JP2017097927A - Nand型フラッシュメモリとそのプログラム方法 - Google Patents
Nand型フラッシュメモリとそのプログラム方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017097927A JP2017097927A JP2015225308A JP2015225308A JP2017097927A JP 2017097927 A JP2017097927 A JP 2017097927A JP 2015225308 A JP2015225308 A JP 2015225308A JP 2015225308 A JP2015225308 A JP 2015225308A JP 2017097927 A JP2017097927 A JP 2017097927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- programming
- page
- program
- soft
- odd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3404—Convergence or correction of memory cell threshold voltages; Repair or recovery of overerased or overprogrammed cells
- G11C16/3409—Circuits or methods to recover overerased nonvolatile memory cells detected during erase verification, usually by means of a "soft" programming step
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3404—Convergence or correction of memory cell threshold voltages; Repair or recovery of overerased or overprogrammed cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
- G11C16/3459—Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
Abstract
【解決手段】NAND型フラッシュメモリは、メモリアレイのページを選択するステップと、選択ページの偶数ページにプログラム電圧を印加するステップと、選択ページの奇数ページをソフトプログラムするステップと、偶数ページのプログラムが終了したら、次に奇数ページにプログラム電圧を印加するステップとを有する。
【選択図】図6
Description
110:メモリアレイ
120:入出力バッファ
130:アドレスレジスタ
140:キャッシュメモリ
150:コントローラ
160:ワード線選択回路
170:ページバッファ/センス回路
180:列選択回路
190:内部電圧発生回路
200:ビット線選択回路
Claims (13)
- NAND型フラッシュメモリのページをプログラムするプログラム方法であって、
メモリアレイのページを選択するステップと、
選択ページの偶数ページをプログラムするステップと、
前記偶数ページに隣接するメモリセルをソフトプログラムする第1のソフトプログラムステップと、
前記偶数ページのプログラムの終了後に前記選択ページの奇数ページをプログラムするステップと、
を有するプログラム方法。 - 前記第1のソフトプログラムステップは、奇数ページをソフトプログラムすることを含む、請求項1に記載のプログラム方法。
- 前記第1のソフトプログラムステップは、前記選択ページに隣接する次のワード線の偶数ページをソフトプログラムすることを含む、請求項1に記載のプログラム方法。
- 前記奇数ページをプログラムするステップは、奇数ページにプログラム電圧を印加するステップと、奇数ページに隣接する次のワード線の奇数ページをソフトプログラムする第2のソフトプログラムステップを含む、請求項1ないし3いずれか1つに記載のプログラム方法。
- 前記第1のソフトプログラムステップは、ソフトプログラムのためのベリファイを含む、請求項1ないし4いずれか1つに記載のプロフラム方法。
- 前記第2のソフトプログラムステップは、ソフトプログラムのためのベリファイを含む、請求項4に記載のプログラム方法。
- 前記偶数ページをプログラムするステップは、プログラムのためのベリファイを含む、請求項1ないし6いずれか1つに記載のプログラム方法。
- 前記奇数ページをプログラムするステップは、プログラムのためのベリファイを含む、請求項1ないし7いずれか1つに記載のプログラム方法。
- 複数のメモリセルが形成されたメモリアレイと、
前記メモリアレイのページを選択するページ選択手段と、
前記ページ選択手段によって選択されたページのプログラムを行うプログラム手段とを有し、
前記プログラム手段は、選択ページの偶数ページをプログラムする手段と、メモリセルをソフトプログラムする手段と、前記選択ページの奇数ページをプログラムする手段とを含み、
前記ソフトプログラムする手段は、偶数ページに隣接するメモリセルをソフトプログラムする、NAND型のフラッシュメモリ。 - 前記ソフトプログラムする手段は、偶数ページのプログラム中に、選択ページの奇数ページおよび選択ページに隣接する次のワード線の偶数ページをソフトプログラムする、請求項9に記載のフラッシュメモリ。
- 前記ソフトプログラムする手段はさらに、奇数ページのプログラム中に、奇数ページに隣接する次のワード線の奇数ページをソフトプログラムする、請求項9または10に記載のフラッシュメモリ。
- 前記ソフトプログラムする手段は、ソフトプログラムのためのベリファイを含む、請求項9に記載のフラッシュメモリ。
- 前記偶数ページをプログラムする手段は、プログラムのためのベリファイを含み、前記奇数ページをプログラムする手段は、プログラムのためのベリファイを含む、請求項9のフラッシュメモリ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015225308A JP6154879B2 (ja) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | Nand型フラッシュメモリとそのプログラム方法 |
TW105131177A TWI603333B (zh) | 2015-11-18 | 2016-09-29 | 反及型快閃記憶體及其編程方法 |
CN201610956399.XA CN107103933B (zh) | 2015-11-18 | 2016-10-27 | 反及型闪存及其编程方法 |
KR1020160143052A KR101946507B1 (ko) | 2015-11-18 | 2016-10-31 | Nand형 플래시 메모리와 그 프로그램 방법 |
US15/345,521 US10049747B2 (en) | 2015-11-18 | 2016-11-08 | NAND flash memory and program method thereof for suppressing influence of floating gate coupling |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015225308A JP6154879B2 (ja) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | Nand型フラッシュメモリとそのプログラム方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017097927A true JP2017097927A (ja) | 2017-06-01 |
JP6154879B2 JP6154879B2 (ja) | 2017-06-28 |
Family
ID=58691335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015225308A Active JP6154879B2 (ja) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | Nand型フラッシュメモリとそのプログラム方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10049747B2 (ja) |
JP (1) | JP6154879B2 (ja) |
KR (1) | KR101946507B1 (ja) |
CN (1) | CN107103933B (ja) |
TW (1) | TWI603333B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019057335A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR102408621B1 (ko) * | 2017-11-20 | 2022-06-15 | 삼성전자주식회사 | 커패시터를 포함하는 불휘발성 메모리 장치 |
CN115331720A (zh) * | 2021-06-02 | 2022-11-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 存储器器件及其编程操作 |
KR20230092364A (ko) | 2021-12-17 | 2023-06-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005025898A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びデータ書き込み方法。 |
WO2006051917A1 (ja) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 半導体記憶装置 |
JP2009151865A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Vantel Corp | 不揮発性半導体記憶装置とその書き込み方法 |
JP2011181156A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US20120314501A1 (en) * | 2011-06-09 | 2012-12-13 | SK Hynix Inc. | Semiconductor device and method of programming the same |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11176177A (ja) | 1997-12-12 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR100856292B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2008-09-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자 및 프로그램 방법 |
KR100822804B1 (ko) | 2006-10-20 | 2008-04-17 | 삼성전자주식회사 | 커플링 영향을 차단할 수 있는 플래시 메모리 장치 및 그프로그램 방법 |
US7619918B2 (en) * | 2006-12-29 | 2009-11-17 | Intel Corporation | Apparatus, method, and system for flash memory |
US8199579B2 (en) * | 2009-09-16 | 2012-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
KR20120088451A (ko) * | 2011-01-31 | 2012-08-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 데이터 소거 방법 |
US8824203B2 (en) | 2012-07-13 | 2014-09-02 | Micron Technology, Inc. | Multiple step programming in a memory device |
JP5583185B2 (ja) * | 2012-10-12 | 2014-09-03 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 不揮発性半導体メモリ |
KR102006995B1 (ko) * | 2012-11-22 | 2019-08-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 이의 동작 방법 |
US9183940B2 (en) * | 2013-05-21 | 2015-11-10 | Aplus Flash Technology, Inc. | Low disturbance, power-consumption, and latency in NAND read and program-verify operations |
-
2015
- 2015-11-18 JP JP2015225308A patent/JP6154879B2/ja active Active
-
2016
- 2016-09-29 TW TW105131177A patent/TWI603333B/zh active
- 2016-10-27 CN CN201610956399.XA patent/CN107103933B/zh active Active
- 2016-10-31 KR KR1020160143052A patent/KR101946507B1/ko active IP Right Grant
- 2016-11-08 US US15/345,521 patent/US10049747B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005025898A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びデータ書き込み方法。 |
WO2006051917A1 (ja) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 半導体記憶装置 |
JP2009151865A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Vantel Corp | 不揮発性半導体記憶装置とその書き込み方法 |
JP2011181156A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US20120314501A1 (en) * | 2011-06-09 | 2012-12-13 | SK Hynix Inc. | Semiconductor device and method of programming the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10049747B2 (en) | 2018-08-14 |
KR20170058268A (ko) | 2017-05-26 |
TWI603333B (zh) | 2017-10-21 |
JP6154879B2 (ja) | 2017-06-28 |
CN107103933B (zh) | 2020-07-17 |
TW201719661A (zh) | 2017-06-01 |
CN107103933A (zh) | 2017-08-29 |
US20170140826A1 (en) | 2017-05-18 |
KR101946507B1 (ko) | 2019-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10418113B2 (en) | Operation method for suppressing floating gate (FG) coupling | |
US8971109B2 (en) | Semiconductor memory device and method of operating the same | |
KR101150645B1 (ko) | 비휘발성 반도체 메모리 장치 | |
JP5565948B2 (ja) | 半導体メモリ | |
JP2008084471A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2020004470A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2008135100A (ja) | 半導体記憶装置及びそのデータ消去方法 | |
JP2008146771A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2008140488A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP5992983B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US9514826B2 (en) | Programming method for NAND-type flash memory | |
US9779830B2 (en) | Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof | |
JP6154879B2 (ja) | Nand型フラッシュメモリとそのプログラム方法 | |
KR102416047B1 (ko) | 더미 셀의 제어 방법 및 반도체 장치 | |
US9870828B2 (en) | Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof | |
JP5805162B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP5657063B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP5631436B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2012123856A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP5467938B2 (ja) | 半導体メモリ | |
JP5787921B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2012069185A (ja) | Nand型フラッシュメモリ、及び、nand型フラッシュメモリのテスト方法 | |
JP2017162528A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2011204356A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170602 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6154879 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |