DE102010025710A1 - Speichermaterial und Verfahren zur Gewinnung von H-Silanen aus diesem - Google Patents

Speichermaterial und Verfahren zur Gewinnung von H-Silanen aus diesem Download PDF

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Speichermaterial zur Gewinnung von H-Silanen, das als hydriertes Polysilan (HPS) als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen mit im Mittel mindestens sechs direkten Bindungen Si-Si, deren Substituenten überwiegend aus Wasserstoff bestehen und in deren Zusammensetzung das Atomverhältnis Substituent:Silicium mindestens 1:1 beträgt, vorliegt, sowie ein Verfahren zur Gewinnung von H-Silanen aus einem derartigen Speichermaterial.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Speichermaterial und ein Verfahren zur Gewinnung von H-Silanen aus diesem.
  • Gasförmige oder verdampfbare, d. h., kurzkettige H-Silane SinH2n+2, sind wichtige Ausgangsstoffe für Prozesse, in denen Silicium auf Oberflächen abgeschieden werden soll, beispielsweise in CVD-Verfahren oder für die Bereitung von Lösungen (z. B. für Ink-Jet Verfahren). Ein entscheidender Nachteil von kurzkettigen H-Silanen ist, dass die niederen Vertreter (n = 1, 2) gasförmig und daher nur in Druckgasflaschen zu handhaben sind. Weiterhin ist allen H-Silanen bis zu einer Kettenlänge von n = 6 gemein, dass sie pyrophor sind und daher nur unter erheblichen Sicherheitsmaßnahmen in größerer Menge gelagert werden können. Für Gasphasenprozesse vorteilhaft ist jedoch der hohe Dampfdruck kurzkettiger H-Silane, der hohe Konzentrationen der Silane in der Gasphase erlaubt.
  • Daher ist eine sichere Lagerform für kurzkettige H-Silane und ein geeignetes Verfahren zu deren Freisetzung bei Bedarf zur Verfügung zu stellen.
  • Im Stand der Technik ist beispielsweise aus DE 2139155 bekannt, dass Polysilane SinH2n+2 ab einer Kettenlänge von n = 7 an Luft nicht selbstentzündlich sind.
  • Aus der Literatur sind mehrere Verfahren bekannt, kurzkettige H-Silane aus längerkettigen Polysilanen freizusetzen:
  • a) Thermische Zersetzung
  • Polysilane zersetzen sich bei hoher Temperatur zu Silicium und Wasserstoff. Die Thermolyse beginnt jedoch bereits nahe 300°C und führt dann zu Wasserstoff, kurzkettigen Silanen SinH2n+2 sowie Polymerprodukten (SiH<2)x, wie beispielsweise aus R. Schwarz, F. Heinrich, Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 1935 (221) 277 bekannt. Nachteilig an diesem Verfahren ist die geringe Ausbeute an kurzkettigen Silanen aus dem Ausgangsmaterial, da die Thermolyse siliciumhaltige Rückstände erzeugt
  • b) Katalytische Polymerisation
  • Beispielsweise aus R. C. Kennedy, L. P. Freeman, A. P. Fox, M. A. Ring, Journal of inorganic and nuclear chemistry 1966 (28) 1373 ist bekannt, dass Silane mit mindestens einer Bindung Si-Si in Anwesenheit geeigneter Katalysatoren wie Lithiumsalzen schon bei niedrigeren Temperaturen unter Abspaltung von SiH4 zu höheren Polysilanen (SiH2)x polymerisieren. Nachteilig an diesem Verfahren ist, dass während der Polymerisation pro eingesetztem Molekül SinH2n+2 nur ein Molekül SiH4 entsteht und die Ausbeute an kurzkettigem Material für sichere Speichersubstanzen mit n > 6 daher niedrig bleibt. F. Feher, F. Ocklenburg, D. Skrodzki, Zeitschrift für Naturforschung 1980 (35b) 869 berichten, dass höhere Oligosilane mit etwa äquimolaren Mengen AlCl3 beim Erwärmen unter Abspaltung von SiH4 und wenig Di- und Trisilan zu einem gelben Polymer mit einer Zusammensetzung von SiH0,98 reagieren. Auch bei niedrigeren Mengen an AlCl3 in aromatischen Lösungsmitteln und Temperaturen von nicht mehr als 85°C wird eine verlangsamte Polymerisation beobachtet. Obwohl das Polymerisat hier weniger Wasserstoff enthält, wird für Silane mit n > 6 kaum mehr als 50% der eingesetzten Siliciummenge als kurzkettige Silane freigesetzt.
  • c) Reaktion von Polyfluorsilan mit Flusssäure
  • Aus P. L. Timms, R. A. Kent, T. C. Ehlert, J. L. Margrave, Journal of the American Chemical Society 1965 (87) 2824 ist ein Verfahren bekannt, das zur Bildung von Polysilanen aus Polyfluorsilanen (F2Si)x führt. Das Material wird mit Flussäure versetzt und Silane mit einer Kettenlänge n bis zu 6 können isoliert werden, wobei ausschließlich vollständig hydrierte Verbindungen SinH2n+2 entstehen. Nachteilig ist auch hier die geringe Ausbeute an Silanen, da während der Reaktion formal H+ aus der Säure zu Hydrid reduziert wird, während gleichzeitig SiO2 entsteht, beispielsweise: 4/x(F2Si)x + 6H2O → SiH4 + 3SiO2 + 8HF
  • Nachteile des Standes der Technik:
  • Bei keinem der genannten Verfahren wird eine effiziente Herstellung von H-Silanen in brauchbaren Ausbeuten demonstriert. Weiterhin fehlt im Stand der Technik ein Speichermaterial (Lagerform), welches in den benötigten Mengen zur Verfügung gestellt werden kann.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine sichere Lagerform für H-Silane und ein Verfahren zur Gewinnung von diesen zur Verfügung zu stellen.
  • Hydrierte Silane (H-Silane) können als reine Verbindung oder als Gemisch von Verbindungen vorliegen und zeichnen sich dadurch aus, dass sie sich aus dem Speichermaterial durch weitere Umsetzung oder Abbau erhalten lassen, wobei bevorzugt H-Silane SinH2n+2 und/oder SinH2n mit n = 1 – 6 erzeugt werden.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Speichermaterial mit den kennzeichnenden Merkmalen von Patentanspruch 1 und ein Verfahren mit dem kennzeichnenden Merkmal von Patentanspruch 12 gelöst.
  • Das als Speichermaterial eingesetzte hydrierte Polysilan (HPS) oxydiert aufgrund seiner Kettenlänge nur langsam bei Luftkontakt, entzündet sich aber nicht selbst. Das HPS liegt dabei in fester und/oder flüssiger Form vor. Hydrierte Polysilane, die in reiner Form Feststoffe sind, können ganz oder teilweise in flüssigen hydrierten Polysilanen gelöst vorliegen.
  • Weiterhin kann insbesondere festes HPS zur besseren Handhabung und/oder um die Oxidationsempfindlichkeit der festen Polysilanmischungen zu reduzieren, zu Formkörpern, wie beispielsweise Pellets oder Stangen, verarbeitet werden. Die Herstellung von Formkörpern kann mit der Zugabe von Zuschlagsstoffen verbunden sein, um den Zusammenhalt der Formkörper zu fördern und/oder die Oxidationsempfindlichkeit der enthaltenen Polysilane zu reduzieren.
  • Die Herstellung der Formkörper kann bis zu Temperaturen erfolgen, bei denen die bei Raumtemperatur festen Polysilanmischungen ganz oder teilweise aufschmelzen, sich aber noch nicht zersetzen.
  • Die Formkörper können auch nachträglich mit einer Funktionsschicht überzogen werden, die beispielsweise den Abrieb reduziert, den Zusammenhalt der Formkörper verbessert und/oder die Oxidationsempfindlichkeit der Formkörper verringert.
  • Vor weiterer Verwendung des HPS erweist es sich als vorteilhaft, dieses in einem Transportbehälter aufzubewahren, dessen Oberfläche lichtdicht ausgeführt wird und dessen Inneres mit einem Inertgas beaufschlagt wird. Es erweist sich weiter als vorteilhaft diesen Transportbehälter mit einer Abzugsvorrichtung zu versehen, mit der das HPS dosiert abgezogen und der weiteren Verwendung zugeführt werden kann.
  • Mögliche Speichermaterialien zeigen in IR-Molekülschwingungsspektren ihre signifikanten Schwingungsbanden im Bereich unterhalb von 2400 Wellenzahlen, wobei die Messung auf einem FT/IR-420 Spektrometer von der Firma Jasco Corp. als KBr-Pressling erfolgte.
  • Mögliche Speichermaterialien zeigen in Raman-Molekülschwingungsspektren ihre signifikanten Schwingungsbanden im Bereich unterhalb von 2300 Wellenzahlen, wobei die Messung auf einem Spektrometer XY 800 der Firma Dilor mit abstimmbarer Laseranregung (T-Saphirlaser, durch Ar-Ionen-Laser gepumpt) sowie konfokalem Raman- und Lumineszenzmikroskop, mit flüssigem Stickstoff gekühltem CCD-Detektor, Messtemperatur gleich Raumtemperatur, Anregungswellenlängen im sichtbaren Spektralbereich, u. a. 514,53 nm und 750 nm, durchgeführt wurde.
  • Mögliche Speichermaterialien zeigen in 29Si-NMR Spektren chemische Verschiebungen im Bereich von –50 ppm bis –170 ppm, wobei die 29Si-NMR-Spektren an einem 250 MHz-Gerät vom Typ Bruker DPX 250 mit der Pulssequenz zg30 aufgenommen wurden und gegen Tetramethylsilan (TMS) als externen Standard [δ(29Si) = 0.0] referenziert wurden. Die Aquisitionsparameter sind hierbei: TD = 32k, AQ = 1,652 s, D1 = 10 s, NS = 2400, O1P = –40, SW = 400.
  • Ein besonders geeignetes Speichermaterial ist durch die Merkmale von Patentanspruch 2 gekennzeichnet.
  • Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen 3–11 hervor. So ist die mittlere Kettenlänge des hydrierten Polysilans vorzugsweise größer als 6 und kleiner als 100. Das hydrierte Polysilan ist farblos bis hell-gelb und weist zweckmäßigerweise einen Metallgehalt von weniger als 1% auf. Es enthält vorzugsweise nahezu keine kurzkettigen verzweigten Ketten- und Ringverbindungen, und der Gehalt an Verzweigungsstellen des kurzkettigen Anteiles bezogen auf das gesamte Produkt ist vorzugsweise kleiner als 2%.
  • Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform bestehen die Substituenten des hydrierten Polysilans ausschließlich aus Wasserstoff.
  • Das hydrierte Polysilan hat vorzugsweise überwiegend lineare lange Ketten, ist zähviskos bis fest und ist in geeigneten inerten Lösungsmitteln löslich. Es enthält insbesondere weniger als 1 Atoms Halogen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Gewinnung von H-Silanen ist dadurch gekennzeichnet, dass diese aus einem Speichermaterial der vorstehend beschriebenen Art gewonnen werden. Mit diesem Verfahren können H-Silane, insbesondere kurzkettige H-Silane, bei Bedarf aus dem Speichermaterial, das eine sichere Lagerform darstellt, freigesetzt werden.
  • In Weiterbildung der Erfindung wird in einem ersten Schritt das Speichermaterial hergestellt, während in einem zweiten Schritt aus diesem die H-Silane gewonnen werden.
  • Vorzugsweise werden die H-Silane aus dem Speichermaterial nach einem oder mehreren Syntheseschritten erhalten, die in Anspruch 14 wiedergegeben sind. Die einzelnen Varianten sind nachfolgend wiedergegeben:
    Bei einer ersten Variante werden die H-Silane durch Thermolyse von HPS erhalten. Durch Reduktion des Druckes kann diese Variante unterstützt werden, z. B. um H-Silane geringeren Dampfdruckes gewinnen zu können. Weiterhin kann hierdurch der Umsatz des Speichermaterials zu H-Silanen verbessert werden. Bevorzugt wird in einem Druckbereich von 0,1–1013 hPa gearbeitet.
  • Bei einer zweiten Variante wird das HPS durch Ringöffnungspolymerisation von enthaltenen Cyclosilanen (SinH2n), wobei n = 4 bis 10 ist, zu den H-Silanen umgesetzt.
  • Bei einer dritten Variante wird das HPS durch katalytische Kettenverlängerung zu den gewünschten H-Silanen umgesetzt. Hierbei kann es sich z. B. um eine dehydrierende Polykondensation mit Übergangsmetallkatalysatoren handeln.
  • Bei einer vierten Variante wird das HPS mit aktivierten Wasserstoff-Spezies behandelt. Diese lassen sich beispielsweise durch Einwirken eines starken elektromagnetischen Wechselfeldes oder einer elektrischen Entladung auf Wasserstoffgas gewinnen. Als aktivierte Wasserstoff-Spezies werden dabei Wasserstoff-Moleküle in einem angeregten elektronischen Zustand, Wasserstoff-Atome sowie ionisierte Wasserstoffmoleküle oder Wasserstoff-Ionen verstanden.
  • Bei einer fünften Variante wird eine basische Hydrolyse des HPS unter Bedingungen ausgeführt, die zur Freisetzung von Silanen führen, insbesondere durch Anwesenheit von niedrigen Konzentrationen starker Basen, unterstöchiometrischen Basenmengen oder Verwendung schwacher Basen. Geeignete Hydrolysemittel sind Wasser oder Alkohole. Starke Basen sind beispielsweise Alkalimetallhydroxide, schwache Basen sind beispielsweise organische Amine. Eine niedrige Konzentration von starken Basen im Sinne der Erfindung ist eine Konzentration, die in wässriger Lösung einen pH-Wert von 8 bis 13 erzeugt. Eine unterstöchiometrische Basenmenge im Sinne der Erfindung ist eine Basenmenge, die nicht ausreichend ist, um das HPS zu Silikat-Salzen umzusetzen im Sinne der beispielhaften Reaktionsgleichung: 1/x(H2Si)x + 2OH + H2O → 3H2 + SiO3 2
  • Bei einer sechsten Variante werden dem HPS chemische Hydriermittel, wie Metallhydride, zugesetzt, und durch thermische Behandlung wird eine Hydrierung von Si-Si-Bindungen erreicht. Geeignete Metallhydride sind beispielsweise Hydride der Übergangsmetalle oder Aluminiumhydrid. Die Reaktion kann auch in inerten Lösungsmitteln durchgeführt werden. Sie kann durch koordinierende Lösungsmittel wie beispielsweise Dialkylether oder Polyether unterstützt werden.
  • Bei einer siebten Variante wird das HPS mit einem oder mehreren geeigneten Übergangsmetallen versetzt, und durch Beaufschlagen mit Wasserstoff wird die Spaltung des HPS in kurzkettige H-Silane bewirkt. Geeignete Übergangsmetalle sind bevorzugt Pt, Pd, Ni, Ti. Die Umsetzung mit Wasserstoff kann in inerten Lösungsmitteln erfolgen. Ein bevorzugtes Verfahren zum Versetzen des HPS mit Übergangsmetallen ist das mechanische Legieren durch gemeinsames Vermahlen des HPS mit dem zugesetzten Metall. Die Übergangsmetalle können auch in Form von Verbindungen, beispielsweise organischen Komplexen, Halogenidsalzen oder Hydriden, zugesetzt werden. Bevorzug wird beim Beaufschlagen mit Wasserstoff in einem Druckbereich von 1–300 bar gearbeitet.
  • Bei einer achten Variante wird HPS mit einer wässrigen Lösung von HF (Flusssäure), wasserhaltigem HF oder trockenem HF in flüssigem oder gasförmigem Zustand zur Reaktion gebracht. Für die Reaktion mit Flusssäure lässt sich beispielsweise die folgende idealisierte Reaktionsgleichung formulieren: 4/x(H2Si)x + 2H2O → 3SiH4 + SiO2
  • Die Ausbeute an Silanen ist durch die Vermeidung der H+-Reduktion zu Hydrid im Vergleich zur Verwendung von Polyfluorsilan erheblich verbessert. In Abwesenheit von Wasser lässt sich folgende beispielhafte idealisierte Reaktionsgleichung formulieren: 4/x(H2Si)x + 4HF → 3SiH4 + SiF4
  • Die entstehende Mischung von H-Silanen und Fluorsilanen kann durch selektive Absorption von SiF4 aufgereinigt werden. Die Reaktion kann auch in Anwesenheit inerter Lösungsmittel durchgeführt werden. Die entstehenden H-Silane können durch geeignete Trocknungsverfahren z. B. Adsorptionsmethoden von Wasseranteilen befreit werden. Bevorzugt wird in einem Druckbereich von 0,1–1013 hPa gearbeitet.
  • Allgemein werden bei Verfahren zur Freisetzung der H-Silane aus dem Speichermaterial nach einem oder mehreren Syntheseschritten die Reaktorteile, in denen das HPS umgesetzt wird, auf einer Temperatur von –70°C bis 300°C, insbesondere –20°C bis 280°C, gehalten.
  • Bevorzugt erfüllen das Polysilan und/oder die H-Silane die Anforderungen für Anwendungen bei der Herstellung von Halbleitern.
  • Die hier verwendeten Begriffe „kurzkettig” und „kurze Kettenlänge” betreffen diejenigen Verbindungen, bei denen n = 1 bis 6 beträgt.
  • „Nahezu keine” soll bedeuten, dass weniger als 2% im Gemisch enthalten sind. Unter „überwiegend” wird verstanden, dass der betreffende Bestandteil zu mehr als 50% im Gemisch enthalten ist.
  • Unter „inerten Lösungsmitteln” werden Lösungsmittel verstanden, die unter Standardbedingungen nicht spontan mit den hydrierten Polysilanen (im Folgenden auch „Polysilan” genannt) reagieren (wie z. B. SiCl4, Benzol, Toluol, Paraffin etc.).
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 2139155 [0004]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • R. Schwarz, F. Heinrich, Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 1935 (221) 277 [0006]
    • R. C. Kennedy, L. P. Freeman, A. P. Fox, M. A. Ring, Journal of inorganic and nuclear chemistry 1966 (28) 1373 [0007]
    • F. Feher, F. Ocklenburg, D. Skrodzki, Zeitschrift für Naturforschung 1980 (35b) 869 [0007]
    • P. L. Timms, R. A. Kent, T. C. Ehlert, J. L. Margrave, Journal of the American Chemical Society 1965 (87) 2824 [0008]

Claims (23)

  1. Speichermaterial zur Gewinnung von H-Silanen, dadurch gekennzeichnet, dass es als hydriertes Polysilan als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen mit im Mittel mindestens sechs direkten Bindungen Si-Si, deren Substituenten überwiegend aus Wasserstoff bestehen und in deren Zusammensetzung das Atomverhältnis Substituent:Silicium mindestens 1:1 beträgt, vorliegt.
  2. Speichermaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das hydrierte Polysilan a) in IR-Molekülschwingungsspektren seine signifikanten Schwingungsbanden im Bereich unterhalb von 2300 Wellenzahlen aufweist, b) in RAMAN-Molekülschwingungsspektren eine signifikante Schwingungsbande im Bereich von 2000–2200 Wellenzahlen aufweist, c) in 29Si-NMR-Spektren seine signifikanten Produktsignale im chemischen Verschiebungsbereich von –70 ppm bis –130 ppm aufweist.
  3. Speichermaterial nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die mittlere Kettenlänge des hydrierten Polysilans größer als 6 und kleiner als 100 ist.
  4. Speichermaterial nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das hydrierte Polysilan farblos bis hell-gelb ist.
  5. Speichermaterial nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das hydrierte Polysilan einen Metallgehalt von weniger als 1% aufweist.
  6. Speichermaterial nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das hydrierte Polysilan nahezu keine kurzkettigen verzweigten Ketten- und Ringverbindungen enthält, wobei der Gehalt an Verzweigungsstellen des kurzkettigen Anteiles bezogen auf das gesamte Produktgemisch kleiner als 2% ist.
  7. Speichermaterial nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Substituenten des hydrierten Polysilans ausschließlich aus Wasserstoff bestehen.
  8. Speichermaterial nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das hydrierte Polysilan überwiegend lineare lange Ketten enthält.
  9. Speichermaterial nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das hydrierte Polysilan zähviskos bis fest ist.
  10. Speichermaterial nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das hydrierte Polysilan in geeigneten inerten Lösungsmitteln löslich ist.
  11. Speichermaterial nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das hydrierte Polysilan weniger als 1 Atom-% Halogen enthält.
  12. Verfahren zur Gewinnung von H-Silanen, dadurch gekennzeichnet, dass diese aus einem Speichermaterial nach einem der vorangehenden Ansprüche gewonnen werden.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass in einem ersten Schritt das Speichermaterial hergestellt wird und in einem zweiten Schritt aus diesem die H-Silane gewonnen werden.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass die H-Silane aus dem Speichermaterial nach einem oder mehreren der folgenden Syntheseschritte erhalten werden: a) Thermolyse von Polysilanen (HPS), b) Ringöffnungspolymerisation von Cyclosilanen (SinH2n), wobei n = 4, 5, 6 ist, c) katalytische Kettenverlängerung, d) Behandeln des HPS mit aktivierten Wasserstoffspezies, e) basische Hydrolyse des HPS in Anwesenheit niedriger Konzentrationen starker Basen oder unterstöchiometrischer Mengen von Base oder in Anwesenheit schwacher Basen, f) Versetzen des HPS mit chemischen Hydriermitteln und thermische Behandlung, g) Versetzen des HPS mit einem oder mehreren Übergangsmetallen und Beaufschlagen mit Wasserstoff, h) Reaktion von HPS mit Flusssäure oder wasserhaltigem HF oder HF-Gas oder flüssigem HF.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die aktivierten Wasserstoffspezies durch Einwirken von elektromagnetischen Wechselfeldern oder von elektrischen Entladungen auf Wasserstoffgas gewonnen werden.
  16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Freisetzung von H-Silanen in einem inerten Lösungsmittel durchgeführt wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Versetzen des HPS mit einem oder mehreren Übergangsmetallen durch mechanisches Legieren erfolgt.
  18. Verfahren nach Anspruch 14 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass als Übergangsmetall Pt, Pd, Ni und/oder Ti eingesetzt wird.
  19. Verfahren nach Anspruch 14 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere Übergangsmetalle in Form von Verbindungen zugesetzt werden.
  20. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Produkte der Reaktion von HPS mit HF durch Absorption von SiF4 gereinigt werden.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass in einem Druckbereich von 0,1–1013 hPa gearbeitet wird.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass in einem Druckbereich von 1–300 bar gearbeitet wird.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Reaktorteile, in denen das HPS zersetzt wird, auf einer Temperatur von –70°C bis 300°C, insbesondere –20°C bis 280°C, gehalten werden.
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