JP2009104729A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数ビット単位でデータを記憶する第1の領域11Aと、1ビット単位でデータを記憶する第2の領域11Bとを有し、第1の領域11A及び第2の領域11Bはそれぞれ、複数ビットのデータを閾値電圧に基づいて記憶可能な複数のメモリセルから構成された、不揮発性メモリ11と、第1の領域11Aに含まれる第1のメモリセルに複数ビットのデータを書き込む場合に、複数ビットに応じた複数の閾値電圧を設定し、第2の領域11Bに含まれる第2のメモリセルに1ビットのデータを書き込む場合に、複数ビットのデータ書き込みを実行するコントローラ12とを具備する。
【選択図】図6
Description
本実施形態では、記憶装置としてメモリカードを一例に説明する。メモリカードは、例えば、ホスト装置に対して着脱可能なように構成される。しかし、これに限定されず、記憶装置及びホスト装置を1つのLSI(Large-Scale Integrated Circuit)として構成してもよい。すなわち、ホスト装置が実装されたプリント基板上に、記憶装置を構成するコントローラ及び不揮発性半導体メモリが実装されるようにしてもよい。
第2の実施形態は、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧分布の他の例について示している。NAND型フラッシュメモリ11、及びカードコントローラ12の構成は、第1の実施形態と同じである。図8は、第2の実施形態に係る4値データ領域11Aに含まれる、4値データを保持するメモリセルトランジスタMTの閾値電圧分布を示す図である。
Claims (5)
- 複数ビット単位でデータを記憶する第1の領域と、1ビット単位でデータを記憶する第2の領域とを有し、前記第1の領域及び前記第2の領域はそれぞれ、複数ビットのデータを閾値電圧に基づいて記憶可能な複数のメモリセルから構成された、不揮発性メモリと、
前記第1の領域に含まれる第1のメモリセルに複数ビットのデータを書き込む場合に、複数ビットに応じた複数の閾値電圧を設定し、前記第2の領域に含まれる第2のメモリセルに1ビットのデータを書き込む場合に、前記複数ビットのデータ書き込みを実行するコントローラと、
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記コントローラは、前記第2のメモリセルに1ビットのデータを書き込む場合に、前記複数の閾値電圧のうち2個の閾値電圧を用いることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記2個の閾値電圧は、それらの差が最も大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記コントローラは、前記第1のメモリセルには複数ビットに対応した複数のページデータを順に書き込み、かつ、前記第2のメモリセルには第1のページデータとして1ビットのデータと同じデータ書き込むとともに、残りのページデータとしてダミーデータを書き込むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記ダミーデータは、前記1ビットのデータと同じであることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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