-12-15 | 문정환 | 고전압 모스전계효과트렌지스터의 구조 및 그 제조방법 |
US6720615B2 (en) | 1996-01-22 | 2004-04-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Vertical-type MIS semiconductor device |
TW360982B (en) | 1996-01-26 | 1999-06-11 | Matsushita Electric Works Ltd | Thin film transistor of silicon-on-insulator type |
JPH09232827A (ja) | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び送受信切り替え型アンテナスイッチ回路 |
US5652179A (en) | 1996-04-24 | 1997-07-29 | Watkins-Johnson Company | Method of fabricating sub-micron gate electrode by angle and direct evaporation |
US5710455A (en) | 1996-07-29 | 1998-01-20 | Motorola | Lateral MOSFET with modified field plates and damage areas |
US5929467A (en) | 1996-12-04 | 1999-07-27 | Sony Corporation | Field effect transistor with nitride compound |
JP3958404B2 (ja) | 1997-06-06 | 2007-08-15 | 三菱電機株式会社 | 横型高耐圧素子を有する半導体装置 |
JPH118256A (ja) | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタの製造方法 |
TW334632B (en) | 1997-07-24 | 1998-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | Field effective semiconductor |
JP4028897B2 (ja) | 1997-07-24 | 2007-12-26 | 三菱電機株式会社 | 電界効果半導体装置 |
JP3457511B2 (ja) | 1997-07-30 | 2003-10-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5898198A (en) | 1997-08-04 | 1999-04-27 | Spectrian | RF power device having voltage controlled linearity |
JP3249446B2 (ja) | 1997-09-18 | 2002-01-21 | 株式会社東芝 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
EP0926744B8 (en) | 1997-12-15 | 2008-05-21 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC. | Light emitting device |
US6346451B1 (en) | 1997-12-24 | 2002-02-12 | Philips Electronics North America Corporation | Laterial thin-film silicon-on-insulator (SOI) device having a gate electrode and a field plate electrode |
DE19800647C1 (de) | 1998-01-09 | 1999-05-27 | Siemens Ag | SOI-Hochspannungsschalter |
JP3127874B2 (ja) | 1998-02-12 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP3233207B2 (ja) | 1998-03-20 | 2001-11-26 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
JP3534624B2 (ja) | 1998-05-01 | 2004-06-07 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100260075B1 (ko) | 1998-06-02 | 2000-07-01 | 손욱 | 플루오로화 아릴기를 함유한 완전 공액된 유기 전기 발광 고분자 조성물 및 그 제조방법 |
JP3111985B2 (ja) | 1998-06-16 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP2000082671A (ja) | 1998-06-26 | 2000-03-21 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体装置とその製造方法 |
US6042975A (en) | 1998-07-08 | 2000-03-28 | Lucent Technologies Inc. | Alignment techniques for photolithography utilizing multiple photoresist layers |
US6100549A (en) * | 1998-08-12 | 2000-08-08 | Motorola, Inc. | High breakdown voltage resurf HFET |
JP3180776B2 (ja) | 1998-09-22 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US6621121B2 (en) | 1998-10-26 | 2003-09-16 | Silicon Semiconductor Corporation | Vertical MOSFETs having trench-based gate electrodes within deeper trench-based source electrodes |
JP2000164926A (ja) | 1998-11-24 | 2000-06-16 | Sony Corp | 化合物半導体の選択エッチング方法、窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP4182376B2 (ja) | 1998-12-02 | 2008-11-19 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
US6495409B1 (en) | 1999-01-26 | 2002-12-17 | Agere Systems Inc. | MOS transistor having aluminum nitride gate structure and method of manufacturing same |
JP3429700B2 (ja) | 1999-03-19 | 2003-07-22 | 富士通カンタムデバイス株式会社 | 高電子移動度トランジスタ |
JP3497406B2 (ja) | 1999-03-25 | 2004-02-16 | 株式会社クボタ | 水田作業機 |
US6127703A (en) | 1999-08-31 | 2000-10-03 | Philips Electronics North America Corporation | Lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) PMOS device having a drain extension region |
JP3438133B2 (ja) | 1999-09-27 | 2003-08-18 | 富士通株式会社 | 電界効果半導体装置及びその製造方法 |
JP3371871B2 (ja) | 1999-11-16 | 2003-01-27 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2001160656A (ja) | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体装置 |
US6639255B2 (en) | 1999-12-08 | 2003-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | GaN-based HFET having a surface-leakage reducing cap layer |
JP2001189324A (ja) | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
US6586781B2 (en) * | 2000-02-04 | 2003-07-01 | Cree Lighting Company | Group III nitride based FETs and HEMTs with reduced trapping and method for producing the same |
US6686616B1 (en) * | 2000-05-10 | 2004-02-03 | Cree, Inc. | Silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors |
JP4186032B2 (ja) | 2000-06-29 | 2008-11-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
TWI257179B (en) | 2000-07-17 | 2006-06-21 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | High-speed compound semiconductor device operable at large output power with minimum leakage current |
JP4198339B2 (ja) | 2000-07-17 | 2008-12-17 | ユーディナデバイス株式会社 | 化合物半導体装置 |
US6624488B1 (en) | 2000-08-07 | 2003-09-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Epitaxial silicon growth and usage of epitaxial gate insulator for low power, high performance devices |
JP4322414B2 (ja) * | 2000-09-19 | 2009-09-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US6690042B2 (en) | 2000-09-27 | 2004-02-10 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor |
JP2002118122A (ja) | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Nec Corp | ショットキゲート電界効果トランジスタ |
US6891235B1 (en) | 2000-11-15 | 2005-05-10 | International Business Machines Corporation | FET with T-shaped gate |
TWI288435B (en) | 2000-11-21 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and equipment for communication system |
US6548333B2 (en) | 2000-12-01 | 2003-04-15 | Cree, Inc. | Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment |
US6791119B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
US6468878B1 (en) | 2001-02-27 | 2002-10-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | SOI LDMOS structure with improved switching characteristics |
JP2002270830A (ja) | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
US7622322B2 (en) | 2001-03-23 | 2009-11-24 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method of forming an AlN coated heterojunction field effect transistor |
GB0107408D0 (en) | 2001-03-23 | 2001-05-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Field effect transistor structure and method of manufacture |
JP4220683B2 (ja) | 2001-03-27 | 2009-02-04 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
US6849882B2 (en) | 2001-05-11 | 2005-02-01 | Cree Inc. | Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer |
JP3744381B2 (ja) | 2001-05-17 | 2006-02-08 | 日本電気株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US6475857B1 (en) | 2001-06-21 | 2002-11-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of making a scalable two transistor memory device |
EP2267784B1 (en) | 2001-07-24 | 2020-04-29 | Cree, Inc. | INSULATING GATE AlGaN/GaN HEMT |
GB0122122D0 (en) | 2001-09-13 | 2001-10-31 | Koninkl Philips Electronics Nv | Trench-gate semiconductor devices and their manufacture |
JP2003100775A (ja) | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003174039A (ja) | 2001-09-27 | 2003-06-20 | Murata Mfg Co Ltd | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
US6906350B2 (en) | 2001-10-24 | 2005-06-14 | Cree, Inc. | Delta doped silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors having a gate disposed in a double recess structure |
AU2002339582A1 (en) | 2001-11-01 | 2003-05-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lateral soi field-effect transistor |
KR100445904B1 (ko) | 2001-12-12 | 2004-08-25 | 한국전자통신연구원 | 소스 필드 플레이트를 갖는 드레인 확장형 모스 전계 효과트랜지스터 및그 제조방법 |
JP2003188189A (ja) | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR100438895B1 (ko) | 2001-12-28 | 2004-07-02 | 한국전자통신연구원 | 고전자 이동도 트랜지스터 전력 소자 및 그 제조 방법 |
JP2003203930A (ja) | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | ショットキーゲート電界効果型トランジスタ |
JP2003203923A (ja) | 2002-01-10 | 2003-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
GB0202437D0 (en) | 2002-02-02 | 2002-03-20 | Koninkl Philips Electronics Nv | Cellular mosfet devices and their manufacture |
DE10206739C1 (de) | 2002-02-18 | 2003-08-21 | Infineon Technologies Ag | Transistorbauelement |
JP2003249641A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Sharp Corp | 半導体基板、その製造方法及び半導体装置 |
JP2003258003A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3908572B2 (ja) | 2002-03-18 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体素子 |
JP3705431B2 (ja) | 2002-03-28 | 2005-10-12 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3723780B2 (ja) | 2002-03-29 | 2005-12-07 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6559513B1 (en) | 2002-04-22 | 2003-05-06 | M/A-Com, Inc. | Field-plate MESFET |
DE10304722A1 (de) * | 2002-05-11 | 2004-08-19 | United Monolithic Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
EP1514300A1 (en) | 2002-05-31 | 2005-03-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Trench-gate semiconductor device and method of manufacturing |
US6740535B2 (en) | 2002-07-29 | 2004-05-25 | International Business Machines Corporation | Enhanced T-gate structure for modulation doped field effect transistors |
US7253486B2 (en) * | 2002-07-31 | 2007-08-07 | Freescale Semiconductor, Inc. | Field plate transistor with reduced field plate resistance |
US6870219B2 (en) | 2002-07-31 | 2005-03-22 | Motorola, Inc. | Field effect transistor and method of manufacturing same |
US20040021152A1 (en) | 2002-08-05 | 2004-02-05 | Chanh Nguyen | Ga/A1GaN Heterostructure Field Effect Transistor with dielectric recessed gate |
US6884704B2 (en) | 2002-08-05 | 2005-04-26 | Hrl Laboratories, Llc | Ohmic metal contact and channel protection in GaN devices using an encapsulation layer |
US6838325B2 (en) | 2002-10-24 | 2005-01-04 | Raytheon Company | Method of forming a self-aligned, selectively etched, double recess high electron mobility transistor |
US8089097B2 (en) | 2002-12-27 | 2012-01-03 | Momentive Performance Materials Inc. | Homoepitaxial gallium-nitride-based electronic devices and method for producing same |
TWI230978B (en) | 2003-01-17 | 2005-04-11 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor device and the manufacturing method thereof |
JP4077731B2 (ja) | 2003-01-27 | 2008-04-23 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
KR100573720B1 (ko) | 2003-01-29 | 2006-04-26 | 가부시끼가이샤 도시바 | 전력 반도체소자 |
US6933544B2 (en) | 2003-01-29 | 2005-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power semiconductor device |
JP3940699B2 (ja) | 2003-05-16 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | 電力用半導体素子 |
TWI430341B (zh) | 2003-09-09 | 2014-03-11 | Univ California | 單一或多重閘極場平板之製造 |
US7501669B2 (en) | 2003-09-09 | 2009-03-10 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistor devices with field plates |
US7126426B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-10-24 | Cree, Inc. | Cascode amplifier structures including wide bandgap field effect transistor with field plates |
JP4417677B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-02-17 | 株式会社東芝 | 電力用半導体装置 |
US7488992B2 (en) | 2003-12-04 | 2009-02-10 | Lockheed Martin Corporation | Electronic device comprising enhancement mode pHEMT devices, depletion mode pHEMT devices, and power pHEMT devices on a single substrate and method of creation |
US7071498B2 (en) | 2003-12-17 | 2006-07-04 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices including an electrode-defining layer and methods of forming the same |
JP4041075B2 (ja) | 2004-02-27 | 2008-01-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US7550783B2 (en) | 2004-05-11 | 2009-06-23 | Cree, Inc. | Wide bandgap HEMTs with source connected field plates |
US7573078B2 (en) * | 2004-05-11 | 2009-08-11 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistors with multiple field plates |
US9773877B2 (en) | 2004-05-13 | 2017-09-26 | Cree, Inc. | Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates |
JP2005340417A (ja) | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | ヘテロ接合電界効果型半導体装置 |
JP2006032552A (ja) | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 窒化物含有半導体装置 |
US7229903B2 (en) | 2004-08-25 | 2007-06-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Recessed semiconductor device |
DE102005039564B4 (de) | 2004-09-02 | 2011-03-31 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils |
US7312481B2 (en) | 2004-10-01 | 2007-12-25 | Texas Instruments Incorporated | Reliable high-voltage junction field effect transistor and method of manufacture therefor |
JP2006114652A (ja) | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Hitachi Cable Ltd | 半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ |
US7456443B2 (en) | 2004-11-23 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region |
US7709859B2 (en) | 2004-11-23 | 2010-05-04 | Cree, Inc. | Cap layers including aluminum nitride for nitride-based transistors |
US7161194B2 (en) | 2004-12-06 | 2007-01-09 | Cree, Inc. | High power density and/or linearity transistors |
US11791385B2 (en) | 2005-03-11 | 2023-10-17 | Wolfspeed, Inc. | Wide bandgap transistors with gate-source field plates |
US7465967B2 (en) | 2005-03-15 | 2008-12-16 | Cree, Inc. | Group III nitride field effect transistors (FETS) capable of withstanding high temperature reverse bias test conditions |
US7951316B2 (en) | 2005-04-05 | 2011-05-31 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Process for pipe seal manufacture |
WO2006132418A1 (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタ |
US7385273B2 (en) | 2005-06-10 | 2008-06-10 | International Rectifier Corporation | Power semiconductor device |
CN101238560B (zh) | 2005-06-10 | 2011-08-31 | 日本电气株式会社 | 场效应晶体管 |
US7679111B2 (en) | 2005-09-16 | 2010-03-16 | International Rectifier Corporation | Termination structure for a power semiconductor device |
JP2007150282A (ja) | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Sharp Corp | 電界効果トランジスタ |
US7566918B2 (en) | 2006-02-23 | 2009-07-28 | Cree, Inc. | Nitride based transistors for millimeter wave operation |
JP5307973B2 (ja) | 2006-02-24 | 2013-10-02 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置 |
US7388236B2 (en) | 2006-03-29 | 2008-06-17 | Cree, Inc. | High efficiency and/or high power density wide bandgap transistors |
US7629627B2 (en) | 2006-04-18 | 2009-12-08 | University Of Massachusetts | Field effect transistor with independently biased gates |
JP5065616B2 (ja) | 2006-04-21 | 2012-11-07 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体素子 |
JP5036233B2 (ja) | 2006-07-06 | 2012-09-26 | シャープ株式会社 | 半導体スイッチング素子および半導体回路装置 |
JP4304198B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-07-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
PL2080228T3 (pl) | 2006-10-04 | 2021-04-19 | Leonardo S.P.A. | Urządzenie mocy pseudomorficznego tranzystora o wysokiej ruchliwości elektronów (phemt) z zasilaniem jednonapięciowym i sposób jego wytwarzania |
US8823057B2 (en) | 2006-11-06 | 2014-09-02 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices |
EP1921669B1 (en) | 2006-11-13 | 2015-09-02 | Cree, Inc. | GaN based HEMTs with buried field plates |
US7692263B2 (en) | 2006-11-21 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | High voltage GaN transistors |
US8212290B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-07-03 | Cree, Inc. | High temperature performance capable gallium nitride transistor |
US8502323B2 (en) | 2007-08-03 | 2013-08-06 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Reliable normally-off III-nitride active device structures, and related methods and systems |
US7915643B2 (en) | 2007-09-17 | 2011-03-29 | Transphorm Inc. | Enhancement mode gallium nitride power devices |
US7985986B2 (en) | 2008-07-31 | 2011-07-26 | Cree, Inc. | Normally-off semiconductor devices |
JP5597921B2 (ja) | 2008-12-22 | 2014-10-01 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
US8552471B2 (en) | 2009-01-16 | 2013-10-08 | Nec Corporation | Semiconductor apparatus having reverse blocking characteristics and method of manufacturing the same |
US7884394B2 (en) | 2009-02-09 | 2011-02-08 | Transphorm Inc. | III-nitride devices and circuits |
JP2010278333A (ja) | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5481103B2 (ja) | 2009-06-11 | 2014-04-23 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体素子 |
US20110241020A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Triquint Semiconductor, Inc. | High electron mobility transistor with recessed barrier layer |
JP5548909B2 (ja) | 2010-04-23 | 2014-07-16 | 古河電気工業株式会社 | 窒化物系半導体装置 |
JP5688556B2 (ja) | 2010-05-25 | 2015-03-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電界効果トランジスタ |
US8445961B2 (en) | 2010-09-20 | 2013-05-21 | International Business Machines Corporation | Measuring floating body voltage in silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor (MOSFET) |
US8860120B2 (en) | 2010-09-22 | 2014-10-14 | Nxp, B.V. | Field modulating plate and circuit |
JP5845568B2 (ja) | 2010-11-02 | 2016-01-20 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5550740B2 (ja) | 2010-11-10 | 2014-07-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
US20120175679A1 (en) | 2011-01-10 | 2012-07-12 | Fabio Alessio Marino | Single structure cascode device |
JP5874173B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-03-02 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP5343100B2 (ja) | 2011-03-17 | 2013-11-13 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体装置 |
US9024357B2 (en) | 2011-04-15 | 2015-05-05 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method for manufacturing a HEMT transistor and corresponding HEMT transistor |
US8610173B2 (en) | 2011-08-01 | 2013-12-17 | Selex Sistemi Integrati S.P.A. | Enhancement/depletion PHEMT device |
US8901604B2 (en) | 2011-09-06 | 2014-12-02 | Transphorm Inc. | Semiconductor devices with guard rings |
JP5591776B2 (ja) | 2011-09-21 | 2014-09-17 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体装置およびそれを用いた回路 |
JP5908692B2 (ja) | 2011-09-29 | 2016-04-26 | トランスフォーム・ジャパン株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2013157407A (ja) | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US8975664B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-03-10 | Triquint Semiconductor, Inc. | Group III-nitride transistor using a regrown structure |
US9024324B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-05-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | GaN dual field plate device with single field plate metal |
JP5949527B2 (ja) | 2012-12-21 | 2016-07-06 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、電源装置、高周波増幅器 |
US8946779B2 (en) | 2013-02-26 | 2015-02-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | MISHFET and Schottky device integration |
US9425267B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-08-23 | Freescale Semiconductor, Inc. | Transistor with charge enhanced field plate structure and method |
JP6220161B2 (ja) | 2013-06-03 | 2017-10-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9755059B2 (en) | 2013-06-09 | 2017-09-05 | Cree, Inc. | Cascode structures with GaN cap layers |
US9679981B2 (en) | 2013-06-09 | 2017-06-13 | Cree, Inc. | Cascode structures for GaN HEMTs |
-
2004
- 2004-10-04 US US10/958,945 patent/US9773877B2/en active Active
-
2005
- 2005-04-21 EP EP12171401A patent/EP2515338A3/en not_active Ceased
- 2005-04-21 AU AU2005246697A patent/AU2005246697B2/en active Active
- 2005-04-21 BR BRPI0510960-4A patent/BRPI0510960A/pt not_active Application Discontinuation
- 2005-04-21 EP EP12171403.4A patent/EP2515339B1/en active Active
- 2005-04-21 KR KR1020067026207A patent/KR101142555B1/ko active IP Right Grant
- 2005-04-21 WO PCT/US2005/013725 patent/WO2005114747A2/en active Application Filing
- 2005-04-21 CA CA2564955A patent/CA2564955C/en active Active
- 2005-04-21 JP JP2007513167A patent/JP5611509B2/ja active Active
- 2005-04-21 CN CN2005800148667A patent/CN1998089B/zh active Active
- 2005-04-21 EP EP05756258.9A patent/EP1754263B1/en active Active
- 2005-05-09 TW TW094114829A patent/TWI452695B/zh active
- 2005-05-09 TW TW101131917A patent/TWI502738B/zh active
- 2005-05-09 TW TW103120237A patent/TWI620320B/zh active
-
2014
- 2014-06-19 JP JP2014126655A patent/JP5982430B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-05 US US15/696,050 patent/US11664429B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101142555B1 (ko) | 2012-05-08 |
US20050253167A1 (en) | 2005-11-17 |
WO2005114747A3 (en) | 2006-06-01 |
EP2515339B1 (en) | 2021-03-10 |
AU2005246697A1 (en) | 2005-12-01 |
BRPI0510960A (pt) | 2007-11-20 |
WO2005114747A2 (en) | 2005-12-01 |
US11664429B2 (en) | 2023-05-30 |
JP5611509B2 (ja) | 2014-10-22 |
TWI452695B (zh) | 2014-09-11 |
EP1754263A2 (en) | 2007-02-21 |
US9773877B2 (en) | 2017-09-26 |
JP2007537596A (ja) | 2007-12-20 |
EP2515338A3 (en) | 2012-12-12 |
EP2515339A3 (en) | 2012-12-12 |
KR20070007967A (ko) | 2007-01-16 |
US20170365670A1 (en) | 2017-12-21 |
CA2564955C (en) | 2016-08-23 |
EP2515338A2 (en) | 2012-10-24 |
JP2014209647A (ja) | 2014-11-06 |
TW200620660A (en) | 2006-06-16 |
TWI620320B (zh) | 2018-04-01 |
AU2005246697B2 (en) | 2011-04-28 |
CN1998089B (zh) | 2010-09-01 |
CA2564955A1 (en) | 2005-12-01 |
TW201301510A (zh) | 2013-01-01 |
EP1754263B1 (en) | 2019-01-16 |
TW201438227A (zh) | 2014-10-01 |
CN1998089A (zh) | 2007-07-11 |
TWI502738B (zh) | 2015-10-01 |
EP2515339A2 (en) | 2012-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5982430B2 (ja) | フィールドプレートに接続されたソース領域を有する、ワイドバンドギャップ電界効果トランジスタ | |
JP6228167B2 (ja) | ソース接続フィールドプレートを備えるワイドバンドギャップhemt | |
JP5519930B2 (ja) | ゲート−ソースフィールドプレートを含むワイドバンドギャップトランジスタ | |
KR101057439B1 (ko) | 복수의 필드 플레이트를 갖는 광대역갭 트랜지스터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150526 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150824 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150928 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20151026 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151126 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160526 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160801 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5982430 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |