JP2008198299A - データ書き込み方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ワード線WLにそれぞれ接続されたゲートを有する不揮発性のメモリセルMCが直列接続されたNAND型フラッシュメモリ11のデータ書き込み方法であって、データを書き込むべきメモリセルMCのワード線アドレスに応じて、前記データのスクランブル方式を選択するステップS13と、前記選択したスクランブル方式に従って、前記データをスクランブルするステップS14と、前記スクランブルされた前記データを、前記ワード線アドレスに応じた前記メモリセルMCに書き込むステップS15とを具備する。
【選択図】図10
Description
この発明の第1の実施形態に係るメモリシステムについて、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係るメモリシステムのブロック図である。
図示するようにメモリブロックBLKは、ワード線WL方向に沿って配置された(m+1)個のNANDストリングを備えている(mは1以上の自然数)。各々のNANDストリングは、選択トランジスタST1、ST2、及び16個のメモリセルトランジスタMTを備えている。NANDストリング内に含まれるメモリセルトランジスタMTの数は一例に過ぎず、例えば8個、32個、64個、128個等であってもよい。各々のNANDストリングに含まれる選択トランジスタST1は、ドレインがビット線BL0〜BLmのいずれかに接続され、ゲートがセレクトゲート線SGDに共通接続されている。また選択トランジスタST2は、ソースがソース線SLに共通接続され、ゲートがセレクトゲート線SGSに共通接続されている。
なお、以下ではメモリセルトランジスタMTを単にメモリセルMCと呼ぶことがある。
本実施形態に係るメモリカード1では、カラム方向に同一データが続くことの無いよう、データの正転と反転とを混ぜ合わせて(ランダマイズ)、データをメモリセルMCへ書き込む。この際の、外部から入力された1ページの書き込みデータを、一定の規則に従って変えることをスクランブルと呼ぶ。そして、その一定の規則、すなわちスクランブル方式を保持しているのがスクランブルテーブル27である。
(1)半導体記憶装置の動作信頼性を向上出来る。
背景技術で説明したとおり、近年のNAND型フラッシュメモリの大容量化の要請はますます増加している。その反面、書き込み及び読み出しデータの信頼性は徐々に悪くなる傾向にある。その理由として、例えばNAND型フラッシュメモリでは、トンネル電流を利用したデータ記録方式であることから、動作保証温度で記憶データを保持するためにゲート絶縁膜(トンネル酸化膜)の膜厚を一定値以下に薄くする事が出来ない。にもかかわらず、メモリセルトランジスタMTのゲート長、ゲート幅など横方向のサイズを縮小してきたため、いわゆるGIDL(Gate Induced Drain Leak)現象によるデータリテンション(記録データ消失)が顕著になってきたことが挙げられる。
上記(1)で説明したように、本実施形態に係るNAND型フラッシュメモリであると、カラム方向に沿ってデータをランダマイズしている。
次に、この発明の第2の実施形態に係るメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第1の実施形態において、スクランブルされた書き込みデータと共に、スクランブルシードデータを併せてメモリセルに書き込むものである。図14は、本実施形態に係るカードコントローラ12の一部領域のブロック図である。
(3)NAND型フラッシュメモリの性能劣化を伴うことなく、上記(1)の効果が得られる(その2)。
本実施形態に係るデータ書き込み方法であると、スクランブルシードデータを、記録すべきデータと共に、各ページに直接記録している。その結果、ページコピーの制限を受けることなく、スクランブルが可能となる。
Claims (6)
- ワード線にそれぞれ接続されたゲートを有する不揮発性のメモリセルが直列接続されたNAND型フラッシュメモリのデータ書き込み方法であって、
データを書き込むべきメモリセルのワード線アドレスに応じて、前記データのスクランブル方式を選択するステップと、
前記選択したスクランブル方式に従って、前記データをスクランブルするステップと、
前記スクランブルされた前記データを、前記ワード線アドレスに応じた前記メモリセルに書き込むステップと
を具備することを特徴とするデータ書き込み方法。 - 前記ワード線は、少なくとも1本の前記ワード線を挟んで隣接する複数のワード線毎にグループ化され、
同一のグループに属するワード線間においては、前記データのコピーが許可され、
異なるグループに属するワード線間においては、前記データのコピーが禁止される
ことを特徴とする請求項1記載のデータ書き込み方法。 - 前記ワード線は、少なくとも1本の前記ワード線を挟んで隣接する複数のワード線毎にグループ化され、
前記グループは、前記ワード線アドレスM(Mは2以上の自然数)をN(Nは2以上の自然数)で割った余りの数によって分類され、
同一の前記グループ内においては、同一の前記スクランブル方式が選択され、
異なる前記グループ間では、異なる前記スクランブル方式が選択される
ことを特徴とする請求項1記載のデータ書き込み方法。 - 前記スクランブルされた前記データが前記メモリセルに書き込まれる際、同一の前記ワード線アドレスである一部の前記メモリセルに対して、選択された前記スクランブル方式のスクランブルシードデータが書き込まれる
ことを特徴とする請求項1記載のデータ書き込み方法。 - 前記ワード線は、少なくとも1本の前記ワード線を挟んで隣接する複数のワード線毎にグループ化され、
前記スクランブル方式を選択するステップは、前記ワード線アドレスがいずれの前記グループに属するかを判断するステップと、
前記グループ毎に前記スクランブル方式が記録されたスクランブルテーブルから、判断された前記グループに応じた前記スクランブル方式を選択するステップと
を備え、前記スクランブルされた前記データが前記メモリセルに書き込まれる際、同一の前記ワード線アドレスである一部の前記メモリセルに対して、前記スクランブルテーブルにおいて前記グループ毎に付与されたインデックスデータが書き込まれる
ことを特徴とする請求項1記載のデータ書き込み方法。 - 第1ワード線にゲートが接続された不揮発性の第1メモリセルと、前記第1ワード線に隣接する第2ワード線にゲートが接続された不揮発性の第2メモリセルとが直列接続されたNAND型フラッシュメモリのデータ書き込み方法であって、
第1スクランブル方式に従って、第1データをスクランブルするステップと、
スクランブルされた前記第1データを前記第1メモリセルに書き込むステップと、
前記第1スクランブル方式と異なる第2スクランブル方式に従って、第2データをスクランブルするステップと、
スクランブルされた前記第2データを前記第2メモリセルに書き込むステップと
を具備することを特徴とするデータ書き込み方法。
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