JP4874566B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
図1は、一実施の形態によるNAND型フラッシュメモリのメモリチップの機能ブロック構成を示している。メモリセルアレイ1は、図2に示すように、NANDセルユニットNUを配列して構成される。各NANDセルユニットNUは、複数個(図2の場合、32個)の電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルM0−M31と、その両端をそれぞれビット線BLとソース線CELSRCに接続するための選択ゲートトランジスタS1,S2を有する。
実施の形態1に比べて、高速書き込みが可能でかつ、データ信頼性が高くなる書き込み方式を採用した実施の形態2を次に説明する。実施の形態2のNAND型フラッシュメモリにおける機能ブロック構成、セルアレイ構成、センスアンプ回路構成は、それぞれ実施の形態1で説明した図1、図2及び図3と基本的に変わらない。
Claims (2)
- 電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されて多値データ記憶を行うメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのデータ読み出し及び書き込みを行うセンスアンプ回路と、
前記メモリセルアレイのデータ読み出し及び書き込みを制御するコントローラとを有し、
前記センスアンプ回路は、前記読み出されたデータ及び書き込むデータを記憶する少なくとも2つのデータ記憶回路を有し、
前記コントローラは、前記多値データを構成する下位ページデータの書き込みシーケンスを実行した後、前記メモリセルアレイの既に下位ページデータが書かれている領域への上位ページデータの書き込みシーケンスの始めに前記メモリセルアレイから前記下位ページデータを読み出して前記データ記憶回路の1つに記憶し、前記上位ページデータの書き込みシーケンスの途中で異常終了条件に達したことにより前記上位ページデータの書き込みシーケンスが異常終了する際に、前記データ記憶回路に保持された下位ページデータを前記コントローラ又はチップ外部に待避させる機能を有し、
前記多値データは、上位ページデータ“x”と下位ページデータ“y”により定義される、しきい値電圧の順に“11”,“01”,“10”,“00”が割り付けられた4値データ“xy”であり、
前記下位ページデータの書き込みシーケンスは、
前記メモリセルアレイのデータ“11”に消去されたあるセクタ内のデータ“10”が書かれるべきメモリセルにその所望のしきい値電圧より低いしきい値電圧の中間データ状態を書き込む第1の書き込みシーケンスを含み、
前記上位ページデータの書き込みシーケンスは、
前記セクタ内の前記中間データ状態が書かれたメモリセルに、データ“10”及び“00”を書き込む第2の書き込みシーケンスと、
第2の書き込みシーケンス後、前記セクタ内のデータ“11”のメモリセルに選択的にデータ“01”を書き込む第3の書き込みシーケンスとを含み、
前記第2の書き込みシーケンスにおいて、データ“10”及び“00”と同時に、データ“00”と同じしきい値下限値を持つ第1のフラグデータが書き込まれ、前記第3の書き込みシーケンスにおいて、データ“01”と同時に、これと同じしきい値下限値を持つ第2のフラグデータが書き込まれるものとし、かつ
前記コントローラは、前記メモリセルアレイのあるブロックに対する第2又は第3の書き込みシーケンスが異常終了した場合に、コマンド入力に基づいて、そのブロック内の既に書かれているデータを読み出してスペアブロックに書き込む制御と、上位ページ書き込みエラーとなった下位ページデータを読み出して前記スペアブロックに書き込む制御とを行う
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されて多値データ記憶を行うメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのデータ読み出し及び書き込みを行うセンスアンプ回路と、
前記メモリセルアレイのデータ読み出し及び書き込みを制御するコントローラとを有し、
前記センスアンプ回路は、前記読み出されたデータ及び書き込むデータを記憶する少なくとも2つのデータ記憶回路を有し、
前記コントローラは、前記多値データを構成する下位ページデータの書き込みシーケンスを実行した後、前記メモリセルアレイの既に下位ページデータが書かれている領域への上位ページデータの書き込みシーケンスの始めに前記メモリセルアレイから前記下位ページデータを読み出して前記データ記憶回路の1つに記憶し、前記上位ページデータの書き込みシーケンスの途中で異常終了条件に達したことにより前記上位ページデータの書き込みシーケンスが異常終了する際に、前記データ記憶回路に保持された下位ページデータを前記コントローラ又はチップ外部に待避させる機能を有し、
前記多値データは、上位ページデータと下位ページデータにより定義される、しきい値電圧の順に第1のデータ、第2のデータ、第3のデータ、第4のデータが割り付けられた4値データであり、
前記下位ページデータの書き込みシーケンスは、
前記メモリセルアレイの前記第1のデータに消去されたあるセクタ内の前記第3のデータが書かれるべきメモリセルにその所望のしきい値電圧より低いしきい値電圧の中間データ状態を書き込む第1の書き込みシーケンスを含み、
前記上位ページデータの書き込みシーケンスは、
前記セクタ内の前記中間データ状態が書かれたメモリセルに、前記第3のデータ及び前記第4のデータを書き込む第2の書き込みシーケンスと、
第2の書き込みシーケンス後、前記セクタ内の前記第1のデータのメモリセルに選択的に前記第2のデータを書き込む第3の書き込みシーケンスとを含み、
前記第2の書き込みシーケンスにおいて、前記第3のデータ及び前記第4のデータと同時に、前記第3のデータ及び第4のデータと同じ条件で第1のフラグデータが書き込まれ、前記第3の書き込みシーケンスにおいて、前記第2のデータと同時に、前記第2のデータと同じ条件で第2のフラグデータが書き込まれるものとし、かつ
前記コントローラは、前記メモリセルアレイのあるブロックに対する第2又は第3の書き込みシーケンスが異常終了した場合に、コマンド入力に基づいて、そのブロック内の既に書かれているデータを読み出してスペアブロックに書き込む制御と、上位ページ書き込みエラーとなった下位ページデータを読み出して前記スペアブロックに書き込む制御とを行う
ことを特徴とする半導体記憶装置。
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