DE202004021017U1 - Messsonden-Prüfstruktur - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 26
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003716 rejuvenation Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R35/00—Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
- G01R35/005—Calibrating; Standards or reference devices, e.g. voltage or resistance standards, "golden" references
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/04—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant in circuits having distributed constants, e.g. having very long conductors or involving high frequencies
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/26—Measuring noise figure; Measuring signal-to-noise ratio
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R35/00—Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R35/00—Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
- G01R35/005—Calibrating; Standards or reference devices, e.g. voltage or resistance standards, "golden" references
- G01R35/007—Standards or reference devices, e.g. voltage or resistance standards, "golden references"
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
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- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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- H01P1/16—Auxiliary devices for mode selection, e.g. mode suppression or mode promotion; for mode conversion
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- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
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- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
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- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06772—High frequency probes
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
Kalibriersubstrat
zum Kalibrieren einer Messsonde mit:
(a) einem von dem Substrat gestützten ersten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden;
(b) einem von dem Substrat gestützten zweiten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden;
(c) einem von dem Substrat gestützten dritten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden;
(d) einem von dem Substrat gestützten vierten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn einer weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden;
(e) einem von dem Substrat gestützten fünften leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden;
(f) einem von dem Substrat gestützten sechsten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden;
(g) bei dem das...
(a) einem von dem Substrat gestützten ersten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden;
(b) einem von dem Substrat gestützten zweiten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden;
(c) einem von dem Substrat gestützten dritten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden;
(d) einem von dem Substrat gestützten vierten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn einer weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden;
(e) einem von dem Substrat gestützten fünften leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden;
(f) einem von dem Substrat gestützten sechsten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden;
(g) bei dem das...
Description
- Hintergrund der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft Kalibrierstrukturen bzw. Kalibrieranordnungen für Messsondenvorrichtungen, und insbesondere verbesserte Kalibrierstrukturen zum Supprimieren unerwünschter elektromagnetischer Moden, die von dem Substrat der Kalibrierstruktur herrühren.
- Koplanare Transmissionsstrukturen, beispielsweise koplanare Wellenleiter, koplanare Streifenleitungen, koplanare Schlitzleitungen und dgl., werden bei einer großen Anzahl elektronischer Applikationen verwendet. Zum Beispiel werden koplanare Wellenleiter in Messsonden verwendet, die dazu geeignet sind, Halbleiter bei Frequenzen von mehreren GHz zu messen, wie zum Beispiel in dem U.S. Patent 4,697,143 beschrieben ist. Die in dem '143 Patent beschriebene Messsonde besitzt ein Aluminiumsubstrat mit nahezu dreieckiger Form, auf dem ein koplanarer Wellenleiter gebildet ist, welcher zur Dreiecksspitre hin verjüngt ausgebildet ist. Ein mikrowellenabsorbierendes Bulkmaterial, das Eisen oder Ferrit enthält und einen hohen magnetischen Verlustkoeffizient besitzt, wird an beiden Oberflächen des Substrats angebracht, um den Effekt ungewollter Ausbreitungsmoden zu verringern. Eine dieser Ausbreitungsmoden besitzt eine Energie, die sich bis zu dem Messsondensubstrat ausbreitet und von dem Messsondenbefestigungsblock reflektiert wird und zurück zu dem Substrat gelangt, was zu unerwünschten Verzerrungen der Messsignale führt.
- Messsonden gestatten relativ genaue On-Wafer Messungen von sehr kleinen Bauteilen, beispielsweise von Transistoren, Spulen, Kondensatoren, Widerständen und dgl., bei Frequenzen von null Hz (Gleichstrom) bis einigen hundert GHz. Werden ein oder mehrere solcher Messsonden verwendet, können relativ genaue Messungen vorgenommen werden, die zu einem Vektor-Netzwerkanalysator verbunden sind, wobei das System im Anschluss unter Verwendung eines Kalibriersubstrats kalibriert wird. Das Kalibriersubstrat besitzt verschiedene Arten von darauf gebildeten, planaren Kalibrierelementen, beispielsweise Kalibrierelemente vom LRL („line-reflect-line") -Typ, Kalibrierelemente vom LRM ("line-reflect-match") -Typ, Kalibrierelemente vom OSL-T ("open-short-load-through") -Typ und dgl. Abweichungen vom idealen Antwortverhalten der Kombination aus Messsonde/Kalibriersubstrat werden in dem Netzwerkanalysator gespeichert, und es werden normalerweise Softwarealgorithmen verwendet zur Kompensation der erfassten Abweichungen sowie des nicht idealen Antwortverhaltens des Netzwerkanalysators und der Grenzfläche der Messsonde.
- Das Kalibriersubstrat befindet sich auf einem leitfähigen Halter und wird normalerweise mittels Vakuum in Position gehalten. Der leitfähige Halter dient als Masseebene für die unerwünschten Mikrostreifenmoden, wenn ein Signal an der Messsonde angelegt wird. Zusätzlich zu den unerwünschten Mikrostreifenmoden breiten sich unerwünschte Oberflächenwellenmoden durch das Substrat aus. Abstandsstücke aus Quarz wurden unterhalb des Kalibriersubstrats gelegt, um in dem Kalibriersubstrat erzeugte Störmoden zu verringern. Selbst mit den Abstandsstücken aus Quarz erzeugen die Störmoden jedoch weiterhin Resonanzen, beispielsweise in dem Verhältnis von eingehendem zu reflektierten Signal, wie es von dem Netzwerkanalysator gemessen wird.
- Erfolglose Versuche sind unternommen worden, um die Oberflächenwellenmoden auf dem Kalibriersubstrat dadurch zu verringern, dass eine begrenzte Menge an verlustreichem Material, beispielsweise Nickelchrom (Nickelchromlegierung), entlang gegenüberliegender Ränder der Kalibrierelemente aufgebracht wird. Die Abmessungen des Nickelchrommaterials sind jedoch sehr viel kleiner als die Wellenlänge des Signals, das in das Kalibrierelement eingekoppelt wird. Deshalb besitzt es eine sehr geringe Wirkung hinsichtlich der Oberflächenwellenmoden, die sich entlang der unteren Oberfläche des Substrats ausbreiten. Zusätzlich besitzt es geringe Wirkung hinsichtlich der von dem leitfähigen Halter erzeugten Mikrostreifenmoden, der als Masseebene für die Kalibrierelemente dient.
- Bezugnehmend auf die
1 ist eine Querschnittsansicht der koplanaren Transmissionsstruktur10 gezeigt, die in dem U.S. Patent 5,225,796 beschrieben ist. Die koplanare Transmissionsstruktur10 umfasst ein Substrat12 mit einer koplanaren Transmissionsleitung14 , die als ein koplanarer Transmissionswellenleiter gezeigt ist, und die auf einer Oberfläche desselben gebildet ist. Das Substrat12 ist aus einem dielektrischen Material, beispielsweise Aluminium oder Saphir, gebildet. Die koplanare Transmissionsleitung14 kann ebenso eine wie in2 gezeigte koplanare Streifenleitung sein. Der koplanare Transmissionswellenleiter14 umfasst einen mittleren Streifen16 mit zwei Masseebenen18 und20 , die parallel zu und in der Ebene der Streifenleitung16 angeordnet sind. Die koplanare Transmissionsleitung14 bestimmt die elektromagnetische Strahlungsmode, die sich entlang der Transmissionsleitung14 ausbreitet, beispielsweise als guasi-TEM Ausbreitungsmode. Die gegenüberliegen de Oberfläche des Substrats12 besitzt eine Schicht aus darauf gebildetem verlustreichem Widerstandsmaterial22 , beispielsweise Nickelchrom, Tantalnitrid oder dgl. - Die Verwendung eines verlustreichen Widerstandmaterials zielt darauf ab, die störenden dämpfenden oder sich ausbreitenden elektromagnetischen Moden der koplanaren Transmissionsstruktur abzuschwächen.
2A zeigt eine Draufsicht einer koplanaren Transmissionsstruktur mit einer asymmetrischen koplanaren Streifenleitung24 , die auf einer Oberfläche eines Saphirsubstrats26 gebildet ist. Eine Nickelchromschicht28 ist benachbart der Masse der Streifenleitung27 abgeschieden und damit verbunden. Die Querschnittsansicht der2B zeigt einen weiteren Ansatz, um verlustreiches Material hinzuzufügen, wobei die Nickelchromschicht13 auf der gegenüberliegenden Oberfläche des Substrats26 gebildet ist. - Unglücklicherweise ergeben die in den
1 und2 gezeigten Strukturen relativ verzerrte Signale über einen großen Frequenzbereich. Die Verzerrung ergibt sich aus den unerwünschten Moden, die sich in dem Substrat ausbreiten. Die genaue Ursache der unerwünschten Moden ist unbekannt, was zu Schwierigkeiten bei der Verringerung der unerwünschten Moden führt. Die Verzerrungspegel sind hinreichend groß, dass im Hinblick auf genaue Messungen das Kalibriersubstrat schlichtweg keine Wirkung zeigt. - Ein von der „Cascade Microtech" aus Beaverton, Oregon erhältliches Kalibriersubstrat umfasst eine Reihe von Kalibrierstrukturen. Bezugnehmend auf die
3 umfassen die Kalibrierstrukturen eine Reihe leitfähiger Elemente54 , die von dem Substrat gestützt und räumlich über dem Substrat angeordnet sind. Ähnliche leitfähige Elemente sind zu einem Feld angeordnet. Um das Frequenzverhalten wirkungsvoll zu erhöhen und das Frequenzverhalten der Mikrostreifenmode der leitfähigen Elemente zur Basis des Substrats zu glätten, befindet sich eine geringe Menge an Widerstandsmaterial56 benachbart dem Ende eines jeden leitfähigen Elements. Die breiteren leitfähigen Elemente sind ungefähr 525 μm breit und die dünneren leitfähigen Elemente sind ungefähr 100 μm breit, und es besteht ein Abstand von ungefähr 750 μm zwischen den Spalten des leitfähigen Materials. Das Widerstandsmaterial besitzt eine Länge von ungefähr 150 μm und eine Breite, die gleich der des leitfähigen Materials ist. Die Länge der leitfähigen Elemente beträgt ungefähr 1.400 μm. Die Spalte der leitfähigen Elemente60 ist für offene Kalibrierprüfungen („open"), die Spalte der leitfähigen Elemente62 ist für Kalibrierprüfungen unter Last („load"), die Spalte der leitfähigen Elemente64 ist für Kalibrierprüfungen mit Kurzschluss („short"), die Spalte der leitfähigen Elemente66 ist für Leitfähigkeitsprüfungen mit Durchgang („through") und die Spalte der leitfähigen Elemente68 ist für Leitfähigkeitsprüfungen mit Schleife und Durchgang („loop back through") gedacht. - Während eine verbesserte Messgenauigkeit vorgesehen wird, umfasst die resultierende Struktur eine Resonanz bei ungefähr 33 GHz mit einer Abweichung von ungefähr 0,10-0,15 dB von null (0 dB), wenn eine Kalibrierstruktur mit Kurzschluss gemessen wird (S11-Messung), wie in
4 gezeigt ist. Der S11-Wert in dB wird als 20*log(x) berechnet, wobei x der Wert des Rücklaufsignals ist und der Eingang auf 1 normalisiert ist. Diese Resonanz erschwert das Prüfen von Halbleitern im allgemeinen Bereich von 33 GHz, da die Kalibrierung des Systems schwierig ist. Im Falle eines resonanten Systems ist Q ein Maß für die Breite der Resonanzspitre im Frequenzverhalten des Systems und ist umgekehrt proportional zur Dämpfung in dem System und kann ebenso als die Blindkomponente über der Wirkkomponente der Impedanz, die die Resonanz verursacht, betrachtet werden. Beispielsweise ist Q =(mittlere Frequenz in Hz)/(Bandbreite (0,707-fache (3 dB Wertverringerung) unter dem maximalen Wert bei der mittleren Frequenz)). Bezugnehmend auf die4 beträgt der Q-Faktor der Impedanz, die die Resonanz bei 33 GHz verursacht, ungefähr 22. Wünschenswert sind Kalibrierstrukturen, die ungewollte Störmoden verringern. - Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
1 ist eine Querschnittsansicht einer koplanaren Transmissionsstruktur. -
2A –B sind Ansichten in Draufsicht und im Querschnitt von koplanaren Streifenleitungen, die Widerstandsschichten enthalten. -
3 stellt ein bestehendes Kalibriersubstrat dar. -
4 stellt eine S11-Antwort auf einen Kurzschluss dar ohne widerstandsmäßige Beendigung der Mikrostreifenmode. -
5 stellt ein modifiziertes Kalibriersubstrat dar. -
6A bis6E stellen Kalibrierbereiche dar. -
7 stellt einen LC-Schaltkreis dar. -
8 stellt einen LCR-Schaltkreis dar. -
9 stellt eine S11-Antwort auf einen Kurzschluss dar ohne widerstandsmäßige Beendigung der Mikrostreifenmode. -
10 stellt ein Smith-Diagramm der Impedanzanpassungen der Messsondenimpedanz ohne Widerstandsmaterial dar. -
11 stellt ein Smith-Diagramm der Impedanzanpassungen der Messsondenimpedanz mit begrenztem Widerstandsmaterial dar. -
12 stellt eine weitere Kalibrierstruktur dar. - Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
- Bezugnehmend auf die
5 ist ein Kalibriersubstrat dargestellt, das ein oder mehrere leitfähige Elemente umfasst. Die Strukturen auf dem Kalibriersubstrat werden vom Hersteller mit einem gewissen Grad an Genauigkeit modelliert, so dass die Messsonde, der Netzwerkanalysator und die Verkabelung zwischen der Messsonde und dem Netzwerkanalysator mit einem gewissen Grad an Exaktheit genauestens modelliert werden können. - Die bevorzugten Abmessungen beinhalten, dass die breiteren leitfähigen Elemente ungefähr 525 μm breit sind und die dünneren leitfähigen Elemente ungefähr 100 μm breit sind. Die Länge der Leiter beträgt vorzugsweise 1.400 μm. Die Säule der leitfähigen Elemente
160 ist für offene Kalibriertests, die Säule der leitfähigen Elemente162 ist für Lastkalibriertests, die Säule der leitfähigen Elemente164 ist für Kalibriertests mit Kurzschluss, die Säule der leitfähigen Elemente166 ist für Leitfähigkeitstests mit Durchgang und die Säule der leitfähigen Elemente168 ist für Leitfähigkeitstests mit Schleifen und Durchgang gedacht. Allgemein befinden sich die Signalbahnen auf den kleinen leitfähigen Bereichen innerhalb jedes großen leitfähigen Bereichs. Auf ähnliche Weise befinden sich allgemein die Massebahnen auf den größeren leitfähigen Bereichen. In einigen Fällen sind die leitfähigen Signal- und Masseabschnitte miteinander verbunden. Bezugnehmend auf die6A umfasst zum Beispiel der offene Leitfähigkeitstest160 für einen dualen Bahntest ein Paar leitfähige Signalbereiche200 und202 und einen leitfähigen Massebereich204 . Bezugnehmend auf die6B umfasst zum Beispiel der Leitfähigkeitstest162 für einen dualen Bahntest ein Paar leitfähige Signalbereiche210 und212 und einen leitfähigen Massebereich214 , wobei die jeweiligen leitfähigen Bereiche210 und212 über ein Widerstandsmaterial216 verbunden sind, beispielsweise ein Widerstandsmaterial mit 50 Ohm/Flächeneinheit. Bezugnehmend auf die6C umfasst zum Beispiel der Leitfähigkeitstest164 mit Kurzschluss für einen dualen Bahntest ein Paar leitfähige Signalbereiche220 und222 und einen leitfähigen Massebereich224 , der mit den leitfähigen Signalbereichen220 und222 elektrisch verbunden ist. Bezugnehmend auf die6D umfasst zum Beispiel der Leitfähigkeitstest mit Durchgang166 für einen dualen Bahntest ein Paar leitfähige Signalbereiche230 und232 und einen leitfähigen Massebereich234 . Bezugnehmend auf die6E umfasst zum Beispiel der Leitfähigkeitstest mit Schleife168 für einen dualen Bahntest ein Paar leitfähige Signalbereiche240 und242 und einen leitfähigen Massebereich244 . - Die Kalibrierung kann jedes beliebige Verfahren umfassen, wie zum Beispiel LRM ("line-reflect-match"), SOL ("short-open-load"), TRL ("through-reflect line"), LRRM ("line-reflect-reflect-match"), SOLT ("short-open-load-through") und SOLR ("short-open-load-reciprocal") Verfahren. Abweichungen vom idealen Antwortverhalten der Kombination aus Messsonde und Kalibriersubstrat werden in dem Netzwerkanalysator gespeichert und Softwarealgorithmen können verwendet werden, um diese erfassten Abweichungen sowie das nicht ideale Antwortverhalten des Netzwerkanalysators und die Grenzfläche zur Messsonde zu kompensieren.
- Der vorliegende Erfinder zog diese Effekte der Resonanzfrequenz, die bei ungefähr 33 GHz bei der in
3 gezeigten Struktur auftritt, in Betracht. Der vorliegende Erfinder vermutete, dass eine mögliche Erklärung für den beobachteten Effekt darin liegt, dass es eine signifikante Kapazität "CStruktur" zwischen benachbarten Säulen der Kalibrierstrukturen mit Widerstand/Leiter/Widerstand gibt. Während des Kalibrierprozesses gibt es zusätzlich eine weitere signifikante Kapazität "CMesssonde" zwischen der Messsonde selbst und der benachbarten Kalibrierstruktur zu derjenigen, die getestet wird. Während des Kalibrierprozesses hat die Massebahn der Messsondenspitze ferner eine signifikante Induktivität LSpitze. Wie in7 dargestellt ist, führt das resultierende Paar an Kapazitäten CStruktur und CMesssonde zusammen mit der Induktivität LSpitze zu einer Spule-Kondensator (LC)-Resonanzstruktur. - Diese LC-Resonanzstruktur variiert dadurch, dass eine zusätzliche Induktivität der Messsondenspitze und eine zusätzliche gegenseitige Induktivität zwischen den Messsondenspitzen enthalten ist, wenn das Substrat für die Kalibrierung einer dualen (oder mehr) Signalbahn-Messsonde verwendet wird. Zum Beispiel kann die Messson de eine Struktur aus Masse/Signal/Masse/Signal/Masse umfassen, bei der die beiden Signalbahnen sich auf unterschiedlichen leitfähigen Elementen während der Kalibrierung befinden. Das Substrat kann gleichermaßen für Kalibrierungen mit einem einzigen Anschluss zwischen einem Messsondenpaar oder für Kalibrierungen mit einer einzigen Messsonde oder einem bis mehreren Anschlüssen verwendet werden. In den meisten Fällen können die Signalleitungen für den Eingang oder den Ausgang, oder beides, verwendet werden.
- Die Erkenntnis, dass zwischen leitfähigen Abschnitten des Substrats eine Kapazität vorhanden ist, ermöglicht einen Einblick in eine potentielle Ursache der unerwünschten Verzerrung. Ein Verfahren zur Modifikation der Verzerrung kann darin bestehen, indem die leitfähigen Elemente mit einem größeren Abstand zueinander angeordnet werden. Dies führt zu einer Abnahme der Kapazität zwischen den leitfähigen Elementen. Während die Kapazität zwischen den leitfähigen Elementen abnimmt, erhöht sich die Resonanzfrequenz des effektiven LC-Schaltkreises. Mit hinreichender Zunahme der Resonanzfrequenz kann diese bei einer Frequenz auftreten, die bei der Messung keine Rolle spielt, beispielsweise oberhalb 200 GHz. Unglücklicherweise führt der größere Abstand zwischen den leitfähigen Elementen zu einer geringeren Anzahl an Kalibrierstrukturen auf dem Substrat, die nach wiederholter Verwendung verschlissen werden.
- Eine weitere Resonanz kann dann auftreten, wenn die Länge und die Breite des Masseleiters sich einer halben Wellenlänge bei den in Frage kommenden Frequenzen nähert. In diesem Fall koppeln CMesssonde und CStruktur zusätzlich zu solchen Resonatoren, die weiter die erwünschten Signale verzerren können.
- Um ein besser geeignetes Kalibriersubstrat vorzusehen, während gleichzeitig die identifizierten Resonanzen verringert werden, erkannte der vorliegende Erfinder, dass ein Widerstandselement
170 in dem LC-Schaltkreis enthalten sein sollte, um gewissermaßen einen LCR-Schaltkreis vorzusehen, wie er in8 dargestellt ist. Das zusätzliche Widerstandselement RStruktur ist hinreichend, um die Resonanzaspekte der Struktur auf ein hinreichend geringes Niveau abzudämpfen. Bei der bevorzugten Struktur verbindet das Widerstandselement die zwei benachbarten leitfähigen Elemente. Messungen, die von der modifizierten Struktur herrühren, zeigen eine Abweichung vom Idealfall von weniger als 0,02 dB bei einer Messung der kurzgeschlossenen Struktur (S11-Messung). Im Gegensatz dazu besaßen die zuvor existierenden Strukturen, die ein Widerstandsmaterial umfassten, keinen hinreichend breiten Widerstandsbereich, um die Resonanz(en), egal welchen Ursprunges, zu verringern. Der vorliegende Erfinder vermutete, dass die schmalen Widerstände von bereits existierenden Strukturen eine nicht hinreichende Kapazität zwischen dem Widerstandsmaterial und der Masseebene vorsehen, so dass ein kleiner Strom in das Widerstandsmaterial fließt, was zu einem relativ hohen Q-Faktor führt. Entsprechend vermutete der vorliegende Erfinder, dass mit dem zusätzlichen Widerstandsmaterial oder dem zusätzlichen Widerstand eine hinreichende Kapazität zwischen dem Widerstandsmaterial und der Masseebene besteht, so dass ein hinreichender Strom in das Widerstandsmaterial fließt, und so der Q-Faktor der Resonatorstruktur, die durch den Masseleiter erzeugt wird, herabgesenkt wird. - Die modifizierte Struktur besitzt eine zuvor nicht erreichbare Charakteristik mit einem Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 5 GHz und 100 GHz, vorzugsweise zwischen 10 GHz und 70 GHz, und noch bevorzugter zwischen 20 und 60 GHz, und noch weiter bevorzugt zwischen 30 GHz und 50 GHz, oder/und bevorzugt einen Verlust von weniger als 0,025 dB zwischen diesen Bereichen (S11-Messung). Diese Messung kann als die Vektordifferenz zwischen der S11 der Struktur und der S11 eines relativ zuverlässigen Kurzschlusses ("short") oder Durchganges ("open") charakterisiert werden. Weiterhin gestattet die modifizierte Struktur eine deutliche Verringerung des Q-Faktors der Resonanz, beispielsweise auf einem Wert von weniger als 5, und noch bevorzugter weniger als 3, und weiterhin bevorzugt weniger als 2, und noch weiter bevorzugt weniger als ungefähr 1. Während das Widerstandsmaterial vorzugsweise mit beiden leitfähigen Materialien verbunden ist und über den gesamten Abstand zwischen den leitfähigen Materialien verläuft, so kann gleichermaßen weniger Widerstandsmaterial, falls erwünscht, verwendet werden. Zum Beispiel kann das Widerstandsmaterial sich über mindestens 50% des Abstandes zwischen den leitfähigen Elementen erstrecken, noch bevorzugter über mindestens 75% des Abstandes zwischen den leitfähigen Elementen, und noch bevorzugter über mindestens 90% des Abstandes zwischen den leitfähigen Elementen, und weiterhin bevorzugt über mindestens 95% des Abstandes zwischen den leitfähigen Elementen. Weiterhin kann das Widerstandsmaterial zwischen den Säulen des leitfähigen Materials enthalten sein und sich über den gesamten Abstand zwischen den leitfähigen Materialien erstrecken. Es kann ebenso weniger Widerstandsmaterial zwischen den Säulen der leitfähigen Materialien enthalten sein, falls erwünscht, und noch bevorzugter zwischen den leitfähigen Materialien. Zum Beispiel kann sich das Widerstandsmaterial über mindestens 50% des Abstandes zwischen den leitfähigen Elementen erstrecken, noch bevorzugter über mindestens 75% des Abstandes zwischen den leitfähigen Elementen, und noch weiter bevorzugt über mindestens 90% des Abstandes zwischen den leitfä higen Elementen, und noch weiter bevorzugt über mindestens 95% des Abstandes zwischen den leitfähigen Elementen.
- Als Darstellung wurde ein Test ohne zusätzliches Widerstandsmaterial durchgeführt, und ein Anzeichen für eine Resonanz des leitfähigen Elements scheint dann aufzutreten, wenn die Impedanz der Messsonde und der Systemimpedanz bei ungefähr 22 GHz und 52 GHz, wie in
10 dargestellt ist, angepasst ist. Zusätzlich wird bei 33 GHz die Resonanz beobachtet, während der Kurzschluss an einem leitfähigen Element gemessen wird. Mit benachbarten Widerständen, die einen Widerstand von ungefähr 60 Ohm besitzen, ist die Blindkomponente der Impedanz von 60-j60 bei ungefähr 33 GHz allgemein angepasst, wie in11 dargestellt ist. Der vorliegende Erfinder vermutete, dass eine weitere potentiale Ursache für diesen Effekt darin besteht, dass das zusätzliche Widerstandsmaterial, wie in5 gezeigt ist, tatsächlich im Wesentlichen dem Imaginärteil (mit einem Fehler von ≤ 10%) der Modenumwandlung bei dieser Frequenz angepasst ist, um die Resonanz zu verringern oder andererseits zu beseitigen. - Basierend auf der voranstehend erwähnten Beobachtung zog der vorliegende Erfinder in Betracht, dass bei dem Kalibrierungsprozess die Messsonde ein Signal vorwiegend in einer einzelnen Mode hält, beispielsweise eine CPW-Mode (koplanarer Wellenleiter). Das Signal, das sich in der CPW-Mode ausbreitet, wird dem Kalibriersubstrat auferlegt. Der Großteil des Signals wird in der CPW-Mode durch das Kalibriersubstrat gehalten. Ein Teil des Signals in der CPW-Mode wird jedoch durch die Kalibrierstrukturen in andere Moden umgewandelt, beispielsweise in eine Mikrostreifenmode zwischen den leitfähigen Elementen und der Unterseite des Substrats. Bei besonderen Frequenzen für besondere Konfigurationen tritt diese Modenumwandlung von CPW in Mikrostreifen deutlich auf, beispielsweise bei 33 GHz, wie voranstehend erläutert wurde. Entsprechend besteht eine Erklärung der nützlichen Wirkungen des Widerstandsmaterials darin, dass es die Mikrostreifenmode in einem Widerstand beendet, der im Wesentlichen gleich seiner charakteristischen Impedanz ist. Falls der Widerstandsbereich nicht mit anderen Leitern verbunden ist, sollte dieser breit genug sein, um eine hinreichende Kapazität zur Masseebene zu erzeugen, um so zu bewirken, dass der Masseleiter sich einer Impedanz gegenüber sieht, die im Wesentlichen gleich der charakteristischen Impedanz der unerwünschten Mode ist (innerhalb ± 25%, und noch bevorzugter innerhalb ± 10%). Das Widerstandsmaterial besitzt vorzugsweise einen Widerstand, der innerhalb ± 25%, und noch bevorzugter innerhalb ± 10%, der charakteristischen Impedanz der Mikrostreifenmode liegt. Ebenso ist die Länge des Widerstandsmaterials vorzugsweise hinreichend, um eine Impedanz vor zusehen, die im Wesentlichen gleich der charakteristischen Impedanz der unerwünschten Mode ist, vorzugsweise innerhalb ± 10%, noch bevorzugter innerhalb ± 25%. Ebenso ist der Bereich des Widerstandsmaterials vorzugsweise hinreichend, um eine Impedanz vorzusehen, die im Wesentlichen gleich der charakteristischen Impedanz der unerwünschten Mode ist, vorzugsweise innerhalb ± 10%, und noch bevorzugter innerhalb ± 25%. Die Dicke des Substrats und/oder ihre Dilektrizitätskonstante ist vorzugsweise hinreichend, so dass der leitfähige Bereich (Masseleiter und/oder Signalleiter) und/oder das Widerstandsmaterial eine Impedanz besitzt, die im Wesentlichen gleich der charakteristischen Impedanz der unerwünschten Mode ist, vorzugsweise innerhalb ± 10%, und noch bevorzugter innerhalb ± 25%.
- In vielen Fällen steht die charakteristische Impedanz der Mikrostreifenmode zur Masseebene in Beziehung zu dem Verhältnis der Breite des Mikrostreifens (Widerstand und/oder leitfähiger Bereich (Masseleiter und/oder Signalleiter)) zur Dicke des Substrats. Deshalb kann das Widerstandsmaterial als eine sehr verlustreiche Mikrostreifenleitung mit ähnlicher Impedanz angesehen werden, die vorzugsweise eine Länge besitzt, die im Wesentlichen gleich der Länge des Masseleiters ist, und zwar innerhalb ± 10%, innerhalb ± 25%, innerhalb ± 50%, innerhalb ± 75%. Falls das Widerstandselement als eine Reihe von stückhaften Elementen angesehen wird, besitzt eine längere Widerstandsstruktur eine höhere Kapazität zu der Masseebene, und auf diese Weise wird ein Anschlusswiderstand vorgesehen.
- Bei anderen Ausführungsformen kann das Widerstandsmaterial eine Länge von mehr als 300 μm besitzen, und vorzugsweise mehr als 500 μm, und noch bevorzugter mehr als 750 μm. Das Widerstandsmaterial kann gleichermaßen die gleiche Breite wie der leitfähige Bereich besitzen, oder ≤ 25% der gleichen Breite. Ebenso kann das Widerstandsmaterial dahingehend charakterisiert werden, dass es einen Gesamtwiderstand (pro Seite) von mehr als 40 Ohm besitzt, vorzugsweise mehr als 45 Ohm, noch bevorzugter mehr als 50 Ohm, und weiterhin noch bevorzugter mehr als 55 Ohm. Des Weiteren können die S11-Charakteristika, die Q-Faktorcharakteristika, die Charakteristika des Widerstandsmaterials und die Blinkomponenten-Charakteristika in Beziehung zu einer einzelnen Kombination eines leitfähigen Elements und eines Widerstandsmaterial stehen, ohne dass es eine Beziehung zu anderen leitfähigen Elementen oder anderen Widerstandselementen gibt.
- Die hier beschriebenen Beziehungen können unabhängig von der Art des verwendeten Widerstandsmaterials in Betracht gezogen werden. Ebenso gelten die hier beschriebenen Beziehungen vorzugsweise für ein Widerstandsmaterial mit ungefähr 50 Ohm pro Flächeneinheit (± 5%, ± 10%, ± 25%). Falls der Widerstand des Widerstandsmaterials jedoch einen anderen Wert als 50 Ohm pro Flächeneinheit besitzt, so kann die Breite des leitfähigen Bereichs (Masseleiter und/oder Signalleiter) und/oder das Widerstandsmaterial, die Dicke des Substrats, die dielektrische Konstante des Substrats, die Länge des leitfähigen Bereichs (Masseleiter und/oder Signalleiter) und/oder das Widerstandsmaterial derart modifiziert werden, dass die gleichen Verhältnisse und/oder die gleiche charakteristische Impedanz-Anpassung aufrechterhalten werden/wird.
- Das Substrat kann ein mikrowellenabsorbierendes Material zwischen dem Substrat und dem Halter, falls erwünscht, umfassen. Ferner kann das mirkowellenabsorbierende Material sich an den Seiten und/oder der oberen Oberfläche des Substrats befinden, falls erwünscht. Ebenso kann der Halter beispielsweise leitfähig, isolierend, verlustreich sein, oder er kann eine obere dielektrische Schicht, ein oberes mikrowellenabsorbierendes Material stützen. Zusätzlich können die Charakteristika des Widerstandsmaterials gleichermaßen in den leitfähigen Bereichen auf Kalibriersubstraten für einen einzelnen Kanal enthalten sein, beispielsweise lediglich ein Massebereich und ein Signalbereich.
- Das Widerstandsmaterial kann unterschiedliche Flächenwiderstände besitzen, um so an unterschiedliche Applikationsbedürfnisse in Abhängigkeit von der charakteristischen Impedanz des zu testenden Bauteils angepasst zu sein. Zusätzlich kann das verlustreiche Material zu unterschiedlichen Formen gemustert sein, um spezifische Applikationsbedürfnisse zu erfüllen.
- Eine weitere Kalibrierstruktur ist in
12 gezeigt, die für membranartige Messsonden geeignet ist, die von „Cascade Microtech, Inc." aus Beaverton, Oregon erhältlich sind. Die Struktur umfasst leitfähige Bereiche, beispielsweise länglich ausgebildete Masseleiter mit einem Signalleiter zwischen einem Paar von Masseleitern, die durch einen Spalt oder dielektrisches Material getrennt sind. Die leitfähigen Bereiche sind vorzugsweise über Spalten aus dielektrischen Material voneinander beabstandet. Zwischen den unterschiedlichen leitfähigen Bereichen kann dielektrisches oder resistives Material vorhanden sein. Der mittlere Bereich umfasst einen großen leitfähigen Bereich und einzelne Felder für die Messsondenkontakte, die von dem großen leitfähigen Bereich elektrisch isoliert sein können. - Die Begriffe und Ausdrücke, die in der voranstehenden Beschreibung benutzt worden sind, werden darin als Begriffe der Beschreibung und nicht als Einschränkung ver wendet, und es besteht bei der Verwendung solcher Begriffe und Ausdrücke keine Absicht dahingehend, äquivalente Merkmale, oder Teile davon, die gezeigt und beschrieben sind, auszuschließen, und es wird klar erkannt, dass der Bereich der Erfindung lediglich durch die im Anschluss folgenden Ansprüche bestimmt und begrenzt ist.
Claims (66)
- Kalibriersubstrat zum Kalibrieren einer Messsonde mit: (a) einem von dem Substrat gestützten ersten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (b) einem von dem Substrat gestützten zweiten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (c) einem von dem Substrat gestützten dritten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (d) einem von dem Substrat gestützten vierten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn einer weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (e) einem von dem Substrat gestützten fünften leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (f) einem von dem Substrat gestützten sechsten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (g) bei dem das dritte leitfähige Element und das sechste leitfähige Element voneinander beabstandet sind und ein Widerstandsmaterial sich über mindestens 50% des Abstandes zwischen dem dritten leitfähigen Element und dem sechsten leitfähigen Element erstreckt.
- Substrat nach Anspruch 1, bei dem das Widerstandsmaterial sich über mindestens 75% des Abstandes zwischen dem dritten und dem sechsten leitfähigen Element erstreckt.
- Substrat nach Anspruch 1, bei dem das Widerstandsmaterial sich über mindestens 90% des Abstandes zwischen dem dritten und dem sechsten leitfähigen Element erstreckt.
- Substrat nach Anspruch 1, bei dem das Widerstandsmaterial sich über mindestens 95% des Abstandes zwischen dem dritten und dem sechsten leitfähigen Element erstreckt.
- Substrat nach Anspruch 1, bei dem das Widerstandsmaterial sich über mindestens 100% des Abstandes zwischen dem dritten und dem sechsten leitfähigen Element erstreckt.
- Kalibriersubstrat zum Kalibrieren einer Messsonde mit: (a) einem von dem Substrat gestützten ersten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (b) einem von dem Substrat gestützten zweiten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (c) einem von dem Substrat gestützten dritten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (d) einem von dem Substrat gestützten vierten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn einer weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (e) einem von dem Substrat gestützten fünften leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (f) einem von dem Substrat gestützten sechsten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (g) bei dem das dritte leitfähige Element und das sechste leitfähige Element voneinander beabstandet sind und ein Widerstandsmaterial sich zumindest teilweise zwischen dem dritten leitfähigen Element und dem sechsten leitfähigen Element erstreckt, und bei dem die S11-Charakteristik des ersten, zweiten und dritten leitfähigen Elements einen Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 30 GHz und 50 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 6, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 20 GHz und 60 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 6, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 10 GHz und 70 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 6, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 10 GHz und 100 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 6, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,025 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 7, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,025 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 8, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,025 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 9, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,025 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 6, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,02 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 7, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,02 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 8, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,02 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 9, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,02 dB besitzt.
- Kalibriersubstrat zum Kalibrieren einer Messsonde mit: (a) einem von dem Substrat gestützten ersten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (b) einem von dem Substrat gestützten zweiten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (c) einem von dem Substrat gestützten dritten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (d) einem von dem Substrat gestützten vierten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn einer weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (e) einem von dem Substrat gestützten fünften leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (f) einem von dem Substrat gestützten sechsten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (g) bei dem das dritte leitfähige Element und das sechste leitfähige Element voneinander beabstandet sind und ein Widerstandsmaterial sich zumindest teilweise zwischen dem dritten leitfähigen Element und dem sechsten leitfähigen Element erstreckt, und bei dem die S11-Charakteristik des ersten, zweiten und dritten leitfähigen Elements einen Q-Faktor von kleiner als 5 zwischen 30 GHz und 50 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 18, bei dem der Q-Faktor kleiner als 3 ist.
- Substrat nach Anspruch 18, bei dem der Q-Faktor kleiner als 2 ist.
- Substrat nach Anspruch 18, bei dem der Q-Faktor kleiner als 1,2 ist.
- Substrat nach Anspruch 18, bei dem der Q-Faktor kleiner als 5 zwischen 20 GHz und 60 GHz ist.
- Substrat nach Anspruch 18, bei dem der Q-Faktor kleiner als 5 zwischen 10 GHz und 70 GHz ist.
- Substrat nach Anspruch 18, bei dem der Q-Faktor kleiner als 5 zwischen 5 GHz und 100 GHz ist.
- Kalibriersubstrat zum Kalibrieren einer Messsonde mit: (a) einem von dem Substrat gestützten ersten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (b) einem von dem Substrat gestützten zweiten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (c) einem von dem Substrat gestützten dritten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (d) einem von dem Substrat gestützten vierten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn einer weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (e) einem von dem Substrat gestützten fünften leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (f) einem von dem Substrat gestützten sechsten leitfähigen Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der weiteren Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (g) bei dem das dritte leitfähige Element und das sechste leitfähige Element voneinander beabstandet sind und ein Widerstandsmaterial sich zumindest teilweise zwischen dem dritten leitfähigen Element und dem sechsten leitfähigen Element erstreckt, und bei dem das Widerstandsmaterial den Imaginärteil der Primärmodenumwandlung zwischen 30 GHz und 50 GHz mit einem Fehler von ≤ 10% anpasst.
- Substrat nach Anspruch 25, bei dem die Umwandlung zwischen 20 GHz und 60 GHz liegt.
- Substrat nach Anspruch 25, bei dem die Umwandlung zwischen 10 GHz und 70 GHz liegt.
- Substrat nach Anspruch 25, bei dem die Umwandlung zwischen 5 GHz und 100 GHz liegt.
- Kalibriersubstrat zum Kalibrieren einer Messsonde mit: (a) einem leitfähigen Bereich, umfassend ein von dem Substrat gestütztes erstes leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden, ein von dem Substrat gestütztes zweites leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden, und ein von dem Substrat gestütztes drittes leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (b) bei dem der leitfähige Bereich ein zugeordnetes Widerstandsmaterial umfasst, das einen Widerstand umfasst, der einen Resonanzeffekt zwischen 10 GHz und 100 GHz verringert, welcher andererseits dann aufgetreten wäre, wenn das Widerstandsmaterial nicht bis zu einem Pegel von weniger als 50% dessen, was andererseits aufgetreten wäre, enthalten gewesen war.
- Substrat nach Anspruch 30, bei dem der Pegel weniger als 75% beträgt.
- Substrat nach Anspruch 30, bei dem der Pegel weniger als 90% beträgt.
- Kalibriersubstrat zum Kalibrieren einer Messsonde mit: (a) einem leitfähigen Bereich, umfassend ein von dem Substrat gestütztes erstes leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden, ein von dem Substrat gestütztes zweites leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden, und ein von dem Substrat gestütztes drittes leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (b) bei dem der leitfähige Bereich ein zugeordnetes Widerstandsmaterial umfasst, das einen Widerstand umfasst, der innerhalb 25% der Blindkomponente der Primärmodenumwandlung zwischen 10 GHz und 100 GHz liegt, die andererseits aufgetreten wäre, wenn das Widerstandsmaterial nicht enthalten gewesen war.
- Substrat nach Anspruch 32, bei dem die Umwandlung zwischen 30 GHz und 50 GHz liegt.
- Substrat nach Anspruch 32, bei dem der innerhalb 10% liegt.
- Kalibriersubstrat zum Kalibrieren einer Messsonde mit: (a) einem leitfähigen Bereich, umfassend ein von dem Substrat gestütztes erstes leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden, ein von dem Substrat gestütztes zweites leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden, und ein von dem Substrat gestütztes drittes leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (b) bei dem der leitfähige Bereich ein zugeordnetes Widerstandsmaterial umfasst, das eine Länge besitzt, die größer als 300 μm ist.
- Substrat nach Anspruch 35, bei dem die Länge größer als 500 μm ist.
- Substrat nach Anspruch 35, bei dem die Länge größer als 750 μm ist.
- Substrat nach Anspruch 35, bei dem das Widerstandsmaterial einen Widerstand von mehr als 40 Ohm besitzt.
- Kalibriersubstrat zum Kalibrieren einer Messsonde mit: (a) einem leitfähigen Bereich, umfassend ein von dem Substrat gestütztes erstes leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden, ein von dem Substrat gestütztes zweites leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden, und ein von dem Substrat gestütztes drittes leitfähiges Ele ment, das geeignet ist, mit einer Massebahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (b) bei dem der leitfähige Bereich ein zugeordnetes Widerstandsmaterial umfasst, das einen Widerstand von mehr als 30 Ohm besitzt.
- Substrat nach Anspruch 39, bei dem der Gesamtwiderstand mehr als 40 Ohm ist.
- Substrat nach Anspruch 39, bei dem der Gesamtwiderstand mehr als 50 Ohm ist.
- Substrat nach Anspruch 39, bei dem der Gesamtwiderstand mehr als 60 Ohm ist.
- Kalibriersubstrat zum Kalibrieren einer Messsonde mit: (a) einem leitfähigen Bereich, umfassend ein von dem Substrat gestütztes erstes leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden, ein von dem Substrat gestütztes zweites leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer zweiten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden, und ein von dem Substrat gestütztes drittes leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (b) bei dem der leitfähige Bereich ein zugeordnetes Widerstandsmaterial umfasst, und bei dem die S11-Charakteristik des ersten, zweiten und dritten leitfähigen Elements einen Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 30 GHz und 50 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 43, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 20 GHz und 60 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 43, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 10 GHz und 70 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 43, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 10 GHz und 100 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 43, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,025 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 44, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,025 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 45, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,025 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 46, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,025 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 43, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,02 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 44, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,02 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 45, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,02 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 46, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,02 dB besitzt.
- Kalibriersubstrat zum Kalibrieren einer Messsonde mit: (a) einem leitfähigen Bereich, umfassend ein von dem Substrat gestütztes erstes leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer ersten Signalbahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden, ein von dem Substrat gestütztes zweites leitfähiges Element, das geeignet ist, mit einer Massebahn der Messsonde elektrisch verbunden zu werden; (b) bei dem der leitfähige Bereich ein zugeordnetes Widerstandsmaterial umfasst, und bei dem die S11-Charakteristik des ersten und zweiten leitfähigen Elements einen Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 30 GHz und 50 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 55, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 20 GHz und 60 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 55, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 10 GHz und 70 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 55, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,05 dB zwischen 10 GHz und 100 GHz besitzt.
- Substrat nach Anspruch 55, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,025 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 56, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,025 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 57, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,025 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 58, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,025 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 55, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,02 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 56, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,02 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 57, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,02 dB besitzt.
- Substrat nach Anspruch 58, bei dem die S11-Charakteristik einen Verlust von weniger als 0,02 dB besitzt.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US51366303P | 2003-10-22 | 2003-10-22 | |
US60/513,663 | 2003-10-22 | ||
US10/794,246 US7250626B2 (en) | 2003-10-22 | 2004-03-05 | Probe testing structure |
US10/794,246 | 2004-03-05 | ||
DE112004002022T DE112004002022T5 (de) | 2003-10-22 | 2004-09-15 | Messsonden-Prüfstruktur |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE202004021017U1 true DE202004021017U1 (de) | 2006-09-28 |
Family
ID=34526887
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE202004021017U Expired - Lifetime DE202004021017U1 (de) | 2003-10-22 | 2004-09-15 | Messsonden-Prüfstruktur |
DE112004002022T Withdrawn DE112004002022T5 (de) | 2003-10-22 | 2004-09-15 | Messsonden-Prüfstruktur |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112004002022T Withdrawn DE112004002022T5 (de) | 2003-10-22 | 2004-09-15 | Messsonden-Prüfstruktur |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7250626B2 (de) |
EP (1) | EP1680813A2 (de) |
JP (1) | JP2007509343A (de) |
KR (1) | KR20060096496A (de) |
DE (2) | DE202004021017U1 (de) |
GB (1) | GB2423588B (de) |
TW (1) | TW200517668A (de) |
WO (1) | WO2005043176A2 (de) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6965226B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-11-15 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
DE20114544U1 (de) | 2000-12-04 | 2002-02-21 | Cascade Microtech Inc | Wafersonde |
US7057404B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Shielded probe for testing a device under test |
US7250626B2 (en) * | 2003-10-22 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe testing structure |
GB2425844B (en) | 2003-12-24 | 2007-07-11 | Cascade Microtech Inc | Active wafer probe |
WO2006031646A2 (en) | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
WO2007146285A2 (en) * | 2006-06-09 | 2007-12-21 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probe with integral balun |
US7764072B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
US7403028B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-07-22 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
US7723999B2 (en) * | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
WO2008021907A2 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Tektronix, Inc. | Calibrated s-parameter measurements of probes |
US7876114B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
KR100808816B1 (ko) * | 2007-08-10 | 2008-03-03 | 주식회사 파이컴 | 전기 접촉 어셈블리 및 이를 포함하는 전기 검사 장치 |
US8319503B2 (en) | 2008-11-24 | 2012-11-27 | Cascade Microtech, Inc. | Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test |
CN101872002B (zh) * | 2010-05-28 | 2016-01-20 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 探针检测装置及其方法 |
US9000989B2 (en) * | 2011-08-17 | 2015-04-07 | Apple Inc. | Test system with adjustable radio-frequency probe array |
US8614508B2 (en) | 2011-09-21 | 2013-12-24 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit system with test pads and method of manufacture thereof |
JP5900019B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2016-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用ホルダ |
TWI526132B (zh) * | 2013-12-13 | 2016-03-11 | Mpi Corp | Correction film structure |
US9432064B2 (en) | 2014-02-11 | 2016-08-30 | Introbotics Corporation | System and method for automated loss testing |
TWI509259B (zh) * | 2014-03-18 | 2015-11-21 | Nat Applied Res Laboratories | 傳導式電流探頭 |
US10180486B2 (en) | 2016-03-16 | 2019-01-15 | Formfactor Beaverton, Inc. | Test standards and methods for impedance calibration of a probe system, and probe systems that include the test standards or utilize the methods |
TWI750683B (zh) * | 2020-06-02 | 2021-12-21 | 緯穎科技服務股份有限公司 | 訊號測試裝置以及訊號測試方法 |
US11943886B2 (en) * | 2020-11-11 | 2024-03-26 | Te Connectivity Solutions Gmbh | Electronic assembly including a compression assembly for cable connector modules |
TWI747750B (zh) * | 2021-02-25 | 2021-11-21 | 元智大學 | 雙面探針量測校正結構與校正方法 |
Family Cites Families (864)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1191486A (en) | 1914-03-20 | 1916-07-18 | Edward B Tyler | Expansion-joint. |
US1337866A (en) | 1917-09-27 | 1920-04-20 | Griffiths Ethel Grace | System for protecting electric cables |
US2142625A (en) * | 1932-07-06 | 1939-01-03 | Hollandsche Draad En Kabelfab | High tension cable |
US2106003A (en) | 1936-03-14 | 1938-01-18 | Metropolitan Device Corp | Terminal box |
US2197081A (en) | 1937-06-14 | 1940-04-16 | Transit Res Corp | Motor support |
US2264685A (en) | 1940-06-28 | 1941-12-02 | Westinghouse Electric & Mfg Co | Insulating structure |
US2376101A (en) | 1942-04-01 | 1945-05-15 | Ferris Instr Corp | Electrical energy transmission |
US2389668A (en) | 1943-03-04 | 1945-11-27 | Barnes Drill Co | Indexing mechanism for machine tables |
US2471897A (en) | 1945-01-13 | 1949-05-31 | Trico Products Corp | Fluid motor packing |
US2812502A (en) | 1953-07-07 | 1957-11-05 | Bell Telephone Labor Inc | Transposed coaxial conductor system |
CH364040A (fr) | 1960-04-19 | 1962-08-31 | Ipa Anstalt | Dispositif de détection pour vérifier si un élément d'une installation électrique est sous tension |
US3185927A (en) | 1961-01-31 | 1965-05-25 | Kulicke & Soffa Mfg Co | Probe instrument for inspecting semiconductor wafers including means for marking defective zones |
US3193712A (en) | 1962-03-21 | 1965-07-06 | Clarence A Harris | High voltage cable |
US3230299A (en) * | 1962-07-18 | 1966-01-18 | Gen Cable Corp | Electrical cable with chemically bonded rubber layers |
US3256484A (en) | 1962-09-10 | 1966-06-14 | Tektronix Inc | High voltage test probe containing a part gas, part liquid dielectric fluid under pressure and having a transparent housing section for viewing the presence of the liquid therein |
US3176091A (en) * | 1962-11-07 | 1965-03-30 | Helmer C Hanson | Controlled multiple switching unit |
US3192844A (en) | 1963-03-05 | 1965-07-06 | Kulicke And Soffa Mfg Company | Mask alignment fixture |
US3201721A (en) | 1963-12-30 | 1965-08-17 | Western Electric Co | Coaxial line to strip line connector |
US3405361A (en) | 1964-01-08 | 1968-10-08 | Signetics Corp | Fluid actuable multi-point microprobe for semiconductors |
US3289046A (en) | 1964-05-19 | 1966-11-29 | Gen Electric | Component chip mounted on substrate with heater pads therebetween |
GB1069184A (en) | 1965-04-15 | 1967-05-17 | Andre Rubber Co | Improvements in or relating to pipe couplings |
US3333274A (en) | 1965-04-21 | 1967-07-25 | Micro Tech Mfg Inc | Testing device |
US3435185A (en) * | 1966-01-11 | 1969-03-25 | Rohr Corp | Sliding vacuum seal for electron beam welder |
US3408565A (en) | 1966-03-02 | 1968-10-29 | Philco Ford Corp | Apparatus for sequentially testing electrical components under controlled environmental conditions including a component support mating test head |
US3484679A (en) | 1966-10-03 | 1969-12-16 | North American Rockwell | Electrical apparatus for changing the effective capacitance of a cable |
US3609539A (en) | 1968-09-28 | 1971-09-28 | Ibm | Self-aligning kelvin probe |
NL6917791A (de) | 1969-03-13 | 1970-09-15 | ||
US3648169A (en) * | 1969-05-26 | 1972-03-07 | Teledyne Inc | Probe and head assembly |
US3596228A (en) | 1969-05-29 | 1971-07-27 | Ibm | Fluid actuated contactor |
US3602845A (en) | 1970-01-27 | 1971-08-31 | Us Army | Slot line nonreciprocal phase shifter |
US3654573A (en) | 1970-06-29 | 1972-04-04 | Bell Telephone Labor Inc | Microwave transmission line termination |
US3740900A (en) | 1970-07-01 | 1973-06-26 | Signetics Corp | Vacuum chuck assembly for semiconductor manufacture |
US3642415A (en) | 1970-08-10 | 1972-02-15 | Shell Oil Co | Plunger-and-diaphragm plastic sheet forming apparatus |
US3700998A (en) | 1970-08-20 | 1972-10-24 | Computer Test Corp | Sample and hold circuit with switching isolation |
US3714572A (en) * | 1970-08-21 | 1973-01-30 | Rca Corp | Alignment and test fixture apparatus |
US4009456A (en) * | 1970-10-07 | 1977-02-22 | General Microwave Corporation | Variable microwave attenuator |
US3662318A (en) | 1970-12-23 | 1972-05-09 | Comp Generale Electricite | Transition device between coaxial and microstrip lines |
US3710251A (en) * | 1971-04-07 | 1973-01-09 | Collins Radio Co | Microelectric heat exchanger pedestal |
US3814888A (en) | 1971-11-19 | 1974-06-04 | Gen Electric | Solid state induction cooking appliance |
US3810017A (en) | 1972-05-15 | 1974-05-07 | Teledyne Inc | Precision probe for testing micro-electronic units |
US3829076A (en) | 1972-06-08 | 1974-08-13 | H Sofy | Dial index machine |
US3858212A (en) | 1972-08-29 | 1974-12-31 | L Tompkins | Multi-purpose information gathering and distribution system |
US3952156A (en) | 1972-09-07 | 1976-04-20 | Xerox Corporation | Signal processing system |
CA970849A (en) * | 1972-09-18 | 1975-07-08 | Malcolm P. Macmartin | Low leakage isolating transformer for electromedical apparatus |
US3775644A (en) | 1972-09-20 | 1973-11-27 | Communications Satellite Corp | Adjustable microstrip substrate holder |
US3777260A (en) | 1972-12-14 | 1973-12-04 | Ibm | Grid for making electrical contact |
FR2298196A1 (fr) | 1973-05-18 | 1976-08-13 | Lignes Telegraph Telephon | Composant non reciproque a ligne a fente a large bande |
US3814838A (en) | 1973-06-01 | 1974-06-04 | Continental Electronics Mfg | Insulator assembly having load distribution support |
US3836751A (en) | 1973-07-26 | 1974-09-17 | Applied Materials Inc | Temperature controlled profiling heater |
US3930809A (en) * | 1973-08-21 | 1976-01-06 | Wentworth Laboratories, Inc. | Assembly fixture for fixed point probe card |
US3863181A (en) * | 1973-12-03 | 1975-01-28 | Bell Telephone Labor Inc | Mode suppressor for strip transmission lines |
US4001685A (en) * | 1974-03-04 | 1977-01-04 | Electroglas, Inc. | Micro-circuit test probe |
US3936743A (en) * | 1974-03-05 | 1976-02-03 | Electroglas, Inc. | High speed precision chuck assembly |
US3976959A (en) | 1974-07-22 | 1976-08-24 | Gaspari Russell A | Planar balun |
US3970934A (en) | 1974-08-12 | 1976-07-20 | Akin Aksu | Printed circuit board testing means |
US4042119A (en) | 1975-06-30 | 1977-08-16 | International Business Machines Corporation | Workpiece positioning apparatus |
US4038894A (en) | 1975-07-18 | 1977-08-02 | Springfield Tool And Die, Inc. | Piercing apparatus |
SE407115B (sv) | 1975-10-06 | 1979-03-12 | Kabi Ab | Forfarande och metelektroder for studium av enzymatiska och andra biokemiska reaktioner |
US4035723A (en) | 1975-10-16 | 1977-07-12 | Xynetics, Inc. | Probe arm |
US3992073A (en) | 1975-11-24 | 1976-11-16 | Technical Wire Products, Inc. | Multi-conductor probe |
US3996517A (en) | 1975-12-29 | 1976-12-07 | Monsanto Company | Apparatus for wafer probing having surface level sensing |
US4116523A (en) | 1976-01-23 | 1978-09-26 | James M. Foster | High frequency probe |
US4049252A (en) | 1976-02-04 | 1977-09-20 | Bell Theodore F | Index table |
US4008900A (en) * | 1976-03-15 | 1977-02-22 | John Freedom | Indexing chuck |
US4099120A (en) | 1976-04-19 | 1978-07-04 | Akin Aksu | Probe head for testing printed circuit boards |
US4115735A (en) | 1976-10-14 | 1978-09-19 | Faultfinders, Inc. | Test fixture employing plural platens for advancing some or all of the probes of the test fixture |
US4093988A (en) | 1976-11-08 | 1978-06-06 | General Electric Company | High speed frequency response measurement |
US4186338A (en) * | 1976-12-16 | 1980-01-29 | Genrad, Inc. | Phase change detection method of and apparatus for current-tracing the location of faults on printed circuit boards and similar systems |
US4115736A (en) | 1977-03-09 | 1978-09-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Probe station |
US4151465A (en) | 1977-05-16 | 1979-04-24 | Lenz Seymour S | Variable flexure test probe for microelectronic circuits |
US4161692A (en) | 1977-07-18 | 1979-07-17 | Cerprobe Corporation | Probe device for integrated circuit wafers |
US4135131A (en) | 1977-10-14 | 1979-01-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Microwave time delay spectroscopic methods and apparatus for remote interrogation of biological targets |
US4371742A (en) * | 1977-12-20 | 1983-02-01 | Graham Magnetics, Inc. | EMI-Suppression from transmission lines |
US4172993A (en) | 1978-09-13 | 1979-10-30 | The Singer Company | Environmental hood for testing printed circuit cards |
DE2849119A1 (de) | 1978-11-13 | 1980-05-14 | Siemens Ag | Verfahren und schaltungsanordnung zur daempfungsmessung, insbesondere zur ermittlung der daempfungs- und/oder gruppenlaufzeitverzerrung eines messobjektes |
US4383217A (en) | 1979-01-02 | 1983-05-10 | Shiell Thomas J | Collinear four-point probe head and mount for resistivity measurements |
US4280112A (en) | 1979-02-21 | 1981-07-21 | Eisenhart Robert L | Electrical coupler |
DE2912826A1 (de) | 1979-03-30 | 1980-10-16 | Heinz Laass | Elektrisches pruefgeraet |
US4352061A (en) | 1979-05-24 | 1982-09-28 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Universal test fixture employing interchangeable wired personalizers |
US4287473A (en) | 1979-05-25 | 1981-09-01 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Nondestructive method for detecting defects in photodetector and solar cell devices |
FI58719C (fi) | 1979-06-01 | 1981-04-10 | Instrumentarium Oy | Diagnostiseringsanordning foer broestkancer |
US4277741A (en) | 1979-06-25 | 1981-07-07 | General Motors Corporation | Microwave acoustic spectrometer |
SU843040A1 (ru) | 1979-08-06 | 1981-06-30 | Физико-Технический Институт Низкихтемператур Ah Украинской Ccp | Проходной режекторный фильтр |
JPS5933267B2 (ja) | 1979-08-28 | 1984-08-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の不良解析法 |
US4327180A (en) | 1979-09-14 | 1982-04-27 | Board Of Governors, Wayne State Univ. | Method and apparatus for electromagnetic radiation of biological material |
US4284033A (en) | 1979-10-31 | 1981-08-18 | Rca Corporation | Means to orbit and rotate target wafers supported on planet member |
US4330783A (en) | 1979-11-23 | 1982-05-18 | Toia Michael J | Coaxially fed dipole antenna |
US4365195A (en) | 1979-12-27 | 1982-12-21 | Communications Satellite Corporation | Coplanar waveguide mounting structure and test fixture for microwave integrated circuits |
US4365109A (en) | 1980-01-25 | 1982-12-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Coaxial cable design |
US4342958A (en) | 1980-03-28 | 1982-08-03 | Honeywell Information Systems Inc. | Automatic test equipment test probe contact isolation detection method |
JPS5953659B2 (ja) | 1980-04-11 | 1984-12-26 | 株式会社日立製作所 | 真空室中回転体の往復動機構 |
US4284682A (en) | 1980-04-30 | 1981-08-18 | Nasa | Heat sealable, flame and abrasion resistant coated fabric |
US4357575A (en) | 1980-06-17 | 1982-11-02 | Dit-Mco International Corporation | Apparatus for use in testing printed circuit process boards having means for positioning such boards in proper juxtaposition with electrical contacting assemblies |
US4552033A (en) | 1980-07-08 | 1985-11-12 | Gebr. Marzhauser Wetzlar oHG | Drive system for a microscope stage or the like |
US4346355A (en) | 1980-11-17 | 1982-08-24 | Raytheon Company | Radio frequency energy launcher |
US4376920A (en) * | 1981-04-01 | 1983-03-15 | Smith Kenneth L | Shielded radio frequency transmission cable |
JPS57169244A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Canon Inc | Temperature controller for mask and wafer |
US4425395A (en) * | 1981-04-30 | 1984-01-10 | Fujikura Rubber Works, Ltd. | Base fabrics for polyurethane-coated fabrics, polyurethane-coated fabrics and processes for their production |
US4414638A (en) | 1981-04-30 | 1983-11-08 | Dranetz Engineering Laboratories, Inc. | Sampling network analyzer with stored correction of gain errors |
US4401945A (en) | 1981-04-30 | 1983-08-30 | The Valeron Corporation | Apparatus for detecting the position of a probe relative to a workpiece |
US4426619A (en) * | 1981-06-03 | 1984-01-17 | Temptronic Corporation | Electrical testing system including plastic window test chamber and method of using same |
DE3125552C1 (de) | 1981-06-29 | 1982-11-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Prüfeinrichtung zum Anzeigen einer elektrischen Spannung, deren Polarität und zur Durchgangsprüfung |
US4566184A (en) * | 1981-08-24 | 1986-01-28 | Rockwell International Corporation | Process for making a probe for high speed integrated circuits |
US4419626A (en) | 1981-08-25 | 1983-12-06 | Daymarc Corporation | Broad band contactor assembly for testing integrated circuit devices |
US4888550A (en) | 1981-09-14 | 1989-12-19 | Texas Instruments Incorporated | Intelligent multiprobe tip |
US4453142A (en) | 1981-11-02 | 1984-06-05 | Motorola Inc. | Microstrip to waveguide transition |
US4480223A (en) | 1981-11-25 | 1984-10-30 | Seiichiro Aigo | Unitary probe assembly |
DE3202461C1 (de) | 1982-01-27 | 1983-06-09 | Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim | Befestigung von Mikroskopobjektiven |
CA1154588A (en) | 1982-02-15 | 1983-10-04 | Robert D. Lamson | Tape measure |
US4528504A (en) | 1982-05-27 | 1985-07-09 | Harris Corporation | Pulsed linear integrated circuit tester |
US4468629A (en) | 1982-05-27 | 1984-08-28 | Trw Inc. | NPN Operational amplifier |
US4491173A (en) * | 1982-05-28 | 1985-01-01 | Temptronic Corporation | Rotatable inspection table |
JPS58210631A (ja) | 1982-05-31 | 1983-12-07 | Toshiba Corp | 電子ビ−ムを用いたicテスタ |
US4507602A (en) * | 1982-08-13 | 1985-03-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Measurement of permittivity and permeability of microwave materials |
US4705447A (en) | 1983-08-11 | 1987-11-10 | Intest Corporation | Electronic test head positioner for test systems |
US4479690A (en) | 1982-09-13 | 1984-10-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Underwater splice for submarine coaxial cable |
SU1392603A1 (ru) | 1982-11-19 | 1988-04-30 | Физико-технический институт низких температур АН УССР | Проходной режекторный фильтр |
US4487996A (en) | 1982-12-02 | 1984-12-11 | Electric Power Research Institute, Inc. | Shielded electrical cable |
US4575676A (en) * | 1983-04-04 | 1986-03-11 | Advanced Research And Applications Corporation | Method and apparatus for radiation testing of electron devices |
CH668646A5 (de) * | 1983-05-31 | 1989-01-13 | Contraves Ag | Vorrichtung zum wiederholten foerdern von fluessigkeitsvolumina. |
JPS59226167A (ja) | 1983-06-04 | 1984-12-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面処理装置 |
FR2547945B1 (fr) | 1983-06-21 | 1986-05-02 | Raffinage Cie Francaise | Nouvelle structure de cable electrique et ses applications |
US4588950A (en) | 1983-11-15 | 1986-05-13 | Data Probe Corporation | Test system for VLSI digital circuit and method of testing |
US4703433A (en) | 1984-01-09 | 1987-10-27 | Hewlett-Packard Company | Vector network analyzer with integral processor |
US4816767A (en) * | 1984-01-09 | 1989-03-28 | Hewlett-Packard Company | Vector network analyzer with integral processor |
US4588970A (en) | 1984-01-09 | 1986-05-13 | Hewlett-Packard Company | Three section termination for an R.F. triaxial directional bridge |
JPS60136006U (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-10 | 株式会社 潤工社 | フラツトケ−ブル |
US4557599A (en) | 1984-03-06 | 1985-12-10 | General Signal Corporation | Calibration and alignment target plate |
US4646005A (en) * | 1984-03-16 | 1987-02-24 | Motorola, Inc. | Signal probe |
US4722846A (en) * | 1984-04-18 | 1988-02-02 | Kikkoman Corporation | Novel variant and process for producing light colored soy sauce using such variant |
US4697143A (en) * | 1984-04-30 | 1987-09-29 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe |
JPS60235304A (ja) | 1984-05-08 | 1985-11-22 | 株式会社フジクラ | 直流電力ケ−ブル |
US4675600A (en) | 1984-05-17 | 1987-06-23 | Geo International Corporation | Testing apparatus for plated through-holes on printed circuit boards, and probe therefor |
DE3419762A1 (de) | 1984-05-26 | 1985-11-28 | Heidelberger Druckmaschinen Ag, 6900 Heidelberg | Bogen-rotationsdruckmaschine in reihenbauart der druckwerke |
US4515133A (en) | 1984-05-31 | 1985-05-07 | Frank Roman | Fuel economizing device |
US4755747A (en) | 1984-06-15 | 1988-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer prober and a probe card to be used therewith |
US4691831A (en) | 1984-06-25 | 1987-09-08 | Takeda Riken Co., Ltd. | IC test equipment |
DE3428087A1 (de) * | 1984-07-30 | 1986-01-30 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Konzentrisches dreileiterkabel |
US4694245A (en) | 1984-09-07 | 1987-09-15 | Precision Drilling, Inc. | Vacuum-actuated top access test probe fixture |
FR2575308B1 (fr) | 1984-12-21 | 1989-03-31 | Bendix Electronics Sa | Procede et chaine de traitement du signal analogique de sortie d'un capteur |
US4713347A (en) | 1985-01-14 | 1987-12-15 | Sensor Diagnostics, Inc. | Measurement of ligand/anti-ligand interactions using bulk conductance |
US4680538A (en) | 1985-01-15 | 1987-07-14 | Cornell Research Foundation, Inc. | Millimeter wave vector network analyzer |
US4856904A (en) | 1985-01-21 | 1989-08-15 | Nikon Corporation | Wafer inspecting apparatus |
US4651115A (en) | 1985-01-31 | 1987-03-17 | Rca Corporation | Waveguide-to-microstrip transition |
US4780670A (en) | 1985-03-04 | 1988-10-25 | Xerox Corporation | Active probe card for high resolution/low noise wafer level testing |
US4744041A (en) | 1985-03-04 | 1988-05-10 | International Business Machines Corporation | Method for testing DC motors |
US4665360A (en) | 1985-03-11 | 1987-05-12 | Eaton Corporation | Docking apparatus |
US4691163A (en) | 1985-03-19 | 1987-09-01 | Elscint Ltd. | Dual frequency surface probes |
US4755746A (en) | 1985-04-24 | 1988-07-05 | Prometrix Corporation | Apparatus and methods for semiconductor wafer testing |
US4734872A (en) * | 1985-04-30 | 1988-03-29 | Temptronic Corporation | Temperature control for device under test |
US4684883A (en) | 1985-05-13 | 1987-08-04 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method of manufacturing high-quality semiconductor light-emitting devices |
US4818169A (en) | 1985-05-17 | 1989-04-04 | Schram Richard R | Automated wafer inspection system |
US4695794A (en) | 1985-05-31 | 1987-09-22 | Santa Barbara Research Center | Voltage calibration in E-beam probe using optical flooding |
GB8515025D0 (en) * | 1985-06-13 | 1985-07-17 | Plessey Co Plc | Calibration apparatus |
FR2585513B1 (fr) | 1985-07-23 | 1987-10-09 | Thomson Csf | Dispositif de couplage entre un guide d'onde metallique, un guide d'onde dielectrique et un composant semi-conducteur, et melangeur utilisant ce dispositif de couplage |
EP0213825A3 (de) | 1985-08-22 | 1989-04-26 | Molecular Devices Corporation | Chemisch-modulierte Mehrfachkapazitanz |
DE3531893A1 (de) | 1985-09-06 | 1987-03-19 | Siemens Ag | Verfahren zur bestimmung der verteilung der dielektrizitaetskonstanten in einem untersuchungskoerper sowie messanordnung zur durchfuehrung des verfahrens |
US4746857A (en) | 1985-09-13 | 1988-05-24 | Danippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Probing apparatus for measuring electrical characteristics of semiconductor device formed on wafer |
JPH0326643Y2 (de) | 1985-09-30 | 1991-06-10 | ||
US4777434A (en) | 1985-10-03 | 1988-10-11 | Amp Incorporated | Microelectronic burn-in system |
US4684783A (en) | 1985-11-06 | 1987-08-04 | Sawtek, Inc. | Environmental control apparatus for electrical circuit elements |
US4853627A (en) | 1985-12-23 | 1989-08-01 | Triquint Semiconductor, Inc. | Wafer probes |
US4709141A (en) | 1986-01-09 | 1987-11-24 | Rockwell International Corporation | Non-destructive testing of cooled detector arrays |
US4757255A (en) | 1986-03-03 | 1988-07-12 | National Semiconductor Corporation | Environmental box for automated wafer probing |
US4784213A (en) | 1986-04-08 | 1988-11-15 | Temptronic Corporation | Mixing valve air source |
US4712370A (en) | 1986-04-24 | 1987-12-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Sliding duct seal |
US4730158A (en) * | 1986-06-06 | 1988-03-08 | Santa Barbara Research Center | Electron-beam probing of photodiodes |
US4766384A (en) | 1986-06-20 | 1988-08-23 | Schlumberger Technology Corp. | Well logging apparatus for determining dip, azimuth, and invaded zone conductivity |
US5095891A (en) * | 1986-07-10 | 1992-03-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Connecting cable for use with a pulse generator and a shock wave generator |
DE3625631A1 (de) | 1986-07-29 | 1988-02-04 | Gore W L & Co Gmbh | Elektromagnetische abschirmung |
US4739259A (en) | 1986-08-01 | 1988-04-19 | Tektronix, Inc. | Telescoping pin probe |
US4783625A (en) | 1986-08-21 | 1988-11-08 | Tektronix, Inc. | Wideband high impedance card mountable probe |
JPS6362245A (ja) | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Canon Inc | ウエハプロ−バ |
US4758785A (en) | 1986-09-03 | 1988-07-19 | Tektronix, Inc. | Pressure control apparatus for use in an integrated circuit testing station |
JP2609232B2 (ja) | 1986-09-04 | 1997-05-14 | 日本ヒューレット・パッカード株式会社 | フローテイング駆動回路 |
US4673839A (en) | 1986-09-08 | 1987-06-16 | Tektronix, Inc. | Piezoelectric pressure sensing apparatus for integrated circuit testing stations |
US4904933A (en) * | 1986-09-08 | 1990-02-27 | Tektronix, Inc. | Integrated circuit probe station |
US4759712A (en) | 1986-10-17 | 1988-07-26 | Temptronic Corporation | Device for applying controlled temperature stimuli to nerve sensitive tissue |
US4787752A (en) | 1986-10-24 | 1988-11-29 | Fts Systems, Inc. | Live component temperature conditioning device providing fast temperature variations |
DE3637549A1 (de) | 1986-11-04 | 1988-05-11 | Hans Dr Med Rosenberger | Messgeraet zur pruefung der dielektrischen eigenschaften biologischer gewebe |
GB2197081A (en) | 1986-11-07 | 1988-05-11 | Plessey Co Plc | Coplanar waveguide probe |
US4771234A (en) | 1986-11-20 | 1988-09-13 | Hewlett-Packard Company | Vacuum actuated test fixture |
US4754239A (en) | 1986-12-19 | 1988-06-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Waveguide to stripline transition assembly |
US4772846A (en) | 1986-12-29 | 1988-09-20 | Hughes Aircraft Company | Wafer alignment and positioning apparatus for chip testing by voltage contrast electron microscopy |
US4812754A (en) * | 1987-01-07 | 1989-03-14 | Tracy Theodore A | Circuit board interfacing apparatus |
US4727637A (en) * | 1987-01-20 | 1988-03-01 | The Boeing Company | Computer aided connector assembly method and apparatus |
US4918383A (en) | 1987-01-20 | 1990-04-17 | Huff Richard E | Membrane probe with automatic contact scrub action |
US4827211A (en) | 1987-01-30 | 1989-05-02 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe |
US4711563A (en) | 1987-02-11 | 1987-12-08 | Lass Bennett D | Portable collapsible darkroom |
US4864227A (en) | 1987-02-27 | 1989-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer prober |
US4731577A (en) * | 1987-03-05 | 1988-03-15 | Logan John K | Coaxial probe card |
US4871965A (en) | 1987-03-16 | 1989-10-03 | Apex Microtechnology Corporation | Environmental testing facility for electronic components |
US5082627A (en) | 1987-05-01 | 1992-01-21 | Biotronic Systems Corporation | Three dimensional binding site array for interfering with an electrical field |
US4845426A (en) | 1987-05-20 | 1989-07-04 | Signatone Corporation | Temperature conditioner for tests of unpackaged semiconductors |
US4810981A (en) * | 1987-06-04 | 1989-03-07 | General Microwave Corporation | Assembly of microwave components |
US4884026A (en) | 1987-06-24 | 1989-11-28 | Tokyo Electron Limited | Electrical characteristic measuring apparatus |
US4838802A (en) | 1987-07-08 | 1989-06-13 | Tektronix, Inc. | Low inductance ground lead |
US4894612A (en) * | 1987-08-13 | 1990-01-16 | Hypres, Incorporated | Soft probe for providing high speed on-wafer connections to a circuit |
CH673248A5 (de) | 1987-08-28 | 1990-02-28 | Charmilles Technologies | |
US4755874A (en) | 1987-08-31 | 1988-07-05 | Kla Instruments Corporation | Emission microscopy system |
US5198752A (en) * | 1987-09-02 | 1993-03-30 | Tokyo Electron Limited | Electric probing-test machine having a cooling system |
US5084671A (en) * | 1987-09-02 | 1992-01-28 | Tokyo Electron Limited | Electric probing-test machine having a cooling system |
JPH0660912B2 (ja) | 1987-09-07 | 1994-08-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電圧検出装置 |
US4791363A (en) | 1987-09-28 | 1988-12-13 | Logan John K | Ceramic microstrip probe blade |
US4929893A (en) | 1987-10-06 | 1990-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer prober |
US4853613A (en) | 1987-10-27 | 1989-08-01 | Martin Marietta Corporation | Calibration method for apparatus evaluating microwave/millimeter wave circuits |
BE1000697A6 (fr) | 1987-10-28 | 1989-03-14 | Irish Transformers Ltd | Appareil pour tester des circuits electriques integres. |
JP2554669Y2 (ja) * | 1987-11-10 | 1997-11-17 | 博 寺町 | 回転位置決め装置 |
US4859989A (en) | 1987-12-01 | 1989-08-22 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Security system and signal carrying member thereof |
US4896109A (en) * | 1987-12-07 | 1990-01-23 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Photoconductive circuit element reflectometer |
US4891584A (en) | 1988-03-21 | 1990-01-02 | Semitest, Inc. | Apparatus for making surface photovoltage measurements of a semiconductor |
FR2626376B1 (fr) | 1988-01-22 | 1990-07-13 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de mesure d'une impulsion breve de rayonnement ou d'une impulsion breve electrique |
US4926118A (en) | 1988-02-22 | 1990-05-15 | Sym-Tek Systems, Inc. | Test station |
MY103847A (en) | 1988-03-15 | 1993-09-30 | Yamaichi Electric Mfg | Laminated board for testing electronic components |
US4858160A (en) | 1988-03-18 | 1989-08-15 | Cascade Microtech, Inc. | System for setting reference reactance for vector corrected measurements |
US5091691A (en) * | 1988-03-21 | 1992-02-25 | Semitest, Inc. | Apparatus for making surface photovoltage measurements of a semiconductor |
US4839587A (en) | 1988-03-29 | 1989-06-13 | Digital Equipment Corporation | Test fixture for tab circuits and devices |
FR2631165B1 (fr) | 1988-05-05 | 1992-02-21 | Moulene Daniel | Support conditionneur de temperature pour petits objets tels que des composants semi-conducteurs et procede de regulation thermique utilisant ce support |
US5354695A (en) | 1992-04-08 | 1994-10-11 | Leedy Glenn J | Membrane dielectric isolation IC fabrication |
US4831494A (en) | 1988-06-27 | 1989-05-16 | International Business Machines Corporation | Multilayer capacitor |
US4918374A (en) | 1988-10-05 | 1990-04-17 | Applied Precision, Inc. | Method and apparatus for inspecting integrated circuit probe cards |
US4906920A (en) * | 1988-10-11 | 1990-03-06 | Hewlett-Packard Company | Self-leveling membrane probe |
US4893914A (en) * | 1988-10-12 | 1990-01-16 | The Micromanipulator Company, Inc. | Test station |
CA1278106C (en) | 1988-11-02 | 1990-12-18 | Gordon Glen Rabjohn | Tunable microwave wafer probe |
US4849689A (en) | 1988-11-04 | 1989-07-18 | Cascade Microtech, Inc. | Microwave wafer probe having replaceable probe tip |
US4904935A (en) * | 1988-11-14 | 1990-02-27 | Eaton Corporation | Electrical circuit board text fixture having movable platens |
US5142224A (en) | 1988-12-13 | 1992-08-25 | Comsat | Non-destructive semiconductor wafer probing system using laser pulses to generate and detect millimeter wave signals |
US4916398A (en) | 1988-12-21 | 1990-04-10 | Spectroscopy Imaging Systems Corp. | Efficient remote transmission line probe tuning for NMR apparatus |
US4922128A (en) | 1989-01-13 | 1990-05-01 | Ibm Corporation | Boost clock circuit for driving redundant wordlines and sample wordlines |
US4982153A (en) * | 1989-02-06 | 1991-01-01 | Cray Research, Inc. | Method and apparatus for cooling an integrated circuit chip during testing |
US5232789A (en) | 1989-03-09 | 1993-08-03 | Mtu Motoren- Und Turbinen-Union Muenchen Gmbh | Structural component with a protective coating having a nickel or cobalt basis and method for making such a coating |
US5159752A (en) | 1989-03-22 | 1992-11-03 | Texas Instruments Incorporated | Scanning electron microscope based parametric testing method and apparatus |
US5304924A (en) | 1989-03-29 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Edge detector |
US4978907A (en) | 1989-05-10 | 1990-12-18 | At&T Bell Laboratories | Apparatus and method for expanding the frequency range over which electrical signal amplitudes can be accurately measured |
US5030907A (en) | 1989-05-19 | 1991-07-09 | Knights Technology, Inc. | CAD driven microprobe integrated circuit tester |
US5045781A (en) | 1989-06-08 | 1991-09-03 | Cascade Microtech, Inc. | High-frequency active probe having replaceable contact needles |
US5101149A (en) * | 1989-07-18 | 1992-03-31 | National Semiconductor Corporation | Modifiable IC board |
US5218185A (en) | 1989-08-15 | 1993-06-08 | Trustees Of The Thomas A. D. Gross 1988 Revocable Trust | Elimination of potentially harmful electrical and magnetic fields from electric blankets and other electrical appliances |
US5041782A (en) | 1989-09-20 | 1991-08-20 | Design Technique International, Inc. | Microstrip probe |
US4923407A (en) | 1989-10-02 | 1990-05-08 | Tektronix, Inc. | Adjustable low inductance probe |
US5077523A (en) | 1989-11-03 | 1991-12-31 | John H. Blanz Company, Inc. | Cryogenic probe station having movable chuck accomodating variable thickness probe cards |
US4968931A (en) | 1989-11-03 | 1990-11-06 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for burning in integrated circuit wafers |
US5097207A (en) * | 1989-11-03 | 1992-03-17 | John H. Blanz Company, Inc. | Temperature stable cryogenic probe station |
US5166606A (en) | 1989-11-03 | 1992-11-24 | John H. Blanz Company, Inc. | High efficiency cryogenic test station |
US5160883A (en) | 1989-11-03 | 1992-11-03 | John H. Blanz Company, Inc. | Test station having vibrationally stabilized X, Y and Z movable integrated circuit receiving support |
US5267088A (en) | 1989-11-10 | 1993-11-30 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Code plate mounting device |
US5103169A (en) | 1989-11-15 | 1992-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Relayless interconnections in high performance signal paths |
JPH03184355A (ja) | 1989-12-13 | 1991-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハプローバ |
US5089774A (en) * | 1989-12-26 | 1992-02-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus and a method for checking a semiconductor |
US5066357A (en) | 1990-01-11 | 1991-11-19 | Hewlett-Packard Company | Method for making flexible circuit card with laser-contoured vias and machined capacitors |
JPH03209737A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
US5298972A (en) | 1990-01-22 | 1994-03-29 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for measuring polarization sensitivity of optical devices |
US5001423A (en) * | 1990-01-24 | 1991-03-19 | International Business Machines Corporation | Dry interface thermal chuck temperature control system for semiconductor wafer testing |
JPH03243871A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
US4994737A (en) * | 1990-03-09 | 1991-02-19 | Cascade Microtech, Inc. | System for facilitating planar probe measurements of high-speed interconnect structures |
US5019692A (en) | 1990-03-29 | 1991-05-28 | Eastman Kodak Company | Thermostatic device for fuser |
US5065092A (en) | 1990-05-14 | 1991-11-12 | Triple S Engineering, Inc. | System for locating probe tips on an integrated circuit probe card and method therefor |
US5408189A (en) | 1990-05-25 | 1995-04-18 | Everett Charles Technologies, Inc. | Test fixture alignment system for printed circuit boards |
US5065089A (en) | 1990-06-01 | 1991-11-12 | Tovex Tech, Inc. | Circuit handler with sectioned rail |
US5070297A (en) | 1990-06-04 | 1991-12-03 | Texas Instruments Incorporated | Full wafer integrated circuit testing device |
US5012186A (en) | 1990-06-08 | 1991-04-30 | Cascade Microtech, Inc. | Electrical probe with contact force protection |
US5245292A (en) | 1990-06-12 | 1993-09-14 | Iniziative Marittime 1991, S.R.L. | Method and apparatus for sensing a fluid handling |
DE4018993A1 (de) | 1990-06-13 | 1991-12-19 | Max Planck Inst Eisenforschung | Verfahren und einrichtung zur untersuchung beschichteter metalloberflaechen |
US5198753A (en) * | 1990-06-29 | 1993-03-30 | Digital Equipment Corporation | Integrated circuit test fixture and method |
US5061823A (en) | 1990-07-13 | 1991-10-29 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Crush-resistant coaxial transmission line |
US5187443A (en) | 1990-07-24 | 1993-02-16 | Bereskin Alexander B | Microwave test fixtures for determining the dielectric properties of a material |
US5569591A (en) | 1990-08-03 | 1996-10-29 | University College Of Wales Aberystwyth | Analytical or monitoring apparatus and method |
KR0138754B1 (ko) | 1990-08-06 | 1998-06-15 | 이노우에 아키라 | 전기회로측정용 탐침의 접촉검지장치 및 이 접촉검지장치를 이용한 전기회로 측정장치 |
US5309088A (en) | 1990-08-10 | 1994-05-03 | Texas Instruments Incorporated | Measurement of semiconductor parameters at cryogenic temperatures using a spring contact probe |
US5105181A (en) | 1990-08-17 | 1992-04-14 | Hydro-Quebec | Method and electrical measuring apparatus for analyzing the impedance of the source of an actual alternating voltage |
US5363050A (en) | 1990-08-31 | 1994-11-08 | Guo Wendy W | Quantitative dielectric imaging system |
US5091732A (en) | 1990-09-07 | 1992-02-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Lightweight deployable antenna system |
US6037785A (en) | 1990-09-20 | 2000-03-14 | Higgins; H. Dan | Probe card apparatus |
JP2802825B2 (ja) | 1990-09-22 | 1998-09-24 | 大日本スクリーン製造 株式会社 | 半導体ウエハの電気測定装置 |
JP3196206B2 (ja) | 1990-09-25 | 2001-08-06 | 東芝ライテック株式会社 | 放電ランプ点灯装置 |
US5159267A (en) | 1990-09-28 | 1992-10-27 | Sematech, Inc. | Pneumatic energy fluxmeter |
GB9021448D0 (en) | 1990-10-03 | 1990-11-14 | Renishaw Plc | Capacitance sensing probe |
JP2544015Y2 (ja) | 1990-10-15 | 1997-08-13 | 株式会社アドバンテスト | Ic試験装置 |
US5094536A (en) | 1990-11-05 | 1992-03-10 | Litel Instruments | Deformable wafer chuck |
US5325052A (en) | 1990-11-30 | 1994-06-28 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Probe apparatus |
EP0493089B1 (de) * | 1990-12-25 | 1998-09-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Heizungsapparat für eine Halbleiterscheibe und Verfahren zum Herstellen desselben |
JP3699349B2 (ja) | 1990-12-25 | 2005-09-28 | 日本碍子株式会社 | ウエハー吸着加熱装置 |
US5107076A (en) | 1991-01-08 | 1992-04-21 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Easy strip composite dielectric coaxial signal cable |
US5105148A (en) | 1991-01-24 | 1992-04-14 | Itt Corporation | Replaceable tip test probe |
US5136237A (en) | 1991-01-29 | 1992-08-04 | Tektronix, Inc. | Double insulated floating high voltage test probe |
US5371457A (en) | 1991-02-12 | 1994-12-06 | Lipp; Robert J. | Method and apparatus to test for current in an integrated circuit |
US5233306A (en) | 1991-02-13 | 1993-08-03 | The Board Of Regents Of The University Of Wisconsin System | Method and apparatus for measuring the permittivity of materials |
JPH05136218A (ja) * | 1991-02-19 | 1993-06-01 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | 検査装置 |
DE4109908C2 (de) | 1991-03-26 | 1994-05-05 | Erich Reitinger | Anordnung zur Prüfung von Halbleiter-Wafern |
US5144228A (en) | 1991-04-23 | 1992-09-01 | International Business Machines Corporation | Probe interface assembly |
US5172051A (en) | 1991-04-24 | 1992-12-15 | Hewlett-Packard Company | Wide bandwidth passive probe |
US5164661A (en) | 1991-05-31 | 1992-11-17 | Ej Systems, Inc. | Thermal control system for a semi-conductor burn-in |
US5225037A (en) | 1991-06-04 | 1993-07-06 | Texas Instruments Incorporated | Method for fabrication of probe card for testing of semiconductor devices |
US5101453A (en) * | 1991-07-05 | 1992-03-31 | Cascade Microtech, Inc. | Fiber optic wafer probe |
US5159262A (en) * | 1991-07-09 | 1992-10-27 | Cascade Microtech, Inc. | Method for measuring the electrical and optical performance of on-wafer microwave devices |
US5233197A (en) | 1991-07-15 | 1993-08-03 | University Of Massachusetts Medical Center | High speed digital imaging microscope |
US5210485A (en) | 1991-07-26 | 1993-05-11 | International Business Machines Corporation | Probe for wafer burn-in test system |
US5198756A (en) * | 1991-07-29 | 1993-03-30 | Atg-Electronics Inc. | Test fixture wiring integrity verification device |
US5321352A (en) | 1991-08-01 | 1994-06-14 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Probe apparatus and method of alignment for the same |
US5404111A (en) | 1991-08-03 | 1995-04-04 | Tokyo Electron Limited | Probe apparatus with a swinging holder for an object of examination |
US5321453A (en) | 1991-08-03 | 1994-06-14 | Tokyo Electron Limited | Probe apparatus for probing an object held above the probe card |
US5336989A (en) | 1991-09-19 | 1994-08-09 | Audio Presicion | AC mains test apparatus and method |
US5475315A (en) | 1991-09-20 | 1995-12-12 | Audio Precision, Inc. | Method and apparatus for fast response and distortion measurement |
US5198758A (en) * | 1991-09-23 | 1993-03-30 | Digital Equipment Corp. | Method and apparatus for complete functional testing of a complex signal path of a semiconductor chip |
US5159264A (en) | 1991-10-02 | 1992-10-27 | Sematech, Inc. | Pneumatic energy fluxmeter |
US5214243A (en) | 1991-10-11 | 1993-05-25 | Endevco Corporation | High-temperature, low-noise coaxial cable assembly with high strength reinforcement braid |
US5334931A (en) | 1991-11-12 | 1994-08-02 | International Business Machines Corporation | Molded test probe assembly |
IL103674A0 (en) | 1991-11-19 | 1993-04-04 | Houston Advanced Res Center | Method and apparatus for molecule detection |
US5846708A (en) | 1991-11-19 | 1998-12-08 | Massachusetts Institiute Of Technology | Optical and electrical methods and apparatus for molecule detection |
US5414565A (en) | 1991-11-27 | 1995-05-09 | Sullivan; Mark T. | Tilting kinematic mount |
US5214374A (en) | 1991-12-12 | 1993-05-25 | Everett/Charles Contact Products, Inc. | Dual level test fixture |
US5274336A (en) | 1992-01-14 | 1993-12-28 | Hewlett-Packard Company | Capacitively-coupled test probe |
DE69308906T2 (de) | 1992-01-21 | 1997-09-11 | Sharp Kk | Hohlleiterkoaxialübergang und Umsetzer für Satellitenrundfunkantenne mit einem derartigen Hohlleiter |
US5225796A (en) * | 1992-01-27 | 1993-07-06 | Tektronix, Inc. | Coplanar transmission structure having spurious mode suppression |
US5210377A (en) | 1992-01-29 | 1993-05-11 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Coaxial electric signal cable having a composite porous insulation |
US5279975A (en) | 1992-02-07 | 1994-01-18 | Micron Technology, Inc. | Method of testing individual dies on semiconductor wafers prior to singulation |
US5221905A (en) | 1992-02-28 | 1993-06-22 | International Business Machines Corporation | Test system with reduced test contact interface resistance |
US5202558A (en) | 1992-03-04 | 1993-04-13 | Barker Lynn M | Flexible fiber optic probe for high-pressure shock experiments |
US5268636A (en) * | 1992-03-10 | 1993-12-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | MMIC package and interconnect test fixture |
US5376790A (en) | 1992-03-13 | 1994-12-27 | Park Scientific Instruments | Scanning probe microscope |
US5672816A (en) | 1992-03-13 | 1997-09-30 | Park Scientific Instruments | Large stage system for scanning probe microscopes and other instruments |
US5254939A (en) | 1992-03-20 | 1993-10-19 | Xandex, Inc. | Probe card system |
US5478748A (en) | 1992-04-01 | 1995-12-26 | Thomas Jefferson University | Protein assay using microwave energy |
DE4211362C2 (de) | 1992-04-04 | 1995-04-20 | Berthold Lab Prof Dr | Vorrichtung zur Bestimmung von Materialparametern durch Mikrowellenmessungen |
TW212252B (de) | 1992-05-01 | 1993-09-01 | Martin Marietta Corp | |
US5237267A (en) | 1992-05-29 | 1993-08-17 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having auxiliary chucks |
US5266889A (en) | 1992-05-29 | 1993-11-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station with integrated environment control enclosure |
JP3219844B2 (ja) | 1992-06-01 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置 |
US5479109A (en) | 1992-06-03 | 1995-12-26 | Trw Inc. | Testing device for integrated circuits on wafer |
US6380751B2 (en) | 1992-06-11 | 2002-04-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US5345170A (en) | 1992-06-11 | 1994-09-06 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems |
US6313649B2 (en) | 1992-06-11 | 2001-11-06 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
JP3228348B2 (ja) | 1992-07-03 | 2001-11-12 | キヤノン株式会社 | 高分子液晶化合物、液晶組成物および液晶素子 |
JPH0634715A (ja) | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波帯プローブヘッド |
FR2695508B1 (fr) * | 1992-09-08 | 1994-10-21 | Filotex Sa | Câble à faible niveau de bruit. |
US5227730A (en) | 1992-09-14 | 1993-07-13 | Kdc Technology Corp. | Microwave needle dielectric sensors |
US5382898A (en) * | 1992-09-21 | 1995-01-17 | Cerprobe Corporation | High density probe card for testing electrical circuits |
FR2696009A1 (fr) * | 1992-09-23 | 1994-03-25 | Philips Electronique Lab | Dispositif de calibrage pour ajuster en hyperfréquence les plans de référence d'un appareillage de mesure des paramètres de dispersion d'éléments de circuits intégrés. |
US5477137A (en) * | 1992-10-02 | 1995-12-19 | Motorola, Inc. | Probeable substrate substitute for a calibration standard and test fixture |
US5691648A (en) * | 1992-11-10 | 1997-11-25 | Cheng; David | Method and apparatus for measuring sheet resistance and thickness of thin films and substrates |
US5479108A (en) | 1992-11-25 | 1995-12-26 | David Cheng | Method and apparatus for handling wafers |
JPH06151532A (ja) | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プローブ装置 |
US5684669A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-04 | Applied Materials, Inc. | Method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck |
US5512835A (en) | 1992-12-22 | 1996-04-30 | Hughes Aircraft Company | Electrical probe and method for measuring gaps and other discontinuities in enclosures using electrical inductance for RF shielding assessment |
JP3175367B2 (ja) | 1992-12-24 | 2001-06-11 | 東レ株式会社 | 均質性の改良された液晶性ポリエステル |
US5422574A (en) | 1993-01-14 | 1995-06-06 | Probe Technology Corporation | Large scale protrusion membrane for semiconductor devices under test with very high pin counts |
JP3323572B2 (ja) | 1993-03-15 | 2002-09-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電圧測定装置のe−oプローブ位置決め方法 |
US5303938A (en) | 1993-03-25 | 1994-04-19 | Miller Donald C | Kelvin chuck apparatus and method of manufacture |
US5539676A (en) | 1993-04-15 | 1996-07-23 | Tokyo Electron Limited | Method of identifying probe position and probing method in prober |
US5357211A (en) | 1993-05-03 | 1994-10-18 | Raytheon Company | Pin driver amplifier |
US5448172A (en) | 1993-05-05 | 1995-09-05 | Auburn International, Inc. | Triboelectric instrument with DC drift compensation |
US5539323A (en) | 1993-05-07 | 1996-07-23 | Brooks Automation, Inc. | Sensor for articles such as wafers on end effector |
DE4316111A1 (de) | 1993-05-13 | 1994-11-17 | Ehlermann Eckhard | Für Hochtemperaturmessungen geeignete Prüfkarte für integrierte Schaltkreise |
US5467021A (en) | 1993-05-24 | 1995-11-14 | Atn Microwave, Inc. | Calibration method and apparatus |
US5657394A (en) | 1993-06-04 | 1997-08-12 | Integrated Technology Corporation | Integrated circuit probe card inspection system |
US5373231A (en) | 1993-06-10 | 1994-12-13 | G. G. B. Industries, Inc. | Integrated circuit probing apparatus including a capacitor bypass structure |
US5412330A (en) | 1993-06-16 | 1995-05-02 | Tektronix, Inc. | Optical module for an optically based measurement system |
JPH0714898A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの試験解析装置および解析方法 |
JP3346838B2 (ja) * | 1993-06-29 | 2002-11-18 | 有限会社創造庵 | 回転運動機構 |
US5412866A (en) | 1993-07-01 | 1995-05-09 | Hughes Aircraft Company | Method of making a cast elastomer/membrane test probe assembly |
US5550482A (en) | 1993-07-20 | 1996-08-27 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Probe device |
JP3395264B2 (ja) | 1993-07-26 | 2003-04-07 | 東京応化工業株式会社 | 回転カップ式塗布装置 |
JP3442822B2 (ja) * | 1993-07-28 | 2003-09-02 | アジレント・テクノロジー株式会社 | 測定用ケーブル及び測定システム |
US5451884A (en) | 1993-08-04 | 1995-09-19 | Transat Corp. | Electronic component temperature test system with flat ring revolving carriage |
US5792668A (en) | 1993-08-06 | 1998-08-11 | Solid State Farms, Inc. | Radio frequency spectral analysis for in-vitro or in-vivo environments |
US5494030A (en) | 1993-08-12 | 1996-02-27 | Trustees Of Dartmouth College | Apparatus and methodology for determining oxygen in biological systems |
US5594358A (en) * | 1993-09-02 | 1997-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radio frequency probe and probe card including a signal needle and grounding needle coupled to a microstrip transmission line |
US5326428A (en) | 1993-09-03 | 1994-07-05 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for testing semiconductor circuitry for operability and method of forming apparatus for testing semiconductor circuitry for operability |
US5600258A (en) | 1993-09-15 | 1997-02-04 | Intest Corporation | Method and apparatus for automated docking of a test head to a device handler |
US5500606A (en) * | 1993-09-16 | 1996-03-19 | Compaq Computer Corporation | Completely wireless dual-access test fixture |
JP3089150B2 (ja) | 1993-10-19 | 2000-09-18 | キヤノン株式会社 | 位置決めステージ装置 |
US5467024A (en) | 1993-11-01 | 1995-11-14 | Motorola, Inc. | Integrated circuit test with programmable source for both AC and DC modes of operation |
US5974662A (en) | 1993-11-16 | 1999-11-02 | Formfactor, Inc. | Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly |
US6064213A (en) | 1993-11-16 | 2000-05-16 | Formfactor, Inc. | Wafer-level burn-in and test |
US5798652A (en) | 1993-11-23 | 1998-08-25 | Semicoa Semiconductors | Method of batch testing surface mount devices using a substrate edge connector |
US5669316A (en) | 1993-12-10 | 1997-09-23 | Sony Corporation | Turntable for rotating a wafer carrier |
US5467249A (en) | 1993-12-20 | 1995-11-14 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck with reference electrode |
KR100248569B1 (ko) | 1993-12-22 | 2000-03-15 | 히가시 데쓰로 | 프로우브장치 |
US6064217A (en) | 1993-12-23 | 2000-05-16 | Epi Technologies, Inc. | Fine pitch contact device employing a compliant conductive polymer bump |
US20020011859A1 (en) | 1993-12-23 | 2002-01-31 | Kenneth R. Smith | Method for forming conductive bumps for the purpose of contrructing a fine pitch test device |
US5475316A (en) | 1993-12-27 | 1995-12-12 | Hypervision, Inc. | Transportable image emission microscope |
KR950021876A (ko) | 1993-12-27 | 1995-07-26 | 사또 히로시 | 무향(anechoic)챔버 및 전파 흡수체 |
US5486975A (en) * | 1994-01-31 | 1996-01-23 | Applied Materials, Inc. | Corrosion resistant electrostatic chuck |
JP3565893B2 (ja) | 1994-02-04 | 2004-09-15 | アジレント・テクノロジーズ・インク | プローブ装置及び電気回路素子計測装置 |
US5583445A (en) | 1994-02-04 | 1996-12-10 | Hughes Aircraft Company | Opto-electronic membrane probe |
US5642298A (en) | 1994-02-16 | 1997-06-24 | Ade Corporation | Wafer testing and self-calibration system |
US5611946A (en) | 1994-02-18 | 1997-03-18 | New Wave Research | Multi-wavelength laser system, probe station and laser cutter system using the same |
US5477011A (en) | 1994-03-03 | 1995-12-19 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Low noise signal transmission cable |
US5565881A (en) | 1994-03-11 | 1996-10-15 | Motorola, Inc. | Balun apparatus including impedance transformer having transformation length |
KR100296646B1 (ko) | 1994-03-31 | 2001-10-24 | 히가시 데쓰로 | 프로우브시스템및프로우브방법 |
JPH07273509A (ja) * | 1994-04-04 | 1995-10-20 | Toshiba Corp | マイクロ波回路及び回路基板の製造方法 |
US5523694A (en) | 1994-04-08 | 1996-06-04 | Cole, Jr.; Edward I. | Integrated circuit failure analysis by low-energy charge-induced voltage alteration |
US5528158A (en) | 1994-04-11 | 1996-06-18 | Xandex, Inc. | Probe card changer system and method |
DE9406227U1 (de) | 1994-04-14 | 1995-08-31 | Meyer Fa Rud Otto | Temperaturwechsel-Prüfeinrichtung |
US5530372A (en) | 1994-04-15 | 1996-06-25 | Schlumberger Technologies, Inc. | Method of probing a net of an IC at an optimal probe-point |
US5546012A (en) | 1994-04-15 | 1996-08-13 | International Business Machines Corporation | Probe card assembly having a ceramic probe card |
IL109492A (en) | 1994-05-01 | 1999-06-20 | Sirotech Ltd | Method and apparatus for evaluating bacterial populations |
US5715819A (en) | 1994-05-26 | 1998-02-10 | The Carolinas Heart Institute | Microwave tomographic spectroscopy system and method |
US5511010A (en) | 1994-06-10 | 1996-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus of eliminating interference in an undersettled electrical signal |
US5505150A (en) | 1994-06-14 | 1996-04-09 | L&P Property Management Company | Method and apparatus for facilitating loop take time adjustment in multi-needle quilting machine |
US5491426A (en) * | 1994-06-30 | 1996-02-13 | Vlsi Technology, Inc. | Adaptable wafer probe assembly for testing ICs with different power/ground bond pad configurations |
US5485029A (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-16 | International Business Machines Corporation | On-chip ground plane for semiconductor devices to reduce parasitic signal propagation |
US5704355A (en) | 1994-07-01 | 1998-01-06 | Bridges; Jack E. | Non-invasive system for breast cancer detection |
EP0694282B1 (de) | 1994-07-01 | 2004-01-02 | Interstitial, LLC | Nachweis und Darstellung von Brustkrebs durch elektromagnetische Millimeterwellen |
US5829437A (en) | 1994-07-01 | 1998-11-03 | Interstitial, Inc. | Microwave method and system to detect and locate cancers in heterogenous tissues |
US5550480A (en) | 1994-07-05 | 1996-08-27 | Motorola, Inc. | Method and means for controlling movement of a chuck in a test apparatus |
US5584608A (en) | 1994-07-05 | 1996-12-17 | Gillespie; Harvey D. | Anchored cable sling system |
US5565788A (en) | 1994-07-20 | 1996-10-15 | Cascade Microtech, Inc. | Coaxial wafer probe with tip shielding |
US5506515A (en) | 1994-07-20 | 1996-04-09 | Cascade Microtech, Inc. | High-frequency probe tip assembly |
GB9417450D0 (en) | 1994-08-25 | 1994-10-19 | Symmetricom Inc | An antenna |
US5488954A (en) * | 1994-09-09 | 1996-02-06 | Georgia Tech Research Corp. | Ultrasonic transducer and method for using same |
GB9418183D0 (en) | 1994-09-09 | 1994-10-26 | Chan Tsing Y A | Non-destructive method for determination of polar molecules on rigid and semi-rigid substrates |
US5515167A (en) | 1994-09-13 | 1996-05-07 | Hughes Aircraft Company | Transparent optical chuck incorporating optical monitoring |
AU3890095A (en) | 1994-09-19 | 1996-04-09 | Terry Lee Mauney | Plant growing system |
US5469324A (en) | 1994-10-07 | 1995-11-21 | Storage Technology Corporation | Integrated decoupling capacitive core for a printed circuit board and method of making same |
US5508631A (en) | 1994-10-27 | 1996-04-16 | Mitel Corporation | Semiconductor test chip with on wafer switching matrix |
US5481196A (en) | 1994-11-08 | 1996-01-02 | Nebraska Electronics, Inc. | Process and apparatus for microwave diagnostics and therapy |
US5572398A (en) | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Hewlett-Packard Co. | Tri-polar electrostatic chuck |
US5583733A (en) | 1994-12-21 | 1996-12-10 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
JPH08179008A (ja) | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Advantest Corp | テスト・ヘッド冷却装置 |
US5731920A (en) | 1994-12-22 | 1998-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Converting adapter for interchangeable lens assembly |
US5792562A (en) | 1995-01-12 | 1998-08-11 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making |
DE19605214A1 (de) | 1995-02-23 | 1996-08-29 | Bosch Gmbh Robert | Ultraschallantriebselement |
US5517111A (en) | 1995-03-16 | 1996-05-14 | Phase Metrics | Automatic testing system for magnetoresistive heads |
JP3368451B2 (ja) | 1995-03-17 | 2003-01-20 | 富士通株式会社 | 回路基板の製造方法と回路検査装置 |
US5777485A (en) | 1995-03-20 | 1998-07-07 | Tokyo Electron Limited | Probe method and apparatus with improved probe contact |
US5835997A (en) | 1995-03-28 | 1998-11-10 | University Of South Florida | Wafer shielding chamber for probe station |
AU5540596A (en) | 1995-04-03 | 1996-10-23 | Gary H. Baker | A flexible darkness adapting viewer |
US5682337A (en) | 1995-04-13 | 1997-10-28 | Synopsys, Inc. | High speed three-state sampling |
US6232789B1 (en) | 1997-05-28 | 2001-05-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probe holder for low current measurements |
US5561377A (en) | 1995-04-14 | 1996-10-01 | Cascade Microtech, Inc. | System for evaluating probing networks |
US5610529A (en) | 1995-04-28 | 1997-03-11 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having conductive coating added to thermal chuck insulator |
DE19517330C2 (de) | 1995-05-11 | 2002-06-13 | Helmuth Heigl | Handhabungsvorrichtung |
US6104203A (en) | 1995-05-16 | 2000-08-15 | Trio-Tech International | Test apparatus for electronic components |
US5804982A (en) | 1995-05-26 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Miniature probe positioning actuator |
US5646538A (en) | 1995-06-13 | 1997-07-08 | Measurement Systems, Inc. | Method and apparatus for fastener hole inspection with a capacitive probe |
CN1081836C (zh) | 1995-06-21 | 2002-03-27 | 摩托罗拉公司 | 提供全向场型图的方法和天线 |
DE19522774A1 (de) | 1995-06-27 | 1997-01-02 | Ifu Gmbh | Einrichtung zur spektroskopischen Untersuchung von Proben, die dem menschlichen Körper entnommen wurden |
US5659421A (en) | 1995-07-05 | 1997-08-19 | Neuromedical Systems, Inc. | Slide positioning and holding device |
US5828225A (en) | 1995-07-05 | 1998-10-27 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer probing apparatus |
US6002109A (en) | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
WO1997003342A1 (en) * | 1995-07-10 | 1997-01-30 | Cvc Products, Inc. | Automated calibration of temperature sensors in rapid thermal processing |
US5676360A (en) | 1995-07-11 | 1997-10-14 | Boucher; John N. | Machine tool rotary table locking apparatus |
US5656942A (en) | 1995-07-21 | 1997-08-12 | Electroglas, Inc. | Prober and tester with contact interface for integrated circuits-containing wafer held docked in a vertical plane |
JP3458586B2 (ja) | 1995-08-21 | 2003-10-20 | 松下電器産業株式会社 | マイクロ波ミキサー回路とダウンコンバータ |
US5849355A (en) * | 1996-09-18 | 1998-12-15 | Alliedsignal Inc. | Electroless copper plating |
US5762512A (en) | 1995-10-12 | 1998-06-09 | Symbol Technologies, Inc. | Latchable battery pack for battery-operated electronic device having controlled power shutdown and turn on |
US5807107A (en) | 1995-10-20 | 1998-09-15 | Barrier Supply | Dental infection control system |
KR0176434B1 (ko) * | 1995-10-27 | 1999-04-15 | 이대원 | 진공 척 장치 |
US5731708A (en) | 1995-10-31 | 1998-03-24 | Hughes Aircraft Company | Unpackaged semiconductor testing using an improved probe and precision X-Y table |
US5712571A (en) * | 1995-11-03 | 1998-01-27 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and method for detecting defects arising as a result of integrated circuit processing |
US5892539A (en) | 1995-11-08 | 1999-04-06 | Alpha Innotech Corporation | Portable emission microscope workstation for failure analysis |
US5953477A (en) | 1995-11-20 | 1999-09-14 | Visionex, Inc. | Method and apparatus for improved fiber optic light management |
JP2970505B2 (ja) | 1995-11-21 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | 半導体デバイスの配線電流観測方法、検査方法および装置 |
US5910727A (en) | 1995-11-30 | 1999-06-08 | Tokyo Electron Limited | Electrical inspecting apparatus with ventilation system |
US5729150A (en) | 1995-12-01 | 1998-03-17 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables |
US5861743A (en) * | 1995-12-21 | 1999-01-19 | Genrad, Inc. | Hybrid scanner for use in an improved MDA tester |
CA2245549C (en) | 1996-02-06 | 2003-04-08 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Assembly and method for testing integrated circuit devices |
US5841288A (en) | 1996-02-12 | 1998-11-24 | Microwave Imaging System Technologies, Inc. | Two-dimensional microwave imaging apparatus and methods |
US6327034B1 (en) | 1999-09-20 | 2001-12-04 | Rex Hoover | Apparatus for aligning two objects |
US5628057A (en) | 1996-03-05 | 1997-05-06 | Motorola, Inc. | Multi-port radio frequency signal transformation network |
JP2900877B2 (ja) * | 1996-03-22 | 1999-06-02 | 日本電気株式会社 | 半導体デバイスの配線電流観測方法、配線系欠陥検査方法およびその装置 |
US5773951A (en) | 1996-03-25 | 1998-06-30 | Digital Test Corporation | Wafer prober having sub-micron alignment accuracy |
JP3457495B2 (ja) | 1996-03-29 | 2003-10-20 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体、金属埋設品、電子機能材料および静電チャック |
US5631571A (en) | 1996-04-03 | 1997-05-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Infrared receiver wafer level probe testing |
US6023408A (en) * | 1996-04-09 | 2000-02-08 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Floating plate capacitor with extremely wide band low impedance |
US5838161A (en) | 1996-05-01 | 1998-11-17 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor interconnect having test structures for evaluating electrical characteristics of the interconnect |
DE19618717C1 (de) | 1996-05-09 | 1998-01-15 | Multitest Elektronische Syst | Elektrische Verbindungseinrichtung |
US5818084A (en) | 1996-05-15 | 1998-10-06 | Siliconix Incorporated | Pseudo-Schottky diode |
JP3388307B2 (ja) | 1996-05-17 | 2003-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカード及びその組立方法 |
KR100471341B1 (ko) | 1996-05-23 | 2005-07-21 | 제네시스 테크놀로지 가부시키가이샤 | 콘택트프로브및그것을구비한프로브장치 |
US5748506A (en) | 1996-05-28 | 1998-05-05 | Motorola, Inc. | Calibration technique for a network analyzer |
US6023209A (en) * | 1996-07-05 | 2000-02-08 | Endgate Corporation | Coplanar microwave circuit having suppression of undesired modes |
US5879289A (en) | 1996-07-15 | 1999-03-09 | Universal Technologies International, Inc. | Hand-held portable endoscopic camera |
WO1998005060A1 (en) | 1996-07-31 | 1998-02-05 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Multizone bake/chill thermal cycling module |
US5793213A (en) | 1996-08-01 | 1998-08-11 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for calibrating a network analyzer |
JP2962234B2 (ja) | 1996-08-07 | 1999-10-12 | 日本電気株式会社 | 半導体デバイスの寄生MIM構造箇所解析法及びSi半導体デバイスの寄生MIM構造箇所解析法 |
US5847569A (en) | 1996-08-08 | 1998-12-08 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Electrical contact probe for sampling high frequency electrical signals |
US5869326A (en) | 1996-09-09 | 1999-02-09 | Genetronics, Inc. | Electroporation employing user-configured pulsing scheme |
DE19636890C1 (de) | 1996-09-11 | 1998-02-12 | Bosch Gmbh Robert | Übergang von einem Hohlleiter auf eine Streifenleitung |
US6181149B1 (en) | 1996-09-26 | 2001-01-30 | Delaware Capital Formation, Inc. | Grid array package test contactor |
EP0837333A3 (de) | 1996-10-18 | 1999-06-09 | Tokyo Electron Limited | Gerät zur Ausrichtung eines Wafers mit einem Prüfkontaktfeld |
US5666063A (en) | 1996-10-23 | 1997-09-09 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for testing an integrated circuit |
US5945836A (en) | 1996-10-29 | 1999-08-31 | Hewlett-Packard Company | Loaded-board, guided-probe test fixture |
US5883522A (en) | 1996-11-07 | 1999-03-16 | National Semiconductor Corporation | Apparatus and method for retaining a semiconductor wafer during testing |
US6184845B1 (en) | 1996-11-27 | 2001-02-06 | Symmetricom, Inc. | Dielectric-loaded antenna |
US6603322B1 (en) | 1996-12-12 | 2003-08-05 | Ggb Industries, Inc. | Probe card for high speed testing |
JP3364401B2 (ja) | 1996-12-27 | 2003-01-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカードクランプ機構及びプローブ装置 |
US6307672B1 (en) | 1996-12-31 | 2001-10-23 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Microscope collision protection apparatus |
US5852232A (en) | 1997-01-02 | 1998-12-22 | Kla-Tencor Corporation | Acoustic sensor as proximity detector |
US5848500A (en) | 1997-01-07 | 1998-12-15 | Eastman Kodak Company | Light-tight enclosure and joint connectors for enclosure framework |
US6826422B1 (en) | 1997-01-13 | 2004-11-30 | Medispectra, Inc. | Spectral volume microprobe arrays |
US5911833A (en) * | 1997-01-15 | 1999-06-15 | Lam Research Corporation | Method of in-situ cleaning of a chuck within a plasma chamber |
US5982166A (en) | 1997-01-27 | 1999-11-09 | Motorola, Inc. | Method for measuring a characteristic of a semiconductor wafer using cylindrical control |
JPH10204102A (ja) | 1997-01-27 | 1998-08-04 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 水溶性トリカルボキシ多糖類の製造方法 |
JP3639887B2 (ja) | 1997-01-30 | 2005-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査方法及び検査装置 |
US6019612A (en) | 1997-02-10 | 2000-02-01 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Electrical connecting apparatus for electrically connecting a device to be tested |
US5888075A (en) | 1997-02-10 | 1999-03-30 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Auxiliary apparatus for testing device |
US6060891A (en) | 1997-02-11 | 2000-05-09 | Micron Technology, Inc. | Probe card for semiconductor wafers and method and system for testing wafers |
US6798224B1 (en) | 1997-02-11 | 2004-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method for testing semiconductor wafers |
US5905421A (en) | 1997-02-18 | 1999-05-18 | Wiltron Company | Apparatus for measuring and/or injecting high frequency signals in integrated systems |
US6064218A (en) | 1997-03-11 | 2000-05-16 | Primeyield Systems, Inc. | Peripherally leaded package test contactor |
US5923177A (en) | 1997-03-27 | 1999-07-13 | Hewlett-Packard Company | Portable wedge probe for perusing signals on the pins of an IC |
US6043667A (en) | 1997-04-17 | 2000-03-28 | International Business Machines Corporation | Substrate tester location clamping, sensing, and contacting method and apparatus |
US6127831A (en) | 1997-04-21 | 2000-10-03 | Motorola, Inc. | Method of testing a semiconductor device by automatically measuring probe tip parameters |
US6121783A (en) | 1997-04-22 | 2000-09-19 | Horner; Gregory S. | Method and apparatus for establishing electrical contact between a wafer and a chuck |
US6091236A (en) | 1997-04-28 | 2000-07-18 | Csi Technology, Inc. | System and method for measuring and analyzing electrical signals on the shaft of a machine |
US5883523A (en) | 1997-04-29 | 1999-03-16 | Credence Systems Corporation | Coherent switching power for an analog circuit tester |
US5942907A (en) | 1997-05-07 | 1999-08-24 | Industrial Technology Research Institute | Method and apparatus for testing dies |
CA2290599A1 (en) | 1997-05-23 | 1998-11-26 | The Carolinas Heart Institute | Electromagnetical imaging and therapeutic (emit) systems |
US5926029A (en) * | 1997-05-27 | 1999-07-20 | International Business Machines Corporation | Ultra fine probe contacts |
JPH10335395A (ja) | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Advantest Corp | プローブカードの接触位置検出方法 |
US6229327B1 (en) | 1997-05-30 | 2001-05-08 | Gregory G. Boll | Broadband impedance matching probe |
US5981268A (en) | 1997-05-30 | 1999-11-09 | Board Of Trustees, Leland Stanford, Jr. University | Hybrid biosensors |
US5963027A (en) | 1997-06-06 | 1999-10-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having environment control chambers with orthogonally flexible lateral wall assembly |
US6002263A (en) | 1997-06-06 | 1999-12-14 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having inner and outer shielding |
US6034533A (en) | 1997-06-10 | 2000-03-07 | Tervo; Paul A. | Low-current pogo probe card |
SE9702235L (sv) | 1997-06-11 | 1998-06-22 | Saab Marine Electronics | Hornantenn |
US6029141A (en) * | 1997-06-27 | 2000-02-22 | Amazon.Com, Inc. | Internet-based customer referral system |
US6002426A (en) | 1997-07-02 | 1999-12-14 | Cerprobe Corporation | Inverted alignment station and method for calibrating needles of probe card for probe testing of integrated circuits |
US6052653A (en) | 1997-07-11 | 2000-04-18 | Solid State Measurements, Inc. | Spreading resistance profiling system |
US5959461A (en) | 1997-07-14 | 1999-09-28 | Wentworth Laboratories, Inc. | Probe station adapter for backside emission inspection |
WO1999004273A1 (en) * | 1997-07-15 | 1999-01-28 | Wentworth Laboratories, Inc. | Probe station with multiple adjustable probe supports |
US6828566B2 (en) | 1997-07-22 | 2004-12-07 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for specimen fabrication |
US6215295B1 (en) | 1997-07-25 | 2001-04-10 | Smith, Iii Richard S. | Photonic field probe and calibration means thereof |
US6104206A (en) | 1997-08-05 | 2000-08-15 | Verkuil; Roger L. | Product wafer junction leakage measurement using corona and a kelvin probe |
US5998768A (en) | 1997-08-07 | 1999-12-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Active thermal control of surfaces by steering heating beam in response to sensed thermal radiation |
US5970429A (en) | 1997-08-08 | 1999-10-19 | Lucent Technologies, Inc. | Method and apparatus for measuring electrical noise in devices |
US6292760B1 (en) | 1997-08-11 | 2001-09-18 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus to measure non-coherent signals |
JP2001514921A (ja) | 1997-08-13 | 2001-09-18 | サークス, インコーポレイテッド | 組織収縮のための非侵襲性デバイス、方法、およびシステム |
US6233613B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-05-15 | 3Com Corporation | High impedance probe for monitoring fast ethernet LAN links |
US5960411A (en) | 1997-09-12 | 1999-09-28 | Amazon.Com, Inc. | Method and system for placing a purchase order via a communications network |
US6573702B2 (en) | 1997-09-12 | 2003-06-03 | New Wave Research | Method and apparatus for cleaning electronic test contacts |
US5993611A (en) | 1997-09-24 | 1999-11-30 | Sarnoff Corporation | Capacitive denaturation of nucleic acid |
US6013586A (en) * | 1997-10-09 | 2000-01-11 | Dimension Polyant Sailcloth, Inc. | Tent material product and method of making tent material product |
US6278051B1 (en) | 1997-10-09 | 2001-08-21 | Vatell Corporation | Differential thermopile heat flux transducer |
US5949383A (en) | 1997-10-20 | 1999-09-07 | Ericsson Inc. | Compact antenna structures including baluns |
JPH11125646A (ja) | 1997-10-21 | 1999-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直針型プローブカード、その製造方法およびその不良プローブ針の交換方法 |
US6049216A (en) | 1997-10-27 | 2000-04-11 | Industrial Technology Research Institute | Contact type prober automatic alignment |
JP3112873B2 (ja) | 1997-10-31 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | 高周波プローブ |
JPH11142433A (ja) | 1997-11-10 | 1999-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直針型プローブカード用のプローブ針とその製造方法 |
DE19822123C2 (de) | 1997-11-21 | 2003-02-06 | Meinhard Knoll | Verfahren und Vorrichtung zum Nachweis von Analyten |
US6048750A (en) | 1997-11-24 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Method for aligning and connecting semiconductor components to substrates |
JPH11163066A (ja) | 1997-11-29 | 1999-06-18 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ試験装置 |
US6096567A (en) | 1997-12-01 | 2000-08-01 | Electroglas, Inc. | Method and apparatus for direct probe sensing |
US6118287A (en) | 1997-12-09 | 2000-09-12 | Boll; Gregory George | Probe tip structure |
US6043668A (en) | 1997-12-12 | 2000-03-28 | Sony Corporation | Planarity verification system for integrated circuit test probes |
US6100815A (en) | 1997-12-24 | 2000-08-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Compound switching matrix for probing and interconnecting devices under test to measurement equipment |
US5944093A (en) | 1997-12-30 | 1999-08-31 | Intel Corporation | Pickup chuck with an integral heat pipe |
US6328096B1 (en) | 1997-12-31 | 2001-12-11 | Temptronic Corporation | Workpiece chuck |
US6415858B1 (en) | 1997-12-31 | 2002-07-09 | Temptronic Corporation | Temperature control system for a workpiece chuck |
JPH11211766A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-08-06 | Advantest Corp | 自動キャリブレーション装置 |
US6395480B1 (en) | 1999-02-01 | 2002-05-28 | Signature Bioscience, Inc. | Computer program and database structure for detecting molecular binding events |
US6338968B1 (en) | 1998-02-02 | 2002-01-15 | Signature Bioscience, Inc. | Method and apparatus for detecting molecular binding events |
US7083985B2 (en) | 1998-02-02 | 2006-08-01 | Hefti John J | Coplanar waveguide biosensor for detecting molecular or cellular events |
US6287874B1 (en) | 1998-02-02 | 2001-09-11 | Signature Bioscience, Inc. | Methods for analyzing protein binding events |
US6287776B1 (en) | 1998-02-02 | 2001-09-11 | Signature Bioscience, Inc. | Method for detecting and classifying nucleic acid hybridization |
JP3862845B2 (ja) | 1998-02-05 | 2006-12-27 | セイコーインスツル株式会社 | 近接場用光プローブ |
US6181144B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-01-30 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor probe card having resistance measuring circuitry and method fabrication |
US6078183A (en) | 1998-03-03 | 2000-06-20 | Sandia Corporation | Thermally-induced voltage alteration for integrated circuit analysis |
US6244121B1 (en) | 1998-03-06 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system |
US6054869A (en) | 1998-03-19 | 2000-04-25 | H+W Test Products, Inc. | Bi-level test fixture for testing printed circuit boards |
US6161294A (en) | 1998-03-23 | 2000-12-19 | Sloan Technologies, Incorporated | Overhead scanning profiler |
DE29805631U1 (de) | 1998-03-27 | 1998-06-25 | Ebinger, Klaus, 51149 Köln | Magnetometer |
JPH11281675A (ja) | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Hewlett Packard Japan Ltd | 信号測定用プローブ |
JP3553791B2 (ja) | 1998-04-03 | 2004-08-11 | 株式会社ルネサステクノロジ | 接続装置およびその製造方法、検査装置並びに半導体素子の製造方法 |
US6147502A (en) | 1998-04-10 | 2000-11-14 | Bechtel Bwxt Idaho, Llc | Method and apparatus for measuring butterfat and protein content using microwave absorption techniques |
US6181416B1 (en) | 1998-04-14 | 2001-01-30 | Optometrix, Inc. | Schlieren method for imaging semiconductor device properties |
US6060888A (en) | 1998-04-24 | 2000-05-09 | Hewlett-Packard Company | Error correction method for reflection measurements of reciprocal devices in vector network analyzers |
JP4782280B2 (ja) | 1998-05-01 | 2011-09-28 | ダブリュ.エル.ゴア アンド アソシエイツ,インコーポレイティド | 反復位置決め可能ノズル組立体 |
US6091255A (en) | 1998-05-08 | 2000-07-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for tasking processing modules based upon temperature |
US6257564B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc | Vacuum chuck having vacuum-nipples wafer support |
US6111419A (en) | 1998-05-19 | 2000-08-29 | Motorola Inc. | Method of processing a substrate including measuring for planarity and probing the substrate |
US6239590B1 (en) * | 1998-05-26 | 2001-05-29 | Micron Technology, Inc. | Calibration target for calibrating semiconductor wafer test systems |
TW440699B (en) | 1998-06-09 | 2001-06-16 | Advantest Corp | Test apparatus for electronic parts |
US6281691B1 (en) | 1998-06-09 | 2001-08-28 | Nec Corporation | Tip portion structure of high-frequency probe and method for fabrication probe tip portion composed by coaxial cable |
US6251595B1 (en) | 1998-06-18 | 2001-06-26 | Agilent Technologies, Inc. | Methods and devices for carrying out chemical reactions |
US6194720B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-02-27 | Micron Technology, Inc. | Preparation of transmission electron microscope samples |
US6166553A (en) | 1998-06-29 | 2000-12-26 | Xandex, Inc. | Prober-tester electrical interface for semiconductor test |
US7304486B2 (en) | 1998-07-08 | 2007-12-04 | Capres A/S | Nano-drive for high resolution positioning and for positioning of a multi-point probe |
AU4991899A (en) | 1998-07-14 | 2000-02-07 | Schlumberger Technologies, Inc. | Apparatus, method and system of liquid-based, wide range, fast response temperature cycling control of electronic devices |
US6256882B1 (en) | 1998-07-14 | 2001-07-10 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
TW436634B (en) | 1998-07-24 | 2001-05-28 | Advantest Corp | IC test apparatus |
US6259148B1 (en) * | 1998-08-13 | 2001-07-10 | International Business Machines Corporation | Modular high frequency integrated circuit structure |
US6229322B1 (en) | 1998-08-21 | 2001-05-08 | Micron Technology, Inc. | Electronic device workpiece processing apparatus and method of communicating signals within an electronic device workpiece processing apparatus |
US6744268B2 (en) | 1998-08-27 | 2004-06-01 | The Micromanipulator Company, Inc. | High resolution analytical probe station |
US6198299B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-03-06 | The Micromanipulator Company, Inc. | High Resolution analytical probe station |
US6124723A (en) | 1998-08-31 | 2000-09-26 | Wentworth Laboratories, Inc. | Probe holder for low voltage, low current measurements in a water probe station |
US6529844B1 (en) | 1998-09-02 | 2003-03-04 | Anritsu Company | Vector network measurement system |
US6236975B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-05-22 | Ignite Sales, Inc. | System and method for profiling customers for targeted marketing |
US6937341B1 (en) | 1998-09-29 | 2005-08-30 | J. A. Woollam Co. Inc. | System and method enabling simultaneous investigation of sample with two beams of electromagnetic radiation |
GB2342148B (en) * | 1998-10-01 | 2000-12-20 | Nippon Kokan Kk | Method and apparatus for preventing snow from melting and for packing snow in artificial ski facility |
US6175228B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-01-16 | Agilent Technologies | Electronic probe for measuring high impedance tri-state logic circuits |
US6169410B1 (en) | 1998-11-09 | 2001-01-02 | Anritsu Company | Wafer probe with built in RF frequency conversion module |
US6236223B1 (en) | 1998-11-09 | 2001-05-22 | Intermec Ip Corp. | Method and apparatus for wireless radio frequency testing of RFID integrated circuits |
US6284971B1 (en) | 1998-11-25 | 2001-09-04 | Johns Hopkins University School Of Medicine | Enhanced safety coaxial cables |
US6608494B1 (en) | 1998-12-04 | 2003-08-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Single point high resolution time resolved photoemission microscopy system and method |
US6137303A (en) | 1998-12-14 | 2000-10-24 | Sony Corporation | Integrated testing method and apparatus for semiconductor test operations processing |
JP2000183120A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | プローバ装置及び半導体装置の電気的評価方法 |
JP2000180469A (ja) | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用コンタクタ及び半導体装置用コンタクタを用いた試験装置及び半導体装置用コンタクタを用いた試験方法及び半導体装置用コンタクタのクリーニング方法 |
US6236977B1 (en) | 1999-01-04 | 2001-05-22 | Realty One, Inc. | Computer implemented marketing system |
US6232787B1 (en) | 1999-01-08 | 2001-05-15 | Schlumberger Technologies, Inc. | Microstructure defect detection |
JP2000206146A (ja) | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | プロ―ブ針 |
US6583638B2 (en) | 1999-01-26 | 2003-06-24 | Trio-Tech International | Temperature-controlled semiconductor wafer chuck system |
US6300775B1 (en) | 1999-02-02 | 2001-10-09 | Com Dev Limited | Scattering parameter calibration system and method |
US6147851A (en) | 1999-02-05 | 2000-11-14 | Anderson; Karl F. | Method for guarding electrical regions having potential gradients |
GB9902765D0 (en) | 1999-02-08 | 1999-03-31 | Symmetricom Inc | An antenna |
FR2790096B1 (fr) * | 1999-02-18 | 2001-04-13 | St Microelectronics Sa | Structure etalon elementaire a faibles pertes pour l'etalonnage d'une sonde de circuit integre |
FR2790097B1 (fr) | 1999-02-18 | 2001-04-27 | St Microelectronics Sa | Procede d'etalonnage d'une sonde de circuit integre rf |
WO2000050867A2 (en) | 1999-02-22 | 2000-08-31 | Paul Bryant | Programmable active microwave ultrafine resonance spectrometer (pamurs) method and systems |
US6232790B1 (en) | 1999-03-08 | 2001-05-15 | Honeywell Inc. | Method and apparatus for amplifying electrical test signals from a micromechanical device |
US20010043073A1 (en) | 1999-03-09 | 2001-11-22 | Thomas T. Montoya | Prober interface plate |
US6710798B1 (en) | 1999-03-09 | 2004-03-23 | Applied Precision Llc | Methods and apparatus for determining the relative positions of probe tips on a printed circuit board probe card |
US6211837B1 (en) | 1999-03-10 | 2001-04-03 | Raytheon Company | Dual-window high-power conical horn antenna |
JP2000260852A (ja) | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 検査ステージ及び検査装置 |
FR2790842B1 (fr) * | 1999-03-12 | 2001-04-20 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication d'un circuit de test sur une plaquette de silicium |
US6225816B1 (en) | 1999-04-08 | 2001-05-01 | Agilent Technologies, Inc. | Split resistor probe and method |
US6400166B2 (en) | 1999-04-15 | 2002-06-04 | International Business Machines Corporation | Micro probe and method of fabricating same |
US6259261B1 (en) | 1999-04-16 | 2001-07-10 | Sony Corporation | Method and apparatus for electrically testing semiconductor devices fabricated on a wafer |
US6114865A (en) | 1999-04-21 | 2000-09-05 | Semiconductor Diagnostics, Inc. | Device for electrically contacting a floating semiconductor wafer having an insulating film |
US6310755B1 (en) | 1999-05-07 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having gas cavity and method |
US6456152B1 (en) | 1999-05-17 | 2002-09-24 | Hitachi, Ltd. | Charge pump with improved reliability |
JP2000329664A (ja) | 1999-05-18 | 2000-11-30 | Nkk Corp | 透過型電子顕微鏡の観察方法および保持治具 |
US6448788B1 (en) | 1999-05-26 | 2002-09-10 | Microwave Imaging System Technologies, Inc. | Fixed array microwave imaging apparatus and method |
US6812718B1 (en) | 1999-05-27 | 2004-11-02 | Nanonexus, Inc. | Massively parallel interface for electronic circuits |
US6211663B1 (en) | 1999-05-28 | 2001-04-03 | The Aerospace Corporation | Baseband time-domain waveform measurement method |
US6409724B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-06-25 | Gyrus Medical Limited | Electrosurgical instrument |
US6578264B1 (en) | 1999-06-04 | 2003-06-17 | Cascade Microtech, Inc. | Method for constructing a membrane probe using a depression |
US6445202B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-09-03 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current |
US6320372B1 (en) | 1999-07-09 | 2001-11-20 | Electroglas, Inc. | Apparatus and method for testing a substrate having a plurality of terminals |
JP4104099B2 (ja) | 1999-07-09 | 2008-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカード搬送機構 |
US6580283B1 (en) | 1999-07-14 | 2003-06-17 | Aehr Test Systems | Wafer level burn-in and test methods |
US6340895B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-01-22 | Aehr Test Systems, Inc. | Wafer-level burn-in and test cartridge |
US7013221B1 (en) | 1999-07-16 | 2006-03-14 | Rosetta Inpharmatics Llc | Iterative probe design and detailed expression profiling with flexible in-situ synthesis arrays |
US6407562B1 (en) | 1999-07-29 | 2002-06-18 | Agilent Technologies, Inc. | Probe tip terminating device providing an easily changeable feed-through termination |
KR20010021204A (ko) | 1999-08-06 | 2001-03-15 | 이데이 노부유끼 | 안테나장치 및 휴대무선기 |
JP2001053517A (ja) | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Sony Corp | アンテナ装置及び携帯無線機 |
US6275738B1 (en) | 1999-08-19 | 2001-08-14 | Kai Technologies, Inc. | Microwave devices for medical hyperthermia, thermotherapy and diagnosis |
US6809533B1 (en) * | 1999-09-10 | 2004-10-26 | University Of Maryland, College Park | Quantitative imaging of dielectric permittivity and tunability |
CN1083975C (zh) | 1999-09-10 | 2002-05-01 | 北京航空工艺研究所 | 一种弧光传感等离子弧焊小孔行为的方法及其装置 |
JP3388462B2 (ja) * | 1999-09-13 | 2003-03-24 | 日本電気株式会社 | 半導体チップ解析用プローバ及び半導体チップ解析装置 |
US6545492B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-04-08 | Europaisches Laboratorium Fur Molekularbiologie (Embl) | Multiple local probe measuring device and method |
US6483327B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-11-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Quadrant avalanche photodiode time-resolved detection |
US7009415B2 (en) | 1999-10-06 | 2006-03-07 | Tokyo Electron Limited | Probing method and probing apparatus |
JP2001124676A (ja) | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡観察用試料支持部材 |
US6245692B1 (en) | 1999-11-23 | 2001-06-12 | Agere Systems Guardian Corp. | Method to selectively heat semiconductor wafers |
US6528993B1 (en) | 1999-11-29 | 2003-03-04 | Korea Advanced Institute Of Science & Technology | Magneto-optical microscope magnetometer |
US6724928B1 (en) | 1999-12-02 | 2004-04-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Real-time photoemission detection system |
US6633174B1 (en) | 1999-12-14 | 2003-10-14 | Kla-Tencor | Stepper type test structures and methods for inspection of semiconductor integrated circuits |
US6771806B1 (en) | 1999-12-14 | 2004-08-03 | Kla-Tencor | Multi-pixel methods and apparatus for analysis of defect information from test structures on semiconductor devices |
JP2001174482A (ja) | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Toshiba Corp | 電気的特性評価用接触針、プローブ構造体、プローブカード、および電気的特性評価用接触針の製造方法 |
US6459739B1 (en) | 1999-12-30 | 2002-10-01 | Tioga Technologies Inc. | Method and apparatus for RF common-mode noise rejection in a DSL receiver |
DE10000324A1 (de) | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Roesler Hans Joachim | Analysegerät |
US6384614B1 (en) | 2000-02-05 | 2002-05-07 | Fluke Corporation | Single tip Kelvin probe |
WO2001058828A1 (fr) | 2000-02-07 | 2001-08-16 | Ibiden Co., Ltd. | Substrat ceramique pour dispositif de production ou d'examen de semi-conducteurs |
US6734687B1 (en) | 2000-02-25 | 2004-05-11 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for detecting defect in device and method of detecting defect |
HUP0204508A2 (en) | 2000-02-25 | 2003-06-28 | Personal Chemistry I Uppsala | Microwave heating apparatus |
JP3389914B2 (ja) | 2000-03-03 | 2003-03-24 | 日本電気株式会社 | 集積回路の電源電流値のサンプリング方法及び装置、及びその制御プログラムを記録した記憶媒体 |
EP1205451A1 (de) | 2000-03-07 | 2002-05-15 | Ibiden Co., Ltd. | Keramisches substrat zur herstellung/inspektion von halbleitern |
US6488405B1 (en) | 2000-03-08 | 2002-12-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Flip chip defect analysis using liquid crystal |
WO2001073461A2 (en) | 2000-03-24 | 2001-10-04 | Surgi-Vision | Endoluminal mri probe |
US6650135B1 (en) | 2000-06-29 | 2003-11-18 | Motorola, Inc. | Measurement chuck having piezoelectric elements and method |
US6313567B1 (en) | 2000-04-10 | 2001-11-06 | Motorola, Inc. | Lithography chuck having piezoelectric elements, and method |
US6396298B1 (en) | 2000-04-14 | 2002-05-28 | The Aerospace Corporation | Active feedback pulsed measurement method |
US20020050828A1 (en) | 2000-04-14 | 2002-05-02 | General Dielectric, Inc. | Multi-feed microwave reflective resonant sensors |
US20020070745A1 (en) | 2000-04-27 | 2002-06-13 | Johnson James E. | Cooling system for burn-in unit |
US6483336B1 (en) | 2000-05-03 | 2002-11-19 | Cascade Microtech, Inc. | Indexing rotatable chuck for a probe station |
US6396296B1 (en) | 2000-05-15 | 2002-05-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for electrical characterization of an integrated circuit package using a vertical probe station |
US20010044152A1 (en) | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Gale Burnett | Dual beam, pulse propagation analyzer, medical profiler interferometer |
WO2002095378A1 (en) | 2000-05-22 | 2002-11-28 | Moore Thomas M | Method for sample separation and lift-out |
EP1296360A1 (de) | 2000-05-26 | 2003-03-26 | Ibiden Co., Ltd. | Halbleiterherstellungs- und überprüfungs-anordnung |
US6549022B1 (en) | 2000-06-02 | 2003-04-15 | Sandia Corporation | Apparatus and method for analyzing functional failures in integrated circuits |
US6379130B1 (en) | 2000-06-09 | 2002-04-30 | Tecumseh Products Company | Motor cover retention |
JP2001358184A (ja) | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハプローバ及びそれを用いた回路の測定方法 |
US6657214B1 (en) | 2000-06-16 | 2003-12-02 | Emc Test Systems, L.P. | Shielded enclosure for testing wireless communication devices |
US6622103B1 (en) * | 2000-06-20 | 2003-09-16 | Formfactor, Inc. | System for calibrating timing of an integrated circuit wafer tester |
US6768110B2 (en) | 2000-06-21 | 2004-07-27 | Gatan, Inc. | Ion beam milling system and method for electron microscopy specimen preparation |
JP2002005960A (ja) | 2000-06-21 | 2002-01-09 | Ando Electric Co Ltd | プローブカードおよびその製造方法 |
JP2002022775A (ja) | 2000-07-05 | 2002-01-23 | Ando Electric Co Ltd | 電気光学プローブおよび磁気光学プローブ |
US6731128B2 (en) | 2000-07-13 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | TFI probe I/O wrap test method |
US6700397B2 (en) | 2000-07-13 | 2004-03-02 | The Micromanipulator Company, Inc. | Triaxial probe assembly |
US6424141B1 (en) | 2000-07-13 | 2002-07-23 | The Micromanipulator Company, Inc. | Wafer probe station |
US6515494B1 (en) | 2000-07-17 | 2003-02-04 | Infrared Laboratories, Inc. | Silicon wafer probe station using back-side imaging |
JP2002039091A (ja) | 2000-07-21 | 2002-02-06 | Minebea Co Ltd | 送風機 |
JP4408538B2 (ja) | 2000-07-24 | 2010-02-03 | 株式会社日立製作所 | プローブ装置 |
DE10036127B4 (de) | 2000-07-25 | 2007-03-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zur Versorgungsspannungsentkopplung für HF-Verstärkerschaltungen |
IT1318734B1 (it) | 2000-08-04 | 2003-09-10 | Technoprobe S R L | Testa di misura a sonde verticali. |
DE10040988A1 (de) | 2000-08-22 | 2002-03-21 | Evotec Biosystems Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Messen chemischer und/oder biologischer Proben |
JP2002064132A (ja) | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の受け渡し方法、被処理体の載置機構及びプローブ装置 |
US6970005B2 (en) | 2000-08-24 | 2005-11-29 | Texas Instruments Incorporated | Multiple-chip probe and universal tester contact assemblage |
US6914423B2 (en) * | 2000-09-05 | 2005-07-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
US6965226B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-11-15 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
GB0021975D0 (en) * | 2000-09-07 | 2000-10-25 | Optomed As | Filter optic probes |
US6920407B2 (en) | 2000-09-18 | 2005-07-19 | Agilent Technologies, Inc. | Method and apparatus for calibrating a multiport test system for measurement of a DUT |
US6731804B1 (en) | 2000-09-28 | 2004-05-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Thermal luminescence liquid monitoring system and method |
US6418009B1 (en) | 2000-09-28 | 2002-07-09 | Nortel Networks Limited | Broadband multi-layer capacitor |
US20030072549A1 (en) | 2000-10-26 | 2003-04-17 | The Trustees Of Princeton University | Method and apparatus for dielectric spectroscopy of biological solutions |
DE10151288B4 (de) | 2000-11-02 | 2004-10-07 | Eads Deutschland Gmbh | Struktur-antenne für Fluggeräte oder Flugzeuge |
US6753699B2 (en) | 2000-11-13 | 2004-06-22 | Standard Microsystems Corporation | Integrated circuit and method of controlling output impedance |
US6586946B2 (en) | 2000-11-13 | 2003-07-01 | Signature Bioscience, Inc. | System and method for detecting and identifying molecular events in a test sample using a resonant test structure |
US6582979B2 (en) | 2000-11-15 | 2003-06-24 | Skyworks Solutions, Inc. | Structure and method for fabrication of a leadless chip carrier with embedded antenna |
DE10056882C2 (de) * | 2000-11-16 | 2003-06-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Kalibrieren eines Testsystems für Halbleiterbauelemente und Testsubstrat |
EP1346467B1 (de) | 2000-11-29 | 2010-02-10 | Broadcom Corporation | Integrierte direktumsetzungstunerschaltung für satellitenempfänger |
US6927079B1 (en) | 2000-12-06 | 2005-08-09 | Lsi Logic Corporation | Method for probing a semiconductor wafer |
US6605951B1 (en) | 2000-12-11 | 2003-08-12 | Lsi Logic Corporation | Interconnector and method of connecting probes to a die for functional analysis |
DE20021685U1 (de) | 2000-12-21 | 2001-03-15 | Rosenberger Hochfrequenztech | Hochfrequenz-Tastspitze |
WO2002052674A1 (en) | 2000-12-21 | 2002-07-04 | Paratek Microwave, Inc. | Waveguide to microstrip transition |
JP4071629B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2008-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカートリッジアッセンブリ―並びに多プローブアッセンブリー |
US6541993B2 (en) | 2000-12-26 | 2003-04-01 | Ericsson, Inc. | Transistor device testing employing virtual device fixturing |
JP3543765B2 (ja) | 2000-12-28 | 2004-07-21 | Jsr株式会社 | ウエハ検査用プローブ装置 |
US6791344B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-09-14 | International Business Machines Corporation | System for and method of testing a microelectronic device using a dual probe technique |
US6707548B2 (en) | 2001-02-08 | 2004-03-16 | Array Bioscience Corporation | Systems and methods for filter based spectrographic analysis |
JP2002243502A (ja) | 2001-02-09 | 2002-08-28 | Olympus Optical Co Ltd | エンコーダ装置 |
US20020168659A1 (en) | 2001-02-12 | 2002-11-14 | Signature Bioscience Inc. | System and method for characterizing the permittivity of molecular events |
US7006046B2 (en) * | 2001-02-15 | 2006-02-28 | Integral Technologies, Inc. | Low cost electronic probe devices manufactured from conductive loaded resin-based materials |
US6458611B1 (en) * | 2001-03-07 | 2002-10-01 | Intel Corporation | Integrated circuit device characterization |
US6628503B2 (en) | 2001-03-13 | 2003-09-30 | Nikon Corporation | Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications |
US6512482B1 (en) | 2001-03-20 | 2003-01-28 | Xilinx, Inc. | Method and apparatus using a semiconductor die integrated antenna structure |
US6611417B2 (en) | 2001-03-22 | 2003-08-26 | Winbond Electronics Corporation | Wafer chuck system |
US6690251B2 (en) * | 2001-04-11 | 2004-02-10 | Kyocera Wireless Corporation | Tunable ferro-electric filter |
JP2002311052A (ja) | 2001-04-13 | 2002-10-23 | Agilent Technologies Japan Ltd | ブレード状接続針 |
US6627461B2 (en) | 2001-04-18 | 2003-09-30 | Signature Bioscience, Inc. | Method and apparatus for detection of molecular events using temperature control of detection environment |
US6549396B2 (en) | 2001-04-19 | 2003-04-15 | Gennum Corporation | Multiple terminal capacitor structure |
JP3979793B2 (ja) | 2001-05-29 | 2007-09-19 | 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社 | プローブ設計装置及びプローブ設計方法 |
EP1407254B1 (de) | 2001-05-31 | 2005-12-28 | IntelScan örbylgjutaekni ehf. | Vorrichtung und verfahren zur bestimmung wenigstens einer physikalischen grösse einer substanz mittels mikrowellen |
JP4029603B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2008-01-09 | 豊田合成株式会社 | ウェザストリップ |
US20040021475A1 (en) | 2001-06-06 | 2004-02-05 | Atsushi Ito | Wafer prober |
JP4610798B2 (ja) | 2001-06-19 | 2011-01-12 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | レーザ欠陥検出機能を備えた走査型電子顕微鏡とそのオートフォーカス方法 |
US6649402B2 (en) | 2001-06-22 | 2003-11-18 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Microfabricated microbial growth assay method and apparatus |
CA2451404C (en) | 2001-07-06 | 2011-04-19 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Space-time microwave imaging for cancer detection |
CA2353024C (en) | 2001-07-12 | 2005-12-06 | Ibm Canada Limited-Ibm Canada Limitee | Anti-vibration and anti-tilt microscope stand |
GB0117715D0 (en) | 2001-07-19 | 2001-09-12 | Mrbp Res Ltd | Microwave biochemical analysis |
IL144806A (en) | 2001-08-08 | 2005-11-20 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and apparatus for process control in semiconductor manufacturing |
US20030032000A1 (en) | 2001-08-13 | 2003-02-13 | Signature Bioscience Inc. | Method for analyzing cellular events |
US20040147034A1 (en) | 2001-08-14 | 2004-07-29 | Gore Jay Prabhakar | Method and apparatus for measuring a substance in a biological sample |
US6851096B2 (en) | 2001-08-22 | 2005-02-01 | Solid State Measurements, Inc. | Method and apparatus for testing semiconductor wafers |
US6481939B1 (en) | 2001-08-24 | 2002-11-19 | Robb S. Gillespie | Tool tip conductivity contact sensor and method |
US6643597B1 (en) | 2001-08-24 | 2003-11-04 | Agilent Technologies, Inc. | Calibrating a test system using unknown standards |
US6639461B1 (en) | 2001-08-30 | 2003-10-28 | Sierra Monolithics, Inc. | Ultra-wideband power amplifier module apparatus and method for optical and electronic communications |
WO2003020467A1 (en) | 2001-08-31 | 2003-03-13 | Cascade Microtech, Inc. | Optical testing device |
US6549106B2 (en) | 2001-09-06 | 2003-04-15 | Cascade Microtech, Inc. | Waveguide with adjustable backshort |
WO2003028038A2 (de) | 2001-09-24 | 2003-04-03 | Jpk Instruments Ag | Verfahren und vorrichtung zum messen einer probe mit hilfe eines rastersondenmikroskops |
US6636063B2 (en) | 2001-10-02 | 2003-10-21 | Texas Instruments Incorporated | Probe card with contact apparatus and method of manufacture |
US7295783B2 (en) * | 2001-10-09 | 2007-11-13 | Infinera Corporation | Digital optical network architecture |
US6624891B2 (en) | 2001-10-12 | 2003-09-23 | Eastman Kodak Company | Interferometric-based external measurement system and method |
US20030139662A1 (en) | 2001-10-16 | 2003-07-24 | Seidman Abraham Neil | Method and apparatus for detecting, identifying and performing operations on microstructures including, anthrax spores, brain cells, cancer cells, living tissue cells, and macro-objects including stereotactic neurosurgery instruments, weapons and explosives |
KR100442822B1 (ko) | 2001-10-23 | 2004-08-02 | 삼성전자주식회사 | 전단응력 측정을 이용한 생분자들간의 결합 여부 검출 방법 |
JP2003130919A (ja) | 2001-10-25 | 2003-05-08 | Agilent Technologies Japan Ltd | コネクションボックス及びdutボード評価システム及びその評価方法 |
US7071714B2 (en) * | 2001-11-02 | 2006-07-04 | Formfactor, Inc. | Method and system for compensating for thermally induced motion of probe cards |
JP3976733B2 (ja) | 2001-11-13 | 2007-09-19 | 株式会社アドバンテスト | 波長分散測定システムおよび方法 |
US20030170898A1 (en) | 2001-12-04 | 2003-09-11 | Gundersen Martin A. | Method for intracellular modifications within living cells using pulsed electric fields |
US6447339B1 (en) | 2001-12-12 | 2002-09-10 | Tektronix, Inc. | Adapter for a multi-channel signal probe |
JP4123408B2 (ja) | 2001-12-13 | 2008-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカード交換装置 |
US6770955B1 (en) | 2001-12-15 | 2004-08-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Shielded antenna in a semiconductor package |
JP4148677B2 (ja) | 2001-12-19 | 2008-09-10 | 富士通株式会社 | ダイナミック・バーンイン装置 |
US20030119057A1 (en) | 2001-12-20 | 2003-06-26 | Board Of Regents | Forming and modifying dielectrically-engineered microparticles |
US6657601B2 (en) | 2001-12-21 | 2003-12-02 | Tdk Rf Solutions | Metrology antenna system utilizing two-port, sleeve dipole and non-radiating balancing network |
US6822463B1 (en) | 2001-12-21 | 2004-11-23 | Lecroy Corporation | Active differential test probe with a transmission line input structure |
US7020363B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-03-28 | Intel Corporation | Optical probe for wafer testing |
US6998836B2 (en) * | 2002-01-09 | 2006-02-14 | Christos Tsironis | Low loss integration of wafer probes with microwave tuners |
US7186990B2 (en) | 2002-01-22 | 2007-03-06 | Microbiosystems, Limited Partnership | Method and apparatus for detecting and imaging the presence of biological materials |
US6777964B2 (en) | 2002-01-25 | 2004-08-17 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
US6756751B2 (en) | 2002-02-15 | 2004-06-29 | Active Precision, Inc. | Multiple degree of freedom substrate manipulator |
US6771086B2 (en) | 2002-02-19 | 2004-08-03 | Lucas/Signatone Corporation | Semiconductor wafer electrical testing with a mobile chiller plate for rapid and precise test temperature control |
KR100608521B1 (ko) | 2002-02-22 | 2006-08-03 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 헬리컬 안테나 장치 및 그것을 구비한 무선통신장치 |
US6617862B1 (en) | 2002-02-27 | 2003-09-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Laser intrusive technique for locating specific integrated circuit current paths |
US6701265B2 (en) | 2002-03-05 | 2004-03-02 | Tektronix, Inc. | Calibration for vector network analyzer |
US7015707B2 (en) | 2002-03-20 | 2006-03-21 | Gabe Cherian | Micro probe |
US6828767B2 (en) | 2002-03-20 | 2004-12-07 | Santronics, Inc. | Hand-held voltage detection probe |
DE10213692B4 (de) | 2002-03-27 | 2013-05-23 | Weinmann Diagnostics Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Steuerung einer Vorrichtung und Vorrichtung zur Messung von Inhaltsstoffen im Blut |
US6806697B2 (en) * | 2002-04-05 | 2004-10-19 | Agilent Technologies, Inc. | Apparatus and method for canceling DC errors and noise generated by ground shield current in a probe |
DE10216786C5 (de) | 2002-04-15 | 2009-10-15 | Ers Electronic Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden |
US6737920B2 (en) | 2002-05-03 | 2004-05-18 | Atheros Communications, Inc. | Variable gain amplifier |
DE10220343B4 (de) | 2002-05-07 | 2007-04-05 | Atg Test Systems Gmbh & Co. Kg Reicholzheim | Vorrichtung und Verfahren zum Prüfen von Leiterplatten und Prüfsonde |
WO2003098168A1 (en) | 2002-05-16 | 2003-11-27 | Vega Grieshaber Kg | Planar antenna and antenna system |
US6587327B1 (en) | 2002-05-17 | 2003-07-01 | Daniel Devoe | Integrated broadband ceramic capacitor array |
US7343185B2 (en) | 2002-06-21 | 2008-03-11 | Nir Diagnostics Inc. | Measurement of body compounds |
KR100470970B1 (ko) | 2002-07-05 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 검사장치용 프로브카드의 니들고정장치 및 방법 |
US6856129B2 (en) * | 2002-07-09 | 2005-02-15 | Intel Corporation | Current probe device having an integrated amplifier |
JP4335497B2 (ja) | 2002-07-12 | 2009-09-30 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | イオンビーム装置およびイオンビーム加工方法 |
US6788093B2 (en) | 2002-08-07 | 2004-09-07 | International Business Machines Corporation | Methodology and apparatus using real-time optical signal for wafer-level device dielectrical reliability studies |
JP2004090534A (ja) | 2002-09-02 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板の加工装置および加工方法 |
WO2004025778A1 (en) | 2002-09-10 | 2004-03-25 | Fractus, S.A. | Coupled multiband antennas |
US6784679B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-08-31 | Teradyne, Inc. | Differential coaxial contact array for high-density, high-speed signals |
US6881072B2 (en) | 2002-10-01 | 2005-04-19 | International Business Machines Corporation | Membrane probe with anchored elements |
US7046025B2 (en) | 2002-10-02 | 2006-05-16 | Suss Microtec Testsystems Gmbh | Test apparatus for testing substrates at low temperatures |
US6768328B2 (en) | 2002-10-09 | 2004-07-27 | Agilent Technologies, Inc. | Single point probe structure and method |
JP4043339B2 (ja) | 2002-10-22 | 2008-02-06 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 試験方法および試験装置 |
US7026832B2 (en) | 2002-10-28 | 2006-04-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Probe mark reading device and probe mark reading method |
JP2004152916A (ja) | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Nec Corp | 半導体デバイス検査装置及び検査方法 |
US6864694B2 (en) | 2002-10-31 | 2005-03-08 | Agilent Technologies, Inc. | Voltage probe |
JP2004205487A (ja) | 2002-11-01 | 2004-07-22 | Tokyo Electron Ltd | プローブカードの固定機構 |
US6847219B1 (en) * | 2002-11-08 | 2005-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station with low noise characteristics |
US6724205B1 (en) | 2002-11-13 | 2004-04-20 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for combined signals |
US6853198B2 (en) | 2002-11-14 | 2005-02-08 | Agilent Technologies, Inc. | Method and apparatus for performing multiport through-reflect-line calibration and measurement |
US7019895B2 (en) | 2002-11-15 | 2006-03-28 | Dmetrix, Inc. | Microscope stage providing improved optical performance |
US7250779B2 (en) | 2002-11-25 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station with low inductance path |
US20040100276A1 (en) | 2002-11-25 | 2004-05-27 | Myron Fanton | Method and apparatus for calibration of a vector network analyzer |
US8768485B2 (en) | 2002-11-27 | 2014-07-01 | Medical Device Innovations Limited | Tissue ablation apparatus and method of ablating tissue |
US6861856B2 (en) | 2002-12-13 | 2005-03-01 | Cascade Microtech, Inc. | Guarded tub enclosure |
US6727716B1 (en) | 2002-12-16 | 2004-04-27 | Newport Fab, Llc | Probe card and probe needle for high frequency testing |
US7084650B2 (en) | 2002-12-16 | 2006-08-01 | Formfactor, Inc. | Apparatus and method for limiting over travel in a probe card assembly |
JP2004199796A (ja) | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Shinka Jitsugyo Kk | 薄膜磁気ヘッドの特性測定用プローブピンの接続方法及び薄膜磁気ヘッドの特性測定方法 |
CN100585384C (zh) | 2002-12-19 | 2010-01-27 | 尤纳克西斯巴尔策斯公司 | 产生电磁场分布的方法 |
US6753679B1 (en) | 2002-12-23 | 2004-06-22 | Nortel Networks Limited | Test point monitor using embedded passive resistance |
IL153894A (en) * | 2003-01-12 | 2010-05-31 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and system for measuring the thickness of thin conductive layers |
JP3827159B2 (ja) | 2003-01-23 | 2006-09-27 | 株式会社ヨコオ | 車載用アンテナ装置 |
US7107170B2 (en) | 2003-02-18 | 2006-09-12 | Agilent Technologies, Inc. | Multiport network analyzer calibration employing reciprocity of a device |
JP2004265942A (ja) | 2003-02-20 | 2004-09-24 | Okutekku:Kk | プローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置 |
US6970001B2 (en) | 2003-02-20 | 2005-11-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Variable impedance test probe |
US6987483B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-01-17 | Kyocera Wireless Corp. | Effectively balanced dipole microstrip antenna |
US6804807B2 (en) * | 2003-02-28 | 2004-10-12 | Agilent Technologies, Inc. | Method of characterizing an electronic device having unbalanced ground currents |
US6838885B2 (en) * | 2003-03-05 | 2005-01-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of correcting measurement error and electronic component characteristic measurement apparatus |
US6778140B1 (en) | 2003-03-06 | 2004-08-17 | D-Link Corporation | Atch horn antenna of dual frequency |
US6902941B2 (en) | 2003-03-11 | 2005-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Probing of device elements |
GB2399948B (en) | 2003-03-28 | 2006-06-21 | Sarantel Ltd | A dielectrically-loaded antenna |
US7130756B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-10-31 | Suss Microtec Test System Gmbh | Calibration method for carrying out multiport measurements on semiconductor wafers |
US7022976B1 (en) | 2003-04-02 | 2006-04-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dynamically adjustable probe tips |
US6823276B2 (en) | 2003-04-04 | 2004-11-23 | Agilent Technologies, Inc. | System and method for determining measurement errors of a testing device |
US7002133B2 (en) * | 2003-04-11 | 2006-02-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Detecting one or more photons from their interactions with probe photons in a matter system |
US7023225B2 (en) | 2003-04-16 | 2006-04-04 | Lsi Logic Corporation | Wafer-mounted micro-probing platform |
TWI220163B (en) | 2003-04-24 | 2004-08-11 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing method of high-conductivity nanometer thin-film probe card |
US7221172B2 (en) | 2003-05-06 | 2007-05-22 | Cascade Microtech, Inc. | Switched suspended conductor and connection |
US6882160B2 (en) | 2003-06-12 | 2005-04-19 | Anritsu Company | Methods and computer program products for full N-port vector network analyzer calibrations |
US6900652B2 (en) | 2003-06-13 | 2005-05-31 | Solid State Measurements, Inc. | Flexible membrane probe and method of use thereof |
KR100523139B1 (ko) * | 2003-06-23 | 2005-10-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 테스트시 사용되는 프로빙 패드의 수를 감소시키기위한 반도체 장치 및 그의 테스팅 방법 |
US6956388B2 (en) | 2003-06-24 | 2005-10-18 | Agilent Technologies, Inc. | Multiple two axis floating probe assembly using split probe block |
US7568025B2 (en) | 2003-06-27 | 2009-07-28 | Bank Of America Corporation | System and method to monitor performance of different domains associated with a computer system or network |
US7015708B2 (en) | 2003-07-11 | 2006-03-21 | Gore Enterprise Holdings, Inc. | Method and apparatus for a high frequency, impedance controlled probing device with flexible ground contacts |
JP4159043B2 (ja) | 2003-07-29 | 2008-10-01 | ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 | テレビジョン放送システム |
US20050026276A1 (en) | 2003-07-29 | 2005-02-03 | Northrop Grumman Corporation | Remote detection and analysis of chemical and biological aerosols |
US7068049B2 (en) * | 2003-08-05 | 2006-06-27 | Agilent Technologies, Inc. | Method and apparatus for measuring a device under test using an improved through-reflect-line measurement calibration |
US7015703B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-03-21 | Scientific Systems Research Limited | Radio frequency Langmuir probe |
US7025628B2 (en) | 2003-08-13 | 2006-04-11 | Agilent Technologies, Inc. | Electronic probe extender |
US7088189B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-08-08 | Synergy Microwave Corporation | Integrated low noise microwave wideband push-push VCO |
JP3812559B2 (ja) | 2003-09-18 | 2006-08-23 | Tdk株式会社 | 渦電流プローブ |
US7286013B2 (en) | 2003-09-18 | 2007-10-23 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd | Coupled-inductance differential amplifier |
CN1871684B (zh) | 2003-09-23 | 2011-08-24 | 塞威仪器公司 | 采用fib准备的样本的抓取元件的显微镜检查的方法、系统和设备 |
US6878964B1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Ground-signal-ground pad layout for device tester structure |
US7009452B2 (en) | 2003-10-16 | 2006-03-07 | Solarflare Communications, Inc. | Method and apparatus for increasing the linearity and bandwidth of an amplifier |
US7250626B2 (en) * | 2003-10-22 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe testing structure |
US7020506B2 (en) | 2003-11-06 | 2006-03-28 | Orsense Ltd. | Method and system for non-invasive determination of blood-related parameters |
US7034553B2 (en) | 2003-12-05 | 2006-04-25 | Prodont, Inc. | Direct resistance measurement corrosion probe |
KR100751600B1 (ko) | 2003-12-24 | 2007-08-22 | 몰렉스 인코포레이티드 | 변형 임피던스를 구비한 전송 라인 |
US7187188B2 (en) | 2003-12-24 | 2007-03-06 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck with integrated wafer support |
JP4206930B2 (ja) | 2004-01-21 | 2009-01-14 | 株式会社デンソー | デジタルフィルタのテスト装置及びデジタルフィルタのテスト方法 |
US7254425B2 (en) | 2004-01-23 | 2007-08-07 | Abbott Laboratories | Method for detecting artifacts in data |
JP4130639B2 (ja) | 2004-03-16 | 2008-08-06 | 三洋化成工業株式会社 | 樹脂分散体の製造方法及び樹脂粒子 |
US7009188B2 (en) | 2004-05-04 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Lift-out probe having an extension tip, methods of making and using, and analytical instruments employing same |
US7015709B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-03-21 | Delphi Technologies, Inc. | Ultra-broadband differential voltage probes |
US7023231B2 (en) | 2004-05-14 | 2006-04-04 | Solid State Measurements, Inc. | Work function controlled probe for measuring properties of a semiconductor wafer and method of use thereof |
US7019541B2 (en) | 2004-05-14 | 2006-03-28 | Crown Products, Inc. | Electric conductivity water probe |
US7015690B2 (en) | 2004-05-27 | 2006-03-21 | General Electric Company | Omnidirectional eddy current probe and inspection system |
TWI252925B (en) | 2004-07-05 | 2006-04-11 | Yulim Hitech Inc | Probe card for testing a semiconductor device |
US7188037B2 (en) | 2004-08-20 | 2007-03-06 | Microcraft | Method and apparatus for testing circuit boards |
US20060052075A1 (en) | 2004-09-07 | 2006-03-09 | Rajeshwar Galivanche | Testing integrated circuits using high bandwidth wireless technology |
DE102004057215B4 (de) | 2004-11-26 | 2008-12-18 | Erich Reitinger | Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterwafern mittels einer Sondenkarte unter Verwendung eines temperierten Fluidstrahls |
US7001785B1 (en) * | 2004-12-06 | 2006-02-21 | Veeco Instruments, Inc. | Capacitance probe for thin dielectric film characterization |
DE102005001163B3 (de) | 2005-01-10 | 2006-05-18 | Erich Reitinger | Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterwafern mittels einer temperierbaren Aufspanneinrichtung |
US7005879B1 (en) * | 2005-03-01 | 2006-02-28 | International Business Machines Corporation | Device for probe card power bus noise reduction |
JP4340248B2 (ja) | 2005-03-17 | 2009-10-07 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体撮像装置を製造する方法 |
US7279920B2 (en) | 2005-04-06 | 2007-10-09 | Texas Instruments Incoporated | Expeditious and low cost testing of RFID ICs |
US7096133B1 (en) | 2005-05-17 | 2006-08-22 | National Semiconductor Corporation | Method of establishing benchmark for figure of merit indicative of amplifier flicker noise |
US7733287B2 (en) | 2005-07-29 | 2010-06-08 | Sony Corporation | Systems and methods for high frequency parallel transmissions |
-
2004
- 2004-03-05 US US10/794,246 patent/US7250626B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-15 KR KR1020067008509A patent/KR20060096496A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-09-15 DE DE202004021017U patent/DE202004021017U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-15 EP EP04784414A patent/EP1680813A2/de not_active Withdrawn
- 2004-09-15 JP JP2006536629A patent/JP2007509343A/ja active Pending
- 2004-09-15 GB GB0608025A patent/GB2423588B/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-15 DE DE112004002022T patent/DE112004002022T5/de not_active Withdrawn
- 2004-09-15 WO PCT/US2004/030545 patent/WO2005043176A2/en active Application Filing
- 2004-10-22 TW TW093132073A patent/TW200517668A/zh unknown
-
2007
- 2007-06-20 US US11/820,877 patent/US8069491B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005043176A3 (en) | 2005-12-15 |
US20080218187A1 (en) | 2008-09-11 |
GB0608025D0 (en) | 2006-05-31 |
US20050088191A1 (en) | 2005-04-28 |
JP2007509343A (ja) | 2007-04-12 |
TW200517668A (en) | 2005-06-01 |
KR20060096496A (ko) | 2006-09-11 |
EP1680813A2 (de) | 2006-07-19 |
US7250626B2 (en) | 2007-07-31 |
GB2423588A (en) | 2006-08-30 |
GB2423588B (en) | 2007-08-08 |
DE112004002022T5 (de) | 2006-09-21 |
US8069491B2 (en) | 2011-11-29 |
WO2005043176A2 (en) | 2005-05-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R207 | Utility model specification |
Effective date: 20061102 |
|
R150 | Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years |
Effective date: 20071018 |
|
R157 | Lapse of ip right after 6 years |
Effective date: 20110401 |