EP2064267A2 - Feste polysilan-mischungen - Google Patents

Feste polysilan-mischungen

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EP2064267A2
EP2064267A2 EP07817520A EP07817520A EP2064267A2 EP 2064267 A2 EP2064267 A2 EP 2064267A2 EP 07817520 A EP07817520 A EP 07817520A EP 07817520 A EP07817520 A EP 07817520A EP 2064267 A2 EP2064267 A2 EP 2064267A2
Authority
EP
European Patent Office
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mixtures
polysilanes
solid
polysilane
polysilanes according
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP07817520A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Norbert Auner
Sven Holl
Christian Bauch
Gerd Lippold
Rumen Deltschew
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nagarjuna Fertilizers and Chemicals Ltd
Original Assignee
REV RENEWABLE ENERGY VENTURES Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by REV RENEWABLE ENERGY VENTURES Inc filed Critical REV RENEWABLE ENERGY VENTURES Inc
Publication of EP2064267A2 publication Critical patent/EP2064267A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms

Definitions

  • the invention relates to solid mixtures of polysilanes whose individual components decompose and which are obtained from the hydrogenation of plasma-chemically generated largely halogenated, preferably fluorinated, particularly preferably chlorinated Polysilanmischungen.
  • polysilanes are generally compounds of the composition Si n H 2n or Si n H 2n + 2 where n> 1.
  • Polysilanes may contain linear si n chains and / or Si n rings, as well as chain branches. exhibit.
  • Polysilanes of the composition Si n H 2n or Si n H 2n + 2 are denoted by n> 10, preferably n> 12, as high molecular weight polysilanes or high molecular weight polysilanes according to the invention, this corresponds to molar masses of more than 350 g / mol.
  • polysilanes are referred to, which are solid at room temperature, as solid mixtures of polysilanes mixtures of polysilanes whose individual components are solid at room temperature.
  • boiling is defined as a state in which the vapor pressure of a substance corresponds to the applied process pressure, the boiling point in the sense of the invention being the temperature at which the vapor pressure of a substance reaches the applied process pressure.
  • the substance may be in the liquid or solid state at the boiling point and during boiling. This explicitly includes sublimation, the direct transition from solids to the gas state. If the decomposition temperature of a substance is reached before it begins to boil, then the boiling point of the substance under the applied process pressure is the temperature at which, based on the vapor pressure curve of the substance, it would theoretically boil.
  • Hydrogen-substituted polysilanes with high boiling points are suitable for the production of Silici ⁇ m-Schlvier or Sillcl ⁇ m structures, since solutions of the Polysilanes in solvents with a lower boiling point than that of the dissolved polysilanes selectively applied, the solvent removed and the remaining high-boiling polysilanes can be decomposed by suitable processing to silicon (Nature 2006, 440, 783-786).
  • EP 1087428 A1 describes that solutions of polysilanes can be applied in a targeted manner by means of ink-jet processes in order to arrive at silicon structures.
  • EP 1085579 A1 discloses that, by suitable methods, such solutions can be applied over a wide area in order to produce thin films of silicon.
  • EP 1357154 A1 discloses that a particular advantage of using high molecular weight polysilanes compared to polysilanes with low boiling points is the possibility of process control close to atmospheric pressure and the avoidance of CVD method. At the same time, high molecular weight polysilanes are safer to handle than low molecular weight because they are less prone to auto-ignition due to their lower vapor pressure and lower reactivity with air.
  • a disadvantage of the process described in EP 1357154 A1 for the preparation of the polysilane mixtures used in the prior art is the complex, multistage process in which first low molecular weight polysilanes are synthesized which are then partially subjected to photochemical chain extension in order to obtain a usable polysilane mixture with high-boiling fractions reach.
  • low-boiling polysiams are lost through evaporation or must be separated from the high-boiling fractions by suitable separation techniques prior to processing the polysilane mixture.
  • the rapid decomposition of polysilanes to silicon begins at about 300 ° C.
  • the polysilanes used should be under the used process pressure do not boil below the decomposition temperature.
  • the boiling point of a polysilane at a given pressure increases with increasing molecular weight. It is known that, for chain-type polysilanes and atmospheric pressure, a boiling point of about 300 ° C. is achieved with the decasilane Si 10 H 22 , a boiling point of about 350 ° C. with the tridekasiane Si 13 H 28 .
  • the melting points of the corresponding polysilanes are above 0 ° C, already the dodecasifan Si 12 H 26 is solid at room temperature. Accordingly, mixtures of polysilanes, the components of which are solid at room temperature, are particularly suitable for allowing decomposition to silicon with low evaporation rates.
  • DE 102005024041.0 discloses that mixtures of largely chlorinated polysilanes can be obtained by reaction of SiCl 4 with H 2 in a plasma process at low temperature.
  • the object of the invention is to provide polysilane mixtures with high boiling points and sufficient solubility, the synthesis of which is simplified in comparison to the prior art and thus less expensive.
  • the object is achieved by hydrogenating a mixture of substantially chlorinated polysilanes, produced according to DE 102005024041.0, without further purification in suitable processes, and then obtaining solid mixtures of polysides by suitable aftertreatment.
  • the object is achieved by hydrogenating this fraction in suitable processes according to a fractionation with separation of the desired high molecular weight fraction of the chloropolysilane mixtures as described in DE 102006 034061.2 and appropriately treating the resultant mixture of hydrogenated polysilanes to obtain a solid mixture of polysilanes ,
  • the polysilanes volatile below their decomposition temperature below the desired process pressure can be separated, for example, by atmospheric pressure distillation or distillation under reduced pressure. These volatile polysilanes can be further used for the precipitation of silicon layers in gas phase processes, for example CVD processes.
  • the separation of the polysilanes of insufficient molecular weight may be effected by suitable solvents or solvent mixtures in which polysilanes of suitable molecular mass, in contrast to those of lower molecular mass, are less or more soluble.
  • a separation of the resulting solutions from the solid Röckpartyn can be done for example by filtration or centrifugation.
  • the separation of the polysilanes of insufficient molecular weight can be carried out by chromatographic methods, for example GPC or HPLC.
  • a solvent for solid polysilane mixtures can serve low molecular weight polysilanes, which are removed after application of the liquid by suitable methods on a substrate by evaporation.
  • Liquids are used which do not react with components of the Poiysilanmischungen under the handling conditions and have a boiling point which is below the decomposition temperature of the Polysilanmischungen.
  • Solid polysilane mixtures can be applied as solids to surfaces and, after application by heat treatment, melted to produce liquid polysilicon structures or polysilane films which are thereafter decomposed to silicon by suitable methods.
  • Solid polysilane mixtures can form dispersions with solvents or solvent mixtures in which the polysilanes are only partially dissolved. Sufficiently small sizes of the dispersed polysilane particles further permit processing into homogeneous polysilicon structures or polysilane layers, especially if the process temperatures result in melting of the remaining polysilane mixture after evaporation of the solvent or solvent mixture.
  • the compounds or dispersions of the solid polysilane mixtures may be admixed with further compounds in a suitable amount which comprise, for example, at least one element of the main groups I or V of the Periodic Table of the Elements,
  • the compounds admixed to the solid polysilane mixtures or their solutions or dispersions preferably have boiling points below the applied process pressure which are at least as high as the decomposition temperatures of the polysilane mixtures, more preferably decompose at temperatures similar to those of the polysilane mixtures, so that the concentrations of the admixed elements in the resulting silicon can be controlled and predicted.
  • Solid polysilane mixtures oxidize slowly under air contact, but are not self-igniting. The solid ignited in air with a flame goes out automatically when removing the ignition source and in the absence of an additional heat source.
  • solid polysilane mixtures before further use of the solid polysilane mixtures, it proves to be advantageous to store them in a transport container whose surface is made light-tight and the interior of which is acted upon by the inert Polysilangemisch with an inert gas. It also proves to be advantageous to provide this transport container with a take-off device with which the solid Polysilangemisch dosed withdrawn and can be supplied for further use.
  • the mixtures can be processed into shaped articles, for example pellets or rods.
  • the production of moldings may be associated with the addition of additives in order to promote the cohesion of the moldings and / or to reduce the Oxidungsempfind ⁇ ndige of the polysilanes contained.
  • the production of the moldings can take place up to temperatures at which the polysilane mixtures solid at room temperature melt completely or partially, but do not yet decompose.
  • the shaped bodies can also be subsequently coated with a functional layer which, for example, reduces abrasion, improves the cohesion of the shaped bodies and / or reduces the oxidation sensitivity of the shaped bodies.
  • the substances used as aggregates or coating materials should not be mixed with the components of the processing temperatures
  • Polysilane mixtures react and either selectively before or during the preparation of Polysilanariaen or dispersions of the polysilanes or, if they remain in the solution or dispersion of Polysilanmischungen, under the applied process pressure from the surface evaporate on which silicon is to be produced before the decomposition temperature of the Potysilanmischungen is reached in order to avoid contamination of the resulting Silicium Modellen or layers.
  • Polysilane mixture are dissolved in 350 ml_ benzene and added dropwise with stirring at 0 ° C 180 mL of a 1 M LiAIH 4 solution in diethyl ether. Thereafter, allow to warm slowly to room temperature. After a total of 24 h, the solid precipitate is filtered off and washed with benzene. The residue is extracted to remove lithium salts with a total of 400 mL of absolute ethanol at room temperature and the residue is isolated 3.85 g of solid Polysifanmischung.

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Abstract

Die Erfindung betrifft bei Raumtemperatur makroskopisch feste Mischungen von Polysilanen, deren einzelne Komponenten der Zusammensetzung Si<SUB>n</SUB>H<SUB>2n</SUB>und/oder Si<SUB>n</SUB>H<SUB>2n+2</SUB> sich zersetzen, bevor sie unter einem angelegten Prozessdruck sieden und die aus der Hydrierung von auf plasmachemischem Wege erzeugten weitgehend chlorierten Polysilanmischungen gewonnen werden. Diese Mischungen aus Polysilanen sind in besonderer Weise geeignet, um als Lösungen oder Dispersionen auf Oberflächen aufgetragen zu werden und in nachfolgenden Prozessschritten siliciumbasierte Strukturen oder Schichten zu erhalten. Ebenso sind sie in der Handhabung besonders sicher und lassen sich zusätzlich zu Transportformen in geeigneten Transportbehältern verarbeiten.

Description

Beschreibung
Feste Polysilan-Mischungen
Die Erfindung betrifft feste Mischungen von Polysilanen, deren einzelne Komponenten sich zersetzen und die aus der Hydrierung von auf plasmachemtschem Wege erzeugten weitgehend halogenierten, vorzugsweise fluorierten, besonders bevorzugt chlorierten Polysilanmischungen gewonnen werden.
Als Polysilane im Sinne der Erfindung werden allgemein Verbindungen der Zusammensetzung SinH2n oder SinH2n+2 mit n > 1 bezeichnet. Polysilane können lineare sin-Ketten und/oder Sin-Ringe enthalten sowie Kettenverzweigungen. aufweisen.
Als hochmolekulare Polysilane oder Polysilane hoher Molekülmasse im Sinne der Erfindung werden Polysilane der Zusammensetzung SinH2n oder SinH2n+2 mit n > 10, vorzugsweise mit n > 12 bezeichnet, dies entspricht Molmassen von mehr als 350 g/mol.
Als feste Polysilane im Sinne der Erfindung werden Polysilane bezeichnet, die bei Raumtemperatur fest sind, als feste Mischungen von Polysilanen Mischungen von Polysilanen, deren einzelne Komponenten bei Raumtemperatur fest sind.
Als Sieden im Sinne der Erfindung wird ein Zustand bezeichnet, in dem der Dampfdruck einer Substanz dem angelegten Prozessdruck entspricht, als Siedepunkt im Sinne der Erfindung die Temperatur, bei der der Dampfdruck einer Substanz den angelegten Prozessdruck erreicht. Die Substanz kann am Siedepunkt und während des Siedens in flüssiger oder in fester Form vorliegen. Dies schließt ausdrücklich die Sublimation, den direkten Übergang von Feststoffen in den Gaszustand, mit ein. Wird die Zersetzungstemperatur einer Substanz erreicht, bevor sie zu sieden beginnt, so ist unter dem Siedepunkt der Substanz unter dem angelegten Prozessdruck diejenige Temperatur zu verstehen, bei der ausgehend von der Dampfdruckkurve der Substanz diese theoretisch sieden würde.
Wasserstoff-substituierte Polysilane mit hohen Siedepunkten eignen sich für die Erzeugung von Siliciυm-Schlchten oder Sillclυm-Strukturen, da Lösungen der Polysilane in Lösungsmitteln mit niedrigerem Siedepunkt als dem der gelösten Polysilane gezielt aufgetragen, das Lösungsmittel entfernt und die zurückbleibenden hochsiedenden Polysilane durch geeignete Prozessierung zu Silicium zersetzt werden können (Nature 2006, 440, 783-786). EP 1087428 A1 beschreibt, dass Lösungen von Polysilanen mit Tintenstrahl-Verfahren gezielt aufgetragen werden können, um zu Silicium-Strυkturen zu gelangen. EP 1085579 A1 legt offen, dass durch geeignete Methoden solche Lösungen flächig aufgetragen werden können, um dünne Filme aus Silicium zu erzeugen. EP 1357154 A1 offenbart, dass ein besonderer Vorteil der Verwendung hochmolekularer Polysilane im Vergleich zu Polysilanen mit niedrigen Siedepunkten in der Möglichkeit einer Prozessführung nahe Normaldruck und der Vermeidung von CVD-Verfahren liegt. Gleichzeitig sind hochmolekulare Polysilane sicherer handzuhaben als niedermolekulare, da sie auf Grund ihres niedrigeren Dampfdruckes und geringeren Reaktionsbereitschaft mit Luft weniger zur Selbstentzündung neigen. Ein Nachteil des in EP 1357154 A1 beschriebenen Verfahrens zur Herstellung der im Stand der Technik eingesetzten PolysϊJanmischungen ist der aufwendige, mehrstufige Prozess, bei dem zunächst niedermolekulare Polysilane synthetisiert werden, welche danach teilweise einer photochemischen Kettenveriängerung unterzogen werden um zu einer verwendbaren Polysilanmischung mit hochsiedenden Anteilen zu gelangen. Während der Prozessierung gehen niedrig siedende Polysiiane durch Verdampfen verloren oder müssen durch geeignete Trennverfahren vor der Prozessierung der Polysilanmischung von den hochsiedenden Anteilen abgetrennt werden. Die in GB 2077710 A beschriebene alternative Darstellung von Polysilanen durch Reaktion von Halogensilanen SiHmX4-m mit einem stöchiometrischen Überschuss an Alkalimetallen erzeugt in THF unlösliche Polysilane mit unbestimmter Kettenlänge, deren Löslichkeit und thermisches Verhalten nicht beschrieben sind. Zur Darstellung von Polysilanen mit einer empirischen Zusammensetzung nahe (SiH2)0 ist der Einsatz von H2SiCI2 notwendig, welches gegen Dismutation nicht beständig ist, so dass im Laufe einer Lagerung auch selbstentzundliches SiH4 entsteht. Des weiteren sind Alkalimetalle vergleichsweise teure Reduktionsmittel.
Die schnelle Zersetzung von Polysilanen zu Silicium beginnt etwa bei 300°C. Um die Verluste von Silicium in die Gasphase durch das Verdampfen von niedermolekularen Polysilanen möglichst gering zu halten, sollten die eingesetzten Polysilane unter dem verwendeten Prozessdruck nicht unterhalb der Zersetzungstemperatur sieden. Der Siedepunkt eines Polysilans bei einem vorgegebenem Druck erhöht sich mit steigender Molmasse. Es ist bekannt, dass für kettenförmige Polysilane und Normaldruck ein Siedepunkt von ca. 300°C mit dem Dekasilan Si10H22 erreicht wird, ein Siedepunkt von ca. 350°C mit dem Tridekasiian Si13H28. Die Schmelzpunkte der entsprechenden Polysilane liegen oberhalb 0°C, bereits das Dodekasifan Si12H26 ist bei Raumtemperatur fest. Entsprechend sind Mischungen von Polysilanen, deren Komponenten bei Raumtemperatur fest sind, in besonderer Weise dazu geeignet, mit geringen Verdampfungsveriusten die Zersetzung zu Silicium zu ermöglichen.
Aus DE 102005024041.0 ist bekannt, dass durch Reaktion von SiCl4 mit H2 in einem Plasmaverfahren bei niedriger Temperatur Mischungen aus weitgehend chlorierten Polysilanen erhalten werden können.
Aufgabe der Erfindung ist es, Polysilanmischungen mit hoben Siedepunkten und hinreichenden Löslichkeϊten zur Verfügung zu stellen, deren Synthese im Vergleich zum Stand der Technik vereinfacht und somit kostengünstiger ist.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, dass eine nach DE 102005024041.0 als Zwischenprodukt erzeugte Mischung weitgehend chlorierter Polysilane ohne weitere Aufreinigung in geeigneten Verfahren hydriert und danach durch geeignete Nachbehandlung feste Mischungen von Polysiianen erhalten werden.
Alternativ wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass nach einer in DE 102006 034061.2 beschriebenen Fraktionierung mit Abtrennung des gewünschten hochmolekularen Anteils der Chlorpolysilanmiscbungen dieser Anteil in geeigneten Verfahren hydriert und die entstehende Mischung von hydrierten Poiysilanen in geeigneterweise nachbehandelt wird, um eine feste Mischung von Poiysilanen zu erhalten.
Vorzugsweise werden für die Hydrierung Verfahren und/oder Reaktionsbeclingungen eingesetzt, die nicht zu einer Verringerung der Anzahl n der Siüciumatome in den einzelnen Komponenten der eingesetzten Mischung SinXn oder SinXn+2 (X ist H oder Cl) führen, also keine Spaltung von Si-Si-Bindungen bewirken. Die Hydrierung der unbehandelten weitgehend chlorierten Polysilanmischungen oder der weitgehend chlorierten Potysilanfraktioneπ geeigneter Molekularmassen kann mittels im Stand der Technik bekannter stöchlometrischer chemischer Umsetzungen mit Metall- oder Metalloidhydriden erfolgen, beispielsweise LiAIH4, NaAIH4, NaBH4 oder auch mittels geeigneter katalytischer Verfahren mit Wasserstoff oder . geeigneten Wasserstoff-Trägerverbindungen.
Nach Hydrierung der unbehandelten weitgehend chlorierten Polysilanmischungen können die unterhalb Ihrer Zersetzungstemperatur unter dem erwünschten Prozessdruck flüchtigen Polysilane beispielsweise durch Normaldruckdestiflation oder Destillation unter erniedrigtem Druck abgetrennt werden. Diese flüchtigen Polysilane lassen sich zur Abscoeidung von Siliciumschichten in Gasphasenprozessen, beispielsweise CVD-Prozessen, weiter verwenden.
Die Abtrennung der Polysilane nicht ausreichender Molekülmasse kann durch geeignete Lösungsmittel oder Lösungsmitteimischungen erfolgen, in denen Polysilane geeigneter Molekularmasse im Unterschied zu denen geringerer Molekularmasse schlechter oder besser löslich sind. Eine Trennung der erhaltenen Lösungen von den festen Röckständen kann beispielsweise durch Filtration oder Zentrifugation erfolgen.
Die Abtrennung der Polysilane nicht ausreichender Molekülmasse kann durch chromatographische Verfahren erfolgen, beispielsweise GPC oder HPLC.
Als Lösungsmittel für feste Polysilanmischungen können niedermolekulare Polysilane dienen, die nach Auftragen der Flüssigkeit mit geeigneten Verfahren auf eine Unterlage durch Verdampfen entfernt werden.
Als Lösungsmittel oder in Lösungsmittelgemisehen zur Herstellung von Lösungen oder Dispersionen fester Polysilanmischungen Können auch organische
Flüssigkeiten verwendet werden, die unter den Handhabungsbedingungen nicht mit Komponenten der Poiysilanmischungen reagieren und einen Siedepunkt besitzen, der unterhalb der Zersetzungstemperatur der Polysilanmischungen liegt. Feste Polysilanmischungen können als Feststoffe auf Oberflächen aufgetragen und nach dem Auftragen durch Wärmebehandlung aufgeschmolzen werden, um flüssige Polysiianstrukturen oder Polysilanfilme zu erzeugen, welche danach durch geeignete Verfahren zu Silicium zersetzt werden.
Feste Polysilanmischungen können mit Lösungsmitteln oder Lösungsmittel- mischungen Dispersionen bilden, in denen die Polysilane nur teilweise gelöst vorliegen. Hinreichend geringe Größen der dispergierten Polysilan-Partikel erlauben weiterhin die Prozessierung zu homogenen Polysiianstrukturen oder Polysilanschichten, insbesondere wenn die Prozesstemperaturen nach Verdampfen des Lösungsmittels oder der Lösungsmittelmischung zu einem Aufschmelzen der zurückbleibenden Polysilanmischung führen.
Zur Herstellung von Siliciumstrukturen oder Siliciumschichten mit spezifischen elektronischen Eigenschaften können den Lösungen oder Dispersionen der festen Polysilanmischungen weitere Verbindungen in geeigneter Menge zugemischt werden, die beispielsweise mindestens ein Element der Hauptgruppen \l\ oder V des Periodensystems der Elemente enthalten,
Zur Herstellung von Siliciumstrukturen oder Silicϊumschichten mit spezifischen elektronischen Eigenschaften können des werteren den festen Poiysilanmischungen selbst nach ihrer Gewinnung weitere Verbindungen in geeigneter Menge zugemischt werden, die beispielsweise mindestens ein Element der Hauptgruppen IiI oder V des Periodensystems der Elemente enthalten.
Die den festen Polysilanmischungen oder ihren Lösungen oder Dispersionen zugemischten Verbindungen weisen unter dem angelegten Prozessdruck vorzugsweise Siedepunkte auf, die mindestens so hoch sind wie die Zersetzungstemperaturen der Polysilanmischungen, besonders bevorzugt zersetzen sie sich bei ähnlichen Temperaturen wie die Polysilanmischungen, damit die Konzentrationen der zugemischten Elemente im entstehenden Silicium kontrolliert und vorherbestimmt werden kann. Feste Polysilanmischungen oxidieren langsam unter Luftkontakt, sind aber nicht selbstentzündlich. Der an Luft mit einer Flamme entzündete Feststoff erlischt bei Entfernen der Zündquelle und in Abwesenheit einer zusätzlichen Wärmequelle selbsttätig.
Vor weiterer Verwendung der festen Polysilanmischungen erweist es sich deshalb als vorteilhaft, diese in einem Transportbehälter aufzubewahren, dessen Oberfläche lichtdicht ausgeführt wird und dessen Inneres mit dem festen Polysilangemisch mit einem Inertgas beaufschlagt wird. Es erweist sich weiter als vorteilhaft diesen Transportbehälter mit einer Abzugsvorrichtung zu versehen, mit der das feste Polysilangemisch dosiert abgezogen und der weiteren Verwendung zugeführt werden kann.
Zur besseren Handhabung und/oder um die Oxidationsempfindlichkeit der festen Polysilanmischungen zu reduzieren, können die Mischungen zu Formkörpern, wie beispielsweise Pellets oder Stangen, verarbeitet werden. Die Herstellung von Formkörpern kann mit der Zugabe von Zuschlagsstoffen verbunden sein, um den Zusammenhalt der Formkörper zu fördern und/oder die Oxidationsempfϊndlichkeit der enthaltenen Polysilane zu reduzieren.
Die Herstellung der Formkörper kann bis zu Temperaturen erfolgen, bei denen die bei Raumtemperatur festen Polysilanmischungen ganz oder teilweise aufschmelzen, sich aber noch nicht zersetzen.
Die Formkörper können auch nachträglich mit einer Funktionsschicht überzogen werden, die beispielsweise den Abrieb reduziert, den Zusammenhalt der Formkörper verbessert und/oder die Oxidationsempfindlichkeit der Formkörper verringert.
Die als Zuschlagsstoffe oder Beschichtungsmittel verwendeten Substanzen sollten unter den Verarbeitungstemperaturen nicht mit den Komponenten der
Polysilanmischungen reagieren und sich entweder selektiv vor oder während der Herstellung der Polysilanlösungen oder dispersionen von den Polysilanen trennen lassen oder, falls sie in der Lösung oder Dispersion der Polysilanmischungen enthalten bleiben, unter dem anliegenden Prozessdruck von der Oberfläche verdampfen, auf der Silicium erzeugt werden soll, bevor die Zersetzungstemperatur der Potysilanmischungen erreicht ist, um Verunreinigungen der entstehenden Siliciumstrυkturen oder -Schichten zu vermeiden.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben:
Beispiel 1:
25,7 g einer durch plasmachβmische Verfahren gewonnenen weitgehend chlorierten
Polysilanmischung werden in 350 ml_ Benzol gelöst und unter Rühren bei 0°C 180 mL einer 1 M LiAIH4-Lösung in Diethylether zugetropft. Danach wird langsam auf Raumtemperatur erwärmen lassen. Nach insgesamt 24 h wird der feste Niederschlag abfiltriert und mit Benzol nachgewaschen. Der Rückstand wird zur Abtrennung von Lithium-Salzen mit insgesamt 400 mL absolutem Ethanol bei Raumtemperatur extrahiert und als Rückstand 3,85 g feste Polysifanmischung isoliert.

Claims

Patentansprüche
1. Feste Mischungen von Polysilanen, dadurch gekennzeichnet, dass sie aus der Hydrierung von durch plasmachemische Verfahren hergestellte weitgehend halogenierte, vorzugsweise fluorierte, besonders bevorzugt chlorierte
Polysilanmischungen gewonnen werden,
2. Feste Mischungen von Polysilanen nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die eingesetzten Mischungen von weitgehend chlorierten Polysilanen ohne Selektion von Verbindungen mit geeigneten Molekularmassen aus den
Mischungen hydriert werden.
3. Feste Mischungen von Poiysilanen nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass aus den durch Hydrierung erhaltenen Polysilanmischungen bei Raumtemperatur feste Komponenten der
Zusammensetzung SinH2n oder SinH2n+2 mit n > 10 vorzugsweise mit n > 12 abgetrennt werden.
4. Feste Mischungen von Polysilanen nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die durch plasmachemische Verfahren hergestellten weitgehend chlorierten Polysilanmischungen vor der Hydrierung einer Aufreinigung unterzogen werden, so dass die Hydrierung der verwendeten Fraktionen vorzugsweise zu bei Raumtemperatur festen Polysilanen führt.
5. Feste Mischungen von Polysilanen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die durch plasmachemische Verfahren hergestellten weitgehend chlorierten Polysilanmischungen vor der Hydrierung einer Aufreinigung unterzogen werden, so dass die Hydrierung der verwendeten Fraktionen ausschließlich zu bei Raumtemperatur festen Polysilanen führt.
6. Feste Mischungen von Pofysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Hydrierung der eingesetzten weitgehend chlorierten Polysilanmischungen durch Metall- oder Metalloidhydride erfolgt.
7. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Hydrierung der eingesetzten weitgehend chlorierten Polysilanmischungen durch ein katalytisches Verfahren erfolgt.
8. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass den festen Polysilanmischungen zur späteren Herstellung von Silicium mit bestimmten elektronischen Eigenschaften Verbindungen weiterer Elemente zugemischt werden.
9. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die zugemischten Verbindungen mindestens ein Element der Hauptgruppen III oder V des Periodensystems enthalten.
10. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass Lösungen oder Dispersionen der festen
Polysilanmischungen zur späteren Herstellung von Silicium mit bestimmten elektronischen Eigenschaften Verbindungen weiterer Elemente zugemischt werden.
11. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die zugemischten Verbindungen mindestens ein Element der Hauptgruppen III oder V des Periodensystems enthalten.
12. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass aus den Polysilanmischungen Formkörper erzeugt werden.
13. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Formkörper unter Aufschmelzen von Anteilen der Polysilanmischungen erzeugt wenden.
14. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass FormkÖrper aus Polysilanmischungen unter Zugabe von Zuschlagsstoffen erzeugt wenden.
15. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Zuschlagsstoffe den Zusammenhalt der Formkörper verbessern.
16. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Zuschlagsstoffe die Oxidationsempfindlichkeit der Formkörper reduzieren.
17. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Formkörper nach ihrer Herstellung mit einer
Materialschicht überzogen werden.
18. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Materialschicht den Zusammenhalt der Formkörper verbessert.
19. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Materialschicht den Abrieb der Formkörper verringert.
20. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Materialschicht die Oxidationsempfindlichkeit der Formkörper reduziert.
21. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass diese Mischungen vor der Verwendung in lichtdichten und mit Inertgas beaufschlagten Transportbehältern aufbewahrt und transportiert werden können,
22. Feste Mischungen von Polysilanen nach einem der Ansprüche 1 bis 7 und 21 , dadurch gekennzeichnet, dass die Transportbehälter eine Abzugsvorrichtung aufweist, mit der die Mischung der weiteren Verarbeitung oder z.B. einem Wasserstoffreaktor zugeführt werden kann.
EP07817520A 2006-09-14 2007-09-13 Feste polysilan-mischungen Withdrawn EP2064267A2 (de)

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DE102006043929.5A DE102006043929B4 (de) 2006-09-14 2006-09-14 Verfahren zur Herstellung von festen Polysilanmischungen
PCT/DE2007/001648 WO2008031427A2 (de) 2006-09-14 2007-09-13 Feste polysilan-mischungen

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EP07817520A Withdrawn EP2064267A2 (de) 2006-09-14 2007-09-13 Feste polysilan-mischungen

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US (1) US8177943B2 (de)
EP (1) EP2064267A2 (de)
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