TWI589527B - 氫化鍺烷之生產方法以及氫化鍺烷 - Google Patents

Description

氫化鍺烷之生產方法以及氫化鍺烷

本發明係關於一種氫化鍺烷之生產方法，尤係關於一種氫化鍺烷之生產方法以及作為純粹化合物或化合物混和的氫化鍺烷。

一般而言，鍺烷的生產方法是以GeH₄作為原材料來進行，但這類生產方式一方面必須使用有害身體健康的物質，另一方面其生產效益較低。尤其是到目前為止，長鏈性化合物仍無法成功製造。

例如，已公開的美國第2007/0078252 A1號申請案即揭露一種鍺烷。

發明的目的在於找出比現行生產方法更具有經濟使用效益的氫化鍺烷之生產方法，避免使用GeH₄作為原材料，以及發現具有較佳特性的氫化鍺烷。這些目的將透過依照申請專利範圍第1項的生產方法以及依照申請專利範圍第9項的氫化鍺烷來實現。從氫化鍺烷製造出來的鍺層、鍺層的生產方式、氫化鍺烷生產方式的其他實現型態以及氫化鍺烷的其他實現型態都是後續請求的討論物件。

在此將介紹作為純粹化合物或化合物混和之氫化鍺烷之生產方式，是以氫化鹵化鍺烷的方式進行。所謂的氫化鍺烷，可以是一個純粹的化合物或化合物混和，每個化 合物在其兩個鍺層之間至少具有一個直接結合。氫化鍺烷可以有含有氫的替代物Z，Z：鍺的比例至少1：1，平均公式GeZ_x，其中x為1≦x≦3，優者為1.5≦x≦3，最佳為2≦x≦3，以及平均鏈長n，其中n為2≦n≦100。

「純粹」化合物的解釋如下，氫化鍺烷表示為鏈長無差異性的化合物，若有差異，則表示在其循環的分化、數量和方式上。換句話說，氫化鍺烷的餾出物只出現在一個純粹化合物裡。這裡所謂的「純粹」是以普遍性微觀化學標準來解釋的，這種純粹化合物也可能含有極少的瑕疵，如碳或鹵素，或極少量的不同氫化鍺烷的餾出物。極少量指的是低於0.5mol-%或低於10ppm。

此外，「化合物混和」的解釋如下，氫化鍺烷至少顯示兩種餾出物，其鏈長、週期的分化、方式和數量都呈現差異性。

因此，純粹化合物的所有分子或化合物混和的至少兩個餾出物的所有分子，兩個鍺層之間至少會有一個直接結合，如此一來，就能形成生產氫化鍺烷的方法，此方式對於長鏈性鍺烷的產出，其生產效益相對於慣用的生產方式提高許多。透過自鹵化鍺烷來生產氫化鍺烷的方式，可以讓在鹵化鍺烷就已經存在的結構在很大程度上保留在氫化鍺烷，或與之相符。

「在很大程度上」在此表示至少50%。然而，氫化的過程中，鹵化鍺烷內存在的結構也可能發生轉化效應，進 而可能造成氫化鍺烷比原材料鹵化鍺烷內更多的分支。然而透過這種方式生產的氫化鍺烷，也可能因此依據其不同的鹵化鍺烷而有所不同。

依照這個方法，可以生產純粹化合物或充分氫化鍺烷化合物混和，其都具有以下公式：x≧2的Ge_xH_y、x≦y≦2x+2。透過將一般公式x≧2、X=F、Cl、Br、I，x≦y≦2x+2的Ge_xX_y鹵化鍺烷進行氫化來達到生產。

透過這種方式可以生產氫化鍺烷，也可也生產氫化寡晶者，氫化寡晶者的鏈長為n，其中2≦n≦8，其總公式為Ge_nZ_2n=2或混和Ge_nZ_2n的平均總公式，其中Z為替代物以及含氫。氫化鍺烷的鏈長n>8，總公式為Ge_nZ_2n=2或混和Ge_nZ_2n的平均總公式。原則上，鏈長2≦n≦6者為短鏈型，n>6者為長鏈型。所謂的「鏈長」即為彼此直接連結的鍺原子數量。

鹵化鍺烷可以是以熱生產的，也可以是等離子化學生產的鹵化鍺烷。相較於等離子化學生產出來的鹵化鍺烷，熱生產出來的鹵化鍺烷分支較高，而等離子化學方式生產的鹵化鍺烷有大部分是沒有分支的。鹵化鍺烷可以是純粹化合物或化合物混和。

鹵化鍺烷等離子化學生產方式是在已公開的美國第US 2010/0155219號申請案中有揭露，這裡所言部分也就是引用該文獻資料。

鹵化鍺烷，尤其是高鹵化鍺烷可以有來自於F、Cl、Br和I以及所有混和類群的替代物質。這些鹵素可以在氫 化過程中很大程度地透過H被取代。「很大程度地」在此表示至少達50%，在此過程中被生產出來的氫化鍺烷的鹵素含量，可能低於2原子-%，或更低到小於1原子-%，因此一個氫化鍺烷可能只具有氫或氫和一個鹵素，如氯，作為替代物質Z。

化合物或化合物混和氯含量，即氯化鍺烷以及以此方式生產之氫化鍺烷的氯含量，在此份登記範圍中是透過試樣完整分解以及根據後述莫爾氯化物滴定法進行調查的。H含量的調查則是利用內部標準和與眾知混和比例相較所得之積分，透過氫核磁共振光譜(¹H-NMR Spektren)來進行。鹵化和氫化鍺烷的摩爾質量，或鹵化和氫化鍺烷混和的平均摩爾質量是透過降低冰點的方式來測出。從上述參數中來決定鹵素或氫：鍺的比例。

鹵化鍺烷可以用進行氫化作用媒介物質來轉化，這些氫化作用媒介物質為氫化金屬以及/或氫化類金屬。氫化金屬以及/或氫化類金屬也可以是混和性的氫化金屬或氫化類金屬，亦即還有不同金屬或類金屬或一種金屬和一種有機殘留物的氫化物。氫化作用物質可以是來自包含MH、MBH₄、MBH₄-_xR_x、MAlH₄、AlH_xR3-_x以及所有適當比例混和的類群，例如LiAlH4、DibAlH(鄰苯二甲酸二異丁酯=Dib)、LiH以及HCl。最好是溫和的氫化作用物質，可讓鹵化鍺烷在氫化作用過程中不致造成晶鍺晶格的改變。

氫化作用依照實施型態的不同，可能會在-60℃到200℃溫度間進行，或更佳者在-30℃到40℃之間，特別是在 -10℃到25℃進行。此外，進行氫化作用的壓力會選擇1Pa到2000hPa，或更佳者在1hPa到1500hPa之間，特別是在20hPa到1200hPa之間進行。然而最經濟的氫化作用條件是和現行技術狀態相較之下較低的溫度和壓力，因為如此一來，即便是穩定性低的鹵化鍺烷也能以高產出效益和高轉化率達到氫化作用。

鹵化鍺烷在氫化作用之前可以先在溶劑內進行稀釋，溶劑的選擇標準是，相對於鹵化鍺烷，選擇的溶劑必須是較為惰性的，才不會和鹵化鍺烷產生化學反應。惰性溶劑可以是烷烴或芳香物質，如苯、甲苯或己烷，溶劑混和也是可行的，未經溶劑稀釋的鹵化鹵化鍺烷也是可以進行氫化作用的。

利用這個方式生產出來的氫化鍺烷達到較佳的生產效益，鏈長達到最理想，也比較不會產生危險的預備階段。此外，透過適當地選擇預備階段，可以預先確定氫化鍺烷的結構。且利用這個方式，還能使鹵化鍺烷達到充分氫化。

接下來說明作為純粹化合物或化合物混和的氫化鍺烷，氫化鍺烷含有氫的替代物Z，Z：鍺的比例至少1：1，平均公式GeZ_x，其中x為1≦x≦3，優者為1.5≦x≦3，最佳為2≦x≦3，以及平均鏈長n，其n為2≦n≦100。氫化鍺烷可以是一個純粹的化合物或化合物混和，其每兩個鍺原子之間至少會有一個直接結合。

而所謂「純粹化合物」和「化合物混和」，則和上述生產方式方法時已提及的類似，此外，「純粹」是以普遍性 微觀化學標準來解釋的，亦即純粹的化合物也可能含有極少的瑕疵，如碳或鹵素，極少量指的是低於0.5mol-%或低於10ppm。

所謂的「鏈長」即為彼此直接連結的鍺原子數量。氫化鍺烷的鏈長可以是4≦n≦50，甚至6≦n≦20。

因此，平均公式GeZ_x表示，氫化鍺烷的鍺原子平均具有1至3個替代物質Z，這裡的鍺原子是在線性鍺烷(Polygermanen)、組和或分枝化的鍺烷內的鍺原子，這類的氫化鍺烷由於其化學特性適合多方面的運用。

氫化鍺烷可以依照必要實施方式的方法來進行生產，如此一來透過氫化作用生產出鹵化鍺烷，透過這個生產方法，氫化鍺烷的結構可以從鹵化鍺烷的結構推論出來，或與鹵化鍺烷的結構達到一致。

例如，透過等離子化學生產的鹵化鍺烷的氫化作用廣泛地得出線性氫化鍺烷或透過熱生產的鹵化鍺烷的氫化作用得出具高分支的氫化鍺烷。然而氫化作用仍可充分進行，因此產生含百分之百氫作為替代物質Z。

氫化鍺烷可以依照某一種實施型態，含有超過三個以上直接連結的鍺原子的鍺烷分子成分，其中鍺原子至少有8%或高於11%為分支點。含三個以上直接連結的鍺原子部分可能是純粹化合物，如果是化合物混和則可能是氫化鍺烷的餾出物。無論是哪一種，這類的氫化鍺烷分子的鏈長皆>3。所謂「分支點」指的是和兩個以上其他鍺原子連結的鍺原子而言，也就是指含一個或沒有替代物質Z的鍺 原子。分支點可以藉由氫核磁共振光譜(¹H-NMR Spektren)來取得。

為化合物混和的氫化鍺烷，以混和的型態會比混和中任單一化合物具有較高可溶性，如此看來，混和物的單一成分相較於單一成分與其他混和物的其他成分相結合，其可溶性較低。但先決條件是，混和物的不同成分必須互為彼此的增溶劑。原則上，短鏈分子的可溶性高於長鏈分子，因此在化合物混和中，短鏈分子可提高長鏈分子的可溶性。

根據不同的其他實施型態，氫化鍺烷可能含有部分與三個以上直接連結的鍺原子的鍺烷分子，這些鍺烷分子的平均公式為GeZ_x，2.2≦x≦2.5，甚至於2.25≦x≦2.4。

此外，氫化鍺烷也可能含有額外包含鹵素的替代物質Z，因此，此氫化鍺烷除了含有氫，還含有鹵素，如F、Br、I或Cl或這些物質的混和作為替代物質。氫化鍺烷內含的鹵素成分可能小於2原子%，甚至於小於1原子%。因此，只含有少量鹵素替代物質的氫化鍺烷比較普遍被使用。

此外，氫化鍺烷具有氫成分，其成分大於50原子%，或60原子%，甚至66原子%。在高氫含量的同時產生替代物質：鍺之間至少1：1的比例，因此氫化鍺烷含有極高的氫成分。

氫化鍺烷可能在氫核磁共振光譜中在化學移置範圍6.5和2.0ppm之間，或甚至4.0和2.1ppm之間出現獨特性的產品訊號。在這裡所謂的「獨特性」意旨，積分大於總積分的百分之1。此外，氫核磁共振光譜中氫化鍺烷 可能在3.6至2.9ppm之間的化學移置範圍，其獨特性產品訊號的總積分中，至少具有含百分之八十的訊號強度。

另外，在拉曼光譜中，氫化鍺烷會在2250到2000波數之間以及330波數以下時出現獨特性的產品頻帶。在拉曼光譜概念下，「獨特性」意旨大於百分之10的最高峰強度。

根據不同的實施型態，氫化鍺烷有可能呈現無色、淡黃色或象牙白。形狀可能是無定形或呈結晶狀固體，比較不具黏性。

此外，氫化鍺烷在至少10%到20%濃度的惰性溶劑中是具有可溶性的，這代表，氫化鍺烷化合物混和中至少有一個化合物在惰性溶劑中是具有易溶性的。這裡所謂的惰性溶劑意指不會和氫化鍺烷產生反應的溶劑。諸如含有苯、甲苯、環己烷、SiCl₄以及GeCl₄的溶劑。

上述具有易溶特性的化合物混和之氫化鍺烷在少許的壓力下，可能有高達20%或甚至80%以上會在未分解的情況消失或被蒸餾。這裡所謂的少許壓力為1至100pa。因此，氫化鍺烷可以被離析出來。

根據上述的實施型態，會有一個鍺層自氫化鍺烷產出。

以技術標準來看，對於鍺層的製造，氫化鍺烷是支配性非常好的來源化合物。透過500度或甚至450度以下的低熱解溫度，氫化鍺烷就是前導物質，利用此前導物質，鍺層在低溫下會被分離而沉積在基座上。低熱解溫度可使 得作為鍺層附著載體或基座的物質的選擇性增加，例如，載體物質為玻璃等。此外，還可減緩或避免來自載體的不潔物質擴散至逐漸形成的鍺層。

在此說明鍺層在基座上產出的過程，包括步驟A)將固狀或溶解的氫化鍺烷依據上述實施型態置於基座上，以及步驟B)將氫化鍺烷進行熱解。這個過程以高產出效益和高轉化率，使鍺層自氫化鍺烷產出。

相較於其他慣用的鍺層前導物質，氫化鍺烷可以以較高產出效益和轉化率加工成鍺層。在進行此過程時，可以簡單地將溶解的或固態的氫化鍺烷置於基座上，因此，無須進行CVD沉積法(化學氣相沉積法)、PVD沉積法(物理氣相沉積法)或等離子沉積法，可稱之鍺層生產的簡化方式。

氫化鍺烷在鍺化學領域還有其他的運用可能性，例如，具傳導特性聚合物、發光二極管或其他組件的生產等。

以下說明氫化鍺烷生產的實施方式。

透過GeCl₄和H₂等離子反應生產出來的聚氯鍺烷(PCG)呈現為黏稠性的油狀或呈黃色或橙棕色的固體。8.5g的PCG(相當於60mmol GeCl₂)會被40mL苯滲入，進而部分溶解。在0度C時，在三十分鐘內滴入26ml二異丁基氫化鋁(145mmol，約20%超量)。橙棕色的沉積物會在約一小時的時間裡變成淡黃色的粉末。反應後的混和物要攪拌16小時，並同時置於室溫使溫度回升。將固體過濾掉，之後並用己烷清洗兩次，每次使用25ml。真空乾燥後可離 析出2.1g的氫化鍺烷。

此發明不受限於此實施型態實例的描述，反倒還包含了新特性以及特性的組合，尤其是包含在專利請求項內的特性組合，雖然該特性或組合本身並未在專利請求項或實施型態實例中詳盡說明。

Claims (24)

1. 一種作為純粹化合物或化合物混合之氫化鍺烷之生產方法，是透過將鹵化鍺烷進行氫化作用的方式，其中，該鹵化鍺烷為熱生產的鹵化鍺烷以及等離子化學生產的鹵化鍺烷；其中，該鹵化鍺烷係Ge_xX_y，x≧2，X=F、Cl、Br、I，及x≦y≦2x+2。
2. 如申請專利範圍第1項所述之生產方法，其中，該鹵化鍺烷具有高分化。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之生產方法，其中，該鹵化鍺烷透過氫化作用媒介物質進行轉化，這些氫化作用媒介物質為氫化金屬以及/或氫化類金屬。
4. 如申請專利範圍第1或2項所述之生產方法，其中，該氫化作用媒介物質選自於含有LiAlH₄、DibAlH(鄰苯二甲酸二異丁酯=Dib)、LiH以及HCl和這些物質混合的類群。
5. 如申請專利範圍第1或2項所述之生產方法，其中，該氫化作用是在溫度-60度到200度之間進行的。
6. 如申請專利範圍第1或2項所述之生產方法，其中，該氫化作用是在壓力1Pa至2000hPa之間進行的。
7. 如申請專利範圍第1或2項所述之生產方法，其中，進行該氫化作用之前，該鹵化鍺烷需先在溶劑中進行稀釋。
8. 如申請專利範圍第1或2項所述之生產方法，其中，該 化合物混合之氫化鍺烷是在1至100pa的壓力下進行稀釋，有高達20%以上會在未分解的情況被離析出來。
9. 一種作為純粹化合物或化合物混合的氫化鍺烷，其包含：含有氫的替代物質Z，其中，Z為氫和視情況的鹵素；Z：鍺層的比例：至少1：1；平均公式GeZ_x，其中x為1≦x≦3；平均n個彼此直接鍵接的Ge原子，其中n為4≦n≦50；以及超過三個以上直接連結的鍺原子的鍺烷分子成分，其中鍺原子至少有8%為分支點。
10. 如申請專利範圍第9項所述之氫化鍺烷，係根據如申請專利範圍第1至8項中任一項所述的方法所生產的。
11. 如申請專利範圍第9或10項所述之氫化鍺烷，其中，該氫化鍺烷化合物的化學式為Ge_nZ_2n+2，其中，n大於8。
12. 一種化合物混合物，係將申請專利範圍第9或10項所述之氫化鍺烷混合成為化合物混合者，該化合物混合物相較於混合物中任何單一化合物具有較高可溶性。
13. 如申請專利範圍第9或10項所述之氫化鍺烷，含有超過三個以上直接連結的鍺原子的鍺烷分子成分，這些鍺烷分子的平均公式為GeZ_x，2.2≦x≦2.5。
14. 如申請專利範圍第9或10項所述之氫化鍺烷，其中，Z 額外含有鹵素。
15. 如申請專利範圍第14項所述之氫化鍺烷，其中，鹵素的含量小於2Atom-%。
16. 如申請專利範圍第15項所述之氫化鍺烷，其中，氫的含量大於50Atom-%。
17. 如申請專利範圍第16項所述之氫化鍺烷，在氫核磁共振光譜中，在化學移置範圍6.5和2.0ppm之間出現積分大於總積分的百分之一的產品訊號。
18. 如申請專利範圍第17項所述之氫化鍺烷，在氫核磁共振光譜中，在3.6至2.9ppm之間的化學移置範圍，其積分大於總積分的百分之一的產品訊號的總積分中，至少具有含百分之八十的訊號強度。
19. 如申請專利範圍第18項所述之氫化鍺烷，在拉曼光譜中，在2250到2000波數之間以及330波數以下時出現大於百分之10的最高峰強度的產品頻帶。
20. 如申請專利範圍第19項所述之氫化鍺烷，呈現無色、淡黃色或象牙白。
21. 如申請專利範圍第20項所述之氫化鍺烷，為無定形或呈結晶狀固體。
22. 如申請專利範圍第21項所述之氫化鍺烷，在至少10%到20%濃度的惰性溶劑中是具有可溶性的，該惰性溶劑係選自含有苯、甲苯、環己烷、SiCl₄以及GeCl₄的群組。
23. 如申請專利範圍第22項所述之氫化鍺烷，在少許的壓力下，有高達20%以上會在未分解的情況消失或被蒸 餾。
24. 一種在基座上產出鍺層的方法，包括步驟：A)將如申請專利範圍第9至11及13至22項中任一項所述的氫化鍺烷置於基座上；以及B)將氫化鍺烷進行熱解。