DE4214045A1 - Verfahren zur herstellung von am silicium selektiv mit wasserstoff substituierten polycarbosilanen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von am silicium selektiv mit wasserstoff substituierten polycarbosilanenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstel
lung von Polycarbosilanen, die Struktureinheiten mit selektiver
Wasserstoffsubstitution an Siliciumatomen aufweisen. Weiterhin
betrifft die Erfindung auch neue, nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren herstellbare Si-wasserstoffsubstituierte Polycarbosi
lane, die Verwendung solcher Polycarbosilane mit selektiver
Wasserstoffsubstitution zur Polycarbosilan-Faserherstellung so
wie insbesondere unschmelzbare Polycarbosilanfasern und SiC-
Fasern.
Es ist im Stand der Technik bekannt, Polycarbosilane und
Polycarbosilanderivate unter anderem als Polymervorstufen zur
Herstellung von keramischen Fasern nach der sogenannten Poly
mervorstufen-Methode (Precursor-Methode) zu verwenden. Hierzu
werden zunächst die Polycarbosilanpolymere hergestellt. Solche
Polycarbosilane sind Polymere mit einer Gerüststruktur aus den
Elementen Kohlenstoff und Silicium, wobei die Polymere aus
einem Gerüst mit einer Hauptkette aus (-Si-CH-) zusammenge
setzt sind, in der an jedem Si-Atom zwei Seitenkettengruppen
gebunden sind. Die Polycarbosilane werden anschließend z. B. zu
Polymerfasern gesponnen, die durch Pyrolyseverfahren in einer
nicht oxidierenden Atmosphäre in eine keramische SiC-Faser
(z. B. Nicalon) überführt werden können. Um als Vorstufe für die
pyrolytische Herstellung einer keramischen Faser dienen zu kön
nen, müssen sich die Polycarbosilane mit hohen Ausbeuten und
unter Erhalt der ursprünglichen Polymer-Morphologie, d. h. unter
Erhalt einer aus dem Polymer vorgebildeten Faserform, in die
keramische Faser überführen lassen. Häufig werden jedoch bei
der Faserherstellung statt der gewünschten SiC-Bildung, je nach
Art des eingesetzten Polycarbosilans, in mehr oder weniger
großem Umfang auch Schmelzvorgänge, Zersetzungsreaktionen unter
Bildung von großen, flüchtigen Molekülen, Schrumpfungsprozesse
und Gewichtsverlust beobachtet; die sich bildenden SiC-Produkte
werden durch derartige Nebenreaktionen in ihren Eigenschaften
negativ beeinflußt und erweisen sich daher oftmals als un
brauchbar.
Die europäische Patentanmeldung EP-A 300 862 beschreibt
die Herstellung von SiC-Fasern. Gemäß der dort als Stand der
Technik beschriebenen Verfahrensweise wird Me2SiCl2 mit Na
trium zunächst zu Polysilanen der Formel (-SiMe₂-)n umgesetzt.
Das Polysilan wird thermisch umgelagert, wobei sich ein Poly
carbosilan der Formel (-Si(H)(Me)-CH2-) bildet. Dieses Poly
carbosilan wird dann zu Fasern gesponnen und zu Siliciumcarbid-
Fasern pyrolysiert. In der EP-A 300 862 wird als Erfindung an
gesehen, ein weiteres Polycarbosilan zur Verfügung zu stellen,
das sich zur Faserbildung eignet. Es handelt sich um (Si(H)₂-
CH2-CH2)n. Dieses Polycarbosilan wird durch Polymerisation von
Vinyldichlorsilan und Hydrodehalogenierung mit vorzugsweise
Lithiumalanat hergestellt. Es gibt demnach exakt zwei genau de
finierte, zur Faserbildung geeignete Polycarbosilane mit genau
einem oder genau zwei Wasserstoffsubstituenten an jedem Sili
ciumatom. Mit den bekannten Herstellungsmethoden (wobei die
thermische Umlagerung der ersten obengenannten Methode noch
verfahrenstechnische Nachteile mit sich bringt) kann kein ein
ziges anderes Polycarbosilan hergestellt werden.
Für die Bildung von hochwertigen Siliciumcarbid-Fasern
sind nach Erkenntnis der Erfinder die Eigenschaften der hierfür
als Vorstufen dienenden Polycarbosilane von besonderer Bedeu
tung. Im Hinblick auf die Verspinnbarkeit der Polycarbosilane
betrifft dieses z. B. deren Viskositäts- und Oberflächenspan
nungseigenschaften in Verbindung mit deren Schmelzeigenschaf
ten. So dürfen die beispielsweise nach dem Schmelzspinnverfah
ren aus Polycarbosilan-Precursor gezogenen Fäden (sogenannte
Grünfasern) bei der nachfolgenden pyrolytischen Umwandlung in
die Siliciumcarbidfaser nicht schmelzen. Die Grünfasern müssen
daher vor der Pyrolyse durch vernetzende Nachbehandlung un
schmelzbar gemacht werden, beispielsweise durch Behandlung mit
Luft und/oder UV-Licht oder durch Tempern. Als Polycarbosilan-
Precursor für die Faserherstellung wären somit solche Polycar
bosilane von Vorteil, die einen ausreichenden Anteil an ver
netzungsfähigen Gruppen aufweisen, beispielsweise solche mit
einem wesentlichen Anteil an SiH- und insbesondere SiH2-Grup
pen. Zusätzlich sollte der Kohlenstoffgehalt in diesen Polycar
bosilanen (in den Kohlenwasserstoffbrücken zwischen den Si-
Atomen bzw. in den Si-Substituenten) gezielt einstellbar sein,
um auch diesbezüglich optimale Bedingungen für die pyrolytische
Siliciumcarbid-Bildung zu schaffen und um Schrumpfprozesse und
Gewichtsverluste bei der pyrolytischen Umwandlung in die
Siliciumcarbid-Faser zu vermeiden. Derartige am Silicium selek
tiv mit Wasserstoff substituierte Polycarbosilane sind, s. o.,
im Stand der Technik nicht zugänglich.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zu
grunde, ein neues Verfahren zur Herstellung vernetzungsfähiger
Polycarbosilane mit am Silicium selektiv durch Wasserstoff sub
stituierten Si-Gruppen anzugeben sowie neue, für die Silicium
carbid-Faserherstellung besonders geeignete Polycarbosilane mit
am Silicium selektiv durch Wasserstoff substituierten Si-Grup
pen bereitzustellen.
Die Aufgabe wird gelöst durch das in den Ansprüchen ange
gebene Verfahren und die dort angegebenen Polycarbosilane.
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß es möglich
ist, gezielt Polycarbosilane herzustellen, die einen bestimmten
Substitutionsgrad an Halogenatomen am Silicium aufweist. Ausge
hend von Polycarbosilanen mit bestimmtem Halogen-Substitutions
grad am Silicium können durch Austausch dieser Halogenatome ge
gen Wasserstoffatome Polycarbosilane gewonnen werden, die am
Silicium selektiv Wasserstoff als Substituenten aufweisen. Die
Erfindung beruht auf der weiteren Erkenntnis, daß durch teil
weisen oder vollständigen Austausch von Phenylgruppen gegen
Halogenatome am Siliciumatom selektiv Polycarbosilane mit be
stimmtem Substitutionsgrad an Halogenen und ggf. Phenylgruppen
am Silicium hergestellt werden können, welche durch Austausch
der Halogenatome gegen Wasserstoff in Polycarbosilane überführt
werden können, die am Silicium selektiv Wasserstoff und ggf.
Phenyl als Substituenten aufweisen.
So schlägt die Erfindung zur Lösung der Aufgabe ein Ver
fahren zur Herstellung von Polycarbosilanen, die Si-Gruppen mit
Wasserstoffsubstitution am Silicium enthalten, vor, welches da
durch gekennzeichnet ist, daß man Polycarbosilane, die Si-Grup
pen mit Halogensubstitution am Silicium enthalten, mit einem
hydrierenden Agens, vorzugsweise einem Agens aus der Gruppe der
Metallhydride unter Austausch der am Silicium befindlichen
Halogenatome gegen Wasserstoffatome umsetzt und die gebildeten,
am Silicium selektiv mit Wasserstoff substituierten Polycarbo
silane gewinnt.
In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung eignet
sich das Verfahren insbesondere zur Herstellung von SiH2-Grup
pen enthaltenden Polycarbosilanen, zu deren Herstellung halo
genierte Polycarbosilane mit Si(Hal)2-Gruppen eingesetzt wer
den; Hal steht hierbei mit der Bedeutung Halogen. Das erfin
dungsgemäße Verfahren eignet sich auch sehr gut zur Herstellung
von SiH(Ph)-Gruppen enthaltenden Polycarbosilanen aus haloge
nierten Polycarbosilanen, die Si(Hal)(Ph)-Gruppen aufweisen.
"Ph" bedeutet in der vorliegenden Erfindung Phenyl. Selbstver
ständlich kann man auch Polycarbosilane einsetzen, die sowohl
Si(Hal)2-Gruppen als auch Si(Hal)(Ph)-Gruppen aufweisen.
Gemäß dem Verfahren der Erfindung werden durch die Hydrie
rung mittels eines hydrierenden Agens die im halogenierten Aus
gangspolycarbosilan an Siliciumatomen befindlichen Halogenatome
selektiv gegen Wasserstoffatome ausgetauscht. Die übrigen im
Polycarbosilan enthaltenen Gruppen werden hierbei nicht verän
dert. Der Begriff "selektiv" bedeutet also im Rahmen der vor
liegenden Erfindung, daß sowohl der Hydrierungsgrad als auch
der Hydrierungsort über den Anteil bzw. Ort der Si-Gruppen mit
Halogensubstitution gesteuert wird.
In der vorstehenden bevorzugten Ausgestaltung des erfin
dungsgemäßen Verfahrens werden daher halogenierte Polycarbosi
lane eingesetzt, in denen ein Anteil an Si(Hal)2-Gruppen
und/oder Si(Hal)(Ph)-Gruppen von wenigstens 25 Mol-% vorzugs
weise wenigstens 50 Mol-%, vorliegt. Besonders bevorzugt werden
hierbei halogenierte Polycarbosilane mit Si(Hal)2-Gruppen
und/oder Si(Hal)(Ph)-Gruppen eingesetzt, in denen der Anteil
dieser Gruppen 75 bis 100 Mol-% beträgt. Insbesondere bevorzugt
setzt man Polycarbosilane ein, deren Anteil an Si(H)2-Gruppen
entsprechend den vorstehenden Angaben enspricht. Ferner werden
bevorzugt halogenierte Polycarbosilane im Verfahren der Erfin
dung eingesetzt, in denen Halogen (=Hal) die Bedeutung Chlor
und/oder Brom besitzt.
Als hydrierendes Agens sind an sich alle im Stand der
Technik bekannten, wasserstoffabgebenden Hydriermittel wie ins
besondere elementarer oder nascierender Wasserstoff oder
Metallhydride geeignet. Das erfindungsgemäße Verfahren kann
hierbei nach den an sich für Hydrierungen mit Wasserstoff oder
mit Metallhydriden üblichen Reaktionsbedingungen durchgeführt
werden. Die Hydrierung mit elementarem Wasserstoff wird unter
Zusatz an sich üblicher Hydrierungskatalysatoren, insbesondere
Hydrierungskatalysatoren auf Basis von Edelmetallen wie Platin,
Palladium oder Rhodium etc. ausgeführt. Bei diesen Hydrierun
gen mit Wasserstoff wird das halogenierte Polycarbosilan in
einem Lösungsmittel in der für solche Hydrierungen üblichen
Weise in Gegenwart des Katalysators mit Wasserstoffgas beauf
schlagt und unter Rühren bis zum gewünschten Hydrierungsgrad
umgesetzt. Bei Hydrierungen mit Metallhydriden wird das halo
genierte Polycarbosilan in einem in bezug auf das Hydrid iner
ten, wasserfreien Lösungsmittel gelöst und anschließend zu
einer Suspension des Hydrides in diesem Lösungsmittel zuge
tropft. Die Hydride werden in äquimolaren Mengen zu den auszu
tauschenden Halogenatomen im Polycarbosilan, gegebenenfalls
aber auch im geringen Überschuß bis maximal etwa der zweifachen
Molmenge, eingesetzt. Die Umsetzung erfolgt insbesondere unter
Schutzgas, beispielsweise Stickstoff oder Argon, und zu Beginn
der Umsetzung bei niedrigen Temperaturen von z. B. etwa 0 bis
-10°C. Während der Umsetzung, die über einen Zeitraum von bis
zu 7 bis 10 h erfolgen kann, läßt man das Reaktionsgemisch all
mählich auf Umgebungstemperatur (z. B. 20 bis 25°C) erwärmen.
Gegebenenfalls wird bei Umgebungstemperatur noch einige Zeit
gerührt oder das Reaktionsgemisch gegebenenfalls zusätzlich
einige Zeit bis zum Siedepunkt des Lösungsmittels erwärmt. Nach
Abschluß der Umsetzung wird das Reaktionsgemisch bei Umgebungs
temperatur in an sich für solche Hydrierungen üblicher Weise
aufgearbeitet. Entsprechendes gilt für die Aufarbeitung bei
Hydrierungen mit elementarem Wasserstoff. So werden nach der
Hydrierung mit Hydriden die überschüssigen Hydride durch Fil
tration abgetrennt und danach das Filtrat unter Kühlung einer
Hydrolyse, insbesondere einer sauren Hydrolyse unter Zusatz von
Säuren wie verdünnte Salzsäure oder verdünnte Schwefelsäure
unterworfen. Anschließend wird die organische Lösungsmittel
phase, die das darin leicht lösliche hydrierte Polycarbosilan
enthält, von der wäßrigen Phase abgetrennt, gegebenenfalls noch
mit Wasser gewaschen und dann getrocknet. Aus der getrockneten
Lösungsmittelphase kann das hydrierte Polycarbosilan leicht
durch Abdestillieren des Lösungsmittels gewonnen werden. Ge
wünschtenfalls können die derart gewonnenen hydrierten Polycar
bosilane noch einer Vakuumtrocknung unterworfen werden, wobei
diese insbesondere bei hydrierten Polycarbosilanen mit höherem
Hydrierungsgrad zweckmäßigerweise unter Kühlung des hydrierten
Polycarbosilans ausgeführt wird.
Das im erfindungsgemäßen Verfahren verwendete Lösungsmit
tel kann an sich jedes mit dem gewählten Hydriermittel verträg
liche Lösungsmittel sein, welches zur Lösung der eingesetzten
halogenierten Polycarbosilane sowie der gebildeten hydrierten
Polycarbosilane befähigt ist. Geeignete Lösungsmittel sind
z. B. aromatische Kohlenwasserstoffe wie z. B. Benzol, Toluol
oder Xylol sowie Ether wie Diethylether, Tetrahydrofuran,
Dioxan, Dipropylether oder Diethylenglycoldialkylether. Bevor
zugt sind hierbei Ether wie Diethylether, Dioxan oder Dipro
pylether, insbesondere niedrig siedende Ether.
Geeignete Hydriermittel aus der Gruppe der Metallydride
sind alle an sich zur Hydrierung üblichen Alkalimetall- und
Erdalkalimetallhydride sowie deren Aluminiumhydride und Borhy
dride. Beispiele sind Lithiumalanat (Lithiumaluminiumhydrid;
LiAlH4), Natriumboranat (Natriumborhydrid; NaBH4) und Hydride
wie Lithiumhydrid (LiH), Natriumhydrid (NaH) oder Kaliumhydrid
(KH). Bevorzugt sind die Boranate und Alanate, insbesondere
aber das Lithiumaluminiumhydrid.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird eine einfache
und bequeme Methode zur selektiven Herstellung von hydrierten
Polycarbosilanen (d. h. von Polycarbosilanen, die Si-Gruppen mit
Wasserstoffsubstitution am Silicium enthalten) aus halogenier
ten Polycarbosilanen zur Verfügung gestellt. Das erfindungsge
mäße Verfahren gestattet es hierbei, sowohl bereits bekannte
als auch neue Polycarbosilane herzustellen. Das Verfahren er
möglicht durch Auswahl der eingesetzten halogenierten Polycar
bosilane die Wasserstoffsubstitution an Si-Gruppen im Polycar
bosilan sowohl nach Hydrierungsgrad und Hydrierungsort zu
steuern, insbesondere dann, wenn die nachstehend eingehender
beschriebenen, als Edukte bevorzugten halogenierten Polycarbo
silane eingesetzt werden.
Als halogenierte Polycarbosilane können im erfindungsge
mäßen Verfahren an sich alle im Stand der Technik bekannten
halogenierten Polycarbosilane, insbesondere chlorierte und/oder
bromierte Polycarbosilane eingesetzt werden. Bevorzugt werden
jedoch solche Polycarbosilane im erfindungsgemäßen Verfahren
eingesetzt, die es erlauben, sowohl den Hydrierungsgrad als
auch den Hydrierungsort über die jeweilige Halogensubstitution
im halogenierten Polycarbosilan zu steuern. Solche halogenier
ten Polycarbosilane können gemäß dem Verfahren der Deutschen
Patentanmeldung 39 17 838 leicht durch Halogenierung von Poly
carbosilanen, die am Siliciumatom mit Phenylgruppen substitu
iert sind unter polaren oder ionischen Reaktionsbedingungen
unter Austausch der Phenyl-Substituenten am Silicium gegen
Halogenatome hergestellt werden. Auf das Verfahren zur Herstel
lung der halogenierten Polycarbosilane der Deutschen Patentan
meldung 39 17 838 wird daher ausdrücklich Bezug genommen. Die
im vorstehenden Halogenierungsverfahren eingesetzten Polycar
bosilane, die Si-Gruppen mit Phenylsubstituenten am Silicium
enthalten, lassen sich wiederum leicht durch das in der
Deutschen Patentanmeldung 38 41 348 beschriebene Polykondensa
tionsverfahren herstellen, nach dem durch Cokondensation von
Dihalogensilanen und Dihalogenkohlenwasserstoffen in Gegenwart
eines Alkalimetalls die am Silicium durch Phenyl substituierten
Polycarbosilane direkt herstellbar sind. Phenylsubstituierte
Polycarbosilane, in denen die Brückengruppe A mit der Bedeutung
Phenylmethylen oder Diphenylmethylen steht, lassen sich nach
dem in der Deutschen Patentanmeldung 40 18 374 beschriebenen
Grignard-Polykondensationsverfahren herstellen. Hierzu werden
Dihalogensilane und als Dihalogenkohlenwasserstoff beispiels
weise Phenyldibrommethan oder Diphenyldibrommethan in Gegenwart
von Magnesium cokondensiert. Anschließend können im Polycarbo
silan die Phenylsubstituenten am Silicium-Gruppen gegen Halo
genatome ausgetauscht werden. Auf die Verfahren der Deutschen
Patentanmeldungen 38 41 348 und 40 18 374 zur Herstellung der
vorstehenden Phenyl-substituierten Polycarbosilane wird eben
falls ausdrücklich Bezug genommen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kön
nen also Carbosilane hergestellt werden, die am Silicium selek
tiv durch Wasserstoff und selektiv durch Phenyl oder andere
Substituenten wie Alkylgruppen substituiert sind und gewünsch
tenfalls auch selektiv eingeführte Brücken in den Si-A-Si-Ket
ten aufweisen. Durch das erfindungsgemäße Verfahren können also
Polycarbosilane hergestellt werden, deren Hydrierungsgrad und
Hydrierungsort gezielt eingestellt werden kann und deren Ge
halt an Kohlenstoff gewünschtenfalls über gezielte Einführung
von Phenyl- oder Alkylsubstituenten an Siliciumatomen und von
Alkylenbrücken selektiv eingestellt werden kann. Es ist also
erstmals möglich, Polycarbosilane mit Wasserstoffsubstitution
am Siliciumatom mit jeweils gewünschten Eigenschaften herzu
stellen.
In weiteren Varianten des erfindungsgemäßen Verfahrens
können auch solche halogenierten Polycarbosilane eingesetzt
werden, die Verzweigungsgruppen der Formeln R-Si(-A-)3 und/oder
Si(-A-)4 enthalten, worin A die obige Bedeutung und R die Be
deutung Halogen, Niederalkylrest mit 1 bis 4 C-Atomen oder
Phenyl, vorzugsweise aber Halogen oder Methyl, besitzt. In
einer weiteren Variante können im erfindungsgemäßen Verfahren
auch solche halogenierten Polycarbosilane eingesetzt werden,
die zusätzlich Heteroelementgruppen wie Ethylbor-(C2H5B-) oder
Phenylbor-(PhB-;Ph=C6H5=Phenyl) und vergleichbare Hetero
elementgruppen der Elemente Aluminium, Titan, Zirkon und
Hafnium, in denen außer Alkyl- und Phenylsubstituenten auch
Cyclopentadienylsubstituenten vorliegen können. Der Begriff
"Heteroelement" umfaßt hierbei insbesondere die vorstehend
aufgeführten Elemente wie Bor, Titan, Zirkon und Hafnium, die
anstelle von Si-Atomen in
das Polycarbosilan eingebaut sein können. Diese Heteroelemente
sind daher im Gerüst dieser Heteroelement-Polycarbosilane eben
so wie die Si-Atome über Kohlenwasserstoffbrücken, beispiels
weise über die Brückengruppe A, mit anderen Si- bzw. Hetero
atomen verbunden. Solche Heteroelement enthaltenden Polycarbo
silane können sowohl analog dem Verfahren der Deutschen Patent
anmeldung 38 41 348 oder analog dem in der Deutschen Patent
anmeldung 40 18 374 beschriebenen Verfahren hergestellt werden.
Hierzu wird z. B. während der Cokondensation von Dihalogen
kohlenwasserstoff und Dihalogensilan in Gegenwart von Alkali
metall oder während der Grignard-Polykondensationsreaktion ein
Halogenid dieser Heteroelement-Verbindungen, beispielsweise ein
Organyl-Heteroelement-halogenid, z.b. Alkylaluminiumdichlorid
wie Ethylaluminiumdichlorid, Ethylbordichlorid, Phenylbordi
chlorid oder ein Di-π-Cyclopentadienylmetalldichlorid der
Heteroelemente Titan, Zirkonium und Hafnium zugesetzt. Bortri
halogenide, insbesondere Bortribromid, sind ebenfalls einsetz
bar. Die Polycarbosilane sind bevorzugt frei von Sauerstoff.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren können auch neue am
Silicium mit Wasserstoff substituierte Polycarbosilane herge
stellt werden, die einen wesentlichen Anteil, z. B. 5 Mol-% oder
mehr, an Struktureinheiten -SiH2-A- (I) oder -Si(H)(Ph)-A-
enthalten, worin A für Methylen (CH2), Phenylmethylen (CHPh)
oder Diphenylmethylen (CPh2) steht. In einer bevorzugten Vari
ante dieser erfindungsgemäßen Si-wasserstoffsubstituierten
Polycarbosilane sind diese auf Basis von Struktureinheiten der
Formel I und der Formel II gebildet
worin A für Methylen (CH2), Phenylmethylen (CHPh) oder Diphe
nylmethylen (CPh2), vorzugsweise für Methylen (CH2), steht und
die Reste R1 und R2 unabhängig voneinander für Wasserstoff,
einen Niederalkylrest mit 1 bis 4 C-Atomen oder Phenyl stehen.
In bevorzugten erfindungsgemäßen Polycarbosilanen steht
hierbei A für Methylen (CH2) und die Reste R1 und R2 unabhängig
voneinander für Wasserstoff, Methyl oder Phenyl, vorzugsweise
aber für Wasserstoff oder Methyl. Besonders bevorzugte
Si-Wasserstoff-substituierte Polycarbosilane zeichnen sich da
durch aus, daß der Anteil der Struktureinheit -SiH2-A- (I) im
Polycarbosilan wenigstens 25 Mol-%, vorzugsweise wenigstens
50 Mol-% beträgt. Ganz besonders bevorzugt sind hierbei solche
Polycarbosilane, in denen der Anteil der Struktureinheit der
Formel (I) im Polycarbosilan 75 bis 100 Mol-% beträgt.
Neue besonders vorteilhafte erfindungsgemäße Polycarbosi
lane sind gekennzeichnet durch eine keramische Ausbeute bei der
Umwandlung zu SiC von mehr als 60%, z. B. mehr als 67%, vor
zugsweise mehr als 69% und insbesondere mehr als 70%.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhältlichen
Polycarbosilane, die Si-Gruppen mit Wasserstoffsubstitution am
Silicium enthalten, eignen sich gut zur Herstellung von Poly
carbosilanfasern als Vorstufe zur Herstellung von Keramikfasern
auf Basis von Siliciumcarbid. Die selektiv wasserstoffsubstitu
ierten Polycarbosilane weisen zwar eine gute Vernetzungsreak
tivität auf, sind aber im Gegensatz zu Polysilanen mit ent
sprechender Si-Wasserstoffsubstitution nicht selbstentzündlich.
Beispielsweise lassen sich Siliciumcarbid-Fasern aus den erfin
dungsgemäßen Polycarbosilanen durch den Schmelzspinnprozeß her
stellen. Hierzu wird das Polycarbosilan auf ca. 30 bis 40°C
über den jeweiligen Erweichungsbereich erwärmt und anschießend
mit Hilfe eines Kolbens durch eine Mehrlochdüse gepreßt. Die
aus den Düsenöffnungen austretenden Polymerfasern werden un
mittelbar hinter der Düsenbohrung auf einen Durchmesser von ca.
20 µm verstreckt und gegebenenfalls noch mit entsprechenden
Hilfsstoffen behandelt. Die dabei erhaltenen Faserbündel können
zur Zwischenlagerung auf Trommeln aufgewickelt werden. Bevor
aus diesen Polycarbosilanfasern (sogenannte Grünfasern) durch
Pyrolyse Siliciumcarbid-Fasern hergestellt werden können, müs
sen die Grünfasern zuvor vernetzt, d. h. unschmelzbar gemacht
werden. Dieses kann z. B. durch Tempern erfolgen, wobei die
Fasern mit einer definierten Aufheizrate unter Schutzgas auf
Temperaturen von 180 bis 200°C erwärmt bzw. mit einer bestimm
ten Geschwindigkeit durch einen Rohrofen gezogen werden. Ge
wünschtenfalls kann die Temperung auch bereits vor dem Ziehen
der Fäden an den erfindungsgemäßen Polycarbosilanen vorgenommen
werden. Durch die gezielte thermische Behandlung werden Ver
brückungs-, Verzweigungs- und Vernetzungsprodukte unter Aus
tritt leicht abspaltbarer Substituenten, vorzugsweise am Sili
cium, erzeugt. Hierbei lassen sich durch das Temperaturprogramm
der Verzweigungsgrad und somit die gewünschten Eigenschaften
des Produktes positiv beeinflussen. Die nach dem erfindungsge
mäßen Verfahren erhältlichen Polycarbosilane erweisen sich
hierfür als ideale Ausgangsstoffe, da sie am Silicium leicht
abspaltbare Gruppen mit geringem Molekulargewicht tragen, wie
z. B. Wasserstoff. Die erfindungsgemäßen Si-Wasserstoff-haltigen
Polycarbosilane reagieren schon bei niedrigen Temperaturen in
der gewünschten Richtung mit guten bis sehr guten Ausbeuten.
Zudem kann bei Verwendung der erfindungsgemäßen Polycarbosilane
der Verzweigungsgrad über den gezielten Einbau von SiH- bzw.
SiH2-Gruppen durch Hydrierung der Si(Hal)- bzw. Si(Hal)2-
Gruppen gut gesteuert werden. Die Temperbehandlung der erfin
dungsgemäßen Polycarbosilane kann hierbei in einem Temperatur
intervall von 100 bis etwa 500°C stattfinden. Die Temperung
kann unter Normaldruck, insbesondere unter Schutzgas, oder im
Vakuum (z. B. Ölpumpenvakuum) durchgeführt werden.
Nach dem Vernetzen der Grünfäden werden diese durch Pyro
lyse in eine Siliciumcarbid-Faser umgewandelt. Hierzu werden
die Grünfaserbündel zunächst bei Temperaturen von 20 bis etwa
450°C durch einen Rohrofen gezogen oder in einem inerten
Kammerofen aufgeheizt. Hierbei werden leicht zunächst flüchtige
Mono- und Oligomere und in einem erhöhten Temperaturbereich von
450 bis 800°C freigesetztes Methan und Wasserstoff ausgetrie
ben. Die sich anschließende Pyrolyse bis etwa 1130°C führt zu
Siliciumcarbidfasern mit hohen keramischen Ausbeuten.
Polycarbosilanfasern und Siliciumcarbidfasern, erhältlich
unter Verwendung von am Silicium selektiv mit Wasserstoff sub
stituierten Polycarbosilanen, insbesondere unter Verwendung der
neuen, erfindungsgemäßen Polycarbosilane erhältlichen Polycar
bosilanfasern und Siliciumcarbidfasern, sind ebenfalls Gegen
stand der vorliegenden Erfindung. Die Fasern sind sehr homogen
und nach Vernetzung unschmelzbar. Sie können, wie gesagt, mit
hoher keramischer Ausbeute in SiC-Fasern überführt werden.
Heteroelement enthaltende Fasern sind besonders gut sinter
fähig, phenylhaltige Hydridocarbosilane weisen eine nochmals
erhöhte Faserhomogenität nach der Pyrolyse auf.
Die nachfolgenden Beispiele sollen die Erfindung näher er
läutern, ohne sie jedoch in ihrem Umfang zu beschränken.
Die in den Beispielen aufgeführten teil- und vollhalogenierten
Polycarbosilane wurden nach dem Verfahren der DE 39 17 838 dar
gestellt. Sie stellen halogenierte Derivate von phenylhaltigen
Polycarbosilanen dar, wie sie in der DE 38 41 348 beschrieben
und gemäß dem dortigen Verfahren erhältlich sind.
Die Halogenierung wurde dahingehend gesteuert, daß 25, 50, 75
bzw. 100 Mol-% der Phenylgruppen am Silicium durch Chlor oder
Brom substituiert wurden und somit die gezielte Herstellung Si-
Wasserstoff-haltiger Polycarbosilane gewünschter Zusammen
setzung ermöglicht wurde.
30 g eines chlor- oder bromhaltigen Polycarbosilanes wurden in
50 ml absolutiertem Diethylether gelöst und bei Eisbadtempera
tur zu einer Suspension von LiAlH4 in 100 ml absolutiertem Di
ethylether unter Schutzgas getropft. Das molare Ansatzverhält
nis von LiAlH4 bezogen auf den Halogengehalt der teilhaloge
nierten Polycarbosilane betrug 1:2, für die vollhalogenierten
Polycarbosilane 1:4. Das Reaktionsgemisch wurde auf Raumtempe
ratur erwärmt und weitere 12 h unter Schutzgas gerührt.
Nach Ablauf der Reaktionszeit wurden die entstandenen Salze und
überschüssiges LiAlH4 abfiltriert und die verbliebene ethe
rische Phase mit 100 ml einer 1,5-molaren Schwefelsäure bzw.
einer 3-molaren Schwefelsäure unter Eisbadkühlung versetzt.
Im Anschluß an die saure Hydrolyse des restlichen LiAlH4 wurde
die etherische von der wäßrigen Phase getrennt und über einem
üblichen Trockenmittel, vorzugsweise über Molekularsieb, ge
trocknet. Aus der erhaltenen klaren gelben Lösung wurde am
Rotationsverdampfer das Lösungsmittel abgedampft und der Rück
stand bei 30°C im Vakuum getrocknet.
Es wurden die in den nachfolgenden Beispielen 1 bis 14 be
schriebenen SiH- bzw. SiH2-haltigen Polycarbosilane nach dem
vorstehenden erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt.
Ein teilchloriertes Polydiphenylcarbosilan, dessen Phenylgrup
pen am Silicium zu 25 Mol-% gegen Chlor ausgetauscht waren
(Elementaranalyse: Si 15,89 Gew.-%; C 68,56 Gew.-%;
H 5,52 Gew.-%; Cl 10,03 Gew.-%), wurde gemäß B. hydriert. Man
erhielt 23,6 g (87%) eines fädenziehenden gelben Feststoffes,
welcher sich im IR-, 1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein
phenylgruppenhaltiges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan
erwies. Die Elementaranalyse für dieses hydrierte Polycarbo
silan ergab folgende Zusammensetzung: Si 17,6 Gew.-%;
C 76,0 Gew.-%; H 6,4 Gew.-%, die mit den theoretischen Werten
übereinstimmt.
Ein teilchloriertes Polydiphenylcarbosilan, dessen Phenylgrup
pen am Silicium zu 50 Mol-% gegen Chlor ausgetauscht waren
(Elementaranalyse: Si 18,0 Gew.-%; C 54,6 Gew.-%;
H 4,6 Gew.-%; Cl 22,7 Gew.-%), wurde gemäß B. hydriert. Man
erhielt 21,5 g (92%) eines hochviskosen gelben Produktes,
welches sich im IR-, 1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein
phenylgruppenhaltiges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan
erwies. Die Elementaranalyse für dieses hydrierte Polycarbo
silan ergab folgende Zusammensetzung: Si 23,1 Gew.-%;
C 70,1 Gew.-%; H 6,8 Gew.-%, die mit den theoretischen Werten
übereinstimmt.
Ein teilchloriertes Polydipehylcarbosilan, dessen Phenylgrup
pen am Silicium zu 75 Mol-% gegen Chlor ausgetauscht waren
(Elementaranalyse: Si 20,8 Gew.-%; C 36,3 Gew.-%; H 3,5 Gew.-%;
Cl 39,4 Gew.-%), wurde gemäß B. hydriert. Man erhielt 18,1 g
(98%) eines hochviskosen gelben Produktes, welches sich im
IR-, 1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein phenylgruppenhalti
ges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan erwies. Die Elemen
taranalyse für dieses hydrierte Polycarbosilan ergab folgende
Zusammensetzung: Si 33,6 Gew.-%; C 58,9 Gew.-%; H 7,5 Gew.-%,
die mit den theoretischen Werten übereinstimmt.
Ein am Silicium vollchloriertes Polycarbosilan, dargestellt
durch die Chlorierung von Polydiphenylcarbosilan (Elementar
analyse: Si 24,2 Gew.-%; C 13,8 Gew.-%; H 2,1 Gew.-%;
Cl 59,9 Gew.-%), wurde gemäß B. hydriert. Man erhielt 12,3 g
(94%) eines viskosen gelben Produktes, welches sich im IR-,
1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein gering phenylgruppen
haltiges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan erwies. Die
Elementaranalyse für dieses hydrierte Polycarbosilan ergab
folgende Zusammensetzung: Si 59,6 Gew.-%; C 31,0 Gew.-%;
H 9,0 Gew.-%, die den theoretischen Werten entspricht.
Ein am Silicium vollchloriertes Polycarbosilan, dargestellt
durch die Chlorierung von Polydiphenylcarbosilan (Elementar
analyse: Si 24,2 Gew.-%; C 13,8 Gew.-%; H 2,1 Gew.-%;
Cl 59,9 Gew.-%), wurde analog B. mit NaBH4 hydriert. Man er
hielt 11,9 g (91%) eines viskosen gelben Produktes, welches
sich im IR-, 1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein gering
phenylgruppenhaltiges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan
erwies. Die Elementaranalyse für dieses hydrierte Polycar
bosilan ergab folgende Zusammensetzung: Si 56,1 Gew.-%;
C 33,3 Gew.-%; H 9,2 Gew.-%, die den theoretischen Werten
entspricht.
Ein teilbromiertes Polydiphenylcarbosilan, dessen Phenylgruppen
am Silicium zu 25 Mol-% gegen Brom ausgetauscht waren (Elemen
taranalyse: Si 14,1 Gew.-%; C 60,9 Gew.-%; H 4,9 Gew.-%;
Br 20,1 Gew.-%), wurde gemäß B. hydriert. Man erhielt 21,4 g
(89%) eines fädenziehenden gelben Feststoffes, welcher sich im
IR-, 1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein phenylgruppenhalti
ges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan erwies. Die Elemen
taranalyse für dieses hydrierte Polycarbosilan ergab folgende
Zusammensetzung: Si 17,5 Gew.-%; C 76,0 Gew.-%; H 6,5 Gew.-%,
die mit den theoretischen Werten übereinstimmt.
Ein teilbromiertes Polydiphenylcarbosilan, dessen Phenylgruppen
am Silicium zu 50 Mol-% gegen Brom ausgetauscht waren (Ele
mentaranalyse: Si 14,0 Gew.-%; C 42,5 Gew.-%; H 3,6 Gew.-%;
Br 39,9 Gew.-%), wurde gemäß B. hydriert. Man erhielt 16,4 g
(90%) eines hochviskosen gelben Produktes, welches sich im
IR-, 1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein phenylgruppen
haltiges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan erwies. Die
Elementaranalyse für dieses hydrierte Polycarbosilan ergab
folgende Zusammensetzung: Si 23,1 Gew.-%; C 69,9 Gew.-%;
H 7,0 Gew.-%, die mit den theoretischen Werten übereinstimmt.
Ein teilbromiertes Polydiphenylcarbosilan, dessen Phenylgruppen
am Silicium zu 75 Mol-% gegen Brom ausgetauscht waren (Ele
mentaranalyse: Si 13,9 Gew.-%; C 24,3 Gew.-%; H 2,2 Gew.-%;
Br 59,4 Gew.-%), wurde gemäß B. hydriert. Man erhielt 11,9 g
(96%) eines hochviskosen gelben Produktes, welches sich im
IR-, 1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein phenylgruppenhal
tiges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan erwies. Die
Elementaranalyse für dieses hydrierte Polycarbosilan ergab
folgende Zusammensetzung: Si 33,8 Gew.-%; C 58,6 Gew.-%;
H 7,6 Gew.-%, die mit den theoretischen Werten übereinstimmt.
Ein am Silicium vollbromiertes Polycarbosilan, dargestellt
durch die Bromierung von Polydiphenylcarbosilan (Elementar
analyse: Si 13,8 Gew.-%; C 6,44 Gew.-%; H 1,08 Gew.-%;
Br 78,6 Gew.-%), wurde gemäß B. hydriert. Man erhielt 6,5 g
(91%) eines viskosen gelben Produktes, welches sich im IR-,
1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein gering phenylgruppen
haltiges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan erwies. Die
Elementaranalyse für dieses hydrierte Polycarbosilan ergab
folgende Zusammensetzung: Si 61,9 Gew.-%; C 28,8 Gew.-%;
H 9,1 Gew.-%, die den theoretischen Werten entspricht.
Ein am Silicium vollbromiertes Polycarbosilan, dargestellt
durch die Bromierung von Polydiphenylcarbosilan (Elementar
analyse: Si 13,8 Gew.-%; C 6,44 Gew.-%; H 1,08 Gew.-%;
Br 78,6 Gew.-%), wurde analog B. mit NaBH4 hydriert. Man er
hielt 6,0 g (84%) eines viskosen gelben Produktes, welches
sich im IR-, 1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein gering
phenylgruppenhaltiges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan
erwies. Die Elementaranalyse für dieses hydrierte Polycarbo
silan ergab folgende Zusammensetzung: Si 61,5 Gew.-%;
C 29,1 Gew.-%; H 9,0 Gew.-%, die den theoretischen Werten
entspricht.
Ein teilchloriertes Polymethylphenylcarbosilan (PhMeSiCH2)n,
dessen Phenylgruppen am Silicium zu 25 Mol-% gegen Chlor aus
getauscht waren (Elementaranalyse: Si 22,9 Gew.-%;
C 62,8 Gew.-%; H 7,0 Gew.-%; Cl 7,2 Gew.-%), wurde gemäß B.
hydriert. Man erhielt 22,0 g (79%) eines fädenziehenden hell
braunen Feststoffes, welcher im IR-, 1H-NMR- und 29Si-NMR-
Spektrum als ein methyl- und phenylgruppenhaltiges, am Silicium
hydriertes Polycarbosilan erwies. Die Elementaranalyse für
dieses hydrierte Polycarbosilan ergab folgende Zusammensetzung:
Si 24,7 Gew.-%; C 67,5 Gew.-%; H 7,8 Gew.-%, die mit den theo
retischen Werten übereinstimmt.
Ein teilchloriertes Polymethylphenylcarbosilan, dessen Phenyl
gruppen am Silicium zu 50 Mol-% gegen Chlor ausgetauscht waren
(Elementaranalyse: Si 25,1 Gew.-%; C 52,5 Gew.-%; H 6,6 Gew.-%;
Cl 15,8 Gew.-%), wurde gemäß B. hydriert. Man erhielt 21,1 g
(83%) eines hochviskosen hellbraunen Produktes, welches sich
im IR-, 1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein methyl- und
phenylgruppenhaltiges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan
erwies. Die Elementaranalyse für dieses hydrierte Polycarbo
silan ergab folgende Zusammensetzung: Si 29,6 Gew.-%;
C 62,1 Gew.-%; H 8,3 Gew.-%, die mit den theoretischen Werten
übereinstimmt.
Ein teilchloriertes Polymethylphenylcarbosilan, dessen Phenyl
gruppen am Silicium zu 75 Mol-% gegen Chlor ausgetauscht waren
(Elementaranalyse: Si 27,6 Gew.-%; C 40,2 Gew.-%; H 6,0 Gew.-%;
Cl 26,2 Gew.-%), wurde gemäß B. hydriert. Man erhielt 21,0 g
(94%) eines hochviskosen gelben Produktes, welches sich im
IR-, 1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein methyl- und phenyl
gruppenhaltiges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan erwies.
Die Elementaranalyse für dieses hydrierte Polycarbosilan ergab
folgende Zusammensetzung: Si 37,0 Gew.-%; C 53,9 Gew.-%;
H 9,0 Gew.-%, die mit den theoretischen Werten übereinstimmt.
Ein am Silicium einfach chloriertes Polychlormethylcarbosilan
(ClMeSiCH2)n mit geringem Anteil an Phenylgruppen (Elementar
analyse: Si 30,5 Gew.-%; C 26,4 Gew.-%; H 5,4 Gew.-%;
Cl 37,3 Gew.-%), konnte nach obiger Vorschrift hydriert werden.
Man erhielt 16,9 g (89%) eines viskosen gelben Produktes, wel
ches sich im IR-, 1H-NMR- und 29Si-NMR-Spektrum als ein gering
phenylgruppenhaltiges, am Silicium hydriertes Polycarbosilan
erwies. Die Elementaranalyse für dieses hydrierte Polycarbosi
lan ergab folgende Zusammensetzung: Si 48,2 Gew.-%; C 41,6
Gew.-%; H 10,2 Gew.-%, die mit den theoretischen Werten über
einstimmt.
Durch die gezielte thermische Behandlung wurden in den gemäß
den Beispielen 1 bis 14 hergestellten Si-wasserstoffreichen
Polycarbosilanen Verbrückungs-, Verzweigungs- und Vernetzungs
punkte unter Austritt leicht abspaltbarer Substituenten, vor
zugsweise am Silicium, erzeugt. Über die Wahl des Temperatur
programmes ließ sich der Verzweigungsgrad und somit die ge
wünschten Eigenschaften des Produktes einstellen.
Die eingesetzten Polycarbosilane waren ideale Ausgangsstoffe
für eine derartige thermische Behandlung, da diese leichtab
spaltbare Gruppen mit geringem Molekulargewicht am Silicium
tragen, wie z. B. Wasserstoff. Die SiH- bzw. SiH2-haltigen
Polycarbosilane reagierten in der gewünschten Richtung bei
niedrigen Temperaturen in guten bis sehr guten Ausbeuten, wobei
der Verzweigungsgrad über den gezielten Einbau von SiH- bzw.
SiH2-Funktionen durch Hydrierung der Si(Hal)- bzw. Si(Hal)2-
Gruppen wie in den obigen Beispielen gezeigt, sehr gut ge
steuert werden konnte. Die sich anschließende Pyrolyse bis
1130°C führt zu deutlich erhöhten keramischen Ausbeuten bei
getemperten Polycarbosilanen.
Die Temperung der gemäß den Beispielen 1 bis 14 hergestellten
Si-wasserstoffreichen Polycarbosilane erfolgte nach zwei Vari
anten.
20 g eines Polycarbosilanes wurden unter Schutzgas bei Normal
druck nach unten aufgeführten Temperaturprogramm erwärmt.
Während der thermischen Behandlung wurden leichtflüchtige Frak
tionen über eine luftgekühlte Destillationsbrücke in einer ge
kühlten Vorlage (ca. 0°C) aufgefangen.
Haltezeit/min | |
Temperatur/°C | |
30 | |
100 | |
30 | 150 |
30 | 200 |
45 | 250 |
45 | 300 |
45 | 350 |
60 | 400 |
20 g eines Polycarbosilanes wurden im Vakuum (ca. 2 mbar)
analog zu Variante 1 thermisch behandelt.
Die durch Pyrolyse der nach vorstehenden Varianten getemperten
Polycarbosilane erzielten keramischen Ausbeuten wurden wie
folgt bestimmt:
400 mg des Polycarbosilanes wurden in einem Röhrenofen unter
Argon mit 20°C/min auf 300°C erhitzt und anschließend mit
einer verringerten Aufheizrate von 3°C/min auf 1130°C ge
bracht. Nach einer Verweilzeit von 60 Minuten bei 1130°C wurde
das pyrolysierte Produkt langsam abgekühlt, ausgewogen und die
keramische Ausbeute nach
keramische Ausbeute=Gpy*100%/Gpc
Gpy=Gewicht des pyrolysierten Polycarbosilanes
Gpc=Polycarbosilaneinwaage,
bestimmt.
keramische Ausbeute=Gpy*100%/Gpc
Gpy=Gewicht des pyrolysierten Polycarbosilanes
Gpc=Polycarbosilaneinwaage,
bestimmt.
Durch testweise Temperung und nachfolgende Pyrolyse der gemäß
den Beispielen 1 bis 14 hergestellten Poycarbosilane wurden im
Einzelnen die in den nachfolgenden Beispielen 15 bis 22 wieder
gegebenen Ergebnisse erzielt.
Ein teilhydriertes Polydiphenylcarbosilan gemäß Beispiel 1,
dessen Phenylgruppen am Silicium zu 25 Mol-% gegen Wasserstoff
ausgetauscht waren (Elementaranalyse: Si 17,6 Gew.-%;
C 76,0 Gew.-%; H 6,4 Gew.-%), wurde nach Variante 1 thermisch
behandelt. Die Endtemperatur betrug 400°C. Man erhielt 17,4 g
eines gelben Feststoffes, der in Aromaten löslich war. Die Ele
mentaranalyse ergab folgende Zusammensetzung: Si 16,13 Gew.-%
C 71,98 Gew.-%; H 5,81 Gew.-%. Die sich anschließende Pyrolyse
bis 1130°C unter Argon ergab eine keramische Ausbeute von
56%.
Ein weiteres teilhydriertes Polydiphenylcarbosilan gemäß Bei
spiel 1, dessen Phenylgruppen am Silicium zu 25 Mol-% gegen
Wasserstoff ausgetauscht waren (Elementaranalyse:
Si 17,6 Gew.-%; C 76,0 Gew.-%; H 6,4 Gew.-%), wurde nach
Variante 2 thermisch behandelt. Die Endtemperatur betrug
400°C. Man erhielt 18,2 g eines gelben Feststoffes, der in
Aromaten löslich war. Die Elementaranalyse ergab folgende
Zusammensetzung: Si 19,13 Gew.-%; C 67,94 Gew.-%;
H 5,45 Gew.-%. Die sich anschließende Pyrolyse bis 1130°C
unter Argon ergab eine keramische Ausbeute von 58%.
Ein teilhydriertes Polydiphenylcarbosilan gemäß Beispiel 2,
dessen Phenylgruppen am Silicium zu 50 Mol-% gegen Wasserstoff
ausgetauscht waren (Elementaranalyse: Si 23,1 Gew.-%;
C 70,1 Gew.-%; H 6,8 Gew.-%), wurde nach Variante 1 thermisch
behandelt. Die Endtemperatur betrug 400°C. Man erhielt 16,8 g
eines gelben Feststoffes, der in Aromaten löslich war. Die Ele
mentaranalyse ergab folgende Zusammensetzung: Si 23,59 Gew.-%;
C 63,8 Gew.-%; H 5,6 Gew.-%. Die sich anschließende Pyrolyse
bis 1130°C unter Argon ergab eine keramische Ausbeute von
82%.
Ein weiteres teilhydriertes Polydiphenylcarbosilan gemäß
Beispiel 2, dessen Phenylgruppen am Silicium zu 50 Mol-% gegen
Wasserstoff ausgetauscht waren (Elementaranalyse:
Si 23,1 Gew.-%; C 70,1 Gew.-%; H 6,8 Gew.-%), wurde nach
Variante 2 thermisch behandelt. Die Endtemperatur betrug
400°C. Man erhielt 17,5 g eines gelben Feststoffes, der in
Aromaten löslich war. Die Elementaranalyse ergab folgende
Zusammensetzung: Si 28,75 Gew.-%; C 59,5 Gew.-%;
H 5,37 Gew.-%. Die sich anschließende Pyrolyse bis 1130°C
unter Argon ergab eine keramische Ausbeute von 92%.
Ein teilhydriertes Polydiphenylcarbosilan gemäß Beispiel 3,
dessen Phenylgruppen am Silicium zu 75 Mol-% gegen Wasserstoff
ausgetauscht waren (Elementaranalyse: Si 33,6 Gew.-%;
C 58,9 Gew.-%; H 7,5 Gew.-%), wurde nach Variante 1 thermisch
behandelt. Die Endtemperatur betrug 350°C. Man erhielt 18,2 g
eines gelben Feststoffes, der in Aromaten löslich war. Die
Elementaranalyse ergab folgende Zusammensetzung:
Si 25,25 Gew.-%; C 62,15 Gew.-%; H 6,42 Gew.-%. Die sich an
schließende Pyrolyse bis 1130°C unter Argon ergab eine kera
mische Ausbeute von 94%.
Ein weiteres teilhydriertes Polydiphenylcarbosilan gemäß
Beispiel 3, dessen Phenylgruppen am Silicium zu 75 Mol-% gegen
Wasserstoff ausgetauscht waren (Elementaranalyse:
Si 33,6 Gew.-%; C 58,9 Gew.-%; H 7,5 Gew.-%), wurde nach Vari
ante 2 thermisch behandelt. Die Endtemperatur betrug 250°C.
Man erhielt 18,8 g eines gelben Feststoffes, der in Aromaten
löslich war. Die Elementaranalyse ergab folgende Zusammen
setzung: Si 27,9 Gew.-%; C 62,8 Gew.-%; H 7,06 Gew.-%. Die sich
anschließende Pyrolyse bis 1130°C unter Argon ergab eine kera
mische Ausbeute von 96%.
Ein am Silicium vollhydriertes Polycarbosilan (Elementar
analyse: Si 63,6 Gew.-%; C 33,0 Gew.-%; H 9,0 Gew.-%), darge
stellt durch Hydrierung des Polydichlorcarbosilanes analog
Beispiel 4 wurde nach Variante 1 thermisch behandelt. Die
Endtemperatur betrug 350°C. Man erhielt 17,5 g eines gelben
Feststoffes. Die Elementaranalyse ergab folgende Zusammen
setzung: Si 52,9 Gew.-%; C 40,6 Gew.-%; H 5,2 Gew.-%. Die sich
anschließende Pyrolyse bis 1130°C unter Argon ergab eine
keramische Ausbeute von 93%.
Ein weiteres am Silicium vollhydriertes Polycarbosilan (Ele
mentaranalyse: Si 63,6 Gew.-%; C 33,0 Gew.-%; H 9,0 Gew.-%),
dargestellt durch Hydrierung des Polydichlorcarbosilanes analog
Beispiel 4, wurde nach Variante 2 thermisch behandelt. Die End
temperatur betrug 250°C. Man erhielt 17,9 g eines gelben Fest
stoffes. Die Elementaranalyse ergab folgende Zusammensetzung:
Si 55,9 Gew.-%; C 38,3 Gew.-%; H 4,4 Gew.-%. Die sich an
schließende Pyrolyse bis 1130°C unter Argon ergab eine kera
mische Ausbeute von 91%.
Claims (14)
1. Verfahren zur Herstellung von Polycarbosilanen, die Si-
Gruppen mit Wasserstoffsubstitution am Silicium enthalten, da
durch gekennzeichnet, daß man Polycarbosilane, die Si-Gruppen
mit Halogensubstitution am Silicium enthalten, mit einem hy
drierenden Agens, vorzugsweise einem Agens aus der Gruppe der
Metallhydride unter Austausch der am Silicium befindlichen
Halogenatome gegen Wasserstoffatome umsetzt und die gebildeten,
am Silicium selektiv mit Wasserstoff substituierten Polycar
bosilane gewinnt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
man zur Herstellung von SiH2-Gruppen enthaltenden Polycarbosi
lanen halogenierte Polycarbosilane mit Si(Hal)2-Gruppen und zur
Herstellung von SiH(Ph)-Gruppen enthaltenden Polycarbosilanen
halogenierte Polycarbosilane mit Si(Hal)(Ph)-Gruppen, worin Hal
für die Bedeutung Halogen und Ph für die Bedeutung Phenyl
steht, einsetzt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
man halogenierte Polycarbosilane einsetzt, in denen ein Anteil
an Si(Hal)(Ph)-Gruppen und/oder Si(Hal)2-Gruppen von wenigstens
25 Mol-%, vorzugsweise wenigstens 50 Mol-%, vorliegt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
man halogenierte Polycarbosilane einsetzt, in denen ein Anteil
an Si(Hal)(Ph)-Gruppen und/oder Si(Hal)2-Gruppen von 75 bis
100 Mol-% vorliegt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß man halogenierte Polycarbosilane einsetzt, in
denen Halogen die Bedeutung Chlor und/oder Brom besitzt.
6. Am Silicium selektiv mit Wasserstoff substituierte
Polycarbosilane, die einen wesentlichen Anteil an Strukturein
heiten der Formel -SiH2-A- oder -Si(H)(Ph)-A- enthalten, worin
A für Methylen (CH2), Phenylmethylen (CHPh) oder Diphenyl
methylen (CPh2) steht.
7. Polycarbosilane nach Anspruch 6 auf Basis von Struk
tureinheiten der Formel I und der Formel II
worin A für Methylen (CH2), Phenylmethylen (CHPh) oder Di
phenylmethylen (CPh2), vorzugsweise für Methylen (CH2), steht
und die Reste R1 und R2 unabhängig voneinander für Wasserstoff,
einen Niederalkylrest mit 1 bis 4 C-Atomen oder Phenyl stehen.
8. Polycarbosilane nach Anspruch 7, dadurch gekennzeich
net, daß A Methylen (CH2) bedeutet und die Reste R1 und R2
unabhängig voneinander für Wasserstoff, Methyl oder Phenyl,
vorzugsweise für Wasserstoff oder Methyl, stehen.
9. Polycarbosilane nach einem der Ansprüche 6 bis 8, da
durch gekennzeichnet, daß der Anteil der Struktureinheit
-SiH2-A- (I) im Polycarbosilan wenigstens 25 Mol-%, vorzugs
weise wenigstens 50 Mol-%, beträgt.
10. Polycarbosilan nach Anspruch 9, dadurch gekennzeich
net, daß der Anteil der Struktureinheit -SiH2-A- (I) im Poly
carbosilan 75 bis 100 Mol-% beträgt.
11. Polycarbosilan nach einem der Ansprüche 6 bis 11, ge
kennzeichnet durch eine keramische Ausbeute bei der Umwandlung
zu SiC von mehr als 67%, vorzugsweise mehr als 69%.
12. Verwendung von am Silicium selektiv mit Wasserstoff
substituierten Polycarbosilanen zur Herstellung von Polycarbo
silanfasern, vorzugsweise unschmelzbaren Polycarbosilanfasern,
als Vorstufe zur Herstellung von Siliciumcarbidfasern.
13. Polycarbosilanfasern und Siliciumcarbidfasern, erhält
lich unter Verwendung von am Silicium selektiv mit Wasserstoff
substituierten Polycarbosilanen.
14. Polycarbosilanfasern und Siliciumcarbidfasern nach
Anspruch 13, erhältlich unter Verwendung von Polycarbosilanen
nach einem der Ansprüche 6 bis 11.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924214045 DE4214045A1 (de) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | Verfahren zur herstellung von am silicium selektiv mit wasserstoff substituierten polycarbosilanen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924214045 DE4214045A1 (de) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | Verfahren zur herstellung von am silicium selektiv mit wasserstoff substituierten polycarbosilanen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4214045A1 true DE4214045A1 (de) | 1993-11-04 |
Family
ID=6457715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19924214045 Withdrawn DE4214045A1 (de) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | Verfahren zur herstellung von am silicium selektiv mit wasserstoff substituierten polycarbosilanen |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE4214045A1 (de) |
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