JP2016179935A - 水素化ポリゲルマンの製造方法及び水素化ポリゲルマン - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ハロゲン化ポリゲルマンを水素化して、純粋化合物としての、あるいは複数の化合物の混合物としての水素化ポリゲルマンを製造する方法。に関するものである。水素化ポリゲルマンは、水素を含む置換基Zを有し、前記置換基Z対ゲルマニウムの比が少なくとも1:1であり、一般化学式GeZxでにおいて、xが1≦x≦3から選択され、2≦n≦100の平均鎖長nを有する。
【選択図】なし
Description
Claims (24)
- ハロゲン化ポリゲルマンを水素化することを特徴とする純粋化合物または複数の化合物の混合物としての水素化ポリゲルマンを製造する方法。
- 前記ハロゲン化ポリゲルマンは、熱的に生成されたハロゲン化ポリゲルマン及びプラズマ化学的に生成されたハロゲン化ポリゲルマンから選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ハロゲン化ポリゲルマンは、金属水素化物及び/又は半金属水素化物から選択される水素化合物の水素化剤と反応することを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記水素化剤は、MH、MBH4、MBH4-xRx、MAlH4、AlHxR3-x、及びこれらの混合物を含むグループから選択されることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記水素化は−60〜200℃の範囲から選択される温度で行われることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の方法。
- 前記水素化は1Pa〜200hPaの範囲から選択される圧力で行われることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の方法。
- 前記ハロゲン化ポリゲルマンは、水素化される前に溶媒で希釈されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の方法。
- 水素を含む置換基Zを有し、
前記置換基Z対ゲルマニウムの比が少なくとも1:1であり、
一般化学式GeZxでにおいて、xが1≦x≦3から選択され、
2≦n≦100の平均鎖長nを有している
ことを特徴とする純粋化合物または複数の化合物の混合物としての水素化ポリゲルマン。 - 請求項1乃至7に記載の方法によって製造されることを特徴とする請求項8に記載の水素化ポリゲルマン。
- 3つより多い直接結合されたゲルマニウム原子を有するポリゲルマン分子の部分(Anteil)を有し、前記ゲルマン原子の少なくとも8%が分岐部位となることを特徴とする請求項8または9に記載の水素化ポリゲルマン。
- 複数の化合物の混合物としての水素化ポリゲルマンであって、
前記混合物は前記混合物内に存在する少なくとも1つの個別化合物より高い溶解度を有することを特徴とする請求項8乃至10のいずれかに記載の水素化ポリゲルマン。 - 3つより多い直接結合されたゲルマニウム原子を有するポリゲルマン分子の部分を有し、
前記ポリゲルマン分子は、一般化学式GeZxにおいて、xが2.2≦x≦2.5であることを特徴とする請求項8乃至11のいずれかに記載の水素化ポリゲルマン。 - 前記置換基Zは、さらにハロゲンを含むことを特徴とする請求項8乃至12のいずれかに記載の水素化ポリゲルマン。
- 前記ハロゲンの部分は2atom%未満であることを特徴とする請求項13に記載の水素化ポリゲルマン。
- 前記水素の部分は、50atom%より大きいことを特徴とする請求項8乃至14のいずれかに記載の水素化ポリゲルマン。
- 1H NMRスペクトルでは、6.5〜2.0ppm間の化学シフトの範囲に有意な生成物のシグナルを有していることを特徴とする請求項8乃至15のいずれかに記載の水素化ポリゲルマン。
- 1H NMR スペクトルでは、3.6〜2.9ppm間の化学シフトの範囲に有意な生成物のシグナルの総積分のうち、少なくとも80%の信号強度を有することを特徴とする請求項8乃至16のいずれかに記載の水素化ポリゲルマン。
- ラマンスペクトルでは、波数2250〜2000の領域、及び波数330以下の領域に有意な生成物帯域を有することを特徴とする請求項8乃至17のいずれかに記載の水素化ポリゲルマン。
- 無色から淡黄色、または無色から象牙色であることを特徴とする請求項8乃至18のいずれかに記載の水素化ポリゲルマン。
- 非晶質固体または結晶質固体として存在することを特徴とする請求項8乃至19のいずれかに記載の水素化ポリゲルマン。
- 少なくとも20%の量を、濃度が10%になるまで不活性溶媒に溶解可能であることを特徴とする請求項8乃至20のいずれかに記載の水素化ポリゲルマン。
- 前記溶解可能な水素化ポリゲルマンは、減圧下で20%より多くの量を、分解することなく蒸留可能及び/又は揮発することを特徴とする請求項21に記載の水素化ポリゲルマン。
- 請求項8乃至22のいずれかに記載の水素化ポリゲルマンより製造されるゲルマニウム層。
- A)請求項8乃至22のいずれかに記載の固体又は溶解した水素化ポリゲルマンを基板に塗布するステップと、
B)前記水素化ポリゲルマンを熱分解するステップと、
を含むことを特徴とする基板にゲルマニウム層を製造する方法。
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