EP2507171A1 - Verfahren zur herstellung von hydriertem polygermasilan und hydriertes polygermasilan - Google Patents
Verfahren zur herstellung von hydriertem polygermasilan und hydriertes polygermasilanInfo
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- EP2507171A1 EP2507171A1 EP10788316A EP10788316A EP2507171A1 EP 2507171 A1 EP2507171 A1 EP 2507171A1 EP 10788316 A EP10788316 A EP 10788316A EP 10788316 A EP10788316 A EP 10788316A EP 2507171 A1 EP2507171 A1 EP 2507171A1
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- polygermasilane
- hydrogenated
- halogenated
- silicon
- germanium
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G17/00—Compounds of germanium
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G79/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen, and carbon with or without the latter elements in the main chain of the macromolecule
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/582—Recycling of unreacted starting or intermediate materials
Definitions
- Polygermasilans are the subject of further claims.
- a pure compound or a mixture of compounds are understood, each having at least one direct bond between two germanium atoms and / or between two silicon atoms and / or between a
- the hydrogenated polygermasilane may have substituents Z, which are hydrogen
- a ratio Z: (germanium / silicon) which is at least 1: 1, an average formula Si a GekZ z , where a + b 1 and z is selected from 1 -S z ⁇ 3, preferably 1.5 - S z ⁇ 3, more preferably 2 ⁇ z ⁇ 3, and have an average chain length n with 2 ⁇ n ⁇ 100.
- the hydrogenated polygermasilane has compounds which have no differences in their chain length, if any, their branches and / or the number and type of their cycles. In other words, there is only one fraction of hydrogenated polygermasilane in a pure compound.
- "pure" is to be understood according to customary fine-chemical standards, meaning that pure compounds can also contain small amounts of impurities, for example traces of
- hydrogenated polygermasilane is prepared from halogenated polygermasilane, further, the structure present in the halogenated polygermasilane in the hydrogenated
- Polygermasilan largely remain or be consistent with it.
- At least 50% means at least 50%
- the halogenated polygermasilane were present.
- the hydrogenated polygermasilanes produced by the process may vary depending on which halogenated polygermasilane they are produced, remain distinguishable.
- the process can be used to prepare pure compounds or mixtures of compounds of fully hydrogenated polygermasilanes which have the general formula Ge x SiyH z with x + y> 2, x + y ⁇ z ⁇ 2 (x + y) + 2.
- chain lengths of 2 ⁇ n ⁇ 6 are called short-chain and chain lengths of n> 6 are long-chain.
- Chain Length the number is immediately adjacent to each other
- the halogenated polygermasilane can be selected from thermally produced halogenated polygermasilane and plasma-chemically produced halogenated polygermasilane.
- Thermally produced halogenated polygermasilane may have a higher level of branching than
- halogenated polygermasilane which can be substantially free of branching.
- the halogenated polygermasilanes may be pure compounds or mixtures of compounds.
- a process for the preparation of plasma-chemically produced halogenated polygermasilane is disclosed, for example, in the document WO 2010/031390. To this
- Polygermasilanes may have substituents that
- Polygermasilane produced by this process may be less than 2 at.%, In particular less than 1 at.%.
- the chlorine content of a compound or a mixture ie both chlorinated polygermasilane and a hydrogenated polygermasilane prepared therefrom, is determined in the context of this application by complete digestion of the sample and subsequent titration of the chlorides according to Mohr.
- the determination of the H-content is carried out by integration of X H-NMR spectra using an internal standard and comparison of the integrals obtained in known
- the halogenated polygermasilane can be used with hydridic
- Hydrogenating agents are reacted, which are selected from metal hydrides and / or metalloid hydrides.
- the hydrogenation may, according to one embodiment, be carried out at a temperature which is in one range
- the temperature range may be -30 ° C to 40 ° C, especially -10 ° C to 25 ° C.
- the hydrogenation may be carried out at a pressure selected from a range including 1 Pa to 2000 hPa, preferably 1 hPa to 1500 hPa, more preferably 20 hPa to 1200 hPa. This gentle hydrogenation conditions are set at lower compared to the prior art temperatures and pressures. This also allows the less stable halogenated
- Polygermasilane be hydrogenated with good yield and high turnover.
- the halogenated polygermasilane may be diluted in a solvent prior to hydrogenation.
- the solvent is selected so that it is inert to the halogenated polygermasilane, so no chemical reaction with he is received.
- Suitable inert solvents are alkanes or aromatics, for example benzene, toluene or hexane. Also, mixtures of solvents are conceivable.
- the hydrogenation can also be carried out with undissolved
- Hydrogenated polygermasilane can thus be obtained in good yield, of any chain length and with little
- the structure of the hydrogenated polygermasilane can be largely predetermined. Furthermore, a substantially complete hydrogenation of the halogenated polygermasilane can be achieved with this method.
- the hydrogenated polygermasilane has substituents Z, the
- hydrogenated polygermasilane may be understood, for example, a pure compound or a mixture of compounds each having at least one direct bond between two germanium atoms and / or between two silicon atoms and / or between a germanium atom and a silicon atom.
- Impurities for example, traces of carbon or halogens. Small proportions are less than 0.5 mol%, preferably less than 10 ppm.
- Chain length is the number of directly bonded germanium atoms and / or silicon atoms
- the chain length of the hydrogenated polygermasilane may in particular be selected from 4 ⁇ n ⁇ 50,
- the averaged formula Ge a SikZ z is to be understood to mean that a germanium atom or a silicon atom in the
- Substituents Z has.
- the germanium atoms and silicon atoms in linear polygermasilanes and in cycles or branched polygermasilanes are taken into account.
- Such hydrogenated polygermasilane is suitable for a variety of applications because of its chemical properties.
- the hydrogenated polygermasilane may be prepared according to a method as described above. Thus, it is produced by hydrogenation of halogenated polygermasilanes. By the manufacturing process, so the structure of the
- Substituents Z in the polygermasilane comprise substantially hydrogen.
- substantially is again meant a proportion of hydrogen on the substituents of at least 50%, but the hydrogenation can also be complete so that a 100% hydrogen content is present as substituent Z.
- the hydrogenated polygermasilane may have at least 0.0001 mol% of direct bonds between one
- the hydrogenated polygermasilane may comprise a proportion of polygermasilane molecules having more than three directly connected germanium atoms and / or silicon atoms, at least 8%, in particular more than 11%, of these germanium atoms and silicon atoms being branching sites.
- Silicon atoms may be a pure compound, or represent a fraction of the hydrogenated polygermasilane in the case of a mixture of compounds. In any case, such polygermasilane molecules have a chain length of n> 3. Branching points are meant those germanium atoms and silicon atoms containing more than two others
- Germanium atoms and / or silicon atoms are connected, so have only one or no substituent Z.
- Branching points can be determined, for example, by means of H-NMR spectra.
- the hydrogenated polygermasilane which is a mixture of
- Compounds in the form of the mixture may have a higher solubility than at least one individual
- At least one individual component of the mixture has a lower solubility than the individual component in conjunction with the other components of the mixture of compounds. This is due to the fact that the different components of the mixture mutually act as a solubilizer.
- shorter chain molecules are more soluble than longer, so they also improve the solubility of the longer chain molecules in a mixture of compounds.
- z may be selected from 2.0 ⁇ z ⁇ 2.4.
- Hydrogen also halogens, for example F, Br, I or Cl or mixtures thereof as substituents.
- the proportion of halogen in the hydrogenated polygermasilane may be less than 2 atom%, in particular less than 1 atom% S ⁇ .
- a largely hydrogenated polygermasilane that only a small proportion of halogen substituents provided.
- the hydrogenated polygermasilane may have a proportion of hydrogen which is greater than 50 atomic%, preferably greater than 60 atomic%, in particular greater than 66 atomic%.
- the hydrogenated polygermasilane has a very high proportion of hydrogen, whereby the ratio of substituent: silicon / germanium of at least 1: 1 is prepared at a high concurrent hydrogen content.
- the hydrogenated polygermasilane can in ⁇ H NMR spectra
- Displacement range between 6.1 and 2.0 ppm, in particular between 5 and 2.1 ppm. "Significant” in this context means that an integral is greater than 1% of the total integral
- Signal intensity of the total integral of its significant product signals in the chemical shift range between 5.0 and 2.9 ppm, especially between 4.0 and 3.0,
- the hydrogenated polygermasilane can be used in 29 Si NMR spectra significant product signals in the chemical
- the hydrogenated polygerman in Raman spectra can have significant product bands in the range of 2250 to 2000
- Wavelengths and below 550 wave numbers have.
- the hydrogenated polygermasilane may be colorless to yellow or ivory white. It can be considered
- amorphous or crystalline solid Preferably, it is not viscous.
- Solvents at concentrations of up to 10% be at least 20% soluble. This means that at least one
- inert solvents solvents which do not react with the hydrogenated polygermasilane.
- solvents selected from the group consisting of benzene, toluene,
- mixture of compounds may under reduced pressure to more than 20%, preferably more than 80%,
- Reduced pressure comprises preferably 1 to 100 Pa.
- the hydrogenated polygermasilane is easily isolable.
- silicon germanium layer made from a hydrogenated polygermasilane as described above.
- the hydrogenated polygermasilane is therefore a readily available on a technical scale starting compound for the production of Siliziumgermanium Anlagenen.
- Pyrolysis temperature of less than 500 ° C, preferably less than 450 ° C is the hydrogenated polygermasilane
- Substrates can be deposited.
- carrier layers of glass For example, carrier layers of glass.
- a diffusion of impurities from the carrier material in the resulting silicon germanium layer is reduced or
- Such silicon germanium layers can be used for example in photovoltaics or in the electronics industry. Furthermore, applications in organometallic chemistry are conceivable, for example for the production of
- Silicon germanium layer on a substrate comprising the process steps A) application of a solid or dissolved hydrogenated polygermasilane according to the above statements on a substrate and B) pyrolysis of the
- Polygermasilanen produced silicon germanium layers.
- the hydrogenated polygermasilanes can with higher yield and higher conversion rate than conventional mixtures of
- Silicon germanium layers are processed. It can easily dissolved or solid hydrogenated
- Polygermasilane be applied to the substrate.
- CVD Chemical Vapor Deposition
- PVD Physical Vapor Deposition
- plasma deposition is thus not necessary. This provides a simplified process for producing silicon germanium layers.
- PCGS polychlorinatedermasilane
- Diisobutylaluminum hydride (145 mmol, about 20% excess) was added dropwise. The orange sediment reacts in the course of about 1 h to a light yellow powder. The reaction mixture is stirred for 16 h and while it is at room temperature
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Abstract
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von hydriertem Polygermasilan als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen, bei dem halogeniertes Polygermasilan hydriert wird, angegeben. Weiterhin werden ein hydriertes Polygermasilan sowie eine aus dem hydrierten Polygermasilan hergestellte Germaniumschicht und ein Verfahren zu ihrer Herstellung angegeben.
Description
Beschreibung
Verfahren zur Herstellung von hydriertem Polygermasilan und hydriertes Polygermasilan
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von hydriertem
Polygermasilan sowie hydriertes Polygermasilan als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen angegeben.
Bekannte Verfahren zur Herstellung von Polygermasilan werden mittels GeH4 und kurzkettigen Silanen als Ausgangsstoffe durchgeführt, womit zum einen mit gesundheitsgefährdenden und schwer zu handhabenden Substanzen umgegangen werden muss, nur bestimmte Polygermasilane zugänglich sind, meist mehrstufige Synthesen erforderlich sind und dabei häufig nur geringe Ausbeuten, insbesondere an langkettigen Polygermasilanen erhalten werden. Insbesondere längerkettige Verbindungen können bislang nicht gezielt hergestellt werden.
Polygermasilane werden beispielsweise in der
Veröffentlichungsschrift US 2007/0078252 AI genannt.
Aufgabe einer Ausführungsform der Erfindung ist die
Bereitstellung eines vereinfachten Verfahrens zur Herstellung von hydriertem Polygermasilan, das eine verbesserte Ausbeute gegenüber bekannten Verfahren aufweist, sowie die
Bereitstellung von hydriertem Polygermasilan mit verbesserten Eigenschaften. Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 sowie durch ein hydriertes Polygermasilan gemäß Anspruch 8 gelöst. Eine Siliciumgermaniumschicht , die aus dem hydrierten Polygermasilan hergestellt ist, ein
Verfahren zur Herstellung der Siliciumgermaniumschicht sowie weitere Ausführungsformen des Verfahrens zur Herstellung von
hydriertem Polygermasilan sowie des hydrierten
Polygermasilans sind Gegenstand weiterer Ansprüche.
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von hydriertem
Polygermasilan als reine Verbindung oder Gemisch von
Verbindungen angegeben, wobei halogeniertes Polygermasilan hydriert wird. Unter hydriertem Polygermasilan kann
beispielsweise eine reine Verbindung oder ein Gemisch von Verbindungen verstanden werden, die jeweils mindestens eine direkte Bindung zwischen zwei Germaniumatomen und/oder zwischen zwei Siliciumatomen und/oder zwischen einem
Germaniumatom und einem Siliciumatom aufweisen. Das hydrierte Polygermasilan kann Substituenten Z, die Wasserstoff
umfassen, ein Verhältnis Z : (Germanium/Silicium) , das mindestens 1:1 beträgt, eine gemittelte Formel SiaGekZz, wobei a + b = 1 und z ausgewählt ist aus 1 -S z < 3, bevorzugt 1,5 -S z < 3, besonders bevorzugt 2 < z < 3, und eine mittlere Kettenlänge n mit 2 < n < 100 aufweisen.
Im Folgenden wird der Begriff "reine Verbindung" so
verstanden, dass das hydrierte Polygermasilan Verbindungen aufweist, die keine Unterschiede in ihrer Kettenlänge, wenn vorhanden ihrer Verzweigungen und/oder Anzahl und Art ihrer Zyklen aufweist. Mit anderen Worten liegt nur eine Fraktion von hydriertem Polygermasilan in einer reinen Verbindung vor. Dabei ist „rein" gemäß üblichen feinchemikalischen Maßstäben zu verstehen. Somit können auch reine Verbindungen geringe Anteile an Verunreinigungen, beispielsweise Spuren von
Kohlenstoff oder Halogenen, oder geringe Anteile an
Fraktionen von unterschiedlichen hydrierten Polygermasilanen enthalten. Geringe Anteile sind dabei weniger als 0,5 mol-%, vorzugsweise weniger als 10 ppm.
Analog dazu wird "Gemisch von Verbindungen" im Folgenden so verstanden, dass das hydrierte Polygermasilan mindestens zwei Fraktionen aufweist, deren hydrierte Polygermasilane sich in ihrer Kettenlänge, wenn vorhanden in ihren Verzweigungen und/oder ihrer Art und Anzahl von Zyklen unterscheiden.
Demnach können entweder alle Moleküle der reinen Verbindung oder alle Moleküle der mindestens zwei Fraktionen des
Gemisches von Verbindungen jeweils mindestens eine direkte Bindung zwischen zwei Germaniumatomen und/oder zwischen zwei Siliciumatomen und/oder zwischen einem Germaniumatom und einem Siliciumatom aufweisen.
Damit wird ein Verfahren zur Herstellung von hydriertem
Polygermasilan bereitgestellt, mit dem insbesondere für längerkettige Polygermasilane die Ausbeuten gegenüber
bekannten Herstellungsverfahren erhöht sind und beliebige Kettenlängen zugänglich gemacht werden. Dadurch, dass
hydriertes Polygermasilan aus halogeniertem Polygermasilan hergestellt wird, kann weiterhin die in dem halogenierten Polygermasilan vorhandene Struktur in dem hydrierten
Polygermasilan weitgehend erhalten bleiben oder mit ihr übereinstimmend sein.
„Weitgehend" heißt in diesem Fall zu mindestens 50%. Während der Hydrierung können jedoch auch Umlagerungen der
vorhandenen Struktur des halogenierten Polygermasilans stattfinden, die beispielsweise mehr Verzweigungen in dem hydrierten Polygermasilan verursachen, als in dem
Ausgangsstoff, dem halogenierten Polygermasilan, vorhanden waren. Jedoch können die durch das Verfahren hergestellten hydrierten Polygermasilane je nachdem, aus welchem
halogenierten Polygermasilan sie hergestellt sind, unterscheidbar bleiben.
Es können mit dem Verfahren reine Verbindungen oder Gemische von Verbindungen von vollständig hydrierten Polygermasilanen hergestellt werden, die die allgemeine Formel GexSiyHz mit x+y > 2, x+y < z < 2 (x+y) + 2 aufweisen. Die Herstellung erfolgt durch Hydrierung von halogenierten Polygermasilanen der allgemeinen Formel GexSiyXz mit x+y ^ 2, X = F, Cl, Br, I oder Mischungen daraus, x+y z < 2 (x+y) + 2.
Es können hydrierte Polygermasilane sowie hydrierte
Oligogermasilane mit diesem Verfahren hergestellt werden. Hydrierte Oligogermasilane weisen eine Kettenlänge n = x + y auf, die aus dem Bereich 2 < n < 8 ausgewählt ist. Ihre
Summenformel ist GexSiyZz mit x+y ^ 2, x+y < z < 2 (x+y) + 2. Hydrierte Polygermasilane weisen Kettenlänge n = x + y von n > 8 und eine Summenformel des Gemisches GexSiyZz auf.
Prinzipiell werden Kettenlängen von 2 < n < 6 als kurzkettig und Kettelängen von n > 6 als langkettig bezeichnet. Unter „Kettenlänge" ist die Anzahl unmittelbar aneinander
gebundener Germaniumatome und/oder Siliciumatome zu
verstehen .
Das halogenierte Polygermasilan kann ausgewählt sein aus thermisch hergestelltem halogenierten Polygermasilan und plasmachemisch hergestelltem halogenierten Polygermasilan. Thermisch hergestelltes halogeniertes Polygermasilan kann einen höheren Anteil an Verzweigungen aufweisen als
plasmachemisch hergestelltes halogeniertes Polygermasilan, welches weitgehend frei von Verzweigungen sein kann. Die halogenierten Polygermasilane können reine Verbindungen oder Gemische von Verbindungen sein.
Ein Verfahren zur Herstellung von plasmachemisch hergestelltem halogenierten Polygermasilan ist beispielsweise in der Druckschrift WO 2010/031390 offenbart. Auf diese
Druckschrift wird hiermit Bezug genommen.
Die halogenierten, insbesondere hochhalogenierten
Polygermasilane können Substituenten aufweisen, die
ausgewählt sind aus einer Gruppe, die F, Cl, Br und I und Mischungen daraus umfasst. Diese Halogene können während der Hydrierung weitgehend vollständig durch H als Substituent ersetzt werden. Weitgehend vollständig bedeutet hier
mindestens zu 50%. Der Halogengehalt des hydrierten
Polygermasilans , das mittels dieses Verfahrens hergestellt wird, kann kleiner als 2 Atom-%, insbesondere kleiner als 1 Atom-% sein. Somit kann ein hydriertes Polygermasilan
ausschließlich Wasserstoff oder Wasserstoff und ein Halogen, beispielsweise Chlor, als Substituenten Z aufweisen.
Der Chlorgehalt einer Verbindung oder eines Gemisches, also sowohl chlorierten Polygermasilans als auch eines daraus hergestellten hydrierten Polygermasilans, wird im Rahmen dieser Anmeldung ermittelt durch kompletten Aufschluss der Probe und nachfolgende Titration des Chlorides nach Mohr. Die Ermittlung des H-Gehaltes erfolgt durch Integration von XH- NMR Spektren unter Verwendung eines internen Standards und Vergleich der erhaltenen Integrale bei bekanntem
Mischungsverhältnis. Die Molmassen der erfindungsgemäßen halognierten und hydrierten Polygermasilane bzw. die mittlere Molmasse der halogenierten und hydrierten
Polygermasilangemische werden mittels
Gefrierpunktserniedrigung ermittelt. Aus den genannten
Kenngrößen lässt sich das Halogen bzw. Wasserstoff :
( Silicium/Germanium) Verhältnis bestimmen.
Das halogenierte Polygermasilan kann mit hydridischen
Hydrierungsmitteln umgesetzt werden, die ausgewählt sind aus Metallhydriden und/oder Metalloidhydriden. Unter
Metallhydriden und/oder Metalloidhydriden werden auch
gemischte Metall- beziehungsweise Metalloidhydride
verstanden, also Hydride, die verschiedene Metalle
beziehungsweise Metalloide oder ein Metall und einen
organischen Rest aufweisen. Die Hydrierungsmittel können aus einer Gruppe ausgewählt sein, die MH, MBH4, MBH4_XRX, MAIH4, A1HXR3_X und geeignete Mischungen daraus umfasst. Beispiele dafür sind L1AIH4, DibAlH (Diisobutyl = Dib) , LiH und HCl umfasst. Bevorzugt sind milde Hydrierungsmittel, die eine Hydrierung von halogeniertem Polygerman ohne Veränderung des German-Silicium-Gerüstes ermöglichen .
Die Hydrierung kann gemäß einer Ausführungsform bei einer Temperatur durchgeführt werden, die aus einem Bereich
ausgewählt ist, der -60°C bis 200°C umfasst. Vorzugsweise kann der Temperaturbereich -30°C bis 40°C, insbesondere -10°C bis 25°C betragen. Weiterhin kann die Hydrierung bei einem Druck durchgeführt werden, der aus einem Bereich ausgewählt ist, der 1 Pa bis 2000 hPa, bevorzugt 1 hPa bis 1500 hPa, besonders bevorzugt 20 hPa bis 1200 hPa umfasst. Damit werden schonende Hydrierungsbedingungen bei im Vergleich zum Stand der Technik niedrigeren Temperaturen und Drücken angesetzt. Damit können auch die wenig stabilen halogenierten
Polygermasilane mit guter Ausbeute und hoher Umsatzrate hydriert werden.
Das halogenierte Polygermasilan kann vor der Hydrierung in einem Lösungsmittel verdünnt werden. Das Lösungsmittel wird dabei so ausgewählt, dass es gegenüber dem halogenierten Polygermasilan inert ist, also keine chemische Reaktion mit
ihm eingeht. Als inerte Lösungsmittel können Alkane oder Aromaten, beispielsweise Benzol, Toluol oder Hexan gewählt werden. Auch Mischungen von Lösungsmitteln sind denkbar.
Alternativ kann die Hydrierung auch mit ungelöstem
halogenierten Polygermasilan durchgeführt werden.
Mit diesem Verfahren kann also hydriertes Polygermasilan in guter Ausbeute, beliebiger Kettenlänge und mit wenig
gefährlichen Vorstufen hergestellt werden. Zudem kann durch geeignete Auswahl der Vorstufen die Struktur des hydrierten Polygermasilans weitgehend vorgegeben werden. Weiterhin kann eine weitgehend vollständige Hydrierung des halogenierten Polygermasilans mit diesem Verfahren erreicht werden.
Es wird weiterhin ein hydriertes Polygermasilan als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen angegeben. Das hydrierte Polygermasilan weist Substituenten Z, die
Wasserstoff umfassen, ein Verhältnis Z :
(Germanium/Silicium) , das mindestens 1:1 beträgt, eine gemittelte Formel SiaGekZz, wobei a + b = 1 und z ausgewählt ist aus 1 -S z < 3, bevorzugt 1,5 -S z < 3, besonders bevorzugt 2 < z < 3, und eine mittlere Kettenlänge n mit 2 < n < 100 auf. Unter hydriertem Polygermasilan kann beispielsweise eine reine Verbindung oder ein Gemisch von Verbindungen verstanden werden, die jeweils mindestens eine direkte Bindung zwischen zwei Germaniumatomen und/oder zwischen zwei Siliciumatomen und/oder zwischen einem Germaniumatom und einem Siliciumatom aufweisen .
Für die Begriffe „reine Verbindung" und „Gemisch von
Verbindungen" gilt das bereits im Zusammenhang mit dem
Verfahren Genannte analog. Es gilt wiederum, dass „rein" unter üblichen feinchemikalischen Maßstäben verstanden wird.
Somit können auch reine Verbindungen geringe Anteile an
Verunreinigungen, beispielsweise Spuren von Kohlenstoff oder Halogenen enthalten. Geringe Anteile sind dabei weniger als 0,5 mol-%, vorzugsweise weniger als 10 ppm.
Unter „Kettenlänge" ist die Anzahl unmittelbar aneinander gebundenen Germaniumatome und/oder Siliciumatome zu
verstehen. Die Kettenlänge des hydrierten Polygermasilans kann insbesondere ausgewählt sein aus 4 < n < 50,
insbesondere aus 6 -S n < 20.
Demnach ist die gemittelte Formel GeaSikZz so zu verstehen, dass ein Germaniumatom oder ein Siliciumatom in dem
hydrierten Polygermasilan im Durchschnitt 1 bis 3
Substituenten Z aufweist. Dabei sind die Germaniumatome und Siliciumatome in linearen Polygermasilanen sowie in Zyklen oder verzweigten Polygermasilanen berücksichtigt. Ein
derartiges hydriertes Polygermasilan ist aufgrund seiner chemischen Eigenschaften für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet .
Das hydrierte Polygermasilan kann gemäß einem Verfahren nach den obigen Ausführungen hergestellt sein. Damit ist es durch Hydrierung halogenierter Polygermasilane hergestellt. Durch das Herstellungsverfahren kann also die Struktur des
hydrierten Polygermasilans von der Struktur des halogenierten Polygermasilans ableitbar oder mit dieser übereinstimmend sein .
Beispielsweise können weitgehend lineare hydrierte
Polygermasilane durch Hydrierung von plasmachemisch
hergestellten halogenierten Polygermasilanen oder einen hohen Anteil Verzweigungen aufweisende hydrierte Polygermasilane
durch Hydrierung von thermisch hergestellten halogenierten Polygermasilanen erhalten werden. Die Hydrierung kann
weitgehend vollständig durchgeführt werden, sodass die
Substituenten Z in dem Polygermasilan weitgehend Wasserstoff umfassen. Unter „weitgehend" wird hier wiederum ein Anteil von Wasserstoff an den Substituenten von mindestens 50% verstanden. Die Hydrierung kann jedoch auch vollständig verlaufen, so dass ein 100%iger Anteil an Wasserstoff als Substituent Z vorliegt.
Gemäß einer Ausführungsform kann das hydrierte Polygermasilan mindestens 0,0001 mol% direkte Bindungen zwischen einem
Germaniumatom und einem Siliciumatom aufweisen. Damit liegt nicht nur ein Gemisch aus Polygermanen und Polysilanen vor, sondern Verbindungen in reiner Form und in Form eines
Gemisches, die sowohl Germanium als auch Silicium in ihren Ketten aufweisen.
Das hydrierte Polygermasilan kann gemäß einer Ausführungsform einen Anteil von Polygermasilanmolekülen mit mehr als drei direkt verbundenen Germaniumatomen und/oder Siliciumatomen aufweisen, wobei mindestens 8%, insbesondere mehr als 11%, dieser Germaniumatome und Siliciumatome Verzweigungsstellen sind. Der Anteil von Polygermasilanmolekülen mit mehr als drei direkt verbundenen Germaniumatomen und/oder
Siliciumatomen kann dabei eine reine Verbindung sein, oder eine Fraktion des hydrierten Polygermasilans im Falle eines Gemisches von Verbindungen darstellen. In jedem Fall weisen solche Polygermasilanmoleküle eine Kettenlänge von n > 3 auf. Unter Verzweigungsstellen sind solche Germaniumatome und Siliciumatome gemeint, die mit mehr als zwei weiteren
Germaniumatomen und/oder Siliciumatomen verbunden sind, also nur einen oder gar keinen Substituenten Z aufweisen.
Verzweigungsstellen können beispielsweise mittels H-NMR- Spektren ermittelt werden.
Das hydrierte Polygermasilan, das ein Gemisch von
Verbindungen ist, kann in Form des Gemisches eine höhere Löslichkeit aufweisen als mindestens eine einzelne
Verbindung, die in dem Gemisch enthalten ist. Somit weist mindestens eine Einzelkomponente des Gemisches eine geringere Löslichkeit auf als die Einzelkomponente in Verbindung mit den weiteren Komponenten des Gemisches von Verbindungen. Dies ist dadurch bedingt, dass die verschiedenen Komponenten des Gemisches gegenseitig als Lösungsvermittler wirken.
Prinzipiell sind kürzerkettige Moleküle besser löslich als längere, so dass sie in einem Gemisch von Verbindungen auch die Löslichkeit der längerkettigen Moleküle verbessern.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das hydrierte
Polygermasilan einen Anteil von Polygermasilanmolekülen mit mehr als drei direkt verbundenen Germaniumatomen und/oder Siliciumatomen aufweisen, wobei diese Polygermasilanmoleküle eine gemittelte Formel SiaGe Zz mit a+b=l und 1,9 ^ z < 2,5 aufweisen. Insbesondere kann z ausgewählt sein aus 2,0 < z < 2,4.
Weiterhin kann das hydrierte Polygermasilan einen
Substituenten Z aufweisen, der zusätzlich ein Halogen
umfasst. Somit kann das hydrierte Polygermasilan neben
Wasserstoff auch Halogene, beispielsweise F, Br, I oder Cl oder Mischungen daraus als Substituenten aufweisen. Dabei kann der Anteil an Halogen in dem hydrierten Polygermasilan kleiner als 2 Atom-%, insbesondere kleiner als 1 Atom- % SθϊΠ . Somit wird ein weitgehend hydriertes Polygermasilan, das nur
einen geringen Anteil an Halogensubstituenten aufweist, bereitgestellt .
Weiterhin kann das hydrierte Polygermasilan einen Anteil an Wasserstoff aufweisen, der größer als 50 Atom-%, vorzugsweise größer als 60 Atom-%, insbesondere größer als 66 Atom-% ist. Damit weist das hydrierte Polygermasilan einen sehr hohen Anteil an Wasserstoff auf, womit das Verhältnis Substituent : Silicium/Germanium von mindestens 1:1 bei einem gleichzeitig hohen Wasserstoffgehalt hergestellt ist.
Das hydrierte Polygermasilan kann in ^H-NMR-Spektren
signifikante Produktsignale im chemischen
Verschiebungsbereich zwischen 6,1 und 2,0 ppm, insbesondere zwischen 5 und 2,1 ppm aufweisen. „Signifikant" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass ein Integral größer als 1% des Gesamtintegrals ist. Weiterhin kann das hydrierte
Polygermasilan in 1H-NMR-Spektren mindestens 80% der
Signalintensität des Gesamtintegrals seiner signifikanten Produktsignale im chemischen Verschiebungsbereich zwischen 5,0 und 2,9 ppm, insbesondere zwischen 4,0 und 3,0,
aufweisen .
Das hydrierte Polygermasilan kann in 29Si-NMR-Spektren signifikante Produktsignale im chemischen
Verschiebungsbereich zwischen -80 und -130 ppm aufweisen.
Weiterhin kann das hydrierte Polygerman in Ramanspektren signifikante Produktbanden im Bereich von 2250 bis 2000
Wellenzahlen und bei unter 550 Wellenzahlen aufweisen.
„Signifikant" bedeutet im Zusammenhang mit Ramanspektren mehr als 10% der Intensität des höchsten Peaks .
Gemäß einer Ausführungsform kann das hydrierte Polygermasilan farblos bis gelb oder elfenbeinweiß sein. Es kann als
amorpher oder kristalliner Feststoff vorliegen. Vorzugsweise ist es nicht zähviskos.
Weiterhin kann das hydrierte Polygermasilan in inerten
Lösungsmitteln bei Konzentrationen von bis zu 10% zumindest zu 20% löslich sein. Das bedeutet, dass mindestens eine
Verbindung eines Gemisches von Verbindungen des hydrierten Polygermasilans in inerten Lösungsmitteln leicht löslich ist. Unter inerten Lösungsmitteln werden Lösungsmittel verstanden, die nicht mit dem hydrierten Polygermasilan reagieren.
Beispielsweise können Lösungsmittel ausgewählt werden, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Benzol, Toluol,
Cyclohexan, SiCl4 und GeCl4 umfasst.
Das leicht lösliche hydrierte Polygermasilan der oben
genannten Mischung von Verbindungen kann unter vermindertem Druck zu mehr als 20%, vorzugsweise zu mehr als 80%,
unzersetzt flüchtig und/oder destillierbar sein. Der
verminderte Druck umfasst dabei bevorzugt 1 bis 100 Pa. Damit ist das hydrierte Polygermasilan gut isolierbar.
Es wird weiterhin eine Siliciumgermaniumschicht angegeben, die aus einem hydrierten Polygermasilan gemäß den obigen Ausführungen hergestellt ist.
Das hydrierte Polygermasilan ist also eine im technischen Maßstab gut verfügbare Ausgangsverbindung für die Herstellung von Siliciumgermaniumschichten . Durch die niedrige
Pyrolysetemperatur von weniger als 500°C, vorzugsweise weniger als 450°C ist das hydrierte Polygermasilan ein
Single-Source-Prekursor, mit dem bei niedriger Temperatur
Siliciumgermaniumlegierungen in Form von Schichten auf
Substraten abgeschieden werden können. Die niedrige
Pyrolysetemperatur ermöglicht eine größere Auswahl an
Materialien für die Trägerschichten bzw. Substraten, auf denen Siliciumgermaniumschichten aufgebracht werden,
beispielsweise Trägerschichten aus Glas. Zudem wird eine Diffusion von Verunreinigungen aus dem Trägermaterial in die entstehende Siliciumgermaniumschicht vermindert oder
vermieden .
Derartige Siliciumgermaniumschichten können beispielsweise in der Photovoltaik oder in der Elektronikindustrie eingesetzt werden. Weiterhin sind Anwendungen in der metallorganischen Chemie denkbar, beispielsweise zur Herstellung von
leitfähigen Polymeren oder Leuchtdioden.
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer
Siliciumgermaniumschicht auf einem Substrat angegeben, umfassend die Verfahrensschritte A) Aufbringen eines festen oder gelösten hydrierten Polygermasilans nach den obigen Ausführungen auf einem Substrat und B) Pyrolyse des
hydrierten Polygermasilans. Dieses Verfahren führt mit hohen Ausbeuten und hohen Umsatzraten zu aus hydrierten
Polygermasilanen hergestellten Siliciumgermaniumschichten. Die hydrierten Polygermasilane können mit höherer Ausbeute und höherer Umsatzrate als herkömmliche Mischungen von
Silicium- und Germanium-Prekursoren zu
Siliciumgermaniumschichten verarbeitet werden. Dabei können auf einfache Weise gelöste oder auch feste hydrierte
Polygermasilane auf dem Substrat aufgebracht werden. Eine CVD- (chemische Gasphasenabscheidung) , PVD- (physikaliksche Gasphasenabscheidung) oder Plasmaabscheidung ist somit nicht
nötig. Damit wird ein vereinfachtes Verfahren zur Herstellung von Siliciumgermaniumschichten bereitgestellt.
Im Folgenden wird ein Ausführungsbeispiel zur Herstellung eines hydrierten Polygermasilans angegeben.
Ein durch Plasmareaktion von GeCl4 mit SiCl4 und H2 erzeugtes Polychlorgermasilan (PCGS) liegt als zähes viskoses Öl oder als Feststoff von jeweils gelber bis orangebrauner Farbe vor. 8,5 g (60 mmol GeCl2-Äquivalente) des PCGS werden mit 40 mL abs . Benzol versetzt und lösen sich dadurch teilweise. Bei 0°C werden im Laufe von 30 min 26 ml
Diisobutylaluminiumhydrid (145 mmol, ca. 20% Überschuss) zugetropft. Der orange Bodensatz reagiert im Laufe von etwa 1 h zu einem hellgelben Pulver ab. Die Reaktionsmischung wird 16 h nachgerührt und währenddessen auf Raumtemperatur
erwärmt. Der Feststoff wird abfiltriert und zwei Mal mit je 25 ml abs. Hexan nachgewaschen. Nach Trocknen im Vakuum werden 2,1 g hydriertes Polygermasilan isoliert.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Claims
1. Verfahren zur Herstellung von hydriertem Polygermasilan als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen, wobei halogeniertes Polygermasilan hydriert wird.
2. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das halogenierte Polygermasilan ausgewählt ist aus thermisch hergestelltem halogenierten Polygermasilan und plasmachemisch hergestelltem halogenierten Polygermasilan.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das halogenierte Polygermasilan mit hydridischen
Hydrierungsmitteln umgesetzt wird, die ausgewählt sind aus Metallhydriden und/oder Metalloidhydriden.
4. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Hydrierungsmittel aus einer Gruppe ausgewählt sind, die MH, MBH4, MBH4_XRX, MAIH4, A1HXR3_X und Mischungen daraus
umfasst .
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Hydrierung bei einer Temperatur durchgeführt wird, die aus einem Bereich ausgewählt ist, der -60°C bis 200°C
umfasst .
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Hydrierung bei einem Druck durchgeführt wird, der aus einem Bereich ausgewählt ist, der 1 Pa bis 2000 hPa umfasst.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das halogenierte Polygermasilan vor der Hydrierung in einem Lösungsmittel verdünnt wird.
8. Hydriertes Polygermasilan als reine Verbindung oder
Gemisch von Verbindungen, aufweisend - Substituenten Z, die Wasserstoff umfassen,
- ein Verhältnis Z : (Germanium/Silicium) , das mindestens 1:1 beträgt ,
- eine gemittelte Formel SiaGebZz, wobei a + b = 1 und z ausgewählt ist aus 1 ^ z < 3,
- und eine mittlere Kettenlänge n mit 2 < n < 100.
9. Hydriertes Polygermasilan nach dem vorhergehenden
Anspruch, das gemäß einem Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 7 hergestellt ist.
10. Hydriertes Polygermasilan nach einem der Ansprüche 8 oder 9, das mindestens 0,0001 mol% direkte Bindungen zwischen einem Germaniumatom und einem Siliciumatom aufweist.
11. Hydriertes Polygermasilan nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 10, aufweisend einen Anteil von
Polygermasilanmolekülen mit mehr als drei direkt verbundenen Germaniumatomen und/oder Siliciumatomen, wobei mindestens 8% dieser Germaniumatome und/oder Siliciumatome
Verzweigungsstellen sind.
12. Hydriertes Polygermasilan nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 11, das ein Gemisch von Verbindungen ist, wobei das Gemisch eine höhere Löslichkeit aufweist als mindestens eine einzelne Verbindung, die in dem Gemisch enthalten ist.
13. Hydriertes Polygermasilan nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 12, aufweisend einen Anteil von
Polygermasilanmolekülen mit mehr als drei direkt verbundenen Germaniumatomen und/oder Siliciumatomen, wobei diese
Polygermasilanmoleküle eine gemittelte Formel SiaGe Zz mit a+b=l und 1,9 ^ z < 2,5 aufweisen.
14. Hydriertes Polygermasilan nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 13, wobei Z zusätzlich Halogen umfasst.
15. Hydriertes Polygermasilan nach dem vorhergehenden
Anspruch, wobei der Anteil an Halogen kleiner als 2 Atom-% ist .
16. Hydriertes Polygermasilan einem der vorhergehenden
Ansprüche 8 bis 15, wobei der Anteil an Wasserstoff größer als 50 Atom-% ist.
17. Hydriertes Polygermasilan nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 16, das in 1H-NMR-Spektren signifikante
Produktsignale im chemischen Verschiebungsbereich zwischen 6,1 und 2,0 ppm aufweist.
18. Hydriertes Polygermasilan nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 17, das in 1H-NMR-Spektren mindestens 80% der Signalintensität des Gesamtintegrals seiner signifikanten Produktsignale im chemischen Verschiebungsbereich zwischen 5,0 und 2,9 ppm aufweist.
19. Hydriertes Polygermasilan nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 18, das in 29Si-NMR-Spektren signifikante Produktsignale im chemischen Verschiebungsbereich zwischen -80 und -130 ppm aufweist.
20. Hydriertes Polygerman nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 19, das in Ramanspektren signifikante
Produktbanden im Bereich von 2250 bis 2000 Wellenzahlen und bei unter 550 Wellenzahlen aufweist.
21. Hydriertes Polygermasilan nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 20, das farblos bis gelb oder elfenbeinweiß ist .
22. Hydriertes Polygermasilan nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 21, das als amorpher oder kristalliner
Feststoff vorliegt.
23. Hydriertes Polygermasilan nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 22, wobei es in inerten Lösungsmitteln bei Konzentrationen bis zu 10% zumindest zu 20% löslich ist.
24. Hydriertes Polygermasilan nach dem vorhergehenden
Anspruch, wobei das leicht lösliche hydrierte Polygermasilan unter vermindertem Druck zu mehr als 20% unzersetzt flüchtig und/oder destillierbar ist.
25. Siliciumgermaniumschicht , die aus einem hydrierten
Polygermasilan gemäß den Ansprüchen 8 bis 24 hergestellt ist.
26. Verfahren zur Herstellung einer Siliciumgermaniumschicht auf einem Substrat, umfassend die Verfahrensschritte
A) Aufbringen eines festen oder gelösten hydrierten
Polygermasilans gemäß den Ansprüchen 8 bis 24 auf einem
Substrat und
B) Pyrolyse des hydrierten Polygermasilans.
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KR101250172B1 (ko) * | 2012-08-20 | 2013-04-05 | 오씨아이머티리얼즈 주식회사 | 고수율로 모노 게르만 가스를 제조하는 방법 |
DE102012224202A1 (de) * | 2012-12-21 | 2014-07-10 | Evonik Industries Ag | Verfahren zum Hydrieren höherer Halogen-haltiger Silanverbindungen |
DE102013207444A1 (de) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Polychlorsilanen |
DE102013207447A1 (de) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Octachlortrisilan |
US9174853B2 (en) | 2013-12-06 | 2015-11-03 | Gelest Technologies, Inc. | Method for producing high purity germane by a continuous or semi-continuous process |
DE102014007766A1 (de) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | Psc Polysilane Chemicals Gmbh | Verfahren zur plasmachemischen Herstellung halogenierter Oligosilane aus Tetrachlorsilan |
DE102014007685B4 (de) | 2014-05-21 | 2022-04-07 | Sven Holl | Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan |
DE102014007767A1 (de) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | Psc Polysilane Chemicals Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung halogenierter Oligosilane aus Silicium und Tetrachlorsilan |
DE102014007768A1 (de) | 2014-05-21 | 2015-11-26 | Psc Polysilane Chemicals Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Mischungen chlorierter Silane mit erhöhten Anteilen von Si4Cl10 und/oder Si5Cl12 |
DE102015009129B4 (de) * | 2014-07-22 | 2016-12-15 | Norbert Auner | Verfahren zur Spaltung von Silicium-Silicium-Bindungen und/oder von Silicium-Chlor-Bindungen in Mono-, Poly- und/oder Oligosilanen |
DE102014013250B4 (de) * | 2014-09-08 | 2021-11-25 | Christian Bauch | Verfahren zur Aufreinigung halogenierter Oligosilane |
WO2016095953A1 (de) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur herstellung von chlorierten oligosilanen |
DE102016014900A1 (de) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | Psc Polysilane Chemicals Gmbh | Verfahren zur Erhöhung der Reinheit von Oligosilanen und Oligosilanverbindungen |
DE102016225872A1 (de) * | 2016-12-21 | 2018-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Trennung von Gemischen höherer Silane |
EP3596117A4 (de) | 2017-03-17 | 2021-01-13 | The Johns Hopkins University | Gezielte epigenetische therapie gegen das distale regulatorische element der tgfb2-expression |
BR112020022309A2 (pt) * | 2018-05-02 | 2021-02-23 | Hysilabs, Sas | compostos carreadores de hidrogênio |
JP7125062B2 (ja) * | 2019-01-25 | 2022-08-24 | 株式会社東芝 | 判定方法及び処理方法 |
Family Cites Families (109)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE108077C (de) | ||||
DE1049835B (de) | 1959-02-05 | Kali-Chemie Aktiengesellschaft, Hannover | Verfahren zur Herstellung von Siliciumhydriden | |
DE340912C (de) | 1916-04-15 | 1921-09-21 | Frank Robert Mc Berty | Einrichtung fuer Fernsprechanlagen |
GB778383A (en) * | 1953-10-02 | 1957-07-03 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to the production of material for semi-conductors |
GB793718A (en) | 1955-08-16 | 1958-04-23 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to methods of producing silicon of high purity |
GB832333A (en) | 1956-09-28 | 1960-04-06 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in methods of producing silane of high purity |
DE1034159B (de) | 1956-11-03 | 1958-07-17 | Kali Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Siliciumhydriden |
DE1061302B (de) | 1956-12-12 | 1959-07-16 | Kali Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Wasserstoffverbindungen der Elemente der IV. und V. Gruppe des Periodischen Systems |
DE1055511B (de) | 1956-12-15 | 1959-04-23 | Kali Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Wasserstoffverbindungen der Elemente der IV. Hauptgruppe des Periodischen Systems mit den Ordnungszahlen 14 bis 50 |
GB823496A (en) | 1957-12-27 | 1959-11-11 | Metal Hydrides Inc | Improvements in method of preparing high purity silicon |
GB851962A (en) | 1958-06-09 | 1960-10-19 | Allied Chem | Production of pure silane |
DE1098931B (de) | 1958-07-03 | 1961-02-09 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Reinigung von geschmolzenem Silicium |
US3050366A (en) | 1959-07-15 | 1962-08-21 | Du Pont | Production of silane by the use of a zinc catalyst |
DE1096341B (de) | 1959-10-15 | 1961-01-05 | Kali Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Monosilan |
DE1187614B (de) | 1963-07-02 | 1965-02-25 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von vorzugsweise organisch substituierten Wasserstoffverbindungen der Elemente Bor und Silicium |
FR1429930A (fr) | 1964-04-17 | 1966-02-25 | Thomson Houston Comp Francaise | Perfectionnements aux méthodes de préparation des hydrures |
DE1568255A1 (de) | 1965-03-03 | 1970-03-19 | Ceskoslovenska Akademie Ved | Verfahren zur Reduktion von Halosiliciumverbindungen |
US3401183A (en) | 1965-12-23 | 1968-09-10 | Gen Electric | Method for preparing organo germanium, tin and silicon hydrides |
US3704261A (en) | 1971-10-18 | 1972-11-28 | Gen Electric | Preparation of silicon hydrides |
BE794871A (fr) | 1972-02-02 | 1973-08-01 | Rhone Poulenc Sa | Nouvelles sulfones isopreniques |
US3926833A (en) | 1973-03-21 | 1975-12-16 | Lithium Corp | Preparation of mixed chlorohydrides of aluminum |
FR2430917A1 (fr) | 1978-07-11 | 1980-02-08 | Comp Generale Electricite | Procede et dispositif d'elaboration de silicium polycristallin |
US4200621A (en) | 1978-07-18 | 1980-04-29 | Motorola, Inc. | Sequential purification and crystal growth |
US4295986A (en) | 1979-05-14 | 1981-10-20 | Gordon Roy G | Low temperature catalytic reduction |
US4309259A (en) | 1980-05-09 | 1982-01-05 | Motorola, Inc. | High pressure plasma hydrogenation of silicon tetrachloride |
US4312849A (en) | 1980-09-09 | 1982-01-26 | Aluminum Company Of America | Phosphorous removal in silicon purification |
DE3034957C2 (de) | 1980-09-17 | 1983-01-13 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren und Vorrichtung zum Innenbeschichten von Kontaktrohren |
US4374111A (en) | 1980-11-21 | 1983-02-15 | Allied Corporation | Production of silane |
EP0054650B1 (de) * | 1980-12-24 | 1986-01-29 | Hüls Troisdorf Aktiengesellschaft | Verfahren zum Reinigen von Chlorsilanen |
US4374110A (en) | 1981-06-15 | 1983-02-15 | Motorola, Inc. | Purification of silicon source materials |
JPS58156522A (ja) | 1982-03-11 | 1983-09-17 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ジシランの製造方法 |
JPS59500416A (ja) * | 1982-03-18 | 1984-03-15 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | ハロゲン化けい素の精製法 |
US4755370A (en) | 1982-03-18 | 1988-07-05 | General Electric Company | Purification of silicon halides |
US4407783A (en) | 1982-08-16 | 1983-10-04 | Allied Corporation | Producing silane from silicon tetrafluoride |
FR2532293A1 (fr) | 1982-08-31 | 1984-03-02 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede continu de preparation de silane |
US4529707A (en) | 1982-09-21 | 1985-07-16 | General Electric Company | Detection of boron impurities in chlorosilanes |
FR2533906A1 (fr) | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede et dispositif pour la preparation de silane pur par reaction de chlorosilanes avec l'hydrure de lithium |
CA1225230A (en) | 1982-12-13 | 1987-08-11 | Everett M. Marlett | Process for the production of silane |
US4632816A (en) * | 1982-12-13 | 1986-12-30 | Ethyl Corporation | Process for production of silane |
DE3247362A1 (de) | 1982-12-22 | 1984-06-28 | Studiengesellschaft Kohle mbH, 4330 Mülheim | Verfahren zur herstellung von silicium-wasserstoff-verbindungen, insbesondere des silans |
DE3342496A1 (de) | 1983-11-24 | 1985-06-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum reinigen von mg-silicium |
JPS60176915A (ja) | 1984-02-21 | 1985-09-11 | Central Glass Co Ltd | ジシランの製造法 |
JPS60221301A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-06 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 水素化ゲルマニウムの製造方法 |
FR2576902B1 (fr) | 1985-02-04 | 1987-02-13 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de fabrication d'hydrogeno-silanes |
US4778692A (en) * | 1985-02-20 | 1988-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
JPS61191512A (ja) | 1985-02-20 | 1986-08-26 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ジシランの製造方法 |
JPS61191022A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPH0688773B2 (ja) | 1985-03-08 | 1994-11-09 | 三井東圧化学株式会社 | ヘキサクロロジシランの製造方法 |
EP0316472A1 (de) | 1987-11-17 | 1989-05-24 | Ethyl Corporation | Herstellung von Silan aus Magnesiumhydrid |
US4725419A (en) | 1985-05-17 | 1988-02-16 | Ethyl Corporation | Silane production from magnesium hydride |
JPS6217004A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-26 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ゲルマン類の製造方法 |
US4824657A (en) | 1985-11-27 | 1989-04-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for reducing silicon, germanium and tin halides |
US4777023A (en) | 1986-02-18 | 1988-10-11 | Solarex Corporation | Preparation of silicon and germanium hydrides containing two different group 4A atoms |
US4792460A (en) * | 1986-07-15 | 1988-12-20 | Electric Power Research Institute, Inc. | Method for production of polysilanes and polygermanes, and deposition of hydrogenated amorphous silicon, alloys thereof, or hydrogenated amorphous germanium |
DE3635064A1 (de) | 1986-10-15 | 1988-04-21 | Bayer Ag | Verfahren zur raffination von silicium und derart gereinigtes silicium |
US4762808A (en) | 1987-06-22 | 1988-08-09 | Dow Corning Corporation | Method of forming semiconducting amorphous silicon films from the thermal decomposition of fluorohydridodisilanes |
US4847061A (en) | 1987-07-20 | 1989-07-11 | Ethyl Corporation | Process for preparation of silane |
JP2536027B2 (ja) | 1988-03-16 | 1996-09-18 | 東亞合成株式会社 | ジシランの製造方法 |
US4855120A (en) | 1988-10-24 | 1989-08-08 | Ethyl Corporation | Production of silane and useful coproducts |
DE3926595A1 (de) | 1989-08-11 | 1991-02-14 | Degussa | Verfahren zur hydrierung halogensubstituierter verbindungen |
JPH03205055A (ja) | 1990-01-04 | 1991-09-06 | Hara Herusu Kogyo Kk | 浴槽の気泡発生装置 |
US5061470A (en) | 1990-08-03 | 1991-10-29 | Ethyl Corporation | Silane production from hydridomagnesium chloride |
JPH04130010A (ja) | 1990-09-20 | 1992-05-01 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ジシランの製造方法 |
JP2965094B2 (ja) * | 1991-06-28 | 1999-10-18 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法 |
DE4239246C1 (de) * | 1992-11-21 | 1993-12-16 | Goldschmidt Ag Th | Verfahren zur Herstellung von SiH-Gruppen aufweisenden Organopolysiloxanen |
DE4306106A1 (de) | 1993-02-27 | 1994-09-01 | Thomas Dipl Chem Lobreyer | Verfahren zur Herstellung von Silylgermanen |
DE4313130C1 (de) | 1993-04-22 | 1994-05-26 | Goldschmidt Ag Th | Verfahren zur Herstellung von Silanen bzw. Organosiliciumhydriden durch Reduktion der entsprechenden Siliciumhalogenide bzw. Organosiliciumhalogenide |
JPH08231949A (ja) * | 1995-02-22 | 1996-09-10 | Osaka Gas Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US5866471A (en) * | 1995-12-26 | 1999-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming semiconductor thin film and method of fabricating solar cell |
JPH09237927A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-09-09 | Toshiba Corp | 半導体薄膜形成方法および太陽電池の製造方法 |
DE19812587C1 (de) | 1998-03-23 | 1999-09-23 | Wolfgang Sundermeyer | Verfahren zur Hydrierung halogensubstituierter Siliziumverbindungen |
JP2002246384A (ja) | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Jsr Corp | シリコン酸化膜の形成方法および形成用組成物 |
FR2827592B1 (fr) | 2001-07-23 | 2003-08-22 | Invensil | Silicium metallurgique de haute purete et procede d'elaboration |
KR100434698B1 (ko) * | 2001-09-05 | 2004-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 선택적 에피성장법 |
TWI231750B (en) | 2002-07-17 | 2005-05-01 | Delta Tooling Co Ltd | Seat structure |
WO2004114368A2 (en) | 2003-06-13 | 2004-12-29 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University | METHOD FOR PREPARING GE1-x-ySnxEy (E=P, As, Sb) SEMICONDUCTORS AND RELATED Si-Ge-Sn-E AND Si-Ge-E ANALOGS |
US7879696B2 (en) * | 2003-07-08 | 2011-02-01 | Kovio, Inc. | Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom |
DE10337309A1 (de) | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Goldschmidt Ag Th | Verfahren zur Herstellung von Silanen bzw. Organosiliciumhydriden durch Reduktion der entsprechenden Siliciumhalogenide bzw. Organosiliciumhalogenide |
US7498015B1 (en) * | 2004-02-27 | 2009-03-03 | Kovio, Inc. | Method of making silane compositions |
US7314513B1 (en) * | 2004-09-24 | 2008-01-01 | Kovio, Inc. | Methods of forming a doped semiconductor thin film, doped semiconductor thin film structures, doped silane compositions, and methods of making such compositions |
US7485691B1 (en) * | 2004-10-08 | 2009-02-03 | Kovio, Inc | Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom |
WO2006109427A1 (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-19 | Toagosei Co., Ltd. | 六塩化二ケイ素の精製方法及び高純度六塩化二ケイ素 |
DE102005024041A1 (de) | 2005-05-25 | 2006-11-30 | City Solar Ag | Verfahren zur Herstellung von Silicium aus Halogensilanen |
JP5888831B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2016-03-22 | シン フィルム エレクトロニクス エーエスエー | 架橋済みポリマー及びその製造方法 |
EP1960310B1 (de) | 2005-11-23 | 2013-08-21 | THE ARIZONA BOARD OF REGENTS, a body corporate acting on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY | Silicium-germanium-hydride und herstellungsverfahren dafür |
WO2007062096A2 (en) | 2005-11-23 | 2007-05-31 | The Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Acting On Behalf Of Arizona State University | Silicon-germanium hydrides and methods for making and using same |
NO326254B1 (no) * | 2005-12-22 | 2008-10-27 | Sinvent As | Fremgangsmate for fremstilling av silan |
JP2007254593A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Jsr Corp | ゲルマニウムポリマー、その製造法およびゲルマニウム膜の形成方法 |
KR101269201B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-05-28 | 삼성전자주식회사 | 폐 루프 방식의 다중 안테나 시스템에서 데이터송/수신장치 및 방법 |
DE102006034061A1 (de) * | 2006-07-20 | 2008-01-24 | REV Renewable Energy Ventures, Inc., Aloha | Polysilanverarbeitung und Verwendung |
AU2007298104A1 (en) | 2006-09-29 | 2008-03-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for purification of silicon, silicon, and solar cell |
EP2069368A4 (de) * | 2006-10-06 | 2011-06-22 | Kovio Inc | Siliciumpolymere, verfahren zur polymerisierung von siliciumverbindungen und verfahren zur formung von dünnfilmen aus solchen siliciumpolymeren |
EP2076558B8 (de) | 2006-10-24 | 2018-08-01 | Dow Silicones Corporation | Neopentasilan enthaltende zusammensetzung und herstellungsverfahren dafür |
DE102007007874A1 (de) | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane |
DE102007013219A1 (de) | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Plasmagestützte Synthese |
KR20100022454A (ko) * | 2007-03-30 | 2010-03-02 | 레브 리뉴어블 에너지 벤쳐스 인코포레이티드 | 촉매 수소화 반응 |
US8530589B2 (en) * | 2007-05-04 | 2013-09-10 | Kovio, Inc. | Print processing for patterned conductor, semiconductor and dielectric materials |
JP4714198B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2011-06-29 | 信越化学工業株式会社 | クロロシラン類の精製方法 |
DE102007000841A1 (de) * | 2007-10-09 | 2009-04-16 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Hexachlordisilan |
DE102008025261B4 (de) | 2008-05-27 | 2010-03-18 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogeniertes Polysilan und plasmachemisches Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102008025263B4 (de) | 2008-05-27 | 2015-08-06 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zum Aufreinigen von metallurgischem Silicium |
DE102008025260B4 (de) | 2008-05-27 | 2010-03-18 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogeniertes Polysilan und thermisches Verfahren zu dessen Herstellung |
US20110305619A1 (en) | 2008-05-27 | 2011-12-15 | Spawnt Private S.A.R.L | Silicon Containing Halogenide, Method for Producing the Same, and Use of the Same |
DE102008036143A1 (de) | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Berlinsolar Gmbh | Verfahren zum Entfernen von nichtmetallischen Verunreinigungen aus metallurgischem Silicium |
EP2328954B1 (de) | 2008-09-17 | 2013-07-03 | Spawnt Private S.à.r.l. | Verfahren zur herstellung von halogenierten oligomeren und/oder halogenierten polymeren von elementen der iii. bis v. hauptgruppe |
JP5206334B2 (ja) | 2008-11-07 | 2013-06-12 | 東亞合成株式会社 | クロロポリシランの製造方法 |
DE102008054537A1 (de) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus Siliciumverbindungen durch Adsorption und/oder Filtration |
DE102009056437B4 (de) | 2009-12-02 | 2013-06-27 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kurzkettigen halogenierten Polysilanen |
DE102009056731A1 (de) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogenierte Polysilane und Polygermane |
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See also references of WO2011067417A1 * |
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