KR100673026B1 - 고온 스트레스로 인한 읽기 마진의 감소를 보상할 수 있는플래시 메모리의 프로그램 방법 - Google Patents
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- 복수의 상태들 중 어느 하나를 나타내는 멀티-비트 데이터를 저장하기 위한 복수의 메모리 셀들이 연결된 제 1 및 제 2 비트 라인들을 구비한 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법에 있어서:선택된 행 및 상기 제 1 또는 제 2 비트 라인들에 연결된 메모리 셀들을 멀티-비트 데이터로 프로그램하는 단계와; 그리고고온 스트레스로 인해 감소되는 인접한 상태들 사이의 읽기 마진이 증가되도록, 상기 선택된 행의 바로 아래에 위치한 행 및 상기 제 1 또는 제 2 비트 라인들에 연결된 프로그램된 메모리 셀들을 재프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 선택된 행의 바로 아래에 위치한 행 및 상기 제 1 또는 제 2 비트 라인들에 연결된 프로그램된 메모리 셀들을 재프로그램하는 단계는상기 각 상태의 프로그램된 메모리 셀들이 분포된 문턱 전압 분포의 소정 영역에 속하는 프로그램된 메모리 셀들을 검출하는 단계와; 그리고상기 각 상태의 소정 영역은 제 1 검증 전압과 읽기 전압 중 어느 하나와 제 2 검증 전압에 의해서 선택되되, 상기 제 2 검증 전압은 상기 제 1 검증 전압보다 높고, 상기 읽기 전압은 상기 제 1 검증 전압보다 낮으며;상기 각 상태에 대응하는 제 2 검증 전압과 같거나 그보다 높은 문턱 전압을 갖도록 상기 검출된 메모리 셀들을 프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 상태들에 대응하는 제 1 검증 전압들은 상기 선택된 메모리 셀들이 멀티-비트 데이터로 프로그램되었는 지의 여부를 판별하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 각 상태에 대응하는 제 2 검증 전압과 같거나 그보다 높은 문턱 전압을 갖도록 상기 검출된 메모리 셀들을 프로그램하는 경우, 선택된 워드 라인에 인가되는 프로그램 전압은 상기 상태들에 따라 다른 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 각 상태에 대응하는 제 2 검증 전압과 같거나 그보다 높은 문턱 전압을 갖도록 상기 검출된 메모리 셀들을 프로그램하는 경우, 선택된 워드 라인에 인가되는 프로그램 전압은 상기 상태들에 관계없이 동일한 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 프로그램 전압은 프로그램 루프들의 반복에 따라 단계적으로 증가되는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 선택된 행은 적어도 2개의 페이지들로 구성되며, 각 페이지는 LSB 페이지와 MSB 페이지로 구성되는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 멀티-비트 데이터는 LSB 페이지 데이터와 MSB 페이지 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 복수의 상태들 중 어느 하나를 나타내는 멀티-비트 데이터를 저장하기 위한 복수의 메모리 셀들이 연결된 제 1 및 제 2 비트 라인들을 구비한 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법에 있어서:선택된 행 및 상기 제 1 비트 라인들에 연결된 메모리 셀들을 멀티-비트 데이터로 프로그램하는 단계와; 그리고고온 스트레스로 인해 감소되는 인접한 상태들 사이의 읽기 마진이 증가되도록, 상기 선택된 행의 바로 아래에 위치한 행 및 상기 제 1 비트 라인들에 연결된 프로그램된 메모리 셀들을 재프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프 로그램 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 선택된 행의 바로 아래에 위치한 행 및 상기 제 1 비트 라인들에 연결된 프로그램된 메모리 셀들을 재프로그램한 후,상기 선택된 행 및 상기 제 2 비트 라인들에 연결된 메모리 셀들을 멀티-비트 데이터로 프로그램하는 단계와; 그리고고온 스트레스로 인해 감소되는 인접한 상태들 사이의 읽기 마진이 증가되도록, 상기 선택된 행의 바로 아래에 위치한 행 및 상기 제 2 비트 라인들에 연결된 프로그램된 메모리 셀들을 재프로그램하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 복수의 상태들 중 어느 하나를 나타내는 멀티-비트 데이터를 저장하기 위한 복수의 메모리 셀들이 연결된 제 1 및 제 2 비트 라인들을 구비한 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법에 있어서:선택된 행 및 상기 제 2 비트 라인들에 연결된 메모리 셀들을 멀티-비트 데이터로 프로그램하는 단계와; 그리고고온 스트레스로 인해 감소되는 인접한 상태들 사이의 읽기 마진이 증가되도록, 상기 선택된 행의 바로 아래에 위치한 행 및 상기 제 1 비트 라인들에 연결된 프로그램된 메모리 셀들을 재프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프 로그램 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 선택된 행의 바로 아래에 위치한 행 및 상기 제 1 비트 라인들에 연결된 프로그램된 메모리 셀들을 재프로그램하는 단계는상기 각 상태의 프로그램된 메모리 셀들이 분포된 문턱 전압 분포의 소정 영역에 속하는 프로그램된 메모리 셀들을 검출하는 단계와; 그리고상기 각 상태의 소정 영역은 제 1 검증 전압과 읽기 전압 중 어느 하나와 제 2 검증 전압에 의해서 선택되되, 상기 제 2 검증 전압은 상기 제 1 검증 전압보다 높고, 상기 읽기 전압은 상기 제 1 검증 전압보다 낮으며;상기 각 상태에 대응하는 제 2 검증 전압과 같거나 그보다 높은 문턱 전압을 갖도록 상기 검출된 메모리 셀들을 프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 상태들에 대응하는 제 1 검증 전압들은 상기 선택된 메모리 셀들이 멀티-비트 데이터로 프로그램되었는 지의 여부를 판별하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 각 상태에 대응하는 제 2 검증 전압과 같거나 그보다 높은 문턱 전압을 갖도록 상기 검출된 메모리 셀들을 프로그램하는 경우, 선택된 워드 라인에 인가되는 프로그램 전압은 상기 상태들에 따라 다른 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 각 상태에 대응하는 제 2 검증 전압과 같거나 그보다 높은 문턱 전압을 갖도록 상기 검출된 메모리 셀들을 프로그램하는 경우, 선택된 워드 라인에 인가되는 프로그램 전압은 상기 상태들에 관계없이 동일한 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 프로그램 전압은 프로그램 루프들의 반복에 따라 단계적으로 증가되는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 선택된 행의 바로 아래에 위치한 행 및 상기 제 1 비트 라인들에 연결된 프로그램된 메모리 셀들에 대한 재프로그램 동작의 완료후, 고온 스트레스로 인해 감소되는 인접한 상태들 사이의 읽기 마진이 증가되도록 상기 선택된 행의 바로 아래에 위치한 행 및 상기 제 2 비트 라인들에 연결된 프로그램된 메모리 셀들을 재프로그램하는 더 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 선택된 행의 바로 아래에 위치한 행 및 상기 제 2 비트 라인들에 연결된 프로그램된 메모리 셀들을 재프로그램하는 단계는상기 각 상태의 프로그램된 메모리 셀들이 분포된 문턱 전압 분포의 소정 영역에 속하는 프로그램된 메모리 셀들을 검출하는 단계와; 그리고상기 각 상태의 소정 영역은 제 1 검증 전압과 읽기 전압 중 어느 하나와 제 2 검증 전압에 의해서 선택되되, 상기 제 2 검증 전압은 상기 제 1 검증 전압보다 높고, 상기 읽기 전압은 상기 제 1 검증 전압보다 낮으며;상기 각 상태에 대응하는 제 2 검증 전압과 같거나 그보다 높은 문턱 전압을 갖도록 상기 검출된 메모리 셀들을 프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 상태들에 대응하는 제 1 검증 전압들은 상기 선택된 메모리 셀들이 멀티-비트 데이터로 프로그램되었는 지의 여부를 판별하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 각 상태에 대응하는 제 2 검증 전압과 같거나 그보다 높은 문턱 전압을 갖도록 상기 검출된 메모리 셀들을 프로그램하는 경우, 선택된 워드 라인에 인가되는 프로그램 전압은 상기 상태들에 따라 다른 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 각 상태에 대응하는 제 2 검증 전압과 같거나 그보다 높은 문턱 전압을 갖도록 상기 검출된 메모리 셀들을 프로그램하는 경우, 선택된 워드 라인에 인가되는 프로그램 전압은 상기 상태들에 관계없이 동일한 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 20 항 또는 제 21 항에 있어서,상기 프로그램 전압은 프로그램 루프들의 반복에 따라 단계적으로 증가되는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 선택된 행 및 제 1 비트 라인들에 연결된 메모리 셀들이 선택될 때, 상기 상태들 중 어느 하나를 갖도록 상기 선택된 행 및 제 1 비트 라인들에 연결된 메모리 셀들을 멀티-비트 데이터로 프로그램하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 선택된 행은 적어도 2개의 페이지들로 구성되며, 각 페이지는 LSB 페이지와 MSB 페이지로 구성되는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 멀티-비트 데이터는 LSB 페이지 데이터와 MSB 페이지 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
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