JP2016076291A - 多数の外部電力供給部を有する不揮発性半導体メモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリデバイスはデータを記憶するためのフラッシュメモリなどのコアメモリを含む。メモリデバイスは、フラッシュメモリに電力を供給するのに使用される第1の電圧を受け取るために第1の電力入力部を含む。さらに、メモリデバイスは、第2の電圧を受け取るために第2の電力入力部を含む。第2の電圧を受け取り、1つまたは複数の内部電圧を引き出すように構成された電力管理回路をメモリデバイスは含む。電力管理回路は内部電圧をフラッシュメモリに供給または伝達する。電力管理回路(例えば電圧変換器回路)によって発生され、コアメモリに供給される様々な内部電圧は、コアメモリ中のセルに関する読出し/プログラム/消去などの動作を可能にする。
【選択図】図17
Description
場合がある。
・Vread(いくつかの例では4.5V〜5.5V):選択されたNANDストリング中の非選択セルゲートへのワード線電圧
・Vread7(いくつかの例では6〜7V):選択されたブロックデコーダ中のVreadパス電圧を発生することができる。
・Vpgm(いくつかの例では14V〜20V):選択されたNANDストリング中の選択されたセルゲートへのワード線電圧
・Vpass(いくつかの例では8V〜14V):選択されたNANDストリング中の非選択セルゲートへのワード線電圧を発生することができる。
・Verase(いくつかの例では約20V):セル基板への消去電圧を発生することができる。
・プログラミング用のVpgm(例えば、本例との関連では約18V)は、選択されたセルに0Vのドレイン電圧でF-Nトンネリングを引き起こさせるように十分に高いプログラム電圧にセットされる。
・Vpiを「パスさせる」ためのVpass(例えば、本例との関連では約10V)は、選択されたストリング中の非選択のセルトランジスタをそれらのプログラムされた状態(すなわち、セルVth)にかかわらず導電性にするように十分に高いパス電圧にセットされる。同時に、Vpassは非選択のセルでF-Nトンネリングを引き起こさないように十分に低くあるべきである。
・プログラミングを禁止するVpi(例えば、本例との関連では約8V)は、選択されたセルにF-Nトンネリングを起こさせないために十分に高いプログラム禁止電圧にセットしなければならない。一般に、Vpiは供給電圧Vccよりも高く、Vpassよりも低い。
・Vpiは、プログラム動作中、内部高電圧発生器によって供給され、大容量チャージポンプが、高度に容量性のビット線にVpiを供給するのに必要とされる。これは、電力消費およびチップサイズの激烈な増大をもたらす。
・ビット線に接続されたページバッファは、Vpiを供給するために高電圧トランジスタを備えなければならない。高電圧トランジスタは、通常電圧(すなわちVcc)のトランジスタよりも大きく、それはページバッファサイズ(したがって、チップサイズ)を増大する。
・メモリのさらなる小型化では、高電圧ビット線の分離要求が課せられる。
・限定された電流供給を有する内蔵電圧発生器が高度に容量性のビット線をVpiまで充電することに起因して、プログラム速度がより遅くなる。
110 メモリデバイス
112 入力部
120 電力管理回路
122 電圧変換器回路
126 導電経路
130 メモリ管理回路
135 メモリ、フラッシュメモリ、フラッシュメモリデバイス
138 I/O論理
305 スイッチ
310 検出器回路
410 パッケージ、メモリデバイス
500 メモリシステム
505 基板
510 導電経路
550 電力変換器回路
560 アクセスコントローラ
702 電力供給コントローラ
705 発振器
710 基準発生器
715 調整器、電圧調整器
720 ドライバ
730 チャージポンプユニット
810 セル
815 上部ポリ
820 浮遊ポリ
825 トンネル酸化物
830 基板、P基板
910 セル
915 上部ポリ
920 浮遊ポリ
925 トンネル酸化物
930 基板
1010 セル
1110 セル
1210 セル
1325 基板
Claims (1)
- データを記憶するためのフラッシュメモリと、
前記フラッシュメモリに電力を供給するのに使用される第1の電圧を受け取るための第1の電力入力部と、
第2の電圧を受け取るための第2の電力入力部と、
前記第2の電圧を受け取り、前記フラッシュメモリに伝達される少なくとも1つの内部電圧を引き出すための電力管理回路と
を含むメモリデバイス。
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