JP2014518430A - メモリセルプログラミング装置およびメモリセルプログラミング方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
Claims (16)
- メモリセルをプログラミングする方法であって、
第1のベリファイレベルを用いて第1のページデータをプログラミングすることと、
前記第1のページデータをプログラミングされる第2のページデータと比較することと、
さらにプログラミングされる前記第1のページデータのサブセットを決定することと、
第2のベリファイレベルを用いて前記サブセットをプログラミングすることと、
を含む、方法。 - 比較することは、
論理和関数において、前記第1のページデータを前記第2のページデータの逆数と組み合わせることをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - サブセットを決定することは、
前記第1のページデータに対応するメモリセルのうち、どのメモリセルをプログラミングして、消去したままの第2のページに対応するメモリセルに隣接するのかを決定することをさらに含む、請求項2に記載の方法。 - 前記第2のページデータは隣接ページデータである、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のベリファイレベルは、前記第1のページに対応するプログラミングしたセルについての第1の閾値電圧であり、前記第2のベリファイレベルは、前記第2のページデータをプログラミングした後に、第2のページデータに対応する隣接セルを消去されたままにする場合の第2の閾値電圧レベルである、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のページデータをプログラミングしている間に前記第2のページデータに対応する前記隣接セルをプログラミングする場合、前記プログラミングされたセルをさらにプログラミングすることを禁止することをさらに含む、請求項5に記載の方法。
- 前記第1のページデータを前記第2のページデータと比較することは、
前記第2のページデータをプログラミングすることの結合影響を判定することと、
前記判定された結合影響と閾値との比較に応じて、前記第1のページデータのプログラミングを調整することと、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 判定することは、
前記第2のページデータをロードすることと、
前記ロードした第2のページデータを前記プログラミングした第1のページデータと比較することと、
を含む、請求項7に記載の方法。 - 調整することは、前記閾値より低い、判定された結合影響を有する前記第1のページデータをさらにプログラミングすることを含む、請求項7に記載の方法。
- さらにプログラミングすることは、前記閾値より低い、判定された結合影響を有する前記第1のページデータを、より高いプログラミングレベルまでさらにプログラミングすることを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記第1のページデータのプログラミングを調整後、前記第2のデータをプログラミングすることをさらに含む、請求項7に記載の方法。
- メモリセルは多重レベルセル(MLC)メモリを含み、調整することは、前記第2のページデータとプログラミングされる対応するセルが前記MLCのレベルのうち低いほうのレベルにプログラミングされるとき、前記第1のページデータをさらにプログラミングすることを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記第1のページデータは偶数ページデータであり、前記第2のページデータは奇数ページデータである、請求項7に記載の方法。
- 論理ページに配置されるメモリセルのアレイと、
第1のページに対応するプログラミングされたセルについて、第1の閾値電圧レベルを用いて前記アレイの第1のページデータをプログラミングし、前記第1のページデータを前記アレイの第2のページデータと比較し、前記第2のページデータをプログラミングした後、前記第2のページデータに対応する隣接セルを消去されたままにする場合、第2の閾値電圧レベルを用いて前記プログラミングされたセルをプログラミングするように構成される、コントローラと、
を備える、デバイス。 - 前記コントローラは、前記第2のページデータをプログラミングしている間に前記第2のページデータに対応する前記隣接セルをプログラミングする場合、前記プログラミングされたセルをさらにプログラミングすることを禁止するようにさらに構成される、請求項14に記載のデバイス。
- 前記コントローラは、論理和関数において、前記第1のページデータを前記第2のページデータの逆数と組み合わせることによって比較するようさらに構成される、請求項14に記載のデバイス。
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