EP2507169A1 - Verfahren zum entfernen von verunreinigungen aus silicium - Google Patents

Verfahren zum entfernen von verunreinigungen aus silicium

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EP2507169A1
EP2507169A1 EP10787448A EP10787448A EP2507169A1 EP 2507169 A1 EP2507169 A1 EP 2507169A1 EP 10787448 A EP10787448 A EP 10787448A EP 10787448 A EP10787448 A EP 10787448A EP 2507169 A1 EP2507169 A1 EP 2507169A1
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EP
European Patent Office
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silicon
halogen
impurities
halopolysilane
mixture
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Withdrawn
Application number
EP10787448A
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English (en)
French (fr)
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Norbert Auner
Christian Bauch
Sven Holl
Rumen Deltschew
Javad MOHSSENI
Gerd Lippold
Thoralf Gebel
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Spawnt Private SARL
Original Assignee
Spawnt Private SARL
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Publication date
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Publication of EP2507169A1 publication Critical patent/EP2507169A1/de
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04—Hydrides of silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G17/00—Compounds of germanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G79/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen, and carbon with or without the latter elements in the main chain of the macromolecule
    • C08G79/14—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen, and carbon with or without the latter elements in the main chain of the macromolecule a linkage containing two or more elements other than carbon, oxygen, nitrogen, sulfur and silicon
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/582—Recycling of unreacted starting or intermediate materials

Definitions

  • the present invention relates to a method for removing impurities from silicon, in particular of metallic and / or non-metallic impurities, and a material used for this purpose, which contains a halogenpolysilane and / or a halide-containing silicon.
  • Metallurgical silicon in the sense of the method according to the invention comprises all Si quality grades which do not meet the purity criteria for semiconductor applications.
  • Metallurgical silicon or UMG silicon are not suitable because they contain relatively high concentra ⁇ ones of impurities which are un- desirable for this purpose and must be removed for the production of solar cells or applications in the electronics industry.
  • gaseous halogen sources can be used according to the prior art.
  • halogen gas, halogen-containing gas mixtures or gaseous halogen-containing compounds are introduced into the Si melt.
  • DE 3635064 C2 discloses a method for purifying silicon by treating a silicon melt with a a gas mixture comprising hydrogen chloride and / or halosilanes and a subsequent vacuum treatment at less than 0.1 mbar.
  • the implementation of such a technology is very complex, since the introduction of the halogen or the gaseous halogen-containing compounds must be carried out directly in the melt, which is usually done by tubes or special nozzles.
  • a homogeneous distribution of the halogen over the entire melt is therefore only possible to a limited extent.
  • the melt itself ie it can, for example, come to impurities that originate from the devices for gas introduction.
  • WO 2009/143825 A2 describes a process for purifying metallurgical silicon, in which solid halide-containing silicon is added to the metallurgical silicon, a melt being produced from the substances and the impurities being removed from the melt and precipitated in the form of Metal halides are removed.
  • the implementation of such a technology is dependent on the preparation of the necessary halide-containing silicon, which is usually made of halogenpolysilanes.
  • This halopolysilanes must be set with in comparison to the starting material significantly reduced halogen content (as well as volatile halosilanes with compared to the starting material increased halogen content) environmentally initially to a mate rial ⁇ .
  • the material thus obtained is the halide-containing silicon.
  • the object of the invention is to provide an improved process for the purification of silicon, which is simplified in particular compared to the prior art. This object is solved by the method for removing impurities from silicon and the material usable therefor according to the independent claims.
  • the dependent claims and the description teach advantageous wide Erbil ⁇ applications and embodiments.
  • halogen which may be partly replaced by hydrogen
  • a melt is then put forth ⁇ from the starting materials, wherein the impurities are removed from the mixture, particularly in the form of element halides.
  • step A) to be cleaned metallic silicon, as it has been described a ⁇ passage closer provided.
  • This Silici- order is heated in a step C), so that is formed generally egg ⁇ ne melt of silicon to be purified.
  • Be ⁇ already before heating can, to the to be cleaned silicon SiX be admixed with at least one halopolysilane the formula n; this admixture according to method step B), but can also take place during heating, or it may also Ha ⁇ logenpolysilan be added to the already molten silicon to be purified.
  • step C) then a reaction of the impurities with the at least one halopolysilane or with a decomposition product of at least one ⁇ halopolysilane.
  • a reaction between the impurity and the halopolysilane or its decomposition product is to be understood as meaning, in particular, that the impurities present in elemental form form a halide with the halogen of the polysilane or of the decomposition product, which is usually volatile and can therefore escape ,
  • the formation of a slag is frequently observed, in which then the halogen-containing impurities are present. This slag can then be removed from the surface of the molten silicon.
  • outgassing of the elemental halides formed can be observed.
  • the decomposition product of the halopolysilane is, in particular, silicon tetrahalide and hexahalogendisilane, which, as stated above, form during the thermal decomposition of polysilanes.
  • halopolysilane or "at least one halopolysilane” is mentioned, it is to be understood that the invention as ⁇ probably pure compounds for cleaning the contaminated silicon can be ciums used as mixtures Various ⁇ ner halopolysilanes.
  • the mixtures may contain different halogens; Often, however, only a single halogen will be included in the mixtures. As a rule, will - too due to the possible manufacturing process - often mixtures of halosilanes are used. Accordingly, when "halopolysilane” or “the at least one halopolysilane” is mentioned below, it should always be understood that it may be a mixture of halogenpolysilanes.
  • the Halogenpoly ⁇ at least one silane employed gradually converts to silicon said continuously release of halosilanes, in particular low molecular weight halosilanes such as S1X 4 and S1 2 X 6 is carried out.
  • halosilanes in particular low molecular weight halosilanes such as S1X 4 and S1 2 X 6
  • a cleaning action by the Halogenpolysi- lane takes place according to the invention therefore already in a tempera ⁇ tur Scheme, is still present in the silicon in solid form.
  • no or only a minor proportion of the material used in the starting material that is to say in particular, is produced by the production process according to the invention
  • the method according to the invention is suitable for purifying other metals, for example transition metals (for example titanium) or main group metals (for example aluminum) or else for removing nonmetallic impurities which can be due, for example, to dopants (for example boron, phosphorus or arsenic).
  • transition metals for example titanium
  • main group metals for example aluminum
  • dopants for example boron, phosphorus or arsenic
  • the halogen: silicon ratio of the halopolysilane used or the average halogen: silicon ratio of the mixture of halopolysilane is greater than 1: 1 and less than 2.5: 1. In particular, it is 1.5: 1 to 2.3: 1, for example 1.6: 1 to 2.25: 1.
  • the perhalogenated isomers of Pentasilans may be mentioned in particular, since this can no longer be distilled without decomposition and DEM according to a simple evaporation of the connection, for example, already adsorbed on the surface of a to-clean ⁇ constricting silicon particle can no longer be possible.
  • halogen: silicon ratio of 1.6: 1 is present in hexadecachlorodecanilane (which has an adamantane-like structure) and similar compounds.
  • Compounds or mixtures with the above ge ⁇ called halogen: Silicum ratios are produced as a rule simple and have on the other hand that they frequently be in liquid or viscous consistency or basic (for example by means of the correspondent exploding tetrahalosilanes such as SiCl 4 has the advantage, ) can be brought into Lö ⁇ solution.
  • the halogenpolysilanes according to the invention are able to completely or at least substantially completely wet or cover the particles of the silicon to be cleaned, and thus to a certain extent a layer of the "cleaning agent " can be formed on the silicon particles to be cleaned.
  • This is not possible with either gaseous or solid materials, as described in the prior art.
  • the conversion of the impurities into element halides is thus accelerated right from the start.
  • the impurities are often present at grain boundaries or other crystal defects that are reasonably easily accessible from the surface of a particle. Accordingly, even in the solid state, a reaction between the impurities and the halogenpolysilanes or the decomposition products formed therefrom can begin, since especially in the case of crystal defects, reactions in the solid state are particularly easily possible.
  • solutions or suspensions can be used in S 1X 4 , in which when suspending the Halogenpo ⁇ lysilans in the 2-fold amount by weight S 1X 4 (or alternatively in S 1 2 X 6 or S 1 3 X 8 or other Oligohalogensilanen or Oligohalogensilangemischen , in particular mixtures of compounds having up to 6 silicon atoms) at least 50% of the mass used are soluble.
  • Such solubility is usually achieved when halogen polysilanes having a halogen: silicon ratio of 1.4: 1, but at least 1.5: 1 is present.
  • the solvent used is the S1X 4 or oligohalosilane, which contains the same halogen as the halogenpolysilane to be dissolved.
  • the halogenpolysilanes according to the invention also contain hydrogen in addition to silicon and halogen.
  • the hydrogen content of these compounds will, as a rule, be relatively low and usually not more than 5 atomic%; Often the proportion will even be ⁇ 1%.
  • very often halogenpolysilanes (or halopolysilane mixtures) are used which have no
  • the hydrogen can her einsbe ⁇ dingt be contained in the halopolysilanes; however, it can also be deliberately introduced to some extent because certain impurities are somewhat easier to remove in the presence of hydrogen. This is due, inter alia, to the formation of HCl in the decomposition, which exerts an etching effect even at a lower temperature than do the chlorosilanes / -polysilanes. In general, all compounds mentioned in the context of the present application are subject to the usual purity levels.
  • the purity of a compound consisting of specific types of atoms or a Gemi ⁇ ULTRASONIC consisting of a plurality of such individual compounds is at least 99.5% by weight, often at least 99.95% and that the proportion of impurities in particular less than 10 ppm (where always wt .-% are meant).
  • plasma-chemically or thermally produced chloropolysilanes can serve as starting material.
  • Polysilanes prepared by plasma blending may in particular comprise halogenated polysilanes as pure compound or as a mixture of compounds each having at least one direct bond Si-Si, wherein the substituents consist of halogen or of halogen and hydrogen and wherein in the composition the atomic ratio substituent: silicon is at least 1: 1, where a. the H content of the polysilane is less than 2 atomic%, b. the polysilane almost no branched chains and
  • Containing rings wherein the content of Verzweigungsstel- len of the short-chain fraction, in particular of the summed on ⁇ proportion of perhalogenated derivatives of Neohexasilan, neopentasilane, Isotetrasilan, silane Isopenta- and Isohexasilan, is based on the total product mixture below 1%,
  • the content of branching sites is determined by integration of the 29 Si NMR signals for the tertiary and quaternary Si atoms.
  • the short-chain portion is the An ⁇ part of the halogenated polysilanes designates all silanes ne with up to six silicon atoms.
  • the proportion of perhalogenated short-chain silanes can be determined very quickly, if - as exemplified by the perchlorinated compounds - the procedure is as follows.
  • the range of from +23 ppm to -13 ppm in the 29 Si-NMR is integrated and subsequently the signals for tertiary and quarterly mentary Si-atoms (in particular in the primary and secondary signals ⁇ sondere silicon atoms to the fin ⁇ are) in the range from -18 ppm to -33 ppm and from -73 ppm to -93 ppm of the perchlorinated derivatives of the following compounds: neohexasilane, neopentasilane, isotetrasilane, isopentasilane and isohexasilane.
  • the ratio of the respective integrations I kU rz ketti g : I primary / secondary is less than 1: 100 with respect to the totalized integration for the respectively perchlorinated derivatives of neohexasilane, neopentasilane, isotetrasilane, isopentasilane and isohexasilane.
  • perhalogenated polysilanes which are as described in WO 2006/125425 A1, to which full reference is also made in terms of characterization and synthesis, wherein it should be noted that the higher Power density of the plasma used there, the proportion of branched compounds is usually greater than in the compounds / mixtures, which were prepared according to WO 2009/143823 A2.
  • Halopolysilanes thermally produced may be beispielswei ⁇ se halogenated polysilanes as a pure compound or as a Ge ⁇ mixture of compounds each having at least a direct bond Si-Si, the substituents being selected from halogen or halogen and hydrogen, and wherein in the enclo ⁇ men suffices the atomic ratio Substituent: silicon is at least 1: 1, where a. the polysilane consists of rings and chains with a high proportion of branching points, which is> 1% relative to the total product mixture,
  • the above prepared thermal or plasma-chemically halopolysilanes in particular due to the process, a certain thermal decomposition aufwei- sen how it may be intentionally Runaway ⁇ leads according to WO 2009/143825 A2.
  • halopolysilanes or Halogenpolysilangemische having a halogen: silicon ratio are present, which is lower than that of Hexadecahalogendeca- silane, so in particular in the range of 1.1: 1 to 1.5: 1 or 1.6: 1.
  • said compounds have better solubility in SiX 4, insbeson ⁇ particular SiCl 4, and usually also in Oligohalogensilanen than the halide-containing silicon, as described in WO
  • the chlorine content of a compound or a mixture is determined in the context of this application by complete digestion of the sample and subsequent titration of the chloride according to Mohr.
  • the contents of halogens other than chlorine can be determined by analogous methods.
  • the determination of the H content is carried out by integration of 1 H-NMR spectra using an internal standard and comparison of the integrals obtained at a known mixing ratio.
  • the halopolysilanes and the mole ⁇ compositions of the invention the average molecular weight of Halogenpolysilangemische be determined freezing point depressant overall. From the parameters mentioned, the halogen: silicon ratio can be determined.
  • a mixture comprising a powdery silicon and at least one halogeno-poised Lysilane comprises or consists of these two materials added.
  • any silicon can be used as pulverulent silicon.
  • a silicon to be purified in the context of this application.
  • Paste can be prepared, which can be subsequently added to solid or ge ⁇ molten contaminated silicon.
  • pure halogenpolysilanes as described above, can be achieved by means of such a paste, that the oxidation sensitivity of the halopolysilanes is reduced.
  • This effect may be due to the fact that the accessible surface of the halogenated Polysilans is reduced and thus the reaction with undesirable substances, such as water or water vapor, can be reduced substantially to the surface of the paste, but not on the Total amount of halogen polysilane.
  • the pulverized silicon and halopolysilane can first also be tempered. This then creates a non-plastic bulk material, which has a further reduced sensitivity to oxidation ⁇ .
  • a certain Ver ⁇ loss of halogen is recorded, based on the fact that the effect of temperature on the halopolysilane - low molecular weight silicon halides are gebil ⁇ det - as described above.
  • the added silicon content plays according to this Embodiment not matter for the formed empirical formula SiX n .
  • the at least one halopolysilane added in step B) is added in encapsulated form.
  • encapsulated form is to be understood in particular that the halopolysilane without
  • the encapsulation may consist in particular of silicon or this umfas ⁇ sen, since silicon is present in the melt in any case.
  • the silicon can in particular in elemental form as
  • the encapsulation contains or consists of quartz glass, in which case in addition to silicon ⁇ additionally or oxygen is introduced into the silicon melt to be purified.
  • the silica dioxides originating from the quartz glass then form a slag which is formed on the cleaned silicon floats and therefore can be easily removed or evaporated as silicon monoxide from the surface.
  • a mixing of the halopolysilane with the to be cleaned silicon can be effected in that the encapsulation of silicon melts itself, whereby only in this state, a distribution of the halopolysilane or the decomposition products meanwhile formed in the Silicon melt takes place, so that outgassing of decomposition products during the heating process does not occur in this case.
  • encapsulation in particular an encapsulation made of quartz glass, for example an ampoule
  • bursting in Silici ⁇ remelting because of the increased temperature of the Sili ⁇ ciumschmelze occurs a decomposition reaction of the Chlorpolysilans in ⁇ nerrenz the quartz glass ampoule and thus a positive pressure is produced, which the quartz glass ultimately can no longer withstand.
  • the present application also relates to a material which can be used in particular for the last-described alternative embodiments of the method according to the invention.
  • This material comprises a silicon halide compound, in particular a halopolysilane or a mixture of halopolysilanes, but may also comprise a halide-containing silicon, as described, for example, in WO
  • this material also contains a protective material against moisture.
  • the protective material against moisture may be in particular the silicon described above or also silicon dioxide.
  • one of the ⁇ -like material can gen vorlie- example in the form of a paste whose Oxidationssinterkeit is reduced because in contact with the surrounding surface of the halogen polysilane or the halide-containing silicon can be reduced.
  • an additional binder can be used for this purpose.
  • the material described above may be formed such that the moisture-proofing material encloses the silicon-halogen compounds in the manner of an encapsulation.
  • the protective material can thus form an ampoule in which the silicon-halogen
  • Such a vial may be made of Si approximately ⁇ Licium or comprise or consist of quartz glass or comprising this.
  • the above-mentioned silicon-halogen compounds can be brought into a storable form, in which the decomposition due to undesired media (such as water) can be reduced or prevented.

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Abstract

Es wird ein Verfahren zum Entfernen von Verunreinigungen aus Silicium angegeben, das die folgenden Schritte umfasst: A) Bereitstellung von metallischem Silicium mit Verunreinigungen, B) Mischen des zu reinigenden Siliciums mit mindestens einem Halogenpolysilan der Formel SiXn, wobei X für Halogen steht, das teilweise durch Wasserstoff ersetzt sein kann und wobei 1 < n < 2,5, C) Erhitzen des bereitgestellten zu reinigenden Siliciums, so dass zumindest teilweise eine Reaktion der Verunreinigungen mit dem mindestens einen Halogenpolysilan oder einem Zersetzungsprodukt des mindestens einen Halogenpolysilans erfolgt, wobei Schritt C) vor, während und/oder nach Schritt B) erfolgen kann.

Description

Verfahren zum Entfernen von Verunreinigungen aus Silicium
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von Verunreinigungen aus Silicium, insbesondere von me- tallischen und/oder nichtmetallischen Verunreinigungen, und ein hierfür verwendetes Material, das ein Halogenpolysilan und/oder ein halogenidhaltiges Silicium enthält.
Der Begriff „Silicium" im Sinne des erfindungsgemäßen Verfah- rens umfasst sämtliche Si-Qualitätsstufen, insbesondere me¬ tallurgisches Silicium, welches direkt aus der carbothermi- schen Reduktion von S1O2 gewonnen worden ist, UMG-Silicium (UMG = upgraded metallurgical grade) , solar-grade Silicium und electronic-grade Silicium sowie das zugehörige Roh- Silicium und die zugehörigen Vorprodukte der Si- Qualitätsstufen und des entsprechenden Roh-Siliciums .
Metallurgisches Silicium im Sinne des erfindungsgemäßen Verfahrens umfasst sämtliche Si-Qualitätsstufen, die nicht die Reinheitskriterien für Halbleiteranwendungen erfüllen. Metallurgisches Silicium oder UMG-Silicium sind für die Herstellung von Solarzellen oder Anwendungen in der Elektronikindustrie nicht geeignet, da sie noch relativ hohe Konzentrati¬ onen an Verunreinigungen enthalten, die für diese Zwecke un- erwünscht sind und entfernt werden müssen.
Zur Entfernung von Verunreinigungen aus Siliciumschmelzen können nach dem Stand der Technik gasförmige Halogenquellen eingesetzt werden. Insbesondere werden dabei Halogengas, Ha- logen enthaltende Gasgemische oder gasförmige halogenhaltige Verbindungen in die Si-Schmelze eingeleitet. Beispielsweise offenbart die DE 3635064 C2 ein Verfahren zur Aufreinigung von Silicium durch Behandeln einer Silicium-Schmelze mit ei- nem Gasgemisch, das Chlorwasserstoff und/oder Halogensilane umfasst und eine anschließende Vakuumbehandlung bei weniger als 0,1 mbar . Die Umsetzung einer derartigen Technologie ist jedoch sehr komplex, da die Einleitung des Halogens oder der gasförmigen halogenhaltigen Verbindungen direkt in die Schmelze erfolgen muss, was in der Regel durch Röhrchen oder spezielle Düsen geschieht. Eine homogene Verteilung des Halogens über die ge- samte Schmelze ist damit nur bedingt möglich. Zudem kann durch die Vorrichtungen zur Einleitung des Halogens in die Schmelze die Schmelze selbst beeinträchtigt werden, d. h. es kann beispielsweise zu Verunreinigungen kommen, die aus den Vorrichtungen zur Gaseinleitung herrühren.
In den Druckschrift WO 2009/143825 A2 ist ein Verfahren zum Aufreinigen von metallurgischem Silicium beschrieben, bei dem metallurgischem Silicium festes halogenidhaltiges Silicium zugesetzt wird, wobei aus den Substanzen eine Schmelze herge- stellt und die Verunreinigungen aus der Schmelze aussubli- miert und in Form von Metallhalogeniden entfernt werden.
Die Umsetzung einer derartigen Technologie ist jedoch von der Herstellung des dafür nötigen halogenidhaltigen Siliciums ab- hängig, welche in der Regel aus Halogenpolysilanen erfolgt. Diese Halogenpolysilane müssen dabei zunächst zu einem Mate¬ rial mit im Vergleich zum Ausgangsmaterial deutlich verringertem Halogengehalt (sowie zu flüchtigen Halogensilanen mit im Vergleich zum Ausgangsmaterial erhöhtem Halogengehalt) um- gesetzt werden. Das dabei erhaltene Material ist das haloge- nidhaltige Silicium. Aufgabe der Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren zur Reinigung von Silizium zur Verfügung zu stellen, das insbesondere gegenüber dem Stand der Technik vereinfacht ist. Diese Aufgabe wird durch das Verfahren zum Entfernen von Verunreinigungen aus Silicium und das hierfür verwendbare Material gemäß den unabhängigen Ansprüchen gelöst. Die Unteransprüche und die Beschreibung lehren vorteilhafte Weiterbil¬ dungen und Ausführungsformen.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein Halogenpolysilan der Zusammensetzung SiXn beziehungsweise ein Gemisch von Ha- logenpolysilanen mit der mittleren Zusammensetzung SiXn, wobei gilt 1 < n < 2,5 und wobei X = Halogen (das teilweise durch Wasserstoff ersetzt sein kann) , direkt zu verunreinig¬ tem Silicium gegeben, ohne dass zuvor in einem separaten Prozessschritt halogenidhaltiges Silicium erzeugt wird. Aus den Ausgangsmaterialien wird dann insbesondere eine Schmelze her¬ gestellt, wobei die Verunreinigungen aus dem Gemisch entfernt werden, insbesondere in Form von Elementhalogeniden .
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird also in einem ersten Schritt A) zu reinigendes metallisches Silicium, wie es ein¬ gangs näher beschrieben wurde, bereitgestellt. Dieses Silici- um wird in einem Schritt C) erhitzt, so dass im Regelfall ei¬ ne Schmelze des zu reinigenden Siliciums gebildet wird. Be¬ reits vor dem Erhitzen, kann zu dem zu reinigenden Silicium mindestens ein Halogenpolysilan der Formel SiXn zugemischt werden; diese Zumischung gemäß Verfahrensschritt B) kann aber auch während des Erhitzens erfolgen oder es kann auch das Ha¬ logenpolysilan dem bereits aufgeschmolzenen zu reinigenden Silicium zugesetzt werden. Selbstverständlich kann die Zugabe beziehungsweise das Zumischen auch während zwei oder allen drei der genannten Zustände erfolgen. Im Schritt C) erfolgt dann eine Reaktion der Verunreinigungen mit dem mindestens einen Halogenpolysilan beziehungsweise mit einem Zersetzungs¬ produkt des mindestens einen Halogenpolysilans .
Unter einer Reaktion zwischen Verunreinigung und dem Halogenpolysilan beziehungsweise dem Zersetzungsprodukt desselben ist dabei insbesondere zu verstehen, dass die beispielsweise in elementarer Form vorliegenden Verunreinigungen mit dem Ha- logen des Polysilans beziehungsweise des Zersetzungsprodukts ein Halogenid bilden, was üblicherweise flüchtig ist und da¬ her entweichen kann. Insbesondere wenn fluor-haltige Halogen- polysilane eingesetzt werden, so ist häufig die Bildung einer Schlacke zu beobachten, in der dann die halogen-haltigen Ver- unreinigungen vorliegen. Diese Schlacke kann dann von der 0- berfläche des aufgeschmolzenen Siliciums entfernt werden. Bei den anderen Halogenverbindungen wird dagegen im Regelfall e- her ein Ausgasen der gebildeten Elementhalogenide zu beobachten sein. Bei bestimmten Verunreinigungen kann auch sowohl ein Ausgasen als auch ein Lösen in der Schlacke erfolgen. Als Zersetzungsprodukt des Halogenpolysilans ist insbesondere Si- liciumtetrahalogenid und Hexahalogendisilan zu nennen, die sich - wie oben ausgeführt - bei der thermischen Zersetzung von Polysilanen bilden.
Wenn im Rahmen der vorliegenden Anmeldung von einem Halogenpolysilan oder "mindestens einem Halogenpolysilan" die Rede ist, so ist darunter zu verstehen, dass erfindungsgemäß so¬ wohl Reinverbindungen zur Reinigung des verunreinigten Sili- ciums eingesetzt werden können als auch Gemische verschiede¬ ner Halogenpolysilane . Die Gemische können dabei verschiedene Halogene enthalten; häufig wird aber nur ein einziges Halogen in den Gemischen enthalten sein. Im Regelfall werden - auch aufgrund der möglichen Herstellungsverfahren - häufig Gemische von Halogensilanen eingesetzt werden. Dementsprechend ist, wenn im Folgenden von "dem Halogenpolysilan" oder "dem mindestens einen Halogenpolysilan" die Rede ist, darunter stets auch zu verstehen, dass es sich um ein Gemisch von Ha- logenpolysilanen handeln kann.
Ein Halogenpolysilan im Sinne der Erfindung kann dabei eine Verbindung sein, die aus Silicium und Halogen (X = F, Cl, Br, I), insbesondere aus Silicium und Chlor, besteht oder die Si¬ licium und Halogen umfasst und die ferner in ihrer Struktur mindestens eine Bindung Si-Si aufweist.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass sich mit steigender Mate- rialtemperatur das mindestens eine eingesetzte Halogenpoly¬ silan stufenweise zu Silicium umwandelt, wobei andauernd eine Freisetzung von Halogensilanen, insbesondere niedermolekularen Halogensilanen wie beispielsweise S1X4 und S12X6, erfolgt. Im Vergleich zu Verfahren, bei denen halogenidhaltiges Sili- cium zur Reinigung eingesetzt wird, können daher nach Zugabe des Materials zum aufzureinigenden Silicium längere Umsetzungszeiten mit den Verunreinigungen (bzw. Einwirkungszeiten auf die Verunreinigungen) realisiert werden und zwar auch schon während des Erwärmens der Materialmischung bis hin zum Aufschmelzen. Eine Reinigungswirkung durch die Halogenpolysi- lane erfolgt erfindungsgemäß also bereits in einem Tempera¬ turbereich, in dem Silicium noch in fester Form vorliegt. Anders als nach dem Stand der Technik geht also durch den erfindungsgemäßen Herstellungsprozess kein oder nur ein gerin- gerer Anteil des im Ausgangsmaterial, also insbesondere im
Halogenpolysilan, enthaltenen Halogens verloren ohne dass ein Kontakt beziehungsweise eine Reaktion mit den Verunreinigun¬ gen erfolgt. Dementsprechend ist der nutzbare Halogengehalt gegenüber dem halogenidhaltigen Silicium des Stands der Technik deutlich erhöht und verbessert dadurch die Aufreinigungs- fähigkeiten . Gleichzeitig werden aufgrund des höheren Halogenidgehaltes der Halogenpolysilane geringere Mengen des Zusatzstoffes zur Bereitstellung der gleichen Halogenidmenge benötigt. Dieser Unterschied wird noch dadurch verstärkt, dass bei der gemäß dem Stand der Technik nötigen Herstellung von halogenidhalti- gern Silicium aus Halogenpolysilanen ein Teil des Halogenids in Form von S1X4 und/oder weiteren Halogensilanen bei dessen Herstellung ausgetragen wird und nicht im Aufreinigungs- schritt zur Verfügung steht. Erfindungsgemäß wurde auch erkannt, dass zur Aufreinigung von verunreinigtem Silicium kein Chlorgas, chlorhaltiges Gas, gasförmiges Chlorsilan, sondern ein nicht gasförmiges Material, insbesondere flüssige oder feste Halogenpolysilane oder deren Mischungen eingesetzt werden können, wobei die festen Halogenpolysilane so gewählt werden können, dass sie in iner¬ ten Lösungsmitteln löslich sind.
Schließlich lässt sich mit den erfindungsgemäß eingesetzten Halogenpolysilanen eine besonders homogene Verteilung des "Reinigungsmittels" in der Siliciumschmelze aber auch schon auf einer Schüttung von Silicium-Partikeln erreichen. Gemäß dem Verfahren nach dem Stand der Technik ist dies weder bei gasförmigen "Reinigungsmitteln" noch bei den festen "Reinigungsmitteln" der WO 2009/143825 A2 in diesem Maß möglich. Durch die besonders homogene Verteilung des erfindungsgemäßen Verfahrens und die besonders intensive Kontaktierung der zu reinigenden Silicium-Partikel können mit dem erfindungsgemä¬ ßen Verfahren auch Verunreinigungen, die ansonsten besonders schwer zu entfernen sind wie beispielsweise Metalle, die Ha¬ logenide in hohen Oxidationsstufen bilden (beispielsweise Molybdän oder Wolfram), gut entfernt werden. Zudem eignet sich das erfindungsgemäße Verfahren zur Reinigung von anderen Me- fallen, beispielsweise Übergangsmetallen (etwa Titan) oder Hauptgruppemmetallen (etwa Aluminium) oder auch zur Entfernung von nichtmetallischen Verunreinigungen, die beispielsweise auf Dotierungen zurückgehen können (beispielsweise Bor, Phosphor oder Arsen) .
Insbesondere ist darauf hinzuweisen, dass mittels der erfin¬ dungsgemäß eingesetzten Halogenpolysilane im Regelfall eine intensive Benetzung der Silicium-Partikel möglich ist. Wenn nachfolgend diese benetzten Partikel erhitzt werden, so bil- det sich üblicherweise eine Schicht direkt auf den Silizium- Partikeln, so dass halogenhaltige Zersetzungsprodukte direkt auf der Oberfläche des zu reinigenden Siliciums gebildet wer¬ den und dort mit den Verunreinigungen reagieren können. Eine derart gebildete Schicht kann insbesondere nach Art eines Schaums beziehungsweise einer porösen Kruste gebildet sein, wobei zumindest ein Teil der Zersetzungsprodukte bis zu sehr hohen Temperaturen in den Hohlräumen eingeschlossen bleibt und dadurch auf die Oberfläche der Silizium-Partikel einwir¬ ken kann, ohne vorher zu entweichen. Die reaktiven niedermo- lekularen Siliziumhalogenide beziehungsweise das mit den Ver¬ unreinigungen reagierende Halogen wird also gewissermaßen in konzentrierter Form dort festgehalten, wo es wirken soll.
Gemäß einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das Halogen : Silicium-Verhältnis des eingesetzten Halogen- polysilans beziehungsweise das mittlere Halogen : Silicium- Verhältnis des Gemischs von Halogenpolysilan größer als 1:1 und kleiner als 2,5:1. Insbesondere beträgt es 1,5:1 bis 2,3:1, beispielsweise 1,6:1 bis 2,25:1. Als untere Grenze hinsichtlich der Verwendbarkeit können insbesondere die perhalogenierten Isomere des Pentasilans genannt werden, da sich dieses nicht mehr unzersetzt destillieren lässt und dem- entsprechend auch ein einfaches Verdampfen der Verbindung, die beispielsweise schon auf der Oberfläche eines zu reini¬ genden Silicium-Partikels adsorbiert sein kann, nicht mehr möglich ist. Dementsprechend kann insbesondere mit Halogenpo- lysilanen mit 5 oder mehr Siliciumatomen eine Reaktion mit den Verunreinigungen forciert werden. Ein besonders niedriges Halogen : Silicium-Verhältnis von 1,6:1 liegt bei Hexadecach- lordecasilan (das eine Adamantan-artige Struktur besitzt) und ähnlichen Verbindungen vor. Verbindungen beziehungsweise Gemische mit den vorstehend ge¬ nannten Halogen : Silicum-Verhältnissen sind im Regelfall einfach herstellbar und haben zum anderen den Vorteil, dass sie häufig in flüssiger oder zähflüssiger Konsistenz vorliegen beziehungsweise einfach (zum Beispiel mittels der korrespon- dierenden Tetrahalogensilane wie beispielsweise SiCl4) in Lö¬ sung gebracht werden können. Mit diesen Eigenschaften geht einher, dass die erfindungsgemäßen Halogenpolysilane die Partikel des zu reinigenden Siliciums vollständig oder zumindest im Wesentlichen vollständig benetzen beziehungsweise bedecken können und somit gewissermaßen eine Schicht des "Reinigungs¬ mittels" auf den zu reinigenden Siliciumpartikeln ausgebildet werden kann. Dies ist weder mit gasförmigen noch mit festen Materialien, wie sie nach dem Stand der Technik beschrieben werden, möglich. Werden nun derart behandelte zu reinigende Silicium-Partikel erhitzt, so erfolgt vom ersten Augenblick an aufgrund der vollständigen beziehungsweise im Wesentlichen vollständige Benetzung beziehungsweise Bedeckung der zu rei¬ nigenden Partikel ein Kontakt der Verunreinigungen mit den Halogenpolysilanen beziehungsweise mit deren Zersetzungspro¬ dukten der Halogenpolysilane . Gemäß dem Prinzip von Le Chate- lier wird also von Beginn an die Umwandlung der Verunreinigungen zu Elementhalogeniden forciert. Zu beachten ist dabei, dass die Verunreinigungen häufig an Korngrenzen oder anderen Kristalldefekten, die von der Oberfläche eines Partikels aus einigermaßen leicht zugänglich sind vorliegen. Dementsprechend kann noch in festem Zustand eine Reaktion zwischen den Verunreinigungen und den Halogenpolysilanen beziehungsweise den daraus gebildeten Zersetzungsprodukten beginnen, da gerade bei den Kristalldefekten Reaktionen in festem Zustand besonders leicht möglich sind.
Um bei einer nicht flüssigen oder zähflüssigen Konsistenz der Halogenpolysilane, beispielsweise der Chlorpolysilane, eine besonders gute Benetzbarkeit der zu reinigenden Silicium- Partikel zu erreichen, können Lösungen oder Suspensionen in S1X4, insbesondere S1CI4, eingesetzt werden, bei denen beim Suspendieren des Halogenpolysilans in der 5-fachen Gewichts- menge S 1X4 (oder alternativ auch in S 12X6 oder S 13X8 oder an¬ deren Oligohalogensilanen oder Oligohalogensilangemischen, insbesondere Gemischen von Verbindungen mit bis zu sechs Si- liciumatomen) zumindest 50 % der eingesetzten Masse löslich sind. Insbesondere können Lösungen oder Suspensionen in S 1X4 eingesetzt werden, bei denen beim Suspendieren des Halogenpo¬ lysilans in der 2-fachen Gewichtsmenge S 1X4 (oder alternativ auch in S 12X6 oder S 13X8 oder anderen Oligohalogensilanen oder Oligohalogensilangemischen, insbesondere Gemischen von Verbindungen mit bis zu 6 Siliciumatomen) zumindest 50 % der eingesetzten Masse löslich sind. Eine derartige Löslichkeit wird im Regelfall erreicht wenn Halogenpolysilane mit einem Halogen : Silicium-Verhältnis von 1,4:1, zumindest aber von 1,5: 1 vorliegt. Im Regelfall sind auch Halogenpolysilane mit einem Halogen : Silicium-Verhältnis von 1,2:1, zumindest aber von 1,3:1 zu einem so hohen Anteil in S1X4 oder Oligohalogen- silanen löslich, dass eine sehr gute Benetzung der zu reinigenden Silizium-Partikel gegeben ist. Die Ausführungen dieses Absatzes gelten insbesondere, wenn als Lösungsmittel das S1X4 beziehungsweise Oligohalogensilan eingesetzt wird, das das selbe Halogen enthält wie das zu lösende Halogenpolysilan .
Gemäß einer Ausführungsform weisen die erfindungsgemäßen Ha- logenpolysilane neben Silicium und Halogen auch noch Wasserstoff auf. Der Wasserstoffgehalt dieser Verbindungen wird im Regelfall aber relativ niedrig sein und üblicherweise nicht mehr als 5 Atom-% betragen; häufig wird der Anteil sogar < 1 % betragen. Ferner werden sehr häufig Halogenpolysilane (oder Halogenpolysilangemische) verwendet, die gar keinen
Wasserstoff enthalten. Der Wasserstoff kann herstellungsbe¬ dingt in den Halogenpolysilanen enthalten sein; er kann in gewissem Ausmaß aber auch absichtlich eingeführt werden, da bestimmte Verunreinigungen sich in Gegenwart von Wasserstoff etwas leichter entfernen lassen. Dies ist unter anderem auf die Bildung von HCl bei der Zersetzung zurückzuführen, welches bereits bei tieferer Temperatur eine Ätzwirkung entfaltet, als dies die Chlorsilane/-polysilane tun. Generell gilt für alle im Rahmen der vorliegenden Anmeldung genannten Verbindungen, dass diese übliche Reinheitsgrade aufweisen. Das heißt, dass die Reinheit einer Verbindung die aus bestimmten Atomsorten besteht beziehungsweise eines Gemi¬ sches das aus mehreren derartigen Einzelverbindungen besteht zumindest 99,5 % beträgt, häufig zumindest 99,95 % ist und dass der Anteil der Verunreinigungen insbesondere kleiner als 10 ppm ist (wobei stets Gew.-% gemeint sind) . Als Ausgangsstoff können insbesondere plasmachemisch oder thermisch hergestellte Chlorpolysilane dienen.
Plasmachemisch hergestellte Polysilane können insbesondere halogenierte Polysilane als reine Verbindung oder als Gemisch von Verbindungen mit jeweils mindestens einer direkten Bindung Si-Si umfassen, wobei die Substituenten aus Halogen oder aus Halogen und Wasserstoff bestehen und wobei in der Zusammensetzung das Atomverhältnis Substituent : Silicium mindestens 1:1 beträgt, wobei a. der H-Gehalt des Polysilans kleiner als 2 Atom-% ist, b. das Polysilan nahezu keine verzweigten Ketten und
Ringe enthält, wobei der Gehalt an Verzweigungsstel- len des kurzkettigen Anteiles, insbesondere des auf¬ summierten Anteils der perhalogenierten Derivate von Neohexasilan, Neopentasilan, Isotetrasilan, Isopenta- silan und Isohexasilan, bezogen auf das gesamte Produktgemisch unter 1 % beträgt,
c. es ein Raman-Molekülschwingungsspektrum von I100/I132 größer 1 aufweist, wobei I100 die Raman-Intensität bei 100 cm-1 und I132 die Raman-Intensität bei 132 cm-1 be¬ deuten,
d. es in 29Si-NMR-Spektren seine signifikanten Produkt- signale im chemischen Verschiebungsbereich von +15 ppm bis -7 ppm aufweist, wenn die Substituenten Chlor sind .
Der Gehalt an Verzweigungsstellen wird hierbei mittels Integ- ration der 29Si-NMR-Signale für die tertiären und quartären Si-Atome bestimmt. Der kurzkettige Anteil ist dabei der An¬ teil der halogenierten Polysilane bezeichnet dabei alle Sila- ne mit bis zu sechs Siliziumatomen. Gemäß einer alternativen Ausführungsform kann der Anteil der perhalogenierten kurzket- tigen Silane besonders schnell bestimmt werden, wenn - wie exemplarisch anhand der perchlorierten Verbindungen gezeigt - folgendermaßen vorgegangen wird. Zunächst wird der Bereich von +23 ppm bis -13 ppm im 29Si-NMR integriert (in dem insbe¬ sondere Signale primärer und sekundärer Siliziumatome zu fin¬ den sind) und nachfolgend die Signale für tertiäre und quar- täre Si-Atome im Bereich von -18 ppm bis -33 ppm und von -73 ppm bis -93 ppm der jeweils perchlorierten Derivate der fol- genden Verbindungen: Neohexasilan, Neopentasilan, Isotetrasi- lan, Isopentasilan und Isohexasilan . Nachfolgend wird das Verhältnis der jeweiligen Integrationen IkUrz kettig : I primär/ sekundär bestimmt. Dieses ist bezüglich der aufsummierten Integration für die jeweils perchlorierten Derivate von Neohexasilan, Ne- opentasilan, Isotetrasilan, Isopentasilan und Isohexasilan kleiner als 1:100.
Im Übrigen wird die Synthese und Charakterisierung dieser langkettigen, halogenierten Polysilane in der Patentanmeldung WO 2009/143823 A2 beschrieben, auf die hiermit in Bezug auf die Charakterisierung und die Synthese vollinhaltlich Bezug genommen wird.
Weiterhin können perhalogenierte Polysilane eingesetzt wer- den, die wie sie in der WO 2006/125425 AI beschrieben sind, auf die ebenfalls im Hinblick auf die Charakterisierung und die Synthese vollinhaltlich Bezug genommen wird, wobei zu be¬ achten ist, dass hierbei durch die höhere Leistungsdichte des dort verwendeten Plasmas der Anteil verzweigter Verbindungen im Regelfall größer ist als bei den Verbindungen/Gemischen, die gemäß der WO 2009/143823 A2 hergestellt wurden. Thermisch hergestellte Halogenpolysilane können beispielswei¬ se halogenierte Polysilane als reine Verbindung oder als Ge¬ misch von Verbindungen mit jeweils mindestens einer direkten Bindung Si-Si sein, wobei die Substituenten aus Halogen oder aus Halogen und Wasserstoff bestehen und wobei in der Zusam¬ mensetzung das Atomverhältnis Substituent : Silicium mindestens 1:1 beträgt, wobei a. das Polysilan aus Ringen und Ketten mit einem hohen Anteil Verzweigungsstellen besteht, der bezogen auf das gesamte Produktgemisch > 1 % beträgt,
b. es ein Raman-Molekülschwingungsspektrum von I100/I132 kleiner 1 aufweist, wobei I100 die Raman-Intensität bei 100 cm-1 und I132 die Raman-Intensität bei 132 cm-1 bedeuten,
c. es in 29Si-NMR-Spektren seine signifikanten Produktsignale im chemischen Verschiebungsbereich von +23 ppm bis -13 ppm, von -18 ppm bis -33 ppm und von -73 ppm bis -93 ppm besitzt, wenn die Substituenten Chlor sind.
Die Synthese und Charakterisierung dieser verzweigten haloge- nierten Polysilane ist in der Patentanmeldung WO 2009/143824 A2 beschrieben, auf die hiermit im Bezug auf die Charakteri- sierung und die Synthese vollinhaltlich Bezug genommen wird.
Gegebenenfalls können die vorstehend genannten thermisch oder plasmachemisch hergestellten Halogenpolysilane, insbesondere verfahrensbedingt, eine gewisse thermische Zersetzung aufwei- sen, wie sie gemäß der WO 2009/143825 A2 absichtlich durchge¬ führt werden kann. Insofern können mit den vorstehend genannten Verfahren, insbesondere bei längerer Einwirkung von Temperaturen > 300 °C, im Einzelfall auch Halogenpolysilane oder Halogenpolysilangemische mit einem Halogen : Silicium- Verhältnis vorliegen, das unter dem des Hexadecahalogendeca- silans liegt, also insbesondere im Bereich von 1,1:1 bis 1,5:1 oder 1,6:1 liegt. Im Regelfall weisen die genannten Verbindungen aber eine bessere Löslichkeit in SiX4, insbeson¬ dere SiCl4,und üblicherweise auch in Oligohalogensilanen auf als das halogenid-haltige Silicium, wie es in der WO
2009/143825 A2 beschrieben ist. Der Chlorgehalt einer Verbindung oder eines Gemisches wird im Rahmen dieser Anmeldung ermittelt durch kompletten Aufschluss der Probe und nachfolgende Titration des Chlorides nach Mohr. Die Gehalte von anderen Halogenen als Chlor können durch analoge Verfahren ermittelt werden. Die Ermittlung des H- Gehaltes erfolgt durch Integration von 1H-NMR Spektren unter Verwendung eines internen Standards und Vergleich der erhaltenen Integrale bei bekanntem Mischungsverhältnis. Die Mol¬ massen der erfindungsgemäßen Halogenpolysilane bzw. die mittlere Molmasse der Halogenpolysilangemische werden mittels Ge- frierpunktserniedrigung ermittelt. Aus den genannten Kenngrößen lässt sich das Halogen : Silicium Verhältnis bestimmen.
Gemäß einer Ausführungsform beträgt die Menge an dem zu rei¬ nigenden Silizium zugesetzten Halogenpolysilan beziehungs- weise an Halogenpolysilanmischung, insbesondere abhängig von der Konzentration an Verunreinigungen im eingesetzten Silicium, 0,1 Gewichts-% bis 50 Gewichts-%, insbesondere 0,5 bis 10 Gewichts-%, beispielsweise mehr als 1 Gew.-% oder auch mehr als 2 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse des Silicium- haltigen Materials.
Gemäß einer Ausführungsform wird in Schritt B) eine Mischung, die ein pulverförmiges Silicium und mindestens ein Halogenpo- lysilan umfasst oder die aus diesen beiden Materialien besteht, zugesetzt.
Als pulverförmiges Silicium kann dabei jegliches Silicium verwendet werden. Zum einen ist es möglich, hierfür bereits gereinigtes Silicium zu nehmen, zum anderen kann aber auch ein im Sinne dieser Anmeldung zu reinigendes Silicium eingesetzt werden. Mittels eines derartigen Gemischs kann beispielsweise eine
Paste hergestellt werden, die nachfolgend zu festem oder ge¬ schmolzenem verunreinigtem Silicium zugegeben werden kann. Im Unterschied zu den reinen Halogenpolysilanen, wie sie vorstehend beschrieben sind, kann mittels einer derartigen Paste erreicht werden, dass die Oxidationsempfindlichkeit der Halo- genpolysilane reduziert wird. Dieser Effekt kann dabei darauf zurückzuführen sein, dass die zugängliche Oberfläche des Ha- logenpolysilans verkleinert wird und somit die Reaktion mit unerwünschten Stoffen, wie zum Beispiel Wasser beziehungswei- se Wasserdampf, im Wesentlichen auf die Oberfläche der Paste reduziert werden kann, nicht aber auf die Gesamtmenge des Ha- logenpolysilans .
Gemäß einer Variante dieser Ausführungsform kann das pulveri- sierte Silicium und Halogenpolysilan zunächst auch getempert werden. Dabei entsteht dann ein nicht-plastisches Schüttgut, das eine weiter reduzierte Oxidationsempfindlichkeit auf¬ weist. Allerdings ist während des Temperns ein gewisser Ver¬ lust an Halogen zu verzeichnen, der auf der Tatsache beruht, dass bei Temperatureinwirkung auf das Halogenpolysilan - wie oben beschrieben - niedermolekulare Siliciumhalogenide gebil¬ det werden. In Bezug auf die in Schritt B) zugesetzten Halog- polysilane spielt der zugesetzte Silicium-Anteil gemäß dieser Ausführungsform keine Rolle für die gebildete Summenformel SiXn.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird das in Schritt B) zugesetzte mindestens eine Halogenpolysilan in verkapselter Form zugesetzt. Unter einer verkapselten Form ist dabei insbesondere zu verstehen, dass das Halogenpolysilan ohne
Schmelzen oder Zerstören der Verkapselung nicht mit dem umgebenden Medium in Kontakt treten kann beziehungsweise der Kon- takt darauf beschränkt ist, dass eventuell noch durch das feste Material der Verkapselung Stoffe hindurch diffundieren können (beispielsweise Sauerstoff oder Wasser-Moleküle) . Mit¬ tels einer derartigen Verkapselung kann also das Halogenpolysilan optimal vor Umwelteinflüssen geschützt werden und bei- spielsweise in eine lagerbare Form gebracht werden. Die Ver¬ kapselung, die beispielsweise nach Art einer Ampulle ausge¬ bildet sein kann, kann dann im Bedarfsfall geöffnet oder zerstört werden, so dass das Halogenpolysilan erst zu dem Zeitpunkt mit seiner Umgebung in Kontakt tritt, zu dem dies auch gewünscht ist.
Im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens kann die Verkapselung insbesondere aus Silicium bestehen oder dieses umfas¬ sen, da Silicium in der Schmelze ohnehin zugegen ist. Das Si- licium kann dabei insbesondere in elementarer Form als
Schicht innerhalb der Verkapselung vorliegen, aber auch die Verkapselung vollständig bilden.
Alternativ ist auch denkbar, dass die Verkapselung Quarzglas enthält oder daraus besteht, wobei dann neben Silicium zu¬ sätzlich noch Sauerstoff in die zu reinigende Silicium- Schmelze eingebracht wird. Die vom Quarzglas herrührenden Si- liciumdioxide bilden dann eine Schlacke, die auf dem entste- henden gereinigten Silicium aufschwimmt und daher leicht entfernt werden kann oder als Siliciummonoxid von der Oberfläche verdampft . Werden die derart verkapselten Halogenpolysilane im erfin¬ dungsgemäßen Verfahren eingesetzt, so kann eine Vermischung des Halogenpolysilans mit dem zu reinigenden Silicium dadurch erfolgen, dass die Verkapselung aus Silicium selbst aufschmilzt, wobei erst in diesem Zustand eine Verteilung des Halogenpolysilans beziehungsweise der mittlerweile gebildeten Zersetzungsprodukte in der Siliciumschmelze erfolgt, so dass ein Ausgasen von Zersetzungsprodukten während des Aufheizungsvorgangs in diesem Fall nicht eintritt. Alternativ kann auch eine Verkapselung, insbesondere eine Verkapselung aus Quarzglas, beispielsweise eine Ampulle, in der Silici¬ umschmelze bersten, da durch die erhöhte Temperatur der Sili¬ ciumschmelze eine Zersetzungsreaktion des Chlorpolysilans in¬ nerhalb der Quarzglas-Ampulle erfolgt und somit ein Überdruck entsteht, dem das Quarzglas letztlich nicht mehr standhalten kann.
Die vorliegende Anmeldung betrifft auch ein Material, das insbesondere für die zuletzt beschriebenen alternativen Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens Verwendung finden kann. Dieses Material umfasst eine Siliziumhalogenverbindung, insbesondere ein Halogenpolysilan oder ein Gemisch von Halogenpolysilanen, kann aber auch ein halogenid-haltiges Silicium umfassen, wie es beispielsweise in der WO
2009/143825 A2 beschrieben ist (auf die bezüglich der Her- Stellung dieses Materials und den Eigenschaften und Charakte¬ ristika dieses Materials vollumfänglich Bezug genommen wird) . Neben diesen Silicium-Halogen-Verbindungen enthält dieses Material noch ein Schutzmaterial gegenüber Feuchtigkeit. Das Schutzmaterial gegen Feuchtigkeit kann dabei insbesondere das vorstehend beschriebene Silicium oder auch Siliciumdioxid sein. Wie vorstehend bereits ausgeführt wurde, kann ein der¬ artiges Material beispielsweise in Form einer Paste vorlie- gen, deren Oxidationssempfindlichkeit reduziert ist, da die mit der Umgebung in Kontakt stehende Oberfläche des Halogen- polysilans beziehungsweise des halogenid-haltigen Siliciums reduziert werden kann. Beispielsweise kann hierfür auch ein zusätzliches Bindemittel Verwendung finden.
Gemäß einer Ausführungsform kann das vorstehend beschriebene Material derart gebildet sein, dass das Schutzmaterial gegen Feuchtigkeit die Silicium-Halogen-Verbindungen nach Art einer Verkapselung umschließt. Beispielsweise kann das Schutzmate- rial also eine Ampulle bilden, in der die Silicium-Halogen-
Verbindung vorliegt. Eine derartige Ampulle kann etwa aus Si¬ licium bestehen oder dieses umfassen beziehungsweise aus Quarzglas bestehen beziehungsweise dieses umfassen. Mittels einer derartigen Ampulle können die vorstehend genannten Si- licium-Halogen-Verbindungen in eine lagerbare Form gebracht werden, bei der die Zersetzung aufgrund unerwünschter Medien (wie beispielsweise Wasser) vermindert oder verhindert werden kann .

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Entfernen von Verunreinigungen aus Silicium umfassend die folgenden Schritte:
A) Bereitstellung von metallischem Silicium mit Verunreinigungen,
B) Mischen des zu reinigenden Siliciums mit mindestens einem Halogenpolysilan der Formel SiXn, wobei X für Ha¬ logen steht, das teilweise durch Wasserstoff ersetzt sein kann und wobei 1 < n < 2,5 ist,
C) Erhitzen des bereitgestellten zu reinigenden Siliciums, so dass zumindest teilweise eine Reaktion der Ver¬ unreinigungen mit dem mindestens einen Halogenpolysilan oder einem Zersetzungsprodukt des mindestens einen Halo- genpolysilans erfolgt,
wobei Schritt C) vor, während und/oder nach Schritt B) erfolgen kann.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei es sich bei dem zu reinigenden Silicium um metallurgisches Silicium handelt.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verunreinigungen zumindest teilweise mit dem mindes¬ tens einen Halogenpolysilan zu Reaktionsprodukten reagieren, die aus der erhitzten Mischung Verdampfen und/oder Aussublimieren können oder durch Lösen in einer auf dem erhitzten Silizium gebildeten Schlacke aus dem
Silicium entfernt werden können.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verunreinigungen beim Erhitzen aus dem noch festen und/oder dem aufschmelzenden und/oder aus dem bereits aufgeschmolzenen Silicium entfernt werden.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei vor Schritt B) eine Schmelze von zu reinigendem Silicium vorliegt .
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Halogen : Silicium-Verhältnis des Halogenpolysilans oder das mittlere Halogen : Silicium-Verhältnis des Ge¬ misch von Halogenpolysilanen zwischen 1:1 und 2,5:1 liegt und insbesondere 1,5:1 bis 2,3:1 beträgt.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Halogenpolysilan ein Chlorpolysilan und das Gemisch von Halogenpolysilanen ein Gemisch von Chlorpolysilanen ist .
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt B) eine Mischung aus einem pulverförmigem Silicium und dem mindestens einen Halogenpolysilan zugesetzt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass für das pulverförmige Silicium das zu reinigende metal¬ lische Silicium verwendet wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt B) das mindes¬ tens eine Halogenpolysilan in verkapselter Form zugesetzt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Verkapselung aus Silicium besteht oder dieses umfasst .
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Verkapselung aus Quarzglas besteht oder dieses umfasst .
13. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch charakterisiert, dass die Menge an zugegebenem Halogenpolysilan oder zugegebener Halogenpolysilan- mischung 0,1 Gewichts-% bis 50 Gewichts-%, insbesondere 0,5 bis 10 Gewichts-% bezogen auf die Gesamtmasse des
Silicium-haltigen Materials beträgt.
14. Material umfassend eine Silicium-Halogen-Verbindung ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Halogenpolysi¬ lan, Halogenpolysilangemischen, halogenidhaltigem Sili- zium und Gemischen hiervon sowie ein Schutzmaterial ge¬ gen Feuchtigkeit.
15. Material nach Anspruch 14, wobei das Schutzmaterial die Silicium -Halogen-Verbindung nach Art einer Verkap- selung umschließt.
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