JP5467938B2 - 半導体メモリ - Google Patents
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Description
本実施例では、ページバッファ200は、第1のデータセットを保持する第1のデータラッチ回路210と、第2のデータセットを保持する第2のデータラッチ回路220と、第1および第2のデータラッチ回路間に接続された転送ゲート230とを含んで構成される。
LSBデータの書込みが終了したならば、次に、図15Bに示すように、1ページ目から順にMSB(最上位)データのDBL書込み、Oneway書込みが行われる(ステップS211〜S220)。
110:入出力バッファ 120:アドレスレジスタ
130:コントローラ 140:ワード線駆動回路
150:センスアンプ回路 160:列制御回路
170:内部電圧発生回路 200:ページバッファ
210:第1のデータラッチ回路 220:第2のデータラッチ回路
230:転送ゲート 300:基板またはウエル
310:トレンチ分離 320:トンネル酸化膜
330:フローティングゲート 340:誘電膜
350:コントロールゲート
Claims (15)
- 行列状に配列されかつi値データ(iは、1以上の整数)を記憶可能な不揮発性のメモリセルを含み、複数のメモリセルが直列に接続されて1つのセルユニットを構成し、各ユニットセルが対応する列方向のビット線に接続され、行方向のメモリセルが対応するワード線に接続された、メモリセルアレイと、
ページを選択する選択手段と、
書込みデータを保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された書込みデータを用いて選択されたページに書込みを行う書込み制御手段とを有し、
前記書込み制御手段は、選択されたページに書込みデータを用いて書込みを行う第1の書込みシーケンスと、第1の書込みシーケンス後に、前記選択されたページを複数のグループに分割し、分割されたグループ毎に前記書込みデータを用いて書込みを行う第2の書込みシーケンスとを有し、
前記書込み制御手段は、現在選択されたページの第2の書込みシーケンスが実行される前に、次に選択されるページの第1の書込みシーケンスを実行する、半導体メモリ。 - 行列状に配列されかつi値データ(iは、1以上の整数)を記憶可能な不揮発性のメモリセルを含み、複数のメモリセルが直列に接続されて1つのセルユニットを構成し、各ユニットセルが対応する列方向のビット線に接続され、行方向のメモリセルが対応するワード線に接続された、メモリセルアレイと、
ページを選択する選択手段と、
書込みデータを保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された書込みデータを用いて選択されたページに書込みを行う書込み制御手段とを有し、
前記書込み制御手段は、選択されたページに書込みデータを用いて書込みを行う第1の書込みシーケンスと、第1の書込みシーケンス後に、前記選択されたページを複数のグループに分割し、分割されたグループ毎に前記書込みデータを用いて書込みを行う第2の書込みシーケンスとを有し、
前記書込み制御手段は、現在選択されたページの第2の書込みシーケンスが実行された後に、次に選択されるページの第2の書込みシーケンスを実行する、半導体メモリ。 - 行列状に配列されかつi値データ(iは、1以上の整数)を記憶可能な不揮発性のメモリセルを含み、複数のメモリセルが直列に接続されて1つのセルユニットを構成し、各ユニットセルが対応する列方向のビット線に接続され、行方向のメモリセルが対応するワード線に接続された、メモリセルアレイと、
ページを選択する選択手段と、
書込みデータを保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された書込みデータを用いて選択されたページに書込みを行う書込み制御手段とを有し、
前記書込み制御手段は、選択されたページに書込みデータを用いて書込みを行う第1の書込みシーケンスと、第1の書込みシーケンス後に、前記選択されたページを複数のグループに分割し、分割されたグループ毎に前記書込みデータを用いて書込みを行う第2の書込みシーケンスとを有し、
前記書込み制御手段は、第1の書込みシーケンスにおいて、選択されたページ上のメモリセルに第1の書込みパルスを印加し、第2の書込みシーケンスにおいて、分割されたグループ上のメモリセルに第2の書込みパルスを印加し、前記第1の書込みパルスがパルス電圧を可変する複数の書込みパルスを含み、かつ前記第2の書込みパルスがパルス電圧を可変する複数の書込みパルスを含むとき、第1の書込みパルスの第1の差分電圧は、第2の書込みパルスの第2の差分電圧よりも大きい、半導体メモリ。 - 行列状に配列されかつi値データ(iは、1以上の整数)を記憶可能な不揮発性のメモリセルを含み、複数のメモリセルが直列に接続されて1つのセルユニットを構成し、各ユニットセルが対応する列方向のビット線に接続され、行方向のメモリセルが対応するワード線に接続された、メモリセルアレイと、
ページを選択する選択手段と、
書込みデータを保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された書込みデータを用いて選択されたページに書込みを行う書込み制御手段とを有し、
前記書込み制御手段は、選択されたページに書込みデータを用いて書込みを行う第1の書込みシーケンスと、第1の書込みシーケンス後に、前記選択されたページを複数のグループに分割し、分割されたグループ毎に前記書込みデータを用いて書込みを行う第2の書込みシーケンスとを有し、
前記書込み制御手段は、第1の書込みシーケンスにおいて、選択されたページ上のメモリセルに第1の書込みパルスを印加し、第2の書込みシーケンスにおいて、分割されたグループ上のメモリセルに第2の書込みパルスを印加し、第1の書込みパルスが印加されたときの最後の書込みパルスの電圧と第2の書込みパルスが最初に印加されるときのパルス電圧との第3の差分電圧は、前記第1の差分電圧よりも小さい、半導体メモリ。 - 前記データ保持手段は、現在選択されたページの書込みが実行されている間に、次のページに書込むための書込みデータを保持する、請求項1ないし4いずれか1つに記載の半導体メモリ。
- 第2の書込みシーケンスにおいて、選択されたページは、奇数のビットのグループと偶数のビットのグループに分割される、請求項1ないし5いずれか1つに記載の半導体メモリ。
- 前記書込み制御手段は、第1の書込みシーケンスのベリファイ後に第2の書込みシーケンスを行う、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体メモリ。
- 前記メモリセルは、第1導電型の半導体基板または半導体領域内に形成された第2導電型の拡散領域と、前記半導体基板または半導体領域の表面上に形成されかつ電荷を蓄積可能なフローティングゲートと、フローティングゲートに容量結合されかつワード線に結合されるコントロールゲートとを含み、
前記書込み制御手段は、前記半導体基板または半導体領域に第1の書込み電圧を印加し、かつ前記コントロールゲートに第2の書込み電圧を印加する、請求項1ないし7いずれか1つに記載の半導体メモリ。 - メモリセルアレイは、NAND型のメモリセルアレイである、請求項1ないし8いずれか1つに記載の半導体メモリ。
- 行列状に配列されかつi値データ(iは、1以上の整数)を記憶可能な不揮発性のメモリセルを含み、複数のメモリセルが直列に接続されて1つのセルユニットを構成し、各ユニットセルは対応する列方向のビット線に接続され、行方向のメモリセルは対応するワード線に接続された半導体メモリの書込み方法であって、
ページを選択するステップと、
書込みデータを保持するステップと、
選択されたページに前記保持された書込みデータを用いて第1の書込みシーケンスを実行するステップと、
第1の書込みシーケンス後に、前記選択されたページを複数のグループに分割し、分割されたグループ毎に前記書込みデータを用いて第2の書込みシーケンスを実行するステップとを有し、
書込み方法はさらに、現在選択されたページの第2のシーケンスが実行される前に、次に選択されるページの第1の書込みシーケンスを実行するステップを含む、書込み方法。 - 行列状に配列されかつi値データ(iは、1以上の整数)を記憶可能な不揮発性のメモリセルを含み、複数のメモリセルが直列に接続されて1つのセルユニットを構成し、各ユニットセルは対応する列方向のビット線に接続され、行方向のメモリセルは対応するワード線に接続された半導体メモリの書込み方法であって、
ページを選択するステップと、
書込みデータを保持するステップと、
選択されたページに前記保持された書込みデータを用いて第1の書込みシーケンスを実行するステップと、
第1の書込みシーケンス後に、前記選択されたページを複数のグループに分割し、分割されたグループ毎に前記書込みデータを用いて第2の書込みシーケンスを実行するステップとを有し、
書込み方法はさらに、現在選択されたページの第2の書込みシーケンスが実行された後に、次に選択されるページの第2の書込みシーケンスを実行するステップを含む、書込み方法。 - 書込み方法はさらに、現在選択されたページに書込みが実行されている間に、次のページに書込むための書込みデータをロードするステップを含む、請求項10または11に記載の書込み方法。
- 第1の書込みシーケンスは、少なくとも1つの書込みパルスを印加し、第2の書込みシーケンスは、少なくとも1つの書込みパルスを印加する、請求項10ないし12いずれか1つに記載の書込み方法。
- i値データの各ビット毎に書込みを行う、請求項10ないし13いずれか1つに記載の書込み方法。
- i値データの下位ビットから上位ビットに向けて書込みを行う、請求項10ないし14いずれか1つに記載の書込み方法。
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