JP2006228394A - 半導体記憶装置のデータ書き込み方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】しきい値電圧により決まるデータを不揮発に記憶するメモリセルを有する半導体記憶装置において、互いに隣接する第1及び第2のメモリセルに順次書き込みが行われる場合に、第1のメモリセルに所望のしきい値電圧のデータを書き込む方法であって、前記第1のメモリセルに所望のしきい値電圧より低いしきい値電圧のデータを書き込む第1のデータ書き込みを行い、前記第2のメモリセルに第2のデータ書き込みを行い、前記第1のメモリセルに前記所望のしきい値電圧のデータを書き込む第3のデータ書き込みを行う。
【選択図】図6
Description
前記第1のメモリセルに所望のしきい値電圧より低いしきい値電圧のデータを書き込む第1のデータ書き込みを行い、
前記第2のメモリセルに第2のデータ書き込みを行い、
前記第1のメモリセルに前記所望のしきい値電圧のデータを書き込む第3のデータ書き込みを行う。
第1のメモリセル群に選択的に所望のしきい値電圧より低いしきい値電圧状態を書き込む第1のデータ書き込みを行い、
前記第1のデータ書き込みの後、前記第1のメモリセル群に隣接する第2のメモリセル群に選択的にデータを書き込む第2のデータ書き込みを行い、
前記第2のデータ書き込みの後、前記第1のメモリセル群に、前記第1の書き込みと同じデータパターンをもって前記所望のしきい値電圧状態を書き込む第3のデータ書き込みを行う。
前記第2のメモリセルに書かれるべきデータが第1のしきい値電圧状態である場合に、前記第1のメモリセルのデータ書き込み時に、前記所望のしきい値電圧に等しい第1の書き込みベリファイ電圧を用い、
前記第2のメモリセルに書かれるべきデータが第1のしきい値電圧より高い第2のしきい値電圧状態である場合に、前記第1のメモリセルのデータ書き込み時に、前記所望のしきい値電圧より低い第2の書き込みベリファイ電圧を用いる。
第1のワード線に沿って配列された少なくとも第1及び第2のメモリセルに所望のしきい値電圧のデータを書き込むための書き込み電圧を印加し、
第1のワード線に続いて選択される隣接する第2のワード線により選択される、第1のメモリセルに隣接する第3のメモリセルに書き込まれるべきデータがそのしきい値電圧をシフトさせないものである場合、第1のメモリセルに対して前記所望のしきい値電圧に等しい第1のベリファイ電圧を用いた第1の書き込みベリファイを行い、
前記第2のワード線により選択される、第2のメモリセルに隣接する第4のメモリセルに書き込まれるべきデータがそのしきい値電圧をシフトさせるものである場合、第2のメモリセルに対して前記所望のしきい値電圧より低い第2のベリファイ電圧を用いた第2の書き込みベリファイを行う。
第1の書き込み方式では、第1のワード線に沿って配列された第1のメモリセル群に選択的に所望のしきい値電圧より低いしきい値電圧状態を書き込む第1のデータ書き込み(予備的書き込み)を行い、その第1のデータ書き込みの後、第1のワード線に隣接する第2のワード線に沿って配列された第2のメモリセル群に選択的にデータを書き込む第2のデータ書き込みを行い、その第2のデータ書き込みの後、第1のメモリセル群に選択的に、第1の書き込みと同じデータパターンをもって所望のしきい値電圧状態を書き込む第3のデータ書き込み(仕上げ書き込み)を行う。
第2の書き込み方式は、第1の書き込み方式の変形である。即ち第2の書き込み方式では、連続する複数のワード線からなる書き込み領域について順次ワード線を選択して、それぞれのメモリセル群に所定のデータパターンで所望のしきい値電圧より低い第1のベリファイ電圧を用いた書き込みベリファイを伴ってデータ書き込み(予備的書き込み)を行う。
第3の書き込み方式では、隣接する第1及び第2のメモリセルの第1のメモリセルにデータを書き込む際に、後に書かれるべき第2のメモリセルのデータに応じて、そのしきい値電圧制御を行う。
ここまでに説明した書き込み方式は、メモリセルの初期データ状態がデータ“A”であって、2つのワード線に沿ったメモリセルに選択的にデータ“B”を書く場合を想定している。このような書き込みは、4値記憶方式にも用いられるが、基本的には2値記憶方式に適用される。
第5の書き込み方式として、先の第3の書き込み方式を4値記憶方式の上位ページ書き込みに適用した例を次に説明する。
ここまで説明した第1乃至第5の書き込み方式は、いずれも隣接ワード線のセル間干渉の影響を低減するものであった。これに対してこの発明の書き込み方法は、隣接ビット線のセル間干渉の影響を低減する方法としても有効である。
第7の書き込み方式として、ある着目するメモリセルについて、これを取り囲むように隣接する複数のメモリセルの影響を考慮に入れて、仕上げ書き込みを行う例を説明する。
Claims (8)
- しきい値電圧により決まるデータを不揮発に記憶するメモリセルを有する半導体記憶装置において、互いに隣接する第1及び第2のメモリセルに順次書き込みが行われる場合に、第1のメモリセルに所望のしきい値電圧のデータを書き込む方法であって、
前記第1のメモリセルに所望のしきい値電圧より低いしきい値電圧のデータを書き込む第1のデータ書き込みを行い、
前記第2のメモリセルに第2のデータ書き込みを行い、
前記第1のメモリセルに前記所望のしきい値電圧のデータを書き込む第3のデータ書き込みを行う
ことを特徴とする半導体記憶装置のデータ書き込み方法。 - 前記第1及び第2のメモリセルは、隣接する2ワード線にそれぞれ接続されているか、又は隣接する2ビット線にそれぞれ接続されており、
前記第1乃至第3のデータ書き込みは、書き込みサイクルと共に電圧がステップアップされる書き込み電圧印加と書き込みベリファイの繰り返しにより行われるものであってかつ、第3のデータ書き込みの書き込み電圧ステップアップ分が第1のデータ書き込みのそれより低く設定されている
ことを特徴とする請求項1記載のデータ書き込み方法。 - 互いに交差して配列されたワード線とビット線、及びそれらの各交差部に配置された電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルを有する半導体記憶装置のデータ書き込み方法であって、
第1のメモリセル群に選択的に所望のしきい値電圧より低いしきい値電圧状態を書き込む第1のデータ書き込みを行い、
前記第1のデータ書き込みの後、前記第1のメモリセル群に隣接する第2のメモリセル群に選択的にデータを書き込む第2のデータ書き込みを行い、
前記第2のデータ書き込みの後、前記第1のメモリセル群に、前記第1の書き込みと同じデータパターンをもって前記所望のしきい値電圧状態を書き込む第3のデータ書き込みを行う
ことを特徴とするデータ書き込み方法。 - 第1のデータ書き込みは、第1のワード線に沿って配列された第1のメモリセル群に対する予備的書き込みであり、
第2のデータ書き込みは、第1のワード線に隣接して第1のワード線に続いて選択される第2のワード線に沿って配列された第2のメモリセル群に対する予備的書き込みであり、
第3の書き込みは、前記第1のメモリセル群に対する仕上げ書き込みである
ことを特徴とする請求項3記載のデータ書き込み方法。 - 前記第1のメモリセル群は、第1のワード線と偶数番ビット線により選択されるメモリセルを含む第1のセクタXであり、
前記第2のメモリセル群は、第1のワード線と奇数番ビット線により同時に選択されるメモリセルを含む第2のセクタY、第1のワード線に隣接して第1のワード線に続いて選択される第2のワード線と偶数番ビット線により同時に選択されるメモリセルを含む第3のセクタZ及び、前記第2のワード線と奇数番ビット線により同時に選択されるメモリセルを含む第4のセクタWを含み、
第1のデータ書き込みは、第1のセクタに対する予備的書き込みであり、
第2のデータ書き込みは、第2乃至第4のセクタに対して順次行われる予備的書き込みであり、
第3のデータ書き込みは、第1のセクタに対する仕上げ書き込みである
ことを特徴とする請求項3記載のデータ書き込み方法。 - 連続する複数ワード線からなる書き込み範囲について、前記第1及び第2のデータ書き込みとして、各ワード線のメモリセル群に順次、所望のしきい値電圧より低いしきい値状態を選択的に書き込む予備的書き込みを行い、
続いて前記書き込み範囲について、各ワード線のメモリセル群に順次、所望のしきい値電圧を書き込む第3のデータ書き込みとして仕上げ書き込みを行う
ことを特徴とする請求項3記載のデータ書き込み方法。 - しきい値電圧により決まるデータを不揮発に記憶するメモリセルを有する半導体記憶装置において、互いに隣接する第1及び第2のメモリセルに順次書き込みが行われる場合に、第1のメモリセルに所望のしきい値電圧のデータを書き込む方法であって、
前記第2のメモリセルに書かれるべきデータが第1のしきい値電圧状態である場合に、前記第1のメモリセルのデータ書き込み時に、前記所望のしきい値電圧に等しい第1の書き込みベリファイ電圧を用い、
前記第2のメモリセルに書かれるべきデータが第1のしきい値電圧より高い第2のしきい値電圧状態である場合に、前記第1のメモリセルのデータ書き込み時に、前記所望のしきい値電圧より低い第2の書き込みベリファイ電圧を用いる
ことを特徴とする半導体記憶装置のデータ書き込み方法。 - 互いに交差して配列されたワード線とビット線、及びそれらの各交差部に配置された電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルを有する半導体記憶装置のデータ書き込み方法であって、
第1のワード線に沿って配列された少なくとも第1及び第2のメモリセルに所望のしきい値電圧のデータを書き込むための書き込み電圧を印加し、
第1のワード線に続いて選択される隣接する第2のワード線により選択される、第1のメモリセルに隣接する第3のメモリセルに書き込まれるべきデータがそのしきい値電圧をシフトさせないものである場合、第1のメモリセルに対して前記所望のしきい値電圧に等しい第1のベリファイ電圧を用いた第1の書き込みベリファイを行い、
前記第2のワード線により選択される、第2のメモリセルに隣接する第4のメモリセルに書き込まれるべきデータがそのしきい値電圧をシフトさせるものである場合、第2のメモリセルに対して前記所望のしきい値電圧より低い第2のベリファイ電圧を用いた第2の書き込みベリファイを行う
ことを特徴とするデータ書き込み方法。
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